JPH11202293A - 電気光学装置の駆動回路、電気光学装置及び電子機器 - Google Patents

電気光学装置の駆動回路、電気光学装置及び電子機器

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JPH11202293A
JPH11202293A JP1514598A JP1514598A JPH11202293A JP H11202293 A JPH11202293 A JP H11202293A JP 1514598 A JP1514598 A JP 1514598A JP 1514598 A JP1514598 A JP 1514598A JP H11202293 A JPH11202293 A JP H11202293A
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tft
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electro
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 プリチャージ回路及び画素電極等が形成され
る基板上の領域を有効に使用して液晶パネルを小型化す
ることが可能な液晶パネルの駆動装置等を提供する。 【解決手段】 液晶パネル内のデータ線(35)毎に設
けられ、当該データ線(35)への画像信号の供給に先
立って、各データ線(35)に対してプリチャージ信号
を各々供給するプリチャージ回路(201)において、
相隣接する二つのデータ線(35)に対応する二つのプ
リチャージ用のTFT(202)に対して一のプリチャ
ージ信号線(204)からプリチャージ信号を供給する
ように、各々のプリチャージ信号線(204)を配置す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、薄膜トランジスタ
(以下、TFTと称す。)駆動等によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶パネル等の電気光学装置の駆動回
路、該駆動回路を備えた電気光学装置、該駆動回路が基
板上に設けられた電気光学装置、または当該電気光学装
置を用いた電子機器の技術分野に属し、特に、プリチャ
ージ回路を備えた駆動回路、電気光学装置、及び電子機
器の技術分野に属する。
【0002】
【従来の技術】従来、TFT駆動によるアクティブマト
リクス駆動方式の液晶パネルにおいては、縦横に各々配
列された多数の走査線及びデータ線と、走査線及びデー
タ線の各交点に対応する多数の画素電極がTFTアレイ
基板上に設けられている。そして、これらに加えて、走
査線駆動回路、データ線駆動回路、サンプリング回路な
どのTFTを構成要素とする各種の周辺回路が、このよ
うなTFTアレイ基板上に設けられる場合がある。
【0003】これらの周辺回路のうち、サンプリング回
路は、高周波数の画像信号を各データ線に所定のタイミ
ングで安定的に走査信号と同期して供給するために、画
像信号をサンプリングする回路である。
【0004】また、プリチャージ回路は、コントラスト
比の向上、データ線の電位レベルの安定、表示画面上の
ラインむらの低減等を目的として、データ線に対し、前
記サンプリング回路により画像信号がサンプリングされ
るタイミングに先行するタイミングで、プリチャージ信
号(画像補助信号)を供給することにより、画像信号を
データ線に書き込む際の負荷を軽減する回路である。特
に液晶を交流駆動するために通常行われるデータ線の電
圧位相を1水平走査期間毎に反転して駆動する所謂1H
反転駆動方式においては、1水平有効表示期間前の1水
平帰線期間において、画像信号の位相が切り換わってか
ら後に、所定電位のプリチャージ信号をデータ線に予め
書き込んでおけば、画像信号をデータ線に書き込む際に
必要な電荷量を顕著に少なくできる。
【0005】ここで、TFTアレイ基板上にマトリクス
状に配置された複数の画素により規定される画面表示領
域、即ち液晶パネル上で実際に液晶の配向状態の変化に
より画像が表示される領域において、前記複数の画素に
各々設けられる画素スイッチング用TFTを制御するた
めに、該画面表示領域の周囲に設けられる周辺回路を形
成するための領域は基本的要請として大きい程よいとさ
れている。
【0006】ここで、従来における前記プリチャージ回
路に着目する。図16に従来のプリチャージ回路のレイ
アウト平面図を示す。当該プリチャージ回路を構成する
各スイッチング素子としてのTFT202は、各々のデ
ータ線35毎に設ける必要があり、該TFT202のド
レイン電極はデータ線35と電気的に接続され、該TF
Tのソース電極はプリチャージ信号を供給するプリチャ
ージ信号線204から延設された供給線と各々が電気的
に接続された構成とされていた。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来のプリチャージ回路の構成によると、プリチャー
ジ回路を構成する各スイッチング素子としてのTFT
は、TFTアレイ基板上の所定の範囲の領域を占有する
こととなるため、プリチャージ回路の集積化、及び当該
プリチャージ回路を含む液晶パネルの小型化が困難であ
るという問題点があった。
【0008】すなわち、前記プリチャージ回路を構成す
るスイッチング素子としてのTFTはデータ線毎に構成
する必要があり、各々のTFT毎にソース領域、ゲート
領域、ドレイン領域を形成すると、必然的に該TFTを
形成するために必要な領域が広くなり、結果として該T
FTにより構成されるプリチャージ回路の集積化が図れ
ない。これにより、前記プリチャージ回路を含む液晶パ
ネルにおいてそれ自体を小型化することができないので
ある。また、更なる解像度の向上を図るために液晶パネ
ルの高精細化や、或いは、マザー基板からの取れ個数を
増加することで歩留まりを向上したり、持ち運び自由な
モバイル用途に使用するために液晶パネル自体の小型化
を望む声が多くなっている。このように、液晶パネルの
高精細化、或いは小型化が進むと、画素サイズの微細化
が必然となり、それに伴い同一基板上に形成された周辺
回路の集積化を図る必要がある。
【0009】そこで、本発明は、前記の問題点に鑑みて
なされたもので、その課題は、前記プリチャージ回路を
TFTアレイ基板上に効率的に配置して、液晶パネルを
小型化することが可能な液晶パネルの駆動装置及び当該
液晶パネルを備えた液晶装置並びに当該液晶装置を備え
た電子機器を提供することにある。
【0010】
【課題を解決するための手段】前記の課題を解決するた
めに、請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路は、画
像信号が供給される複数のデータ線と、走査信号が供給
される複数の走査線と、前記複数のデータ線及び前記複
数の走査線に接続された第1スイッチング手段と、各第
1スイッチング手段に接続された画素電極とを備えた電
気光学装置の駆動回路であって、プリチャージ信号を各
々供給するプリチャージ信号線と前記複数のデータ線と
の間に複数の第2スイッチング手段を有し、前記第2ス
イッチング手段の導通により前記データ線に前記プリチ
ャージ信号を各々供給するプリチャージ回路を備え、相
隣接する2本の前記データ線に対応する2つの前記第2
スイッチング手段は前記プリチャージ信号線から延設さ
れた共通の供給線に接続されてなることを特徴とする。
【0011】請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路
によれば、プリチャージ信号線から延設された複数の供
給線によって、プリチャージ回路へ所定電圧レベルのプ
リチャージ信号が供給される。そして、各データ線毎に
設けられた複数の第2スイッチング手段は、1水平走査
期間における1水平帰線期間毎に画像信号のデータ線へ
の供給に先立って、供給されたプリチャージ信号を各デ
ータ線に対して各々供給する。このとき、相隣接する2
本のデータ線に対応する2つの第2スイッチング手段に
対して同時に前記供給線からプリチャージ信号を供給す
るように、供給線を共通に配置するようにする。これに
より、相隣接する2つのデータ線に対応する第2スイッ
チング手段で前記供給線を共通に使用するので、各第2
スイッチング手段毎に供給線を設ける場合に比して供給
線の数を減少させることができると共に、各第2スイッ
チング手段を繰り返しアレイ状に配列する際の間隔(配
列ピッチ)を短縮することができるため、形成領域を効
率的に使用することができる。これにより、前記プリチ
ャージ回路の集積化が図れ、電気光学装置の小型化を実
現することができる。
【0012】請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路
は、前記課題を解決するために、請求項1に記載の電気
光学装置の駆動回路において、前記第2スイッチング手
段を駆動するために、プリチャージ回路駆動信号を供給
するプリチャージ回路駆動信号線から延設された駆動線
を更に備え、前記駆動線は前記データ線毎に各々対応す
る複数の前記第2スイッチング手段に対して、前記プリ
チャージ回路駆動信号線から前記プリチャージ回路駆動
信号を供給するように、各々の前記駆動線が配置されて
いることを特徴とする。
【0013】請求項2に記載の電気光学装置の駆動回路
によれば、前記第2スイッチング手段を駆動するための
プリチャージ回路駆動信号線から延設された駆動線によ
って、プリチャージ回路駆動信号が供給される。この
際、各データ線毎に設けられる前記第2スイッチング手
段を駆動するためのプリチャージ回路駆動信号を供給す
る前記駆動線を、複数の該第2スイッチング手段に対し
て共通に設けるようにする。このような構成を採れば、
1本の前記駆動線で複数の該第2スイッチング手段を同
時に駆動できるため、該第2スイッチング手段毎に該駆
動線を設ける必要がないため、形成領域を効率的に使用
することができる。これにより、前記プリチャージ回路
の集積化が図れ、電気光学装置の小型化を実現すること
ができる。
【0014】請求項3に記載の液晶パネルの駆動装置
は、前記課題を解決するために、請求項1又は2に記載
の電気光学装置の駆動回路において、前記第2スイッチ
ング手段は、薄膜トランジスタであると共に、前記プリ
チャージ信号線から延設された供給線が、相隣接する2
本の前記データ線に対応する各々の該薄膜トランジスタ
のソース電極に共通に電気的に接続されていることを特
徴とする。
【0015】請求項3に記載の電気光学装置の駆動回路
によれば、前記プリチャージ回路の第2スイッチング手
段は、TFTから構成されている。しかも、相隣接する
2本の前記データ線がドレイン電極に電気的に接続され
た各々の前記TFTは、プリチャージ信号が供給される
供給線を共通で用いることができるため、当該供給線に
電気的に接続される相隣接する二つの該TFTのソース
電極を共用することが可能となる。このような構成を採
れば、相隣接する二つの前記TFTにおいて、ソース電
極を形成する占有面積を削減できるため、形成領域を効
率的に使用することができる。これにより、前記プリチ
ャージ回路の集積化が図れ、液晶パネルの小型化を実現
することができる。
【0016】請求項4に記載の電気光学装置の駆動回路
は、前記課題を解決するために、請求項1及至請求項3
のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路におい
て、前記第2スイッチング手段を構成する前記薄膜トラ
ンジスタの半導体層は、当該薄膜トランジスタの複数に
亘って、電気的に分離されることなく共通に同一膜で形
成されていることを特徴とする。
【0017】請求項4に記載の電気光学装置の駆動回路
によれば、前記プリチャージ回路の第2スイッチング手
段を構成するTFTは、その半導体層をデータ線に各々
接続された複数のTFTに亘って、電気的に分離せずに
共通で設けるようにする。このような構成を採れば、各
々のデータ線に接続される前記プリチャージ回路の第2
スイッチング手段としてのTFTの半導体層を、該TF
T毎に各々分離する必要がないため、半導体層を分離す
る際の間隔を設ける必要がなくなる。従って、その間隔
分だけプリチャージ回路を形成する占有面積を削減する
ことが可能となり、形成領域を効率的に使用することが
できる。これにより、前記プリチャージ回路の集積化が
図れ、電気光学装置の小型化を実現することができる。
【0018】請求項5に記載の電気光学装置の駆動回路
は、前記課題を解決するために、請求項1及至請求項4
のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回路におい
て、前記第2スイッチング手段は、少なくともPチャネ
ル型トランジスタ、Nチャネル型トランジスタ又は相補
型トランジスタのうちいずれかで構成されていることを
特徴とする。
【0019】請求項5に記載の電気光学装置の駆動回路
によれば、第2スイッチング手段をPチャネル型TF
T、或いはNチャネル型TFTといった片チャネル型T
FTで構成することにより、占有面積の少ない領域に効
率的に配置することができる。これにより、前記プリチ
ャージ回路の集積化が図れ、電気光学装置の小型化を実
現することができる。また、前記第2スイッチング手段
をPチャネル型TFT及びNチャネル型TFTから成る
相補型TFTで形成することができる。このように、相
補型TFTで構成すれば、片チャネル型TFTに比して
占有面積が少し大きくなるが、プリチャージ回路の第2
スイッチング手段の配列ピッチは片チャネル型TFTの
場合と同一に形成できるので、特に問題とはならない。
また、プリチャージ回路の第2スイッチング手段を相補
型TFTで構成するようにすれば、データ線の電位揺れ
を防止することが可能となり、高品位な画質の電気光学
装置が実現できる。
【0020】請求項6に記載の電気光学装置は、前記課
題を解決するために、請求項1乃至請求項5のいずれか
一項に記載の電気光学装置の駆動回路を備えたことを特
徴とする。
【0021】請求項6に記載の電気光学装置によれば、
請求項1乃至請求項5のいずれか一項に記載の電気光学
装置の駆動回路を備えているので、各第2スイッチング
手段毎に供給線を設ける場合に比して供給線の数を減少
させることができると共に、各第2スイッチング手段の
配列ピッチを短縮して形成領域を効率的に使用すること
ができるので、プリチャージ回路を小面積化して電気光
学装置自体を小型化できる。
【0022】請求項7に記載の電子機器は、前記課題を
解決するために、請求項6の電気光学装置を備えたこと
を特徴とする。
【0023】請求項7に記載の電子機器によれば、電子
機器は上述した本願発明の電気光学装置を備えており、
該電気光学装置の小型化が可能なので、電子機器の小型
化を実現することができる。
【0024】本発明のこのような作用及び他の利得は、
次に説明する実施の形態から明らかにする。
【0025】
【発明の実施の形態】以下に、本発明に好適な実施の形
態について、図面に基づいて説明する。
【0026】(液晶パネルの構成と駆動)先ず、電気光
学装置の一例として、液晶装置の全体構成について、図
1から図2を参照して説明する。図1は、液晶装置の実
施の形態におけるTFTアレイ基板上に設けられた各種
配線、周辺回路等の構成を示すブロック図であり、図2
は、プリチャージ回路を含めた液晶パネルの1水平走査
期間のタイミングチャートである。
【0027】図1において、液晶装置200は、例えば
石英基板、ハードガラス等からなるTFTアレイ基板1
を備えている。TFTアレイ基板1上には、マトリクス
状に設けられた複数の画素電極11と、X方向に複数配
列されており各々がY方向に沿って伸びるデータ線35
と、Y方向に複数配列されており各々がX方向に沿って
伸びる走査線31と、各データ線35と画素電極11と
の間に各々介在すると共に該間における導通状態及び非
導通状態を、走査線31を介して各々供給される走査信
号に応じて各々制御するスイッチング素子の一例として
の複数のTFT30とが形成されている。またTFTア
レイ基板1上には、蓄積容量のための配線である容量線
31’を走査線31に沿ってほぼ平行に配設しても良い
し、前段の走査線下を利用して蓄積容量を形成しても良
い。なお、本実施形態においては、容量線31’は定電
位線501を介して走査線駆動回路104の正電源或い
は負電源等に接続されている。このように、TFTアレ
イ基板1上の周辺回路の電源等の定電位線を利用すれ
ば、容量線31’に定電位を供給するための引き回し配
線及び該配線に接続された実装端子102を設ける必要
がないため、実装端子数の削減が図れ、液晶装置200
の小型化が実現できる。
【0028】TFTアレイ基板1上には更に、複数のデ
ータ線35に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像
信号に先行して各々供給するプリチャージ回路201
と、画像信号をサンプリングして複数のデータ線35に
各々供給するサンプリング回路301と、データ線駆動
回路101と、走査線駆動回路104とが形成されてい
る。図1においては走査線駆動回路104は走査線の両
端に配置されているが、走査線の信号遅延等が問題にな
らない場合は、どちらか一方のみに形成してもよいこと
は言うまでもない。また、データ線駆動回路101を画
面表示領域の辺に沿って両側に配列してもよい。例えば
奇数列のデータ線は画面表示領域の一方の辺に沿って配
設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給し、偶数
列のデータ線は前記画面表示領域の反対側の辺に沿って
配設されたデータ線駆動回路から画像信号を供給するよ
うにしてもよい。この様にデータ線35を櫛歯状に駆動
するようにすれば、データ線駆動回路の占有面積を拡張
することができるため、複雑な回路を構成することが可
能となる。なお、上述した櫛歯状に駆動する方法は、走
査線駆動回路104に適用できることは言うまでもな
い。
【0029】走査線駆動回路104は、外部制御回路か
ら供給される電源、基準クロック等に基づいて、所定タ
イミングで走査線31に走査信号をパルス的に線順次で
印加する。
【0030】データ線駆動回路101は、外部制御回路
から供給される電源、基準クロック等に基づいて、走査
線駆動回路104が走査信号を印加するタイミングに合
わせて、画像入力信号線VID(例えば図1に示すよう
に、6つの画像入力信号線VID1〜VID6)につい
て、データ線35毎にサンプリング回路駆動信号をサン
プリング回路301にサンプリング回路駆動信号線30
6を介して供給する。
【0031】プリチャージ回路201は、TFT202
を各データ線35毎に備えており、プリチャージ信号線
204がTFT202のソース電極に接続されており、
プリチャージ回路駆動信号線206がTFT202のゲ
ート電極に接続されている。そして、プリチャージ信号
線204を介して、外部電源からプリチャージ信号を書
き込むために必要な所定電圧の電源が供給され、プリチ
ャージ回路駆動信号線206を介して、各データ線35
について画像信号に先行するタイミングでプリチャージ
信号を書き込むように、外部制御回路からプリチャージ
回路駆動信号が供給される。プリチャージ回路201
は、好ましくは中間階調レベルの画素データに相当する
プリチャージ信号(画像補助信号)を供給する。
【0032】サンプリング回路301は、TFT302
を各データ線35毎に備えており、画像入力信号線VI
D1〜VID6がTFT302のソース電極に接続され
ており、サンプリング回路駆動信号線306がTFT3
02のゲート電極に接続されている。そして、画像入力
信号線VID1〜VID6を介して、6つのパラレルな
画像信号が入力されると、これらの画像信号をサンプリ
ングする。また、サンプリング回路駆動信号線306を
介して、データ線駆動回路101からサンプリング回路
駆動信号が入力されると、6本の画像入力信号線VID
1〜VID6各々についてサンプリングされた画像信号
の印加をデータ線35毎に順次に行う。即ち、データ線
駆動回路101とサンプリング回路301とは、6相展
開されて画像入力信号線VID1〜VID6から入力さ
れた6つのパラレルな画像信号を、データ線35に供給
するように構成されている。
【0033】なお、以上説明した実施の形態では、外部
制御回路により例えば6相展開された6つの画像信号V
ID1〜VID6が画像入力信号線を介してサンプリン
グ回路301のスイッチング手段であるTFT302の
ソース電極に供給され、該TFT302のゲート電極に
順次にサンプリング回路駆動信号を印加するように構成
されているため、データ線35毎に相展開された画像信
号が順次印加される構成となっている。また他の駆動方
法として、例えば隣接する6つのTFT302のゲート
電極に対して同時にサンプリング回路駆動信号を印加
し、複数のデータ線35をグループ毎に順次選択するよ
うにしてもよい。この場合、外部制御回路により例えば
6相展開された6つの画像信号VID1〜VID6の位
相タイミングを合わせ、TFT302を介してデータ線
35に供給するようにしても、同様の表示を行えること
ができる。また、画像信号の相展開数は6に限られな
い。例えば、当該サンプリング回路301を構成するT
FT302におけるサンプリング能力が高ければ、相展
開数は6以下でも構わないし、サンプリング能力が低け
れば、相展開数は6以上でもよい。画像信号の相展開数
が少ない方が外部制御回路に係るコストを低減できる。
また、少なくとも画像信号の相展開数分だけ、画像入力
信号線が必要であることは言うまでもない。更に、画像
信号の相展開数を3、6、12、18、24、…といっ
た3の倍数に設定すれば、画像入力信号線が3の倍数で
形成できるため、ビデオ表示する際に有利である。これ
は、カラー画像信号が3つの色(赤、緑、青)に係る信
号からなることとの関係から、3の倍数であると、NT
SC表示やPAL表示等のビデオ表示をする際に制御や
回路を簡易化する上で好ましいからである。
【0034】ここで、図2を参照して、プリチャージ回
路201によるプリチャージについて更に説明を加え
る。
【0035】図2に示すように、データ線駆動回路10
1が有するシフトレジスタには、一画素当りの選択時間
t1(ドット周波数)を規定するクロック信号CLXが
水平走査の基準として入力されるが、転送スタート信号
DXが入力されると、このシフトレジスタから転送信号
X1、X2、…が順次供給される。ここで図1に示した
本実施の形態の回路構成では、データ線毎に順次サンプ
リング回路301を駆動するので、クロック信号CLX
の半周期の期間がドット周波数と同じになる。また、例
えば隣接する6本のデータ線に接続されるサンプリング
回路301を同時に駆動するようにすれば、クロック信
号CLXの半周期の期間はドット周波数t1の6倍とな
る。各水平走査期間において、このような転送スタート
信号DXの入力に先行するタイミングで、プリチャージ
回路駆動信号NRGが供給される。より具体的には、垂
直走査の基準とされるクロック信号CLYがハイレベル
となると共に画像信号VIDが信号の電圧中心値VID
中心を基準として極性反転した後、この極性反転からプ
リチャージをするまでのマージンである時間t3経過後
に、プリチャージ回路駆動信号NRGは、ハイレベルと
される。他方、プリチャージ信号NRSは、画像信号V
IDの反転に対応して、水平帰線期間で画像信号VID
と同極性の所定レベルとされる。従って、プリチャージ
回路駆動信号NRGがハイレベルとされる時間t2にお
いて、プリチャージが行われる。そして、水平帰線期間
が終了して有効表示期間が始まる時点よりも時間t4だ
け前に、即ち、プリチャージが終了してから画像信号が
書き込まれるまでのマージンを時間t4として、プリチ
ャージ回路駆動信号NRGは、ローレベルとされる。以
上のように、プリチャージ回路201は、各水平帰線期
間において、プリチャージ信号NRSを画像信号に先行
して複数のデータ線35に供給する。
【0036】次に、プリチャージ回路201及びサンプ
リング回路301を構成するTFT202及び302の
具体的な回路構成について図3及び図4を参照して各々
説明する。なお、図3は、プリチャージ回路201のT
FT202を構成する各種のTFTを示す回路図であ
り、図4は、サンプリング回路301のTFT302を
構成する各種のTFTを示す回路図である。
【0037】図3(1)に示すようにプリチャージ回路
201のTFT202(図1参照)は、Nチャネル型T
FT202Aから構成されてもよいし、図3(2)に示
すようにPチャネル型TFT202Bから構成されても
よいし、図3(3)に示すようにNチャネル型TFT及
びPチャネル型TFTから成る相補型TFT202Cか
ら構成されてもよい。なお、図3(1)から図3(3)
において、図1に示したプリチャージ回路駆動信号線2
06を介して入力されるプリチャージ回路駆動信号20
6A、206Bは、ゲート電圧として各TFT202A
〜202Cに入力される。同じく図1に示したプリチャ
ージ信号線204を介して入力されるプリチャージ信号
NRSは、ソース電圧として各TFT202A〜202
Cに入力される。Nチャネル型TFT202Aにゲート
電圧として印加されるプリチャージ回路駆動信号206
Aと、Pチャネル型TFT202Bにゲート電圧として
印加されるプリチャージ回路駆動信号206Bとは、相
互に反転信号である。従って、プリチャージ回路201
を相補型TFT202Cで構成する場合には、プリチャ
ージ回路駆動信号線206が少なくとも2本以上必要と
なる。或いは、例えば、TFT202Cの手前でプリチ
ャージ回路駆動信号206Aをインバータにより反転さ
せて、プリチャージ回路駆動信号206Bを形成しても
よい。
【0038】図4(1)に示すようにサンプリング回路
301のTFT302(図1参照)は、Nチャネル型の
TFT302Aから構成されてもよいし、図4(2)に
示すようにPチャネル型のTFT302Bから構成され
てもよいし、図4(3)に示すように相補型TFT30
2Cから構成されてもよい。なお、図4(1)から図4
(3)において、図1に示した画像入力信号線304を
介して入力される画像信号VIDは、ソース電圧として
各TFT302A〜302Cに入力される。同じく図1
に示したデータ線駆動回路101からサンプリング回路
駆動信号線306を介して入力されるサンプリング回路
駆動信号306A、306Bは、ゲート電圧として各T
FT302A〜302Cに入力される。また、サンプリ
ング回路301においても、前述のプリチャージ回路2
01の場合と同様に、Nチャネル型のTFT302Aに
ゲート電圧として印加されるサンプリング回路駆動信号
306Aと、Pチャネル型のTFT302Bにゲート電
圧として印加されるサンプリング回路駆動信号306B
とは、相互に反転信号である。従って、サンプリング回
路301を相補型TFT302Cで構成する場合には、
サンプリング回路駆動信号306A、306B用のサン
プリング回路駆動信号線306が少なくとも2本以上必
要となる。
【0039】(第1実施形態)前記の構成を有する液晶
装置において、第1実施形態のプリチャージ回路201
の構成について図5(1)を用いて説明する。なお、図
5は、プリチャージ回路201のスイッチング手段であ
るTFTがNチャネル型TFT又はPチャネル型TFT
のいずれか一方により形成されている場合を示してい
る。
【0040】図5(1)に示すように、第1実施形態の
プリチャージ回路201においては、隣接する奇数列の
データ線35aに対応するスイッチング手段としてのT
FT202aのソース電極と、偶数列のデータ線35b
に対応するスイッチング手段としてのTFT202bの
ソース電極が、プリチャージ信号線204から延設され
た供給線204aをコンタクトホール38aを介して共
通に電気的に接続されている。
【0041】すなわち、図5(a)に示すTFT202
aはプリチャージ信号線204から延設された供給線2
04aをソース電極線とし、プリチャージ回路駆動信号
線206から延設された駆動線206aをゲート電極線
とし、ドレイン電極においてデータ線35aとコンタク
トホール38bを介して電気的に接続されている。
【0042】また、TFT202bはプリチャージ信号
線204から延設された供給線204aをTFT202
aと共通のソース電極線とし、プリチャージ回路駆動信
号線206から延設された駆動線204aをゲート電極
線とし、ドレイン電極においてデータ線35bとコンタ
クトホール38bを介して電気的に接続されている。
【0043】図16に示すように、従来のプリチャージ
回路201は、スイッチング手段としての各々のTFT
202毎にプリチャージ信号線204から延設された供
給線204aを設けていたために、アレイ状に配列され
たデータ線35の配列ピッチLを短縮することができな
かった。しかし、本実施の形態のプリチャージ回路20
1の構成を採れば、図5(a)に示すように奇数列のデ
ータ線35aに対応するTFT202aと偶数列のデー
タ線に対応するTFT202bへのプリチャージ信号線
204から延設された供給線204aが共用できるた
め、アレイ状に配列された奇数列のデータ線35aと偶
数列のデータ線35bの配列ピッチLは従来よりも短縮
できる。従って、各々のデータ線にアレイ状に接続配置
される画素の配列ピッチ(画素ピッチ)を短縮すること
ができるのである。例えば、配線及び間隔等の設計ルー
ルを2μmで設計したとすると、図16に示す従来の形
態では、配列ピッチLを20μm以下で形成することが
できなかったが、図5(a)に示す本実施の形態によれ
ば、配列ピッチLを15μm程度で形成することができ
る。これは、設計ルールが2μmでも画素ピッチが15
μm程度で形成できることを意味しており、歩留まりの
低下を招くことなく、プリチャージ回路を備えることで
画質品位の高い超小型液晶パネルが実現できる。
【0044】更に、プリチャージ回路駆動信号線206
からコンタクトホール38cを介して電気的に接続され
た走査線と同一工程で形成されるポリシリコン膜から成
る駆動線206aは、複数のTFT202a及び202
bのゲート電極として形成してもよい。すなわち、隣接
する複数のTFT220a及び220bのゲート電極と
なる駆動線222を共通化するのである。このような構
成を採れば、プリチャージ回路駆動信号線206と駆動
線206aとの電気的な接続を採るためのコンタクトホ
ール38cの数を少なくすることができ、他の配線の引
き回しに余裕を持たせることができる。また、複数の駆
動線206aをプリチャージ回路駆動信号線206とT
FT202a及び202b間で格子状に形成すること
で、冗長構造とすることもできる。
【0045】また、奇数列のデータ線35aに電気的に
接続されるTFT202a及び偶数列のデータ線35b
に電気的に接続される202bの半導体層62を図16
に示す従来例のように互いに分離することなく、同一の
島状パターンで共用するように形成するとよい。このよ
うな構成を採れば、隣合うTFT202a及び202b
の半導体層間の間隔を設ける必要がないため、配列ピッ
チLを更に短縮することができるのである。なお、更に
複数のTFT202a及び202bの半導体層62を分
離することなく、同一の島状パターンで形成することも
できる。
【0046】図5(b)は図5(a)のA−A’に沿っ
た断面図である。また、図6(a)は、液晶装置200
が含むTFTアレイ基板1上の周辺回路と画面表示領域
を構成する隣接する画素群の平面図であり、図6(b)
は図6(a)のB−B’に沿った断面図である。ここ
で、図5及び図6を用いて第1実施形態のプリチャージ
回路201と画素スイッチング用のTFT30の構造に
ついて更に説明する。なお、図5(b)及び図6(b)
において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめて
ある。
【0047】先ず、図6に示す画面表示領域を構成する
画素について説明する。ここで、図6(a)に示すよう
に、画素電極11は、TFTアレイ基板1上にマトリク
ス状に配列され、各画素電極11に隣接してTFT30
が設けられており、また画素電極11の縦横の境界に各
々沿ってデータ線35(ソース電極)及び走査線31
(ゲート電極)が設けられている。また、本実施例では
画素電極11を制御する画素スイッチング用のTFT3
0は、各画素電極11に対して1個しか設けられていな
いが、TFT30のソース・ドレイン間、すなわちコン
タクトホール38からコンタクトホール39の間でゲー
ト電極31を2個直列に配設し、デュアルゲート構造と
しても良いし、3個以上直列に配設しても良い。このよ
うに、TFT30にゲート電極を多段設けることによ
り、抵抗成分が大きくなり、TFT30がオフ時のリー
ク電流を低減できる利点がある。なお、図6(b)は、
説明の都合上、画素電極11のマトリクス状配列等を簡
略化して示すためのものであり、実際の各電極は層間絶
縁層の間や上をコンタクトホール等を介して配線されて
おり、図6(b)から分かるように3次元的により複雑
な構成を有している。
【0048】図6(b)の断面図において、液晶パネル
10は、各画素に設けられるTFT30部分において、
TFTアレイ基板1並びにその上に積層された第1層間
絶縁層41、半導体層32、ゲート絶縁層33、走査線
31(ゲート電極)、第2層間絶縁層42、データ線3
5(ソース電極)、第3層間絶縁層43、画素電極11
を備えている。
【0049】TFT30の下地となるTFTアレイ基板
1は、ガラスや石英等により形成される絶縁基板であ
り、このTFTアレイ基板1上に、第1層間絶縁層41
を介して、走査線31からの電界によりチャネルが形成
される半導体層32が設けられる。
【0050】半導体層32は、例えば、下地としてのT
FTアレイ基板1上にa−Si(アモルファスシリコ
ン)膜を形成後、アニール処理を施して約500〜20
00Åの厚さに固相成長させることにより形成する。そ
の後、ゲート絶縁膜33を熱酸化等で形成し、ゲート絶
縁膜33の上にゲート電極31を形成する。そしてNチ
ャネル型TFTを形成する場合には、半導体層32のソ
ース・ドレイン領域となる部分に選択的にSb(アンチ
モン)、As(砒素)、P(リン)などのV族元素のド
ーパントを用いたイオン注入等によりドープを行って、
ソース領域及びドレイン領域を形成する。また、Pチャ
ネル型TFTを形成する場合には、半導体層32のソー
ス・ドレイン領域となる部分に選択的にAl(アルミニ
ウム)、B(ボロン)、Ga(ガリウム)、In(イン
ジウム)などのIII族元素のドーパントを用いたイオン
注入等によりドープを行ってソース領域及びドレイン領
域を形成する。そして、これらのドープは、ゲート電極
31をマスクとして行われるため、ドープが行われなか
った領域がチャネル領域32aとして形成される。特に
TFT30をLDD(Lightly Doped D
rain)構造を持つNチャネル型TFTとする場合、
ソース領域及びドレイン領域のうちチャネル領域32a
側に各々隣接する一部にPなどのV族元素のドーパント
により低濃度ソース領域32b及び低濃度ドレイン領域
32cを形成し、同じくPなどのV族元素のドーパント
により高濃度ソース領域32d及び高濃度ドレイン領域
32eを形成する。また、Pチャネル型TFTとする場
合、ソース・ドレイン領域のうちチャネル領域32aの
側に各々隣接する一部に、 BなどのIII族元素のドーパ
ントを用いて低濃度ソース領域32b及び高濃度ソース
領域32dと、低濃度ドレイン領域32c及び高濃度ド
レイン領域32eを形成する。 なお、Nチャネル型T
FTは、動作速度が速いという利点があり、画素スイッ
チング用のTFT30として用いられることが多い。
【0051】また、このようにLDD構造とした場合、
ショートチャネル効果を低減できる利点が得られる。な
お、TFT30は、低濃度ソース・ドレイン領域32
b、32cに不純物のイオンを打ち込まないオフセット
構造のTFTとしてもよいし、ゲート電極31をマスク
として高濃度な不純物イオンを打ち込み自己整合的に高
濃度ソース・ドレイン領域32a、32eを形成するセ
ルフアライン型のTFTとしてもよい。
【0052】ゲート絶縁層33は、半導体層32を約9
00〜1300℃の温度により熱酸化することにより、
300〜1500Å程度の比較的薄い厚さの熱酸化膜を
形成して得る。
【0053】また、第1層間絶縁層41、第2層間絶縁
層42及び第3層間絶縁層43は各々、5000〜15
000Å程度の厚みを持つNSG、PSG(P25を含
むSiO2)、BSG(B23を含むSiO2)、BPSG
( P25とB23を含むSiO2)などのシリケートガ
ラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなる。
なお、第3層間絶縁層43の上に更に平坦化膜をスピン
コート等で塗布してもよく、又はCMP処理を施しても
よい。また、第3層間絶縁層43の表面を平坦にするよ
うに処理してもよいことは言うまでもない。このよう
に、画素電極11を形成する表面を平坦化することで、
ラビング時の配向不良により生じる液晶のディスクリネ
ーションの発生領域を極力低減することができる。
【0054】第2層間絶縁層42には、高濃度ソース領
域32dへ通じるコンタクトホール38が形成され、第
2層間絶縁層42及び第3層間絶縁層43には、高濃度
ドレイン領域32eへ通じるコンタクトホール39が各
々形成されている。この高濃度ソース領域32dへのコ
ンタクトホール38を介して、データ線35(ソース電
極)は高濃度ソース領域32dに電気的接続される。ま
た、高濃度ドレイン領域32eへのコンタクトホール3
9を介して、画素電極11が高濃度ドレイン領域32e
に電気的接続される。各コンタクトホールは、例えば、
反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等の
ドライエッチングにより形成すれば、寸法精度よく開孔
できる。また、ドライエッチングにウエットエッチング
を組み合わせれば、コンタクトホール部の側壁をテーパ
ー状に形成することができるため、コンタクトホール部
の段差により、配線が断線することがない。なお、コン
タクトホール部の側壁をテーパー状にするのに、ドライ
エッチングによりレジストを後退させても形成できる。
【0055】一般に、チャネルが形成される半導体層3
2を形成するポリシリコン膜等は、光が入射するとポリ
シリコン膜が有する光電変換効果により光電流が発生し
てしまいTFT30のトランジスタ特性が劣化するが、
本実施の形態では、図6(b)に示すように対向基板2
に各TFT30に各々対向する位置にCr膜から成るブ
ラックマトリクス等の遮光層23が形成されているの
で、入射光が半導体層32に直接入射することが防止さ
れる。更にこれに加えて又は代えて、ゲート電極を上側
から覆うようにデータ線35(ソース電極)をAl等の
不透明な金属薄膜から形成すれば、遮光層23と共に又
は単独で、半導体層32への入射光(即ち、図19
(b)で上側からの光)の入射を効果的に防ぐことがで
きる。なお、工程増を招くが、半導体層32の少なくと
もチャネル領域及び、該チャネル領域とソース・ドレイ
ンの接合部に重なるように、その下層に酸化シリコン膜
や窒化シリコン膜等の第1層間絶縁層41を介して、W
(タングステン)やMo(モリブデン)等の高融点金属
或いは金属シリサイド膜等の金属合金膜等により遮光膜
44を設けることにより、TFTアレイ基板裏面からの
戻り光を遮断してもよい。このような構成を採れば、強
い光を入射しても、光によるTFT30のトランジスタ
特性の劣化を招くことがないため、光を入射する光源を
明るくすることができる。すなわち、例えばマイクロレ
ンズ等の光利用効率を向上させるための手段を用いる必
要が無いので、明るい液晶パネルを低コストで提供する
ことができる。なお、前記遮光膜44は周辺回路の電源
等と接続することにより、定電位を供給することで、画
素スイッチング用TFT30のトランジスタ特性の劣化
を防止してもよい。なお、遮光膜44を形成しない場
合、第1層間絶縁層41を下地膜として用いずに工程を
省略してもよい。
【0056】走査線31(ゲート電極)は、減圧CVD
法等によりポリシリコン膜を堆積した後、フォトリソグ
ラフィ工程やエッチング工程等により形成される。或い
は、W(タングステン)やMo(モリブデン)等の金属
膜又は金属シリサイド膜等の合金膜から形成されてもよ
い。このような構成を採れば、走査線31の低抵抗化が
図れるため、走査信号の遅延による表示品位の劣化を防
止できる。また、走査線31自体の線幅を細めることが
可能となり、液晶パネルが小型化しても画素開口部(光
透過部)への影響を少なくできる。更に、走査線31が
遮光膜として代用できるため、対向基板2上の遮光層2
3を省くことができる。これにより、TFTアレイ基板
1と対向基板2との貼り合わせ時における精度を無視す
ることができるので、透過率がばらつかない液晶パネル
を提供することができる。
【0057】データ線35(ソース電極)は、スパッタ
リング処理等により、約1000〜5000Åの厚さに
堆積されたAl等の低抵抗金属や金属シリサイド等の合
金膜をフォトリソグラフィ工程、エッチング工程等を施
すことにより形成する。なお、上述したプリチャージ信
号線204やプリチャージ回路駆動信号線206をデー
タ線35と同一膜で形成すると、低抵抗で信号遅延が生
じにくいため、各種配線材料として使用される。
【0058】画素電極11は例えば、ITO膜(Indium
Tin Oxide膜)などの透明導電性薄膜からなり、上述
した第2層間絶縁層42の上面に設けられている。この
画素電極11は、スパッタリング処理等によりITO膜
等を約500〜2000Åの厚さに堆積した後、フォト
リソグラフィ工程、エッチング工程等を施すことにより
形成される。なお、当該液晶パネル10を反射型の液晶
装置に用いる場合には、Al等の反射率の高い不透明な
材料から画素電極11を形成してもよい。
【0059】一方、上述したプリチャージ回路201を
制御するスイッチング手段としてのTFT202a及び
202bは、図5(b)に示すような断面構造をしてい
る。このように、前記TFT202a及び202bと、
図6(a)に示した画素スイッチング用のTFT30と
の違いは、 TFT30のドレイン電極としての画素電
極11にITO等を用い、 TFT202a及び202
bのドレイン電極にアルミニウム等の低抵抗金属を用い
る点のみであり、画素領域におけるTFT30の形成時
とほぼ同一な薄膜形成工程で形成できる。
【0060】具体的には、まず、TFTアレイ基板1上
にTFT202a及び202bの半導体層62が分離さ
れずに連続して形成され、当該半導体層62には、チャ
ネル領域62a、低濃度ソース領域62b、高濃度ソー
ス領域62d、低濃度ドレイン領域62c、及び高濃度
ドレイン領域62eが形成される。この際、TFT20
2a及び202bの高濃度ソース領域62dが共通領域
として形成される。また、半導体層62上にはゲート絶
縁層63が形成され、当該ゲート絶縁層63上にはゲー
ト電極として駆動線206aが形成される。そして、第
2層間絶縁層42に形成されたコンタクトホール38a
を介してプリチャージ信号線204から延設された供給
線204aと高濃度ソース領域62dが電気的に接続さ
れる。従って、隣り合うプリチャージ回路201のスイ
ッチング手段としてのTFT202a及び202bは供
給線204aを共用化することができるため、プリチャ
ージ回路の占有面積を集積化できるのである。また、T
FT202aにおける高濃度ドレイン領域62eでは、
コンタクトホール38bを介して奇数列のデータ線35
aと電気的に接続され、 TFT202bにおける高濃
度ドレイン領域62eでは、コンタクトホール38bを
介して偶数列のデータ線35bと電気的に接続され。更
に、データ線35a、35b及び供給線204aを覆う
ように、第3層間絶縁層43が形成される。
【0061】そして、半導体層62は上述した画素スイ
ッチング用TFT30の半導体層32に、チャネル領域
62aはTFT30のチャネル領域32aに、低濃度ソ
ース領域62bはTFT30の低濃度ソース領域32b
に、高濃度ソース領域62dはTFT30の高濃度ソ
ース領域32dに 、低濃度ドレイン領域62cはTF
T30の低濃度ドレイン領域32cに、及び高濃度ドレ
イン領域62eはTFT30の高濃度ドレイン領域32
eに各々対応しており同一の工程により形成される。な
お、画素スイッチング用TFT30をNチャネル型TF
Tで形成する場合、周辺回路をPチャネル型TFT及び
Nチャネル型TFTから成る相補型TFTで構成される
ので、Pチャネル型TFTを形成するために、III族元
素のドーパントを用いたイオン注入等によりドープを行
う工程を追加する。これにより、相補型TFTを形成す
ることができる。
【0062】更には、ゲート絶縁層63はTFT30の
ゲート絶縁層33に対応し、駆動線(ゲート電極)20
6aはTFT30のゲート電極31に対応しており同一
の工程により形成される。
【0063】また、データ線35a、35b及び供給線
204aは、TFT30のソース電極35に対応し、同
一の工程により形成される。即ち、低抵抗なAl等の金
属膜、或いは金属シリサイド等の金属合金膜から形成さ
れる。プリチャージ信号線204やプリチャージ回路駆
動信号線206も配線の時定数を低減するため、 TF
T30のソース電極35と同一の工程で形成される。な
お、供給線204aはAl等の低抵抗金属膜のみで形成
する場合もあるが、他の信号配線を重畳するためにポリ
シリコン膜等の中継配線を用いることもある。
【0064】本実施形態では、プリチャージ回路を構成
するTFT202a及び202bも画素スイッチング用
TFT30と同様にLDD構造で形成したが、上述した
オフセット構造のTFTでも良いし、セルフアライン型
のTFTでも良い。なお、セルフアライン型のTFTで
形成すれば、高い移動度が得られるため、高速な駆動回
路が実現できる。
【0065】また、画面表示領域を構成する画素スイッ
チング用TFT30と同様に半導体層62の下層に酸化
シリコン膜や窒化シリコン膜等の第1層間絶縁膜41を
介して遮光膜44を形成してもよい。このような構成を
採れば、TFTアレイ基板1裏面からの戻り光により、
TFT202a及び202bがリーク電流を発生するこ
とを防止できるため、表示品位の劣化を招くことがな
い。なお、前記遮光膜は周辺回路の電源等と接続するこ
とにより、定電位を供給することで、画素スイッチング
用TFTのトランジスタ特性の劣化を防止してもよい。
【0066】ところで、後述するその他の実施形態のプ
リチャージ回路やデータ線駆動回路、走査線駆動回路等
を含む周辺回路を構成するPチャネル型TFT及びNチ
ャネル型TFTに関しても、画素スイッチング用TFT
30とほぼ同一の薄膜形成工程で形成することができ、
製造上有利である。
【0067】また、図6には示されていないが、対向基
板2の投射光が入射する側及びTFTアレイ基板1の投
射光が出射する側には各々、例えば、TN(ツイステッ
ドネマティック)モード、 STN(スーパーTN)モ
ード、D−STN(ダブル−STN)モード等の動作モ
ードや、ノーマリーホワイトモード/ノーマリーブラッ
クモードの別に応じて、偏光フィルム、位相差フィル
ム、偏光板などが所定の方向で配置される。
【0068】(第2実施形態)次に、本発明に係る他の
実施形態である第2実施形態について、図7を用いて説
明する。なお、図7において、図5と同様の部材につい
ては、同一の部材番号を付して細部説明は省略する。ま
た、第2実施形態においては、液晶装置200全体の構
成は第1実施形態と同様であり、異なるのは、以下に説
明するプリチャージ回路の構成のみである。
【0069】上述の第1実施形態においては、図5
(a)に示すように、隣接するデータ線に接続されるT
FT202a及び202bを制御するゲート電極は、プ
リチャージ回路駆動信号線206からコンタクトホール
38c部分で電気的に接続され延設された駆動線206
aにより構成していたが、これ以外に、図7に示すプリ
チャージ回路201’のように、TFT220a及び2
20bに接続する駆動線202aの形状を工夫すること
で、更なるプリチャージ回路の集積化が実現できる。更
に、プリチャージ信号線204から延設された供給線2
04aとTFT202a及び202bのソース領域とを
電気的に接続するコンタクトホール38aと、奇数列の
データ線35a及び偶数列のデータ線35bとTFT2
02a及び202bのソース領域とを電気的に接続する
コンタクトホール38bとを千鳥状に配置すると共に当
該コンタクトホール38a及び38bを回避するように
「8」の字形に駆動線206aを配置するように構成す
る。
【0070】このような構成を採れば、隣接する2本の
データ線35について、第1実施形態のプリチャージ回
路201に比して、プリチャージ回路駆動信号線1本分
の間隔を更に短縮してプリチャージ回路を更に小型化す
ることができる。すなわち、アレイ状に配列された奇数
列のデータ線35aと偶数列のデータ線35bの配列ピ
ッチLは第1実施形態よりも更に短縮できる。従って、
各々のデータ線35にアレイ状に接続配置される画素の
配列ピッチ(画素ピッチ)を更に短縮することができる
のである。例えば、配線及び間隔等の設計ルールを2μ
mで設計したとすると、図5に示す第1実施形態では、
配列ピッチLを15μm程度まで短縮して形成すること
ができたが、図7に示す第2実施形態によれば、配列ピ
ッチLを10μm程度まで短縮して形成することができ
る。これは、設計ルールが2μmでも画素ピッチが10
μm程度まで微細化して形成できることを意味してお
り、歩留まりの低下を招くことなく、プリチャージ回路
を備えることで画質品位の高い超小型液晶パネルが実現
できる。
【0071】(第3実施形態)次に、本発明に係る他の
実施形態である第3実施形態について、図8を用いて説
明する。なお、図8において、図5(a)と同様の部材
については、同一の部材番号を付して細部説明は省略す
る。また、第3実施形態においても、液晶装置200全
体の構成は第1実施形態と同様であり、異なるのは、以
下に説明するプリチャージ回路の構成のみである。
【0072】図5(a)に示す第1実施形態において
は、TFT201としてPチャネル型TFT又はNチャ
ネル型TFTのうち、いずれか一方を使用した構成につ
いて説明したが、本発明は、上述のように図3(c)に
示す相補型TFTに対しても適用可能である。
【0073】すなわち、図8に示すように、Pチャネル
型TFT310と、当該Pチャネル型TFTと相補的に
配置されたNチャネル型TFT311と、Pチャネル型
TFT310に対してプリチャージ回路駆動信号を供給
するプリチャージ回路駆動信号線206Pから延設され
た駆動線206pと、Nチャネル型TFT311に対し
てプリチャージ回路駆動信号を供給するプリチャージ回
路駆動信号線206Nから延設された駆動線206n
と、を含む相補型TFTのプリチャージ回路201’’
において、隣接する奇数列のデータ線35a及び偶数列
のデータ線35bに接続される各々のTFT間でプリチ
ャージ信号線204から延設された供給線204aを共
通的に使用するように構成することができる。このよう
な構成を採れば、プリチャージ回路201’’のスイッ
チング手段としてのTFTをアレイ状に配列した場合の
配列ピッチLを、図5で示したプリチャージ回路201
のPチャネル型TFT或いはNチャネル型TFTといっ
た片チャネル型TFTから形成される場合の配列ピッチ
Lと同一に形成できる。従って、相補型TFTをスイッ
チング手段として用いたプリチャージ回路201’’に
おいて、第1実施形態のプリチャージ回路201と同様
に、表示品位を低下させることなく、液晶パネルの小型
化が実現できる。更に相補型TFTを用いれば、サンプ
リング回路301のTFT302の寄生容量が原因で生
じる画像信号の電位揺れを防止することができる。
【0074】なお、第3実施形態のプリチャージ回路2
01’’において、Pチャネル型TFT310を制御す
る前記プリチャージ回路駆動信号線206Pと、 Nチ
ャネル型TFT311を制御するプリチャージ回路駆動
信号線206Nの間では、相互に信号の極性を反転させ
た波形を有するプリチャージ回路駆動信号が対応するT
FTに対して各々供給される。また、第3実施形態では
データ線35a及び35bに近接している方にNチャネ
ル型TFT311を設けたが、Pチャネル型TFT31
0であっても構わない。この際、プリチャージ回路駆動
信号線206Pと206Nが入れ替わることは言うまで
もない。
【0075】また更に、第3実施形態のプリチャージ回
路201’’においては、データ線35a又は35bと
前記プリチャージ回路駆動信号線206Nとの短絡を防
止するため、当該プリチャージ回路駆動信号線206N
とは異なる層に形成されている中継配線320を介して
画面表示領域までデータ線35a又は35bを形成する
必要がある。
【0076】(第4実施形態)次に、本発明に係る他の
実施形態である第4実施形態について、図9及び図10
を用いて説明する。なお、図9において、図5(a)と
同様の部材については、同一の部材番号を付して細部説
明は省略する。また、第4実施形態においても、液晶装
置200全体の構成は第1実施形態と同様であり、異な
るのは、以下に説明するプリチャージ回路の構成のみで
ある。
【0077】上述の第3実施形態においては、相補型T
FTのプリチャージ回路201’’において、Pチャネ
ル型TFT310に対してプリチャージ回路駆動信号を
供給するプリチャージ回路駆動信号線206Pと、Nチ
ャネル型TFT311に対してプリチャージ回路駆動信
号を供給するプリチャージ回路駆動信号線206Nとを
別に設けた構成としたが、これ以外に、プリチャージ回
路駆動信号を外部から印加するときは1本のプリチャー
ジ回路駆動信号線206Nで印加し、例えば、印加され
た駆動信号をそのままNチャネル型TFT311に対し
て供給すると共に、これを位相反転させてからPチャネ
ル型TFT310に対して供給するように構成すること
もできる。
【0078】すなわち、図9に示すように、第4実施形
態のプリチャージ回路201’’’では、プリチャージ
回路駆動信号線206Nから供給されるプリチャージ回
路駆動信号の位相を反転する位相反転回路212を形成
し、これにより位相反転されたプリチャージ回路駆動信
号を駆動線206pを介してPチャネル型TFT231
に供給すると共に、当該プリチャージ回路駆動信号20
6Nを位相反転せずに、駆動線206nを介して、その
ままNチャネル型TFT311に供給している。
【0079】ここで、位相反転回路212は、プリチャ
ージ回路駆動信号線206Nから延設された駆動線毎
に、Pチャネル型TFT310と、Nチャネル型TFT
311と、位相反転回路212に対して正電源を供給す
る正電源線410と、負電源を供給する負電源線420
とを含むインバータ回路を構成している。
【0080】また、第4実施形態では、プリチャージ回
路201’’’中では、図9において上段側にPチャネ
ル型TFT310とNチャネル型TFT311が交互に
配置されていると共に、図9において下段側に当該上段
側と逆の順序でPチャネル型TFT310とNチャネル
型TFT311が交互に配置されている。そして、デー
タ線35に着目すると、奇数列のデータ線35aには上
段側(位相反転回路212に近い側)がNチャネル型T
FT311で下段側はPチャネル型TFT310が相補
的に接続されており、偶数列のデータ線35bには上段
側がPチャネル型TFT310で下段側はNチャネル型
TFT311が相補的に接続されている構成をしてい
る。なお、この順序は逆であってもよいことは言うまで
もない。
【0081】そして、隣接するデータ線35a及び35
bに対応する各々の相補型TFTのソース電極に電気的
に接続されるプリチャージ信号線204からの供給線2
04aを共通に使用するように構成される。
【0082】このような構成を採れば、第4実施形態に
おける相補型TFTのプリチャージ回路201’’’に
おいて、第1から第3実施形態のプリチャージ回路と同
様な効果を得ることができると共に、外部からプリチャ
ージ回路駆動信号を供給するための実装端子と当該実装
端子から延設されるプリチャージ回路駆動信号線が各々
一つで構成できるので、相補型TFTをスイッチング手
段としたプリチャージ回路を備える液晶装置を小型化す
ることができ、かつ実装端子の削減が可能となる。実装
端子が削減できれば、液晶装置を駆動させるための外部
情報処理回路からの入力信号を削減できるため、当該外
部情報処理回路の負荷を軽減することができる。なお、
前記位相反転回路212については、図9に示す配置及
び回路構成の他に、種々の配置及び回路構成を採ること
ができる。
【0083】すなわち、図9に示す場合では、図10
(a)に示すようにプリチャージ回路201’’’を形
成する各々の相補形TFTに対して各々インバータ等か
らなる位相反転回路212が接続されていることとなる
が、これ以外に、図10(b)に示すようにプリチャー
ジ回路201’’’の前にインバータ等からなる位相反
転回路212を設け、一括して位相反転した後にプリチ
ャージ回路駆動信号を各々の相補形TFTに共通的に供
給するようにしてもよい。このような構成を採れば、各
々の相補型TFTに対して位相反転回路212を設ける
必要がないので、プリチャージ回路201の占有面積を
小さくできる利点がある。
【0084】また、図10(c)に示すように、図10
(b)の構成に加えて、位相反転後のプリチャージ回路
駆動信号の位相を補正するためにインバータによりプリ
チャージ回路駆動信号線206と反転のプリチャージ回
路駆動信号線をたすき状にした位相補正回路213を介
してプリチャージ回路駆動信号を供給してもよい。この
ような構成を採れば、プリチャージ回路駆動信号と反転
のプリチャージ回路駆動信号の位相差を合わせ込むこと
ができるので、確実なプリチャージ動作が行える。
【0085】更に、図10(d)に示すように、図10
(a)に示す各相補形TFT毎に位相反転回路212を
設ける構成に加えて、各相補形TFT毎に前記位相補正
回路213を設けてもよい。このような構成を採れば、
プリチャージ回路駆動信号と反転のプリチャージ回路駆
動信号の位相差を合わせ込むことができるので、確実な
プリチャージ動作が行える。
【0086】更にまた、図10(e)に示すように、複
数の相補形TFT毎に一つずつ位相反転回路212のみ
或いは当該位相反転回路212と位相補正回路213を
セットで設けてプリチャージ回路駆動信号及びその反転
信号を供給するように構成することもできる。このよう
な構成を採れば、プリチャージ回路駆動信号と反転のプ
リチャージ回路駆動信号の位相差を合わせ込むことがで
きるので、確実なプリチャージ動作が行えるばかりでな
く、ブロック毎に位相反転回路212と位相補正回路2
13を設ければよいので、プリチャージ回路の占有面積
を小さくできるので、液晶パネルの小型化が実現でき
る。
【0087】(プリチャージ回路の変形形態)次に、本
発明を適用した液晶装置200におけるプリチャージ回
路201の種々の回路構成例について、図11乃至図1
3を用いて説明する。
【0088】始めに、図1に示した液晶装置200と同
様に、画像信号(例えばVID1〜6)を供給するサン
プリング回路301を、画面表示領域を挟んでプリチャ
ージ信号を供給するプリチャージ回路201と反対側の
TFTアレイ基板1上に形成した場合である第1の変形
形態について、図11を用いて説明する。
【0089】図11に示すように、第1変形形態におい
ては、データ線駆動回路101と、プリチャージ駆動信
号線206を介して入力されるプリチャージ回路駆動信
号に基づいてプリチャージ回路201を構成するTFT
202を各々駆動するプリチャージ専用シフトレジスタ
回路401とが、画素電極11等を含む画面表示領域を
挟んで対向して配置される。
【0090】そして、プリチャージ回路201において
は、相隣接するデータ線35に接続されているTFT2
02間で、プリチャージ信号線204から延設された供
給線221を共有している。
【0091】この第1変形形態の構成によると、プリチ
ャージ専用のシフトレジスタを備えているため、プリチ
ャージ信号をデータ線35に対して順次に供給できる。
従って、すべてのデータ線に接続されるプリチャージ回
路201のスイッチング手段としてのTFT202を一
括して駆動することがないため、短期間で十分なプリチ
ャージが行える利点がある。
【0092】次に、図1に示した液晶装置200と異な
り、画面表示領域に対してデータ線駆動回路101と同
じ側にプリチャージ回路201を形成した場合である第
2の変形形態について、図12を用いて説明する。
【0093】図12に示すように、第2変形形態におい
ては、データ線駆動回路101内に、プリチャージ回路
駆動信号線206を介して入力されるプリチャージ回路
駆動信号に基づいてプリチャージ信号供給用のTFT2
02を駆動するプリチャージ専用シフトレジスタ回路と
画像信号供給用のTFT302を駆動する画像信号用シ
フトレジスタ回路とを併せて構成し、当該プリチャージ
専用シフトレジスタ回路の各々の出力段とTFT202
とが駆動線206aで接続されており、さらに当該画像
信号用シフトレジスタ回路の各々の出力段とTFT30
2とがサンプリング回路駆動信号線306で接続されて
いる。
【0094】そして、各々のデータ線35に対応するT
FT202とTFT302とが相隣接して形成され、更
に相隣接するデータ線35に対応するTFT202も相
隣接して形成されている。
【0095】そして、当該相隣接するデータ線35に接
続されているTFT202間で、プリチャージ信号線2
04からの供給線204aを共有している。
【0096】この第2変形形態の構成によると、プリチ
ャージ回路201とサンプリング回路301とが画面表
示領域に対して同じ側に配置されているので、第1変形
形態と同様の効果の他に、画像信号用シフトレジスタ回
路を駆動するためのクロック信号線をプリチャージ専用
シフトレジスタでも共用でき、更に周辺回路の集積化が
可能となり、液晶パネルの小型化が実現できる。
【0097】最後に、前記第2変形形態と同様に、サン
プリング回路301を画面表示領域に対してプリチャー
ジ回路201と同じ側に形成した他の場合である第3変
形形態について、図13を用いて説明する。
【0098】図13に示すように、第3変形形態におい
ては、データ線駆動回路101内には画像信号供給用の
TFT302を駆動する画像信号用シフトレジスタ回路
のみを有し、前記プリチャージ専用シフトレジスタ回路
は用いていない。
【0099】そして、プリチャージ回路駆動信号線20
6から延設された駆動線206aは直接TFT202に
接続されており、画像信号用シフトレジスタ回路とTF
T302とがサンプリング回路駆動信号線306で接続
されている。各々のデータ線35に対応するTFT20
2とTFT302とが相隣接して形成され、更に相隣接
するデータ線35に対応するTFT202も相隣接して
形成されている。
【0100】そして、当該相隣接するデータ線35に接
続されているTFT202間で、プリチャージ信号線2
04から延設された供給線204aを互いに共有してい
る。
【0101】この第3変形形態のように構成しても、プ
リチャージ回路201とサンプリング回路301とが画
面表示領域に対して同じ側に配置されているので、基板
1上の回路を更に集積化することができるばかりでな
く、図示していないがデータ線35のプリチャージ回路
201及びサンプリング回路301のと接続されている
側とは反対側において、データ線の短絡や開放を検査す
るための検査回路を設けることが容易になる利点があ
る。
【0102】なお、第1から第3変形形態の回路構成
は、本願発明の第1から第4実施形態の全てにおいて適
用可能であることは言うまでもない。
【0103】(液晶パネルの構成)上述した実施の形態
及び変形例に記載されたTFT基板と対向基板とを貼り
合わせた液晶パネルの構成例について説明する。本実施
の形態では特に、プリチャージ回路201及びサンプリ
ング回路301は、図14及び図15に示すように、対
向基板2に形成された遮光性の周辺見切り53に対向す
る位置においてTFTアレイ基板1上に設けるような構
成を採っている。これは、従来まではデッドスペースで
あった周辺見切り53の領域においてプリチャージ回路
201やサンプリング回路301を設けることで、液晶
パネルを小型化することが可能になるからである。ま
た、データ線駆動回路101及び走査線駆動回路104
は、液晶層50に面しないTFTアレイ基板1の狭く細
長い周辺部分上に設けられている。
【0104】これらのプリチャージ回路201、サンプ
リング回路301、データ線駆動回路101及び走査線
駆動回路104等の周辺回路は、主にTFTから構成さ
れており、例えば各TFTのa−Si(アモルファスシ
リコン)膜やp−Si(ポリシリコン)膜から構成され
たチャネル形成用の領域に光が入射すると、この領域に
おいて光電変換効果により光電流が発生してしまい当該
TFTのトランジスタ特性が劣化する。このため、本実
施の形態では、データ線駆動回路101及び走査線駆動
回路104が形成されるTFTアレイ基板1の周辺部分
は、プラスチック等からなる遮光性のケースの内部に納
められ、プリチャージ回路201及びサンプリング回路
301は、遮光性の周辺見切り53の下にあるTFTア
レイ基板1部分に少なくともその一部が形成されるので
ある。従って例えば、製造途中や出荷時の液晶装置の品
質、欠陥等を検査するための回路であり、やはり主にT
FTからなる検査回路を、同様にTFTアレイ基板1の
周辺部分や遮光層の下の空きスペースに設けることも可
能である。その他にも、液晶表示における画質の向上、
消費電力の低減、コストの低減等の観点から、TFTを
用いた各種の周辺回路を、同様にTFTアレイ基板1の
周辺部分や周辺見切り53の下の空きスペースに設ける
ことも可能である。また、本実施の形態ではプリチャー
ジ回路201を画面表示領域を挟んでデータ線駆動回路
101と反対側に設けているが、第2変形形態及び第3
変形形態で説明したように、データ線駆動回路101と
同じ側に設けてもよい。更に、本実施の形態では水平帰
線期間中に全てのプリチャージ回路201を一括して駆
動させるようにしたが、本実施の変形形態で説明したよ
うにデータ線毎或いは隣接する複数のデータ線数本分を
同時に時系列で順次シフトさせてプリチャージを行える
ように、プリチャージ回路201を駆動させるための専
用のシフトレジスタ回路を設けてもよいし、画像信号用
のサンプリング回路301を駆動するためのサンプリン
グ回路駆動信号によりプリチャージ回路を駆動してもよ
い。このような構成を採れば、プリチャージ回路201
を駆動するための負荷が軽減でき、十分なプリチャージ
効果が得られる。
【0105】図14及び図15において、TFTアレイ
基板1の上には、複数の画素電極11により規定される
画面表示領域(即ち、実際に液晶層50の配向状態変化
により画像が表示される液晶パネルの領域)の周囲にお
いて両基板を貼り合わせて液晶層50を包囲するシール
部材の一例としての光硬化性樹脂からなるシール材52
が、画面表示領域に沿って設けられている。そして、対
向基板2上における画面表示領域とシール材52との間
には、遮光性の周辺見切り53が設けられている。
【0106】周辺見切り53は、後に画面表示領域に対
応して開口部が設けられた遮光性のケースにTFTアレ
イ基板1が入れられた場合に、当該画面表示領域が製造
誤差等により当該ケースの開口の縁に隠れてしまわない
ように、即ち、例えばTFTアレイ基板1のケースに対
する数百μm程度のずれを許容するように、画面表示領
域の周囲に少なくとも500μm以上の幅を持つ帯状の
遮光性材料から形成されたものである。このような遮光
性の周辺見切り53は、例えば、Cr(クロム)やNi
(ニッケル)などの金属材料を用いたスパッタリング、
フォトリソグラフィ及びエッチングにより対向基板2に
形成される。或いは、カーボンやTi(チタン)をフォ
トレジストに分散した樹脂ブラックなどの材料から形成
される。前記遮光性の周辺見切り53を画素スイッチン
グ用TFT等を遮光するための遮光層23と同一膜で一
括形成するようにすればよい。
【0107】シール材52の外側の領域には、画面表示
領域の下辺に沿ってデータ線駆動回路101及び実装端
子102が設けられており、画面表示領域の左右の2辺
に沿って走査線駆動回路104が画面表示領域の両側に
設けられている。更に画面表示領域の上辺には、複数の
配線105が設けられている。また、対向基板2のコー
ナー部の少なくとも1ヶ所で、TFTアレイ基板1と対
向基板2との間で電気的導通をとるための導通材からな
る銀点106が設けられている。そして、シール材52
とほぼ同じ輪郭を持つ対向基板2が当該シール材52に
よりTFTアレイ基板1に固着されている。
【0108】プリチャージ回路201及びサンプリング
回路301は、基本的に交流駆動の回路である。このた
め、シール材52により包囲され両基板間に挟持された
液晶層50に面するTFTアレイ基板1部分にこれらの
プリチャージ回路201及びサンプリング回路301を
設けても、直流電圧印加による液晶層50の劣化という
問題は生じない。これに対して、データ線駆動回路10
1及び走査線駆動回路104は、液晶層50に面するこ
とのないTFTアレイ基板1の周辺部分に設けられてい
る。従って、液晶層50に、特に直流駆動されるデータ
線駆動回路101や走査線駆動回路104からの直流電
圧成分が、印加されることを未然に防止できる。ただ
し、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104上
にパッシベーション膜を形成して保護すれば、液晶層5
0中に形成しても問題はない。
【0109】そして、このように周辺見切り53下に、
プリチャージ回路201及びサンプリング回路301を
設けることで、走査線駆動回路104やデータ線駆動回
路101をTFTアレイ基板1の周辺部分に余裕を持っ
て形成することができ、特定の仕様に沿うようにこれら
の周辺回路を設計することが容易になる。また、従来は
デッドスペースであった周辺見切り53下に、プリチャ
ージ回路201やサンプリング回路301を設けること
で、液晶装置200における画面表示領域の面積の減少
を招くこともなく、同時に、特に周辺見切り53は遮光
性であるので、画面表示領域を介して入射される光に対
する遮光をプリチャージ回路201やサンプリング回路
301を構成するTFT202及び302に施す必要も
無い。加えて、シール材52に面するTFTアレイ基板
1部分にプリチャージ回路201やサンプリング回路3
01を形成する訳ではないので、これらの回路を構成す
るTFT202及び302をシール材52に混入された
スペーサにより破壊する恐れはない。また、両基板のシ
ール材52に対向する位置には、遮光層を設ける必要は
ないので、シール材52を光硬化させる工程で両基板側
から光を十分に照射でき、良好に光硬化を行える。この
ため、基板の変形等が懸念される熱硬化性樹脂をシール
材52として使用しなくて済み有利である。
【0110】(電子機器)次に、以上詳細に説明した液
晶装置200を備えた電子機器の実施の形態について図
17から図20を参照して説明する。
【0111】先ず図17に、このように液晶装置200
を備えた電子機器の概略構成を示す。
【0112】図17において、電子機器は、表示情報出
力源1000、上述した外部表示情報処理回路100
2、前述の走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路
101を含む表示駆動回路1004、液晶パネル10、
クロック発生回路1008並びに電源回路1010を備
えて構成されている。表示情報出力源1000は、RO
M(Read Only Memory)、RAM(Random Access
Memory)、光ディスク装置などのメモリ、テレビ信号を
同調して出力する同調回路等を含んで構成され、クロッ
ク発生回路1008からのクロック信号に基づいて、所
定フォーマットの画像信号などの表示情報を表示情報処
理回路1002に出力する。表示情報処理回路1002
は、増幅・極性反転回路、相展開回路、ローテーション
回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種処
理回路を含んで構成されており、クロック発生回路10
08からのクロック信号に基づいて入力された表示情報
からデジタル信号を順次生成し、クロック信号CLKと共
に表示駆動回路1004に出力する。表示駆動回路10
04は、走査線駆動回路104及びデータ線駆動回路1
01によって前述の駆動方法により液晶パネル10を駆
動する。電源回路1010は、上述の各回路に所定電源
を供給する。なお、液晶パネル10を構成するTFTア
レイ基板の上に、表示駆動回路1004を搭載してもよ
く、これに加えて表示情報処理回路1002を搭載して
もよい。
【0113】このような構成の電子機器として、図18
に示す液晶プロジェクタ、図19に示すマルチメディア
対応のパーソナルコンピユータ(PC)及びエンジニア
リング・ワークステーション(EWS)、あるいは携帯
電話、ワードプロセッサ、テレビ、ビューファインダ型
又はモニタ直視型のビデオテーブレコーダ、電子手帳、
電子卓上計算機、カーナビゲーション装置、POS端
末、タッチパネルを備えた装置などを挙げることができ
る。
【0114】次に図18から図20に、このように構成
された電子機器の具体例を各々示す。図18において、
電子機器の一例たる液晶プロジェクタ1100は、投射
型の液晶プロジェクタであり、光源1110と、ダイク
ロイックミラー1113,1114と、反射ミラー11
15,1116,1117と、入射レンズ1118,リ
レーレンズ1119,出射レンズ1120と、液晶ライ
トバルブ1122,1123,1124と、クロスダイ
クロイックプリズム1125と、投射レンズ1126と
を備えて構成されている。液晶ライトバルブ1122,
1123,1124は、上述した駆動回路1004がT
FTアレイ基板上に搭載された液晶パネル10を含む液
晶モジュールを3個用意し、各々液晶ライトバルブとし
て用いたものである。また、光源1110はメタルハラ
イド等のランプ1111とランプ1111の光を反射す
るリフレクタ1112とからなる。
【0115】以上のように構成される液晶プロジェクタ
1100においては、青色光・緑色光反射のダイクロイ
ックミラー1113は、光源1110からの白色光束の
うちの赤色光を透過させるとともに、青色光と緑色光と
を反射する。透過した赤色光は反射ミラー1117で反
射されて、赤色光用液晶ライトバルブ1122に入射さ
れる。一方、ダイクロイックミラー1113で反射され
た色光のうち緑色光は緑色光反射のダイクロイックミラ
ー1114によって反射され、緑色光用液晶ライトバル
ブ1123に入射される。また、青色光は第2のダイク
ロイックミラー1114も透過する。青色光に対して
は、長い光路による光損失を防ぐため、入射レンズ11
18、リレーレンズ1119、出射レンズ1120を含
むリレーレンズ系からなる導光手段1121が設けら
れ、これを介して青色光が青色光用液晶ライトバルブ1
124に入射される。各ライトバルブにより変調された
3つの色光はクロスダイクロイックプリズム1125に
入射する。このプリズムは4つの直角プリズムが貼り合
わされ、その内面に赤光を反射する誘電体多層膜と青光
を反射する誘電体多層膜とが十字状に形成されている。
これらの誘電体多層膜によって3つの色光が合成され
て、カラー画像を表す光が形成される。合成された光
は、投射光学系である投射レンズ1126によってスク
リーン1127上に投射され、画像が拡大されて表示さ
れる。
【0116】図19において、電子機器の他の例たるラ
ップトップ型のパーソナルコンピュータ1200は、上
述した液晶パネル10がトップカバーケース内に備えら
れた液晶ディスプレイ1206と、CPU、メモリ、モ
デム等を収容すると共にキーボード1202が組み込ま
れた本体部1204とを有する。
【0117】また、図20に示すように、液晶を2枚の
透明基板1304a,1304bの間に封入し、上述し
た駆動回路1004をTFTアレイ基板上に搭載した液
晶装置用基板1304を備え、当該液晶装置用基板13
04を構成する2枚の透明基板1304a,1304b
の一方に、金属の導電膜が形成されたポリイミドテーブ
1322にICチップ1324を実装したTCP(Tape
Carrier Package)1320を接続して、電子機器用の
一部品である液晶装置として生産、販売、使用すること
もできる。
【0118】以上、図18から図20を参照して説明し
た電子機器の他にも、液晶テレビ、ビューファインダー
型またはモニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナ
ビゲーション装置、電子手帳、電卓、ワードプロセッ
サ、ワークステーション、携帯電話、テレビ電話、PO
S端末、タッチパネルを備えた装置等が図21に示した
電子機器の例として挙げられる。
【0119】なお、本発明は前記実施例に限定されるも
のではなく、本発明の要旨の範囲内で種々の変形実施が
可能である。例えば、本発明は上述の各種の液晶パネル
の駆動に適用されるものに限らず、エレクトロルミネッ
センス、プラズマディスプレ一装置にも適用可能であ
る。
【0120】本実施の形態によれば、小型であり、か
つ、十分なプリチャージ機能により画像信号の信号源の
負荷を著しく軽減し、安定した画像表示の可能な液晶装
置200を備えた各種の電子機器を実現できる。
【0121】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
相隣接する2本のデータ線に対応するプリチャージ回路
のスイッチング手段で、プリチャージ信号線から延設さ
れた供給線を共通的に使用するので、各スイッチング手
段毎に供給線を設ける場合に比して供給線の数を減少さ
せることができると共に、各スイッチング手段の配列ピ
ッチを短縮して形成領域を効率的に使用することができ
る。
【0122】従って、電気光学装置を小型化することが
できる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1実施形態におけるTFTアレイ基
板上に形成された各種配線、周辺回路等のブロック図で
ある。
【図2】液晶パネルの水平走査期間の駆動を示すタイミ
ング図である。
【図3】TFTアレイ基板上に設けられたプリチャージ
回路を構成するスイッチング手段の等価回路図であり、
(1)はNチャネル型TFTの回路図であり、(2)P
チャネル型TFTの回路図であり、(3)は相補型TF
Tの回路図である。
【図4】TFTアレイ基板上に設けられたサンプリング
回路を構成するスイッチング手段の等価回路図であり、
(1)はNチャネル型TFTの回路図であり、(2)P
チャネル型TFTの回路図であり、(3)は相補型TF
Tの回路図である。
【図5】本発明の第1実施形態におけるプリチャージ回
路の構成を示す図であり、(a)はパターン平面図であ
り、(b)はA―A’に沿った断面図である。
【図6】TFTアレイ基板上に設けられた画面表示領域
を構成する隣接する画素群を示す図であり、(a)はパ
ターン平面図であり、(b)は(a)のB―B’線に沿
った断面図である。
【図7】本発明の第2実施形態のプリチャージ回路の構
成を示すパターン平面図である。
【図8】本発明の第3実施形態のプリチャージ回路の構
成を示すパターン平面図である。
【図9】本発明の第4実施形態のプリチャージ回路の構
成を示すパターン平面図である。
【図10】本発明の第4実施形態における位相反転回路
の配置の形態を示す回路図であり、(a)は各相補型T
FT毎に位相反転回路を設けた場合の回路図であり、
(b)は位相反転回路を一つだけ備えた構成を示す回路
図であり、(c)は位相反転回路と位相補正回路を設け
た場合の回路図であり、(d)は各相補型TFT毎に位
相反転回路と位相補正回路を設けた場合の回路図であ
り、(e)は相補型TFTをブロック毎に位相反転回路
と位相補正回路を設けた場合の回路図である。
【図11】本発明の実施形態の第1変形形態に係る液晶
装置の構成を示すブロック図である。
【図12】本発明の実施形態の第2変形形態に係る液晶
装置の構成を示すブロック図である。
【図13】本発明の実施形態の第3変形形態に係る液晶
装置の構成を示すブロック図である。
【図14】図1の液晶装置の全体構成を示す平面図であ
る。
【図15】図14のH−H’線に沿った断面図である。
【図16】従来のプリチャージ回路の構成を示すパター
ン平面図である。
【図17】電子機器の概要構成を示すブロック図であ
る。
【図18】電子機器の一例としての液晶プロジェクタの
構成を示す断面図である。
【図19】電子機器の一例としてのパーソナルコンピュ
ータの外観を示す正面図である。
【図20】電子機器の一例としてのTCPを用いた液晶
装置の外観を示す斜視図である。
【符号の説明】
1…TFTアレイ基板 2…対向基板 11…画素電極 12…配向膜 21…共通電極 22…配向膜 30…画素スイッチング用TFT 31…走査線(ゲート電極) 32…半導体層 33…ゲート絶縁層 34…ソース領域 35、35a、35b…データ線(ソース電極) 36…ドレイン領域 38…コンタクトホール 41…第1層間絶縁層 42…第2層間絶縁層 43…第3層間絶縁層 50…液晶層 52…シール材 53…周辺見切り 101…データ線駆動回路 102…実装端子 104…走査線駆動回路 200…液晶装置 201、201’、201”、201"'…プリチャージ
回路 204…プリチャージ信号線 204a…供給線 206、206P、206N…プリチャージ回路駆動信
号線 206a…駆動線 212…位相反転回路 213…位相補正回路 301…サンプリング回路 310…Pチャネル型TFT 311…Nチャネル型TFT 320…中継配線 401…プリチャージ専用シフトレジスタ 410…正電源線 411…負電源線

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 画像信号が供給される複数のデータ線
    と、走査信号が供給される複数の走査線と、前記複数の
    データ線及び前記複数の走査線に接続された第1スイッ
    チング手段と、各第1スイッチング手段に接続された画
    素電極とを備えた電気光学装置の駆動回路であって、 プリチャージ信号を供給するプリチャージ信号線と前記
    複数のデータ線との間に複数の第2スイッチング手段を
    有し、前記第2スイッチング手段の導通により前記デー
    タ線に前記プリチャージ信号を各々供給するプリチャー
    ジ回路を備え、 相隣接する2本の前記データ線に対応する2つの前記第
    2スイッチング手段は前記プリチャージ信号線から延設
    された共通の供給線に接続されてなることを特徴とする
    電気光学装置の駆動回路。
  2. 【請求項2】 前記第2スイッチング手段を駆動するた
    めに、プリチャージ回路駆動信号を供給するプリチャー
    ジ回路駆動信号線から延設された駆動線を更に備え、 前記駆動線は前記データ線毎に各々対応する複数の前記
    第2スイッチング手段に対して、前記プリチャージ回路
    駆動信号線から前記プリチャージ回路駆動信号を供給す
    るように、各々の前記駆動線が配置されていることを特
    徴とする請求項1に記載の電気光学装置の駆動回路。
  3. 【請求項3】 前記第2スイッチング手段は、薄膜トラ
    ンジスタであると共に、前記プリチャージ信号線から延
    設された供給線が、相隣接する2本の前記データ線に対
    応する各々の該薄膜トランジスタのソース電極に共通に
    電気的に接続されていることを特徴とする請求項1又は
    2に記載の電気光学装置の駆動回路。
  4. 【請求項4】 前記第2スイッチング手段を構成する前
    記薄膜トランジスタの半導体層は、当該薄膜トランジス
    タの複数に亘って、電気的に分離されることなく共通に
    同一膜で形成されていることを特徴とする請求項1及至
    請求項3のいずれか一項に記載の電気光学装置の駆動回
    路。
  5. 【請求項5】 前記第2スイッチング手段は、少なくと
    もPチャネル型トランジスタ、Nチャネル型トランジス
    タ又は相補型トランジスタのうちいずれかで構成されて
    いることを特徴とする請求項1及至請求項4のいずれか
    一項に記載の電気光学装置の駆動回路。
  6. 【請求項6】 請求項1乃至請求項5のいずれか一項に
    記載の電気光学装置の駆動回路を備えたことを特徴とす
    る電気光学装置。
  7. 【請求項7】 請求項6に記載の電気光学装置を備える
    ことを特徴とする電子機器。
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