JPH11199550A - アリールアミンの製造方法 - Google Patents

アリールアミンの製造方法

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JPH11199550A
JPH11199550A JP10003298A JP329898A JPH11199550A JP H11199550 A JPH11199550 A JP H11199550A JP 10003298 A JP10003298 A JP 10003298A JP 329898 A JP329898 A JP 329898A JP H11199550 A JPH11199550 A JP H11199550A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 電子材料用素材、又はその中間体として有用
なアリールアミン、特にトリアリールアミン又はジアリ
ールアミンを高純度且つ低コスト(短時間の反応で高収
率を得る)で製造すること。 【解決手段】 芳香族アミンと芳香族ハロゲン化物と
を、イオン化電位8.0〜9.0eVの溶媒中、特定の
構造のキレート銅錯体の存在下で反応させるアリールア
ミンの製造方法。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は電子材料用素材又は
その中間体として有用なアリールアミン、特にトリアリ
ールアミン又はジアリールアミンを高純度且つ低コスト
で製造する方法に関する。
【0002】
【従来の技術】本発明の反応はウルマン縮合反応として
分類される反応の範疇に含まれる。ウルマン縮合反応は
芳香族アミンを芳香族ハロゲン化合物、好ましくは芳香
族ヨウ化化合物とを塩基及び銅触媒の存在下でカップリ
ングする反応であり、F.Ullmann(Chem.
Ber.,36,2382(1902))によって発見
された。従来、この反応における溶媒としては、イオン
化電位9.1eV以上のアルキルベンゼン、ハロゲノベ
ンゼン、ニトロベンゼンなどの芳香族化合物、又はデカ
ン、トリデカンなどの飽和脂肪族炭化水素化合物が使用
されている。また、反応を促進させる手段として環式含
窒素化合物であるピリジン類やキノリン類などが反応溶
媒として使用されている(例えばTetrahedro
nLett.,4531(1965)、Tetrahe
dron Lett.,679(1966))。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
溶媒として芳香族化合物又は飽和脂肪族炭化水素化合物
を使用する反応は一般的に反応時間が長く、しかも実用
的なアリール化速度を達成するためにはかなりの高温を
必要とするため、置換基の酸化や生成物の2量化反応な
どによって副生成物が生成する欠点がある。また、反応
を促進させる手段として環式含窒素化合物であるピリジ
ン類やキノリン類などが反応溶媒として使用する場合、
副生成物が生成する問題は解決されていない。更に、こ
の副生成物の分離精製は非常に困難で、電子材料用素材
又はその中間体として使用するのに高純度に精製しよう
とすると収率が低下し、しかもコストが高くなり実用的
でないという問題点があった。
【0004】以上説明したように、高純度且つ高収率で
アリールアミンを製造する実用的な方法が、未だ得られ
ていない状況にある。従って、本発明の目的は、上記問
題点を解決せしめ、高純度のアリールアミン、特にトリ
アリールアミン又はジアリールアミンを低コストで製造
する、即ち短時間で高収率を得ることができる新規な方
法を提供しようとするものである。
【0005】
【課題を解決するための手段】本発明の上記目的は、芳
香族アミンと芳香族ハロゲン化物とを、イオン化電位
8.0〜9.0eVの溶媒中、下記一般式(1)で示さ
れるキレート銅錯体の存在下で反応させることを特徴と
するアリールアミンの製造方法によって達成される。
【0006】 [Cu(L)k ]Xm・nH2 O (1) 式中、Cuは一価もしくは二価の銅元素を示す。Lは下
記一般式(L−1)、(L−2)もしくは(L−3)で
示される化合物を示し、kは1〜6の整数を示す。Xは
OH、Cl、Br、I、NO2 、NO3 、SO4 、Cl
4 、BF4 、BF6 、PF6 、SCN、NCS、又は
2 8 を示し、mは0〜2の自然数を示す。nは0〜
10の自然数を示す。
【0007】
【化2】
【0008】式中、Aは炭素原子、窒素原子、N−オキ
シド(N→O)を示し、Bは、Bを含む構成部分が5員
環または6員環を形成するのに必要な原子団を表す。R
1は水素原子、アルキル基、アリール基、アラルキル
基、アルコキシ基、アリールアキシ基、アラルキルオキ
シ基、ヒドロキシ基、オキソ基、ヒドロペルオキシ基、
カルボキシル基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカ
ルボニル基、アリールオキシカルボニル基、アラルキル
オキシカルボニル基、カルバモイル基、カルボキシルオ
キシ基、アシルオキシ基、アリールカルボニルオキシ
基、アラルキルカルボニルオキシ基、ヒドロキシアルキ
ル基、カルボキシアルキル基、アシルアルキル基、ニト
ロ基、ヒドロキシアミノ基、アルキルアミノ基、アシル
アミノ基、カルボキシルアミノ基、アリールアミノ基、
アラルキルアミノ基、イミノ基、アルキルイミノ基、ヒ
ドロキシイミノ基、アルドキシム基、シアノ基、シアナ
ート基、イソシアナート基、チオソアナート基、イソチ
オシアナート基、メルカプト基、フリル基、フルフリル
基、フロイル基、チエニル基、テニル基、テノイル基、
ピリジル基又はキノリル基を示す。R2はハメットのσ
mとして−0.34〜0.71までの置換基、σpとし
て−0.84〜0.73までの置換基を示す。m、pは
各々1〜3の整数を表す。複数のR1またはR2の各々
は同一でも異なってもよい。
【0009】
【発明の実施の形態】本発明を更に詳細に説明する。本
発明はアリールアミン、特に電子材料用素材又はその中
間体として有用な一群のトリアリールアミンもしくはジ
アリールアミンをウルマン縮合反応により製造する際
に、イオン化電位8.0〜9.0eV、好ましくは8.
5〜9.0eVの反応溶媒中で、上記一般式(1)で示
されるキレート銅錯体の存在下に反応させることによ
り、短時間で反応を終了させることができ、高純度な目
的化合物を短時間に高収率で得るものである。更に、特
に反応溶媒としてテルペン類を使用する時には、その効
果が顕著であることも見いだした。
【0010】本発明において触媒として使用される一般
式(1)で示されるキレート銅錯体は、銅塩と上記一般
式(L−1)、(L−2)もしくは(L−3)で示され
る有機配位子化合物から合成される。本発明において使
用される銅塩としては、塩化第一銅、塩化第二銅、臭化
第一銅、臭化第二銅、沃化銅、酸化第一銅、酸化第二
銅、水酸化第二銅、炭酸銅、酢酸銅、硫酸銅、硝酸銅等
が挙げられる。本発明において使用される上記一般式
(L−1)、(L−2)もしくは(L−3)で示される
有機配位子化合物において、Bを含む構成部分が形成す
る5員環としては、フラン環、チオフェン環、ピロール
環、ピラゾール環、イミダゾール基等が挙げられ、6員
環としてはベンゼン環、シクロヘキサン環、ピリジン環
等が挙げられる。
【0011】R1におけるアルキル基としてはメチル、
t−ブチル基等、アリール基としてはフェニル、ナフチ
ル等、アラルキル基としてはベンジル等、アルコキシ基
としてはメトキシ、エトキシ等、アリールオキシ基とし
てはフェノキシ、ナフチルオキシ等、アラルキルオキシ
基としてはベンジルオキシ等、アシル基としてはアセチ
ル、ベンゾイル等、アルコキシカルボニル基としてはメ
トキシカルボニル、n−ブトキシカルボニル等、アリー
ルオキシカルボニル基としてはフェノキシカルボニル
等、アラルキルオキシカルボニル基としてはベンジルオ
キシカルボニル等、アシルオキシ基としてはアセチルオ
キシ、ベンゾイルオキシ等、アリールカルボニルオキシ
基としてはフェニルカルボニルオキシ等、アラルキルカ
ルボニルオキシ基としてはベンジルカルボニルオキシ
等、ヒドロキシアルキル基としてはヒドロキシメチル、
ヒドロキシエチル等、カルボキシアルキル基としてはカ
ルボキシメチル、カルボキシ−n−プロピル等、アシル
アルキル基としてはベンゾイルメチル等、アルキルアミ
ノ基としてはジメチルアミノ、エチルアミノ等、アシル
アミノ基としてはアセチルアミノ等、アリールアミノ基
としてはフェニルアミノ等、アラルキルアミノ基として
はベンジルアミノ等、アルキルイミノ基としてはメチル
イミノ等を挙げることができる。R1として好ましく
は、カルボキシル基、カルバモイル基、シアノ基又はニ
トロ基が挙げられる。
【0012】R2におけるハメットのσmとして−0.
34〜0.71までの置換基として具体的には、例えば
メチル、t−ブチル等のアルキル基、シクロペンチル、
シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、ナフ
チル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアルコキ
シ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ
基、又は塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げ
られ、σpとして−0.84〜0.73までの置換基と
して具体的には、例えばメチル、t−ブチル等のアルキ
ル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、
ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、又は塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【0013】一般式(L−1)、(L−2)及び(L−
3)で示される化合物の具体例としては、γ−ピコリ
ン、2,4−ルチジン、2,4,6−コリジン、ピコリ
ン酸、キノリン酸、2−ピリジル酢酸、ピリジン−2−
アルドオキシム、ピリジン−2−アルデヒド、2−ピリ
ジンメタノール、2−ピリジンエタノール、2−ヒドロ
キシピリジン、2−シアノピリジン、キノリン、キナル
ジン、4−メチルキノリン、8−キノリノール、キナル
ジン酸、2,2’−ビピリジル、1,10−フェナント
ロリン、イミダゾール、イミダゾール−5(4)−酢
酸、4,5−ジシアノイミダゾール等が挙げられるが、
特にピコリン酸、キノリン酸、2,2’−ビピリジルが
有効である。
【0014】キレート銅錯体は従来知られた方法によっ
て合成されたものが使用される(例えば、J.Che
m.Soc.,1969 A,2219、Aust.
J.Chem.,17,219(1964)、Z.An
org.Chem.227,273(1986)、J.
Inorg.Nucl.Chem.,,211(19
59)などに開示された方法)。すなわち、上記銅塩お
よび有機配位子化合物をそれぞれ水もしくはアルコール
に溶解したものを混合し析出した結晶を濾別、乾燥する
方法や、銅塩および有機配位子化合物の混合液を加熱攪
拌後、濃縮乾固して乾燥する方法等で合成される。通
常、有機配位子化合物は銅塩に対して1,2もしくは3
当量使用される。
【0015】本発明で使用し得る上記キレート銅錯体の
好ましい例としては、2,2’−ビピリジル銅(II)硝
酸塩三水和物、2,2’−ビピリジル銅(II)硫酸塩二
水和物、ビス(2,2’−ビピリジル)銅(II)塩化物
六水和物、ビス(2,2’−ビピリジル)銅硝酸塩一水
和物、ビス(ピリジン−2−カルボン酸)銅(II)塩化
物六水和物等が挙げられる。8−キノリノール銅や安息
香酸銅など市販品として入手可能な場合は、新たに合成
の必要はなくそのまま用いても有効であるが、2,2’
−ビピリジル銅、ピコリン酸銅、キノリン酸銅などが特
に有効である。銅触媒としてこれらのキレート銅錯体を
用いることの利点は、使用する原料において最適の触媒
を選択して反応を短時間に終了させることができる点に
あり、通常、芳香族ハロゲン化物1モルに対して、0.
001〜0.1モル、好ましくは0.005〜0.02
モルが使用される。
【0016】本発明で使用し得る上記反応溶媒として
は、イオン化電位8.0〜9.0eVの溶媒であればい
ずれも使用し得るが、特にテルペンが好ましい。テルペ
ンは通常、医薬品や香料の原料として広く使用されてい
る化合物である。ここでテルペンとしてはオシメン、ミ
ルセン、α−テルピネン、β−テルピネン、γ−テルピ
ネン、テルピノレン、(+)−α−フェランドレン、
(−)−β−フェランドレン、(−)−1−p−メンテ
ン、(+)−3−p−メンテン、ジペンテン、(+)−
リモネン、(+)−サビネン、(+)−α−ピネン、
(+)−β−ピネンなどのモノテルペン化合物や、
(−)−β−カジネン、(−)−β−カリオフィレン、
(−)−β−サンタレン、(−)−α−セドレン、
(+)−β−セリネン、(−)−β−ビサボレン、α−
フムレンなどのセスキテルペン化合物が挙げられるが、
特にテルピネン類、テルピノレン、フェランドレン類が
有効である。
【0017】更に、ゲラニオール、(+)−シトロネロ
ール、ネロール、(+)−リナロオール、cis-シトラー
ル、trans-シトラール、(+)−シトロネラール、
(+)−イソメントール、(+)−cis−カルベオー
ル、(+)−trans−カルベオール、(−)−カルボメ
ントール、(+)−ジヒドロカルベオール、(+)−α
−テルピネオール、trans−β−テルピネオール、γ−
テルピネオール、(+)−1−p−メンテン−4−オー
ル、(−)−メントール、trans−1,4−テルピン、c
is−1,8−テルピン、(+)−trans−ソブレロー
ル、(−)−イソプレゴン、(+)−イソメントン、カ
ルベノン、(+)−カルボタナセトン、(−)−カルボ
メントン、(+)−カルボン、(−)−ジヒドロカルボ
ン、(−)−ピペリトン、(+)−プレゴン、(−)−
メントン、ジオスフェノール、α−ツジョン等のモノテ
ルペン、ファルネソール、(+)−ネロリドール等のセ
スキテルペンも挙げられる。
【0018】本発明においてイオン化電位とは光電子分
光による第一イオン化電位を表す値であり、光イオン化
によって生じた光電子の運動エネルギー分布から求める
光電子スペクトル法、真空紫外領域において発光又は吸
収スペクトルの系列端の測定から求める真空紫外吸収法
などにより測定し得る。イオン化電位が8.0eVより
低い反応溶媒を使用した場合には、反応溶媒、原料、及
び生成物が反応してしまうことがあり、また9.0eV
より高い反応溶媒を使用した場合には反応の進行が遅
く、更に不純物の副生が増加して精製が困難となり、所
期の目的を達成できない。本発明において、上記反応溶
媒は、通常原料の芳香族アミン1モルに対して250〜
450mlの割合で使用される。
【0019】反応は使用する原料とキレート銅錯体によ
り異なるが、通常190〜210℃で4〜10時間行わ
れる。本発明で製造されるアリールアミンとしては、例
えば下記一般式(I)、(II)もしくは(III )で示さ
れるトリアリールアミン又はジアリールアミンを挙げる
ことができる。
【0020】
【化3】
【0021】式中、R3、R4はハメットのσmとして
−0.34〜0.71までの置換基、σpとして−0.
84〜0.73までの置換基を示し、複数のR3又はR
4の各々は同一でも異なってもよく、また複数のR3又
はR4のうち各々の2つが互いに結合して環を形成して
もよい。Yは1〜3の整数、p又はqは各々1〜4の整
数を示す。また、Zは以下の一般式で示される化合物の
芳香環の任意の位置で結合手を形成するY価の基を示
す。
【0022】
【化4】
【0023】式中、R5、R6、R7は、各々独立にハ
メットのσmとして−0.15〜0.43までの置換
基、σpとして−0.32〜0.54までの置換基を示
し、芳香環のどの部位で結合してもよい。r、s、tは
各々1〜5の整数を表す。
【0024】複数のR3又はR4のうち各々の2つが互
いに結合して形成する環としては、シクロヘキシル環、
ベンゼン環等が挙げられる。ここで、ハメットのσmと
して−0.34〜0.71までの置換基として具体的に
は、例えばメチル、t−ブチル等のアルキル基、シクロ
ペンチル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、ビニ
ル基等のアルケニル基、フェニル、ナフチル等のアリー
ル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキシ基、アミノ、
ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ基、又は塩素原
子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げられ、σpとし
て−0.84〜0.73までの置換基として具体的に
は、例えばメチル、t−ブチル等のアルキル基、ビニル
基等のアルケニル基、メトキシ、エトキシ等のアルコキ
シ基、アミノ、ジメチルアミノ等のアミノ基、ニトロ
基、又は塩素原子、臭素原子等のハロゲン原子等が挙げ
られる。またσmとして−0.15〜0.43までの置
換基として具体的には、メチル、t−ブチル等のアルキ
ル基、シクロペンチル、シクロヘキシル等のシクロアル
キル基、フェニル、ナフチル等のアリール基、メトキ
シ、エトキシ等のアルコキシ基等が挙げられ、σpとし
て−0.32〜0.54までの置換基として具体的に
は、メチル、t−ブチル等のアルキル基、シクロペンチ
ル、シクロヘキシル等のシクロアルキル基、フェニル、
ナフチル等のアリール基、メトキシ、エトキシ等のアル
コキシ基、塩素原子等のハロゲン原子等が挙げられる。
【0025】一般式(I)、(II)もしくは(III )で
示される具体例としては次のものを例示することができ
る。
【0026】
【化5】
【0027】
【化6】
【0028】
【化7】
【0029】
【化8】
【0030】
【化9】
【0031】
【化10】
【0032】本発明においてアリールアミン特に上記の
トリアリールアミン又はジアリールアミンを製造するた
めに使用される芳香族アミンとしては、上記一般式
(I)、(II)もしくは(III )において、Zの代わり
に水素原子を有するアミンが挙げられる。また芳香族ハ
ロゲン化合物としては、上記一般式(I)、(II)もし
くは(III )におけるZに相当する化合物のハロゲン化
物、通常ヨウ化物が用いられ、通常芳香族アミンに対し
ハロゲン化物0.3〜4.0当量、好ましくは0.9〜
2.0当量が使用される。
【0033】
【実施例】次に本発明を実施例により更に具体的に説明
するが、本発明はこれらに限定されるものではない。な
お、純度の評価は高速液体クロマトグラフィー(HPL
Cと略記する)により測定した。
【0034】〔実施例1〕 (ビス(2,2’−ビピリジル)銅(II)塩化物六水和
物の合成)塩化銅(II)2水和物17.7g(0.1モ
ル)を水800mlに加熱溶解し、これに2,2’−ビ
ピリジル31.2g(0.2モル)をエタノール300
mlに溶解させた溶液を加えた。冷却し析出した結晶を
濾別しエタノールで洗浄後、真空乾燥した。濃青色結晶
として目的化合物を52.7g(収率94.9%)得
た。
【0035】〔実施例2〕 (N,N,N’,N’−テトラフェニル−1,3−フェ
ニレンジアミン(I−4)の合成)m−フェニレンジア
ミン24.9g(0.23モル)、炭酸カリウム12
9.0g(0.93モル)、ビス(2,2’−ビピリジ
ル)銅(II)塩化物六水和物6.65g(0.012モ
ル)、テルピノレン98mlの混合物を窒素気流下19
0〜195℃で攪拌し、ヨードベンゼン179.5g
(0.88モル)を1時間で滴下後、更に4時間反応さ
せた。反応後、トルエン210mlと水210mlを添
加し、分液後トルエンを減圧濃縮する。酢酸エチル16
0mlとイソプロピルアルコール(IPAと略記する)
980mlを添加して晶析させ、淡黄色粗結晶として目
的化合物(I−4)を89.5g(収率94.3%)得
た。融点131〜132℃、HPLC含量(カラム:s
uper−ODS、溶離液:メタノール、検出UV:2
54nm、流量:0.6ml/min)は99.5%で
あった。 元素分析値 計算値(%)C:87.34 H:5.86(C3024
2 として) 実測値(%)C:87.38 H:5.88
【0036】〔実施例3〕 (N,N’−ジ(3−メチルフェニル)−N,N’−ジ
フェニル−9,10−ジアミノフェナントレン(I−1
1)の合成)9,10−ジアニリノフェナントレン6
2.0g(0.17モル)、m−ヨードトルエン11
0.7g(0.51モル)、炭酸カリウム93.6g
(0.68モル)、ビス(2,2’−ビピリジル)銅
(II)塩化物六水和物4.44g(0.008モル)、
テルピノレン50mlの混合物を窒素気流下200〜2
10℃で6時間反応させた。反応後、トルエン45m
l、酢酸エチル1666ml、水222mlを添加し、
分液後メタノール708mlを添加して晶析させ、淡黄
色粗結晶として目的化合物(I−11)を89.6g
(収率96.8%)得た。融点231〜232℃、HP
LC含量(カラム:YMC−A−312、溶離液:メタ
ノール/THF(99/1)、検出UV:254nm、
流量:1.0ml/min)は99.4%であった。 元素分析値 計算値(%)C:88.19 H:6.66(C4036
2 として) 実測値(%)C:88.23 H:6.633
【0037】〔比較例1,2,3〕実施例3において用
いたテルピノレンあるいは下記表1に示す溶媒を用いて
実施例3と同様の反応を行い目的化合物(I−11)を
合成した。反応溶媒種と銅触媒種を変更した以外は全く
同様に操作し、同様にHPLCにより純度(HPLC含量)
を評価した。結果を表1に示す。尚、表1においての
「ビピリジル銅」は、ビス(2,2’−ビピリジル)銅
(II)塩化物六水和物を示す。
【0038】
【表1】
【0039】表1から明らかなように従来、反応溶媒と
して使用されてきた飽和脂肪族炭化水素化合物や芳香族
化合物と比較してイオン化電位8.0〜9.0eVの反応溶媒
を使用した場合には、銅触媒に有機銅錯体を用いること
により反応が著しく促進され、高純度な目的化合物が得
られた。
【0040】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係わるア
リールアミンの製造方法は、電子材料用素材、又はその
中間体として有用なアリールアミン、特にトリアリール
アミン又はジアリールアミンを高純度且つ低コスト(短
時間の反応で高収率を得る)で製造することができ、極
めて高い実用性を有するものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI C07C 211/61 C07C 211/61 // C07D 209/86 C07D 209/86 209/88 209/88

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 芳香族アミンと芳香族ハロゲン化物と
    を、イオン化電位8.0〜9.0eVの溶媒中、下記一
    般式(1)で示されるキレート銅錯体の存在下で反応さ
    せることを特徴とするアリールアミンの製造方法。 [Cu(L)k ]Xm・nH2 O (1) 式中、Cuは一価もしくは二価の銅元素を示す。Lは下
    記一般式(L−1)、(L−2)もしくは(L−3)で
    示される化合物を示し、kは1〜6の整数を示す。Xは
    OH、Cl、Br、I、NO2 、NO3 、SO4 、Cl
    4 、BF4 、BF6 、PF6 、SCN、NCS、又は
    2 8 を示し、mは0〜2の自然数を示す。nは0〜
    10の自然数を示す。 【化1】 式中、Aは炭素原子、窒素原子、N−オキシド(N→
    O)を示し、Bは、Bを含む構成部分が5員環または6
    員環を形成するのに必要な原子団を表す。R1は水素原
    子、アルキル基、アリール基、アラルキル基、アルコキ
    シ基、アリールアキシ基、アラルキルオキシ基、ヒドロ
    キシ基、オキソ基、ヒドロペルオキシ基、カルボキシル
    基、ホルミル基、アシル基、アルコキシカルボニル基、
    アリールオキシカルボニル基、アラルキルオキシカルボ
    ニル基、カルバモイル基、カルボキシルオキシ基、アシ
    ルオキシ基、アリールカルボニルオキシ基、アラルキル
    カルボニルオキシ基、ヒドロキシアルキル基、カルボキ
    シアルキル基、アシルアルキル基、ニトロ基、ヒドロキ
    シアミノ基、アルキルアミノ基、アシルアミノ基、カル
    ボキシルアミノ基、アリールアミノ基、アラルキルアミ
    ノ基、イミノ基、アルキルイミノ基、ヒドロキシイミノ
    基、アルドキシム基、シアノ基、シアナート基、イソシ
    アナート基、チオソアナート基、イソチオシアナート
    基、メルカプト基、フリル基、フルフリル基、フロイル
    基、チエニル基、テニル基、テノイル基、ピリジル基又
    はキノリル基を示す。R2はハメットのσmとして−
    0.34〜0.71までの置換基、σpとして−0.8
    4〜0.73までの置換基を示す。m、pは各々1〜3
    の整数を表す。複数のR1またはR2の各々は同一でも
    異なってもよい。
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