JPH11195835A - 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 - Google Patents
固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子Info
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- JPH11195835A JPH11195835A JP37034397A JP37034397A JPH11195835A JP H11195835 A JPH11195835 A JP H11195835A JP 37034397 A JP37034397 A JP 37034397A JP 37034397 A JP37034397 A JP 37034397A JP H11195835 A JPH11195835 A JP H11195835A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】本発明は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発
振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に
格子整合型ダブルヘテロ接合型および量子井戸構造のレ
ーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およ
びレーザ素子を提供する。 【解決手段】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ（但
し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦
０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅ、Ｙ：Ｉ族、ＩＩＩ
族、Ｖ族およびＶＩＩ族元素）で表される固溶半導体レ
ーザ素子用材料およびそれらを用いたレーザ素子を、薄
膜製造装置、例えば、ホットウォールエピタキシー装置
を用いて成長を行う。なお、この際、基板として適当な
基板、例えば、ＢａＦ２（１１１）へき開面を用いる。
成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り出しは、各部
の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、
例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の
薄膜を製造する。
振し、波長可変で室温付近で動作するレーザ素子、特に
格子整合型ダブルヘテロ接合型および量子井戸構造のレ
ーザ素子を製作可能な固溶半導体レーザ素子用材料およ
びレーザ素子を提供する。 【解決手段】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ（但
し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦
０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅ、Ｙ：Ｉ族、ＩＩＩ
族、Ｖ族およびＶＩＩ族元素）で表される固溶半導体レ
ーザ素子用材料およびそれらを用いたレーザ素子を、薄
膜製造装置、例えば、ホットウォールエピタキシー装置
を用いて成長を行う。なお、この際、基板として適当な
基板、例えば、ＢａＦ２（１１１）へき開面を用いる。
成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り出しは、各部
の温度が室温まで降下した後、真空槽内を適当なガス、
例えば、窒素によりパージすることにより適当な形状の
薄膜を製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ
ＣａｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜
１．０，０＜ｙ≦０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少
なくとも一種又は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉ
ｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元
素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素
の少なくとも一種又は二種以上の元素）でおよびＰｂ
１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ
＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜
ａ＜１．０，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種
又は二種以上の元素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なくとも
一種又は二種の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、Ｉ
ＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元
素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも
一種又は二種以上の元素）で表される固溶半導体からな
り、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、室温付近
において動作可能な固溶半導体レーザ素子用材料および
この材料を用いたレーザ素子に関するものである。その
目的は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、しか
も波長可変であって、室温付近において動作可能である
レーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合あるいは
格子整合型量子井戸構造のレーザ素子を作ることができ
る固溶半導体レーザ素子を提供することにある。
ＣａｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜
１．０，０＜ｙ≦０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少
なくとも一種又は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉ
ｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元
素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素
の少なくとも一種又は二種以上の元素）でおよびＰｂ
１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ
＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜
ａ＜１．０，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種
又は二種以上の元素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なくとも
一種又は二種の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、Ｉ
ＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元
素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも
一種又は二種以上の元素）で表される固溶半導体からな
り、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、室温付近
において動作可能な固溶半導体レーザ素子用材料および
この材料を用いたレーザ素子に関するものである。その
目的は、波長０．４〜８μｍの赤外領域で発振し、しか
も波長可変であって、室温付近において動作可能である
レーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ接合あるいは
格子整合型量子井戸構造のレーザ素子を作ることができ
る固溶半導体レーザ素子を提供することにある。
【０００２】
【従来の技術】半導体レーザ素子の構造を図１で説明す
る。図１（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ格子整合型ダ
ブルヘテロ接合構造および格子整合型量子井戸構造レー
ザ素子であり、レーザ光は電極３を通じて電流を流すこ
とにより閉じ込め層１，１で挟まれた活性層２から矢印
方向に放出される。半導体レーザは、ｐｎ接合を応用し
たデバイスであり、これらの半導体レーザを作製するに
あたって、閉じ込め層はｐおよびｎ型の双方の伝導型を
有することが不可欠であり、さらに、適度なキャリヤ濃
度を有することが望まれる。
る。図１（Ａ）および（Ｂ）は、それぞれ格子整合型ダ
ブルヘテロ接合構造および格子整合型量子井戸構造レー
ザ素子であり、レーザ光は電極３を通じて電流を流すこ
とにより閉じ込め層１，１で挟まれた活性層２から矢印
方向に放出される。半導体レーザは、ｐｎ接合を応用し
たデバイスであり、これらの半導体レーザを作製するに
あたって、閉じ込め層はｐおよびｎ型の双方の伝導型を
有することが不可欠であり、さらに、適度なキャリヤ濃
度を有することが望まれる。
【０００３】半導体レーザの場合、他のガスレーザなど
と異なり、レーザ光が微弱のため、近年図１（Ｂ）に示
すように活性層を障壁層４と量子井戸５に分割した複雑
な構造によってレーザの発光効率を高める工夫がなされ
つつある。上述した半導体レーザに求められる課題とし
ては、動作温度を高めることおよび閉じ込め層と活性層
の接合が良好であることが重要である。
と異なり、レーザ光が微弱のため、近年図１（Ｂ）に示
すように活性層を障壁層４と量子井戸５に分割した複雑
な構造によってレーザの発光効率を高める工夫がなされ
つつある。上述した半導体レーザに求められる課題とし
ては、動作温度を高めることおよび閉じ込め層と活性層
の接合が良好であることが重要である。
【０００４】従来、波長０．４〜８μｍの赤外領域で、
しかも波長可変でレーザ光を発光する半導体レーザ素子
の活性層および閉じ込め層としての材料は、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体であるＨｇ１−ａＣｄａＴｅ（ただし、
０＜ａ≦１）、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＡ
ｓあるいはＩｎＳｂおよび各種のＩＶ−ＶＩ族化合物半
導体が知られている。この中でも、動作温度の高温化お
よび波長可変性の大きさなどの点からＩＶ−ＶＩ族化合
物半導体が最も実用性の高い材料として注目されてお
り、従来４元の鉛塩固溶半導体であるＰｂ１−ａＣｄａ
Ｓ１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＴｅ１−ｂＳ
ｅｂ等が知られている。
しかも波長可変でレーザ光を発光する半導体レーザ素子
の活性層および閉じ込め層としての材料は、ＩＩ−ＶＩ
族化合物半導体であるＨｇ１−ａＣｄａＴｅ（ただし、
０＜ａ≦１）、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体であるＩｎＡ
ｓあるいはＩｎＳｂおよび各種のＩＶ−ＶＩ族化合物半
導体が知られている。この中でも、動作温度の高温化お
よび波長可変性の大きさなどの点からＩＶ−ＶＩ族化合
物半導体が最も実用性の高い材料として注目されてお
り、従来４元の鉛塩固溶半導体であるＰｂ１−ａＣｄａ
Ｓ１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＴｅ１−ｂＳ
ｅｂ等が知られている。
【０００５】これらは、荷電担体および光の閉じ込め層
と活性層の格子定数がほぼ一致するダブルヘテロ接合に
より、閉じ込め層をＰ１−ａＣｄａＳ１−ｂＳｅｂある
いはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅｂとし、活性層を
それそれＰｂＳあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴ
ｅｂとしたレーザ素子が作られている。動作温度はそれ
それ２００および２４１Ｋの低温度で、しかも、パルス
発振で達成されているにすぎず、これが連続発振ともな
ると、さらに動作温度が低くなる欠点を有しており、実
用化されるに至っていない。
と活性層の格子定数がほぼ一致するダブルヘテロ接合に
より、閉じ込め層をＰ１−ａＣｄａＳ１−ｂＳｅｂある
いはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅｂとし、活性層を
それそれＰｂＳあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴ
ｅｂとしたレーザ素子が作られている。動作温度はそれ
それ２００および２４１Ｋの低温度で、しかも、パルス
発振で達成されているにすぎず、これが連続発振ともな
ると、さらに動作温度が低くなる欠点を有しており、実
用化されるに至っていない。
【０００６】一般に、上述のような注入型半導体レーザ
の動作温度を上昇させるためには、キャリヤおよび光の
閉じ込め層と活性層の各格子定数が一致している格子整
合型ダブルヘテロ接合あるいは格子整合型量子井戸構造
によりレーザ素子を作ること、さらにこの閉じ込め層の
禁制帯幅が活性層のそれより大きく、かつその差が十分
に大きいことが望まれる。しかし、Ｐｂ１−ａＣｄａＳ
１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅ
ｂのいずれにおいても、その差が小さく、したがって動
作温度が低いのが欠点である。
の動作温度を上昇させるためには、キャリヤおよび光の
閉じ込め層と活性層の各格子定数が一致している格子整
合型ダブルヘテロ接合あるいは格子整合型量子井戸構造
によりレーザ素子を作ること、さらにこの閉じ込め層の
禁制帯幅が活性層のそれより大きく、かつその差が十分
に大きいことが望まれる。しかし、Ｐｂ１−ａＣｄａＳ
１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅ
ｂのいずれにおいても、その差が小さく、したがって動
作温度が低いのが欠点である。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】格子整合型ダブルヘテ
ロ接合あるいは格子整合型量子井戸構造によりレーザ素
子を作る場合には、閉じ込め層の禁制帯幅が活性層のそ
れより大きく、かつその差が大きく、しかも結晶構造お
よび格子定数がほぼ等しい物質により接合して作ること
が必要である。さらに、閉じ込め層は、ｐおよびｎ型双
方の伝導型を有し、且つ、適度なキャリヤ濃度を有して
いることが望まれる。岩塩型の結晶構造を持つ４元固溶
体のＰｂ１−ａＣｄａＳ１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ
１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅｂにおいて、Ｃｄあるいは
Ｅｕの組成ａとＳｅの組成ｂを個々に制御することによ
り、禁制帯幅が異なり、格子定数のほぼ等しい物質が得
られるので、これらを接合することによってレーザ素子
を作ることが可能である。
ロ接合あるいは格子整合型量子井戸構造によりレーザ素
子を作る場合には、閉じ込め層の禁制帯幅が活性層のそ
れより大きく、かつその差が大きく、しかも結晶構造お
よび格子定数がほぼ等しい物質により接合して作ること
が必要である。さらに、閉じ込め層は、ｐおよびｎ型双
方の伝導型を有し、且つ、適度なキャリヤ濃度を有して
いることが望まれる。岩塩型の結晶構造を持つ４元固溶
体のＰｂ１−ａＣｄａＳ１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ
１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅｂにおいて、Ｃｄあるいは
Ｅｕの組成ａとＳｅの組成ｂを個々に制御することによ
り、禁制帯幅が異なり、格子定数のほぼ等しい物質が得
られるので、これらを接合することによってレーザ素子
を作ることが可能である。
【０００８】しかしながら、上記のＰｂ１−ａＣｄａＳ
１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅ
ｂのレーザ素子を実際に作製する場合、作製条件等の制
約からＰｂに対してさほど大きな固溶量は望めず、ごく
少量の固溶により、４元固溶体を作製しているのか現状
である。前述の２００Ｋおよび２４１Ｋでパルス発振し
た材料は、前述の４元固溶体において、ＣｄおよびＥｕ
の組成ａがそれそれ０．０５および０．０１８であり、
Ｐｂに対する固溶量は小さい。このため。これらを光の
閉じ込め層とした場合、閉じ込め層と活性層との禁制帯
幅の差は、せいぜい３００Ｋで０．１８（ｅＶ），２４
１Ｋで０．０９４（ｅＶ）で非常に小さく、実用化は困
難で高い動作温度を有するレーザ素子は得られなかっ
た。
１−ｂＳｅｂあるいはＰｂ１−ａＥｕａＳｅ１−ｂＴｅ
ｂのレーザ素子を実際に作製する場合、作製条件等の制
約からＰｂに対してさほど大きな固溶量は望めず、ごく
少量の固溶により、４元固溶体を作製しているのか現状
である。前述の２００Ｋおよび２４１Ｋでパルス発振し
た材料は、前述の４元固溶体において、ＣｄおよびＥｕ
の組成ａがそれそれ０．０５および０．０１８であり、
Ｐｂに対する固溶量は小さい。このため。これらを光の
閉じ込め層とした場合、閉じ込め層と活性層との禁制帯
幅の差は、せいぜい３００Ｋで０．１８（ｅＶ），２４
１Ｋで０．０９４（ｅＶ）で非常に小さく、実用化は困
難で高い動作温度を有するレーザ素子は得られなかっ
た。
【０００９】近年高性能レーザ素子の要求がますます強
まっており、特に室温付近において動作可能な固溶半導
体レーザ素子用材料の開発が重要である。すなわち、半
導体レーザの動作温度を高めるために、閉じ込め層の伝
導型が十分に制御され、さらに、閉じ込め層の禁制帯幅
が活性層のそれより大きく、且つその差が十分に大きい
新規な固溶半導体を得ることが緊急の課題である。
まっており、特に室温付近において動作可能な固溶半導
体レーザ素子用材料の開発が重要である。すなわち、半
導体レーザの動作温度を高めるために、閉じ込め層の伝
導型が十分に制御され、さらに、閉じ込め層の禁制帯幅
が活性層のそれより大きく、且つその差が十分に大きい
新規な固溶半導体を得ることが緊急の課題である。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上述の点を鑑み
てなされたものである。本発明者らは幾多研究の結果、
ＰｂにＣａを固溶させることにより、また、これとＩ
族、ＩＩＩ族、Ｖ族、ＶＩＩ族元素を組み合わせること
により、これらの問題点を解決できることを発見した。
てなされたものである。本発明者らは幾多研究の結果、
ＰｂにＣａを固溶させることにより、また、これとＩ
族、ＩＩＩ族、Ｖ族、ＶＩＩ族元素を組み合わせること
により、これらの問題点を解決できることを発見した。
【００１１】本発明の特徴とするところは次の通りであ
る。第１発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ
（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ
≦０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又
は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩ
Ｉａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元
素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも
一種又は二種以上の元素）で表されることを特徴とする
固溶半導体レーザ素子用材料に関する。
る。第１発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ
（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ
≦０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又
は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩ
Ｉａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元
素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも
一種又は二種以上の元素）で表されることを特徴とする
固溶半導体レーザ素子用材料に関する。
【００１２】第２発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ
１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０
＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，Ｘ：
Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又は二種以上の元
素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なくとも一種又は二種の元
素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、Ｉ
ＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元
素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上
の元素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ
素子用材料に関する。
１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０
＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，Ｘ：
Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又は二種以上の元
素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なくとも一種又は二種の元
素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、Ｉ
ＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元
素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上
の元素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ
素子用材料に関する。
【００１３】第３発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘ
ＹｙＳ１−ｂＳｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜
ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１、Ｙ：Ｉａ族
元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、
Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩ
ｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）で表さ
れることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材料に関
する。
ＹｙＳ１−ｂＳｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜
ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１、Ｙ：Ｉａ族
元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、
Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩ
ｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）で表さ
れることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材料に関
する。
【００１４】第４発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ
１−ａＳｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，
Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩ
ｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素お
よびＶＩＩｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元
素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子
用材料に関する。
１−ａＳｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，
Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩ
ｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素お
よびＶＩＩｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元
素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子
用材料に関する。
【００１５】第５発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘ
ＹｙＳ１−ｂＳｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜
ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１．０、Ｙ：Ｔ
ｌ，ＡｇおよびＢｉの少なくとも一種又は二種以上の元
素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子
用材料に関する。
ＹｙＳ１−ｂＳｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜
ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１．０、Ｙ：Ｔ
ｌ，ＡｇおよびＢｉの少なくとも一種又は二種以上の元
素）で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子
用材料に関する。
【００１６】第６発明は、一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ
１−ａＳｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０、
Ｙ：Ｔｌ，ＡｇおよびＢｉの少なくとも一種又は二種以
上の元素）で表されることを特徴とする固溶半導体レー
ザ素子用材料に関する。
１−ａＳｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０、
Ｙ：Ｔｌ，ＡｇおよびＢｉの少なくとも一種又は二種以
上の元素）で表されることを特徴とする固溶半導体レー
ザ素子用材料に関する。
【００１７】第７発明は、請求項１乃至６の材料を閉じ
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
るレーザ素子に関する。
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
るレーザ素子に関する。
【００１８】第８発明は、請求項１乃至６の材料を閉じ
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
るダブルヘテロ接合レーザ素子に関する。
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
るダブルヘテロ接合レーザ素子に関する。
【００１９】第９発明は、請求項１乃至６の材料を閉じ
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
る量子井戸構造レーザ素子に関する。
込め層あるいは／および活性層に用いたことを特徴とす
る量子井戸構造レーザ素子に関する。
【００２０】
【作用】本発明の固溶半導体の製造法を説明すると、各
原材料を薄膜製造装置、例えば、ホットウォールエピタ
キシー装置中に設置し、高真空度のもとで、薄膜成長を
行う。なお、この際、基板として適当な基板、例えば、
ＢａＦ２（１１１）へき開面を用い、成長前に基板のサ
ーマルエッチングを適当温度で適当時間保持した後、薄
膜成長を行う。成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取
り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内
を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることによ
り適当な形状の薄膜を製造する。
原材料を薄膜製造装置、例えば、ホットウォールエピタ
キシー装置中に設置し、高真空度のもとで、薄膜成長を
行う。なお、この際、基板として適当な基板、例えば、
ＢａＦ２（１１１）へき開面を用い、成長前に基板のサ
ーマルエッチングを適当温度で適当時間保持した後、薄
膜成長を行う。成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取
り出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内
を適当なガス、例えば、窒素によりパージすることによ
り適当な形状の薄膜を製造する。
【００２１】次に、本発明の材料の一般式をＰｂ
１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，Ｘ：Ｓ，Ｓｅおよび
Ｔｅの少なくとも一種又は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族
元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、
Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩ
ｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）および
Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０
＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，
０＜ａ＜１．０，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｃの少なくとも
一種又は二種以上の元素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なく
とも一種又は二種の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元
素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖ
ｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少な
くとも一種又は二種以上の元素）と限定したのは、Ｉａ
族元素はｐ型の伝導型にする効果および添加不純物を活
性化させる効果があり、Ｉｂ族元素はｐ型の伝導型にす
る効果および相を安定させる効果があり、ＩＩＩａ族元
素はｐ型の伝導型にする効果および低キャリヤ濃度にな
る効果があり、ＩＩＩｂ族元素はｐ型の伝導型にする効
果および高キャリヤ濃度になる効果があり、Ｖａ族元素
はｎ型の伝導型にする効果および低キャリヤ濃度になる
効果があり、Ｖｂ族元素はｎ型の伝導型にする効果およ
び高キャリヤ濃度になる効果があり、ＶＩＩａ族元素は
ｎ型の伝導型にする効果および相を安定させる効果があ
り、ＶＩＩｂ族元素はｎ型の伝導型にする効果および添
加不純物を活性化させる効果があるが、これらの組成範
囲をはずれると、レーザ素子の製造が困難となり、動作
温度および発光効率が低下し、レーザ素子用材料として
不適当となるからである。しかしながら、上記化学量論
的組成から多少偏差しても固溶半導体が得られる場合
は、レーザ素子用材料としての特性が損なわれるもので
はなく、本発明の範疇に属するものである。先に本発明
者らは、特願平５−９０７０１および特願平５−１９０
９８４の特許を出願しているが、本発明では、ＰｂにＣ
ａを固溶させることにより、また、これとＩ族、ＩＩＩ
族、Ｖ族、ＶＩＩ族元素を組み合わせることにより、上
記の効果によりもたらされるレーザ素子用材料の特性改
良を行っている。
１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，
０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，Ｘ：Ｓ，Ｓｅおよび
Ｔｅの少なくとも一種又は二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族
元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、
Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩ
ｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）および
Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＺａ）ｘＹｙＸ（但し、０
＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦０．１，
０＜ａ＜１．０，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｃの少なくとも
一種又は二種以上の元素，Ｚ：ＳｒおよびＢａの少なく
とも一種又は二種の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元
素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖ
ｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少な
くとも一種又は二種以上の元素）と限定したのは、Ｉａ
族元素はｐ型の伝導型にする効果および添加不純物を活
性化させる効果があり、Ｉｂ族元素はｐ型の伝導型にす
る効果および相を安定させる効果があり、ＩＩＩａ族元
素はｐ型の伝導型にする効果および低キャリヤ濃度にな
る効果があり、ＩＩＩｂ族元素はｐ型の伝導型にする効
果および高キャリヤ濃度になる効果があり、Ｖａ族元素
はｎ型の伝導型にする効果および低キャリヤ濃度になる
効果があり、Ｖｂ族元素はｎ型の伝導型にする効果およ
び高キャリヤ濃度になる効果があり、ＶＩＩａ族元素は
ｎ型の伝導型にする効果および相を安定させる効果があ
り、ＶＩＩｂ族元素はｎ型の伝導型にする効果および添
加不純物を活性化させる効果があるが、これらの組成範
囲をはずれると、レーザ素子の製造が困難となり、動作
温度および発光効率が低下し、レーザ素子用材料として
不適当となるからである。しかしながら、上記化学量論
的組成から多少偏差しても固溶半導体が得られる場合
は、レーザ素子用材料としての特性が損なわれるもので
はなく、本発明の範疇に属するものである。先に本発明
者らは、特願平５−９０７０１および特願平５−１９０
９８４の特許を出願しているが、本発明では、ＰｂにＣ
ａを固溶させることにより、また、これとＩ族、ＩＩＩ
族、Ｖ族、ＶＩＩ族元素を組み合わせることにより、上
記の効果によりもたらされるレーザ素子用材料の特性改
良を行っている。
【００２２】
【実施例】実施例１ Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＳｒａ）ｘＹｙＳ（ｘ＝
０．０３〜０．０９，ｙ＝０．０１〜０．０８，ａ＝
０．６〜０．９）の固溶半導体について、ＰｂＳ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，ＳおよびＢｉ２Ｓ３（あるいはＡｇ２Ｓある
いはＴｌ２Ｓ）をホットウオールエピタキシー装置中に
設置し、２×１０−６ｔｏｒｒの真空度のもとで、薄膜
成長を行った。なお、この際、基板としてＢａＦ２（１
１１）へき開面（１０ｍｍ×１０ｍｍ）を用い、成長前
に基板のサーマルエッチングを７２３Ｋで１．８ｋｓ行
い、成長時間は１０．８ｋｓとした。また、ウォール温
度は、通常、ソース温度よりも高く設定されるが、当研
究においては８４８Ｋとした。成長終了後、固溶半導体
レーザ材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下し
た後、真空槽内を窒素によりパージすることにより行わ
れた。得られた各固溶半導体の禁制帯幅および格子定数
を示すと表１に示すとおりである。これより、Ｙの元素
をＢｉ，ＡｇおよびＴｌとすることにより、それぞれ、
ｎ型およびｐ型の伝導型が得られ、レーザ素子として十
分なキャリヤ濃度が得られることがわかる。
０．０３〜０．０９，ｙ＝０．０１〜０．０８，ａ＝
０．６〜０．９）の固溶半導体について、ＰｂＳ，Ｃ
ａ，Ｓｒ，ＳおよびＢｉ２Ｓ３（あるいはＡｇ２Ｓある
いはＴｌ２Ｓ）をホットウオールエピタキシー装置中に
設置し、２×１０−６ｔｏｒｒの真空度のもとで、薄膜
成長を行った。なお、この際、基板としてＢａＦ２（１
１１）へき開面（１０ｍｍ×１０ｍｍ）を用い、成長前
に基板のサーマルエッチングを７２３Ｋで１．８ｋｓ行
い、成長時間は１０．８ｋｓとした。また、ウォール温
度は、通常、ソース温度よりも高く設定されるが、当研
究においては８４８Ｋとした。成長終了後、固溶半導体
レーザ材料の取り出しは、各部の温度が室温まで降下し
た後、真空槽内を窒素によりパージすることにより行わ
れた。得られた各固溶半導体の禁制帯幅および格子定数
を示すと表１に示すとおりである。これより、Ｙの元素
をＢｉ，ＡｇおよびＴｌとすることにより、それぞれ、
ｎ型およびｐ型の伝導型が得られ、レーザ素子として十
分なキャリヤ濃度が得られることがわかる。
【００２３】
【表１】
【００２４】実施例２ Ｐｂ１−ｘＣａｘＹｙＳ１−ｂＳｅｂ（ｘ＝０．０１〜
０．１４，ｙ＝０．０１〜０．０８，ｂ＝０．０２〜
０．０７）の固溶半導体について、ＰｂＳ１−ａＳ
ｅａ，Ｃａ，ＳおよびＢｉ２Ｓ３（あるいはＡｇ２Ｓあ
るいはＴｌ２Ｓ）をホットウォールエピタキシー装置中
に設置し、２×１０−６ｔｏｒｒの真空度のもとで、薄
膜成長を行った。なお、この際、基板としてＢａＦ
２（１１１）へき開面を用い、成長前に基板のサーマル
エツチングを７２３Ｋで１．８ｋｓ行い、成長時間は１
０．８ｋｓとした。また、ウォール温度は、通常、ソー
ス温度よりも高く設定されるが、当研究においては８４
８Ｋとした。成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り
出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を
窒素によりパージすることにより行われた。得られた各
固溶半導体の禁制帯幅および格子定数を示すと表２に示
すとおりである。これより、Ｙの元素をＢｉ，Ａｇおよ
びＴｌとすることにより、それぞれ、ｎ型およびｐ型の
伝導型が得られ、レーザ素子として十分なキャリヤ濃度
が得られることがわかる。
０．１４，ｙ＝０．０１〜０．０８，ｂ＝０．０２〜
０．０７）の固溶半導体について、ＰｂＳ１−ａＳ
ｅａ，Ｃａ，ＳおよびＢｉ２Ｓ３（あるいはＡｇ２Ｓあ
るいはＴｌ２Ｓ）をホットウォールエピタキシー装置中
に設置し、２×１０−６ｔｏｒｒの真空度のもとで、薄
膜成長を行った。なお、この際、基板としてＢａＦ
２（１１１）へき開面を用い、成長前に基板のサーマル
エツチングを７２３Ｋで１．８ｋｓ行い、成長時間は１
０．８ｋｓとした。また、ウォール温度は、通常、ソー
ス温度よりも高く設定されるが、当研究においては８４
８Ｋとした。成長終了後、固溶半導体レーザ材料の取り
出しは、各部の温度が室温まで降下した後、真空槽内を
窒素によりパージすることにより行われた。得られた各
固溶半導体の禁制帯幅および格子定数を示すと表２に示
すとおりである。これより、Ｙの元素をＢｉ，Ａｇおよ
びＴｌとすることにより、それぞれ、ｎ型およびｐ型の
伝導型が得られ、レーザ素子として十分なキャリヤ濃度
が得られることがわかる。
【００２５】
【表２】
【００２６】なお、表３には本発明で得られた代表的な
固溶半導体レーザ素子用材料をレーザ素子の閉じ込め層
あるいは／および活性層に使用した場合の諸特性を示し
た。閉じ込め層と活性層の格子定数は一致し、その禁制
帯幅の差も大きいことがわかる。すなわち、それらの差
は、レーザ素子を構成する際に十分な大きさを有してい
ることがわかる。さらに、閉じ込め層はｐおよびｎ型の
双方の伝導型を有し、レーザ素子として十分なキャリヤ
濃度を有していることがわかる。
固溶半導体レーザ素子用材料をレーザ素子の閉じ込め層
あるいは／および活性層に使用した場合の諸特性を示し
た。閉じ込め層と活性層の格子定数は一致し、その禁制
帯幅の差も大きいことがわかる。すなわち、それらの差
は、レーザ素子を構成する際に十分な大きさを有してい
ることがわかる。さらに、閉じ込め層はｐおよびｎ型の
双方の伝導型を有し、レーザ素子として十分なキャリヤ
濃度を有していることがわかる。
【００２７】
【表３】
【００２８】表３から明らかなように、試料番号６１は
本発明材料を閉じ込め層と活性層との双方に使用した場
合を示し、その他の試料は本発明材料を閉じ込め層に使
用した場合を示す。本発明材料は組成によっては、閉じ
込め層によい場合と、閉じ込め層と活性層との双方良い
場合があり、禁制帯幅と格子定数とが所定の範囲内にあ
ることが確認された。
本発明材料を閉じ込め層と活性層との双方に使用した場
合を示し、その他の試料は本発明材料を閉じ込め層に使
用した場合を示す。本発明材料は組成によっては、閉じ
込め層によい場合と、閉じ込め層と活性層との双方良い
場合があり、禁制帯幅と格子定数とが所定の範囲内にあ
ることが確認された。
【００２９】上記の実施例、表および図に示すように、
本発明の固溶半導体レーザ素子用材料は固溶範囲が広
く、禁制帯幅が大きく、且つ、伝導型の制御も可能であ
るのでレーザ素子に好適な材料である。すなわち、本発
明材料を閉じ込め層に用い、活性層としてはこの閉じ込
め層より小さくてその差が大きく、且つ格子定数がほぼ
同じで格子整合性の良い固溶半導体、例えば、ＰｂＳ，
ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，およびＰｂＳ１−ａＳｅａ等を適
宜選択することにより、また閉じ込め層に禁制帯幅が活
性層のそれより大きくてその差が大きく、伝導型も制御
され、且つ格子整合性の良い本発明材料を閉じ込め層と
活性層の双方に適宜選択して用いることにより、動作温
度が高く、発光効率の高いレーザ素子を作ることができ
る。したがって、本発明のレーザ素子は、波長０．４〜
０．８μｍの赤外線領域における超高分解能分光器の光
源あるいは現在光通信に使われている石英系グラスファ
イバー光通信ばかりでなく、開発中の光損失の少ない金
属ハライド極損失グラスファイバーを用いた光通信の光
源としても好適である。
本発明の固溶半導体レーザ素子用材料は固溶範囲が広
く、禁制帯幅が大きく、且つ、伝導型の制御も可能であ
るのでレーザ素子に好適な材料である。すなわち、本発
明材料を閉じ込め層に用い、活性層としてはこの閉じ込
め層より小さくてその差が大きく、且つ格子定数がほぼ
同じで格子整合性の良い固溶半導体、例えば、ＰｂＳ，
ＰｂＳｅ，ＰｂＴｅ，およびＰｂＳ１−ａＳｅａ等を適
宜選択することにより、また閉じ込め層に禁制帯幅が活
性層のそれより大きくてその差が大きく、伝導型も制御
され、且つ格子整合性の良い本発明材料を閉じ込め層と
活性層の双方に適宜選択して用いることにより、動作温
度が高く、発光効率の高いレーザ素子を作ることができ
る。したがって、本発明のレーザ素子は、波長０．４〜
０．８μｍの赤外線領域における超高分解能分光器の光
源あるいは現在光通信に使われている石英系グラスファ
イバー光通信ばかりでなく、開発中の光損失の少ない金
属ハライド極損失グラスファイバーを用いた光通信の光
源としても好適である。
【００３０】尚、Ｉａ族元素はＨ，Ｌｉ，Ｎａ，Ｋ，Ｒ
ｂ，ＣｓおよびＦｒであり、Ｉｂ族元素はＣｕ，Ａｇお
よびＡｕであり、ＩＩＩａ族元素はＳｅ，Ｙ，Ｌａおよ
びＡｃであり、ＩＩＩｂ族元素はＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ
およびＴｌであり、Ｖａ族元素はＶ，ＮｂおよびＴａで
あり、Ｖｂ族元素はＮ，Ｐ，ＡｓＳｂおよびＢｉであ
り、ＶＩＩａ族元素はＭｎ，ＴｃおよびＲｅであり、Ｖ
ＩＩｂ族元素はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩおよびＡｔであり、
各同族元素は同効成分である。
ｂ，ＣｓおよびＦｒであり、Ｉｂ族元素はＣｕ，Ａｇお
よびＡｕであり、ＩＩＩａ族元素はＳｅ，Ｙ，Ｌａおよ
びＡｃであり、ＩＩＩｂ族元素はＢ，Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ
およびＴｌであり、Ｖａ族元素はＶ，ＮｂおよびＴａで
あり、Ｖｂ族元素はＮ，Ｐ，ＡｓＳｂおよびＢｉであ
り、ＶＩＩａ族元素はＭｎ，ＴｃおよびＲｅであり、Ｖ
ＩＩｂ族元素はＦ，Ｃｌ，Ｂｒ，ＩおよびＡｔであり、
各同族元素は同効成分である。
【００３１】
【発明の効果】本発明材料は、波長０．４〜０．８μｍ
の赤外領域で発振し、波長可変で、室温付近において動
作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ
接合あるいは格子整合型量子井戸構造レーザ素子を容易
に作ることができるので、高発光効率および高性能レー
ザ素子の材料として好適であり、さらにこのレーザ素子
は光通信システム、超高分解能分光器ならびにその他一
般の計測機器の光源等としても好適であり応用範囲が広
い。
の赤外領域で発振し、波長可変で、室温付近において動
作可能であるレーザ素子、特に格子整合型ダブルヘテロ
接合あるいは格子整合型量子井戸構造レーザ素子を容易
に作ることができるので、高発光効率および高性能レー
ザ素子の材料として好適であり、さらにこのレーザ素子
は光通信システム、超高分解能分光器ならびにその他一
般の計測機器の光源等としても好適であり応用範囲が広
い。
【図１（Ａ）】格子整合型ダブルヘテロ接合構造を有す
るレーザ素子である。
るレーザ素子である。
【図１（Ｂ）】格子整合型量子井戸構造を有するレーザ
素子である。
素子である。
Claims (9)
- 【請求項１】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＸ（但
し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，０＜ｙ≦
０．１，Ｘ：Ｓ，ＳｅおよびＴｅの少なくとも一種又は
二種以上の元素、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩ
ａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、
ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少なくとも一種
又は二種以上の元素）で表されることを特徴とする固溶
半導体レーザ素子用材料。 - 【請求項２】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＺａ）
ｘＹｙＸ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．
０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，Ｘ：Ｓ，Ｓｅお
よびＴｅの少なくとも一種又は二種以上の元素，Ｚ：Ｓ
ｒおよびＢａの少なくとも一種又は二種の元素、Ｙ：Ｉ
ａ族元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元
素、Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶ
ＩＩｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）で
表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材
料。 - 【請求項３】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＳ１−ｂ
Ｓｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，
０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１、Ｙ：Ｉａ族元素、Ｉｂ族
元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、Ｖａ族元素、
Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩｂ族元素の少
なくとも一種又は二種以上の元素）で表されることを特
徴とする固溶半導体レーザ素子用材料。 - 【請求項４】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＳ
ｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜
１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０，Ｙ：Ｉａ族
元素、Ｉｂ族元素、ＩＩＩａ族元素、ＩＩＩｂ族元素、
Ｖａ族元素、Ｖｂ族元素、ＶＩＩａ族元素およびＶＩＩ
ｂ族元素の少なくとも一種又は二種以上の元素）で表さ
れることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材料。 - 【請求項５】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙＣａｘＹｙＳ１−ｂ
Ｓｅｂ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜１．０，
０＜ｙ≦０．１，０＜ｂ＜１．０、Ｙ：Ｔｌ，Ａｇおよ
びＢｉの少なくとも一種又は二種以上の元素）で表され
ることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材料。 - 【請求項６】一般式Ｐｂ１−ｘ−ｙ（Ｃａ１−ａＳ
ｒａ）ｘＹｙＳ（但し、０＜ｘ＋ｙ＜１．０，０＜ｘ＜
１．０，０＜ｙ≦０．１，０＜ａ＜１．０、Ｙ：Ｔｌ，
ＡｇおよびＢｉの少なくとも一種又は二種以上の元素）
で表されることを特徴とする固溶半導体レーザ素子用材
料。 - 【請求項７】請求項１乃至６の材料を閉じ込め層あるい
は／および活性層に用いたことを特徴とするレーザ素
子。 - 【請求項８】請求項１乃至６の材料を閉じ込め層あるい
は／および活性層に用いたことを特徴とするダブルヘテ
ロ接合レーザ素子。 - 【請求項９】請求項１乃至６の材料を閉じ込め層あるい
は／および活性層に用いたことを特徴とする量子井戸構
造レーザ素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37034397A JPH11195835A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP37034397A JPH11195835A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11195835A true JPH11195835A (ja) | 1999-07-21 |
Family
ID=18496667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP37034397A Withdrawn JPH11195835A (ja) | 1997-12-26 | 1997-12-26 | 固溶半導体レーザ素子用材料およびレーザ素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11195835A (ja) |
-
1997
- 1997-12-26 JP JP37034397A patent/JPH11195835A/ja not_active Withdrawn
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |