JPH11194358A - 液晶パネルの配線パターン形成方法 - Google Patents
液晶パネルの配線パターン形成方法Info
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- JPH11194358A JPH11194358A JP1211198A JP1211198A JPH11194358A JP H11194358 A JPH11194358 A JP H11194358A JP 1211198 A JP1211198 A JP 1211198A JP 1211198 A JP1211198 A JP 1211198A JP H11194358 A JPH11194358 A JP H11194358A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 液晶表示部が形成されたガラス基板上にＣＯ
Ｇ（Chip On Glass）方式によって駆動ＩＣを実装する
液晶パネルの配線パターン形成方法において、駆動ＩＣ
用配線パターンとＩＴＯ電極パターンとの位置ずれを防
止する。 【解決手段】 液晶表示部が形成されるガラス基板１ｂ
の全面に液晶用のＩＴＯ透明電極膜５ａを形成し、この
電極膜上の一部にガラス基板１ｂ上に実装される駆動Ｉ
Ｃ用の金属電極被膜５ｃを水金法によって形成し、前記
ＩＴＯ透明電極膜５ａ及び金属電極被膜５ｃの全面にフ
ォトレジスト膜１０を形成し、その上から配線パターン
像が形成されたフォトマスク１１を介して露光し、金属
電極被膜５ｃ及びＩＴＯ透明電極膜５ａの順にエッチン
グして不要なＩＴＯ透明電極膜５ａ及び金属電極被膜５
ｃをそれぞれ除去する。
Ｇ（Chip On Glass）方式によって駆動ＩＣを実装する
液晶パネルの配線パターン形成方法において、駆動ＩＣ
用配線パターンとＩＴＯ電極パターンとの位置ずれを防
止する。 【解決手段】 液晶表示部が形成されるガラス基板１ｂ
の全面に液晶用のＩＴＯ透明電極膜５ａを形成し、この
電極膜上の一部にガラス基板１ｂ上に実装される駆動Ｉ
Ｃ用の金属電極被膜５ｃを水金法によって形成し、前記
ＩＴＯ透明電極膜５ａ及び金属電極被膜５ｃの全面にフ
ォトレジスト膜１０を形成し、その上から配線パターン
像が形成されたフォトマスク１１を介して露光し、金属
電極被膜５ｃ及びＩＴＯ透明電極膜５ａの順にエッチン
グして不要なＩＴＯ透明電極膜５ａ及び金属電極被膜５
ｃをそれぞれ除去する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示部が形成
されたガラス基板上にＣＯＧ（Chip On Glass）方式に
よって駆動ＩＣを実装した液晶パネルの低抵抗な配線パ
ターン形成方法に関するものである。
されたガラス基板上にＣＯＧ（Chip On Glass）方式に
よって駆動ＩＣを実装した液晶パネルの低抵抗な配線パ
ターン形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】一般に、駆動ＩＣを実装した液晶パネル
（以下、ＣＯＧ液晶パネルという）は、図４に示すよう
な断面構造となっている。このＣＯＧ液晶パネルは、液
晶表示部Ａと駆動ＩＣ実装部Ｂとで構成されている。液
晶表示部Ａは、上側ガラス基板１ａと下側ガラス基板１
ｂの対向する内面に配向膜で覆われたＩＴＯ電極２ａ、
コモン電極２ｂが形成され、液晶物質３を封止した構造
となっている。駆動ＩＣ実装部Ｂは、下側ガラス基板１
ｂが上側ガラス基板１ａに比べて片側方向に大きく突き
出ており、この下側ガラス基板１ｂの額縁部４上に配線
パターン５が形成されると共に、この配線パターン５上
に液晶を駆動するための駆動ＩＣ６と、外部からの信号
の受け渡しをするためのケーブル７とが接合されてい
る。配線パターン５は、ＩＴＯ電極２ａ及びコモン電極
２ｂとを相互に接続するパターン形状となっており、額
縁部４に駆動ＩＣ６を実装する場合には、上側ガラス基
板１ａに形成したＩＴＯ電極２ａと導通部材を介して接
続する構造となっている。
（以下、ＣＯＧ液晶パネルという）は、図４に示すよう
な断面構造となっている。このＣＯＧ液晶パネルは、液
晶表示部Ａと駆動ＩＣ実装部Ｂとで構成されている。液
晶表示部Ａは、上側ガラス基板１ａと下側ガラス基板１
ｂの対向する内面に配向膜で覆われたＩＴＯ電極２ａ、
コモン電極２ｂが形成され、液晶物質３を封止した構造
となっている。駆動ＩＣ実装部Ｂは、下側ガラス基板１
ｂが上側ガラス基板１ａに比べて片側方向に大きく突き
出ており、この下側ガラス基板１ｂの額縁部４上に配線
パターン５が形成されると共に、この配線パターン５上
に液晶を駆動するための駆動ＩＣ６と、外部からの信号
の受け渡しをするためのケーブル７とが接合されてい
る。配線パターン５は、ＩＴＯ電極２ａ及びコモン電極
２ｂとを相互に接続するパターン形状となっており、額
縁部４に駆動ＩＣ６を実装する場合には、上側ガラス基
板１ａに形成したＩＴＯ電極２ａと導通部材を介して接
続する構造となっている。
【０００３】上述のようなＣＯＧ液晶パネルの配線パタ
ーン５を形成するに当たっては、図５に示すように、ま
ず、下側ガラス基板１ｂの額縁部４上に上記図４で示し
たＩＴＯ電極２ａ及びコモン電極２ｂと電気的に接続さ
れた透明なＩＴＯ電極膜５ａの配線パターンを形成す
る。そして、電極としての抵抗値をより小さくするため
に、透明なＩＴＯ電極膜５ａの配線パターン上に駆動Ｉ
Ｃ６を直接実装せずに、ＩＴＯ電極膜５ａ上に導電性の
よい金属電極被膜５ｃを形成し、この金属電極被膜５ｃ
上に駆動ＩＣ６を実装するものが多い。金属電極被膜５
ｃの材質としては、導電性が良く且つ腐食性に優れた金
や白金等の貴金属が使用されるが、このような貴金属は
前記ＩＴＯ電極膜５ａに対して密着力が悪いため、一旦
ＩＴＯ電極膜５ａ上にクロム蒸着膜５ｂを形成し、この
クロム蒸着膜５ｂ上に前記金属電極被膜５ｃを形成する
方法が多くとられていた。
ーン５を形成するに当たっては、図５に示すように、ま
ず、下側ガラス基板１ｂの額縁部４上に上記図４で示し
たＩＴＯ電極２ａ及びコモン電極２ｂと電気的に接続さ
れた透明なＩＴＯ電極膜５ａの配線パターンを形成す
る。そして、電極としての抵抗値をより小さくするため
に、透明なＩＴＯ電極膜５ａの配線パターン上に駆動Ｉ
Ｃ６を直接実装せずに、ＩＴＯ電極膜５ａ上に導電性の
よい金属電極被膜５ｃを形成し、この金属電極被膜５ｃ
上に駆動ＩＣ６を実装するものが多い。金属電極被膜５
ｃの材質としては、導電性が良く且つ腐食性に優れた金
や白金等の貴金属が使用されるが、このような貴金属は
前記ＩＴＯ電極膜５ａに対して密着力が悪いため、一旦
ＩＴＯ電極膜５ａ上にクロム蒸着膜５ｂを形成し、この
クロム蒸着膜５ｂ上に前記金属電極被膜５ｃを形成する
方法が多くとられていた。
【０００４】このようなＣＯＧ液晶パネルの配線パター
ン形成方法としては、図６及び図７に示したような製造
方法がとられている。まず、下側ガラス基板１ｂの上面
全体にＩＴＯ電極膜５ａを蒸着法あるいはスパッタリン
グ法等により形成する（工程ａ）。次いで、ＩＴＯ電極
膜５ａの上面全体にクロム蒸着膜５ｂを蒸着法あるいは
スパッタリング法等により形成する（工程ｂ）。さら
に、クロム蒸着膜５ｂの上面全体に駆動ＩＣ用の配線パ
ターンを形成するために金や白金等からなる金属電極被
膜５ｃを蒸着法あるいはスパッタリング法等により形成
する（工程ｃ）。そして、この金属電極被膜５ｃの上面
全体にポジ型のフォトレジスト膜１０を塗布する（工程
ｄ）。次いで、前記フォトレジスト膜１０の上に駆動Ｉ
Ｃ用の配線パターン像が形成されたポジ型のフォトマス
ク１１を被せ、上から紫外線１２を照射する。フォトマ
スク１１は配線パターンの部分が不透明、それ以外の所
が透明に形成されており、紫外線１２を照射することで
透明部分のフォトレジスト膜１０が感光する。感光した
部分のフォトレジスト膜１０は、分解して現像液に可溶
性となり除去される（工程ｅ）。次いで、上記フォトレ
ジスト膜１０が処理されたガラス基板を金属用エッチン
グ液に浸し、表面に露出している部分の金属電極被膜５
ｃをエッチング処理する（工程ｆ）。続いて、クロム用
エッチング液に浸し、露出している部分のクロム蒸着膜
５ｂをエッチング処理する（工程ｇ）。クロム蒸着膜５
ｂをエッチング処理した後に表面に残っているフォトレ
ジスト膜１０を剥離し（工程ｈ）、再度フォトレジスト
膜１０ａを下側ガラス基板１ｂの全面に塗布する（工程
ｉ）。次に、前記フォトレジスト膜１０の上に液晶用の
配線パターン像が形成されたポジ型のフォトマスク１３
を被せ、上から紫外線１２を照射する。被せる際に、先
に形成した駆動ＩＣ用電極パターンが露光されないよう
に位置合わせを確実に行なう。フォトマスク１３は、前
述と同様、配線パターンの部分が不透明、それ以外の所
が透明に形成されており、紫外線１２を照射することで
透明部分のフォトレジスト膜１０ａが感光する。感光し
た部分のフォトレジスト膜１０ａは、分解して現像液に
可溶性となり除去される（工程ｊ）。次いで、上記フォ
トレジスト膜１０ａが処理されたガラス基板をＩＴＯ用
のエッチング液に浸漬し、表面に露出している部分のＩ
ＴＯ電極膜５ａをエッチング処理する（工程ｋ）。最後
に表面に残ったフォトレジスト膜１０ａを剥離する
（ｌ）。以上の各工程を経てガラス基板上にＩＴＯ電極
パターン及び駆動ＩＣ用の配線パターンが形成される。
ン形成方法としては、図６及び図７に示したような製造
方法がとられている。まず、下側ガラス基板１ｂの上面
全体にＩＴＯ電極膜５ａを蒸着法あるいはスパッタリン
グ法等により形成する（工程ａ）。次いで、ＩＴＯ電極
膜５ａの上面全体にクロム蒸着膜５ｂを蒸着法あるいは
スパッタリング法等により形成する（工程ｂ）。さら
に、クロム蒸着膜５ｂの上面全体に駆動ＩＣ用の配線パ
ターンを形成するために金や白金等からなる金属電極被
膜５ｃを蒸着法あるいはスパッタリング法等により形成
する（工程ｃ）。そして、この金属電極被膜５ｃの上面
全体にポジ型のフォトレジスト膜１０を塗布する（工程
ｄ）。次いで、前記フォトレジスト膜１０の上に駆動Ｉ
Ｃ用の配線パターン像が形成されたポジ型のフォトマス
ク１１を被せ、上から紫外線１２を照射する。フォトマ
スク１１は配線パターンの部分が不透明、それ以外の所
が透明に形成されており、紫外線１２を照射することで
透明部分のフォトレジスト膜１０が感光する。感光した
部分のフォトレジスト膜１０は、分解して現像液に可溶
性となり除去される（工程ｅ）。次いで、上記フォトレ
ジスト膜１０が処理されたガラス基板を金属用エッチン
グ液に浸し、表面に露出している部分の金属電極被膜５
ｃをエッチング処理する（工程ｆ）。続いて、クロム用
エッチング液に浸し、露出している部分のクロム蒸着膜
５ｂをエッチング処理する（工程ｇ）。クロム蒸着膜５
ｂをエッチング処理した後に表面に残っているフォトレ
ジスト膜１０を剥離し（工程ｈ）、再度フォトレジスト
膜１０ａを下側ガラス基板１ｂの全面に塗布する（工程
ｉ）。次に、前記フォトレジスト膜１０の上に液晶用の
配線パターン像が形成されたポジ型のフォトマスク１３
を被せ、上から紫外線１２を照射する。被せる際に、先
に形成した駆動ＩＣ用電極パターンが露光されないよう
に位置合わせを確実に行なう。フォトマスク１３は、前
述と同様、配線パターンの部分が不透明、それ以外の所
が透明に形成されており、紫外線１２を照射することで
透明部分のフォトレジスト膜１０ａが感光する。感光し
た部分のフォトレジスト膜１０ａは、分解して現像液に
可溶性となり除去される（工程ｊ）。次いで、上記フォ
トレジスト膜１０ａが処理されたガラス基板をＩＴＯ用
のエッチング液に浸漬し、表面に露出している部分のＩ
ＴＯ電極膜５ａをエッチング処理する（工程ｋ）。最後
に表面に残ったフォトレジスト膜１０ａを剥離する
（ｌ）。以上の各工程を経てガラス基板上にＩＴＯ電極
パターン及び駆動ＩＣ用の配線パターンが形成される。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のＣＯＧ液晶パネルの配線パターン形成方法にあって
は、駆動ＩＣ用配線パターンとＩＴＯ電極パターンを形
成する場合に、それぞれのパターン毎にフォトマスク１
１，１３を被せて紫外線１２を露光しているため、フォ
トマスクを被せる際の位置合わせが少しでもずれてしま
うと、１回目のフォトマスク１１によって形成される金
属電極被膜５ｃのパターンと、その下側に２回目のフォ
トマスク１３によって形成されるＩＴＯ電極膜５ａのパ
ターンの間に位置ずれを生じさせるおそれがあった。特
にパターン幅やピッチが非常に小さい場合や、パターン
密度が高い場合には隣接するパターン同士が接触してし
まうことがある。また、下側ガラス基板１ｂのほぼ全面
に金属電極被膜５ｃを形成するために、必要とする部分
以外の金属電極被膜５ｃについては最終的に除去する面
積が多くなり、金属材料が無駄に使われることにもな
る。さらに、上記従来の配線パターン形成方法では、フ
ォトマスクを２回被せるなど製造工程が多くなることか
ら製造コストが高いものとなっていた。また、駆動ＩＣ
用配線パターンを構成する金属電極被膜５ｃは、直接外
気に触れることから、腐食しにくい金や白金等の高価な
材質が使用されていた。
来のＣＯＧ液晶パネルの配線パターン形成方法にあって
は、駆動ＩＣ用配線パターンとＩＴＯ電極パターンを形
成する場合に、それぞれのパターン毎にフォトマスク１
１，１３を被せて紫外線１２を露光しているため、フォ
トマスクを被せる際の位置合わせが少しでもずれてしま
うと、１回目のフォトマスク１１によって形成される金
属電極被膜５ｃのパターンと、その下側に２回目のフォ
トマスク１３によって形成されるＩＴＯ電極膜５ａのパ
ターンの間に位置ずれを生じさせるおそれがあった。特
にパターン幅やピッチが非常に小さい場合や、パターン
密度が高い場合には隣接するパターン同士が接触してし
まうことがある。また、下側ガラス基板１ｂのほぼ全面
に金属電極被膜５ｃを形成するために、必要とする部分
以外の金属電極被膜５ｃについては最終的に除去する面
積が多くなり、金属材料が無駄に使われることにもな
る。さらに、上記従来の配線パターン形成方法では、フ
ォトマスクを２回被せるなど製造工程が多くなることか
ら製造コストが高いものとなっていた。また、駆動ＩＣ
用配線パターンを構成する金属電極被膜５ｃは、直接外
気に触れることから、腐食しにくい金や白金等の高価な
材質が使用されていた。
【０００６】そこで本発明は、駆動ＩＣ用配線パターン
とＩＴＯ電極パターンとの位置ずれを防止するととも
に、駆動ＩＣ用配線パターンを形成する際に必要部分に
のみ金属電極被膜を形成することで金属材料の無駄をな
くし、また配線パターン形成工程を簡素化して製造コス
トの低廉化を図ることを目的とする。
とＩＴＯ電極パターンとの位置ずれを防止するととも
に、駆動ＩＣ用配線パターンを形成する際に必要部分に
のみ金属電極被膜を形成することで金属材料の無駄をな
くし、また配線パターン形成工程を簡素化して製造コス
トの低廉化を図ることを目的とする。
【０００７】また、本発明は、駆動ＩＣ用配線パターン
を構成する金属電極被膜が外気に触れないようにするこ
とで、金や白金等の高価な材料以外のものでも使用でき
るようにしてコストの低廉化を図ることを目的とする。
を構成する金属電極被膜が外気に触れないようにするこ
とで、金や白金等の高価な材料以外のものでも使用でき
るようにしてコストの低廉化を図ることを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に係る液晶パネルの配線パターン
形成方法は、液晶表示部が形成されるガラス基板の全面
に液晶用の透明電極膜を形成し、この電極膜上の一部に
ガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用の金属電極被膜を
水金法によって形成し、前記透明電極膜及び金属電極被
膜の全面にフォトレジスト膜を形成し、その上から配線
パターン像が形成されたフォトマスクを介して露光し、
金属電極被膜及び透明電極膜の順にエッチングして不要
な透明電極膜及び金属電極被膜をそれぞれ除去すること
を特徴とする。
に、本発明の請求項１に係る液晶パネルの配線パターン
形成方法は、液晶表示部が形成されるガラス基板の全面
に液晶用の透明電極膜を形成し、この電極膜上の一部に
ガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用の金属電極被膜を
水金法によって形成し、前記透明電極膜及び金属電極被
膜の全面にフォトレジスト膜を形成し、その上から配線
パターン像が形成されたフォトマスクを介して露光し、
金属電極被膜及び透明電極膜の順にエッチングして不要
な透明電極膜及び金属電極被膜をそれぞれ除去すること
を特徴とする。
【０００９】また、本発明の請求項２に係る液晶パネル
の配線パターン形成方法は、液晶表示部が形成されるガ
ラス基板の一部にガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用
の金属電極被膜を水金法によって形成し、この金属電極
被膜を含むガラス基板の全面に液晶用の透明電極膜を形
成し、この透明電極膜の全面にフォトレジスト膜を形成
し、その上から配線パターン像が形成されたフォトマス
クを介して露光し、透明電極膜及び金属電極被膜の順に
エッチングして不要な透明電極膜及び金属電極被膜をそ
れぞれ除去することを特徴とする。
の配線パターン形成方法は、液晶表示部が形成されるガ
ラス基板の一部にガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用
の金属電極被膜を水金法によって形成し、この金属電極
被膜を含むガラス基板の全面に液晶用の透明電極膜を形
成し、この透明電極膜の全面にフォトレジスト膜を形成
し、その上から配線パターン像が形成されたフォトマス
クを介して露光し、透明電極膜及び金属電極被膜の順に
エッチングして不要な透明電極膜及び金属電極被膜をそ
れぞれ除去することを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下添付図面に基づいて本発明に
係る配線パターン形成方法を詳細に説明する。図１は本
発明に係る配線パターンの断面構造を示したものであ
り、下側ガラス基板１ｂの額縁部４に透明なＩＴＯ電極
膜５ａの配線パターンを形成し、その上に水金法によっ
て直接に金属電極被膜５ｃを形成し、その上に駆動ＩＣ
６を実装したものである。次に、上記配線パターンの製
造工程を図２に従って説明する。最初に蒸着装置を使用
して、酸化インジウムに錫をドーピングして得られるＩ
ＴＯを下ガラス基板１ｂの上面に蒸着してＩＴＯ電極膜
５ａを形成する（工程ａ）。次に、有機金に酸化性の樹
脂を混ぜ合わせてペーストを作り、このペーストで上記
ＩＴＯ電極膜５ａの一部分にスクリーン印刷機を用いて
金ペースト印刷膜８ａを形成する（工程ｂ）。有機溶剤
は沸点が余り高くないのが好ましく、５００℃程度で完
全に樹脂分９が蒸発して残らないものを選択する。その
状態のまま、焼成炉に入れて５００℃位に加熱し、前記
金ペースト印刷膜８ａの樹脂分を完全に蒸発させる。こ
の樹脂分を完全に蒸発させることによって金だけが残
り、この金がＩＴＯ電極膜５ａの表層に焼き付いて金属
電極被膜５ｃが出来上がる（工程ｃ）。このような上記
工程ｂ及び工程ｃによって金属電極被膜５ｃを形成する
方法はいわゆる「水金法」とよばれるものである。
係る配線パターン形成方法を詳細に説明する。図１は本
発明に係る配線パターンの断面構造を示したものであ
り、下側ガラス基板１ｂの額縁部４に透明なＩＴＯ電極
膜５ａの配線パターンを形成し、その上に水金法によっ
て直接に金属電極被膜５ｃを形成し、その上に駆動ＩＣ
６を実装したものである。次に、上記配線パターンの製
造工程を図２に従って説明する。最初に蒸着装置を使用
して、酸化インジウムに錫をドーピングして得られるＩ
ＴＯを下ガラス基板１ｂの上面に蒸着してＩＴＯ電極膜
５ａを形成する（工程ａ）。次に、有機金に酸化性の樹
脂を混ぜ合わせてペーストを作り、このペーストで上記
ＩＴＯ電極膜５ａの一部分にスクリーン印刷機を用いて
金ペースト印刷膜８ａを形成する（工程ｂ）。有機溶剤
は沸点が余り高くないのが好ましく、５００℃程度で完
全に樹脂分９が蒸発して残らないものを選択する。その
状態のまま、焼成炉に入れて５００℃位に加熱し、前記
金ペースト印刷膜８ａの樹脂分を完全に蒸発させる。こ
の樹脂分を完全に蒸発させることによって金だけが残
り、この金がＩＴＯ電極膜５ａの表層に焼き付いて金属
電極被膜５ｃが出来上がる（工程ｃ）。このような上記
工程ｂ及び工程ｃによって金属電極被膜５ｃを形成する
方法はいわゆる「水金法」とよばれるものである。
【００１１】次に、金属電極被膜５ｃ及びＩＴＯ電極膜
５ａの露出した表層面の全面にスクリーン印刷でポジ型
のフォトレジスト膜１０を形成する（工程ｄ）。このフ
ォトレジスト膜１０は光照射によって分解して現像液に
可溶性となり、現像時に基板表面から除去される特性を
もつ感光性材料である。次に、配線パターン像を不透明
に形成したボジ型のフォトマスク１１を上記フォトレジ
スト膜１０の上方に配置し、紫外線１２を照射する（工
程ｅ）。フォトマスク１１に形成された配線パターン像
に相当するところは紫外線１２がカットされ、パターン
以外のところは紫外線１２が透過してフォトレジスト膜
１０を溶解し、洗浄することによって溶解したフォトレ
ジスト膜１０が除去される一方、紫外線１２が透過しな
いパターン部にはフォトレジスト膜１０が残る。このよ
うにしてフォトレジスト膜１０が残っている下側ガラス
基板１ｂを金属用のエッチング液に浸漬し、フォトレジ
スト膜１０が取り除かれている所の金属電極被膜５ｃを
除去する（工程ｆ）。続いて、ＩＴＯ用のエッチング液
に浸漬し、フォトレジスト膜１０が取り除かれている所
のＩＴＯ電極膜５ａを除去する（工程ｇ）。このよう
に、金属電極被膜５ｃ、ＩＴＯ電極膜５ａの順にエッチ
ング処理した後、表層面に残ったフォトレジスト膜１０
をレジスト剥離液に浸漬し除去することで配線パターン
の製造が終了する（工程ｈ）。
５ａの露出した表層面の全面にスクリーン印刷でポジ型
のフォトレジスト膜１０を形成する（工程ｄ）。このフ
ォトレジスト膜１０は光照射によって分解して現像液に
可溶性となり、現像時に基板表面から除去される特性を
もつ感光性材料である。次に、配線パターン像を不透明
に形成したボジ型のフォトマスク１１を上記フォトレジ
スト膜１０の上方に配置し、紫外線１２を照射する（工
程ｅ）。フォトマスク１１に形成された配線パターン像
に相当するところは紫外線１２がカットされ、パターン
以外のところは紫外線１２が透過してフォトレジスト膜
１０を溶解し、洗浄することによって溶解したフォトレ
ジスト膜１０が除去される一方、紫外線１２が透過しな
いパターン部にはフォトレジスト膜１０が残る。このよ
うにしてフォトレジスト膜１０が残っている下側ガラス
基板１ｂを金属用のエッチング液に浸漬し、フォトレジ
スト膜１０が取り除かれている所の金属電極被膜５ｃを
除去する（工程ｆ）。続いて、ＩＴＯ用のエッチング液
に浸漬し、フォトレジスト膜１０が取り除かれている所
のＩＴＯ電極膜５ａを除去する（工程ｇ）。このよう
に、金属電極被膜５ｃ、ＩＴＯ電極膜５ａの順にエッチ
ング処理した後、表層面に残ったフォトレジスト膜１０
をレジスト剥離液に浸漬し除去することで配線パターン
の製造が終了する（工程ｈ）。
【００１２】図３は本発明の第２実施例による配線パタ
ーン形成方法を示したものである。ここに示される方法
は、前述の金や白金に比べて腐食し易い銀や銅等の金属
材料を金属電極被膜として用いる場合に最適なものであ
る。即ち、上述の実施例とは異なって、下側ガラス基板
１ｂの上に先ず金属電極被膜５ｃを形成し、その上にＩ
ＴＯ電極膜５ａを形成することで、金属電極被膜５ｃを
ＩＴＯ電極膜５ａで被い、金属電極被膜５ｃが外気に触
れないようにすることで腐食を防止している。
ーン形成方法を示したものである。ここに示される方法
は、前述の金や白金に比べて腐食し易い銀や銅等の金属
材料を金属電極被膜として用いる場合に最適なものであ
る。即ち、上述の実施例とは異なって、下側ガラス基板
１ｂの上に先ず金属電極被膜５ｃを形成し、その上にＩ
ＴＯ電極膜５ａを形成することで、金属電極被膜５ｃを
ＩＴＯ電極膜５ａで被い、金属電極被膜５ｃが外気に触
れないようにすることで腐食を防止している。
【００１３】本実施例に係る配線パターンは、以下の方
法によって形成される。先ずガラス基板１ｂの額縁部４
に相当する部分に銀粉入りのペーストをスクリーン印刷
して銀ペースト印刷膜８ｂを形成する（工程ａ）。これ
を焼成炉において約５００℃に加温し樹脂分９を蒸発さ
せ、銀の金属電極被膜５ｃを形成する（工程ｂ）。次に
上記金属電極被膜５ｃを含む下側ガラス基板の全表面に
蒸着法でＩＴＯ電極膜５ａを形成する（工程ｃ）。そし
て、ＩＴＯ電極膜５ａの全面にスクリーン印刷でポジ型
のフォトレジスト膜１０を形成し（工程ｄ）、液晶表示
部のコモン電極２ｂパターン（図４参照）と、駆動ＩＣ
６（図１参照）が搭載される配線パターン像の形状を不
透明に形成したポジ型のフォトマスク１４を上記フォト
レジスト膜１０の上に配置し、紫外線１２を上方より照
射する。パターン部以外のところは紫外線が透過するこ
とでフォトレジスト膜１０が分解し可溶性となるのでこ
れを除去する（工程ｅ）。このようにして形成されたガ
ラス基板をＩＴＯ用のエッチング液に浸漬し、ＩＴＯ電
極膜５ａを除去する（工程ｆ）。続いて、銀用のエッチ
ング液に浸漬し、金属電極被膜５ｃを除去する（工程
ｇ）。最後にレジスト剥離液に浸漬し、残ったフォトレ
ジスト膜１０を除去して製造工程を終了する（工程
ｈ）。
法によって形成される。先ずガラス基板１ｂの額縁部４
に相当する部分に銀粉入りのペーストをスクリーン印刷
して銀ペースト印刷膜８ｂを形成する（工程ａ）。これ
を焼成炉において約５００℃に加温し樹脂分９を蒸発さ
せ、銀の金属電極被膜５ｃを形成する（工程ｂ）。次に
上記金属電極被膜５ｃを含む下側ガラス基板の全表面に
蒸着法でＩＴＯ電極膜５ａを形成する（工程ｃ）。そし
て、ＩＴＯ電極膜５ａの全面にスクリーン印刷でポジ型
のフォトレジスト膜１０を形成し（工程ｄ）、液晶表示
部のコモン電極２ｂパターン（図４参照）と、駆動ＩＣ
６（図１参照）が搭載される配線パターン像の形状を不
透明に形成したポジ型のフォトマスク１４を上記フォト
レジスト膜１０の上に配置し、紫外線１２を上方より照
射する。パターン部以外のところは紫外線が透過するこ
とでフォトレジスト膜１０が分解し可溶性となるのでこ
れを除去する（工程ｅ）。このようにして形成されたガ
ラス基板をＩＴＯ用のエッチング液に浸漬し、ＩＴＯ電
極膜５ａを除去する（工程ｆ）。続いて、銀用のエッチ
ング液に浸漬し、金属電極被膜５ｃを除去する（工程
ｇ）。最後にレジスト剥離液に浸漬し、残ったフォトレ
ジスト膜１０を除去して製造工程を終了する（工程
ｈ）。
【００１４】この方法による配線パターンの構造は、図
３（ｈ）に示したように、ＩＴＯ電極膜５ａの上面に駆
動ＩＣ６が実装された構造となる。このときの電流抵抗
値は、ＩＴＯ電極膜５ａ自体が非常に薄いために特に大
きくなることはなく、銀で形成した金属電極被膜５ｃに
駆動ＩＣ６を直接接合した場合と同程度の抵抗値を得る
ことができる。
３（ｈ）に示したように、ＩＴＯ電極膜５ａの上面に駆
動ＩＣ６が実装された構造となる。このときの電流抵抗
値は、ＩＴＯ電極膜５ａ自体が非常に薄いために特に大
きくなることはなく、銀で形成した金属電極被膜５ｃに
駆動ＩＣ６を直接接合した場合と同程度の抵抗値を得る
ことができる。
【００１５】なお、上記いずれの実施例でもポジ型のフ
ォトレジスト膜とポジ型のフォトマスクとを使用してパ
ターン形成した場合について説明したが、本発明ではネ
ガ型のフォトレジスト膜とネガ型のフォトマスクとの組
み合わせによってもパターン形成できることは勿論であ
る。
ォトレジスト膜とポジ型のフォトマスクとを使用してパ
ターン形成した場合について説明したが、本発明ではネ
ガ型のフォトレジスト膜とネガ型のフォトマスクとの組
み合わせによってもパターン形成できることは勿論であ
る。
【００１６】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係るＣＯ
Ｇ液晶パネルの配線パターン形成方法によれば、１回の
フォトマスクによる露光で金属電極被膜及びＩＴＯ電極
膜のパターン形成を同時に行なえるため、駆動ＩＣ用配
線パターンとＩＴＯ電極用パターンとの位置ズレを防止
することができる。また、駆動ＩＣ用配線パターンを形
成する際に必要部分にのみ金属電極被膜を形成すること
で金属材料の無駄がなくなると共に、配線パターンの形
成工程が簡素化でき、製造コストの低廉化が図られる。
Ｇ液晶パネルの配線パターン形成方法によれば、１回の
フォトマスクによる露光で金属電極被膜及びＩＴＯ電極
膜のパターン形成を同時に行なえるため、駆動ＩＣ用配
線パターンとＩＴＯ電極用パターンとの位置ズレを防止
することができる。また、駆動ＩＣ用配線パターンを形
成する際に必要部分にのみ金属電極被膜を形成すること
で金属材料の無駄がなくなると共に、配線パターンの形
成工程が簡素化でき、製造コストの低廉化が図られる。
【００１７】また、本発明に係るＣＯＧ液晶パネルの配
線パターン形成方法によれば、金属電極被膜を先に形成
してからその上にＩＴＯ電極膜を被覆形成することがで
きるので、金属電極被膜を外気の影響から保護すること
ができ、結果的に金や白金等の高価な材料以外の銀や銅
といった金属材料も配線パターンとして使用することで
コストの低廉化が図られる。
線パターン形成方法によれば、金属電極被膜を先に形成
してからその上にＩＴＯ電極膜を被覆形成することがで
きるので、金属電極被膜を外気の影響から保護すること
ができ、結果的に金や白金等の高価な材料以外の銀や銅
といった金属材料も配線パターンとして使用することで
コストの低廉化が図られる。
【図１】本発明に係るＣＯＧ液晶パネルの配線パターン
の断面構造図である。
の断面構造図である。
【図２】上記配線パターン形成方法の第１実施例による
製造工程図である。
製造工程図である。
【図３】上記配線パターン形成方法の第２実施例による
製造工程図である。
製造工程図である。
【図４】ＣＯＧ液晶パネルの断面構造図である。
【図５】従来のＣＯＧ液晶パネルに形成される配線パタ
ーンの断面拡大図である。
ーンの断面拡大図である。
【図６】従来における配線パターン製造の前半部分の工
程図である。
程図である。
【図７】従来における配線パターン製造の後半部分の工
程図である。
程図である。
１ｂ ガラス基板 ５ａ ＩＴＯ電極膜 ５ｃ 金属電極被膜 ８ａ 金ペースト印刷膜 ８ｂ 銀ペースト印刷膜 １０ フォトレジスト膜 １１ フォトマスク １２ 紫外線 １４ フォトマスク
Claims (2)
- 【請求項１】 液晶表示部が形成されるガラス基板の全
面に液晶用の透明電極膜を形成し、この電極膜上の一部
にガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用の金属電極被膜
を水金法によって形成し、前記透明電極膜及び金属電極
被膜の全面にフォトレジスト膜を形成し、その上から配
線パターン像が形成されたフォトマスクを介して露光
し、金属電極被膜及び透明電極膜の順にエッチングして
不要な透明電極膜及び金属電極被膜をそれぞれ除去する
ことを特徴とする液晶パネルの配線パターン形成方法。 - 【請求項２】 液晶表示部が形成されるガラス基板の一
部にガラス基板上に実装される駆動ＩＣ用の金属電極被
膜を水金法によって形成し、この金属電極被膜を含むガ
ラス基板の全面に液晶用の透明電極膜を形成し、この透
明電極膜の全面にフォトレジスト膜を形成し、その上か
ら配線パターン像が形成されたフォトマスクを介して露
光し、透明電極膜及び金属電極被膜の順にエッチングし
て不要な透明電極膜及び金属電極被膜をそれぞれ除去す
ることを特徴とする液晶パネルの配線パターン形成方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211198A JP3371223B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 液晶パネルの配線パターン形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1211198A JP3371223B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 液晶パネルの配線パターン形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11194358A true JPH11194358A (ja) | 1999-07-21 |
| JP3371223B2 JP3371223B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=11796465
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1211198A Expired - Fee Related JP3371223B2 (ja) | 1998-01-06 | 1998-01-06 | 液晶パネルの配線パターン形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3371223B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003228054A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶シャッターパネル及び光プリンタヘッド及び液晶シャッターパネルの製造方法 |
| US7522256B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-04-21 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal lens apparatus |
| US7567337B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-07-28 | Citizen Electronics Co., Ltd | Liquid crystal lens and optical device |
-
1998
- 1998-01-06 JP JP1211198A patent/JP3371223B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003228054A (ja) * | 2002-02-05 | 2003-08-15 | Mitsubishi Electric Corp | 液晶シャッターパネル及び光プリンタヘッド及び液晶シャッターパネルの製造方法 |
| US7081929B2 (en) | 2002-02-05 | 2006-07-25 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Liquid crystal shutter panel, an optical printer head and a method for manufacturing the liquid crystal shutter panel |
| US7567337B2 (en) | 2005-03-22 | 2009-07-28 | Citizen Electronics Co., Ltd | Liquid crystal lens and optical device |
| US7522256B2 (en) | 2005-07-28 | 2009-04-21 | Citizen Electronics Co., Ltd. | Liquid crystal lens apparatus |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3371223B2 (ja) | 2003-01-27 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |