KR100623816B1 - 블랙 매트릭스 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치 - Google Patents

블랙 매트릭스 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치 Download PDF

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Abstract

본 발명에 따른 블랙 매트릭스(black matrix) 형성방법은, 기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스(source)층을 형성하는 단계와; 상기 소오스층 상에 크롬(Cr)이 함유된 합금층을 증착하는 단계와; 상기 합금층을 열처리하여 그 표면에 크롬 옥사이드(Chromium Oxide)막을 형성하는 단계; 및 상기 제 구성층을 매트릭스 형상으로 패터닝하는 단계; 를 포함하여 이루어진다.
또한, 상기 본 발명은, 기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층을 형성하는 단계와; 상기 소오스층 상에 크롬(Cr)이 함유된 합금층을 증착하는 단계와; 상기 합금층 및 소오스층을 매트릭스(matrix) 형상으로 패터닝하는 단계; 및 상기 합금층을 열처리하여 그 표면에 크롬 옥사이드(Chromium Oxide)막을 형성하는 단계; 를 포함하여 이루어질 수 있다.
이와 같은 본 발명은, 산소를 함유한 소오스층 상에 구리-크롬 합금층을 형성한 후 열처리를 실시하므로, 상기 구리-크롬 합금층의 저면으로 석출된 크롬의 산화효율이 높다. 즉, 상기 본 발명은 고품위의 크롬 옥사이드막을 형성 가능케 하며, 열처리 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킨다.

Description

블랙 매트릭스 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치{Method for making a black matrix and liquid crystal display device using this}
도 1은 일반적인 액정패널의 구성을 나타낸 도면.
도 2a 내지 도 2d는 종래의 블랙 매트릭스 형성방법을 나타낸 도면.
도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정패널의 구성을 나타낸 도면.
도 4는 도 3의 액정패널의 제 1기판을 나타낸 도면.
도 5는 도 3의 액정패널의 제 2기판을 나타낸 도면.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙 매트릭스의 구조를 나타낸 도면.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙 매트릭스 형성방법을 나타낸 도면.
<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>
110...상부기판 111...블랙 매트릭스
112...컬러필터 113...공통전극
120...하부기판 121...박막트랜지스터
122...화소전극 130...액정층
210...기판 220...크롬막
230...크롬 옥사이이드막 310...제 1기판
311...박막트랜지스터 312...화소전극
320...제 2기판 321...블랙 매트릭스
322...대향전극 323...컬러필터
330...액정층 610...기판
620...(산소)소오스층 630...구리-크롬 옥사이드 층
631, 633...크롬 옥사이드막 632...구리층
본 발명은 블랙 매트릭스(Black matrix)에 관한 것으로, 특히 표시소자의 각 화소를 둘러싸고 있는 액정표시장치용 블랙 매트릭스의 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치에 관한 것이다.
오늘날, 전자산업의 발달과 함께 TV 브라운관 등에 제한적으로 사용되었던 디스플레이 장치가 개인용 컴퓨터, 노트북 컴퓨터, 무선 단말기, 자동차 계기판, 전광판 등에 까지 확대 사용되고, 정보통신 기술의 발달과 함께 대용량의 화상정보를 전송할 수 있게 됨에 따라 이를 처리하여 구현할 수 있는 차세대 디스플레이 장치의 중요성이 커지고 있다.
차세대 디스플레이 장치는 경박단소, 고휘도, 대화면, 저전력 소모 및 저가격화를 실현할 수 있어야 하는데, 그 중 하나로 최근에 액정표시장치가 주목을 받고 있다.
도 1은 일반적인 액정패널의 구성을 개략적으로 나타낸 도면이다.
도 1을 참조하면, 상기 액정패널은, 블랙 매트릭스(111)와 이를 경계(111a-111b)로 형성된 컬러필터(112) 및 공통전극(113)이 형성된 상부기판(110), 화소영역 상에 스위칭 소자(121) 및 화소전극(122)이 형성된 하부기판(120), 그리고, 양 기판 (110)(120)사이에 충진된 액정층(130)을 포함하여 구성된다.
상기 하부기판(120)에는 스위칭 소자인 박막트랜지스터(121)가 매트릭스 형태로 형성되고, 상기 박막트랜지스터(121)의 구동을 위한 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차하여 형성된다.
상기 화소영역은 상기 게이트 배선 및 데이터 배선이 교차하여 정의되는 영역으로써, 화소전극(122)을 포함한다. 상기 화소전극(122)은 인듐-틴-옥사이드(ITO
indium-tin-oxide) 또는 인듐-징크-옥사이드(IZO; indium-zink-oxide)와 같이 빛의 투과율이 좋은 투명도전성 금속으로 형성된다.
이러한 액정패널은, 상부기판의 공통전극(113)과 하부기판의 화소전극(122) 사이에 전압을 인가하여, 양 기판(110)(120) 사이에 충진된 액정층(130)의 분자 배열상태를 변화시키고, 이에 따른 빛의 투과량을 제어함으로써 화상을 표시한다.
그러나, 상기 액정패널에는 두 전극(113)(122)에 의해 제어되지 않는 액정층 영역이 일부 존재하고, 이 곳에서 빛의 누설이 발생한다. 또한, 특정 화소에서 출사되는 빛은 주변화소에서 출사되는 빛과 혼합되어 콘트라스트가 저하된다. 따라서, 빛의 누설 및 빛의 혼합을 방지하기 위한 블랙 매트릭스(111)가 상부기판(110)에 형성된다.
상기 블랙 매트릭스(111)는 감광성 불투명 수지를 스핀코팅법으로 도포한 후 패턴하여 형성할 수 있지만, 보다 효과적인 방법은 크롬 금속막을 스퍼터링법으로 증착한 후 패턴하여 형성하는 것으로써, 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 2a 내지 도 2d는 종래의 블랙 매트릭스 형성방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 기판(210) 상에 스퍼터링법으로 크롬막(220a)을 1차 증착하고(도 2a 참조), 산소(O2) 또는 질소(N2)기체를 불어넣은 상태에서 2차 증착한다.
이때, 상기 제 2차 증착을 통해 형성되는 크롬막은 상기 기체와 반응하여 산화(oxidation)되므로, 결과적으로 상기 기판(210) 상에는 크롬막(220a)과 크롬 옥사이드막(Chromium Oxide)(230a)이 형성된다(도 2b 참조). 상기 크롬 옥사이드막
(230a)은 반사율을 저하시키는 역할을 한다.
이어, 상기 크롬 옥사이드막(230a) 상에 감광성 수지인 포토레지스트(미도시)를 코팅한 다음, 노광, 현상하여 소정의 포토레지스트 패턴(240)을 형성한다.
이어, 상기 기판(210)을 세정하고, 상기 포토레지스트 패턴(240)을 마스크로 하여 상기 크롬막(220a)과 크롬 옥사이드막(230a)에 대한 에칭(etching)을 실시하여 매트릭스 형상의 크롬막 패턴(220b)(230b) 즉, 블랙 매트릭스를 형성한다. 이때, 상기 블랙 매트릭스를 형성하는 주된 물질로 크롬을 사용하는 것은 상기 크롬이 저 반사율 특성 및 저 투과율 특성을 갖기 때문이다.
한편, 상기 에칭 공정에 사용되는 식각액(etchant)으로는 일반적으로 4% 질산용액에 약 10% 중량의 Ce(NH3)2(NO3)6 을 용해시켜 사용하고, 세정액으로는 상온의 물을 사용한다.
그러나, 잘 알려진 바와 같이, 상기 크롬 및 크롬 식각액은 유독성 물질이므로, 블랙 매트릭스를 형성하는 과정에서 다량의 크롬이 함유된 에칭액 및 세정액이 발생하게 되고, 이의 보관 및 처리에 많은 노력과 비용이 소요된다.
더욱이, 오늘날 환경문제가 각 나라의 주요 이슈(issue)로 대두되면서 각 기업도 유독성 물질인 크롬 및 크롬 식각액의 사용에 일정한 제한을 받게 되었으며, 이에 따라, 각 기업은 친환경적으로 블랙 매트릭스를 형성하기 위한 기술확보에 전력을 기울이고 있는 실정이다.
본 발명의 목적은 유독성 물질인 크롬의 사용을 최소화함으로써 환경오염을 줄이고, 상기 크롬의 산화효율을 증대함으로써 저 반사특성을 실현하는 새로운 블랙 매트릭스의 형성방법을 제시하는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 유독성 물질인 크롬의 사용이 최소화됨으로써 환경오염이 적고, 상기 크롬의 산화효율이 증대됨으로써 저 반사특성이 실현된 블랙매트릭스를 갖는 새로운 액정표시장치를 제공하는데 있다.
상기의 목적을 달성하기 위한 본 발명은, 블랙 매틀릭스 형성방법은,
기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층을 형성하는 단계와; 상기 소오스층 상에 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 증착하는 단계와; 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막을 포함하는 3층구조 금속막을 형성하는 단계; 및 상기 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막을 매트릭스(matrix) 형상으로 패터닝하는 단계; 를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 블랙 매트릭스 형성방법은,
기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층을 형성하는 단계와;
상기 소오스층 상에 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 형성하는 단계와;
상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 매트릭스(matrix) 형상으로 패터닝하는 단계; 및
상기 패터닝된 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 열처리하여, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막을 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 다른 실시예에 의한 액정표시장치는, 절연 기판과; 상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과; 상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 액정표시장치는, 절연 기판과; 상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과; 상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-질화크롬(CrNx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함한다.
본 발명의 또 다른 실시예에 의한 액정표시장치는, 절연 기판과; 상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과; 상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-질화크롬 옥사이드(CrNOx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와; 상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함한다.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.
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도 3은 본 발명의 일 실시예에 따른 액정패널의 구성을 나타낸 도면이고, 도 4는 도 3의 액정패널의 제 1기판을 나타낸 도면이며, 도 5는 도 3의 액정패널의 제 2기판을 나타낸 도면이다.
도 3, 도 4, 도 5를 참조하면, 상기 액정패널은, 스위칭 소자(311) 및 화소전극(312)이 형성된 제 1기판(310)과, 블랙 매트릭스(321) 및 대향전극(322)이 형성된 제 2기판(320) 및 양 기판(310)(320) 사이에 충진된 액정층(330)을 포함한다.
상기 제 1기판(310) 상에는 가로방향으로는 다수의 게이트 배선(Gate line)이 형성되어 있고, 세로방향으로는 상기 게이트 배선과 수직으로 교차하는 다수의 데이터 라인(Data line)이 형성되어 있으며, 상기 교차영역에 스위칭 소자(311) 및 화소전극(312)이 형성되어 화소가 정의된다. 이때, 상기 스위칭 소자(311)는 통상 박막트랜지스터로 구성되고, 상기 화소전극(312)은 통상 투명성 도전물질인 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성된다.
상기 제 2기판(320) 상에는 블랙 매트릭스(321)와 이를 경계로 하여 배치된 R, G, B 컬러필터(323)가 형성되어 있으며, 상기 제 1기판(310)의 화소전극(312)과 함께 액정층(330)을 구동하는 대향전극(322)이 형성되어 있다. 이때, 상기 컬러필터(323)는 상기 액정층(330)을 투과하여 입사된 백색광을 삼원색 광으로 분리함으로써 색상을 구현하는 역할을 하며, 상기 대향전극(322)은 상기 화소전극(312)과 마찬가지로 통상 인듐-틴-옥사이드(ITO)로 형성된다.
한편, 상기 제 2기판(320)의 블랙 매트릭스(321)는 기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층 및 크롬이 함유된 합금층을 순차로 적층하고, 이를 열처리하여 형성하는데, 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
도 6은 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙 매트릭스의 구조를 나타낸 도면이다.
도 5 및 도 6을 참조하면, 상기 블랙 매트릭스(321)는, 산소(O2)를 함유하는 소오스층(620)과; 상기 소오스층(620) 상에 매트릭스 형상으로 형성되며, 표면에 크롬 옥사이드막(631)(633)이 형성된 금속층; 을 포함하여 구성된다.
상기 소오스층(620)은 기판(610) 상에 산화규소(SiO2)를 증착하거나, 산소(O2)를 플라즈마 처리하여 형성한 층으로, 열처리시 상기 금속층(630)의 저면에 산소(O2)를 제공한다.
상기 금속층은 소오스층(620) 상에 소량의 크롬이 첨가된 구리-크롬 합금층을 증착한 후, 이를 열처리하여 형성한 층으로, 상기 열처리 과정에서 분리된 소량의 크롬은 금속층(630)의 양측표면으로 석출된 후 산화되어 크롬 옥사이드막(631)(
633)을 형성한다.
따라서, 상기 금속층은 그 중앙에 구리층(632)이 배치되고, 양측표면에 크롬 옥사이드막(631)(633)이 형성된 다층구조를 갖게 된다. 이때, 상기 크롬 옥사이드막(631)(633)의 조성은 열처리 과정에서 공급되는 기체의 종류에 따라 달라진다.
예컨대, 산소가 공급되는 분위기에서 열처리가 수행되었다면 상기 금속층은 CrOx, Cu, CrOx층 구조를 갖게 되고, 질소가 공급되는 분위기에서 수행되었다면, 상기 금속층은 CrOx, Cu, CrNx층 구조를 갖게 된다. 또한, 산소 및 질소가 공급되는 분위기에서 수행되었다면, 상기 금속층은 CrOx, Cu, CrNOx층 구조를 갖게 된다.
이와 같은 블랙 매트릭스에 있어서, 상기 크롬 옥사이드막(633)에 입사되어 반사된 빛과 상기 구리층(632)에 입사되어 반사된 빛은 서로 간섭을 일으키고, 이로 인해 상기 블랙 매트릭스로 입사된 빛은 반사되지 못하고 차단된다. 또한, 상기 금속층(630)의 양측표면에 형성된 크롬 옥사이드막(631)(633)은 블랙 매트릭스로 입사된 빛의 투과를 저해한다. 즉, 상기 블랙 매트릭스는 종래의 크롬 블랙 매트릭스처럼 저 반사율 특성 및 저 투과율 특성을 갖는다.
그러나, 상기 크롬 옥사이드막(631)(633)은 구리-크롬 합금에 함유된 크롬이 표면으로 석출된후 산화되어 형성된 박막으로, 이에 사용되는 크롬의 양은 극히 소량이다. 즉, 상기 블랙 매트릭스는 종래의 크롬 블랙 매트릭스처럼 다량의 크롬 사용에 따른 환경오염를 유발하지 않는다.
한편, 이와 같은 블랙 매트릭스를 형성하는 방법에 대해 설명하면 다음과 같다.
도 7a 내지 도 7e는 본 발명의 일 실시예에 따른 블랙 매트릭스 형성방법을 나타낸 도면이다.
먼저, 투광성이며, 절연성인 기판(610)을 준비한다. 상기 기판(610)은 바람직하게는 유리 기판이지만, 플라스틱 기판도 사용 가능하다.
이어, 준비된 기판(610) 상에 소오스층(620)을 형성한다. 상기 소오스층(620
)은 기판(610) 상에 산화규소(SiO2)를 증착하여 형성할 수 있으며, 산소(O2) 플라즈마를 발생시켜 형성할 수 있다(도 7a 참조).
이어, 상기 소오스층(620) 상에 구리-크롬 합금층(이하 '합금층')(630a)을 증착하고, 이를 매트릭스 형상으로 패터닝한다. 이를 보다 상세히 설명하면 다음과 같다.
상기 기판(610) 상에 합금층(630a)이 형성되면(도 7b 참조), 그 위에 감광성 수지인 포토레지스트(미도시)를 스핀 코팅하고, 소프트 베이크(soft bake)를 실시한 다음, 포토 마스크(photo mask)를 이용하여 노광을 실시한다. 소정시간이 지나 포토 마스크의 패턴이 상기 포토레지스트에 전사되면, 현상을 실시하고, 세정을 실시한다. 상기 현상과정에서는 포토레지스트의 노광된 부분 또는 비노광된 부분이 제거되는데(도 7c 참조), 이때, 제거되지 않고 남은 포토레지스트(640)를 마스크로 하여 상기 합금층(630a)에 대한 에칭을 실시하면 소정의 합금층 패턴(630b)이 형성된다(도 7d 참조).
한편, 상기 합금층(630a)을 에칭하기 위한 식각액(etchant)으로는 종래의 크롬 식각액 대신 독성이 거의 없는 구리 식각액이 사용된다. 이는 상기 합금층(630a)의 주된 성분이 구리이고, 소량으로 함유된 크롬은 구리 식각액에 의해서 충분히 에칭 가능하기 때문이다.
이후, 상기 기판(610)을, 바람직하게는, 약 600℃ 이하의 밀폐된 가열로에 넣고, 소정시간동안 열처리를 실시한다.
일반적으로, 구리(Cu)와 같이 확산성이 높은 물질에 크롬(Cr)과 같이 산화성이 높은 물질이 합금되면, 열처리과정에서 산화성이 높은 물질이 표면으로 석출된다. 따라서, 상기 합금층(630b)에 포함된 크롬은 양측표면으로 석출되어 박막형태의 크롬층을 형성하고, 상기 합금층(630b)의 중앙에는 구리층(632)이 형성된다.
한편, 상기 가열로 내부는 산소(O2) 또는 질소(N2), 또는 산소(O2) 및 질소기체(N2)가 공급된 상태이고, 상기 합금층(630b)은 산소(O2)를 함유한 소오스층(620) 상에 형성된 상태이다. 따라서, 상기 합금층(630b)의 표면에 석출된 크롬은 상기 기체들과 반응하여 양측 표면에 옥사이드막(631)(633)을 형성하여 구리-크롬 옥사이드 층(630)이 형성된다.
이때, 상기 합금층(630b)의 상측표면에 형성된 크롬(633)은 주위에 공급되는 산소기체(O2) 또는 질소기체(N2) 등에 의해 산화되지만, 상기 합금층(630b)의 하측표면, 즉 상기 합금층(630b)과 상기 소오스층(620)의 접촉영역에 석출된 크롬(631)은 소오스층(620)에서 제공되는 산소(O2)에 의해 산화된다. 따라서, 상기 합금층(630b)의 양측표면에 석출된 크롬(631)(633)은 용이하고, 신속하게 산화되며, 블랙 매트릭스로 기능하기에 충분한 산화도를 갖게 된다.(도 7e)
이상, 전술한 바와 같은 공정으로 본 발명에 따른 블랙 매트릭스를 형성할 수 있는데, 상기 공정에 있어서 그 순서는 이와 다를 수 있다. 예컨대, 여기서는 소오스층(620) 상에 합금층(630a)을 형성하고, 상기 합금층(630a)을 패터닝한 후 열처리를 하였지만, 먼저, 합금층(630a)에 대한 열처리를 하고, 이를 패터닝하는 방법도 가능하다.
결과적으로, 상기 공정을 통해 형성한 블랙 매트릭스는 종래와 같이 크롬 옥사이드막을 구비하므로, 저 반사율 특성 및 저 투과율 특성과 같은 크롬 블랙 매트릭스의 우수성이 그대로 유지된다. 그러나, 상기 블랙 매트릭스는 종래와 달리 극소량의 크롬과 독성이 거의 없는 구리 식각액을 사용하여 형성하므로 그 과정에서유발되는 환경오염이 적다.
이상, 전술한 실시예는 예시의 목적을 위해 개시된 것으로, 당업자라면 본 발명의 기술사상을 일탈하지 아니하는 범위에서 다양한 변경, 개량, 대체 및 부가 등의 수정이 가능함을 알 수 있을 것이다. 따라서, 본 발명의 기술적 보호범위는 첨부된 특허청구범위에 의하여 정하여야만 한다.
이상의 설명에서와 같이 본 발명에 따른 블랙 매트릭스 형성방법 및 이를 이용한 액정표시장치는 크롬을 포함하여 블랙 매트릭스를 형성하므로, 종래의 크롬 블랙 매트릭스가 갖는 우수성 즉, 저 반사율 특성 및 저 투과율 특성은 그대로 갖지만, 구리가 주성분이 되는 구리-크롬 합금층을 열처리하여 블랙 매트릭스를 형성하므로 유독성 물질인 크롬의 사용을 최소화할 수 있고, 유해성이 적은 구리 식각액을 사용할 수 있다. 즉, 상기 본 발명은 보다 친환경적인 블랙 매트릭스 제조환경을 제공한다.
또한, 상기 본 발명은 산소를 함유한 소오스층 상에 구리-크롬 합금층을 형 성한 후 열처리를 실시하므로, 상기 구리-크롬 합금층의 저면으로 석출된 크롬의 산화효율이 높다. 즉, 상기 본 발명은 고품위의 크롬 옥사이드막을 형성 가능케 하며, 열처리 시간을 단축시켜 생산성을 향상시킨다.

Claims (16)

  1. 기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층을 형성하는 단계와;
    상기 소오스층 상에 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 증착하는 단계와;
    상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층이 형성된 기판을 열처리하여, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막을 포함하는 3층구조 금속막을 형성하는 단계; 및
    상기 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막을 매트릭스(matrix) 형상으로 패터닝하는 단계; 를 포함하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  2. 기판 상에 산소(O2)가 함유된 소오스층을 형성하는 단계와;
    상기 소오스층 상에 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 형성하는 단계와;
    상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 매트릭스(matrix) 형상으로 패터닝하는 단계; 및
    상기 패터닝된 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 열처리하여, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막을 형성하는 단계를 포함하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  3. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 소오스층은 기판 상에 산화규소(SiO2)를 증착하여 형성함을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  4. 제 1항 또는 제 2항에 있어서,
    상기 소오스층은 기판 상에 산소(O2)를 플라즈마 처리하여 형성함을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  5. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 열처리하는 단계는;
    상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층 주위에 산소(O2)가 공급되는 분위기에서 수행됨을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  6. 제 1항 또는 제 2항에 있어서, 상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층을 열처리하는 단계는,
    상기 구리(Cu)-크롬(Cr) 합금층 주위에 질소(N2)가 함께 공급되는 분위기에서 수행하여 표면 크롬 옥사이드막(CrOx)에 질소가 포함된, 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-질화크롬 옥사이드(CrNOx)막을 형성하는 것을 특징으로 하는 블랙 매트릭스 형성방법.
  7. 절연 기판과;
    상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과;
    상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-크롬 옥사이드(CrOx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함하는 액정표시장치.
  8. 제 7항에 있어서,
    상기 소오스층은 산화규소(SiO2) 또는 산소(O2)를 플라즈마 처리로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  9. 절연 기판과;
    상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과;
    상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-질화크롬(CrNx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함하는 액정표시장치.
  10. 제 9항에 있어서,
    상기 소오스층은 산화규소(SiO2) 또는 산소(O2)를 플라즈마 처리로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  11. 제 9항에 있어서,
    상기 질화크롬(CrNx)막은 주위에 질소(N2)가 공급되는 분위기에서 열처리되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  12. 절연 기판과;
    상기 절연 기판 상에 산소가 함유된 소오스층과;
    상기 소오스층 상에 크롬 옥사이드(CrOx)막-구리(Cu)층-질화크롬 옥사이드(CrNOx)막이 포함된 3층구조 금속막으로 형성된 블랙매트릭스와;
    상기 블랙 매트릭스 영역에 배치된 삼원색 컬러필터층을 포함하는 액정표시장치.
  13. 제 12항에 있어서,
    상기 소오스층은 산화규소(SiO2) 또는 산소(O2)를 플라즈마 처리로 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  14. 제 12항에 있어서,
    상기 질화크롬 옥사이드(CrNOx)막은 주위에 산소(O2) 및 질소(N2)가 공급되는 분위기에서 열처리되어 형성된 것을 특징으로 하는 액정표시장치.
  15. 삭제
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