JPH11186453A - Bga type semiconductor device and mounting structural body for the device - Google Patents
Bga type semiconductor device and mounting structural body for the deviceInfo
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- JPH11186453A JPH11186453A JP9357909A JP35790997A JPH11186453A JP H11186453 A JPH11186453 A JP H11186453A JP 9357909 A JP9357909 A JP 9357909A JP 35790997 A JP35790997 A JP 35790997A JP H11186453 A JPH11186453 A JP H11186453A
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Abstract
Description
【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置および
その実装構造体に関し、特にＴＡＢ方式により半導体素
子を搭載し、ＴＡＢテープ上にはんだバンプを形成して
なるＢＧＡ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）形半導
体装置およびその実装構造体に関する。The present invention relates to a semiconductor device and a mounting structure thereof, and more particularly to a BGA (Ball Grid Array) type semiconductor device in which a semiconductor element is mounted by a TAB method and a solder bump is formed on a TAB tape. And its mounting structure.
【０００２】[0002]
【従来の技術】各種電子機器は高機能化の傾向にあり、
これに搭載する半導体装置は多ピン化の傾向にある。小
型、多ピンの半導体装置としては、パッケージの周囲に
ガルウイング状に成形した端子を配列したＱＦＰ（Ｑｕ
ａｄ Ｆｌａｔ Ｐａｃｋａｇｅ）があるが、入出力端
子数が増加すると半導体装置の外形寸法を大きくする
か、あるいは端子間隔を狭くする必要が生じる。半導体
装置の外形寸法の大型化は電子機器に対する半導体素子
の実装密度が低下することになり好ましく無い。また、
端子間隔を狭くすると、電子機器の回路基板上に半導体
装置を実装する上で従来より高度な実装技術が必要とな
り、容易に対応することは困難である。そこで、端子を
パッケージの外周に配列するのではなく、パッケージ低
面にボール状の電極端子を配列したＢＧＡ（Ｂａｌｌ
Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）が考案された。このパッケージ
は、電極端子を二次元に配列するため、同じ端子数であ
っても端子間隔が広く、回路基板上への実装が容易にな
る。特に、回路基板上への実装を目的として、導電層と
絶縁層を有するテープを使用し、低コスト、薄型化を目
的としてたＢＧＡ型半導体装置が特開平８−５１１２８
号公報において知られている。2. Description of the Related Art Various electronic devices tend to be highly functional.
Semiconductor devices mounted on such devices tend to have more pins. As a small, multi-pin semiconductor device, a QFP (Quu) in which terminals formed in a gull wing shape are arranged around a package.
There is an ad flat package, but when the number of input / output terminals increases, it is necessary to increase the external dimensions of the semiconductor device or to reduce the terminal interval. Increasing the external dimensions of a semiconductor device is not preferable because the mounting density of semiconductor elements on electronic equipment is reduced. Also,
When the terminal interval is reduced, a higher mounting technology is required to mount a semiconductor device on a circuit board of an electronic device than before, and it is difficult to easily cope with the problem. Therefore, instead of arranging the terminals on the outer periphery of the package, a BGA (Ball) in which ball-shaped electrode terminals are arranged on the lower surface of the package.
Grid Array) was devised. In this package, since the electrode terminals are two-dimensionally arranged, even if the number of terminals is the same, the terminal interval is wide, and mounting on a circuit board becomes easy. In particular, a BGA type semiconductor device using a tape having a conductive layer and an insulating layer for the purpose of mounting on a circuit board and reducing the cost and thickness is disclosed in Japanese Patent Application Laid-Open No. 8-51128.
No. 6,098,045.
【０００３】この知られたＢＧＡ型半導体装置は、テー
プ上に形成された導電層の配線に半導体素子を接続し、
さらに前記配線にはんだバンプ（はんだボール）からな
る電極を接続した構造である。In this known BGA type semiconductor device, a semiconductor element is connected to wiring of a conductive layer formed on a tape,
Further, it has a structure in which an electrode made of a solder bump (solder ball) is connected to the wiring.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】上記ＢＧＡ型半導体装
置は、はんだバンプ部の平坦性を確保するため、テープ
のはんだボール接続部の裏面に、金属あるいは樹脂等の
補強枠を貼り付け、さらに半導体素子動作時の熱を拡散
させるために、半導体素子（半導体チップ）の裏面に金
属板を熱伝導に優れた樹脂等を用いて接続し、上記補強
枠部分で固定する方法が採られている。このような従来
の構造では、ＢＧＡ型半導体装置を実装基板に実装した
り、一度実装したＢＧＡ型半導体装置を再び取りはずし
再搭載するリペア作業等において、金属板、接着剤を介
して加熱されるため、はんだパンプ（はんだボール）か
らなる電極端子部が加熱されにくく、他の表面実装部品
よりも長い時間加熱したりする必要があった。また従来
の構造では、実装基板に接続するためのはんだバンプか
らなる電極端子部を加熱するための熱が半導体素子側へ
拡散してしまい、半導体素子に熱的なダメージを及ぼす
可能性が大きかった。In the above-mentioned BGA type semiconductor device, a reinforcing frame made of metal or resin is attached to the back surface of the solder ball connecting portion of the tape in order to secure the flatness of the solder bump portion. In order to diffuse heat during element operation, a method is adopted in which a metal plate is connected to the back surface of a semiconductor element (semiconductor chip) using a resin or the like having excellent heat conduction and fixed at the reinforcing frame portion. In such a conventional structure, the BGA-type semiconductor device is heated via a metal plate and an adhesive in a repairing operation of mounting the BGA-type semiconductor device on a mounting board or removing and re-mounting the once mounted BGA-type semiconductor device. In addition, the electrode terminal portion made of a solder pump (solder ball) is not easily heated, and it has been necessary to heat it for a longer time than other surface-mounted components. Further, in the conventional structure, the heat for heating the electrode terminal portion composed of the solder bump for connecting to the mounting substrate is diffused to the semiconductor element side, and there is a high possibility that the semiconductor element is thermally damaged. .
【０００５】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
実装基板への実装やリペア作業を容易に行うことができ
るようにしたＢＧＡ型半導体装置およびその実装構造体
を提供することにある。また、本発明の他の目的は、パ
ッケージ内に気体を残らないようにして、実装基板への
実装時での剥離やクラックの発生を防止して信頼性を向
上させると共に半導体素子からの放熱性を向上させたＢ
ＧＡ型半導体装置およびその実装構造体を提供すること
にある。[0005] An object of the present invention is to solve the above problems.
An object of the present invention is to provide a BGA type semiconductor device and a mounting structure thereof, which can be easily mounted on a mounting substrate and repaired. Another object of the present invention is to prevent gas from remaining in a package, prevent peeling and cracking during mounting on a mounting board, improve reliability, and improve heat dissipation from a semiconductor element. B improved
An object of the present invention is to provide a GA type semiconductor device and a mounting structure thereof.
【０００６】[0006]
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、表面に配線パターンを形成し、中央部を
開口させた可撓性基板と、該可撓性基板の開口に配置さ
れ、前記配線パターンと接続された電極を表面に有する
半導体素子と、該半導体素子の表面および前記配線パタ
ーンにおける前記電極への接続部を封止した樹脂と、前
記半導体素子の裏面と前記可撓性基板の裏面との高低差
に対応させて段差が付与され、各裏面との間で接着剤に
よって接着される中央の高い板状部と周辺の低い板状部
とを有し、該中央の高い板状部と周辺の低い板状部とを
つなげる段差部分または該段差部分の近傍に開口を形成
した金属製の板状体とを備えたことを特徴とするＢＧＡ
型半導体装置である。また、本発明は、前記ＢＧＡ型半
導体装置において、半導体素子の電極と可撓性基板の配
線パターンとの接続を、ボンディング接続して構成した
ことを特徴とする。また、本発明は、前記ＢＧＡ型半導
体装置において、金属製の板状体における周辺の低い板
状部を可撓性基板の裏面に接着剤によって接着する部分
の長さが、可撓性基板の表面の配線上に並設して形成す
る電極端子群の範囲内であることを特徴とする。In order to achieve the above object, the present invention provides a flexible substrate having a wiring pattern formed on a surface thereof and having an opening at a central portion, and a flexible substrate disposed in the opening of the flexible substrate. A semiconductor element having an electrode connected to the wiring pattern on a front surface thereof; a resin sealing a surface of the semiconductor element and a connection portion to the electrode in the wiring pattern; A step is provided corresponding to the height difference with the back surface of the conductive substrate, and has a central high plate-shaped portion and a peripheral low plate-shaped portion bonded by an adhesive between each back surface, A BGA comprising: a step portion connecting a high plate portion and a peripheral low plate portion; or a metal plate having an opening formed in the vicinity of the step portion.
Semiconductor device. Further, the present invention is characterized in that, in the BGA type semiconductor device, the connection between the electrode of the semiconductor element and the wiring pattern of the flexible substrate is formed by bonding connection. Further, according to the present invention, in the BGA type semiconductor device, the length of a portion where a peripheral low plate-shaped portion of the metal plate is adhered to the back surface of the flexible substrate with an adhesive may be reduced. It is within the range of an electrode terminal group formed side by side on the wiring on the surface.
【０００７】また、本発明は、表面に配線パターンを形
成し、中央部を開口させた可撓性基板と、該可撓性基板
の開口に配置され、前記配線パターンと接続された電極
を表面に有する半導体素子と、該半導体素子の表面およ
び前記配線パターンにおける前記電極への接続部を封止
した樹脂と、前記可撓性基板の裏面に接着剤で接着され
た枠状の金属板と、該枠状の金属板と前記半導体素子の
裏面との各々に対応する部分において接着剤によって接
着され、半導体素子の裏面に接着される部分の周辺部分
に開口を形成した金属製の板状体とを備えたことを特徴
とするＢＧＡ型半導体装置である。また、本発明は、前
記ＢＧＡ型半導体装置において、金属製の板状体におけ
る開口を、枠状の金属板の一部分が露出するように形成
したことを特徴とする。Further, the present invention provides a flexible substrate having a wiring pattern formed on the surface and having an opening at the center, and an electrode disposed in the opening of the flexible substrate and connected to the wiring pattern. A semiconductor element having, a resin sealing a surface of the semiconductor element and a connection portion to the electrode in the wiring pattern, a frame-shaped metal plate adhered to the back surface of the flexible substrate with an adhesive, A metal plate-shaped body which is bonded by an adhesive at a portion corresponding to each of the frame-shaped metal plate and the back surface of the semiconductor element and has an opening formed in a peripheral portion of a portion bonded to the back surface of the semiconductor element; A BGA-type semiconductor device comprising: Further, the present invention is characterized in that in the BGA type semiconductor device, the opening in the metal plate is formed such that a part of the frame-shaped metal plate is exposed.
【０００８】また、本発明は、前記ＢＧＡ型半導体装置
において、枠状の金属板を可撓性基板の裏面に接着剤に
よって接着する部分の長さが、可撓性基板の表面の配線
上に並設して形成する電極端子群の範囲内であることを
特徴とする。また、本発明は、前記ＢＧＡ型半導体装置
において、可撓性基板の配線上にはんだバンプからなる
電極端子を形成したことを特徴とする。また、本発明
は、前記ＢＧＡ型半導体装置を、電極端子を接合させて
実装基板に実装したことを特徴とするＢＧＡ型半導体装
置の実装構造体である。Further, according to the present invention, in the above-mentioned BGA type semiconductor device, the length of the portion where the frame-shaped metal plate is bonded to the back surface of the flexible substrate by an adhesive is set on the wiring on the surface of the flexible substrate. It is within the range of electrode terminal groups formed side by side. Further, the present invention is characterized in that, in the BGA type semiconductor device, an electrode terminal formed of a solder bump is formed on a wiring of a flexible substrate. Further, the present invention is a mounting structure of a BGA type semiconductor device, wherein the BGA type semiconductor device is mounted on a mounting substrate by bonding electrode terminals.
【０００９】以上説明したように、前記構成により、金
属製の板状体に開口を形成することにより、はんだバン
プからなる電極端子部を加熱するための前記開口の周辺
部から中央部（半導体素子側）への熱の拡散を大幅に低
減して上記電極端子部を効率良く加熱することができ、
その結果、実装基板への実装やリペア作業を容易に行う
ことができる。また、前記構成により、パッケージ内
（封止用の樹脂の裏側の空間）の気体が金属製の板状体
に形成された開口から逃がすことができ、その結果、実
装基板への実装時での剥離やクラックの発生を防止して
信頼性を向上させると共に金属製の板状体によって半導
体素子からの放熱性を向上させることができる。また、
前記構成により、はんだバンプからなる電極端子群の平
坦性を確保するために可撓性基板の裏面に接着される周
辺の低い板状部と半導体素子の裏面に接着される中央の
高い板状部とを有し、該中央の高い板状部と周辺の低い
板状部とをつなげる段差部分または該段差部分の近傍に
開口を形成した金属製の板状体をプレス成形によって容
易に製造することができ、部品数の削減と半導体装置と
して軽量化を図ることができる。As described above, by forming an opening in a metal plate-like body with the above-described structure, a portion from a peripheral portion to a central portion (semiconductor element) for heating an electrode terminal portion made of a solder bump is formed. Side), the diffusion of heat to the side can be greatly reduced, and the electrode terminal can be efficiently heated.
As a result, mounting on the mounting board and repair work can be easily performed. In addition, with the above configuration, gas in the package (the space on the back side of the sealing resin) can escape from the opening formed in the metal plate-like body, and as a result, when mounting on the mounting board, The reliability can be improved by preventing the occurrence of peeling and cracks, and the heat dissipation from the semiconductor element can be improved by the metal plate. Also,
With the above configuration, a low peripheral plate portion adhered to the back surface of the flexible substrate and a high central plate portion adhered to the back surface of the semiconductor element in order to ensure the flatness of the electrode terminal group composed of solder bumps A step portion connecting the high plate portion at the center and the low plate portion at the periphery or a metal plate having an opening formed in the vicinity of the step is easily manufactured by press molding. Thus, the number of parts can be reduced and the weight of the semiconductor device can be reduced.
【００１０】[0010]
【発明の実施の形態】本発明に係る多ピン用途のＢＧＡ
（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ）型半導体装置およ
びその実装構造体の実施の形態について、図を用いて詳
細に説明する。BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION A BGA for multi-pin use according to the present invention
An embodiment of a (Ball Grid Array) type semiconductor device and a mounting structure thereof will be described in detail with reference to the drawings.
【００１１】なお、実施の形態を説明するための全図に
おいて、同一の機能を有するものは同一符号を付け、そ
の繰り返しの説明は省略する。図１は、本発明に係るＢ
ＧＡ型半導体装置の一実施の形態を示す上面斜視図であ
る。図２は、図１のＡ−Ａ断面概略図である。可撓性基
板２は、半導体素子（半導体チップ）６を中央に設置で
きるように開口２ｂが穿設されたポリイミドやエポキシ
／ガラスクロスからなるフィルム２ａと、該フィルム２
ａの表面（電極端子形成面）上に形成された配線パター
ン１０とによって形成される。該配線パターン１０は、
半導体素子６に形成された電極９とテープオートメイテ
ッドボンディング法によりボンディング接続される配線
接続部（インナーリード部）１０ａと、該配線接続部
（インナーリード部）１０ａと配線接続されるパッド１
０ｂとを有し、該パッド１０ｂ以外は樹脂２ｂによって
被覆されて保護される。そして、可撓性基板２の配線接
続部（インナーリード部）１０ａが半導体素子６の電極
９とボンディング接続された後、半導体素子６の表面
（電極９が形成された回路面）、および配線接続部１０
ａが封止用樹脂８によって被覆されて保護される。また
各パッド１０ｂには、実装基板（図示せず）に接合実装
するための接合用のはんだからなる電極端子３が供給さ
れて接合される。In all the drawings for describing the embodiments, those having the same functions are denoted by the same reference numerals, and their repeated description will be omitted. FIG. 1 shows B according to the present invention.
1 is a top perspective view showing an embodiment of a GA semiconductor device. FIG. 2 is a schematic cross-sectional view taken along line AA of FIG. The flexible substrate 2 includes a film 2a made of polyimide or epoxy / glass cloth having an opening 2b formed therein so that a semiconductor element (semiconductor chip) 6 can be installed at the center;
The wiring pattern 10 is formed on the surface (a surface on which the electrode terminals are formed) a. The wiring pattern 10
A wiring connection portion (inner lead portion) 10a that is bonded and connected to the electrode 9 formed on the semiconductor element 6 by a tape automated bonding method, and a pad 1 that is wiring-connected to the wiring connection portion (inner lead portion) 10a.
0b, and the portions other than the pad 10b are covered and protected by the resin 2b. Then, after the wiring connection portion (inner lead portion) 10a of the flexible substrate 2 is bonded and connected to the electrode 9 of the semiconductor element 6, the surface of the semiconductor element 6 (the circuit surface on which the electrode 9 is formed) and the wiring connection Part 10
a is covered with the sealing resin 8 and protected. Further, to each pad 10b, an electrode terminal 3 made of solder for joining for joining and mounting on a mounting board (not shown) is supplied and joined.
【００１２】金属製の板状体１は、複数の開口を並設し
て形成した開口部４を穿設した金属製の板材に対して、
半導体素子６の裏面（回路面と反対側の面）と可撓性基
板２の裏面（パッド面と反対側の面）との高低差に対応
する段差を付与するように曲げ成形を施すと共に外周を
切り落とすことによって製造される。即ち、半導体素子
６への接着部と可撓性基板２への接着部との間にの段差
部またはこの段差部の近傍に、気体を逃がすと共に周辺
部から中央部への熱の拡散を低減させるための開口部４
が穿設され、且つ半導体素子６の裏面と可撓性基板２の
裏面との高低差に対応する段差が付与された金属製の板
状体１は、プレス成形によって容易に製造することがで
きる。空気や水蒸気等の気体を逃がすと共に周辺部から
中央部への熱の拡散を低減させるための開口部４は、上
記段差部またはその近傍に設ければ良い。即ち、金属製
の板状体１は、半導体素子６に対応する中央の高い板状
部１ａと、該中央の高い板状部１ａの周囲に位置する可
撓性基板２に対応する周辺の低い板状部１ｂと、上記大
きな開口部４を形成すべく上記中央の高い板状部１ａと
周辺の低い板状部１ｂとの間をつなげるリブ状部材１ｃ
とによって形成される。なお、中央の高い板状部１ａ
は、半導体素子６で発生した熱を放熱する部分である。
また周囲に位置する周辺の低い板状部１ｂは、電極端子
３の平坦性を確保するためのものである。このように金
属製の板状体１に段差を付与することによって、上記の
２つの役目を実現でき、しかも２つの役目をするものと
して軽量化を実現することができ、その結果ＢＧＡ型半
導体装置としても軽量化を実現することができる。The metal plate-like body 1 is provided with respect to a metal plate having an opening 4 formed by juxtaposing a plurality of openings.
Bending is performed so as to provide a step corresponding to the height difference between the back surface of the semiconductor element 6 (the surface opposite to the circuit surface) and the back surface of the flexible substrate 2 (the surface opposite to the pad surface), and the outer periphery is formed. It is manufactured by cutting off. That is, a gas is allowed to escape to a step portion between or adjacent to the bonding portion to the semiconductor element 6 and the bonding portion to the flexible substrate 2 and diffusion of heat from the peripheral portion to the central portion is reduced. Opening 4 to make
Can be easily manufactured by press molding. In this case, the metal plate 1 provided with a step and provided with a step corresponding to a height difference between the back surface of the semiconductor element 6 and the back surface of the flexible substrate 2 is provided. . The opening 4 for letting out gas such as air or water vapor and reducing the diffusion of heat from the peripheral portion to the central portion may be provided in the step portion or in the vicinity thereof. That is, the metal plate 1 has a central high plate portion 1a corresponding to the semiconductor element 6 and a low peripheral portion corresponding to the flexible substrate 2 located around the central high plate portion 1a. A plate-like portion 1b and a rib-like member 1c connecting between the central high plate-like portion 1a and the peripheral low plate-like portion 1b to form the large opening 4;
And formed by In addition, the central high plate-like portion 1a
Is a portion for radiating heat generated in the semiconductor element 6.
Further, the peripheral low plate-like portion 1b located therearound is for ensuring the flatness of the electrode terminal 3. By providing a step to the metal plate-like body 1 in this manner, the above two functions can be realized, and furthermore, the weight can be realized as the two functions, and as a result, the BGA type semiconductor device can be realized. As a result, a reduction in weight can be realized.
【００１３】このように形成された金属製の板状体１
は、可撓性基板２へ接着剤５により接着固定され、半導
体素子６へ熱伝導性の優れた接着剤または上記接着剤５
と同一組成からなる接着剤７で接着固定される。上記金
属製の板状体１の材料としては、銅、アルミニウム、ス
テンレス（ＳＵＳ）等が利用可能である。しかし、半導
体素子６を動作させることにより発生する熱を効率良く
拡散して放射しなければならないと共に、全体のＢＧＡ
型半導体装置を実装基板（図示せず）に搭載して実装し
た際、実装基板とＢＧＡ型半導体装置との間の熱膨張係
数の差によって電極端子３の部分に発生する応力を低減
させなければならないことから、金属製の板状体１の材
料としては、熱伝導率が高く、且つ熱膨張係数が実装基
板に近い銅材または銅を多く含む合金材を使用するほう
が望ましい。金属製の板状体１と可撓性基板２との間は
接着剤５で固定され、金属製の板状体１と半導体素子６
との間は接着剤７で固定される。接着剤５および７はそ
れぞれ同一のものでも異なるものでも良い。接着剤５と
しては、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン樹
脂等を単独あるいは他の樹脂等で変性し弾性率を下げた
ものを用いることができる。接着剤７には、接着剤５と
同様なもの、あるいはこれらに、銀、アルミナ、窒化ホ
ウ素、二酸化チタン、カーボンやその他の金属の粉末等
を配合し、熱伝導率を向上させたものを用いることがで
きる。金属製の板状体１における可撓性基板２に接着剤
５で接着される部分１ｂは、可撓性基板２に搭載される
接合用のはんだからなる電極端子３の平坦性を確保する
ためのものであることからして、予め接着剤５としては
シート状に加工したものを用いる方が望ましい。接着剤
７は、シート状のものでも、あるいは液状のものをディ
スペンサ等で供給して用いても良い。The metal plate 1 thus formed
Is bonded and fixed to the flexible substrate 2 with the adhesive 5 and is attached to the semiconductor element 6 with an excellent heat conductivity or the adhesive 5.
And is fixed with an adhesive 7 having the same composition as the above. Copper, aluminum, stainless steel (SUS), or the like can be used as the material of the metal plate 1. However, the heat generated by operating the semiconductor element 6 must be efficiently diffused and radiated, and the entire BGA
When the semiconductor device is mounted on a mounting board (not shown) and mounted, the stress generated in the electrode terminal 3 due to the difference in the coefficient of thermal expansion between the mounting board and the BGA semiconductor device must be reduced. Therefore, it is preferable to use a copper material or a copper-rich alloy material having a high thermal conductivity and a thermal expansion coefficient close to that of the mounting substrate as a material of the metal plate-like body 1. The metal plate 1 and the flexible substrate 2 are fixed with an adhesive 5, and the metal plate 1 and the semiconductor element 6 are fixed.
Is fixed with an adhesive 7. The adhesives 5 and 7 may be the same or different. As the adhesive 5, an epoxy resin, a phenol resin, a silicone resin, or the like, which is used alone or modified with another resin or the like, and whose elastic modulus is reduced, can be used. As the adhesive 7, a material similar to the adhesive 5, or a material obtained by adding silver, alumina, boron nitride, titanium dioxide, powder of carbon or other metal, and the like to these materials to improve the thermal conductivity is used. be able to. A portion 1b of the metal plate 1 bonded to the flexible substrate 2 with the adhesive 5 is used to secure the flatness of the electrode terminals 3 made of solder for bonding mounted on the flexible substrate 2. Therefore, it is preferable to use the adhesive 5 previously processed into a sheet shape. The adhesive 7 may be in the form of a sheet or in the form of a liquid supplied by a dispenser or the like.
【００１４】図３（ａ）は、金属製の板状体１における
周辺の低い板状部１ｂの長さを電極端子３が形成されて
いる領域の長さよりも大幅に短くし、接着剤５によって
可撓性基板２を接着する接着長さもほぼ周辺の低い板状
部１ｂの長さにした実施例を示す。なお、中央の高い板
状部１ａの長さを長くして形成しているので、開口部４
を段差部に近い中央の高い板状部１ａの周囲に形成し
た。図３（ｂ）は、金属製の板状体１における周辺の低
い板状部１ｂの長さを電極端子３が形成されている領域
の長さとほぼ同じにし、接着剤５によって可撓性基板２
を接着する接着長さもほぼ周辺の低い板状部１ｂの長さ
にした実施例を示す。図３（ｃ）は、金属製の板状体１
における周辺の低い板状部１ｂの長さを電極端子３が形
成されている領域の長さよりも大幅に長くし、接着剤５
によって可撓性基板２を接着する接着長さもほぼ周辺の
低い板状部１ｂの長さにした実施例を示す。周辺の低い
板状部１ｂの役目は、電極端子３の平坦性を確保するた
めのものであるため、図３（ａ）よりも図３（ｂ）に示
す方が長いので好ましい。ところで、金属製の板状体１
の周辺の低い板状部１ｂが接着剤５によって可撓性基板
２を接着する長さは、図３（ａ）、および（ｂ）に示す
ように最外周から電極端子が設けられている範囲までと
し、図３（ｃ）に示すように電極端子３が形成されてい
ない内側部分まで伸ばす必要は無い。仮りに、図３
（ｃ）に示すように接着剤５によって接着する長さを電
極端子３が形成されていない内周まで伸ばすと、可撓性
基板２が金属製の板状体１に拘束される面積が増大する
ことになり、その結果金属製の板状体１と実装基板の熱
膨張係数の差の影響が大きくなり、温度サイクル試験に
おける電極端子３の接続寿命が低下することになる。ま
た、仮りに、図３（ｃ）に示すように、金属製の板状体
１における周辺の低い板状部１ｂの長さを長くすること
により、逆に中央の高い板状部１ａの長さが短くなり、
その結果半導体素子６の裏面に接着される金属部分（中
央の高い板状部）１ａの面積が減少し、リブ１ｃを通し
て周囲の周辺の低い板状部１ｂに伝導される熱量が少な
いことから、金属製の板状体１による十分な放熱の効果
が得られないことになる。特に以下に示すリペア作業を
考慮した場合、図３（ｂ）に示すように、可撓性基板２
と金属製の板状体１との接着は、電極端子３が設けられ
ている範囲の程度とする方が望ましい。FIG. 3A shows that the length of the peripheral low plate-like portion 1b of the metal plate-like body 1 is significantly shorter than the length of the region where the electrode terminals 3 are formed. In this embodiment, the bonding length of the flexible substrate 2 is also reduced to the length of the lower plate-like portion 1b around the periphery. Since the central high plate-like portion 1a is formed with a long length, the opening 4
Was formed around the high plate-like portion 1a at the center near the step portion. FIG. 3 (b) shows a case where the length of the peripheral low plate portion 1 b of the metal plate 1 is made substantially the same as the length of the region where the electrode terminals 3 are formed, and 2
An example is shown in which the bonding length for bonding is also set to the length of the lower plate-like portion 1b substantially at the periphery. FIG. 3 (c) shows a metal plate 1
And the length of the lower plate-like portion 1b around is significantly longer than the length of the region where the electrode terminals 3 are formed.
In this embodiment, the bonding length of the flexible substrate 2 is also reduced to the length of the lower plate-like portion 1b around the periphery. Since the role of the lower peripheral plate-shaped portion 1b is to ensure the flatness of the electrode terminal 3, the portion shown in FIG. 3B is longer than that shown in FIG. By the way, the metal plate 1
3 (a) and 3 (b), the length in which the electrode terminals are provided from the outermost periphery as shown in FIGS. 3 (a) and 3 (b). It is not necessary to extend to the inner part where the electrode terminal 3 is not formed as shown in FIG. Figure 3
As shown in (c), when the length of the adhesive 5 is extended to the inner circumference where the electrode terminals 3 are not formed, the area where the flexible substrate 2 is restrained by the metal plate 1 increases. As a result, the influence of the difference in the thermal expansion coefficient between the metal plate 1 and the mounting board increases, and the connection life of the electrode terminals 3 in the temperature cycle test decreases. Also, as shown in FIG. 3 (c), if the length of the peripheral low plate-like portion 1b of the metal plate-like body 1 is increased, the length of the central high plate-like portion 1a is reversed. Becomes shorter,
As a result, the area of the metal portion (high central plate portion) 1a bonded to the back surface of the semiconductor element 6 is reduced, and the amount of heat conducted to the lower peripheral plate portion 1b through the rib 1c is small. A sufficient heat radiation effect by the metal plate 1 cannot be obtained. In particular, when the following repair work is considered, as shown in FIG.
It is desirable that the bonding between the metal plate 1 and the metal plate 1 be within a range where the electrode terminals 3 are provided.
【００１５】本発明において、金属製の板状体１に開口
部４を設けた理由は、ＢＧＡ型パッケージ内の空気を外
部に逃がすことができるようにし、しかも実装基板に実
装する際およびリペア作業の際、はんだバンプからなる
電極端子部を加熱すべく周辺の低い板状部１ｂを加熱し
た熱が中央の高い板状部１ａに拡散するのを低減して半
導体素子６への熱的影響をなくすためである。従って、
金属製の板状体１、半導体素子６、可撓性基板２、およ
び樹脂封止部８で囲まれたパッケージ内の空気等の気体
は、開口部４を通して外部に逃げる（移動する）ことが
可能であるため、該ＢＧＡ型パッケージ（半導体装置）
の組立工程において上記空気等の気体が膨張することも
なく、封止樹脂部８のクラックの発生や金属製の板状体
１と可撓性基板２の接着部の剥離の発生を防止すること
が可能となる。In the present invention, the reason why the opening 4 is provided in the metal plate 1 is to allow the air in the BGA type package to escape to the outside, and furthermore, when mounting on a mounting board and repair work. In this case, the heat generated by heating the lower peripheral plate-shaped portion 1b to heat the electrode terminal portion formed of the solder bump is reduced from diffusing to the central higher plate-shaped portion 1a, thereby reducing the thermal effect on the semiconductor element 6. To get rid of it. Therefore,
Gases such as air in a package surrounded by the metal plate 1, the semiconductor element 6, the flexible substrate 2, and the resin sealing portion 8 can escape (move) to the outside through the opening 4. Because it is possible, the BGA type package (semiconductor device)
In the assembling step, the gas such as the air does not expand, and the occurrence of cracks in the sealing resin portion 8 and the occurrence of peeling of the bonded portion between the metal plate 1 and the flexible substrate 2 are prevented. Becomes possible.
【００１６】また、ＢＧＡ型パッケージ（半導体装置）
を保管した時に吸湿した水分が、該ＢＧＡ型パッケージ
を実装基板に実装する際蒸発膨張したとしても、パッケ
ージ内から開口部４を通して逃げることが可能であるた
め、封止樹脂部８のクラックの発生や金属製の板状体１
と可撓性基板２の接着部の剥離の発生を防止することが
可能となる。さらに、ＢＧＡ型パッケージを実装基板に
実装搭載した後、該パッケージを取り外し、再度パッケ
ージを搭載するリペア工程においても、電極端子３上の
金属製の板状体１における周辺の低い板状部１ｂを加熱
することにより、熱の拡散を大幅に低減して周辺の低い
板状部１ｂの下部の電極端子３が効率良く加熱、溶融
し、リペアが行い易い。ＢＧＡ型パッケージを実装基板
へ実装する際も、電極端子３を効率良く加熱して接合す
ることが可能となる。Also, a BGA type package (semiconductor device)
Even if the moisture absorbed during storage of the BGA package evaporates and expands when the BGA type package is mounted on the mounting board, it is possible to escape from the package through the opening 4, thereby generating cracks in the sealing resin portion 8. And metal plate 1
It is possible to prevent the peeling of the bonding portion between the flexible substrate 2 and the flexible substrate 2. Further, after the BGA type package is mounted on the mounting board, the package is removed, and in the repairing step of mounting the package again, the peripheral low plate-like portion 1b of the metal plate-like body 1 on the electrode terminals 3 is also removed. By heating, the diffusion of heat is significantly reduced, and the lower electrode terminals 3 of the lower plate-like portion 1b are efficiently heated and melted, and repair is easy to be performed. When the BGA type package is mounted on the mounting board, the electrode terminals 3 can be efficiently heated and joined.
【００１７】図４は、ＢＧＡ型パッケージ（半導体装
置）の組立工程を簡単に示したものである。予めメッ
キ、あるいはワイヤボンディングによりバンプ９が形成
された半導体素子（半導体チップ）６を可撓性基板２上
に形成された配線１０に、加熱あるいは超音波を与えな
がら加熱して接続させる（図４（ａ））。次に、半導体
素子６の回路面および上記バンプ６ａ／配線接続部１０
ａを樹脂８で封止する（図４（ｂ））。封止樹脂８は、
液状の樹脂を用いるのが一般的であるが、必要に応じて
固形の樹脂を加熱溶融させ、プランジャ等で樹脂を金型
内に流動させ樹脂封止する、いわゆるトランスファ成形
方式を用いることも可能である。その後、必要に応じて
封止樹脂８の硬化を完全なものとするため、加熱炉等で
加熱する。次に、予め接着剤５および接着剤７を塗布あ
るいは貼り付けた段差を設けた金属製の板状体１を半導
体素子６の裏面および可撓性基板２の裏面に貼り付ける
（図４（ｃ））。その後、これら接着剤５、７の硬化を
行うための加熱を行う。最後に、実装基板（図示せず）
と接続するための電極端子３を、はんだボール等を用い
て形成し、不要部分があれば切断除去して目的とするＢ
ＧＡ型半導体装置が得られる（図４（ｄ））。FIG. 4 is a schematic view showing a process of assembling a BGA type package (semiconductor device). A semiconductor element (semiconductor chip) 6 on which bumps 9 are formed in advance by plating or wire bonding is connected to wiring 10 formed on flexible substrate 2 by heating or applying ultrasonic waves (FIG. 4). (A)). Next, the circuit surface of the semiconductor element 6 and the bump 6a / wiring connection portion 10
a is sealed with a resin 8 (FIG. 4B). The sealing resin 8
It is common to use liquid resin, but it is also possible to use the so-called transfer molding method, in which the solid resin is heated and melted as necessary, and the resin is flowed into a mold with a plunger or the like to seal the resin. It is. Thereafter, if necessary, the sealing resin 8 is heated in a heating furnace or the like in order to complete the curing. Next, a metal plate 1 provided with a step to which an adhesive 5 and an adhesive 7 are applied or affixed in advance is attached to the back surface of the semiconductor element 6 and the back surface of the flexible substrate 2 (FIG. 4 (c)). )). Thereafter, heating for curing the adhesives 5 and 7 is performed. Finally, the mounting board (not shown)
The electrode terminal 3 for connection to the target B is formed by using a solder ball or the like, and if there is an unnecessary portion, it is cut and removed.
A GA type semiconductor device is obtained (FIG. 4D).
【００１８】前記金属製の板状体１の段差部に形成した
開口部４は、図５に示すＬ1およびｌ1〜ｌnの関係が次
に示す（数１）式の範囲にあることが望ましい。 Ｌ1／２≧Σｌn≧Ｌ1／５ （数１） ｌnの総和がＬ1の約５０％より大きいと、半導体素子６
で発生した熱を中央の高い板状部１ａは基より段差の接
続部（リブ）１ｃを通して周辺の低い板状部１ｂへと拡
散しやすい利点がある半面、リペア工程等で電極端子３
の上面の金属製の板状体１ｂを加熱した場合、加えた熱
が段差の接続部（リブ）１ｃを通して中央の高い板状部
１ａへと拡散してしまい、電極端子３が溶融しにくく、
半導体装置の脱着が困難になる。一方、ｌnの総和がＬ1
の約２０％より小さいと金属製の板状体１における周辺
の低い板状部１ｂに対する段差部分（リブ）１ｃによる
中央の高い板状部１ａの固定が不安定となり半導体素子
６を接着している中央の高い板状部１ａの部分が変形し
たりする可能性がある。The openings 4 formed on the stepped portion of the metal plate member 1, in the range relation of the following equation (1) of L 1 and l 1 to l n shown in FIG. 5 Is desirable. L 1/2 ≧ Σl n ≧ L 1/5 ( number 1) and the sum of l n is greater than about 50% of L 1, the semiconductor element 6
The heat generated in the step (1) has the advantage that the central high plate-like portion 1a is easily diffused to the lower peripheral plate-like portion 1b through the connecting portion (rib) 1c of the step than the base, but the electrode terminals 3 in the repair process or the like.
When the metal plate-shaped body 1b on the upper surface is heated, the applied heat diffuses to the central plate-shaped portion 1a through the connection portion (rib) 1c of the step, and the electrode terminal 3 is hardly melted.
Desorption of the semiconductor device becomes difficult. On the other hand, the sum of l n is L 1
If it is less than about 20%, the fixing of the high plate portion 1a at the center by the step portion (rib) 1c to the low plate portion 1b around the metal plate 1 becomes unstable, and the semiconductor element 6 is bonded. There is a possibility that the portion of the high plate-shaped portion 1a at the center is deformed.
【００１９】図６は、本発明に係るＢＧＡ型半導体装置
に放熱用のフィン１２を接続した実施例を示した断面図
である。金属製の板状体１に設けた段差を吸収するため
に、スペーサ補強枠１１を周辺の低い板状部１ｂと放熱
フィン１２の間に設け、金属製の板状体１と放熱フィン
１２との間に熱伝導に優れたシートあるいはグリース等
を介在させることにより、放熱フィン１２と半導体装置
との熱伝導を図って半導体素子６で発生する熱を効率良
く放熱することが可能となる。図７は、本発明に係るＢ
ＧＡ型半導体装置の第２の実施の形態を示す斜視図であ
る。図７において、本発明に係る半導体装置を搭載する
実装基板（配線基板）と接続するための電極端子３の平
坦化を図るための枠状の金属板１３が可撓性基板２の裏
面に接着剤５によって接着され、更に金属製の板状体１
４の周辺部を上記枠状の金属板１３の裏面に接着剤７に
より接着されると共に金属製の板状体１４の中央部を半
導体素子６の裏面に接着剤７により接着される。さら
に、放熱用の金属製の板状体１４には、半導体素子６か
らの熱の拡散を妨げず、かつ前記平坦化を図るための枠
状の金属板１３が露出するように半導体素子６の周囲に
複数の開口を並設することによって形成された開口部１
５が設けられている。図７に示すように、金属製の板状
体１４において、少なくとも角部に中央部と周辺部とを
つなげる部分が残されて複数の開口が並設されている。
この開口部１５における開口は、枠状の金属板１３を直
接加熱することができ、しかもパッケージ内の気体を外
部に逃がすことができるように形成した。FIG. 6 is a sectional view showing an embodiment in which fins 12 for heat dissipation are connected to the BGA type semiconductor device according to the present invention. In order to absorb a step provided on the metal plate 1, a spacer reinforcing frame 11 is provided between the peripheral low plate 1 b and the radiation fin 12, and the metal plate 1 and the radiation fin 12 are By interposing a sheet or grease excellent in heat conduction between the heat dissipation fins 12 and the semiconductor device, heat generated in the semiconductor element 6 can be efficiently radiated. FIG. 7 shows B according to the present invention.
It is a perspective view showing a 2nd embodiment of a GA type semiconductor device. In FIG. 7, a frame-shaped metal plate 13 for flattening the electrode terminals 3 for connection with a mounting board (wiring board) on which the semiconductor device according to the present invention is mounted is adhered to the back surface of the flexible substrate 2. Bonded by the agent 5, and further made of a metal plate 1
4 is bonded to the back surface of the frame-shaped metal plate 13 with an adhesive 7, and the central portion of the metal plate 14 is bonded to the back surface of the semiconductor element 6 with the adhesive 7. Furthermore, the heat dissipation metal plate-like body 14 is provided with the semiconductor element 6 so that the diffusion of heat from the semiconductor element 6 is not hindered and the frame-shaped metal plate 13 for flattening is exposed. Opening 1 formed by arranging a plurality of openings side by side
5 are provided. As shown in FIG. 7, a plurality of openings are juxtaposed in the metal plate-like body 14, at least at the corners, leaving a portion connecting the central portion and the peripheral portion.
The opening in the opening 15 is formed so that the frame-shaped metal plate 13 can be directly heated and the gas in the package can escape to the outside.
【００２０】図８は、前記第２の実施の形態のＢ−Ｂ断
面概略図である。金属製の板状体（放熱板）１４のう
ち、半導体素子６と接続される中央部分の最外周ａと枠
状の金属板１３の最内周ｂが交叉しないように金属製の
板状体１４に形成する開口部１５と枠状の金属板１３の
寸法を決定することにより、開口部１５を通して枠状の
金属板１３を直接加熱する際、この熱が金属製の板状体
１４の周辺部分から中央部分へ拡散しにくいため、実装
基板へ実装する際およびリペア作業をするリペア工程等
で枠状の金属板１３の下部の電極端子３が加熱され易
く、実装作業やリペア作業を容易に行うことが可能とな
る。以上、本発明について実施例に基づき具体的に説明
したが、本発明は前記実施例に限定去れるものではな
く、その趣旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。FIG. 8 is a schematic sectional view taken along the line BB of the second embodiment. The metal plate (radiator plate) 14 is made of metal such that the outermost periphery a of the central portion connected to the semiconductor element 6 and the innermost periphery b of the frame-shaped metal plate 13 do not intersect. By determining the dimensions of the opening 15 and the frame-shaped metal plate 13 formed in the frame 14, when the frame-shaped metal plate 13 is directly heated through the opening 15, the heat is generated around the metal plate-shaped body 14. Since it is difficult to diffuse from the portion to the central portion, the lower electrode terminal 3 of the frame-shaped metal plate 13 is easily heated at the time of mounting on a mounting board and in a repairing step for repairing work, etc., which facilitates mounting work and repairing work. It is possible to do. As described above, the present invention has been specifically described based on the embodiments. However, the present invention is not limited to the above-described embodiments, and can be variously modified without departing from the gist thereof.
【００２１】[0021]
【発明の効果】本発明によれば、金属製の板状体に開口
を形成することにより、はんだバンプからなる電極端子
部を加熱するための前記開口の周辺部から中央部（半導
体素子側）への熱の拡散を大幅に低減して上記電極端子
部を効率良く加熱することができ、その結果、実装基板
への実装やリペア作業を容易に行うことができる効果を
奏する。また、本発明によれば、パッケージ内（封止用
の樹脂の裏側の空間）の気体が金属製の板状体に形成さ
れた開口から逃がすことができ、その結果、実装基板へ
の実装時での剥離やクラックの発生を防止して信頼性を
向上させると共に金属製の板状体によって半導体素子か
らの放熱性を向上させることができる効果を奏する。ま
た、本発明によれば、はんだバンプからなる電極端子群
の平坦性を確保するために可撓性基板の裏面に接着され
る周辺の低い板状部と半導体素子の裏面に接着される中
央の高い板状部とを有し、該中央の高い板状部と周辺の
低い板状部とをつなげる段差部分または該段差部分の近
傍に開口を形成した金属製の板状体をプレス成形によっ
て容易に製造することができ、部品数の削減と半導体装
置として軽量化を図ることができる効果を奏する。According to the present invention, an opening is formed in a metal plate to heat an electrode terminal portion composed of a solder bump from a peripheral portion to a central portion (semiconductor element side) of the opening. Thus, the electrode terminals can be efficiently heated by greatly reducing the diffusion of heat to the electrodes, and as a result, there is an effect that mounting to a mounting substrate and repair work can be easily performed. Further, according to the present invention, the gas in the package (the space on the back side of the sealing resin) can escape from the opening formed in the metal plate, and as a result, when mounted on the mounting board, In addition, it is possible to prevent the occurrence of peeling and cracks at the surface, thereby improving the reliability and improving the heat dissipation from the semiconductor element by the metal plate. Further, according to the present invention, in order to ensure the flatness of the electrode terminal group composed of solder bumps, a peripheral low plate-like portion adhered to the back surface of the flexible substrate and a central portion adhered to the back surface of the semiconductor element are provided. A metal plate having a high plate-like portion and having an opening formed in the vicinity of the step or the vicinity of the step connecting the high plate in the center and the low plate in the periphery is easily formed by press molding. Therefore, the number of parts can be reduced and the weight of the semiconductor device can be reduced.
【図１】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置の第１の実施
の形態を示す上面斜視図である。FIG. 1 is a top perspective view showing a first embodiment of a BGA type semiconductor device according to the present invention.
【図２】図１のＡ−Ａ断面概略図である。FIG. 2 is a schematic sectional view taken along line AA of FIG.
【図３】本発明に係る可撓性基板に対する金属製の板状
体の接着状態と電極端子群の配列範囲との関係を説明す
るための図である。FIG. 3 is a diagram for explaining a relationship between a bonding state of a metal plate-like body to a flexible substrate according to the present invention and an arrangement range of an electrode terminal group.
【図４】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置の組立工程を
説明するための図である。FIG. 4 is a diagram for explaining an assembling process of the BGA type semiconductor device according to the present invention.
【図５】本発明に係る金属製の板状体に形成された開口
の配列関係を示す図である。FIG. 5 is a view showing an arrangement relationship of openings formed in a metal plate-like body according to the present invention.
【図６】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置を実装基板に
搭載し、放熱用フィンを接続させたものを示す断面図で
ある。FIG. 6 is a cross-sectional view showing a BGA type semiconductor device according to the present invention mounted on a mounting substrate and connected to heat-dissipating fins.
【図７】本発明に係るＢＧＡ型半導体装置の第２の実施
の形態を示す上面斜視図である。FIG. 7 is a top perspective view showing a BGA type semiconductor device according to a second embodiment of the present invention.
【図８】図７のＢ−Ｂ断面概略図である。FIG. 8 is a schematic sectional view taken along the line BB of FIG. 7;
１…金属製の板状体、１ａ…中央の高い板状部、１ｂ…
周辺の低い板状部、１ｃ…リブ状部材、２…可撓性基
板、２ａ…フィルム、２ｂ…開口、３…電極端子（はん
だバンプ）、４…開口部、５…接着剤、６…半導体素子
（半導体チップ）、７…接着剤、８…樹脂封止部、９…
電極（バンプ）、１０…配線（配線パターン）、１０ａ
…配線接続部（インナーリード部）、１１…スペーサ補
強枠、１２…放熱フィン、１３…枠状の金属板、１４…
金属製の板状体、１５…開口部Reference numeral 1: metal plate, 1a: central high plate, 1b
Low peripheral plate-like portion, 1c rib-like member, 2 flexible substrate, 2a film, 2b opening, 3 electrode terminal (solder bump), 4 opening, 5 adhesive, 6 semiconductor Element (semiconductor chip), 7 ... adhesive, 8 ... resin sealing part, 9 ...
Electrode (bump), 10 ... wiring (wiring pattern), 10a
... wiring connection part (inner lead part), 11 ... spacer reinforcing frame, 12 ... radiation fin, 13 ... frame-shaped metal plate, 14 ...
Metal plate, 15 ... opening
フロントページの続き (72)発明者 金光 伸弥 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式 会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 春田 亮 東京都小平市上水本町五丁目20番１号株式 会社日立製作所半導体事業部内 (72)発明者 佐藤 俊也 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式 会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 田中 直敬 茨城県土浦市神立町502番地株式会社日立 製作所機械研究所内 (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号株式 会社日立製作所日立研究所内Continued on the front page (72) Inventor Shinya Kanemitsu 5-2-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Inside the Semiconductor Division, Hitachi, Ltd. (72) Inventor Ryo Haruta 5-2-1, Josuihoncho, Kodaira-shi, Tokyo Hitachi, Ltd. Semiconductor Division (72) Inventor Toshiya Sato 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Prefecture Hitachi, Ltd. (72) Inventor Akira Nagai 7-1-1, Omika-cho, Hitachi City, Ibaraki Pref.
Claims (8)
口させた可撓性基板と、該可撓性基板の開口に配置さ
れ、前記配線パターンと接続された電極を表面に有する
半導体素子と、該半導体素子の表面および前記配線パタ
ーンにおける前記電極への接続部を封止した樹脂と、前
記半導体素子の裏面と前記可撓性基板の裏面との高低差
に対応させて段差が付与され、各裏面との間で接着剤に
よって接着される中央の高い板状部と周辺の低い板状部
とを有し、該中央の高い板状部と周辺の低い板状部とを
つなげる段差部分または該段差部分の近傍に開口を形成
した金属製の板状体とを備えたことを特徴とするＢＧＡ
型半導体装置。1. A semiconductor element having a wiring pattern formed on a surface thereof and having an opening at a center portion, and an electrode disposed on the opening of the flexible substrate and connected to the wiring pattern on a surface thereof. And a resin that seals a surface of the semiconductor element and a connection portion to the electrode in the wiring pattern, and a step is provided corresponding to a height difference between a back surface of the semiconductor element and a back surface of the flexible substrate. A step portion having a central high plate portion and a peripheral low plate portion bonded to each other with an adhesive, and connecting the central high plate portion and the peripheral low plate portion. Or a metal plate having an opening formed in the vicinity of the stepped portion.
Type semiconductor device.
て、半導体素子の電極と可撓性基板の配線パターンとの
接続を、ボンディング接続して構成したことを特徴とす
るＢＧＡ型半導体装置。2. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein the connection between the electrode of the semiconductor element and the wiring pattern of the flexible substrate is made by bonding.
て、金属製の板状体における周辺の低い板状部を可撓性
基板の裏面に接着剤によって接着する部分の長さが、可
撓性基板の表面の配線上に並設して形成する電極端子群
の範囲内であることを特徴とするＢＧＡ型半導体装置。3. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein the length of the portion of the metal plate-like portion where the lower peripheral plate-like portion is adhered to the back surface of the flexible substrate with an adhesive is flexible. A BGA type semiconductor device which is within a range of an electrode terminal group formed side by side on the wiring on the surface of the conductive substrate.
口させた可撓性基板と、該可撓性基板の開口に配置さ
れ、前記配線パターンと接続された電極を表面に有する
半導体素子と、該半導体素子の表面および前記配線パタ
ーンにおける前記電極への接続部を封止した樹脂と、前
記可撓性基板の裏面に接着剤で接着された枠状の金属板
と、該枠状の金属板と前記半導体素子の裏面との各々に
対応する部分において接着剤によって接着され、半導体
素子の裏面に接着される部分の周辺部分に開口を形成し
た金属製の板状体とを備えたことを特徴とするＢＧＡ型
半導体装置。4. A semiconductor element having a wiring pattern formed on a surface thereof and having an opening at a center portion, and an electrode disposed on the opening of the flexible substrate and connected to the wiring pattern on the surface. A resin sealing the surface of the semiconductor element and a connection portion to the electrode in the wiring pattern, a frame-shaped metal plate adhered to the back surface of the flexible substrate with an adhesive, A metal plate which is bonded by an adhesive at a portion corresponding to each of the metal plate and the back surface of the semiconductor element and has an opening formed in a peripheral portion of a portion bonded to the back surface of the semiconductor element; A BGA type semiconductor device characterized by the above-mentioned.
て、金属製の板状体における開口を、枠状の金属板の一
部分が露出するように形成したことを特徴とするＢＧＡ
型半導体装置。5. The BGA type semiconductor device according to claim 4, wherein the opening in the metal plate is formed so that a part of the frame-shaped metal plate is exposed.
Type semiconductor device.
置において、枠状の金属板を可撓性基板の裏面に接着剤
によって接着する部分の長さが、可撓性基板の表面の配
線上に並設して形成する電極端子群の範囲内であること
を特徴とするＢＧＡ型半導体装置。6. The BGA type semiconductor device according to claim 4, wherein a length of a portion where the frame-shaped metal plate is adhered to the back surface of the flexible substrate by an adhesive is equal to the length of the wiring on the front surface of the flexible substrate. A BGA type semiconductor device, wherein the BGA type semiconductor device is within a range of an electrode terminal group formed side by side.
半導体装置において、可撓性基板の配線上にはんだバン
プからなる電極端子を形成したことを特徴とするＢＧＡ
型半導体装置。7. The BGA type semiconductor device according to claim 1, wherein an electrode terminal made of a solder bump is formed on the wiring of the flexible substrate.
Type semiconductor device.
極端子を接合させて実装基板に実装したことを特徴とす
るＢＧＡ型半導体装置の実装構造体。8. A mounting structure for a BGA-type semiconductor device, wherein the BGA-type semiconductor device according to claim 7 is mounted on a mounting board by bonding electrode terminals.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35790997A JP3431478B2 (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | BGA type semiconductor device and manufacturing method thereof |
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|---|---|---|---|
| JP35790997A JP3431478B2 (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | BGA type semiconductor device and manufacturing method thereof |
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| Publication Number | Publication Date |
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| JPH11186453A true JPH11186453A (en) | 1999-07-09 |
| JP3431478B2 JP3431478B2 (en) | 2003-07-28 |
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Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35790997A Expired - Fee Related JP3431478B2 (en) | 1997-12-25 | 1997-12-25 | BGA type semiconductor device and manufacturing method thereof |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3431478B2 (en) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328463B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-03-16 | 이상환 | Method of repairing rambus memories and solder film for bga |
-
1997
- 1997-12-25 JP JP35790997A patent/JP3431478B2/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100328463B1 (en) * | 2000-02-28 | 2002-03-16 | 이상환 | Method of repairing rambus memories and solder film for bga |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3431478B2 (en) | 2003-07-28 |
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