JPH11186317A - Wire-bonding device - Google Patents
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
の際に、半導体素子チップをリードフレームの外部端子
となるべき部分に対してワイヤボンディングするための
ワイヤボンディング装置に関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a wire bonding apparatus for wire bonding a semiconductor element chip to a portion to be an external terminal of a lead frame when manufacturing a semiconductor device.
【０００２】[0002]
【従来の技術】従来、半導体装置は、その製造工程にお
いて、リードフレームの基板部分上にダイボンディング
等により例えばＩＣ等の半導体チップを搭載すると共
に、この半導体チップの電極部に備えられたボンディン
グパッドとリードフレームの外部端子となるべき部分と
を、ワイヤボンディングにより電気的に接続するように
なっている。2. Description of the Related Art Conventionally, in a semiconductor device manufacturing process, a semiconductor chip such as an IC is mounted on a substrate portion of a lead frame by die bonding or the like, and a bonding pad provided on an electrode portion of the semiconductor chip is provided. The part to be an external terminal of the lead frame is electrically connected by wire bonding.
【０００３】ここで、上記ワイヤボンディングは、例え
ば図６に示すワイヤボンディング装置を使用することに
よって、行なわれる。図６において、ワイヤボンディン
グ装置１は、基板部分２ａに半導体チップ３が搭載され
たリードフレーム２（図７参照）を搬送する搬送レール
部４と、搬送レール部４により作業位置に移動されたリ
ードフレーム２を固定保持するクランプ部５とを含んで
おり、さらにこのクランプ部５により固定保持されたリ
ードフレーム２に対して所定のワイヤボンディングを行
なうボンディングヘッド（図示せず）を備えている。Here, the wire bonding is performed, for example, by using a wire bonding apparatus shown in FIG. 6, the wire bonding apparatus 1 includes a transport rail 4 for transporting a lead frame 2 (see FIG. 7) in which a semiconductor chip 3 is mounted on a substrate portion 2a, and a lead moved to a working position by the transport rail 4. A clamp portion 5 for fixing and holding the frame 2; and a bonding head (not shown) for performing a predetermined wire bonding to the lead frame 2 fixed and held by the clamp portion 5.
【０００４】ここで、上記リードフレーム２は、中央の
四角形状の基板部分２ａと、この基板部分２ａの周り
に、基板部分２ａから間隔をあけて放射状に延び且つ外
周部分にて互いに連結された外部端子部分２ｂと、を有
している。上記搬送レール部４は、一対の搬送レール４
ａから構成されており、リードフレーム２を挟持し且つ
作業位置（図７に示す位置）まで案内するガイド溝４ｂ
を有している。Here, the lead frame 2 has a central rectangular substrate portion 2a, and extends radially around the substrate portion 2a at an interval from the substrate portion 2a and is connected to each other at an outer peripheral portion. And an external terminal portion 2b. The transfer rail unit 4 includes a pair of transfer rails 4.
a guide groove 4b for holding the lead frame 2 and guiding it to a working position (a position shown in FIG. 7).
have.
【０００５】上記クランプ部５は、上記作業位置にて、
ワイヤボンディング時に、リードフレーム２の基板部分
２ａ及び外部端子部分２ｂをそれぞれ下方から支持する
クランプ治具５ａ，５ｂを備えている。尚、上記ボンデ
ィングヘッドは、その先端がボンディング位置にて半導
体チップ３のボンディングパッドまたはリードフレーム
２の外部端子部分２ｂ上に押し付けられることにより、
圧力，熱または超音波等によって、金属材料から成るボ
ンディングワイヤを接合するようになっている。In the working position, the clamp 5 is
Clamp jigs 5a and 5b are provided for supporting the substrate portion 2a and the external terminal portion 2b of the lead frame 2 from below during wire bonding. The bonding head is pressed against the bonding pad of the semiconductor chip 3 or the external terminal portion 2b of the lead frame 2 at the bonding position.
A bonding wire made of a metal material is joined by pressure, heat, ultrasonic waves, or the like.
【０００６】このような構成のワイヤボンディング装置
１によれば、前以て基板部分２ａに対して半導体チップ
３が搭載されたリードフレーム２は、搬送レール部４の
搬送レール４ａにより把持されて、ワイヤボンディング
装置の作業位置に移動されて、クランプ部５により下方
から支持される。続いて、この状態から、図示しないボ
ンディングヘッドが、例えば半導体チップ３上のボンデ
ィングパッド３ａに対して、ボンディングワイヤ６を接
合した後、ボンディングヘッドが、ボンディングワイヤ
を繰り出しながら対応するリードフレーム３の外部端子
部分２ｂ上に移動し、再び当該外部端子部分２ｂに対し
てボンディングワイヤ６を接合する。According to the wire bonding apparatus 1 having such a configuration, the lead frame 2 on which the semiconductor chip 3 is mounted on the substrate portion 2a in advance is gripped by the transfer rail 4a of the transfer rail section 4, and It is moved to the work position of the wire bonding apparatus and is supported by the clamp unit 5 from below. Subsequently, from this state, a bonding head (not shown) bonds the bonding wire 6 to, for example, the bonding pad 3a on the semiconductor chip 3, and then the bonding head draws out the bonding wire and externally connects the corresponding lead frame 3. After moving onto the terminal portion 2b, the bonding wire 6 is bonded to the external terminal portion 2b again.
【０００７】これにより、半導体チップ３上のボンディ
ングパッド３ａからリードフレーム２の対応する外部端
子部分２ｂまでの一本のボンディングワイヤ６のワイヤ
ボンディングが完成する。そして、上述した作業を、半
導体チップ３上のすべてのボンディングパッド３ａとリ
ードフレーム２の対応する外部端子部分２ｂ間につい
て、繰返し行なうことにより、半導体チップ３のワイヤ
ボンディング作業が完了することになる。Thus, wire bonding of one bonding wire 6 from the bonding pad 3a on the semiconductor chip 3 to the corresponding external terminal portion 2b of the lead frame 2 is completed. Then, the above operation is repeated between all the bonding pads 3a on the semiconductor chip 3 and the corresponding external terminal portions 2b of the lead frame 2, whereby the wire bonding operation of the semiconductor chip 3 is completed.
【０００８】[0008]
【発明が解決しようとする課題】ところで、このような
ワイヤボンディング装置１においては、上述したボンデ
ィングワイヤ６は、半導体チップ３上のボンディングパ
ッド３ａからリードフレーム２の外部端子部分２ｂまで
間に、ボンディングワイヤ６を構成する金属の剛性のみ
によって、アーチ形状を形成するようになっている。In such a wire bonding apparatus 1, the bonding wire 6 is provided between the bonding pad 3a on the semiconductor chip 3 and the external terminal portion 2b of the lead frame 2. The arch shape is formed only by the rigidity of the metal constituting the wire 6.
【０００９】しかしながら、ワイヤボンディングを行な
う際に、ボンディングワイヤ６は、空中でアーチ形状を
形成することになるため、必ずしも所望のアーチ形状と
ならず、ワイヤボンディング装置のコンディションによ
っては、例えば図８の６ａに示すように、アーチ形状が
変形して、たるみによって垂れ下がってしまったり、ア
ーチ高さにバラツキが生ずる等のボンディング不良が発
生してしまうという問題があった。However, when performing wire bonding, the bonding wire 6 forms an arch shape in the air, so that the bonding wire 6 does not always have a desired arch shape, and depending on the condition of the wire bonding apparatus, for example, as shown in FIG. As shown in FIG. 6A, there has been a problem that the arch shape is deformed and sagged due to slack, or a bonding failure such as a variation in the arch height occurs.
【００１０】さらに、このボンディングワイヤ６のアー
チ形状を形成するためには、ボンディングヘッドの駆動
等に関して、例えば０．０１ｍｍ単位の人手による調整
が必要となり、メンテナンスに技術を要するので、作業
者の習熟に多大な時間が掛かってしまうという問題があ
った。Further, in order to form the arch shape of the bonding wire 6, it is necessary to manually adjust the driving of the bonding head, for example, in units of 0.01 mm, and a maintenance technique is required. However, there is a problem that it takes a lot of time.
【００１１】本発明は、以上の点に鑑み、ボンディング
ワイヤのアーチ形状が正確に形成されるようにした、ワ
イヤボンディング装置を提供することを目的としてい
る。In view of the above, it is an object of the present invention to provide a wire bonding apparatus in which an arch shape of a bonding wire is accurately formed.
【００１２】[0012]
【課題を解決するための手段】上記目的は、本発明によ
れば、ワイヤボンディングすべき半導体チップを搭載し
たリードフレームを、作業位置にて固定保持するクラン
プ部を備えており、このクランプ部が、リードフレーム
の半導体チップが搭載された中央の基板部分と、この基
板部分の周囲にて基板部分から間隔をあけて放射状に延
びる外部端子部分とを、下方から支持するクランプ治具
を有し、前記クランプ治具が、作業位置にあるリードフ
レームの中央の基板部分と外部端子部分との間の領域
に、ボンディングワイヤの形状を規制するための支持ブ
ロックを備えている、ワイヤボンディング装置により、
達成される。According to the present invention, there is provided a clamp for holding a lead frame on which a semiconductor chip to be wire-bonded is mounted at a working position. A clamp jig for supporting a central substrate portion on which the semiconductor chip of the lead frame is mounted, and external terminal portions extending radially at intervals from the substrate portion around the substrate portion, from below, The clamp jig is provided with a support block for regulating the shape of the bonding wire in a region between the central substrate portion and the external terminal portion of the lead frame at the working position, by a wire bonding apparatus,
Achieved.
【００１３】上記構成によれば、作業位置にて、リード
フレームの基板部分に搭載された半導体チップ上のボン
ディングパッドとリードフレームの対応する外部端子部
分との間で、ワイヤボンディングを行なうとき、ボンデ
ィングワイヤが、クランプ部の支持ブロックによって支
持されることにより、適宜の高さ及び形状に規制される
ことになる。従って、所定の高さのアーチ形状が形成さ
れることになり、アーチ形状不良が低減されると共に、
ワイヤボンディングの品質が良好となり、歩留まりが向
上することになる。さらに、ワイヤボンディングを行な
うためのボンディングヘッドの状態に多少バラツキがあ
ったとしても、ボンディングワイヤのアーチ形状は、ク
ランプ部の支持ブロックによって正しい形状に規制され
ることになるので、ワイヤボンディング装置のメンテナ
ンスが容易になり、メンテナンスレス化が促進されるこ
とになる。According to the above configuration, when wire bonding is performed between the bonding pad on the semiconductor chip mounted on the substrate portion of the lead frame and the corresponding external terminal portion of the lead frame at the working position, Since the wire is supported by the support block of the clamp unit, the wire is regulated to an appropriate height and shape. Therefore, an arch shape having a predetermined height is formed, and arch shape defects are reduced,
The quality of wire bonding is improved, and the yield is improved. Furthermore, even if there is some variation in the state of the bonding head for performing the wire bonding, the arch shape of the bonding wire will be regulated to the correct shape by the support block of the clamp portion. This facilitates maintenance-free operation.
【００１４】[0014]
【発明の実施の形態】以下、この発明の好適な実施形態
を図１乃至図５を参照しながら、詳細に説明する。尚、
以下に述べる実施形態は、本発明の好適な具体例である
から、技術的に好ましい種々の限定が付されているが、
本発明の範囲は、以下の説明において特に本発明を限定
する旨の記載がない限り、これらの態様に限られるもの
ではない。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS Hereinafter, a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to FIGS. still,
Since the embodiments described below are preferred specific examples of the present invention, various technically preferred limitations are added.
The scope of the present invention is not limited to these embodiments unless otherwise specified in the following description.
【００１５】図１は、本発明によるワイヤボンディング
装置の一実施形態を示している。図１において、ワイヤ
ボンディング装置１０は、基板部分１１ａに半導体チッ
プ１２が搭載されたリードフレーム１１（図２参照）を
搬送する搬送レール部１３と、搬送レール部１３により
図２に示す作業位置に移動されたリードフレーム１１を
固定保持するクランプ部１４と、さらにこのクランプ部
１４により固定保持されたリードフレーム１１に対して
所定のワイヤボンディングを行なうボンディングヘッド
（図示せず）とを備えている。FIG. 1 shows an embodiment of a wire bonding apparatus according to the present invention. In FIG. 1, a wire bonding apparatus 10 includes a transport rail 13 for transporting a lead frame 11 (see FIG. 2) in which a semiconductor chip 12 is mounted on a substrate portion 11a, and the transport rail 13 moves to a working position shown in FIG. A clamp unit 14 for fixedly holding the moved lead frame 11 and a bonding head (not shown) for performing predetermined wire bonding to the lead frame 11 fixed and held by the clamp unit 14 are provided.
【００１６】ここで、上記リードフレーム１１は、中央
の四角形状の基板部分１１ａと、この基板部分１１ａの
周りに、基板部分１１ａから間隔をあけて放射状に延び
且つ外周部分にて互いに連結された外部端子部分１１ｂ
と、を有している。そして、この外部端子部分１１ｂ
は、基板部分１１ａ上に搭載された１２とのワイヤボン
ディングが行なわれ、その後、さらに樹脂封止によって
パッケージ化された後、連結部分の内側から切断される
ことにより、半導体装置のパッケージから外側に延びる
外部端子となる。Here, the lead frame 11 has a central rectangular substrate portion 11a and extends radially around the substrate portion 11a with an interval from the substrate portion 11a and is connected to each other at an outer peripheral portion. External terminal part 11b
And And this external terminal portion 11b
Is wire-bonded to the substrate 12 mounted on the substrate portion 11a, and then packaged by resin sealing, and then cut from the inside of the connection portion, so that the semiconductor device is removed from the package of the semiconductor device to the outside. It becomes an extended external terminal.
【００１７】上記搬送レール部１３は、一対の搬送レー
ル１３ａから構成されており、リードフレーム１１を挟
持し且つ図２に示す作業位置まで案内するガイド溝１３
ｂを有している。The transfer rail section 13 is composed of a pair of transfer rails 13a, and guide grooves 13 for holding the lead frame 11 and guiding the lead frame 11 to a work position shown in FIG.
b.
【００１８】上記クランプ部１４は、上記作業位置に
て、ワイヤボンディング時に、リードフレーム１１の基
板部分１１ａを支持するクランプ治具を備えており、こ
のクランプ治具は、図３及び図４に示されている。すな
わち、クランプ治具は、リードフレーム１１の基板部分
１１ａを下方から支持するクランプ治具１４ａと、外部
端子部分１１ｂを下方から支持するクランプ治具１４ｂ
とを備えている。The clamp portion 14 has a clamp jig for supporting the substrate portion 11a of the lead frame 11 at the time of wire bonding at the working position. This clamp jig is shown in FIGS. 3 and 4. Have been. That is, the clamp jig includes a clamp jig 14a for supporting the substrate portion 11a of the lead frame 11 from below, and a clamp jig 14b for supporting the external terminal portion 11b from below.
And
【００１９】尚、上記ボンディングヘッドは、その先端
がボンディング位置にて半導体チップ１２のボンディン
グパッド１２ａまたはリードフレーム１１の外部端子部
分１１ｂ上に押し付けられることにより、圧力，熱また
は超音波等によって、金属材料から成るボンディングワ
イヤを接合するようになっている。そして、ボンディン
グヘッドは、半導体チップ１２上のすべてのボンディン
グパッド１２ａとリードフレーム１１の対応する外部端
子部分１１ｂ間について、このようなワイヤボンディン
グを行うようになっている。The bonding head is pressed against the bonding pad 12a of the semiconductor chip 12 or the external terminal portion 11b of the lead frame 11 at the bonding position, whereby the bonding head is pressed by pressure, heat or ultrasonic waves. A bonding wire made of a material is joined. The bonding head performs such wire bonding between all the bonding pads 12a on the semiconductor chip 12 and the corresponding external terminal portions 11b of the lead frame 11.
【００２０】さらに、上述したクランプ部１４は、図５
に拡大して示すように、基板部分１１ａの下方に配置さ
れる上記クランプ治具１４ｂが、作業位置にあるリード
フレーム１１の中央の基板部分１１ａと外部端子部分１
１ｂとの間の領域に、ワイヤボンディング時にボンディ
ングワイヤのアーチ形状を規制するための支持ブロック
１４ｃを備えている。具体的には、この支持ブロック１
４ｃは、クランプ部１４の外部端子側クランプ治具１４
ｂ上に一体に起立して設けられている。そして、この支
持ブロック１４ｃは、図２及び図４に示されているよう
に、リードフレーム１１の中央の四角形状の基板部分１
１ｃの各辺の外側に、ほぼその全周に渡って設けられて
いる。Further, the above-described clamp portion 14 is provided with the structure shown in FIG.
As shown in an enlarged view, the clamp jig 14b disposed below the substrate portion 11a is connected to the central substrate portion 11a and the external terminal portion 1 of the lead frame 11 at the working position.
1b, a support block 14c for regulating the arch shape of the bonding wire at the time of wire bonding is provided. Specifically, this support block 1
4c is a clamp jig 14 on the external terminal side of the clamp portion 14.
b, and are provided integrally upright. The support block 14c is, as shown in FIGS. 2 and 4, a rectangular substrate portion 1 at the center of the lead frame 11.
1c, it is provided on almost the entire outer periphery of each side.
【００２１】そして、図５に示すように支持ブロック１
４ｃは、ワイヤボンディングの際に、ボンディングワイ
ヤ１５に対して、その上面で当接し、このボンディング
ワイヤ１５が自重によりたれないように、支持するよう
になっている。このため、この支持ブロック１４ｃは、
ボンディングワイヤの所望の高さ及びアーチ形状が得ら
れるように、その高さが選定されている。したがって、
上記支持ブロック１４ｃは、図２に示した態様のよう
に、基板部分１１ｃの周囲の全周に設けるのではなく、
ボンディングワイヤ１５を接続すべきリードフレームが
存在する箇所に対応した場所にだけ設けるようにしても
よい。Then, as shown in FIG.
The wire 4c contacts the bonding wire 15 on its upper surface during wire bonding, and supports the bonding wire 15 so that the bonding wire 15 does not sag due to its own weight. For this reason, this support block 14c
The height of the bonding wire is selected so as to obtain a desired height and arch shape. Therefore,
The support block 14c is not provided on the entire periphery around the substrate portion 11c as in the embodiment shown in FIG.
The bonding wires 15 may be provided only at locations corresponding to locations where lead frames to be connected exist.
【００２２】本実施形態によるワイヤボンディング装置
１０は、以上のように構成されており、前以て基板部分
１１ａに対して半導体チップ１２が搭載されたリードフ
レーム１１は、搬送レール部１３の搬送レール１３ａに
より挟持されて、ワイヤボンディング装置１０の作業位
置に移動されて、クランプ部１４により支持される。こ
のとき、リードフレーム１１は、その基板部分１１ａ
が、クランプ治具１４ａにより、またその外部端子部分
１１ｂが、クランプ治具１４ｂにより、下方から支持さ
れることになる。さらに、リードフレーム１１の基板部
分１１ａと外部端子部分１１ｂとの間の領域で、クラン
プ部１４の支持ブロックが、上方に向かって突出するこ
とになる。The wire bonding apparatus 10 according to the present embodiment is configured as described above. The lead frame 11 in which the semiconductor chip 12 is mounted on the substrate portion 11a in advance is mounted on the transfer rail section 13 of the transfer rail section 13. 13a, it is moved to the working position of the wire bonding apparatus 10 and supported by the clamp unit 14. At this time, the lead frame 11 is
However, the external terminal portion 11b is supported by the clamp jig 14a from below by the clamp jig 14b. Further, in a region between the substrate portion 11a and the external terminal portion 11b of the lead frame 11, the support block of the clamp portion 14 projects upward.
【００２３】続いて、この状態から、図示しないボンデ
ィングヘッドが、例えば半導体チップ１２上のボンディ
ングパッド１２ａに対して、ボンディングワイヤ１５を
接合した後、ボンディングヘッドが、ボンディングワイ
ヤ１５を繰り出しながら対応するリードフレーム１２の
外部端子部分１１ｂ上に移動し、再び当該外部端子部分
１１ｂに対してボンディングワイヤ１５を接合する。Subsequently, from this state, a bonding head (not shown) joins the bonding wire 15 to, for example, the bonding pad 12a on the semiconductor chip 12, and then the bonding head draws out the bonding wire 15 and the corresponding lead. It moves onto the external terminal portion 11b of the frame 12, and the bonding wire 15 is bonded to the external terminal portion 11b again.
【００２４】これにより、半導体チップ１２上のボンデ
ィングパッド１２ａからリードフレーム１１の対応する
外部端子部分１１ｂまでの一本のボンディングワイヤ１
５のワイヤボンディングが完成する。この際、ボンディ
ングワイヤ１５は、ボンディングパッド１２ａとリード
フレーム１１の対応する外部端子部分１１ｂとの間に、
クランプ部１４の支持ブロック１４ｃが突出しているこ
とから、この支持ブロック１４ｃの高さに基づいて、高
さ及び形状が規制されることになり、適正なアーチ形状
が形成されることになる。Thus, one bonding wire 1 from the bonding pad 12a on the semiconductor chip 12 to the corresponding external terminal portion 11b of the lead frame 11 is formed.
5 is completed. At this time, the bonding wire 15 is connected between the bonding pad 12a and the corresponding external terminal portion 11b of the lead frame 11.
Since the support block 14c of the clamp 14 protrudes, the height and the shape are regulated based on the height of the support block 14c, and an appropriate arch shape is formed.
【００２５】そして、上述した作業を、半導体チップ１
２上のすべてのボンディングパッド１２ａとリードフレ
ーム１１の対応する外部端子部分１１ｂ間について、繰
返し行なうことにより、半導体チップ１２のワイヤボン
ディング作業が完了することになる。Then, the above operation is performed on the semiconductor chip 1.
The wire bonding operation of the semiconductor chip 12 is completed by repeating the process between all the bonding pads 12a on the substrate 2 and the corresponding external terminal portions 11b of the lead frame 11.
【００２６】この場合、各ボンディングワイヤ１５は、
それぞれクランプ部１４の支持ブロック１４ｃの上端に
よって規制されることにより、ワイヤボンディング装置
１０のボンディングヘッド等の状態のバラツキがあった
としても、そのアーチ形状が変形して垂れ下がったり、
低くなってしまうようなことがなく、所定の高さの安定
したアーチ形状が形成されることになる。従って、ワイ
ヤボンディングの品質が良好となり、歩留まりが向上す
ることになる。さらに、ワイヤボンディング装置１０の
ボンディングヘッド等のメンテナンスが容易になり、メ
ンテナンス作業の習熟も容易になることから、メンテナ
ンスに関するコストが低減されることになる。In this case, each bonding wire 15
By being regulated by the upper ends of the support blocks 14c of the clamp portions 14, respectively, even if the state of the bonding head or the like of the wire bonding apparatus 10 varies, the arch shape is deformed and sags.
A stable arch shape of a predetermined height is formed without being lowered. Therefore, the quality of wire bonding is improved, and the yield is improved. Further, maintenance of the bonding head and the like of the wire bonding apparatus 10 is facilitated, and learning of maintenance work is also facilitated, so that maintenance-related costs are reduced.
【００２７】上述した実施形態においては、クランプ部
１４の支持ブロック１４ｃは、ボンディングワイヤの所
望の高さ及びアーチ形状が得られるように、その高さが
選定されているが、これに限らず、ボンディングワイヤ
の所望のアーチ形状が得られるように、その上面の形状
をＲ形状等の種々の所望の形状にしてもよい。In the above-described embodiment, the height of the support block 14c of the clamp portion 14 is selected so that the desired height and arch shape of the bonding wire can be obtained. However, the present invention is not limited to this. The shape of the upper surface may be various desired shapes such as an R shape so that a desired arch shape of the bonding wire is obtained.
【００２８】[0028]
【発明の効果】以上述べたように、本発明によれば、、
ボンディングワイヤのアーチ形状が正確に形成されるよ
うにした、ワイヤボンディング装置を提供することがで
きる。As described above, according to the present invention,
A wire bonding apparatus can be provided in which an arch shape of a bonding wire is accurately formed.
【図１】本発明によるワイヤボンディング装置の一実施
形態を示す概略斜視図である。FIG. 1 is a schematic perspective view showing one embodiment of a wire bonding apparatus according to the present invention.
【図２】図１のワイヤボンディング装置の要部を示す拡
大斜視図である。FIG. 2 is an enlarged perspective view showing a main part of the wire bonding apparatus of FIG.
【図３】図１のクランプ部のクランプ治具の構成を示す
拡大斜視図である。FIG. 3 is an enlarged perspective view showing a configuration of a clamp jig of the clamp unit of FIG.
【図４】図１のクランプ部のクランプ治具の構成を示す
拡大斜視図である。FIG. 4 is an enlarged perspective view illustrating a configuration of a clamp jig of the clamp unit of FIG. 1;
【図５】図１のワイヤボンディング装置によるワイヤボ
ンディングを示す部分拡大断面図である。FIG. 5 is a partially enlarged sectional view showing wire bonding by the wire bonding apparatus of FIG. 1;
【図６】従来のワイヤボンディング装置の一例を示す概
略斜視図である。FIG. 6 is a schematic perspective view showing an example of a conventional wire bonding apparatus.
【図７】図６のワイヤボンディング装置の要部を示す拡
大斜視図である。FIG. 7 is an enlarged perspective view showing a main part of the wire bonding apparatus of FIG. 6;
【図８】図６のワイヤボンディング装置によるワイヤボ
ンディングを示す部分拡大断面図である。8 is a partially enlarged cross-sectional view showing wire bonding by the wire bonding apparatus of FIG.
１０・・・ワイヤボンディング装置、１１・・・リード
フレーム、１１ａ・・・基板部分、１１ｂ・・・外部端
子部分、１２・・・半導体チップ、１２ａ・・・ボンデ
ィングパッド、１３・・・搬送レール部、１３ａ・・・
搬送レール、１４・・・クランプ部、１４ａ，１４ｂ・
・・クランプ治具、１４ｃ・・・支持ブロック、１５・
・・ボンディングワイヤ。DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 ... Wire bonding apparatus, 11 ... Lead frame, 11a ... Substrate part, 11b ... External terminal part, 12 ... Semiconductor chip, 12a ... Bonding pad, 13 ... Transport rail Part, 13a ...
Conveyance rail, 14 ... clamp part, 14a, 14b
..Clamp jigs, 14c ... support blocks, 15.
..Bonding wires.
Claims (5)
を搭載したリードフレームを、作業位置にて固定保持す
るクランプ部を備えており、 このクランプ部が、リードフレームの半導体チップが搭
載された中央の基板部分と、この基板部分の周囲にて基
板部分から間隔をあけて放射状に延びる外部端子部分と
を、下方から支持するクランプ治具を有し、 前記クランプ治具が、作業位置にあるリードフレームの
中央の基板部分と外部端子部分との間の領域に、ボンデ
ィングワイヤの形状を規制するための支持ブロックを備
えていることを特徴とするワイヤボンディング装置。1. A lead frame having a semiconductor chip to be wire-bonded mounted thereon is provided with a clamp portion for fixing and holding the semiconductor chip at a working position, and the clamp portion is provided at a central substrate portion on which the semiconductor chip of the lead frame is mounted. And a clamp jig for supporting, from below, an external terminal portion extending radially at an interval from the substrate portion around the substrate portion, wherein the clamp jig is located at the center of the lead frame at the working position. And a support block for regulating the shape of the bonding wire in a region between the substrate portion and the external terminal portion.
ワイヤの途中部分を下方から支持することにより、ボン
ディングワイヤの形状を規制することを特徴とする請求
項１に記載のワイヤボンディング装置。2. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the support block regulates the shape of the bonding wire by supporting an intermediate portion of the bonding wire from below.
ードフレームの基板部分の周囲に沿って配設されている
ことを特徴とする請求項１に記載のワイヤボンディング
装置。3. The wire bonding apparatus according to claim 1, wherein the support block is provided along a periphery of a substrate portion of the lead frame in a working position.
ードフレームの基板部分の周囲に沿って、その全周に亘
って配設されていることを特徴とする請求項３に記載の
ワイヤボンディング装置。4. The wire bonding apparatus according to claim 3, wherein the support block is provided along the entire periphery of the substrate portion of the lead frame in the working position and over the entire periphery thereof. .
ードフレームの基板部分の周囲に沿って、そのワイヤボ
ンディングに対応する部分のみに配設されていることを
特徴とする請求項３に記載のワイヤボンディング装置。5. The support block according to claim 3, wherein the support block is provided only around a portion corresponding to the wire bonding along a periphery of the substrate portion of the lead frame in the working position. Wire bonding equipment.
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351013A JPH11186317A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Wire-bonding device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9351013A JPH11186317A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Wire-bonding device |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11186317A true JPH11186317A (en) | 1999-07-09 |
Family
ID=18414453
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9351013A Pending JPH11186317A (en) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | Wire-bonding device |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11186317A (en) |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP9351013A patent/JPH11186317A/en active Pending
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20040817 |