JPH11183150A - リード測定装置及び測定方法 - Google Patents
リード測定装置及び測定方法Info
- Publication number
- JPH11183150A JPH11183150A JP35080797A JP35080797A JPH11183150A JP H11183150 A JPH11183150 A JP H11183150A JP 35080797 A JP35080797 A JP 35080797A JP 35080797 A JP35080797 A JP 35080797A JP H11183150 A JPH11183150 A JP H11183150A
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- Japan
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- lead
- semiconductor device
- measuring
- laser
- laser beam
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- Pending
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体装置の裏面側に折返えされたＪリード
の高さを高精度に測定する。 【解決手段】 レーザ測長機ヘッド４から出射されるレ
ーザビーム２０を、半導体装置１のＪリード２の配列方
向に走査させ、かつ変調器３によりＪリード２の長さ方
向に走査させ、リード頂点の高さを測定する。
の高さを高精度に測定する。 【解決手段】 レーザ測長機ヘッド４から出射されるレ
ーザビーム２０を、半導体装置１のＪリード２の配列方
向に走査させ、かつ変調器３によりＪリード２の長さ方
向に走査させ、リード頂点の高さを測定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置のＪリ
ード頂点高さを測定するリード測定装置及び測定方法に
関する。
ード頂点高さを測定するリード測定装置及び測定方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、この種のリード測定装置が特開平
９−１７８４５３号公報に開示されている。特開平９−
１７８４５３号公報に開示されたリード測定装置は図２
に示すように、半導体装置１の裏面側に折返されたＪリ
ード２を上向きに設置し、レーザ測長機ヘッド４からレ
ーザビーム２０をＪリード２に向けて照射し、このレー
ザビーム２０をもって、半導体装置１のＪリード配列方
向に沿って設置された標準走査ライン３０に沿いＪリー
ド２上を走査し、Ｊリード２での反射光２１を検出して
Ｊリード２の平坦度を測定していた。
９−１７８４５３号公報に開示されている。特開平９−
１７８４５３号公報に開示されたリード測定装置は図２
に示すように、半導体装置１の裏面側に折返されたＪリ
ード２を上向きに設置し、レーザ測長機ヘッド４からレ
ーザビーム２０をＪリード２に向けて照射し、このレー
ザビーム２０をもって、半導体装置１のＪリード配列方
向に沿って設置された標準走査ライン３０に沿いＪリー
ド２上を走査し、Ｊリード２での反射光２１を検出して
Ｊリード２の平坦度を測定していた。
【０００３】ここで、測定の最初に少なくとも１個の半
導体装置１のＪリード２をレーザビーム２０で走査し、
リード実装面の配列情報を収集し、前記配列情報と標準
配列情報とのズレ量から補正走査ラインを設定し、その
後の同一ロットにおける半導体装置のＪリード平坦度を
測定している。ここに、補正走査ラインは、各Ｊリード
２の実装面頂点の標準走査ライン３０に対するズレ量を
求め、ズレ量の平均値を用いて決定している。
導体装置１のＪリード２をレーザビーム２０で走査し、
リード実装面の配列情報を収集し、前記配列情報と標準
配列情報とのズレ量から補正走査ラインを設定し、その
後の同一ロットにおける半導体装置のＪリード平坦度を
測定している。ここに、補正走査ラインは、各Ｊリード
２の実装面頂点の標準走査ライン３０に対するズレ量を
求め、ズレ量の平均値を用いて決定している。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図２に
示すリード測定装置は、同一ロットにおける半導体装置
のリード頂点位置のバラツキに対しては補正を有効にす
ることができないという問題がある。
示すリード測定装置は、同一ロットにおける半導体装置
のリード頂点位置のバラツキに対しては補正を有効にす
ることができないという問題がある。
【０００５】また、初期に測定した半導体装置のＪリー
ド高さに異常があるものを標本としてＪリード高さを測
定した場合、その後の測定に対し補正が有効に機能しな
いという問題がある。
ド高さに異常があるものを標本としてＪリード高さを測
定した場合、その後の測定に対し補正が有効に機能しな
いという問題がある。
【０００６】本発明の目的は、半導体装置のＪリード高
さを高精度に測定するリード測定装置を提供することに
ある。
さを高精度に測定するリード測定装置を提供することに
ある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係るリード測定装置は、半導体装置の裏面
側に折返えされたＪリードの平坦度をレーザ測長機を用
いて測定するリード測定装置であって、走査部と変調部
とを有し、走査部は、前記レーザ測長機から出射するレ
ーザビームを半導体装置のＪリードの配列方向に走査す
るものであり、変調部は、前記レーザビームを、Ｊリー
ド配列方向と交差する方向に変調させるものである。
め、本発明に係るリード測定装置は、半導体装置の裏面
側に折返えされたＪリードの平坦度をレーザ測長機を用
いて測定するリード測定装置であって、走査部と変調部
とを有し、走査部は、前記レーザ測長機から出射するレ
ーザビームを半導体装置のＪリードの配列方向に走査す
るものであり、変調部は、前記レーザビームを、Ｊリー
ド配列方向と交差する方向に変調させるものである。
【０００８】また前記変調部は、前記レーザビームをＪ
リード配列方向と交差する直角方向に変調させるもので
ある。
リード配列方向と交差する直角方向に変調させるもので
ある。
【０００９】また前記レーザビームを変調する方向は、
半導体装置のＪリードの折曲方向に一致させたものであ
る。
半導体装置のＪリードの折曲方向に一致させたものであ
る。
【００１０】また前記レーザビームの変調周波数は、半
導体装置の相対速度に対して十分早く設定したものであ
る。
導体装置の相対速度に対して十分早く設定したものであ
る。
【００１１】また本発明に係るリード測定方法は、半導
体装置の裏面側に折り返えされたＪリードの平坦度をレ
ーザ測長機を用いて測定するリード測定方法であって、
レーザ測長機から出射されるレーザビームを半導体装置
のＪリードの配列方向に走査するとともに、Ｊリード配
列方向と交差する方向に変調することにより、Ｊリード
の平坦度を測定する。
体装置の裏面側に折り返えされたＪリードの平坦度をレ
ーザ測長機を用いて測定するリード測定方法であって、
レーザ測長機から出射されるレーザビームを半導体装置
のＪリードの配列方向に走査するとともに、Ｊリード配
列方向と交差する方向に変調することにより、Ｊリード
の平坦度を測定する。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図に
より説明する。
より説明する。
【００１３】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１に係るリード測定装置を示す構成図である。
１に係るリード測定装置を示す構成図である。
【００１４】図において本発明の実施形態１に係るレー
ザ測定装置は、半導体装置１の裏面側に折り返されたＪ
リード２の平坦度をレーザ測長機を用いて測定するもの
であり、走査部と変調部とを有している。
ザ測定装置は、半導体装置１の裏面側に折り返されたＪ
リード２の平坦度をレーザ測長機を用いて測定するもの
であり、走査部と変調部とを有している。
【００１５】前記レーザ測長機は、レーザ測長機ヘッド
４とレーザ測長機制御部５を有している。レーザ測長機
ヘッド４は、レーザビーム２０を出射する発光素子と、
半導体装置１のＪリード２で反射した反射光２１を受光
する受光素子等を含んでいる。レーザ測長機制御部５
は、レーザ測長機ヘッド４の動作を制御するとともに、
レーザ測長機ヘッド４の受光した受光信号を処理して半
導体装置１のＪリード２の高さを演算するようになって
いる。
４とレーザ測長機制御部５を有している。レーザ測長機
ヘッド４は、レーザビーム２０を出射する発光素子と、
半導体装置１のＪリード２で反射した反射光２１を受光
する受光素子等を含んでいる。レーザ測長機制御部５
は、レーザ測長機ヘッド４の動作を制御するとともに、
レーザ測長機ヘッド４の受光した受光信号を処理して半
導体装置１のＪリード２の高さを演算するようになって
いる。
【００１６】また変調部３は、実施形態１ではＥＯ変調
器からなり、レーザ測長機４から出射されるレーザビー
ム２０を、Ｊリード２の配列方向と交差する方向に変調
させるようになっている。レーザビーム２０の変調方向
は、Ｊリード２の折曲方向、すなわちＪリード２の配列
方向と交差する直角方向に設定することが望ましいが、
レーザビームを変調する方向は、半導体装置１のＪリー
ド２の折曲方向に一致させてあれば、いずれの方向でも
よい。また変調部３は、変調制御部（ＥＯドライバ）７
によって駆動制御される。変調部３による変調範囲は、
レーザビーム２０がＪリード２の標準高さにおけるリー
ド頂点のＸ軸方向のバラツキ、例えば５０μｍ程度とす
る。また変調部３による変調周波数は、測定ステージ９
の動作スピードに対して十分早く測定するように設定し
てある。例えばＹ軸方向のＪリード２の幅を１ｍｍ、測
定ステージ９のＹ軸方向の移動速度を５０ｍｍ／ｓｅｃ
とすると、測定取りこぼしのないように１リード幅内で
１０回程度走査するように５００Ｈｚで変調するように
設定する。なお、変調部３による変調周波数は、測定ス
テージ９の動作スピードに対して十分早く測定するよう
に設定してあれば、上述した数値に限定されるものでは
ない。
器からなり、レーザ測長機４から出射されるレーザビー
ム２０を、Ｊリード２の配列方向と交差する方向に変調
させるようになっている。レーザビーム２０の変調方向
は、Ｊリード２の折曲方向、すなわちＪリード２の配列
方向と交差する直角方向に設定することが望ましいが、
レーザビームを変調する方向は、半導体装置１のＪリー
ド２の折曲方向に一致させてあれば、いずれの方向でも
よい。また変調部３は、変調制御部（ＥＯドライバ）７
によって駆動制御される。変調部３による変調範囲は、
レーザビーム２０がＪリード２の標準高さにおけるリー
ド頂点のＸ軸方向のバラツキ、例えば５０μｍ程度とす
る。また変調部３による変調周波数は、測定ステージ９
の動作スピードに対して十分早く測定するように設定し
てある。例えばＹ軸方向のＪリード２の幅を１ｍｍ、測
定ステージ９のＹ軸方向の移動速度を５０ｍｍ／ｓｅｃ
とすると、測定取りこぼしのないように１リード幅内で
１０回程度走査するように５００Ｈｚで変調するように
設定する。なお、変調部３による変調周波数は、測定ス
テージ９の動作スピードに対して十分早く測定するよう
に設定してあれば、上述した数値に限定されるものでは
ない。
【００１７】また測定ステージ９は、ステージＹ軸モー
タ１２及びステージＸ軸モータ１３により半導体装置１
のＪリード２の配列方向（Ｙ軸方向）と、Ｊリード２の
配列方向に対して直角の方向（Ｘ軸方向）とにそれぞれ
移動される。またモータ１２、１３はステージコントロ
ーラ１０により駆動制御され、ステージコントローラ１
０は主制御部８により駆動制御されるようになってい
る。
タ１２及びステージＸ軸モータ１３により半導体装置１
のＪリード２の配列方向（Ｙ軸方向）と、Ｊリード２の
配列方向に対して直角の方向（Ｘ軸方向）とにそれぞれ
移動される。またモータ１２、１３はステージコントロ
ーラ１０により駆動制御され、ステージコントローラ１
０は主制御部８により駆動制御されるようになってい
る。
【００１８】図１において、半導体装置１のＪリード２
の平坦度を測定するには、半導体装置１をＪリード２が
上向きになるように測定ステージ９上に設置する。
の平坦度を測定するには、半導体装置１をＪリード２が
上向きになるように測定ステージ９上に設置する。
【００１９】次に標準走査ライン３０、すなわち半導体
装置１のＪリード２の配列方向にレーザビーム２０が走
査するように測定ステージ９を相対変位させる。同時に
レーザビーム２０を変調器３により、標準走査ライン３
０と直交する方向に微少範囲で変調する。
装置１のＪリード２の配列方向にレーザビーム２０が走
査するように測定ステージ９を相対変位させる。同時に
レーザビーム２０を変調器３により、標準走査ライン３
０と直交する方向に微少範囲で変調する。
【００２０】各Ｊリード２で反射した反射光２１をレー
ザ測長機ヘッド４にて受光し、その受光信号に基づい
て、レーザ測長機制御部５では、リアルタイムにＪリー
ド２の高さ信号に変換する。
ザ測長機ヘッド４にて受光し、その受光信号に基づい
て、レーザ測長機制御部５では、リアルタイムにＪリー
ド２の高さ信号に変換する。
【００２１】主制御部８は、標準走査ライン３０の内、
測定ステージ９の動作に合わせて標準のＪリード２が存
在する位置で測定ゲート信号を判定器６に出力する。
測定ステージ９の動作に合わせて標準のＪリード２が存
在する位置で測定ゲート信号を判定器６に出力する。
【００２２】判定器６では、レーザ測長機制御部５の出
力と主制御部８からの出力とに基づいてＪリード２の高
さが標準の高さ範囲に入っているか、又リード高さのバ
ラツキが規定範囲内に入っているかを判定する。
力と主制御部８からの出力とに基づいてＪリード２の高
さが標準の高さ範囲に入っているか、又リード高さのバ
ラツキが規定範囲内に入っているかを判定する。
【００２３】（実施形態２）図３は、本発明の実施形態
２を示す構成図である。
２を示す構成図である。
【００２４】図３に示す本発明の実施形態２では、測定
ステージ９を直交するＸＹの２軸方向に移動させるに代
えて、測定ステージ９を定位置に固定し、レーザ測長機
ヘッド４を直交するＸＹの２軸方向に移動させるように
している。その他の構成は、実施形態１と同様である。
ステージ９を直交するＸＹの２軸方向に移動させるに代
えて、測定ステージ９を定位置に固定し、レーザ測長機
ヘッド４を直交するＸＹの２軸方向に移動させるように
している。その他の構成は、実施形態１と同様である。
【００２５】尚、実施形態では、変調部３として、ＥＯ
変調器を用いたが、ＡＯ変調器を用いてもよい。
変調器を用いたが、ＡＯ変調器を用いてもよい。
【００２６】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、レ
ーザビームをＪリード配列方向と直交方向との２方向に
走査してリード頂点高さを測定するため、リード頂点高
さのバラツキを高精度に測定することができる。
ーザビームをＪリード配列方向と直交方向との２方向に
走査してリード頂点高さを測定するため、リード頂点高
さのバラツキを高精度に測定することができる。
【図１】本発明の実施形態１を示す構成図である。
【図２】従来例を示す構成図である。
【図３】本発明の実施形態２を示す構成図である。
１ 半導体装置 ２ Ｊリード ３ 変調部 ４ レーザ測長機ヘッド ５ レーザ測長機制御部 ９ 測定ステージ １１ ステージＸ軸モータ １２ ステージＹ軸モータ
Claims (5)
- 【請求項１】 半導体装置の裏面側に折返えされたＪリ
ードの平坦度をレーザ測長機を用いて測定するリード測
定装置であって、 走査部と変調部とを有し、 走査部は、前記レーザ測長機から出射するレーザビーム
を半導体装置のＪリードの配列方向に走査するものであ
り、 変調部は、前記レーザビームを、Ｊリード配列方向と交
差する方向に変調させるものであることを特徴とするリ
ード測定装置。 - 【請求項２】 前記変調部は、前記レーザビームをＪリ
ード配列方向と交差する直角方向に変調させるものであ
ることを特徴とする請求項１に記載のリード測定装置。 - 【請求項３】 前記レーザビームを変調する方向は、半
導体装置のＪリードの折曲方向に一致させたものである
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のリード測定装
置。 - 【請求項４】 前記レーザビームの変調周波数は、半導
体装置の相対速度に対して十分早く設定したものである
ことを特徴とする請求項１、２又は３に記載のリード測
定装置。 - 【請求項５】 半導体装置の裏面側に折り返えされたＪ
リードの平坦度をレーザ測長機を用いて測定するリード
測定方法であって、 レーザ測長機から出射されるレーザビームを半導体装置
のＪリードの配列方向に走査するとともに、Ｊリード配
列方向と交差する方向に変調することにより、Ｊリード
の平坦度を測定することを特徴とするリード測定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35080797A JPH11183150A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | リード測定装置及び測定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35080797A JPH11183150A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | リード測定装置及び測定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11183150A true JPH11183150A (ja) | 1999-07-09 |
Family
ID=18413013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35080797A Pending JPH11183150A (ja) | 1997-12-19 | 1997-12-19 | リード測定装置及び測定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11183150A (ja) |
-
1997
- 1997-12-19 JP JP35080797A patent/JPH11183150A/ja active Pending
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