JPH11176969A - セラミックスパッケージ用シールキャップ部品およびそれを用いたセラミックスパッケージ - Google Patents
セラミックスパッケージ用シールキャップ部品およびそれを用いたセラミックスパッケージInfo
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅと同等の熱膨
張係数を有し、セラミックス基体に対する接合信頼性に
優れると共に、安価なセラミックスパッケージ用のシー
ルキャップ部品、およびそれを用いたセラミックスパッ
ケージが求められている。 【解決手段】 40〜45重量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎ
ｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3μm 以上
のＮｉメッキ層２を被覆形成して、 303〜573Kの温度範
囲の熱膨張係数が50〜55×10-7/Kのシールキャップ部品
１６を構成する。シールキャップ部品１６は、ＳＡＷフ
ィルタチップ１２等の電子部品が搭載されたセラミック
ス基体１に対して、電子部品を封止するように接合され
る。
張係数を有し、セラミックス基体に対する接合信頼性に
優れると共に、安価なセラミックスパッケージ用のシー
ルキャップ部品、およびそれを用いたセラミックスパッ
ケージが求められている。 【解決手段】 40〜45重量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎ
ｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3μm 以上
のＮｉメッキ層２を被覆形成して、 303〜573Kの温度範
囲の熱膨張係数が50〜55×10-7/Kのシールキャップ部品
１６を構成する。シールキャップ部品１６は、ＳＡＷフ
ィルタチップ１２等の電子部品が搭載されたセラミック
ス基体１に対して、電子部品を封止するように接合され
る。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックスパッ
ケージ用のシールキャップ部品、およびそれを用いてＳ
ＡＷチップ、水晶振動子、半導体チップ等を封止したセ
ラミックスパッケージに関する。
ケージ用のシールキャップ部品、およびそれを用いてＳ
ＡＷチップ、水晶振動子、半導体チップ等を封止したセ
ラミックスパッケージに関する。
【０００２】
【従来の技術】42wt%Ｎｉ−ＦｅのようなＦｅ−Ｎｉ系
合金や 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−ＦｅのようなＦｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ系合金は、熱膨張率が小さい低熱膨張合金とし
て知られている。これらＦｅ−Ｎｉ系合金やＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金は、例えばＳＡＷチップ、水晶振動子、半
導体チップ等を封止する際のシールキャップ部品として
用いられている。
合金や 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−ＦｅのようなＦｅ−Ｎ
ｉ−Ｃｏ系合金は、熱膨張率が小さい低熱膨張合金とし
て知られている。これらＦｅ−Ｎｉ系合金やＦｅ−Ｎｉ
−Ｃｏ系合金は、例えばＳＡＷチップ、水晶振動子、半
導体チップ等を封止する際のシールキャップ部品として
用いられている。
【０００３】すなわち、ＳＡＷチップ、水晶振動子、半
導体チップ等の電子部品は、信頼性を確保する上で、こ
れら電子部品と熱膨張係数が近似するセラミックス基体
上に搭載される。そして、これらセラミックス基体上に
搭載された電子部品をシールキャップで封止する場合、
セラミックス基体とシールキャップとの接合信頼性を高
めるために、熱膨張係数が小さいセラミックス基体に対
するシールキャップ部品として、上記したようなＦｅ−
Ｎｉ系合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金が使用されてい
る。
導体チップ等の電子部品は、信頼性を確保する上で、こ
れら電子部品と熱膨張係数が近似するセラミックス基体
上に搭載される。そして、これらセラミックス基体上に
搭載された電子部品をシールキャップで封止する場合、
セラミックス基体とシールキャップとの接合信頼性を高
めるために、熱膨張係数が小さいセラミックス基体に対
するシールキャップ部品として、上記したようなＦｅ−
Ｎｉ系合金やＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金が使用されてい
る。
【０００４】これは、セラミックス基体とシールキャッ
プとの間の熱膨張係数の差が大きいと、これらをＡｕ−
Ｓｎ等の低融点ろう材（融点:573K)等を用いて接合する
際の熱処理過程（特に冷却過程）や実使用時の環境温度
変化等により熱応力が発生して、この熱応力（残留応
力）がセラミックス基体とシールキャップとの接合信頼
性を低下させるためである。このようなシールキャップ
部品には、特に適度な熱膨張係数を有する 29wt%Ｎｉ−
17wt%Ｃｏ−Ｆｅ、いわゆるコバール（熱膨張係数(303
〜573K):約50×10-7/K）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金
に、厚さ 2μm 程度のＮｉメッキを施した部材が主とし
て使用されている。
プとの間の熱膨張係数の差が大きいと、これらをＡｕ−
Ｓｎ等の低融点ろう材（融点:573K)等を用いて接合する
際の熱処理過程（特に冷却過程）や実使用時の環境温度
変化等により熱応力が発生して、この熱応力（残留応
力）がセラミックス基体とシールキャップとの接合信頼
性を低下させるためである。このようなシールキャップ
部品には、特に適度な熱膨張係数を有する 29wt%Ｎｉ−
17wt%Ｃｏ−Ｆｅ、いわゆるコバール（熱膨張係数(303
〜573K):約50×10-7/K）等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金
に、厚さ 2μm 程度のＮｉメッキを施した部材が主とし
て使用されている。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、 29wt%
Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金は
高価なＣｏを含有することから、製造コストが高いとい
う難点を有している。一方、 42wt%Ｎｉ−Ｆｅに代表さ
れるＦｅ−Ｎｉ系合金は、Ｃｏを含まない分だけ安価で
あるものの、例えば 42wt%Ｎｉ−Ｆｅの熱膨張係数(303
〜573K）は 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅに比べて約46
×10-7/Kと小さく、セラミックス基体に接合した際に信
頼性を低下させるという問題を有している。このような
ことから、29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅと同等の熱膨
張係数を有し、かつ安価なシールキャップ部品が求めら
れている。
Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ系合金は
高価なＣｏを含有することから、製造コストが高いとい
う難点を有している。一方、 42wt%Ｎｉ−Ｆｅに代表さ
れるＦｅ−Ｎｉ系合金は、Ｃｏを含まない分だけ安価で
あるものの、例えば 42wt%Ｎｉ−Ｆｅの熱膨張係数(303
〜573K）は 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅに比べて約46
×10-7/Kと小さく、セラミックス基体に接合した際に信
頼性を低下させるという問題を有している。このような
ことから、29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅと同等の熱膨
張係数を有し、かつ安価なシールキャップ部品が求めら
れている。
【０００６】本発明はこのような課題に対処するために
なされたもので、 29wt%Ｎｉ−17wt% Ｃｏ−Ｆｅと同等
の熱膨張係数を有し、セラミックス基体に対する接合信
頼性に優れ、かつ安価なセラミックスパッケージ用のシ
ールキャップ部品、およびそれを用いたセラミックスパ
ッケージを提供することを目的としている。
なされたもので、 29wt%Ｎｉ−17wt% Ｃｏ−Ｆｅと同等
の熱膨張係数を有し、セラミックス基体に対する接合信
頼性に優れ、かつ安価なセラミックスパッケージ用のシ
ールキャップ部品、およびそれを用いたセラミックスパ
ッケージを提供することを目的としている。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、上記目的
を達成するために検討を進めたところ、 42wt%Ｎｉ−Ｆ
ｅに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合金に対して、厚さ 3μm
以上のＮｉメッキを施すことによって、クラッド効果に
より 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金と同等の熱膨張係数(303〜573K）が得られるこ
とを見出した。本発明はこのような知見に基いてなされ
たものであり、本発明のセラミックスパッケージ用シー
ルキャップ部品は、請求項１に記載したように、セラミ
ックスパッケージのシールキャップ部品であって、40〜
45重量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部
品本体と、前記部品本体の表面に被覆形成され、 3μm
以上の厚さを有するＮｉメッキ層とを具備することを特
徴としている。
を達成するために検討を進めたところ、 42wt%Ｎｉ−Ｆ
ｅに代表されるＦｅ−Ｎｉ系合金に対して、厚さ 3μm
以上のＮｉメッキを施すことによって、クラッド効果に
より 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ−Ｎｉ−Ｃ
ｏ系合金と同等の熱膨張係数(303〜573K）が得られるこ
とを見出した。本発明はこのような知見に基いてなされ
たものであり、本発明のセラミックスパッケージ用シー
ルキャップ部品は、請求項１に記載したように、セラミ
ックスパッケージのシールキャップ部品であって、40〜
45重量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部
品本体と、前記部品本体の表面に被覆形成され、 3μm
以上の厚さを有するＮｉメッキ層とを具備することを特
徴としている。
【０００８】本発明のセラミックスパッケージ用シール
キャップ部品は、特に請求項２に記載したように、熱膨
張係数(303〜573K）が50〜55×10-7/Kの範囲であること
を特徴としている。
キャップ部品は、特に請求項２に記載したように、熱膨
張係数(303〜573K）が50〜55×10-7/Kの範囲であること
を特徴としている。
【０００９】本発明のセラミックスパッケージは、請求
項４に記載したように、電子部品が搭載されたセラミッ
クス基体と、前記電子部品を封止するように、前記セラ
ミックス基体に接合されたシールキャップとを具備する
セラミックスパッケージにおいて、前記シールキャップ
は上記した本発明のセラミックスパッケージ用シールキ
ャップ部品からなることを特徴としている。
項４に記載したように、電子部品が搭載されたセラミッ
クス基体と、前記電子部品を封止するように、前記セラ
ミックス基体に接合されたシールキャップとを具備する
セラミックスパッケージにおいて、前記シールキャップ
は上記した本発明のセラミックスパッケージ用シールキ
ャップ部品からなることを特徴としている。
【００１０】本発明のセラミックスパッケージ用シール
キャップ部品においては、部品本体としてのＦｅ−Ｎｉ
系合金（Ｎｉ：40〜45重量%)の表面に、厚さ 3μm 以上
のＮｉメッキ層を被覆形成している。このような厚さ 3
μm 以上のＮｉメッキ層を適用することによって、クラ
ッド効果により 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ系合金と同等の熱膨張係数(303〜573K）、
具体的には50〜55×10-7/Kの範囲の熱膨張係数が得られ
る。そして、部品本体には安価なＦｅ−Ｎｉ系合金を用
いているため、安価でかつセラミックス基体に対して接
合信頼性に優れるシールキャップ部品を提供することが
できる。
キャップ部品においては、部品本体としてのＦｅ−Ｎｉ
系合金（Ｎｉ：40〜45重量%)の表面に、厚さ 3μm 以上
のＮｉメッキ層を被覆形成している。このような厚さ 3
μm 以上のＮｉメッキ層を適用することによって、クラ
ッド効果により 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅ等のＦｅ
−Ｎｉ−Ｃｏ系合金と同等の熱膨張係数(303〜573K）、
具体的には50〜55×10-7/Kの範囲の熱膨張係数が得られ
る。そして、部品本体には安価なＦｅ−Ｎｉ系合金を用
いているため、安価でかつセラミックス基体に対して接
合信頼性に優れるシールキャップ部品を提供することが
できる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施するための形
態について説明する。
態について説明する。
【００１２】図１は、本発明のセラミックスパッケージ
用シールキャップ部品の一実施形態の要部構造を示す断
面図である。同図において、１は40〜45重量% のＮｉを
含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体である。こ
の部品本体１の表面には、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ
層２が被覆形成されており、これらによりシールキャッ
プ部品３が構成されている。なお、シールキャップ部品
３の全体形状は、使用するセラミックスパッケージに応
じて、適宜設定されるものである。
用シールキャップ部品の一実施形態の要部構造を示す断
面図である。同図において、１は40〜45重量% のＮｉを
含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体である。こ
の部品本体１の表面には、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ
層２が被覆形成されており、これらによりシールキャッ
プ部品３が構成されている。なお、シールキャップ部品
３の全体形状は、使用するセラミックスパッケージに応
じて、適宜設定されるものである。
【００１３】ここで、部品本体１の構成材料であるＦｅ
−Ｎｉ系合金において、Ｎｉは熱膨張係数を低下させる
元素であり、その含有量は40〜45重量% の範囲とする。
Ｎｉ含有量が40重量% 未満であっても、また45重量% を
超えても熱膨張係数が大きくなる。
−Ｎｉ系合金において、Ｎｉは熱膨張係数を低下させる
元素であり、その含有量は40〜45重量% の範囲とする。
Ｎｉ含有量が40重量% 未満であっても、また45重量% を
超えても熱膨張係数が大きくなる。
【００１４】また、炭化物、窒化物、金属間化合物等の
化合物からなる粒状析出物を析出させて、シールキャッ
プ部品の機械的強度、耐熱性、プレス打抜き性等を向上
させる上で、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの４Ａ族元素やＶ、Ｎ
ｂ、Ｔａの５Ａ族元素等を添加してもよい。これら元素
の添加量は 5重量% 以下程度とすることが好ましい。
化合物からなる粒状析出物を析出させて、シールキャッ
プ部品の機械的強度、耐熱性、プレス打抜き性等を向上
させる上で、Ｔｉ、Ｚｒ、Ｈｆの４Ａ族元素やＶ、Ｎ
ｂ、Ｔａの５Ａ族元素等を添加してもよい。これら元素
の添加量は 5重量% 以下程度とすることが好ましい。
【００１５】部品本体１の厚さは特に限定されるもので
はないが、後に詳述する厚さ 3μm以上のＮｉメッキ層
２のクラッド効果による熱膨張係数の制御性を十分に得
る上で、0.25mm以下とすることが好ましい。部品本体１
の厚さが0.25mmを超えると、厚さ 3μm 以上のＮｉメッ
キ層２を被覆形成しても、十分に熱膨張係数を制御でき
ないおそれがある。
はないが、後に詳述する厚さ 3μm以上のＮｉメッキ層
２のクラッド効果による熱膨張係数の制御性を十分に得
る上で、0.25mm以下とすることが好ましい。部品本体１
の厚さが0.25mmを超えると、厚さ 3μm 以上のＮｉメッ
キ層２を被覆形成しても、十分に熱膨張係数を制御でき
ないおそれがある。
【００１６】上記したようなＦｅ−Ｎｉ系合金からなる
部品本体１の表面に、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２
が被覆形成されている。このＮｉメッキ層２は、通常の
電解メッキや無電解メッキにより形成することができ
る。このような厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２を、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に被覆形成す
ることによって、Ｎｉメッキ層２のクラッド効果により
例えば厚さ 2μm 程度のＮｉメッキを施した 29wt%Ｎｉ
−17 wt%Ｃｏ−Ｆｅと同等の熱膨張係数を得ることがで
きる。
部品本体１の表面に、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２
が被覆形成されている。このＮｉメッキ層２は、通常の
電解メッキや無電解メッキにより形成することができ
る。このような厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２を、Ｆ
ｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に被覆形成す
ることによって、Ｎｉメッキ層２のクラッド効果により
例えば厚さ 2μm 程度のＮｉメッキを施した 29wt%Ｎｉ
−17 wt%Ｃｏ−Ｆｅと同等の熱膨張係数を得ることがで
きる。
【００１７】具体的な 303〜573Kの温度範囲の熱膨張係
数としては、50〜55×10-7/Kの範囲の値を実現すること
ができる。このような熱膨張係数を有するシールキャッ
プ部品３によれば、セラミックス基体に対して優れた接
合信頼性を得ることができ、かつ部品本体１にはＣｏを
含まず安価なＦｅ−Ｎｉ系合金を使用しているため、シ
ールキャップ部品３の低コスト化を図ることができる。
数としては、50〜55×10-7/Kの範囲の値を実現すること
ができる。このような熱膨張係数を有するシールキャッ
プ部品３によれば、セラミックス基体に対して優れた接
合信頼性を得ることができ、かつ部品本体１にはＣｏを
含まず安価なＦｅ−Ｎｉ系合金を使用しているため、シ
ールキャップ部品３の低コスト化を図ることができる。
【００１８】本発明のシールキャップ部品３は、各種の
電子部品のセラミックスパッケージに適用することがで
きる。セラミックスパッケージの具体例としては、セラ
ミックス基体上に搭載されたＳＡＷチップ、水晶振動
子、半導体チップ等の電子部品を有するパッケージが挙
げられ、これら各種の電子部品を封止するシールキャッ
プとして本発明のシールキャップ部品が用いられる。特
に、表面実装型のＳＡＷフィルタや水晶振動子等のセラ
ミックスパッケージに対して好適である。
電子部品のセラミックスパッケージに適用することがで
きる。セラミックスパッケージの具体例としては、セラ
ミックス基体上に搭載されたＳＡＷチップ、水晶振動
子、半導体チップ等の電子部品を有するパッケージが挙
げられ、これら各種の電子部品を封止するシールキャッ
プとして本発明のシールキャップ部品が用いられる。特
に、表面実装型のＳＡＷフィルタや水晶振動子等のセラ
ミックスパッケージに対して好適である。
【００１９】次に、上記したような本発明のセラミック
スパッケージの実施形態について、図面を参照して説明
する。
スパッケージの実施形態について、図面を参照して説明
する。
【００２０】図２は、本発明のセラミックスパッケージ
をＳＡＷフィルタの表面実装型パッケージ部品に適用し
た一実施形態の概略構成を示す断面図である。図２に示
すＳＡＷフィルタパッケージ１０は、断面コ字形状のセ
ラミックス基体１１を有しており、このセラミックス基
体１１にはＳＡＷフィルタチップ１２の収容部となるキ
ャビティ１１ａが形成されている。
をＳＡＷフィルタの表面実装型パッケージ部品に適用し
た一実施形態の概略構成を示す断面図である。図２に示
すＳＡＷフィルタパッケージ１０は、断面コ字形状のセ
ラミックス基体１１を有しており、このセラミックス基
体１１にはＳＡＷフィルタチップ１２の収容部となるキ
ャビティ１１ａが形成されている。
【００２１】セラミックス基体１１のキャビティ１１ａ
の底面部には、例えば厚膜からなる内部電極１３が形成
されており、この内部電極１３はスルーホール１４を介
して外部電極１５に接続されている。ＳＡＷフィルタチ
ップ１２は、内部電極１３とＳＡＷフィルタチップ１２
の端部電極１２ａとが電気的に接続するように、セラミ
ックス基体１１のキャビティ１１ａ内に収容、搭載され
ている。
の底面部には、例えば厚膜からなる内部電極１３が形成
されており、この内部電極１３はスルーホール１４を介
して外部電極１５に接続されている。ＳＡＷフィルタチ
ップ１２は、内部電極１３とＳＡＷフィルタチップ１２
の端部電極１２ａとが電気的に接続するように、セラミ
ックス基体１１のキャビティ１１ａ内に収容、搭載され
ている。
【００２２】そして、ＳＡＷフィルタチップ１２が収容
されたセラミックス基体１１のキャビティ１１ａを封止
するように、セラミックス基体１１に対して平板状のシ
ールキャップ１６が、例えばＡｕ−Ｓｎ等の低融点ろう
材（融点：約573K) 等からなる接合層１７を介して接合
されている。このシールキャップ１６は、前述した実施
形態で説明したように、40〜45重量% のＮｉを含有する
Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3
μm 以上のＮｉメッキ層２を被覆形成したシールキャッ
プ部品からなるものである。
されたセラミックス基体１１のキャビティ１１ａを封止
するように、セラミックス基体１１に対して平板状のシ
ールキャップ１６が、例えばＡｕ−Ｓｎ等の低融点ろう
材（融点：約573K) 等からなる接合層１７を介して接合
されている。このシールキャップ１６は、前述した実施
形態で説明したように、40〜45重量% のＮｉを含有する
Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3
μm 以上のＮｉメッキ層２を被覆形成したシールキャッ
プ部品からなるものである。
【００２３】このようなＳＡＷフィルタパッケージ１０
によれば、その製造コストの低減を図った上で、シール
キャップ１６の良好な接合信頼性を確保することができ
るため、低コスト化および高信頼性を共に満足させるこ
とが可能となる。
によれば、その製造コストの低減を図った上で、シール
キャップ１６の良好な接合信頼性を確保することができ
るため、低コスト化および高信頼性を共に満足させるこ
とが可能となる。
【００２４】図３は、本発明のセラミックスパッケージ
を半導体チップのＢＧＡ(Ball GridArray)パッケージに
適用した一実施形態の概略構成を示す断面図である。図
３に示すＢＧＡパッケージ２０は、セラミックス基体と
して複数のセラミックス層２１、２１……を多層一体化
したセラミックス多層基板２２を有している。各セラミ
ックス層２１の上部および内部（スルーホール）には、
所定の配線パターンを有する内部配線２３が設けられて
おり、またセラミックス多層基板２２の上面側にはキャ
ビティ２２ａが形成されている。
を半導体チップのＢＧＡ(Ball GridArray)パッケージに
適用した一実施形態の概略構成を示す断面図である。図
３に示すＢＧＡパッケージ２０は、セラミックス基体と
して複数のセラミックス層２１、２１……を多層一体化
したセラミックス多層基板２２を有している。各セラミ
ックス層２１の上部および内部（スルーホール）には、
所定の配線パターンを有する内部配線２３が設けられて
おり、またセラミックス多層基板２２の上面側にはキャ
ビティ２２ａが形成されている。
【００２５】セラミックス多層基板２２のキャビティ２
２ａ内には、半導体チップ２４が接合搭載されており、
この半導体チップ２４と内部配線２３とは、ボンディン
グワイヤ２５を介して電気的に接続されている。内部配
線２３の他方の端部には、外部接続端子としてボール端
子２６が電気的に接続されている。そして、半導体チッ
プ２４は、上述したＳＡＷフィルタパッケージ１０と同
様に、セラミックス多層基板２２に接合層２７を介して
接合された平板状のシールキャップ２８により封止され
ている。このシールキャップ２８は、前述した実施形態
で説明したように、40〜45重量% のＮｉを含有するＦｅ
−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3μm
以上のＮｉメッキ層２を被覆形成したシールキャップ部
品からなるものである。
２ａ内には、半導体チップ２４が接合搭載されており、
この半導体チップ２４と内部配線２３とは、ボンディン
グワイヤ２５を介して電気的に接続されている。内部配
線２３の他方の端部には、外部接続端子としてボール端
子２６が電気的に接続されている。そして、半導体チッ
プ２４は、上述したＳＡＷフィルタパッケージ１０と同
様に、セラミックス多層基板２２に接合層２７を介して
接合された平板状のシールキャップ２８により封止され
ている。このシールキャップ２８は、前述した実施形態
で説明したように、40〜45重量% のＮｉを含有するＦｅ
−Ｎｉ系合金からなる部品本体１の表面に、厚さ 3μm
以上のＮｉメッキ層２を被覆形成したシールキャップ部
品からなるものである。
【００２６】また図４は、本発明のセラミックスパッケ
ージを水晶振動子のパッケージ部品（ハーメチックシー
ル）３０に適用した一実施形態の概略構成を示す断面図
である。このハーメチックシール３０においては、スプ
リングを備えた水晶３１がセラミックスベース３２とシ
ールキャップ３３とにより構成されたケーシング内に配
置されている。水晶３１には合金材料等からなるリード
３４が厚膜電極３５を介して電気的に接続されており、
リード３４はセラミックスベース３２の貫通部において
ガラスシールされている。そして、上記シールキャップ
３３は、前述した実施形態で説明したように、40〜45重
量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本
体１の表面に、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２を被覆
形成したシールキャップ部品からなり、セラミックスベ
ース３２に接合層３６を介して接合されている。
ージを水晶振動子のパッケージ部品（ハーメチックシー
ル）３０に適用した一実施形態の概略構成を示す断面図
である。このハーメチックシール３０においては、スプ
リングを備えた水晶３１がセラミックスベース３２とシ
ールキャップ３３とにより構成されたケーシング内に配
置されている。水晶３１には合金材料等からなるリード
３４が厚膜電極３５を介して電気的に接続されており、
リード３４はセラミックスベース３２の貫通部において
ガラスシールされている。そして、上記シールキャップ
３３は、前述した実施形態で説明したように、40〜45重
量% のＮｉを含有するＦｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本
体１の表面に、厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層２を被覆
形成したシールキャップ部品からなり、セラミックスベ
ース３２に接合層３６を介して接合されている。
【００２７】これら半導体チップのＢＧＡパッケージ２
０や水晶振動子のパッケージ部品（ハーメチックシー
ル）３０においても、ＳＡＷフィルタパッケージ１０と
同様に、その製造コストの低減を図った上で、シールキ
ャップ２８、３３の良好な接合信頼性を確保することが
できるため、低コスト化および高信頼性を共に満足させ
ることが可能となる。
０や水晶振動子のパッケージ部品（ハーメチックシー
ル）３０においても、ＳＡＷフィルタパッケージ１０と
同様に、その製造コストの低減を図った上で、シールキ
ャップ２８、３３の良好な接合信頼性を確保することが
できるため、低コスト化および高信頼性を共に満足させ
ることが可能となる。
【００２８】
【実施例】次に、本発明の具体的な実施例およびその評
価結果について説明する。
価結果について説明する。
【００２９】実施例１ 厚さが 0.1mmの 42wt%Ｎｉ−Ｆｅ組成のＦｅ−Ｎｉ合金
板を用意し、このＦｅ−Ｎｉ合金板の表面に種々の厚さ
のＮｉメッキ層を無電解メッキ法で被覆形成して、それ
ぞれシールキャップ部品を作製した。各Ｎｉメッキ層の
厚さは表１に示す通りであり、Ｎｉメッキ層の厚さが 3
μm 以上のものが本発明の実施例に相当するものであ
る。これら各シールキャップ部品の 303〜573Kの温度範
囲の熱膨張係数を測定した。その結果を併せて表１に示
す。
板を用意し、このＦｅ−Ｎｉ合金板の表面に種々の厚さ
のＮｉメッキ層を無電解メッキ法で被覆形成して、それ
ぞれシールキャップ部品を作製した。各Ｎｉメッキ層の
厚さは表１に示す通りであり、Ｎｉメッキ層の厚さが 3
μm 以上のものが本発明の実施例に相当するものであ
る。これら各シールキャップ部品の 303〜573Kの温度範
囲の熱膨張係数を測定した。その結果を併せて表１に示
す。
【００３０】また、本発明との比較例１として、Ｎｉメ
ッキ層の厚さを 2μm とする以外は上記実施例１と同様
にして、シールキャップ部品を作製した。また、比較例
２として、厚さが 0.1mmの 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆ
ｅ組成のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金板（コバール板）を用意
し、このコバール板の表面に実施例１と同様にして、厚
さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した。これら比較例
１、２による各シールキャップ部品についても、 303〜
573Kの温度範囲の熱膨張係数を測定した。その結果を併
せて表１に示す。
ッキ層の厚さを 2μm とする以外は上記実施例１と同様
にして、シールキャップ部品を作製した。また、比較例
２として、厚さが 0.1mmの 29wt%Ｎｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆ
ｅ組成のＦｅ−Ｎｉ−Ｃｏ合金板（コバール板）を用意
し、このコバール板の表面に実施例１と同様にして、厚
さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した。これら比較例
１、２による各シールキャップ部品についても、 303〜
573Kの温度範囲の熱膨張係数を測定した。その結果を併
せて表１に示す。
【００３１】なお、実施例のシールキャップ部品の部品
本体として用いた 42wt%Ｎｉ−Ｆｅの 303〜573Kの温度
範囲の熱膨張係数は46×10-7/Kであり、比較例２のシー
ルキャップ部品の部品本体として用いた 29wt%Ｎｉ− 1
7wt%Ｃｏ−Ｆｅの 303〜573Kの温度範囲の熱膨張係数は
50×10-7/Kである。
本体として用いた 42wt%Ｎｉ−Ｆｅの 303〜573Kの温度
範囲の熱膨張係数は46×10-7/Kであり、比較例２のシー
ルキャップ部品の部品本体として用いた 29wt%Ｎｉ− 1
7wt%Ｃｏ−Ｆｅの 303〜573Kの温度範囲の熱膨張係数は
50×10-7/Kである。
【００３２】
【表１】 表１から明らかなように、 42wt%Ｎｉ−Ｆｅの表面に厚
さ 3μm 以上のＮｉメッキ層を被覆形成することによっ
て、厚さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した29wt%Ｎ
ｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅと同様な熱膨張係数(303〜573K）
を得ることができる。従って、安価でかつセラミックス
基体に対して接合信頼性に優れるシールキャップ部品を
提供することが可能となる。
さ 3μm 以上のＮｉメッキ層を被覆形成することによっ
て、厚さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した29wt%Ｎ
ｉ− 17wt%Ｃｏ−Ｆｅと同様な熱膨張係数(303〜573K）
を得ることができる。従って、安価でかつセラミックス
基体に対して接合信頼性に優れるシールキャップ部品を
提供することが可能となる。
【００３３】また、上記実施例によるシールキャップ部
品を用いて、図２に示したＳＡＷフィルタパッケージ１
０、図３に示した半導体チップのＢＧＡパッケージ２
０、および図４に示した水晶振動子のパッケージ部品
（ハーメチックシール）をそれぞれ作製したところ、厚
さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した 29wt%Ｎｉ−17
wt% Ｃｏ−Ｆｅで作製したシールキャップ部品と同様
に、良好な接合信頼性を得ることができた。
品を用いて、図２に示したＳＡＷフィルタパッケージ１
０、図３に示した半導体チップのＢＧＡパッケージ２
０、および図４に示した水晶振動子のパッケージ部品
（ハーメチックシール）をそれぞれ作製したところ、厚
さ 2μm のＮｉメッキ層を被覆形成した 29wt%Ｎｉ−17
wt% Ｃｏ−Ｆｅで作製したシールキャップ部品と同様
に、良好な接合信頼性を得ることができた。
【００３４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
安価でかつセラミックス基体に対する接合信頼性に優れ
るシールキャップ部品を提供することができる。従っ
て、このようなシールキャップ部品を用いることによっ
て、セラミックスパッケージの信頼性を維持した上で、
製造コストの低減を図ることが可能となる。
安価でかつセラミックス基体に対する接合信頼性に優れ
るシールキャップ部品を提供することができる。従っ
て、このようなシールキャップ部品を用いることによっ
て、セラミックスパッケージの信頼性を維持した上で、
製造コストの低減を図ることが可能となる。
【図１】 本発明のセラミックスパッケージ用シールキ
ャップ部品の一実施形態の要部構造を示す断面図であ
る。
ャップ部品の一実施形態の要部構造を示す断面図であ
る。
【図２】 本発明のセラミックスパッケージをＳＡＷフ
ィルタパッケージに適用した実施形態の概略構成を示す
断面図である。
ィルタパッケージに適用した実施形態の概略構成を示す
断面図である。
【図３】 本発明のセラミックスパッケージを半導体チ
ップのＢＧＡパッケージに適用した実施形態の概略構成
を示す断面図である。
ップのＢＧＡパッケージに適用した実施形態の概略構成
を示す断面図である。
【図４】 本発明のセラミックスパッケージを水晶振動
子のハーメチックシールに適用した実施形態の概略構成
を示す断面図である。
子のハーメチックシールに適用した実施形態の概略構成
を示す断面図である。
１………Ｆｅ−Ｎｉ系合金からなる部品本体 ２………厚さ 3μm 以上のＮｉメッキ層 ３………セラミックスパッケージ用シールキャップ部品 １０……ＳＡＷフィルタパッケージ １１……セラミックス基体 １２……ＳＡＷフィルタチップ １６、２８、３３……シールキャップ ２０……ＢＧＡパッケージ ２２……セラミックス多層基板 ２４……半導体チップ ３０……水晶振動子のハーメチックシール ３１……水晶 ３２……セラミックスベース
Claims (5)
- 【請求項１】 セラミックスパッケージのシールキャッ
プ部品であって、40〜45重量% のＮｉを含有するＦｅ−
Ｎｉ系合金からなる部品本体と、前記部品本体の表面に
被覆形成され、 3μm 以上の厚さを有するＮｉメッキ層
とを具備することを特徴とするセラミックスパッケージ
用シールキャップ部品。 - 【請求項２】 請求項１記載のセラミックスパッケージ
用シールキャップ部品において、 熱膨張係数(303〜573K）が50〜55×10-7/Kの範囲である
ことを特徴とするセラミックスパッケージ用シールキャ
ップ部品。 - 【請求項３】 請求項１記載のセラミックスパッケージ
用シールキャップ部品において、 前記Ｆｅ−Ｎｉ系合金は、４Ａ族元素および５Ａ族元素
から選らればれる少なくとも 1種の元素を 5重量% 以下
の範囲で含有することを特徴とするセラミックスパッケ
ージ用シールキャップ部品。 - 【請求項４】 電子部品が搭載されたセラミックス基体
と、前記電子部品を封止するように、前記セラミックス
基体に接合されたシールキャップとを具備するセラミッ
クスパッケージにおいて、 前記シールキャップは、請求項１記載のセラミックスパ
ッケージ用シールキャップ部品からなることを特徴とす
るセラミックスパッケージ。 - 【請求項５】 請求項４記載のセラミックスパッケージ
において、 前記電子部品は、ＳＡＷチップ、水晶振動子または半導
体チップであることを特徴とするセラミックスパッケー
ジ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34304497A JPH11176969A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | セラミックスパッケージ用シールキャップ部品およびそれを用いたセラミックスパッケージ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34304497A JPH11176969A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | セラミックスパッケージ用シールキャップ部品およびそれを用いたセラミックスパッケージ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11176969A true JPH11176969A (ja) | 1999-07-02 |
Family
ID=18358514
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34304497A Withdrawn JPH11176969A (ja) | 1997-12-12 | 1997-12-12 | セラミックスパッケージ用シールキャップ部品およびそれを用いたセラミックスパッケージ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11176969A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050045323A (ko) * | 2003-11-11 | 2005-05-17 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 패키지의 기밀성 향상방법 및 이에 따라 제조된기밀성이 향상된 세라믹 패키지 |
| WO2010010721A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
-
1997
- 1997-12-12 JP JP34304497A patent/JPH11176969A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20050045323A (ko) * | 2003-11-11 | 2005-05-17 | 삼성전기주식회사 | 세라믹 패키지의 기밀성 향상방법 및 이에 따라 제조된기밀성이 향상된 세라믹 패키지 |
| WO2010010721A1 (ja) * | 2008-07-25 | 2010-01-28 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
| US8525323B2 (en) | 2008-07-25 | 2013-09-03 | Nec Corporation | Encapsulating package, printed circuit board, electronic device and method for manufacturing encapsulating package |
| JP5343969B2 (ja) * | 2008-07-25 | 2013-11-13 | 日本電気株式会社 | 封止パッケージ、プリント回路基板、電子機器及び封止パッケージの製造方法 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20050301 |