JPH1117231A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH1117231A JPH1117231A JP17082497A JP17082497A JPH1117231A JP H1117231 A JPH1117231 A JP H1117231A JP 17082497 A JP17082497 A JP 17082497A JP 17082497 A JP17082497 A JP 17082497A JP H1117231 A JPH1117231 A JP H1117231A
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Abstract
速光通信を行う場合、発光素子およびドライブICに大
電流を供給したとき、発光素子およびドライブICの発
熱に対して放熱が不十分なため、発光素子の出力が低下
して十分な光出力を得ることができなかった。 【解決手段】 発光素子と、該発光素子を駆動するため
のドライブICとを設置したリードフレームを樹脂モー
ルドで成形してなる光半導体装置において、リードフレ
ームは樹脂モールドの外側に延設部を有してなり、その
延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りに前
記発光素子の前面および背面を覆うように設置すること
により、放熱性を高め、高出力を得られるようにした。
Description
るものであり、特に高速光ファイバデータリンクに用い
られる光半導体装置に関するものである。
面図であり、リードフレーム51上に発光素子52を設
置して透光性樹脂モールド53で被覆されている。リー
ドフレーム51は延設部51aを有しており、発光素子
設置面とは反対の方向に折り曲げられている。この延設
部51aは放熱板として機能するので、発光素子52に
大きな電流を流しても、発光素子52等から発生する熱
はリードフレーム51を伝導して延設部51aで放熱さ
れ、光半導体装置50の過熱を防いでいる。
断面図であり、リードフレーム61上には発光素子62
が設けられおり、透光性樹脂モールド63でモールドさ
れている。
ており、延設部61aは透光性樹脂モールドの外側にあ
る。延設部61aにはビス等で他の部品と接続できる穴
61bを有しており、放熱効果を高めている。
大16Mbps程度の光通信に使用されている。また、
この光半導体装置の光出力は動作温度70℃において、
200mW程度である。
50Mbps以上の高速光通信を行う場合、動作温度7
0℃において、500mW程度の出力を確保する必要が
あるが、図5、図6に示されるような光半導体装置で
は、発光素子およびドライブICに大電流を供給したと
き、発光素子およびドライブICの発熱に対して放熱が
不十分なため、発光素子の出力が低下して十分な光出力
を得ることができなかった。
ルドされていないので、外部に不要なノイズを放出した
り、また外部からの電磁波によって誤動作する怖れがあ
った。
のであり、高速光通信に対応した高出力で信頼性の高い
の光半導体装置を提供することを目的とする。
光半導体装置は、発光素子と、該発光素子を駆動するた
めのドライブICとを設置したリードフレームを樹脂モ
ールドで成形してなる光半導体装置において、前記リー
ドフレームは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、
該延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを
覆うように設置され、発光素子前面に対応する部分に窓
が穿設されるとともに、接地端子に電気的に接続されて
なることを特徴とするものである。
置は、前記リードフレームの延設部は弾性変形するよう
に形成され、ホルダーに挿入して固定されることを特徴
とするものである。
置は、前記リードフレームの延設部の面積は、樹脂モー
ルド内のリードフレームの面積の9倍以上であることを
特徴とするものである。
る、光半導体装置の斜視図である。発光素子等を設置し
たリードフレーム11は透光性のモールド樹脂13でモ
ールドされている。モールド樹脂13の外側にリードフ
レームの延設部11a、11bがモールド樹脂13のま
わりに折り曲げられて光半導体装置10が形成されてい
る。延設部11aはモールド樹脂13の前面を覆ってお
り、延設部11bはモールド樹脂13の背面を覆ってい
る。延設部11aには窓12が穿設されており、窓12
を通してモールド樹脂13内部に設置された発光素子か
らの光が放出される。11c、11d、11e、11f
はリードフレームの端子部であり、特に11fは接地端
子である。
り、図2(a)はその正面図であり、図2(b)はその
側面図であり、図2(c)はモールド内部を示す説明図
である。なお、説明上、図2のリードフレーム11は折
り曲げる前の状態で示してある。
3の外部にある延設部11a、11bと端子部11c、
11d、11e、11fが設けられている。特に11f
は設置端子である、延設部11aには窓12が穿設され
ている。リードフレーム11の厚さは0.25mm程度
であり、銅合金等を使用している。
D)16、ドライブIC17、チップコンデンサ18が
銀ペーストにより取付けられている。ドライブIC17
はリードフレーム11の延設部11a、11bと一体に
形成された部分に設置されている。それらの素子は金線
等のワイヤー19によりリードフレーム11に電気的に
接続されている。また、延設部11a、11bは接地端
子11fと接続されている。発光素子16、ドライブI
C17、チップコンデンサ18はモールド樹脂13で封
止される。モールド樹脂13の発光素子16に対応する
部分はレンズ部14が形成されている。
生するが、それを設置するリードフレームが延設部11
a、11bと一体になっているので、放熱効率が良い。
折り曲げられてモールド樹脂13の前面、裏面を覆うよ
うに配置され、図1に示されるような光半導体装置10
が形成される。リードフレームの延設部11a、11b
は十分な放熱面積をもち、また、接地端子と接続されて
いるのでシールド機能があり、モールド樹脂13内部の
部品から発生するノイズを外部へ放出することを防止す
ることができ、また、外部ノイズからドライブICを保
護することができる。
取付け方法を説明する略断面図であり、図3(a)は取
付前の説明図であり、図3(b)は取付状態の説明図で
ある。
半導体装置10は、ホルダーに入れて使用される。図3
(a)に示されるように、光半導体装置10の延設部a
は発光素子の接地面側に折り曲げられており、また、延
設部11bは発光素子の設置面とは反対側に折り曲げら
れている。このとき、樹脂モールド13には密着させず
に少し離れるように折り曲げておくことにより、延設部
11a及び11bは弾性変形可能になっている。これを
ホルダー20に挿入する。ホルダー20は熱伝導性の高
いフィラ入りの樹脂で形成されている。すると、図3
(b)に示されるように、ホルダー20に挿入固定した
とき、延設部11a及び11bは樹脂モールド13に押
しつけられ、その反発力でホルダー20の内壁に密着す
る。延設部11a、11bとフォルダー20との接触面
積が大きくなり、光半導体装置10で発生した熱を延設
部11bを介してホルダー部へ速やかに伝導することが
できる。
度と出力との関係を示すグラフである。図4において、
縦軸は光半導体装置の出力を示し、横軸は動作温度(光
半導体装置が設置された近傍の温度)を示している。リ
ードフレームの厚さは0.25mmであり、銅合金を使
用している。
導体素子に必要な特性値であり、使用温度70℃で50
0mW以上の出力を得ることが必要である。使用温度が
上がるにつれて、放熱が難しくなり発光素子近傍の温度
が上昇し、発光素子の出力が低下する特性を示してい
る。
1bが全くない場合の特性を示す図であり、使用温度7
0℃では200mW程度の出力であり、十分なレーザ出
力を得られていない。この場合の、樹脂モールド13内
部のリードフレームの面積をS1とする。
力特性であり、基準値である曲線Aとほぼ同程度の温度
特性を示している。延設部11bの面積S2は内部のリ
ードフレームの面積S1の約6倍の面積を有していた。
場合の出力特性で使用温度70℃において650mW程
度の出力を有しており、高速光ファイバデータリンク用
半導体素子として十分な性能を示している。このとき、
延設部11aと11bの合計の面積S3は、内部のリー
ドフレームの面積S1の約9倍の面積を有していた。
より高速光データリンク用の光半導体装置として十分な
放熱性能を得ることができ、少なくとも156Mbps
以上の高速光ファイバデータリンクの信号伝送が可能に
なる。
よれば、発光素子と、該発光素子を駆動するためのドラ
イブICとを設置したリードフレームを樹脂モールドで
成形してなる光半導体装置であって、前記リードフレー
ムは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、該延設部
は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを覆うよう
に設置され、発光素子前面に対応する部分に窓が穿設さ
れるとともに、接地端子に電気的に接続されてなること
を特徴とするものであり、電磁シールドが確保され信頼
性が高まるとともに、放熱性能を高めることができ、高
出力の光半導体装置を得ることができる。
置によれば、前記リードフレームの延設部は弾性変形す
るように形成され、ホルダーに挿入して固定されること
を特徴とするものであり、ホルダーに密着して設置でき
るので、より放熱性を高めることができ、高出力の光半
導体装置を得ることができる。
置によれば、前記リードフレームの延設部の面積は、樹
脂モールド内のリードフレームの面積の9倍以上である
ことを特徴とするものであり、高速光データリンク用の
光半導体装置として十分な放熱性能を得ることができ
る。
(a)はその正面図であり、(b)はその側面図であ
り、(c)はモールド内部を示す説明図である。
法を説明する略断面図であり、(a)は取付前の説明図
であり、(b)は取付状態の説明図である。
である。
る。
Claims (3)
- 【請求項1】 発光素子と、該発光素子を駆動するため
のドライブICとを設置したリードフレームを樹脂モー
ルドで成形してなる光半導体装置において、前記リード
フレームは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、該
延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを覆
うように設置され、前記発光素子前面に対応する部分に
窓が穿設されるとともに、接地端子に電気的に接続され
てなることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の光半導体装置において、
前記リードフレームの延設部は弾性変形するように形成
され、ホルダーに挿入して固定されることを特徴とする
光半導体装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の光半導体装置において、
前記リードフレームの延設部の面積は、樹脂モールド内
のリードフレームの面積の9倍以上であることを特徴と
する光半導体装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP17082497A JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP17082497A JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1117231A true JPH1117231A (ja) | 1999-01-22 |
JP3554657B2 JP3554657B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=15912019
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP17082497A Expired - Fee Related JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
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Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
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-
1997
- 1997-06-27 JP JP17082497A patent/JP3554657B2/ja not_active Expired - Fee Related
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JP3554657B2 (ja) | 2004-08-18 |
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