JPH1117231A - 光半導体装置 - Google Patents
光半導体装置Info
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- JPH1117231A JPH1117231A JP17082497A JP17082497A JPH1117231A JP H1117231 A JPH1117231 A JP H1117231A JP 17082497 A JP17082497 A JP 17082497A JP 17082497 A JP17082497 A JP 17082497A JP H1117231 A JPH1117231 A JP H1117231A
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- semiconductor device
- optical semiconductor
- lead frame
- light emitting
- emitting element
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 光半導体装置を用いて５０Ｍｂｐｓ以上の高
速光通信を行う場合、発光素子およびドライブＩＣに大
電流を供給したとき、発光素子およびドライブＩＣの発
熱に対して放熱が不十分なため、発光素子の出力が低下
して十分な光出力を得ることができなかった。 【解決手段】 発光素子と、該発光素子を駆動するため
のドライブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モー
ルドで成形してなる光半導体装置において、リードフレ
ームは樹脂モールドの外側に延設部を有してなり、その
延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りに前
記発光素子の前面および背面を覆うように設置すること
により、放熱性を高め、高出力を得られるようにした。
速光通信を行う場合、発光素子およびドライブＩＣに大
電流を供給したとき、発光素子およびドライブＩＣの発
熱に対して放熱が不十分なため、発光素子の出力が低下
して十分な光出力を得ることができなかった。 【解決手段】 発光素子と、該発光素子を駆動するため
のドライブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モー
ルドで成形してなる光半導体装置において、リードフレ
ームは樹脂モールドの外側に延設部を有してなり、その
延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りに前
記発光素子の前面および背面を覆うように設置すること
により、放熱性を高め、高出力を得られるようにした。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は光半導体装置に関す
るものであり、特に高速光ファイバデータリンクに用い
られる光半導体装置に関するものである。
るものであり、特に高速光ファイバデータリンクに用い
られる光半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図５は従来例の光半導体装置を示す略断
面図であり、リードフレーム５１上に発光素子５２を設
置して透光性樹脂モールド５３で被覆されている。リー
ドフレーム５１は延設部５１ａを有しており、発光素子
設置面とは反対の方向に折り曲げられている。この延設
部５１ａは放熱板として機能するので、発光素子５２に
大きな電流を流しても、発光素子５２等から発生する熱
はリードフレーム５１を伝導して延設部５１ａで放熱さ
れ、光半導体装置５０の過熱を防いでいる。
面図であり、リードフレーム５１上に発光素子５２を設
置して透光性樹脂モールド５３で被覆されている。リー
ドフレーム５１は延設部５１ａを有しており、発光素子
設置面とは反対の方向に折り曲げられている。この延設
部５１ａは放熱板として機能するので、発光素子５２に
大きな電流を流しても、発光素子５２等から発生する熱
はリードフレーム５１を伝導して延設部５１ａで放熱さ
れ、光半導体装置５０の過熱を防いでいる。
【０００３】図６は別の従来例の光半導体装置を示す略
断面図であり、リードフレーム６１上には発光素子６２
が設けられおり、透光性樹脂モールド６３でモールドさ
れている。
断面図であり、リードフレーム６１上には発光素子６２
が設けられおり、透光性樹脂モールド６３でモールドさ
れている。
【０００４】リードフレーム６１は延設部６１ａを有し
ており、延設部６１ａは透光性樹脂モールドの外側にあ
る。延設部６１ａにはビス等で他の部品と接続できる穴
６１ｂを有しており、放熱効果を高めている。
ており、延設部６１ａは透光性樹脂モールドの外側にあ
る。延設部６１ａにはビス等で他の部品と接続できる穴
６１ｂを有しており、放熱効果を高めている。
【０００５】図５、図６の光半導体装置は伝送速度が最
大１６Ｍｂｐｓ程度の光通信に使用されている。また、
この光半導体装置の光出力は動作温度７０℃において、
２００ｍＷ程度である。
大１６Ｍｂｐｓ程度の光通信に使用されている。また、
この光半導体装置の光出力は動作温度７０℃において、
２００ｍＷ程度である。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】光半導体装置を用いて
５０Ｍｂｐｓ以上の高速光通信を行う場合、動作温度７
０℃において、５００ｍＷ程度の出力を確保する必要が
あるが、図５、図６に示されるような光半導体装置で
は、発光素子およびドライブＩＣに大電流を供給したと
き、発光素子およびドライブＩＣの発熱に対して放熱が
不十分なため、発光素子の出力が低下して十分な光出力
を得ることができなかった。
５０Ｍｂｐｓ以上の高速光通信を行う場合、動作温度７
０℃において、５００ｍＷ程度の出力を確保する必要が
あるが、図５、図６に示されるような光半導体装置で
は、発光素子およびドライブＩＣに大電流を供給したと
き、発光素子およびドライブＩＣの発熱に対して放熱が
不十分なため、発光素子の出力が低下して十分な光出力
を得ることができなかった。
【０００７】また、上述の光半導体装置自体は電磁シー
ルドされていないので、外部に不要なノイズを放出した
り、また外部からの電磁波によって誤動作する怖れがあ
った。
ルドされていないので、外部に不要なノイズを放出した
り、また外部からの電磁波によって誤動作する怖れがあ
った。
【０００８】本発明は上述の問題点を鑑みてなされたも
のであり、高速光通信に対応した高出力で信頼性の高い
の光半導体装置を提供することを目的とする。
のであり、高速光通信に対応した高出力で信頼性の高い
の光半導体装置を提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１記載の
光半導体装置は、発光素子と、該発光素子を駆動するた
めのドライブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モ
ールドで成形してなる光半導体装置において、前記リー
ドフレームは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、
該延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを
覆うように設置され、発光素子前面に対応する部分に窓
が穿設されるとともに、接地端子に電気的に接続されて
なることを特徴とするものである。
光半導体装置は、発光素子と、該発光素子を駆動するた
めのドライブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モ
ールドで成形してなる光半導体装置において、前記リー
ドフレームは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、
該延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを
覆うように設置され、発光素子前面に対応する部分に窓
が穿設されるとともに、接地端子に電気的に接続されて
なることを特徴とするものである。
【００１０】また、本発明の請求項２記載の光半導体装
置は、前記リードフレームの延設部は弾性変形するよう
に形成され、ホルダーに挿入して固定されることを特徴
とするものである。
置は、前記リードフレームの延設部は弾性変形するよう
に形成され、ホルダーに挿入して固定されることを特徴
とするものである。
【００１１】また、本発明の請求項３記載の光半導体装
置は、前記リードフレームの延設部の面積は、樹脂モー
ルド内のリードフレームの面積の９倍以上であることを
特徴とするものである。
置は、前記リードフレームの延設部の面積は、樹脂モー
ルド内のリードフレームの面積の９倍以上であることを
特徴とするものである。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１は本発明の一実施の形態であ
る、光半導体装置の斜視図である。発光素子等を設置し
たリードフレーム１１は透光性のモールド樹脂１３でモ
ールドされている。モールド樹脂１３の外側にリードフ
レームの延設部１１ａ、１１ｂがモールド樹脂１３のま
わりに折り曲げられて光半導体装置１０が形成されてい
る。延設部１１ａはモールド樹脂１３の前面を覆ってお
り、延設部１１ｂはモールド樹脂１３の背面を覆ってい
る。延設部１１ａには窓１２が穿設されており、窓１２
を通してモールド樹脂１３内部に設置された発光素子か
らの光が放出される。１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ
はリードフレームの端子部であり、特に１１ｆは接地端
子である。
る、光半導体装置の斜視図である。発光素子等を設置し
たリードフレーム１１は透光性のモールド樹脂１３でモ
ールドされている。モールド樹脂１３の外側にリードフ
レームの延設部１１ａ、１１ｂがモールド樹脂１３のま
わりに折り曲げられて光半導体装置１０が形成されてい
る。延設部１１ａはモールド樹脂１３の前面を覆ってお
り、延設部１１ｂはモールド樹脂１３の背面を覆ってい
る。延設部１１ａには窓１２が穿設されており、窓１２
を通してモールド樹脂１３内部に設置された発光素子か
らの光が放出される。１１ｃ、１１ｄ、１１ｅ、１１ｆ
はリードフレームの端子部であり、特に１１ｆは接地端
子である。
【００１３】図２は図１の光半導体装置を示す図であ
り、図２（ａ）はその正面図であり、図２（ｂ）はその
側面図であり、図２（ｃ）はモールド内部を示す説明図
である。なお、説明上、図２のリードフレーム１１は折
り曲げる前の状態で示してある。
り、図２（ａ）はその正面図であり、図２（ｂ）はその
側面図であり、図２（ｃ）はモールド内部を示す説明図
である。なお、説明上、図２のリードフレーム１１は折
り曲げる前の状態で示してある。
【００１４】リードフレーム１１には、モールド樹脂１
３の外部にある延設部１１ａ、１１ｂと端子部１１ｃ、
１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられている。特に１１ｆ
は設置端子である、延設部１１ａには窓１２が穿設され
ている。リードフレーム１１の厚さは０．２５ｍｍ程度
であり、銅合金等を使用している。
３の外部にある延設部１１ａ、１１ｂと端子部１１ｃ、
１１ｄ、１１ｅ、１１ｆが設けられている。特に１１ｆ
は設置端子である、延設部１１ａには窓１２が穿設され
ている。リードフレーム１１の厚さは０．２５ｍｍ程度
であり、銅合金等を使用している。
【００１５】リードフレーム１１上には発光素子（ＬＥ
Ｄ）１６、ドライブＩＣ１７、チップコンデンサ１８が
銀ペーストにより取付けられている。ドライブＩＣ１７
はリードフレーム１１の延設部１１ａ、１１ｂと一体に
形成された部分に設置されている。それらの素子は金線
等のワイヤー１９によりリードフレーム１１に電気的に
接続されている。また、延設部１１ａ、１１ｂは接地端
子１１ｆと接続されている。発光素子１６、ドライブＩ
Ｃ１７、チップコンデンサ１８はモールド樹脂１３で封
止される。モールド樹脂１３の発光素子１６に対応する
部分はレンズ部１４が形成されている。
Ｄ）１６、ドライブＩＣ１７、チップコンデンサ１８が
銀ペーストにより取付けられている。ドライブＩＣ１７
はリードフレーム１１の延設部１１ａ、１１ｂと一体に
形成された部分に設置されている。それらの素子は金線
等のワイヤー１９によりリードフレーム１１に電気的に
接続されている。また、延設部１１ａ、１１ｂは接地端
子１１ｆと接続されている。発光素子１６、ドライブＩ
Ｃ１７、チップコンデンサ１８はモールド樹脂１３で封
止される。モールド樹脂１３の発光素子１６に対応する
部分はレンズ部１４が形成されている。
【００１６】ドライブＩＣ１７は駆動時に多量の熱を発
生するが、それを設置するリードフレームが延設部１１
ａ、１１ｂと一体になっているので、放熱効率が良い。
生するが、それを設置するリードフレームが延設部１１
ａ、１１ｂと一体になっているので、放熱効率が良い。
【００１７】リードフレームの延設部１１ａ、１１ｂは
折り曲げられてモールド樹脂１３の前面、裏面を覆うよ
うに配置され、図１に示されるような光半導体装置１０
が形成される。リードフレームの延設部１１ａ、１１ｂ
は十分な放熱面積をもち、また、接地端子と接続されて
いるのでシールド機能があり、モールド樹脂１３内部の
部品から発生するノイズを外部へ放出することを防止す
ることができ、また、外部ノイズからドライブＩＣを保
護することができる。
折り曲げられてモールド樹脂１３の前面、裏面を覆うよ
うに配置され、図１に示されるような光半導体装置１０
が形成される。リードフレームの延設部１１ａ、１１ｂ
は十分な放熱面積をもち、また、接地端子と接続されて
いるのでシールド機能があり、モールド樹脂１３内部の
部品から発生するノイズを外部へ放出することを防止す
ることができ、また、外部ノイズからドライブＩＣを保
護することができる。
【００１８】図３は図１の光半導体装置のホルダーへの
取付け方法を説明する略断面図であり、図３（ａ）は取
付前の説明図であり、図３（ｂ）は取付状態の説明図で
ある。
取付け方法を説明する略断面図であり、図３（ａ）は取
付前の説明図であり、図３（ｂ）は取付状態の説明図で
ある。
【００１９】高速光ファイバデータリンクに使われる光
半導体装置１０は、ホルダーに入れて使用される。図３
（ａ）に示されるように、光半導体装置１０の延設部ａ
は発光素子の接地面側に折り曲げられており、また、延
設部１１ｂは発光素子の設置面とは反対側に折り曲げら
れている。このとき、樹脂モールド１３には密着させず
に少し離れるように折り曲げておくことにより、延設部
１１ａ及び１１ｂは弾性変形可能になっている。これを
ホルダー２０に挿入する。ホルダー２０は熱伝導性の高
いフィラ入りの樹脂で形成されている。すると、図３
（ｂ）に示されるように、ホルダー２０に挿入固定した
とき、延設部１１ａ及び１１ｂは樹脂モールド１３に押
しつけられ、その反発力でホルダー２０の内壁に密着す
る。延設部１１ａ、１１ｂとフォルダー２０との接触面
積が大きくなり、光半導体装置１０で発生した熱を延設
部１１ｂを介してホルダー部へ速やかに伝導することが
できる。
半導体装置１０は、ホルダーに入れて使用される。図３
（ａ）に示されるように、光半導体装置１０の延設部ａ
は発光素子の接地面側に折り曲げられており、また、延
設部１１ｂは発光素子の設置面とは反対側に折り曲げら
れている。このとき、樹脂モールド１３には密着させず
に少し離れるように折り曲げておくことにより、延設部
１１ａ及び１１ｂは弾性変形可能になっている。これを
ホルダー２０に挿入する。ホルダー２０は熱伝導性の高
いフィラ入りの樹脂で形成されている。すると、図３
（ｂ）に示されるように、ホルダー２０に挿入固定した
とき、延設部１１ａ及び１１ｂは樹脂モールド１３に押
しつけられ、その反発力でホルダー２０の内壁に密着す
る。延設部１１ａ、１１ｂとフォルダー２０との接触面
積が大きくなり、光半導体装置１０で発生した熱を延設
部１１ｂを介してホルダー部へ速やかに伝導することが
できる。
【００２０】図４は図１の構成の光半導体装置の動作温
度と出力との関係を示すグラフである。図４において、
縦軸は光半導体装置の出力を示し、横軸は動作温度（光
半導体装置が設置された近傍の温度）を示している。リ
ードフレームの厚さは０．２５ｍｍであり、銅合金を使
用している。
度と出力との関係を示すグラフである。図４において、
縦軸は光半導体装置の出力を示し、横軸は動作温度（光
半導体装置が設置された近傍の温度）を示している。リ
ードフレームの厚さは０．２５ｍｍであり、銅合金を使
用している。
【００２１】曲線Ａは高速光ファイバデータリンク用半
導体素子に必要な特性値であり、使用温度７０℃で５０
０ｍＷ以上の出力を得ることが必要である。使用温度が
上がるにつれて、放熱が難しくなり発光素子近傍の温度
が上昇し、発光素子の出力が低下する特性を示してい
る。
導体素子に必要な特性値であり、使用温度７０℃で５０
０ｍＷ以上の出力を得ることが必要である。使用温度が
上がるにつれて、放熱が難しくなり発光素子近傍の温度
が上昇し、発光素子の出力が低下する特性を示してい
る。
【００２２】曲線Ｂは図１に示される延設部１１ａ、１
１ｂが全くない場合の特性を示す図であり、使用温度７
０℃では２００ｍＷ程度の出力であり、十分なレーザ出
力を得られていない。この場合の、樹脂モールド１３内
部のリードフレームの面積をＳ１とする。
１ｂが全くない場合の特性を示す図であり、使用温度７
０℃では２００ｍＷ程度の出力であり、十分なレーザ出
力を得られていない。この場合の、樹脂モールド１３内
部のリードフレームの面積をＳ１とする。
【００２３】曲線Ｃは延設部１１ｂのみがある場合の出
力特性であり、基準値である曲線Ａとほぼ同程度の温度
特性を示している。延設部１１ｂの面積Ｓ２は内部のリ
ードフレームの面積Ｓ１の約６倍の面積を有していた。
力特性であり、基準値である曲線Ａとほぼ同程度の温度
特性を示している。延設部１１ｂの面積Ｓ２は内部のリ
ードフレームの面積Ｓ１の約６倍の面積を有していた。
【００２４】曲線Ｄは延設部１１ａ、１１ｂ両方がある
場合の出力特性で使用温度７０℃において６５０ｍＷ程
度の出力を有しており、高速光ファイバデータリンク用
半導体素子として十分な性能を示している。このとき、
延設部１１ａと１１ｂの合計の面積Ｓ３は、内部のリー
ドフレームの面積Ｓ１の約９倍の面積を有していた。
場合の出力特性で使用温度７０℃において６５０ｍＷ程
度の出力を有しており、高速光ファイバデータリンク用
半導体素子として十分な性能を示している。このとき、
延設部１１ａと１１ｂの合計の面積Ｓ３は、内部のリー
ドフレームの面積Ｓ１の約９倍の面積を有していた。
【００２５】以上の結果より、延設部１１ａ、１１ｂに
より高速光データリンク用の光半導体装置として十分な
放熱性能を得ることができ、少なくとも１５６Ｍｂｐｓ
以上の高速光ファイバデータリンクの信号伝送が可能に
なる。
より高速光データリンク用の光半導体装置として十分な
放熱性能を得ることができ、少なくとも１５６Ｍｂｐｓ
以上の高速光ファイバデータリンクの信号伝送が可能に
なる。
【００２６】
【発明の効果】本発明の請求項１記載の光半導体装置に
よれば、発光素子と、該発光素子を駆動するためのドラ
イブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モールドで
成形してなる光半導体装置であって、前記リードフレー
ムは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、該延設部
は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを覆うよう
に設置され、発光素子前面に対応する部分に窓が穿設さ
れるとともに、接地端子に電気的に接続されてなること
を特徴とするものであり、電磁シールドが確保され信頼
性が高まるとともに、放熱性能を高めることができ、高
出力の光半導体装置を得ることができる。
よれば、発光素子と、該発光素子を駆動するためのドラ
イブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モールドで
成形してなる光半導体装置であって、前記リードフレー
ムは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、該延設部
は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを覆うよう
に設置され、発光素子前面に対応する部分に窓が穿設さ
れるとともに、接地端子に電気的に接続されてなること
を特徴とするものであり、電磁シールドが確保され信頼
性が高まるとともに、放熱性能を高めることができ、高
出力の光半導体装置を得ることができる。
【００２７】また、本発明の請求項２記載の光半導体装
置によれば、前記リードフレームの延設部は弾性変形す
るように形成され、ホルダーに挿入して固定されること
を特徴とするものであり、ホルダーに密着して設置でき
るので、より放熱性を高めることができ、高出力の光半
導体装置を得ることができる。
置によれば、前記リードフレームの延設部は弾性変形す
るように形成され、ホルダーに挿入して固定されること
を特徴とするものであり、ホルダーに密着して設置でき
るので、より放熱性を高めることができ、高出力の光半
導体装置を得ることができる。
【００２８】また、本発明の請求項３記載の光半導体装
置によれば、前記リードフレームの延設部の面積は、樹
脂モールド内のリードフレームの面積の９倍以上である
ことを特徴とするものであり、高速光データリンク用の
光半導体装置として十分な放熱性能を得ることができ
る。
置によれば、前記リードフレームの延設部の面積は、樹
脂モールド内のリードフレームの面積の９倍以上である
ことを特徴とするものであり、高速光データリンク用の
光半導体装置として十分な放熱性能を得ることができ
る。
【図１】本発明の光半導体装置の斜視図である。
【図２】本発明の光半導体装置を示す説明図であり、
（ａ）はその正面図であり、（ｂ）はその側面図であ
り、（ｃ）はモールド内部を示す説明図である。
（ａ）はその正面図であり、（ｂ）はその側面図であ
り、（ｃ）はモールド内部を示す説明図である。
【図３】本発明の光半導体装置のホルダーへの取付け方
法を説明する略断面図であり、（ａ）は取付前の説明図
であり、（ｂ）は取付状態の説明図である。
法を説明する略断面図であり、（ａ）は取付前の説明図
であり、（ｂ）は取付状態の説明図である。
【図４】本発明の光半導体装置の放熱特性を示すグラフ
である。
である。
【図５】従来例の光半導体装置を示す略断面図である。
【図６】別の従来例の光半導体装置を示す略断面図であ
る。
る。
１０ 光半導体装置 １１ リードフレーム １１ａ、１１ｂ （リードフレームの）延設部 １１ｃ、１１ｄ、１１ｅ（リードフレームの）端子部 １１ｆ 接地端子 １２ 窓 １３ 樹脂モールド １６ 発光素子 １７ ドライブＩＣ ２０ ホルダー
Claims (3)
- 【請求項１】 発光素子と、該発光素子を駆動するため
のドライブＩＣとを設置したリードフレームを樹脂モー
ルドで成形してなる光半導体装置において、前記リード
フレームは前記樹脂モールドの外側に延設部を有し、該
延設部は、折り曲げられて前記樹脂モールドの周りを覆
うように設置され、前記発光素子前面に対応する部分に
窓が穿設されるとともに、接地端子に電気的に接続され
てなることを特徴とする光半導体装置。 - 【請求項２】 請求項１記載の光半導体装置において、
前記リードフレームの延設部は弾性変形するように形成
され、ホルダーに挿入して固定されることを特徴とする
光半導体装置。 - 【請求項３】 請求項１記載の光半導体装置において、
前記リードフレームの延設部の面積は、樹脂モールド内
のリードフレームの面積の９倍以上であることを特徴と
する光半導体装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17082497A JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17082497A JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1117231A true JPH1117231A (ja) | 1999-01-22 |
| JP3554657B2 JP3554657B2 (ja) | 2004-08-18 |
Family
ID=15912019
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17082497A Expired - Fee Related JP3554657B2 (ja) | 1997-06-27 | 1997-06-27 | 光半導体装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3554657B2 (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100609784B1 (ko) | 2005-05-20 | 2006-08-09 | 럭스피아 주식회사 | 일체형 방열판을 가지는 발광다이오드 패키지 및 멀티패키지 모듈 |
| JP2006269785A (ja) * | 2005-03-24 | 2006-10-05 | Nichia Chem Ind Ltd | 発光素子及び発光装置 |
| JP2007019075A (ja) * | 2005-07-05 | 2007-01-25 | Fuji Xerox Co Ltd | 光モジュールおよび光伝送装置 |
| JP2008066511A (ja) * | 2006-09-07 | 2008-03-21 | Fuji Xerox Co Ltd | 光送信モジュール、光送信モジュールの製造方法、及び光送信装置 |
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| EP1843403B1 (en) * | 2006-04-03 | 2016-12-28 | Nichia Corporation | Light emitting unit and lighting apparatus |
-
1997
- 1997-06-27 JP JP17082497A patent/JP3554657B2/ja not_active Expired - Fee Related
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