JPH1116796A - 半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法 - Google Patents
半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法Info
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- JPH1116796A JPH1116796A JP16693897A JP16693897A JPH1116796A JP H1116796 A JPH1116796 A JP H1116796A JP 16693897 A JP16693897 A JP 16693897A JP 16693897 A JP16693897 A JP 16693897A JP H1116796 A JPH1116796 A JP H1116796A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体デバイス製造装置の保守作業で発生す
るパーティクルや分子汚染物質の拡散を防止する半導体
デバイス製造装置の保守装置及び保守方法に関し、これ
らのパーティクルや分子汚染物質をクリーンルーム外に
直接排出することにより、クリーンルームへの負担を減
少させることを目的とする。 【解決手段】 直方体に組まれた断面が中空の本体フレ
ームと、この本体フレームおよび本体フレームの間を囲
うシートと、本体フレームと排気装置とを接続する排気
管を備えており、シート2は気密性を有し、本体フレー
ム1は、保守作業で発生するパーティクル及び分子汚染
物質をシート2内の空気とともに吸引する内部吸引口1a
と、本体フレームと半導体デバイス製造装置との間から
吸引されるパーティクルを空気とともに吸引する外部吸
引口1bとを有し、排気管3は、この内部吸引口1a及び外
部吸引口1bから本体フレーム1内に吸引された空気を排
気するように構成する。
るパーティクルや分子汚染物質の拡散を防止する半導体
デバイス製造装置の保守装置及び保守方法に関し、これ
らのパーティクルや分子汚染物質をクリーンルーム外に
直接排出することにより、クリーンルームへの負担を減
少させることを目的とする。 【解決手段】 直方体に組まれた断面が中空の本体フレ
ームと、この本体フレームおよび本体フレームの間を囲
うシートと、本体フレームと排気装置とを接続する排気
管を備えており、シート2は気密性を有し、本体フレー
ム1は、保守作業で発生するパーティクル及び分子汚染
物質をシート2内の空気とともに吸引する内部吸引口1a
と、本体フレームと半導体デバイス製造装置との間から
吸引されるパーティクルを空気とともに吸引する外部吸
引口1bとを有し、排気管3は、この内部吸引口1a及び外
部吸引口1bから本体フレーム1内に吸引された空気を排
気するように構成する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイス製
造装置の保守に係り、特に半導体デバイス製造装置の保
守を行う際に、半導体デバイス製造装置の内部汚染を防
止し、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子汚染
物質の拡散を防止する、半導体デバイス製造装置の保守
装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法に関するも
のである。
造装置の保守に係り、特に半導体デバイス製造装置の保
守を行う際に、半導体デバイス製造装置の内部汚染を防
止し、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子汚染
物質の拡散を防止する、半導体デバイス製造装置の保守
装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法に関するも
のである。
【0002】半導体デバイス製造装置の保守作業を行う
場合には、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子
汚染物質により、半導体デバイス製造装置の内部及び半
導体デバイス製造装置が設置されているクリーンルーム
の領域が汚染されている。
場合には、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子
汚染物質により、半導体デバイス製造装置の内部及び半
導体デバイス製造装置が設置されているクリーンルーム
の領域が汚染されている。
【0003】以上のような状況から、半導体デバイス製
造装置の保守時に、半導体デバイス製造装置の内部汚染
を防止し、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子
汚染物質のクリーンルームへの拡散を防止することが可
能な半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバ
イス製造装置の保守方法が要望されている。
造装置の保守時に、半導体デバイス製造装置の内部汚染
を防止し、保守作業に伴い発生するパーティクルや分子
汚染物質のクリーンルームへの拡散を防止することが可
能な半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバ
イス製造装置の保守方法が要望されている。
【0004】
【従来の技術】近年の半導体デバイス製造工場において
は、半導体デバイスの微細化に伴い、現在のクリーンル
ームのクリーン度以上のクリーン度が要求されており、
クリーン度を向上させるのに要する費用が莫大な金額に
なっている。
は、半導体デバイスの微細化に伴い、現在のクリーンル
ームのクリーン度以上のクリーン度が要求されており、
クリーン度を向上させるのに要する費用が莫大な金額に
なっている。
【0005】このため、従来の半導体デバイス製造工場
においては、搬送途中において半導体ウェーハにパーテ
ィクルが付着するのを防止するために、半導体ウェーハ
を搭載したウェーハカセットを、PODと呼ぶ容器に収
容して搬送し、SMIF(Standard Mechanical interf
ace)と呼ぶ機構を用いてウェーハカセットをPODから
取り出して半導体ウェーハの処理を行っている。
においては、搬送途中において半導体ウェーハにパーテ
ィクルが付着するのを防止するために、半導体ウェーハ
を搭載したウェーハカセットを、PODと呼ぶ容器に収
容して搬送し、SMIF(Standard Mechanical interf
ace)と呼ぶ機構を用いてウェーハカセットをPODから
取り出して半導体ウェーハの処理を行っている。
【0006】また、半導体製造装置のメンテナンスに際
してメンテナンスエリアから装置本体への汚染空気の流
れ込みを阻止することにより、塵埃等による装置本体内
の汚染を防止することができる半導体製造装置が特開平
7−045487号に公開されている。
してメンテナンスエリアから装置本体への汚染空気の流
れ込みを阻止することにより、塵埃等による装置本体内
の汚染を防止することができる半導体製造装置が特開平
7−045487号に公開されている。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】以上説明した従来の半
導体デバイス製造装置の保守装置を用いて半導体デバイ
ス製造装置の保守を行うと、半導体デバイスを形成した
半導体ウエーハはクリーンな環境内で処理することがで
きるが、半導体デバイス製造装置の保守を行う際に半導
体デバイス製造装置の内部がクリーン度の低い工場内の
大気にさらされるため、半導体デバイス製造装置の保守
を行った後に半導体デバイス製造装置の内部にパーティ
クルや分子汚染物質が残留し、その後半導体デバイス製
造装置内で処理を行う半導体ウエーハがこれらのパーテ
ィクルや分子汚染物質により汚染されるという問題点が
あったので、半導体デバイス製造装置の保守を行う場合
には、半導体デバイス製造装置の内部がパーティクルや
分子汚染物質により汚染されるのを防止しなければなら
ない。
導体デバイス製造装置の保守装置を用いて半導体デバイ
ス製造装置の保守を行うと、半導体デバイスを形成した
半導体ウエーハはクリーンな環境内で処理することがで
きるが、半導体デバイス製造装置の保守を行う際に半導
体デバイス製造装置の内部がクリーン度の低い工場内の
大気にさらされるため、半導体デバイス製造装置の保守
を行った後に半導体デバイス製造装置の内部にパーティ
クルや分子汚染物質が残留し、その後半導体デバイス製
造装置内で処理を行う半導体ウエーハがこれらのパーテ
ィクルや分子汚染物質により汚染されるという問題点が
あったので、半導体デバイス製造装置の保守を行う場合
には、半導体デバイス製造装置の内部がパーティクルや
分子汚染物質により汚染されるのを防止しなければなら
ない。
【0008】特開平7−45487号にて公開されてい
る半導体製造装置内をクリーンに保つ方法は、半導体製
造装置周辺に備えられている遮断幕と半導体製造装置に
備えられたクリーンユニットによって半導体製造装置を
クリーンな状態に保つことはできるが、半導体製造装置
の保守作業により発生したパーティクルや分子汚染物質
を半導体製造装置の外部のクリーンルームに拡散させる
ことになり、クリーンルームが汚染されるので、クリー
ンルームに大きな浄化能力が要求され、クリーンルーム
の製造コストの高騰を招くことになる。
る半導体製造装置内をクリーンに保つ方法は、半導体製
造装置周辺に備えられている遮断幕と半導体製造装置に
備えられたクリーンユニットによって半導体製造装置を
クリーンな状態に保つことはできるが、半導体製造装置
の保守作業により発生したパーティクルや分子汚染物質
を半導体製造装置の外部のクリーンルームに拡散させる
ことになり、クリーンルームが汚染されるので、クリー
ンルームに大きな浄化能力が要求され、クリーンルーム
の製造コストの高騰を招くことになる。
【0009】本発明は以上のような状況から、簡単な構
造の遮蔽幕によりクリーンルームの大気と半導体デバイ
ス製造装置の保守領域の大気とを遮蔽して、クリーンル
ームの空気が半導体デバイス製造装置の保守領域に侵入
するのを防止し、且つ、半導体デバイス製造装置の保守
時に発生するパーティクルや分子汚染物質をクリーンル
ーム外に直接排出することにより、クリーンルームへの
負担を減少させることが可能となる半導体デバイス製造
装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法
の提供を目的としたものである。
造の遮蔽幕によりクリーンルームの大気と半導体デバイ
ス製造装置の保守領域の大気とを遮蔽して、クリーンル
ームの空気が半導体デバイス製造装置の保守領域に侵入
するのを防止し、且つ、半導体デバイス製造装置の保守
時に発生するパーティクルや分子汚染物質をクリーンル
ーム外に直接排出することにより、クリーンルームへの
負担を減少させることが可能となる半導体デバイス製造
装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法
の提供を目的としたものである。
【0010】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体デバイス
製造装置の保守装置は、直方体に組まれた断面が中空の
本体フレームと、この本体フレームおよび本体フレーム
の間を囲うシートと、この本体フレームと排気装置とを
接続する排気管を備えた半導体デバイス製造装置の保守
装置であって、このシートは気密性を有する材料からな
り、この本体フレームは、保守作業に伴い内部で発生す
るパーティクル及び分子汚染物質をこのシート内の空気
とともに吸引する内部吸引口と、この本体フレームと半
導体デバイス製造装置との間からこの半導体デバイス製
造装置の保守装置内に吸引されるパーティクルを空気と
ともに吸引する外部吸引口とを有し、この排気管は、こ
の内部吸引口及びこの外部吸引口からこの本体フレーム
内に吸引された空気を排気するものであるように構成す
る。
製造装置の保守装置は、直方体に組まれた断面が中空の
本体フレームと、この本体フレームおよび本体フレーム
の間を囲うシートと、この本体フレームと排気装置とを
接続する排気管を備えた半導体デバイス製造装置の保守
装置であって、このシートは気密性を有する材料からな
り、この本体フレームは、保守作業に伴い内部で発生す
るパーティクル及び分子汚染物質をこのシート内の空気
とともに吸引する内部吸引口と、この本体フレームと半
導体デバイス製造装置との間からこの半導体デバイス製
造装置の保守装置内に吸引されるパーティクルを空気と
ともに吸引する外部吸引口とを有し、この排気管は、こ
の内部吸引口及びこの外部吸引口からこの本体フレーム
内に吸引された空気を排気するものであるように構成す
る。
【0011】本発明の半導体デバイス製造装置の保守方
法は、半導体デバイス製造装置の保守を行う側面に、こ
の半導体デバイス製造装置の保守装置を設置し、この半
導体デバイス製造装置の保守装置内における保守作業に
伴い発生するパーティクル及び分子汚染物質をこのシー
ト内の空気とともにこの内部吸引口から吸引するととも
に、この本体フレームとこの半導体デバイス製造装置と
の間からこの半導体デバイス製造装置の保守装置内に吸
引されるパーティクルを空気とともにこの外部吸引口か
ら吸引しながら、この半導体デバイス製造装置の保守装
置内において行うように構成する。
法は、半導体デバイス製造装置の保守を行う側面に、こ
の半導体デバイス製造装置の保守装置を設置し、この半
導体デバイス製造装置の保守装置内における保守作業に
伴い発生するパーティクル及び分子汚染物質をこのシー
ト内の空気とともにこの内部吸引口から吸引するととも
に、この本体フレームとこの半導体デバイス製造装置と
の間からこの半導体デバイス製造装置の保守装置内に吸
引されるパーティクルを空気とともにこの外部吸引口か
ら吸引しながら、この半導体デバイス製造装置の保守装
置内において行うように構成する。
【0012】即ち本発明においては、直方体に組まれた
断面が中空の本体フレームと、この本体フレームおよび
本体フレームの間を囲うシートと、この本体フレームと
排気装置とを接続する排気管を備えた半導体デバイス製
造装置の保守装置において、このシートが気密性を有す
る材料からなり、この本体フレームには、保守作業に伴
い内部で発生するパーティクル及び分子汚染物質をこの
シート内の空気とともに吸引する内部吸引口と、この本
体フレームと半導体デバイス製造装置との間からこの半
導体デバイス製造装置の保守装置内に吸引されるパーテ
ィクルを空気とともに吸引する外部吸引口とを有してお
り、この排気管は、この内部吸引口及び外部吸引口から
この本体フレーム内に吸引された空気を排気している。
断面が中空の本体フレームと、この本体フレームおよび
本体フレームの間を囲うシートと、この本体フレームと
排気装置とを接続する排気管を備えた半導体デバイス製
造装置の保守装置において、このシートが気密性を有す
る材料からなり、この本体フレームには、保守作業に伴
い内部で発生するパーティクル及び分子汚染物質をこの
シート内の空気とともに吸引する内部吸引口と、この本
体フレームと半導体デバイス製造装置との間からこの半
導体デバイス製造装置の保守装置内に吸引されるパーテ
ィクルを空気とともに吸引する外部吸引口とを有してお
り、この排気管は、この内部吸引口及び外部吸引口から
この本体フレーム内に吸引された空気を排気している。
【0013】したがって、半導体デバイス製造装置の保
守を行う側面に、このような半導体デバイス製造装置の
保守装置を設置して保守作業を行うと、保守作業に伴い
発生するパーティクル及び分子汚染物質を含む空気、及
び、この本体フレームとこの半導体デバイス製造装置と
の間からこの半導体デバイス製造装置の保守装置内に吸
引されるパーティクルを含む空気とを、排気管を通して
排気装置により排出することができるので、半導体デバ
イス製造装置の保守作業により発生したパーティクルや
分子汚染物質を半導体デバイス製造装置の保守装置の外
部のクリーンルームに拡散させないから、クリーンルー
ムが汚染されることがなくなるので、クリーンルームに
大きな浄化能力を持たせることが不必要になり、クリー
ンルームの製造コストを安価にすることが可能となる。
守を行う側面に、このような半導体デバイス製造装置の
保守装置を設置して保守作業を行うと、保守作業に伴い
発生するパーティクル及び分子汚染物質を含む空気、及
び、この本体フレームとこの半導体デバイス製造装置と
の間からこの半導体デバイス製造装置の保守装置内に吸
引されるパーティクルを含む空気とを、排気管を通して
排気装置により排出することができるので、半導体デバ
イス製造装置の保守作業により発生したパーティクルや
分子汚染物質を半導体デバイス製造装置の保守装置の外
部のクリーンルームに拡散させないから、クリーンルー
ムが汚染されることがなくなるので、クリーンルームに
大きな浄化能力を持たせることが不必要になり、クリー
ンルームの製造コストを安価にすることが可能となる。
【0014】更に、この排気管と排気装置との間にパー
ティクルモニターを設けると、半導体デバイス製造装置
の保守作業に伴い発生するパーティクル及び分子汚染物
質の発生状況を把握しながら作業を行うことが可能とな
るので、クリーンルームを汚染することがなくなる。
ティクルモニターを設けると、半導体デバイス製造装置
の保守作業に伴い発生するパーティクル及び分子汚染物
質の発生状況を把握しながら作業を行うことが可能とな
るので、クリーンルームを汚染することがなくなる。
【0015】
【発明の実施形態】以下図1〜図3により本発明の実施
例について詳細に説明する。図1は本発明の半導体デバ
イス製造装置の保守装置の構造を説明する図、図2は本
発明の半導体デバイス製造装置の保守装置の詳細構造を
説明する図、図3は本発明の半導体デバイス製造装置の
保守方法を示す図である。
例について詳細に説明する。図1は本発明の半導体デバ
イス製造装置の保守装置の構造を説明する図、図2は本
発明の半導体デバイス製造装置の保守装置の詳細構造を
説明する図、図3は本発明の半導体デバイス製造装置の
保守方法を示す図である。
【0016】図1に示すように、本発明の半導体デバイ
ス製造装置の保守装置は、断面が中空のAB,BC,C
D,DA,AE,BF,CG,DH,EF,FG,G
H,HEの12本の本体フレーム1により構成される周囲
の5つの壁面、ABCD,ADHE,BCGF,CDH
G,EFGHの表面を気密性を有するシート2で覆う構
造を有しており、GO及びHOの2本の排気管3がこの
本体フレーム1のG及びHにおいて接続されており、O
においてパーティクルモニター5に接続され、パーティ
クルモニター5の他端において排気装置4に接続され、
排気はクリーンルームの外部に排気するようになってい
る。
ス製造装置の保守装置は、断面が中空のAB,BC,C
D,DA,AE,BF,CG,DH,EF,FG,G
H,HEの12本の本体フレーム1により構成される周囲
の5つの壁面、ABCD,ADHE,BCGF,CDH
G,EFGHの表面を気密性を有するシート2で覆う構
造を有しており、GO及びHOの2本の排気管3がこの
本体フレーム1のG及びHにおいて接続されており、O
においてパーティクルモニター5に接続され、パーティ
クルモニター5の他端において排気装置4に接続され、
排気はクリーンルームの外部に排気するようになってい
る。
【0017】壁面ABFEにはシート2を有しておら
ず、開放されている。次に、図2により詳細構造を説明
する。図2はこの壁面ABFEの方向から見た図1のE
の部分を拡大した詳細図であり、シート2は一部を図示
するように本体フレーム1の間を囲っている。
ず、開放されている。次に、図2により詳細構造を説明
する。図2はこの壁面ABFEの方向から見た図1のE
の部分を拡大した詳細図であり、シート2は一部を図示
するように本体フレーム1の間を囲っている。
【0018】この本体フレーム1には図2に示すよう
に、装置内の空気を吸引するように内部吸引口1aが設け
られており、この内部吸引口1aによって保守作業により
装置内で発生したパーティクルや分子汚染物質を排気す
ることが可能である。
に、装置内の空気を吸引するように内部吸引口1aが設け
られており、この内部吸引口1aによって保守作業により
装置内で発生したパーティクルや分子汚染物質を排気す
ることが可能である。
【0019】また、図3に示すように本発明の半導体デ
バイス製造装置の保守装置の本体フレームAB,BF,
FE,EAの外側面を半導体デバイス製造装置の開口面
に接近させて設置した場合には、半導体デバイス製造装
置と半導体デバイス製造装置の保守装置との間隙から侵
入しようとするパーティクルを、図2に示すようにA
B,BF,FE,EAの外側面に設けた外部吸引口1bに
より排気することが可能である。
バイス製造装置の保守装置の本体フレームAB,BF,
FE,EAの外側面を半導体デバイス製造装置の開口面
に接近させて設置した場合には、半導体デバイス製造装
置と半導体デバイス製造装置の保守装置との間隙から侵
入しようとするパーティクルを、図2に示すようにA
B,BF,FE,EAの外側面に設けた外部吸引口1bに
より排気することが可能である。
【0020】このように、保守作業により装置内で発生
したパーティクルや分子汚染物質を内部吸引口により吸
引し、半導体デバイス製造装置と半導体デバイス製造装
置の保守装置との間隙から侵入しようとするパーティク
ルを外部吸引口により吸引して、排気管や排気装置によ
ってクリーンルーム外に排出することが可能であるか
ら、従来のように保守時に発生するパーティクルや分子
汚染物質をクリーンルーム内に排出しないのでクリーン
ルームへの負担を減少させることが可能となり、クリー
ンルームの製造コストの高騰を招くこともなくなる。
したパーティクルや分子汚染物質を内部吸引口により吸
引し、半導体デバイス製造装置と半導体デバイス製造装
置の保守装置との間隙から侵入しようとするパーティク
ルを外部吸引口により吸引して、排気管や排気装置によ
ってクリーンルーム外に排出することが可能であるか
ら、従来のように保守時に発生するパーティクルや分子
汚染物質をクリーンルーム内に排出しないのでクリーン
ルームへの負担を減少させることが可能となり、クリー
ンルームの製造コストの高騰を招くこともなくなる。
【0021】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば極めて簡単な構造の半導体デバイス製造装置の
保守装置を用いて保守作業を行うことにより、半導体デ
バイス製造装置の保守領域の空気とクリーンルームの空
気とを隔離することが可能であり、且つ、保守作業に伴
い発生するパーティクルや分子汚染物質がクリーンルー
ムの外部に直接排出される。
によれば極めて簡単な構造の半導体デバイス製造装置の
保守装置を用いて保守作業を行うことにより、半導体デ
バイス製造装置の保守領域の空気とクリーンルームの空
気とを隔離することが可能であり、且つ、保守作業に伴
い発生するパーティクルや分子汚染物質がクリーンルー
ムの外部に直接排出される。
【0022】このため、クリーン度の低いクリーンルー
ム内で半導体デバイス製造装置の保守作業を行っても、
半導体デバイス製造装置の内部をクリーンな状態に維持
でき、且つ、保守作業に伴い発生するパーティクルや分
子汚染物質により半導体デバイス製造装置の内部が汚染
されないので、半導体デバイス製造装置内で処理を行う
半導体ウエーハが汚染されるのを防止することが可能と
なる。
ム内で半導体デバイス製造装置の保守作業を行っても、
半導体デバイス製造装置の内部をクリーンな状態に維持
でき、且つ、保守作業に伴い発生するパーティクルや分
子汚染物質により半導体デバイス製造装置の内部が汚染
されないので、半導体デバイス製造装置内で処理を行う
半導体ウエーハが汚染されるのを防止することが可能と
なる。
【0023】また、保守作業の前後及び保守作業中に半
導体デバイス製造装置内のパーティクル量を常時監視す
ることができるので、半導体デバイス製造装置の汚染状
態を容易に管理することができ、残留するパーティクル
や分子汚染物質による生産障害を未然に防止することが
可能となる。
導体デバイス製造装置内のパーティクル量を常時監視す
ることができるので、半導体デバイス製造装置の汚染状
態を容易に管理することができ、残留するパーティクル
や分子汚染物質による生産障害を未然に防止することが
可能となる。
【0024】また、保守作業に伴い発生するパーティク
ルや分子汚染物質をクリーンルーム外に直接排出するの
で、クリーンルームへの負担が軽減され、クリーンルー
ムの建設コストを削減することが可能となる。
ルや分子汚染物質をクリーンルーム外に直接排出するの
で、クリーンルームへの負担が軽減され、クリーンルー
ムの建設コストを削減することが可能となる。
【0025】従って本発明によれば、著しい経済的及
び、信頼性向上の効果が期待できる半導体デバイス製造
装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法
の提供が可能である。
び、信頼性向上の効果が期待できる半導体デバイス製造
装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法
の提供が可能である。
【図1】 本発明の半導体デバイス製造装置の保守装置
の構造を説明する図
の構造を説明する図
【図2】 本発明の半導体デバイス製造装置の保守装置
の詳細構造を説明する図
の詳細構造を説明する図
【図3】 本発明の半導体デバイス製造装置の保守方法
を示す図
を示す図
1 本体フレーム 1a 内部吸引口 1b 外部吸引口 2 シート 3 排気管 4 排気装置 5 パーティクルモニター
Claims (3)
- 【請求項1】 直方体に組まれた断面が中空の本体フレ
ームと、該本体フレームおよび該本体フレームの間を囲
うシートと、該本体フレームと排気装置とを接続する排
気管を備えた半導体デバイス製造装置の保守装置であっ
て、 前記シートは気密性を有する材料からなり、 前記本体フレームは、保守作業に伴い内部で発生するパ
ーティクル及び分子汚染物質を前記シート内の空気とと
もに吸引する内部吸引口と、前記本体フレームと半導体
デバイス製造装置との間から前記半導体デバイス製造装
置の保守装置内に吸引されるパーティクルを空気ととも
に吸引する外部吸引口とを有し、 前記排気管は、前記内部吸引口及び前記外部吸引口から
前記本体フレーム内に吸引された空気を排気するもので
あることを特徴とする半導体デバイス製造装置の保守装
置。 - 【請求項2】 前記排気管と前記排気装置との間にパー
ティクルモニターを有する請求項1記載の半導体デバイ
ス製造装置の保守装置。 - 【請求項3】 半導体デバイス製造装置の保守を行う側
面に、前記半導体デバイス製造装置の保守装置を設置
し、前記半導体デバイス製造装置の保守装置内における
保守作業に伴い発生するパーティクル及び分子汚染物質
を前記シート内の空気とともに前記内部吸引口から吸引
するとともに、前記本体フレームと前記半導体デバイス
製造装置との接合部から前記半導体デバイス製造装置の
保守装置内に吸引されるパーティクルを空気とともに前
記外部吸引口から吸引しながら、前記半導体デバイス製
造装置の保守装置内において行うことを特徴とする半導
体デバイス製造装置の保守方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16693897A JPH1116796A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP16693897A JPH1116796A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH1116796A true JPH1116796A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15840436
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP16693897A Withdrawn JPH1116796A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 半導体デバイス製造装置の保守装置及び半導体デバイス製造装置の保守方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH1116796A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR101128298B1 (ko) | 2010-10-29 | 2012-03-23 | (주)썬패치테크노 | 반도체?lcd 케미컬 세정설비의 누수 보강 방법 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16693897A patent/JPH1116796A/ja not_active Withdrawn
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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KR101128298B1 (ko) | 2010-10-29 | 2012-03-23 | (주)썬패치테크노 | 반도체?lcd 케미컬 세정설비의 누수 보강 방법 |
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