JPH1116623A - 嵌合型接続端子および嵌合型接続端子の製造方法 - Google Patents
嵌合型接続端子および嵌合型接続端子の製造方法Info
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- JPH1116623A JPH1116623A JP16744497A JP16744497A JPH1116623A JP H1116623 A JPH1116623 A JP H1116623A JP 16744497 A JP16744497 A JP 16744497A JP 16744497 A JP16744497 A JP 16744497A JP H1116623 A JPH1116623 A JP H1116623A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の
挿入力を低下できる嵌合型接続端子を提供する。 【解決手段】 雄端子の母材１２ａの表面に錫めっき層
１２ｂが形成され、さらにその表面の一部にＤＬＣ層１
２ｃが形成されている。また、雌端子の母材２２ａの表
面には錫めっき層２２ｂが形成されている。嵌合時には
雄端子のＤＬＣ層１２ｃと雌端子の錫めっき層２２ｂと
が接触・摺動する。ＤＬＣは摩擦係数が低いため、嵌合
時における端子の挿入力は低くなる。一方、嵌合終了時
には雄端子の錫めっき層１２ｂと雌端子の錫めっき層２
２ｂとが接触する。錫は硬度が低く錫めっき層同士が接
触した場合は凝着磨耗によって低い接触抵抗が安定して
得られる。
挿入力を低下できる嵌合型接続端子を提供する。 【解決手段】 雄端子の母材１２ａの表面に錫めっき層
１２ｂが形成され、さらにその表面の一部にＤＬＣ層１
２ｃが形成されている。また、雌端子の母材２２ａの表
面には錫めっき層２２ｂが形成されている。嵌合時には
雄端子のＤＬＣ層１２ｃと雌端子の錫めっき層２２ｂと
が接触・摺動する。ＤＬＣは摩擦係数が低いため、嵌合
時における端子の挿入力は低くなる。一方、嵌合終了時
には雄端子の錫めっき層１２ｂと雌端子の錫めっき層２
２ｂとが接触する。錫は硬度が低く錫めっき層同士が接
触した場合は凝着磨耗によって低い接触抵抗が安定して
得られる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、自動車、産業機器
などの電気配線に用いられる嵌合型接続端子に関する。
などの電気配線に用いられる嵌合型接続端子に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来より、一般に、自動車、産業機器な
どの電気配線において電線同士の接続に用いられる嵌合
型接続端子には、錫めっきが施されてきた。これは、端
子の接続時に、錫めっきの表面酸化皮膜を摩擦によって
破壊し、新鮮な錫を凝着させることにより、低い接触抵
抗を安定して得ることを目的としたものである。
どの電気配線において電線同士の接続に用いられる嵌合
型接続端子には、錫めっきが施されてきた。これは、端
子の接続時に、錫めっきの表面酸化皮膜を摩擦によって
破壊し、新鮮な錫を凝着させることにより、低い接触抵
抗を安定して得ることを目的としたものである。
【０００３】また、自動車のＡＢＳ（アンチロックブレ
ーキシステム）やエアバックなど、特に重要な信号回路
に用いられる電気配線には、接続端子に金めっきを施し
て使用していた。
ーキシステム）やエアバックなど、特に重要な信号回路
に用いられる電気配線には、接続端子に金めっきを施し
て使用していた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】上記錫めっきの凝着
は、錫の硬度が低い（ビッカース硬度４０〜８０）こと
に起因するものである。しかし、錫の硬度が低いこと
は、接続時の挿入力を上昇させるという問題の原因とも
なっている。すなわち、端子の嵌合接続時には錫めっき
の凝着磨耗が発生し、錫の変形抵抗に逆らって嵌合させ
るため、挿入力が上昇することとなる。
は、錫の硬度が低い（ビッカース硬度４０〜８０）こと
に起因するものである。しかし、錫の硬度が低いこと
は、接続時の挿入力を上昇させるという問題の原因とも
なっている。すなわち、端子の嵌合接続時には錫めっき
の凝着磨耗が発生し、錫の変形抵抗に逆らって嵌合させ
るため、挿入力が上昇することとなる。
【０００５】ところで、自動車などの電気配線では複数
の電線の束（以下、「ワイヤーハーネス」と称する）を
１つのコネクタで接続するのが一般的であり、コネクタ
の接続に必要な力は、端子１個当たりの挿入力に電線の
本数（従来は、一般に１０極〜２０極）を乗じた値とし
て概算することができる。従って、端子１個当たりの挿
入力が高いと、コネクタの接続に必要な力はワイヤーハ
ーネスの電線数に応じた大きな値となる。
の電線の束（以下、「ワイヤーハーネス」と称する）を
１つのコネクタで接続するのが一般的であり、コネクタ
の接続に必要な力は、端子１個当たりの挿入力に電線の
本数（従来は、一般に１０極〜２０極）を乗じた値とし
て概算することができる。従って、端子１個当たりの挿
入力が高いと、コネクタの接続に必要な力はワイヤーハ
ーネスの電線数に応じた大きな値となる。
【０００６】特に、近年のカーエレクトロニクスの著し
い進歩・発展は、自動車に搭載する電子機器やＣＰＵの
数を飛躍的に増加させ、それに伴ってワイヤーハーネス
の電線本数も増加し、コネクタの多極化（３０極〜４０
極）を図りたいとの要望も強まっている。
い進歩・発展は、自動車に搭載する電子機器やＣＰＵの
数を飛躍的に増加させ、それに伴ってワイヤーハーネス
の電線本数も増加し、コネクタの多極化（３０極〜４０
極）を図りたいとの要望も強まっている。
【０００７】しかしながら、上述の如く、コネクタを多
極化すると当該コネクタの接続に必要な力も電線本数に
比例して上昇し、ボルトやてこなどの補助機構なしで
は、コネクタの接続ができなくなる。このため、端子を
小型化しても、補助機構がコネクタの小型化・軽量化を
阻害することとなる。
極化すると当該コネクタの接続に必要な力も電線本数に
比例して上昇し、ボルトやてこなどの補助機構なしで
は、コネクタの接続ができなくなる。このため、端子を
小型化しても、補助機構がコネクタの小型化・軽量化を
阻害することとなる。
【０００８】端子の挿入力を低減するには、接点圧力
（嵌合部で接点に与える押しつけ力）を低下させること
が考えられるが、この場合は、安定した低い接触抵抗が
得られなくなる。換言すれば、安定した接触抵抗を維持
したまま端子の挿入力を低下させることが困難であるた
め、コネクタを多極化する際に補助機構が不可欠とな
り、コネクタの小型化・軽量化を阻害する要因となって
いる。
（嵌合部で接点に与える押しつけ力）を低下させること
が考えられるが、この場合は、安定した低い接触抵抗が
得られなくなる。換言すれば、安定した接触抵抗を維持
したまま端子の挿入力を低下させることが困難であるた
め、コネクタを多極化する際に補助機構が不可欠とな
り、コネクタの小型化・軽量化を阻害する要因となって
いる。
【０００９】なお、接続端子に金めっきを使用すれば、
低い接点圧力でも低い接触抵抗が安定して得られるた
め、端子の挿入力を低くすることができ、コネクタを多
極化してもその接続に要する力が著しく上昇することは
ないが、金めっきは錫めっきに比較して数倍〜数十倍の
コストを要するため、特に多極化したコネクタには適し
ない。
低い接点圧力でも低い接触抵抗が安定して得られるた
め、端子の挿入力を低くすることができ、コネクタを多
極化してもその接続に要する力が著しく上昇することは
ないが、金めっきは錫めっきに比較して数倍〜数十倍の
コストを要するため、特に多極化したコネクタには適し
ない。
【００１０】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の挿
入力を低下できる嵌合型接続端子を提供することを目的
とする。
であり、安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の挿
入力を低下できる嵌合型接続端子を提供することを目的
とする。
【００１１】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、錫めっきを施した雄部品および
雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子
において、前記錫めっきを施した前記雄部品または前記
雌部品のうちの少なくとも一方に部分的にダイヤモンド
状カーボンのコーティングを行っている。
め、請求項１の発明は、錫めっきを施した雄部品および
雌部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子
において、前記錫めっきを施した前記雄部品または前記
雌部品のうちの少なくとも一方に部分的にダイヤモンド
状カーボンのコーティングを行っている。
【００１２】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る嵌合型接続端子において、前記雄部品または前記
雌部品のうちの少なくとも一方の嵌合部分のみにダイヤ
モンド状カーボンのコーティングを行っている。
に係る嵌合型接続端子において、前記雄部品または前記
雌部品のうちの少なくとも一方の嵌合部分のみにダイヤ
モンド状カーボンのコーティングを行っている。
【００１３】また、請求項３の発明は、請求項２の発明
に係る嵌合型接続端子において、前記雄部品の前記嵌合
部分における摺動部分のみにダイヤモンド状カーボンの
コーティングを行っている。
に係る嵌合型接続端子において、前記雄部品の前記嵌合
部分における摺動部分のみにダイヤモンド状カーボンの
コーティングを行っている。
【００１４】また、請求項４の発明は、雄部品および雌
部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の
製造方法において、前記雄部品および前記雌部品の母材
の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、前記雄部
品の前記嵌合部分における摺動部分のみにイオン化蒸着
によってダイヤモンド状カーボンのコーティングを行う
蒸着工程と、を備えている。
部品の嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子の
製造方法において、前記雄部品および前記雌部品の母材
の表面に錫めっき層を形成するめっき工程と、前記雄部
品の前記嵌合部分における摺動部分のみにイオン化蒸着
によってダイヤモンド状カーボンのコーティングを行う
蒸着工程と、を備えている。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。
実施の形態について詳細に説明する。
【００１６】Ａ．嵌合型接続端子の形態：図１は本発明
に係る嵌合型接続端子の側面図であり、また、図２は当
該嵌合型接続端子の接続部分の一部切欠平面図である。
に係る嵌合型接続端子の側面図であり、また、図２は当
該嵌合型接続端子の接続部分の一部切欠平面図である。
【００１７】図示のように、本発明に係る嵌合型接続端
子は雄端子１０と雌端子２０とで構成されている。雄端
子１０は、電線との圧着部であるワイヤバレル１１と、
雌端子２０との嵌合部であるタブ１２とを形成してい
る。また、タブ１２の上面および下面は平滑な摺動面と
している。
子は雄端子１０と雌端子２０とで構成されている。雄端
子１０は、電線との圧着部であるワイヤバレル１１と、
雌端子２０との嵌合部であるタブ１２とを形成してい
る。また、タブ１２の上面および下面は平滑な摺動面と
している。
【００１８】雌端子２０は、電線との圧着部であるワイ
ヤバレル２４と、雄端子１０との嵌合部２５とを形成し
ている。嵌合部２５は、中空の箱形状であり、舌片２
１、エンボス２２およびビード２３とをその内部に備え
ている。なお、図２は、嵌合部２５の内部を示した一部
切欠平面図である。
ヤバレル２４と、雄端子１０との嵌合部２５とを形成し
ている。嵌合部２５は、中空の箱形状であり、舌片２
１、エンボス２２およびビード２３とをその内部に備え
ている。なお、図２は、嵌合部２５の内部を示した一部
切欠平面図である。
【００１９】エンボス２２は、舌片２１の上部に設けら
れた凸状の部材であり、雄端子１０との嵌合時には、タ
ブ１２の摺動面と点接触する。舌片２１は、接点圧力す
なわちエンボス２２をタブ１２に押しつける圧力を作用
させるバネとしての機能を有している。また、ビード２
３も凸状の部材であり、タブ１２とエンボス２２が接触
する面と反対側の摺動面で接触し、当該エンボス２２が
タブ１２に及ぼす接点圧力を受ける。
れた凸状の部材であり、雄端子１０との嵌合時には、タ
ブ１２の摺動面と点接触する。舌片２１は、接点圧力す
なわちエンボス２２をタブ１２に押しつける圧力を作用
させるバネとしての機能を有している。また、ビード２
３も凸状の部材であり、タブ１２とエンボス２２が接触
する面と反対側の摺動面で接触し、当該エンボス２２が
タブ１２に及ぼす接点圧力を受ける。
【００２０】雄端子１０を雌端子２０に嵌合させる際に
は、タブ１２をエンボス２２とビード２３との間隙に挿
入する。そして、このときにタブ１２の上下面のうちの
一方はエンボス２２と、他方はビード２３と摺動する。
エンボス２２はタブ１２と点接触しているため、エンボ
ス２２の摺動部分は点であり、また、タブ１２の摺動部
分は線である。
は、タブ１２をエンボス２２とビード２３との間隙に挿
入する。そして、このときにタブ１２の上下面のうちの
一方はエンボス２２と、他方はビード２３と摺動する。
エンボス２２はタブ１２と点接触しているため、エンボ
ス２２の摺動部分は点であり、また、タブ１２の摺動部
分は線である。
【００２１】Ｂ．嵌合型接続端子へのコーティング：次
に、嵌合型接続端子へのダイヤモンド状カーボン（以
下、「ＤＬＣ」と称する）のコーティングについて説明
する。ＤＬＣは最も低い摩擦係数を有するコーティング
材料の１つであり、相手材を磨耗させる性質が小さいと
いう摺動部材としての優れた特性を有している。
に、嵌合型接続端子へのダイヤモンド状カーボン（以
下、「ＤＬＣ」と称する）のコーティングについて説明
する。ＤＬＣは最も低い摩擦係数を有するコーティング
材料の１つであり、相手材を磨耗させる性質が小さいと
いう摺動部材としての優れた特性を有している。
【００２２】嵌合型接続端子へのＤＬＣコーティングに
先立って、まず端子の母材である銅または銅合金に錫め
っきを施し、その後図１に示したような形状に端子成形
を行う。なお、母材に錫めっきを施す前に銅またはニッ
ケルめっきを下地めっきとして施してもよい。
先立って、まず端子の母材である銅または銅合金に錫め
っきを施し、その後図１に示したような形状に端子成形
を行う。なお、母材に錫めっきを施す前に銅またはニッ
ケルめっきを下地めっきとして施してもよい。
【００２３】次に、錫めっき層の上にＤＬＣのコーティ
ングを行う。本実施形態ではイオン化蒸着法を用いてＤ
ＬＣのコーティングを行う。イオン化蒸着法は、イオン
ビームを錫めっき層の表面に投射してＤＬＣの蒸着を行
う方法であり、ベンゼンを原料とし２００℃以下の温度
でＤＬＣの成膜を行っている。
ングを行う。本実施形態ではイオン化蒸着法を用いてＤ
ＬＣのコーティングを行う。イオン化蒸着法は、イオン
ビームを錫めっき層の表面に投射してＤＬＣの蒸着を行
う方法であり、ベンゼンを原料とし２００℃以下の温度
でＤＬＣの成膜を行っている。
【００２４】ところで、ＤＬＣは摺動部材としては優れ
た特性を有するものの、電気的には絶縁性（比抵抗：１
０7〜１０14Ω・ｍ）である。従って、端子の全表面に
ＤＬＣのコーティングを行うと、端子の本来の目的であ
る導通が保てなくなる。嵌合型接続端子において、導通
が必要となる部分は雄端子１０および雌端子２０のそれ
ぞれのワイヤバレル１１、２４と嵌合終了時のタブ１２
とエンボス２２との接点部分であり、少なくともこれら
の部分についてはＤＬＣの成膜を行うのは好ましくな
い。
た特性を有するものの、電気的には絶縁性（比抵抗：１
０7〜１０14Ω・ｍ）である。従って、端子の全表面に
ＤＬＣのコーティングを行うと、端子の本来の目的であ
る導通が保てなくなる。嵌合型接続端子において、導通
が必要となる部分は雄端子１０および雌端子２０のそれ
ぞれのワイヤバレル１１、２４と嵌合終了時のタブ１２
とエンボス２２との接点部分であり、少なくともこれら
の部分についてはＤＬＣの成膜を行うのは好ましくな
い。
【００２５】そこで、本実施形態においては、雄端子１
０のタブ１２のうち嵌合時の摺動部分のみにＤＬＣのコ
ーティングを行い、嵌合終了時のエンボス２２との接点
部分についてはＤＬＣのコーティングを行わず錫めっき
のままとしておく。また、ワイヤバレル１１、２４につ
いてもＤＬＣのコーティングは行わない。
０のタブ１２のうち嵌合時の摺動部分のみにＤＬＣのコ
ーティングを行い、嵌合終了時のエンボス２２との接点
部分についてはＤＬＣのコーティングを行わず錫めっき
のままとしておく。また、ワイヤバレル１１、２４につ
いてもＤＬＣのコーティングは行わない。
【００２６】このときに、端子のマスキングを行い、指
向性を有するイオンビームを使用してＤＬＣの成膜を行
えば、必要な部分にのみＤＬＣコーティングを実施する
ことが可能である。
向性を有するイオンビームを使用してＤＬＣの成膜を行
えば、必要な部分にのみＤＬＣコーティングを実施する
ことが可能である。
【００２７】図３は、ＤＬＣコーティングを行ったタブ
１２とエンボス２２との接触の様子を説明するための図
である。図３（ａ）は嵌合時の接触の様子を示し、また
図３（ｂ）は嵌合終了時の接触の様子を示している。
１２とエンボス２２との接触の様子を説明するための図
である。図３（ａ）は嵌合時の接触の様子を示し、また
図３（ｂ）は嵌合終了時の接触の様子を示している。
【００２８】図示のように、雄端子１０のタブ１２は銅
または銅合金の母材１２ａの表面に錫めっき層１２ｂが
形成され、さらにその表面の一部にＤＬＣ層１２ｃが形
成されることにより構成されている。また、雌端子２０
のエンボス２２は母材２２ａの表面に錫めっき層２２ｂ
が形成されて構成されている。
または銅合金の母材１２ａの表面に錫めっき層１２ｂが
形成され、さらにその表面の一部にＤＬＣ層１２ｃが形
成されることにより構成されている。また、雌端子２０
のエンボス２２は母材２２ａの表面に錫めっき層２２ｂ
が形成されて構成されている。
【００２９】そして、図３（ａ）に示すように、嵌合時
にはタブ１２のＤＬＣ層１２ｃとエンボス２２の錫めっ
き層２２ｂとが接触・摺動する。ＤＬＣは摩擦係数が低
いため、嵌合時における端子の挿入力は低くなる。
にはタブ１２のＤＬＣ層１２ｃとエンボス２２の錫めっ
き層２２ｂとが接触・摺動する。ＤＬＣは摩擦係数が低
いため、嵌合時における端子の挿入力は低くなる。
【００３０】一方、図３（ｂ）に示すように、嵌合終了
時にはタブ１２の錫めっき層１２ｂとエンボス２２の錫
めっき層２２ｂとが接触する。上述したように、錫は硬
度が低く錫めっき層同士が接触した場合は錫の表面酸化
皮膜が容易に破壊し新鮮な錫同士が凝着することによっ
て低い接触抵抗が安定して得られる。
時にはタブ１２の錫めっき層１２ｂとエンボス２２の錫
めっき層２２ｂとが接触する。上述したように、錫は硬
度が低く錫めっき層同士が接触した場合は錫の表面酸化
皮膜が容易に破壊し新鮮な錫同士が凝着することによっ
て低い接触抵抗が安定して得られる。
【００３１】すなわち、雄端子１０の嵌合部であるタブ
１２のうちエンボス２２、ビード２３との摺動部分のみ
にＤＬＣのコーティングを行い、その他の部分について
はＤＬＣのコーティングを行わずに錫めっきのままとし
ておくことにより、嵌合時における低い端子挿入力と嵌
合終了時における安定した低い接触抵抗とを両立でき
る。また、ワイヤバレル１１、２４にもＤＬＣのコーテ
ィングを行わずに錫めっきのままとしているため、端子
と電線との接触抵抗も安定して低い値を得ることができ
る。
１２のうちエンボス２２、ビード２３との摺動部分のみ
にＤＬＣのコーティングを行い、その他の部分について
はＤＬＣのコーティングを行わずに錫めっきのままとし
ておくことにより、嵌合時における低い端子挿入力と嵌
合終了時における安定した低い接触抵抗とを両立でき
る。また、ワイヤバレル１１、２４にもＤＬＣのコーテ
ィングを行わずに錫めっきのままとしているため、端子
と電線との接触抵抗も安定して低い値を得ることができ
る。
【００３２】以上のような嵌合型接続端子を使用して嵌
合の実験を行ったところ、ＤＬＣのコーティングを行わ
ない場合の嵌合時の端子挿入力が０．７ｋｇｆであった
のに対してＤＬＣのコーティングを行った場合は０．３
ｋｇｆとなった。また、嵌合時の接触抵抗については、
ＤＬＣのコーティングの有無に係わらず１ｍΩ以下とな
り、接続端子に要求される条件は満たしている。すなわ
ち、安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の挿入力
を低下できたと言える。
合の実験を行ったところ、ＤＬＣのコーティングを行わ
ない場合の嵌合時の端子挿入力が０．７ｋｇｆであった
のに対してＤＬＣのコーティングを行った場合は０．３
ｋｇｆとなった。また、嵌合時の接触抵抗については、
ＤＬＣのコーティングの有無に係わらず１ｍΩ以下とな
り、接続端子に要求される条件は満たしている。すなわ
ち、安定した低い接触抵抗を維持したまま端子の挿入力
を低下できたと言える。
【００３３】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、雄端子１０のマスキ
ングによって嵌合時の摺動部分のみにＤＬＣのコーティ
ングを行っていたが、これを雄端子１０または雌端子２
０の嵌合部（タブ１２、エンボス２２、ビード２３）に
島状にＤＬＣコーティングを行うようにしてもよい。
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、雄端子１０のマスキ
ングによって嵌合時の摺動部分のみにＤＬＣのコーティ
ングを行っていたが、これを雄端子１０または雌端子２
０の嵌合部（タブ１２、エンボス２２、ビード２３）に
島状にＤＬＣコーティングを行うようにしてもよい。
【００３４】図４は、嵌合型接続端子の嵌合部に島状に
ＤＬＣコーティングを行う様子を説明する図である。Ｄ
ＬＣコーティング部分Ｐが島状に分布、すなわち図４
（ａ）においては長円状の複数の部分が、また図４
（ｂ）においては円形状の複数の部分が点在している。
そして、ＤＬＣコーティング部分Ｐ以外の部分は錫めっ
き層の部分である。
ＤＬＣコーティングを行う様子を説明する図である。Ｄ
ＬＣコーティング部分Ｐが島状に分布、すなわち図４
（ａ）においては長円状の複数の部分が、また図４
（ｂ）においては円形状の複数の部分が点在している。
そして、ＤＬＣコーティング部分Ｐ以外の部分は錫めっ
き層の部分である。
【００３５】このようにしても、端子の嵌合時にはＤＬ
Ｃの低い摩擦力によって端子挿入力を低減することがで
き、また嵌合終了時には錫めっき層の凝着磨耗によって
安定した低い接触抵抗を得ることができる。
Ｃの低い摩擦力によって端子挿入力を低減することがで
き、また嵌合終了時には錫めっき層の凝着磨耗によって
安定した低い接触抵抗を得ることができる。
【００３６】すなわち、本発明に係る嵌合型接続端子
は、錫めっきを施した雄端子１０または雌端子２０のう
ちの少なくとも一方の嵌合部に部分的にＤＬＣコーティ
ングを行うことにより、低い端子挿入力と安定した低い
接触抵抗とを得る形態の端子であればかまわない。
は、錫めっきを施した雄端子１０または雌端子２０のう
ちの少なくとも一方の嵌合部に部分的にＤＬＣコーティ
ングを行うことにより、低い端子挿入力と安定した低い
接触抵抗とを得る形態の端子であればかまわない。
【００３７】また、上記実施形態においては、錫めっき
を施した母材を成形加工していたが、錫めっきを施す前
に母材の成形加工を行ってもよいし、錫めっきおよびＤ
ＬＣのコーティングが終了した後に端子への成形加工を
行ってもよい。
を施した母材を成形加工していたが、錫めっきを施す前
に母材の成形加工を行ってもよいし、錫めっきおよびＤ
ＬＣのコーティングが終了した後に端子への成形加工を
行ってもよい。
【００３８】また、ＤＬＣのコーティング方法もイオン
化蒸着法に限定されるものではなく、ＤＣ−ＰＣＶＤ、
ＲＦ−ＰＣＶＤ（高周波プラズマＣＶＤ）、ＥＣＲ−Ｐ
ＣＶＤ（マイクロ波と磁場による高密度プラズマを利用
するＣＶＤ）などの各種プラズマＣＶＤ（減圧下で反応
性ガスのプラズマ放電分解によって薄膜を形成する化学
気相蒸着）や光ＣＶＤ（光エネルギーにより気体分子を
分解させて薄膜を形成する化学気相蒸着）の他に、イオ
ンビーム法、スパッタリング、アークイオンプレーティ
ングなどの各種ＰＶＤが適用可能である。もっとも、上
記実施形態のように、マスキングによって嵌合時の摺動
部分のみにＤＬＣのコーティングを行う場合には、ビー
ム指向性を有するイオン化蒸着法が好ましい。
化蒸着法に限定されるものではなく、ＤＣ−ＰＣＶＤ、
ＲＦ−ＰＣＶＤ（高周波プラズマＣＶＤ）、ＥＣＲ−Ｐ
ＣＶＤ（マイクロ波と磁場による高密度プラズマを利用
するＣＶＤ）などの各種プラズマＣＶＤ（減圧下で反応
性ガスのプラズマ放電分解によって薄膜を形成する化学
気相蒸着）や光ＣＶＤ（光エネルギーにより気体分子を
分解させて薄膜を形成する化学気相蒸着）の他に、イオ
ンビーム法、スパッタリング、アークイオンプレーティ
ングなどの各種ＰＶＤが適用可能である。もっとも、上
記実施形態のように、マスキングによって嵌合時の摺動
部分のみにＤＬＣのコーティングを行う場合には、ビー
ム指向性を有するイオン化蒸着法が好ましい。
【００３９】さらに、ＤＬＣコーティングの原料として
もベンゼンに限らず、メタンなどの炭化水素を利用する
ことが可能である。
もベンゼンに限らず、メタンなどの炭化水素を利用する
ことが可能である。
【００４０】
【発明の効果】以上説明したように、請求項１の発明に
よれば、錫めっきを施した雄部品または雌部品のうちの
少なくとも一方に部分的にダイヤモンド状カーボンのコ
ーティングを行っているため、端子の嵌合時にはダイヤ
モンド状カーボンの低い摩擦力によって端子挿入力を低
減することができ、また嵌合終了時には錫めっき層の凝
着磨耗によって安定した低い接触抵抗を得ることができ
る。
よれば、錫めっきを施した雄部品または雌部品のうちの
少なくとも一方に部分的にダイヤモンド状カーボンのコ
ーティングを行っているため、端子の嵌合時にはダイヤ
モンド状カーボンの低い摩擦力によって端子挿入力を低
減することができ、また嵌合終了時には錫めっき層の凝
着磨耗によって安定した低い接触抵抗を得ることができ
る。
【００４１】また、請求項２および請求項３の発明によ
れば、雄部品または雌部品のうちの少なくとも一方の嵌
合部分のみにダイヤモンド状カーボンのコーティングを
行っているため、請求項１の発明と同様の効果が得られ
るのに加えて、雄部品または雌部品と電線との接触抵抗
は安定して低い値を得ることができる。
れば、雄部品または雌部品のうちの少なくとも一方の嵌
合部分のみにダイヤモンド状カーボンのコーティングを
行っているため、請求項１の発明と同様の効果が得られ
るのに加えて、雄部品または雌部品と電線との接触抵抗
は安定して低い値を得ることができる。
【００４２】また、請求項４の発明によれば、ビーム指
向性を有するイオン化蒸着によってダイヤモンド状カー
ボンのコーティングを行っているため、請求項１の発明
と同様の効果が得られるのに加えて、雄部品の嵌合部分
における摺動部分のみに効率よくダイヤモンド状カーボ
ンを成膜することができる。
向性を有するイオン化蒸着によってダイヤモンド状カー
ボンのコーティングを行っているため、請求項１の発明
と同様の効果が得られるのに加えて、雄部品の嵌合部分
における摺動部分のみに効率よくダイヤモンド状カーボ
ンを成膜することができる。
【図１】本発明に係る嵌合型接続端子の側面図である。
【図２】図１の嵌合型接続端子の接続部分の一部切欠平
面図である。
面図である。
【図３】ＤＬＣコーティングを行ったタブとエンボスと
の接触の様子を説明するための図である。
の接触の様子を説明するための図である。
【図４】嵌合型接続端子の嵌合部に島状にＤＬＣコーテ
ィングを行う様子を説明する図である。
ィングを行う様子を説明する図である。
１０ 雄端子 １２ タブ １２ｂ、２２ｂ 錫めっき層 １２ｃ ＤＬＣ層 ２０ 雌端子 ２１ 舌片 ２２ エンボス ２３ ビード ２５ 嵌合部
Claims (4)
- 【請求項１】 錫めっきを施した雄部品および雌部品の
嵌合によって電気的接触を得る嵌合型接続端子であっ
て、 前記錫めっきを施した前記雄部品または前記雌部品のう
ちの少なくとも一方に部分的にダイヤモンド状カーボン
のコーティングを行うことを特徴とする嵌合型接続端
子。 - 【請求項２】 請求項１記載の嵌合型接続端子におい
て、 前記雄部品または前記雌部品のうちの少なくとも一方の
嵌合部分のみにダイヤモンド状カーボンのコーティング
を行うことを特徴とする嵌合型接続端子。 - 【請求項３】 請求項２記載の嵌合型接続端子におい
て、 前記雄部品の前記嵌合部分における摺動部分のみにダイ
ヤモンド状カーボンのコーティングを行うことを特徴と
する嵌合型接続端子。 - 【請求項４】 雄部品および雌部品の嵌合によって電気
的接触を得る嵌合型接続端子の製造方法であって、 前記雄部品および前記雌部品の母材の表面に錫めっき層
を形成するめっき工程と、 前記雄部品の前記嵌合部分における摺動部分のみにイオ
ン化蒸着によってダイヤモンド状カーボンのコーティン
グを行う蒸着工程と、を備えることを特徴とする嵌合型
接続端子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744497A JPH1116623A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 嵌合型接続端子および嵌合型接続端子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16744497A JPH1116623A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 嵌合型接続端子および嵌合型接続端子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1116623A true JPH1116623A (ja) | 1999-01-22 |
Family
ID=15849827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16744497A Pending JPH1116623A (ja) | 1997-06-24 | 1997-06-24 | 嵌合型接続端子および嵌合型接続端子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1116623A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470465B2 (en) | 2004-12-20 | 2008-12-30 | Kobe Steel, Ltd. | Connector contact material |
| JP2017063070A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | アイシン精機株式会社 | 配線基板 |
-
1997
- 1997-06-24 JP JP16744497A patent/JPH1116623A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7470465B2 (en) | 2004-12-20 | 2008-12-30 | Kobe Steel, Ltd. | Connector contact material |
| JP2017063070A (ja) * | 2015-09-24 | 2017-03-30 | アイシン精機株式会社 | 配線基板 |
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