JPH11163379A - アモルファスシリコン太陽電池 - Google Patents
アモルファスシリコン太陽電池Info
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- JPH11163379A JPH11163379A JP9330728A JP33072897A JPH11163379A JP H11163379 A JPH11163379 A JP H11163379A JP 9330728 A JP9330728 A JP 9330728A JP 33072897 A JP33072897 A JP 33072897A JP H11163379 A JPH11163379 A JP H11163379A
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- Japan
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- amorphous silicon
- solar cell
- silicon solar
- conductive adhesive
- film
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- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
- Y02E10/548—Amorphous silicon PV cells
Landscapes
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 本発明は、時計用のアモルファスシリコン太
陽電池に関し、アモルファスシリコン太陽電池素子とア
モルファスシリコン太陽電池時計駆動部を低い接触抵抗
により接続させることである。 【解決手段】 基板上にアモルファスシリコン太陽電池
素子層、透明導電膜及び金属膜からなる上下電極部を含
む構成によるアモルファスシリコン太陽電池において、
アモルファスシリコン太陽電池とアモルファスシリコン
太陽電池時計駆動部との接続は、アモルファスシリコン
太陽電池の上部電極上に導電性接着剤を形成させ、前記
導電性接着剤形成部分に接触させることにより行い、前
記導電性接着剤は、１３０度から１７０度の温度範囲に
おいて加熱硬化させることを特徴とするアモルファスシ
リコン太陽電池。
陽電池に関し、アモルファスシリコン太陽電池素子とア
モルファスシリコン太陽電池時計駆動部を低い接触抵抗
により接続させることである。 【解決手段】 基板上にアモルファスシリコン太陽電池
素子層、透明導電膜及び金属膜からなる上下電極部を含
む構成によるアモルファスシリコン太陽電池において、
アモルファスシリコン太陽電池とアモルファスシリコン
太陽電池時計駆動部との接続は、アモルファスシリコン
太陽電池の上部電極上に導電性接着剤を形成させ、前記
導電性接着剤形成部分に接触させることにより行い、前
記導電性接着剤は、１３０度から１７０度の温度範囲に
おいて加熱硬化させることを特徴とするアモルファスシ
リコン太陽電池。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、アモルファスシリ
コン太陽電池に関し、さらに詳しくは時計用のアモルフ
ァスシリコン太陽電池の接触抵抗に関する。
コン太陽電池に関し、さらに詳しくは時計用のアモルフ
ァスシリコン太陽電池の接触抵抗に関する。
【０００２】
【従来の技術】アモルファスシリコン太陽電池の上部電
極には、一般的に反射率の高いＡＬの金属電極を用い、
前記アモルファスシリコン太陽電池とアモルファスシリ
コン太陽電池時計駆動部との接続は、導電性接着剤を用
いているが、上部電極（以下金属電極）と導電性接着剤
との良好な組み合わせに関しては明らかにされていな
い。金属電極と導電性接着剤との接触抵抗値が高いと、
高照度においてアモルファスシリコン太陽電池特性値の
バラツキが大きいため、信頼性などにおいても安定した
特性は得られなく、また、アモルファスシリコン太陽電
池自体の抵抗値は良好でも、アモルファスシリコン太陽
電池とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部との接
続部分の接触抵抗値が高いとアモルファスシリコン太陽
電池としての駆動ができなくなる。
極には、一般的に反射率の高いＡＬの金属電極を用い、
前記アモルファスシリコン太陽電池とアモルファスシリ
コン太陽電池時計駆動部との接続は、導電性接着剤を用
いているが、上部電極（以下金属電極）と導電性接着剤
との良好な組み合わせに関しては明らかにされていな
い。金属電極と導電性接着剤との接触抵抗値が高いと、
高照度においてアモルファスシリコン太陽電池特性値の
バラツキが大きいため、信頼性などにおいても安定した
特性は得られなく、また、アモルファスシリコン太陽電
池自体の抵抗値は良好でも、アモルファスシリコン太陽
電池とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部との接
続部分の接触抵抗値が高いとアモルファスシリコン太陽
電池としての駆動ができなくなる。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、アモルファ
スシリコン太陽電池に関し、アモルファスシリコン太陽
電池素子とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部を
低い接触抵抗により接続させることである。
スシリコン太陽電池に関し、アモルファスシリコン太陽
電池素子とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部を
低い接触抵抗により接続させることである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成させるた
めに、本発明のアモルファスシリコン太陽電池は、基板
上にアモルファスシリコン太陽電池素子層、透明導電膜
及び金属膜からなる上下電極部を含む構成によるアモル
ファスシリコン太陽電池において、上部電極と下部電極
は導電性接着剤で繋ぎ、アモルファスシリコン太陽電池
とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部との接続
は、上部電極上に導電性接着剤を形成させ、前記導電性
接着剤形成部分に接触させることにより行い、導電性接
着剤の加熱硬化は、１３０度から１７０度の温度範囲に
限定している。
めに、本発明のアモルファスシリコン太陽電池は、基板
上にアモルファスシリコン太陽電池素子層、透明導電膜
及び金属膜からなる上下電極部を含む構成によるアモル
ファスシリコン太陽電池において、上部電極と下部電極
は導電性接着剤で繋ぎ、アモルファスシリコン太陽電池
とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部との接続
は、上部電極上に導電性接着剤を形成させ、前記導電性
接着剤形成部分に接触させることにより行い、導電性接
着剤の加熱硬化は、１３０度から１７０度の温度範囲に
限定している。
【０００５】
【発明の実施の形態】金属単膜上に導電性接着剤を塗布
し、加熱硬化条件を変化させた場合の金属膜と接触抵抗
値との関係を図１及び図２に示す。
し、加熱硬化条件を変化させた場合の金属膜と接触抵抗
値との関係を図１及び図２に示す。
【０００６】Ｔｉ金属膜上に導電性接着剤を塗布し、導
電性接着剤の加熱硬化条件を変化させた場合のＴｉ金属
膜と導電性接着剤の接触抵抗値との関係を図１に示し、
（ａ）は、設定温度において加熱硬化させた場合（以下
（ａ）とする）、（ｂ）は、室温より徐々に温度を上げ
て加熱硬化させた場合（以下（ｂ）とする）である。
電性接着剤の加熱硬化条件を変化させた場合のＴｉ金属
膜と導電性接着剤の接触抵抗値との関係を図１に示し、
（ａ）は、設定温度において加熱硬化させた場合（以下
（ａ）とする）、（ｂ）は、室温より徐々に温度を上げ
て加熱硬化させた場合（以下（ｂ）とする）である。
【０００７】図１より、（ａ）は、加熱硬化温度が高く
なるに従い、抵抗値は低くなって行くが、（ｂ）は、１
５０度付近の加熱硬化温度を境に減少していた抵抗値が
増加していく傾向が分かった。
なるに従い、抵抗値は低くなって行くが、（ｂ）は、１
５０度付近の加熱硬化温度を境に減少していた抵抗値が
増加していく傾向が分かった。
【０００８】また、この結果をもとに、アモルファスシ
リコン太陽電池素子構造を形成させ、アモルファスシリ
コン太陽電池特性を測定した結果、アモルファスシリコ
ン太陽電池とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部
分を接続する抵抗値が１２０Ω以下において、低照度及
び高照度における値のバラツキのない安定した特性が得
られ、図１において、金属単膜と導電性接着剤との接触
抵抗値が２０Ω以下の場合にこの結果が得られることが
分かり、図１より、１３０度から１７０度の温度範囲に
おいて、導電性接着剤を加熱硬化させた場合に安定した
アモルファスシリコン太陽電池特性が得られることが分
かった。
リコン太陽電池素子構造を形成させ、アモルファスシリ
コン太陽電池特性を測定した結果、アモルファスシリコ
ン太陽電池とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部
分を接続する抵抗値が１２０Ω以下において、低照度及
び高照度における値のバラツキのない安定した特性が得
られ、図１において、金属単膜と導電性接着剤との接触
抵抗値が２０Ω以下の場合にこの結果が得られることが
分かり、図１より、１３０度から１７０度の温度範囲に
おいて、導電性接着剤を加熱硬化させた場合に安定した
アモルファスシリコン太陽電池特性が得られることが分
かった。
【０００９】ＡＬ金属膜上に導電性接着剤を塗布し加熱
硬化条件を変化させた場合のＡＬ金属膜と導電性接着剤
との接触抵抗値の関係を図２に示す。図２より、（ａ）
は、設定温度より導電性接着剤加熱硬化させた場合（以
下（ａ）とする）、（ｂ）は、室温より徐々に温度を上
げて導電性接着剤を加熱硬化させた場合（以下（ｂ）と
する）において、ＡＬ金属膜と導電性接着剤との加熱硬
化温度と接触抵抗値との関係は、図１と同様の傾向を示
すが、金属膜と導電性接着剤との接触抵抗値が格段に高
くなるため、アモルファスシリコン太陽電池の上部電極
は、Ｔｉ金属膜が好ましいことが分かった。
硬化条件を変化させた場合のＡＬ金属膜と導電性接着剤
との接触抵抗値の関係を図２に示す。図２より、（ａ）
は、設定温度より導電性接着剤加熱硬化させた場合（以
下（ａ）とする）、（ｂ）は、室温より徐々に温度を上
げて導電性接着剤を加熱硬化させた場合（以下（ｂ）と
する）において、ＡＬ金属膜と導電性接着剤との加熱硬
化温度と接触抵抗値との関係は、図１と同様の傾向を示
すが、金属膜と導電性接着剤との接触抵抗値が格段に高
くなるため、アモルファスシリコン太陽電池の上部電極
は、Ｔｉ金属膜が好ましいことが分かった。
【００１０】また、Ｔｉ金属膜を２層に形成または、例
えばＡＬなどの他の金属膜の上にＴｉ金属膜を形成する
方法は、金属界面同士の抵抗が影響し、さらに抵抗値が
高くなるため良くない。
えばＡＬなどの他の金属膜の上にＴｉ金属膜を形成する
方法は、金属界面同士の抵抗が影響し、さらに抵抗値が
高くなるため良くない。
【００１１】
【実施例】（実施例１）本実施例を図３を用いて説明す
る。図３は、ガラス基板１上にスパッタリング法などに
より透明導電膜（ＳｎＯ2膜）２を形成し、素子形状に
パターニングを施した後、ＳｉＨ4ガスを高周波グロー
放電により分解することで基板上へ薄膜状に成長させる
方法（以下、プラズマＣＶＤ法）により、ｐ−ｉ−ｎ接
合型のアモルファスシリコン太陽電池発電層３を形成、
スパッタリング法によりＴｉ金属電極４を蒸着し、アモ
ルファスシリコン太陽電池素子構造を形成後、スクリー
ン印刷により導電性接着剤５及び絶縁保護層６を形成し
た。
る。図３は、ガラス基板１上にスパッタリング法などに
より透明導電膜（ＳｎＯ2膜）２を形成し、素子形状に
パターニングを施した後、ＳｉＨ4ガスを高周波グロー
放電により分解することで基板上へ薄膜状に成長させる
方法（以下、プラズマＣＶＤ法）により、ｐ−ｉ−ｎ接
合型のアモルファスシリコン太陽電池発電層３を形成、
スパッタリング法によりＴｉ金属電極４を蒸着し、アモ
ルファスシリコン太陽電池素子構造を形成後、スクリー
ン印刷により導電性接着剤５及び絶縁保護層６を形成し
た。
【００１２】本発明では、アモルファスシリコン太陽電
池構造などを形成する基板は、ガラス基板１を使用した
が、透光性、化学的、物理的に安定で耐食性、強度、耐
熱性、耐候性、耐久性などの優れ、アモルファスシリコ
ン膜との密着性も良く、電気的に低抵抗接触が得られる
材料なら良い。また、透光性をもつエポキシ樹脂などの
高分子有機膜もしくは無機膜の膜及び板などでも良く、
アモルファスシリコン膜との密着性に優れ、より軽量、
薄型のアモルファスシリコン太陽電池が作製できる。
池構造などを形成する基板は、ガラス基板１を使用した
が、透光性、化学的、物理的に安定で耐食性、強度、耐
熱性、耐候性、耐久性などの優れ、アモルファスシリコ
ン膜との密着性も良く、電気的に低抵抗接触が得られる
材料なら良い。また、透光性をもつエポキシ樹脂などの
高分子有機膜もしくは無機膜の膜及び板などでも良く、
アモルファスシリコン膜との密着性に優れ、より軽量、
薄型のアモルファスシリコン太陽電池が作製できる。
【００１３】透明導電膜２は、ＳｎＯ2膜を使用した
が、可視光に対する透明性と電気伝導性に優れた特性を
持つ材料、例えば、ＩＴＯ膜、Ｉｎ2Ｏ3膜などでも良
い。
が、可視光に対する透明性と電気伝導性に優れた特性を
持つ材料、例えば、ＩＴＯ膜、Ｉｎ2Ｏ3膜などでも良
い。
【００１４】ｐ−ｉ−ｎ接合型のアモルファスシリコン
発電層３は、ガラス基板側よりｐ層、ｉ層、ｎ層の順に
アモルファスシリコン膜を積層し、アモルファスシリコ
ン膜は、アモルファスシリコンＳｉ膜中に水素を取り込
ませるようにプラズマＣＶＤ法により膜（以下水素化ア
モルファスシリコン膜）を形成させており、水素化アモ
ルファスシリコン膜は、Ｓｉの未結合手（以下ダングリ
ングボンド）はＨで終端されるなどの効果をしているた
め欠陥は少なく、さらに、２００〜３００度に基板を加
熱し形成させるため、膜生成ラジカル種のホッピング移
動を容易にするとともに、ネットワークの構造緩和剤と
しての役割をは果たし、熱的構造緩和と相まってダング
リングボンドが極めて少ない膜を形成している。
発電層３は、ガラス基板側よりｐ層、ｉ層、ｎ層の順に
アモルファスシリコン膜を積層し、アモルファスシリコ
ン膜は、アモルファスシリコンＳｉ膜中に水素を取り込
ませるようにプラズマＣＶＤ法により膜（以下水素化ア
モルファスシリコン膜）を形成させており、水素化アモ
ルファスシリコン膜は、Ｓｉの未結合手（以下ダングリ
ングボンド）はＨで終端されるなどの効果をしているた
め欠陥は少なく、さらに、２００〜３００度に基板を加
熱し形成させるため、膜生成ラジカル種のホッピング移
動を容易にするとともに、ネットワークの構造緩和剤と
しての役割をは果たし、熱的構造緩和と相まってダング
リングボンドが極めて少ない膜を形成している。
【００１５】また、水素化アモルファスシリコンｐ層及
びｎ層は、ＳｉＨ4ガスにｐ層はＢ2Ｈ6ガス、ｎ層はＰ
Ｈ3ガスを不純物添加（以下ドーピング）することによ
り価電子制御しており、ＳｉＨ4ガスにＢ2Ｈ6ガスまた
はＰＨ3ガスを１０ー6〜１０-1（１〜１０４ｐｐｍ）混
入し、グロー放電分解することにより、電気伝導度及び
活性化エネルギーなどを制御し、本実施例においてはＳ
ｉＨ4ガスのみのグロー放電を行い、ｉ層を形成した
が、微少量ドーピングすることによりｉ層を形成するこ
とも可能である。
びｎ層は、ＳｉＨ4ガスにｐ層はＢ2Ｈ6ガス、ｎ層はＰ
Ｈ3ガスを不純物添加（以下ドーピング）することによ
り価電子制御しており、ＳｉＨ4ガスにＢ2Ｈ6ガスまた
はＰＨ3ガスを１０ー6〜１０-1（１〜１０４ｐｐｍ）混
入し、グロー放電分解することにより、電気伝導度及び
活性化エネルギーなどを制御し、本実施例においてはＳ
ｉＨ4ガスのみのグロー放電を行い、ｉ層を形成した
が、微少量ドーピングすることによりｉ層を形成するこ
とも可能である。
【００１６】本実施例では、ｐ−ｉ−ｎ接合型を採用し
たが、ｎ−ｉ−ｐ接合型においても構成することが可能
である。
たが、ｎ−ｉ−ｐ接合型においても構成することが可能
である。
【００１７】金属電極４の形成は、スパッタリング法を
採用したが、プラズマＣＶＤ法による形成も可能である
ため、製造工程に一貫性をもつことができ、さらなる量
産性の向上及び製造工程の簡略化が可能である。
採用したが、プラズマＣＶＤ法による形成も可能である
ため、製造工程に一貫性をもつことができ、さらなる量
産性の向上及び製造工程の簡略化が可能である。
【００１８】金属電極４と絶縁保護層６の間に窒化膜も
しくは酸化膜などの絶縁層を形成することにより、金属
電極４界面をより平坦にすることができるため、絶縁保
護層６を形成した際において、スクリーン印刷性及び密
着性をさらによくすることができ、化学的に安定した界
面状態にすることができる。
しくは酸化膜などの絶縁層を形成することにより、金属
電極４界面をより平坦にすることができるため、絶縁保
護層６を形成した際において、スクリーン印刷性及び密
着性をさらによくすることができ、化学的に安定した界
面状態にすることができる。
【００１９】本実施例において、絶縁保護層６は、フィ
ラー及び顔料などを混入させたエポキシ樹脂を使用した
が、フェノール樹脂またはアクリル樹脂などにおいても
可能である。
ラー及び顔料などを混入させたエポキシ樹脂を使用した
が、フェノール樹脂またはアクリル樹脂などにおいても
可能である。
【００２０】導電性接着剤５は、導電性をもつフィラー
（以下導電フィラー）であるカーボングラファイト及び
顔料などを混入させたフェノール樹脂を使用したが、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂などにおいても可能である。
（以下導電フィラー）であるカーボングラファイト及び
顔料などを混入させたフェノール樹脂を使用したが、エ
ポキシ樹脂、アクリル樹脂などにおいても可能である。
【００２１】また、本実施例においては、導電性接着剤
５と絶縁保護層６は、異なる樹脂系を使用したが、信頼
性などの点より、同種の樹脂系を用いた方が好ましいと
考えられる。
５と絶縁保護層６は、異なる樹脂系を使用したが、信頼
性などの点より、同種の樹脂系を用いた方が好ましいと
考えられる。
【００２２】本実施例において、導電性接着剤５及び絶
縁保護層６は、スクリーン印刷法により形成させたた
め、スクリーンマスクにフィラーが詰まり印刷すること
ができなくなることもあるため、フィラーの粒径を選択
する必要がある。
縁保護層６は、スクリーン印刷法により形成させたた
め、スクリーンマスクにフィラーが詰まり印刷すること
ができなくなることもあるため、フィラーの粒径を選択
する必要がある。
【００２３】また、導電性接着剤５及び絶縁保護層６
は、スクリーン印刷法により形成させたが、ディスペン
サー方式などの方法においても形成することが可能であ
る。
は、スクリーン印刷法により形成させたが、ディスペン
サー方式などの方法においても形成することが可能であ
る。
【００２４】またさらに、導電性接着剤５及び絶縁保護
層６は、１５０℃において加熱硬化させ、形成させた。
層６は、１５０℃において加熱硬化させ、形成させた。
【００２５】このような構成によるアモルファスシリコ
ン太陽電池は、導電性接着剤５とアモルファスシリコン
太陽電池時計駆動部と接触する部分の抵抗は、８０Ωで
あり、アモルファスシリコン太陽電池特性は、低照度、
高照度ともに値のバラツキのない、信頼性及び特性の優
れたアモルファスシリコン太陽電池を作製することがで
きた。
ン太陽電池は、導電性接着剤５とアモルファスシリコン
太陽電池時計駆動部と接触する部分の抵抗は、８０Ωで
あり、アモルファスシリコン太陽電池特性は、低照度、
高照度ともに値のバラツキのない、信頼性及び特性の優
れたアモルファスシリコン太陽電池を作製することがで
きた。
【００２６】（実施例２）ガラス基板１上に透明導電膜
２及び金属電極４からなる上下電極部、アモルファスシ
リコン発電層３を含む構成のアモルファスシリコン太陽
電池において、透明導電膜２は、ＩＴＯ膜を使用し、導
電性接着剤５は、１５０度において加熱硬化を行い、上
下電極部を直接接続させた構成のアモルファスシリコン
太陽電池を図２に示す。
２及び金属電極４からなる上下電極部、アモルファスシ
リコン発電層３を含む構成のアモルファスシリコン太陽
電池において、透明導電膜２は、ＩＴＯ膜を使用し、導
電性接着剤５は、１５０度において加熱硬化を行い、上
下電極部を直接接続させた構成のアモルファスシリコン
太陽電池を図２に示す。
【００２７】図２より、アモルファスシリコン太陽電池
とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部と接触する
部分の抵抗は、９８Ωであり、アモルファスシリコン太
陽電池特性を測定した結果、低照度及び高照度における
測定値のバラツキのない良好な特性のアモルファスシリ
コン太陽電池を作製することができた。
とアモルファスシリコン太陽電池時計駆動部と接触する
部分の抵抗は、９８Ωであり、アモルファスシリコン太
陽電池特性を測定した結果、低照度及び高照度における
測定値のバラツキのない良好な特性のアモルファスシリ
コン太陽電池を作製することができた。
【００２８】また、本実施例では行っていないが、Ｍｏ
金属膜上に導電性接着剤を塗布し、加熱焼成条件を測定
した場合においても、Ｔｉと同等もしくはそれ以下の低
い抵抗値が得られることが分かったため、Ｍｏにおいて
も低抵抗のアモルファスシリコン太陽電池を作製するこ
とができることが考えられる。
金属膜上に導電性接着剤を塗布し、加熱焼成条件を測定
した場合においても、Ｔｉと同等もしくはそれ以下の低
い抵抗値が得られることが分かったため、Ｍｏにおいて
も低抵抗のアモルファスシリコン太陽電池を作製するこ
とができることが考えられる。
【００２９】
【発明の効果】本発明によれば、アモルファスシリコン
太陽電池素子とアモルファスシリコン太陽電池駆動部と
の接続を低抵抗で接続させることができる時計用のアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製することができる。
太陽電池素子とアモルファスシリコン太陽電池駆動部と
の接続を低抵抗で接続させることができる時計用のアモ
ルファスシリコン太陽電池を作製することができる。
【図１】Ｔｉ金属膜と導電性接着剤との加熱硬化条件変
化による接触抵抗値変化を示す図である。
化による接触抵抗値変化を示す図である。
【図２】ＡＬ金属膜と導電性接着剤との加熱硬化条件変
化による接触抵抗値変化を示す図である。
化による接触抵抗値変化を示す図である。
【図３】本実施例におけるアモルファスシリコン太陽電
池の模式図。
池の模式図。
【図４】本実施例におけるアモルファスシリコン太陽電
池の模式図。
池の模式図。
１ ガラス基板 ２ 透明導電膜 ３ アモルファスシリコン発電層 ４ 金属電極 ５ 導電性接着剤 ６ 絶縁保護層
Claims (3)
- 【請求項１】 基板上にアモルファスシリコン太陽電池
素子層、透明導電膜及び金属膜からなる上下電極部を含
む構成のアモルファスシリコン太陽電池において、アモ
ルファスシリコン太陽電池とアモルファスシリコン太陽
電池時計駆動部との接続は、上部電極上に導電性接着剤
を形成させ、導電性接着剤形成部分に接触させることに
より行い、前記導電性接着剤は、１３０度から１７０度
の温度範囲において加熱硬化させることを特徴とするア
モルファスシリコン太陽電池。 - 【請求項２】 前記導電性接着剤は、カーボンペースト
であることを特徴とする請求項１記載のアモルファスシ
リコン太陽電池。 - 【請求項３】 金属膜からなる前記電極部は、Ｔｉであ
ることを特徴とする請求項１〜２記載のアモルファスシ
リコン太陽電池。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330728A JPH11163379A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9330728A JPH11163379A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11163379A true JPH11163379A (ja) | 1999-06-18 |
Family
ID=18235901
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9330728A Pending JPH11163379A (ja) | 1997-12-02 | 1997-12-02 | アモルファスシリコン太陽電池 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11163379A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002013278A3 (de) * | 2000-08-08 | 2002-04-18 | Astrium Gmbh | Entladungsfester raumfahrt-solargenerator |
| JP2002268549A (ja) * | 2001-03-06 | 2002-09-20 | Sharp Corp | 情報へのアクセス制御方法、情報へのアクセス制御装置、情報へのアクセス制御ネットワークシステム、情報へのアクセス制御プログラム |
| JP2004247325A (ja) * | 2002-12-19 | 2004-09-02 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 集積型薄膜太陽電池の評価装置および評価方法 |
-
1997
- 1997-12-02 JP JP9330728A patent/JPH11163379A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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