JPS59151476A - 光電変換素子 - Google Patents
光電変換素子Info
- Publication number
- JPS59151476A JPS59151476A JP58025649A JP2564983A JPS59151476A JP S59151476 A JPS59151476 A JP S59151476A JP 58025649 A JP58025649 A JP 58025649A JP 2564983 A JP2564983 A JP 2564983A JP S59151476 A JPS59151476 A JP S59151476A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- amorphous silicon
- tin oxide
- photoelectric conversion
- type
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 title claims abstract description 23
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 21
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 11
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 4
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 8
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 16
- 239000010409 thin film Substances 0.000 abstract description 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 7
- IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N cadmium(2+) indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Cd+2].[In+3] IEJHYFOJNUCIBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 3
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 abstract description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 abstract description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 abstract description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 2
- 229910052990 silicon hydride Inorganic materials 0.000 abstract 1
- BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N platinum Chemical compound [Pt] BASFCYQUMIYNBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 230000035945 sensitivity Effects 0.000 description 2
- 230000003595 spectral effect Effects 0.000 description 2
- 235000006693 Cassia laevigata Nutrition 0.000 description 1
- 108010043121 Green Fluorescent Proteins Proteins 0.000 description 1
- 241000735631 Senna pendula Species 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 150000001844 chromium Chemical class 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 229940124513 senna glycoside Drugs 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
- H01L31/06—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers
- H01L31/07—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices characterised by potential barriers the potential barriers being only of the Schottky type
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
- Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Electromagnetism (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
、本発明は、光電変換素子にかかシ、特に、光導電体と
して非晶質シリコンを使用し、この光導電圧を透、明電
極と金属電極で挾んだサイドイツチ型の光電変換素子（
関する。
して非晶質シリコンを使用し、この光導電圧を透、明電
極と金属電極で挾んだサイドイツチ型の光電変換素子（
関する。
最近の半導体材料の発達に伴い、シリコンを用い九光電
変換早子は光電変換効率が帛＜、強や光線のもとでも安
宥なことから、太陽電池をはじめとして、広く使用され
ている。
変換早子は光電変換効率が帛＜、強や光線のもとでも安
宥なことから、太陽電池をはじめとして、広く使用され
ている。
ところで、非晶質シリコンを光導電体として用い声太陽
電池と、して畔、非晶質シリコン層に不純物をドープし
て、ｉ、層（真性層）をｐ層とｎ層とで挾みｐｉｎ型と
した構造のものと、表面の金属電極としてプラチナ（ｐ
ｔ）薄膜等を使用する。ことに１夛、この金属と非晶質
シリコン層との間にショットキー接合を形成した構造（
以下ショットキー接合屋と相称する）のものとが知られ
ている。
電池と、して畔、非晶質シリコン層に不純物をドープし
て、ｉ、層（真性層）をｐ層とｎ層とで挾みｐｉｎ型と
した構造のものと、表面の金属電極としてプラチナ（ｐ
ｔ）薄膜等を使用する。ことに１夛、この金属と非晶質
シリコン層との間にショットキー接合を形成した構造（
以下ショットキー接合屋と相称する）のものとが知られ
ている。
１、しかしながら、前記ｐｉｎ型の太陽電池は、ｉ層を
ｐ層とｎ１ｉ！Ｉとで挾んだ３層構造であるため、ドー
、ビイグ工程などの製造工程、が複雑であるという問題
点かヤする。他方、前記シ目ブトキー接合型の太陽電池
においては、太陽エネルギーを電気エネルギーに変□換
する効率すなわち、エネルギ、−変換効率を上げるため
に、できるだけ接合面が表面近くにできるような構造と
することが望ましいため、受光部である表面の側にこの
金属を配置する構造がとられているが、従来のプラチナ
薄膜等の金属薄膜では透光性に限度があシ、変換効率の
良好な太陽電池を得ることは不可能であった。
ｐ層とｎ１ｉ！Ｉとで挾んだ３層構造であるため、ドー
、ビイグ工程などの製造工程、が複雑であるという問題
点かヤする。他方、前記シ目ブトキー接合型の太陽電池
においては、太陽エネルギーを電気エネルギーに変□換
する効率すなわち、エネルギ、−変換効率を上げるため
に、できるだけ接合面が表面近くにできるような構造と
することが望ましいため、受光部である表面の側にこの
金属を配置する構造がとられているが、従来のプラチナ
薄膜等の金属薄膜では透光性に限度があシ、変換効率の
良好な太陽電池を得ることは不可能であった。
本発明は、これらの実情に艦み文なされたもので、製造
が簡単ですかつ特に、エネルギー変換効率の高い光電変
換素子を提供することを目的とする。
が簡単ですかつ特に、エネルギー変換効率の高い光電変
換素子を提供することを目的とする。
本発明は、シ曹ットキー接合型の光電変換素子において
、非晶質シリコン七の間でシ冒ットキー接合面を形成す
る物質として従来使用されていたプラチナ等の金属薄膜
に代えて、透明電極を用いることを特徴とするもので、
この°透明電極としては、酸化インジウム錫、酸化錫、
酸化カドミウムインジウムなどが特に望ましく、また、
非晶質シリコンとしては木葉化非晶質シリコンが特に望
ましい。
、非晶質シリコン七の間でシ冒ットキー接合面を形成す
る物質として従来使用されていたプラチナ等の金属薄膜
に代えて、透明電極を用いることを特徴とするもので、
この°透明電極としては、酸化インジウム錫、酸化錫、
酸化カドミウムインジウムなどが特に望ましく、また、
非晶質シリコンとしては木葉化非晶質シリコンが特に望
ましい。
□次に、本発明の光電変換素子を太陽電池に適用した実
施例につやて、図面を参照しつつ説明する。
施例につやて、図面を参照しつつ説明する。
第１図は、本発明実施例の太陽電池の断面を示す概要説
明図であ）、この電池は絶縁性のセラミック基板１上に
形成された膜厚０．３μｍのクロム（ｃｒ）薄膜２と、
このクロム薄膜２上に形成された膜厚的ｌ１１ｍの水素
化非晶質シリコン膜３と、さらにその上に形成された膜
厚的０．１μｍの酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ −
Ｔ ｉｎ ０ｘｉｄｅ ： Ｉ Ｔ Ｏ）膜１とから構
成されている。
明図であ）、この電池は絶縁性のセラミック基板１上に
形成された膜厚０．３μｍのクロム（ｃｒ）薄膜２と、
このクロム薄膜２上に形成された膜厚的ｌ１１ｍの水素
化非晶質シリコン膜３と、さらにその上に形成された膜
厚的０．１μｍの酸化インジウム錫（Ｉｎｄｉｕｍ −
Ｔ ｉｎ ０ｘｉｄｅ ： Ｉ Ｔ Ｏ）膜１とから構
成されている。
この太陽電池の製造方法の１例を以下に示す。
まず、セラミック基板１上に、電子ビーム蒸着法によっ
て約０．３μｍのり四人薄膜２を着膜する。
て約０．３μｍのり四人薄膜２を着膜する。
次いで、反応ガスとして１００チのシラン（８ｉＨａ）
を使用し、流量２０〜５０標準ＣＣ分（８０ＣＭ）。
を使用し、流量２０〜５０標準ＣＣ分（８０ＣＭ）。
圧力０．２−１）−ル（Ｔｏｒｒ ）パワー２０〜５０
Ｗの反応条件下で基板ｆ２００〜３００℃に加熱しつつ
プラズマ化学蒸着法（プラズマＣＶＤ法）によって、水
素化非晶質シリコン３を約１μｍ着膜する。
Ｗの反応条件下で基板ｆ２００〜３００℃に加熱しつつ
プラズマ化学蒸着法（プラズマＣＶＤ法）によって、水
素化非晶質シリコン３を約１μｍ着膜する。
最後に、酸化インジウム錫（９０ｍｏＪ ’４ ｌｎ２
０ｍ＋１０ｍｏ７％Ｓｎｏｗ）をターゲットどし、パワ
ー１５０〜２００ Ｗ 、酸未分圧０．’５ ＝ １−
り Ｘｌ０−”Ｆｏｒ’ｒ 、全ガス圧１〜５ Ｘｌ０
−”Ｔｏｒｒの条件下で、直流スパ ４ツタ法（ＤＣ
スパプタ法）によって酸化インジウム錫膜４を約０．１
μｍの膜厚で着膜する。このとき基板は室温から２００
℃に保つようにする。 □このようにして作られた太
陽電池に、光源として、ピーク波長５３０ｎｍの緑色螢
光灯を使用し、１００Ｊｘ （２２μＷ／Ｃｎ）ノ光量
を供給したトコ口、開放電圧Ｖｏｃ ＝ ０−３５ ｖ
ｔ短絡党電流Ｊｓｃ＝７−７Ｘ ＩＱ−’ Ａ７ｃｌｆ
という優れた特性を、得ることかできた。
□ ・また、との太陽電池
の短絡光電流と波長との関係（分光感度特性）は第２図
に示す如くである。
０ｍ＋１０ｍｏ７％Ｓｎｏｗ）をターゲットどし、パワ
ー１５０〜２００ Ｗ 、酸未分圧０．’５ ＝ １−
り Ｘｌ０−”Ｆｏｒ’ｒ 、全ガス圧１〜５ Ｘｌ０
−”Ｔｏｒｒの条件下で、直流スパ ４ツタ法（ＤＣ
スパプタ法）によって酸化インジウム錫膜４を約０．１
μｍの膜厚で着膜する。このとき基板は室温から２００
℃に保つようにする。 □このようにして作られた太
陽電池に、光源として、ピーク波長５３０ｎｍの緑色螢
光灯を使用し、１００Ｊｘ （２２μＷ／Ｃｎ）ノ光量
を供給したトコ口、開放電圧Ｖｏｃ ＝ ０−３５ ｖ
ｔ短絡党電流Ｊｓｃ＝７−７Ｘ ＩＱ−’ Ａ７ｃｌｆ
という優れた特性を、得ることかできた。
□ ・また、との太陽電池
の短絡光電流と波長との関係（分光感度特性）は第２図
に示す如くである。
ここで、太陽電池に供給する光強度Ｆ１１０μＷ／ｃｄ
とする。ここで図中の直１ｐｈｉは変換効率（量子効率
）が１であることを示す。この図から明らかガように、
５５０〜’０ＱＱｎｒｎの波長をもつ光に対しては、前
記量子効率１の直線に近い量子効率を得ることが可能で
ある。ここで５５０ ｎｕｔ以下の短波長側の特性につ
いては、酸化インジウム鵡膜の膜厚を５００〜６００Ａ
とし、表面での反射率を下げることによシ、改善するこ
とが可能である。
とする。ここで図中の直１ｐｈｉは変換効率（量子効率
）が１であることを示す。この図から明らかガように、
５５０〜’０ＱＱｎｒｎの波長をもつ光に対しては、前
記量子効率１の直線に近い量子効率を得ることが可能で
ある。ここで５５０ ｎｕｔ以下の短波長側の特性につ
いては、酸化インジウム鵡膜の膜厚を５００〜６００Ａ
とし、表面での反射率を下げることによシ、改善するこ
とが可能である。
更に、この太陽電池の光量と短絡光電流との関係を第３
図に示す。図中、横軸は光量（ｐＷ／ｃｒｌ ）縦軸は
光電流（Ａ／ｄ）とした。又、光源は前記録色螢光灯を
使用した。この図からも明らかなよりに、この太陽電池
の光量−短絡光電流曲線は、２〜３３０ ｓＷ／ｃｒ／
ｌの範囲で、はぼ傾き１の直線をなしておシ、光電変換
素子が良好であることがわかる。
図に示す。図中、横軸は光量（ｐＷ／ｃｒｌ ）縦軸は
光電流（Ａ／ｄ）とした。又、光源は前記録色螢光灯を
使用した。この図からも明らかなよりに、この太陽電池
の光量−短絡光電流曲線は、２〜３３０ ｓＷ／ｃｒ／
ｌの範囲で、はぼ傾き１の直線をなしておシ、光電変換
素子が良好であることがわかる。
ところで、センサの構造としては他に基板にガラス等を
用い、□基板側から光を入射させた構成即ち、ガラス、
透明電極、非晶質シリコン、金属電極の順に配置したセ
ンナに於ても同様の特性が得らｈる。 □ □ 実施例においては透明電極として、酸化インジウム錫を
用いたが、これに代えて酸化錫、酸化カドミウムインジ
ウムを用いた場合も同様に良好な変換特性を得ることが
できる。また、非晶質シリコンについても、実施例で用
いた如く、真性（ｎ型）のものの他、ｎ型、ｐ型につい
ても有効である。更にまたこの発明は太陽電池に限らず
、他の光電変換素子にも有効に適用できる。
用い、□基板側から光を入射させた構成即ち、ガラス、
透明電極、非晶質シリコン、金属電極の順に配置したセ
ンナに於ても同様の特性が得らｈる。 □ □ 実施例においては透明電極として、酸化インジウム錫を
用いたが、これに代えて酸化錫、酸化カドミウムインジ
ウムを用いた場合も同様に良好な変換特性を得ることが
できる。また、非晶質シリコンについても、実施例で用
いた如く、真性（ｎ型）のものの他、ｎ型、ｐ型につい
ても有効である。更にまたこの発明は太陽電池に限らず
、他の光電変換素子にも有効に適用できる。
以上説明してきたように、本発明によれば表面電極とし
て透光性及び導電性の優れた酸化インジウム錫等を使用
し、この表面電極と、その下層の水嵩化非晶質シリコン
との間にシ目ットキー接合面を形成し九ので、光電変換
効率の良好な光電変 −換素子を提供することができる
。
て透光性及び導電性の優れた酸化インジウム錫等を使用
し、この表面電極と、その下層の水嵩化非晶質シリコン
との間にシ目ットキー接合面を形成し九ので、光電変換
効率の良好な光電変 −換素子を提供することができる
。
第１図は本発明の１実施例の断面説明図、第２図は、同
実施例の分光感度特性を示す図、第３図は、同実施例の
光量−短絡光電流特性を示す図である。 １・・・セラミック基板、２・・・クロム薄膜、３・・
・非晶質シリコン、４・・・酸化インジウム錫膜、！・
・・量子効率１を示す直線。
実施例の分光感度特性を示す図、第３図は、同実施例の
光量−短絡光電流特性を示す図である。 １・・・セラミック基板、２・・・クロム薄膜、３・・
・非晶質シリコン、４・・・酸化インジウム錫膜、！・
・・量子効率１を示す直線。
Claims (4)
- （１） 透明電極と金属電極との間に、光導電体であ
る非晶質シリコンを挾持１、前記非晶質シリコンと前記
透明電極との間でショットキー接倉面を形成したことを
特徴とする光電変換素子。 - （２） 前記透明電極は、酸化インジウム錫、酸化錫
、酸化カドミウムインジウみのうちのいずれかであるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記載の光電変
換素子。 - （３）前記非晶質シリコンが水素化非晶質シリコンであ
ることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項、又は第
Ｃ）項記載の充電変換素子。 - （４）前記非晶質シリコンがＰ型、ｉ型、ｉ型のうちの
いずれかであることを特徴とする特許請求の範囲第（１
）項乃至第（３）項のうちのいずれ桑曜記、載の光電変
換素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025649A JPS59151476A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 光電変換素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP58025649A JPS59151476A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 光電変換素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59151476A true JPS59151476A (ja) | 1984-08-29 |
Family
ID=12171667
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP58025649A Pending JPS59151476A (ja) | 1983-02-18 | 1983-02-18 | 光電変換素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59151476A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336155U (ja) * | 1989-08-19 | 1991-04-09 | ||
| WO2011111821A1 (ja) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | シャープ株式会社 | 光発電素子および多接合薄膜太陽電池 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561318A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
| JPS5685878A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of photoelectric conversion element |
-
1983
- 1983-02-18 JP JP58025649A patent/JPS59151476A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS561318A (en) * | 1979-06-18 | 1981-01-09 | Canon Inc | Photoelectric conversion device |
| JPS5685878A (en) * | 1979-12-17 | 1981-07-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | Manufacture of photoelectric conversion element |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0336155U (ja) * | 1989-08-19 | 1991-04-09 | ||
| WO2011111821A1 (ja) | 2010-03-12 | 2011-09-15 | シャープ株式会社 | 光発電素子および多接合薄膜太陽電池 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2413333C2 (ru) | Передний контакт на основе оксида индия-цинка для фотоэлектрического прибора и способ его изготовления | |
| US6121541A (en) | Monolithic multi-junction solar cells with amorphous silicon and CIS and their alloys | |
| US6870088B2 (en) | Solar battery cell and manufacturing method thereof | |
| US4162505A (en) | Inverted amorphous silicon solar cell utilizing cermet layers | |
| US20020046766A1 (en) | Amorphous silicon photovoltaic devices | |
| JP2000058887A (ja) | 統一性の高いインタコネクトと二重層接点とを備えた薄膜光起電力モジュ―ルの製造 | |
| JPS6091626A (ja) | アモルフアスシリコンｐｉｎ半導体装置の製造方法 | |
| US4956023A (en) | Integrated solar cell device | |
| JP3616824B2 (ja) | ｐｉｎ型光電変換素子及び製造方法 | |
| JP3078936B2 (ja) | 太陽電池 | |
| JPS5821827B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0658971B2 (ja) | 光起電力素子の製造方法 | |
| JPH10190028A (ja) | 高屈折率透明導電膜および太陽電池 | |
| JPS59151476A (ja) | 光電変換素子 | |
| JPH0122991B2 (ja) | ||
| JP2669834B2 (ja) | 積層型光起電力装置 | |
| JPS6152992B2 (ja) | ||
| JP3196155B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JP2001015785A (ja) | 光電変換素子 | |
| JP2975751B2 (ja) | 光起電力装置 | |
| JPH0481350B2 (ja) | ||
| JPH0597413A (ja) | アモルフアス多元系半導体および該半導体を用いた素子 | |
| JPH02164079A (ja) | アモルファスシリコン太陽電池 | |
| JPH0216776A (ja) | 太陽電池の製造方法 | |
| JPH077843B2 (ja) | アモルフアス多元系半導体素子 |