JPH11162924A - Etching apparatus and processing apparatus - Google Patents

Etching apparatus and processing apparatus

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JPH11162924A
JPH11162924A JP32606097A JP32606097A JPH11162924A JP H11162924 A JPH11162924 A JP H11162924A JP 32606097 A JP32606097 A JP 32606097A JP 32606097 A JP32606097 A JP 32606097A JP H11162924 A JPH11162924 A JP H11162924A
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etching
rinsing
processing
processed
liquid
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明典 磯
Choichi Kimura
長市 木村
Harumichi Hirose
治道 廣瀬
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an apparatus for etching a substrate, which can recover etching solution without mixing rinsing liquid in cases where the substrate is etched and consecutively rinsed. SOLUTION: The etching process apparatus is provided with a holding member 24 which is rockably installed inside a chamber 21, and on which a wafer W is held, a nozzle 36 for feeding etching solution onto the wafer W and a nozzle 42 for feeding rinsing liquid, both placed in an upper part of the chamber 21, a driving source that tilts the holding member 24 in a different direction depending on whether the wafer W is etched by feeding the etching solution or is rinsed by feeding the rinsing liquid, a first gutter 31 which collects the etching solution being dripped from a lower edge of the wafer W tilted during the etching process, and a second gutter 32 which collects the rinsing liquid being dripped from a lower edge of the wafer W tilted during the rinsing process.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は被処理物をエッチ
ング処理するエッチング処理装置および被処理物に種々
の処理を行う処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an etching apparatus for etching an object to be processed and a processing apparatus for performing various processes on the object.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば、液晶製造装置や半導体製造装
置においては、液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの
被処理物をエッチング処理してから洗浄処理および乾燥
処理するという工程がある。
2. Description of the Related Art For example, in a liquid crystal manufacturing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus, there is a step of subjecting an object to be processed such as a glass substrate for a liquid crystal or a semiconductor wafer to an etching process, followed by a cleaning process and a drying process.

【0003】エッチング処理は、被処理物の表面に形成
された酸化膜を除去するために行われるもので、上記被
処理物にエッチング液を噴射し、所定量(所定時間)の
エッチングを行ったならば、それ以上、エッチングが進
行するのを止めるためにリンス液を噴射し、被処理物に
付着したエッチング液を洗い流す。それによって、被処
理物に対しエッチングを一定の状態で行なうようにして
いる。
The etching process is performed to remove an oxide film formed on the surface of the object to be processed. An etching solution is sprayed on the object to be processed, and a predetermined amount (a predetermined time) of etching is performed. If so, a rinsing liquid is sprayed to stop the progress of the etching, and the etching liquid attached to the object to be processed is washed away. As a result, the object to be processed is etched in a constant state.

【0004】エッチング液は比較的高価であるから、繰
り返して使用することが望ましい。しかしながら、エッ
チング処理では、上述したように、エッチング処理につ
いでリンス処理を行わなければならない。そのため、エ
ッチング液を回収すると、そのエッチング液にリンス液
が混入し、エッチング液の性能が低下してしまうため、
繰り返して使用することができないということがある。
[0004] Since the etchant is relatively expensive, it is desirable to use it repeatedly. However, in the etching process, as described above, a rinsing process must be performed after the etching process. Therefore, when the etching solution is collected, a rinsing solution is mixed into the etching solution, and the performance of the etching solution is reduced.
Sometimes it cannot be used repeatedly.

【0005】エッチング液にリンス液が混入するのを防
止するために、エッチング処理とリンス処理とを別々の
チャンバで行うことが考えられる。しかしながら、これ
らの処理を別々のチャンバで行うようにすると、被処理
物がエッチング処理されてリンス処理されるまでにかな
りの時間が経過するばかりか、その時間にばらつきが生
じるから、その間に被処理物のエッチングが必要以上に
進行したり、エッチング状態にばらつきが生じるなどの
ことがある。
In order to prevent the rinsing liquid from being mixed into the etching liquid, it is conceivable to perform the etching processing and the rinsing processing in separate chambers. However, if these processes are performed in separate chambers, not only will a considerable amount of time elapse before the workpiece is etched and rinsed, but the time will vary, and during that time, the The etching of the object may proceed more than necessary or the etching state may vary.

【0006】一方、被処理物をエッチング処理する場
合、エッチング処理によって発生するパ−ティクルを確
実に洗浄除去しなければ、その被処理物にたとえば回路
パタ−ンの形成などのようなつぎの処理を精度よく行う
ことができない。
On the other hand, when an object to be processed is etched, unless the particles generated by the etching process are surely removed by washing, the next processing such as formation of a circuit pattern or the like is performed on the object. Cannot be performed accurately.

【0007】そこで、通常、エッチング処理ユニットに
洗浄処理ユニットと乾燥処理ユニットとを並設し、上述
した各種の処理を順次行うことができるようにした処理
装置が知られている。
In view of the above, a processing apparatus is generally known in which a cleaning processing unit and a drying processing unit are arranged in parallel with an etching processing unit so that the above-described various processes can be sequentially performed.

【0008】従来のこの種の処理装置は、上記エッチン
グ処理ユニット側にロ−ダが配置され、上記乾燥処理ユ
ニット側にアンロ−ダが配置される。上記ロ−ダとエッ
チング処理ユニットとの間、乾燥処理ユニットとアンロ
−ダとの間、および各処理ユニットの間にはそれぞれ受
け渡し装置を設け、上記被処理物をロ−ダから各処理ユ
ニットを経て上記アンロ−ダへ順次受け渡すようになっ
ている。
In this type of conventional processing apparatus, a loader is disposed on the etching processing unit side, and an unloader is disposed on the drying processing unit side. Transfer devices are provided between the loader and the etching processing unit, between the drying processing unit and the unloader, and between the processing units, respectively. After that, it is sequentially delivered to the unloader.

【0009】しかしながら、このような構成の処理装置
によると、ロ−ダ、アンロ−ダ、複数の処理ユニットお
よび受け渡し装置を一列に配置しなければならないか
ら、装置の全長が長くなり、その装置の設置場所に制限
を受けるということがある。
However, according to the processing apparatus having such a configuration, the loader, the unloader, the plurality of processing units, and the transfer apparatus must be arranged in a line, so that the total length of the apparatus becomes long, and Installation locations may be restricted.

【0010】しかも、被処理物をロ−ダからアンロ−ダ
へ各種処理ユニットを経て受け渡すためには複数の受け
渡し装置が必要となる。受け渡し装置としては通常、ロ
ボット装置が用いられるが、ロボット装置は高価であ
る。そのため、複数のロボット装置を用いなければなら
ない従来の装置はコストが大幅に上昇するということが
ある。
In addition, a plurality of transfer devices are required to transfer the object from the loader to the unloader via various processing units. Usually, a robot device is used as the transfer device, but the robot device is expensive. As a result, the cost of a conventional device that requires the use of a plurality of robot devices may be significantly increased.

【0011】[0011]

【発明が解決しようとする課題】このように、エッチン
グ処理とリンス処理とが順次行われる従来のエッチング
処理装置ではエッチング液を回収しようとすると、その
エッチング液にリンス液が混入してしまうということが
あった。
As described above, in the conventional etching apparatus in which the etching process and the rinsing process are sequentially performed, if the etching solution is to be recovered, the rinsing solution is mixed into the etching solution. was there.

【0012】また、被処理物に対して複数の処理を順次
行う処理装置においては、ロ−ダ、複数の処理ユニット
およびアンロ−ダを一列に配置するとともに、各処理ユ
ニット間、ロ−ダ側さらにはアンロ−ダ側に受け渡し装
置を配置しなければならないので、装置の全長が長くな
るということがあるばかりか、複数の受け渡し装置を必
要とすることで、コストの上昇を招くなどのことがあっ
た。
In a processing apparatus for sequentially performing a plurality of processes on an object to be processed, a loader, a plurality of processing units, and an unloader are arranged in a line, and between the processing units, the loader side. Further, since the transfer device must be disposed on the unloader side, the total length of the device is not only increased, but also the need for a plurality of transfer devices increases costs. there were.

【0013】この発明の目的は、リンス液を混入させる
ことなく、エッチング液だけを確実に回収できるように
したエッチング処理装置を提供することにある。この発
明の目的は、全長を長くせず、しかも1台の受け渡し装
置によって被処理物をロ−ダから複数の処理ユニットを
経てアンロ−ダへ受け渡すことができる処理装置を提供
することにある。
An object of the present invention is to provide an etching apparatus capable of surely recovering only an etching solution without mixing a rinsing solution. SUMMARY OF THE INVENTION It is an object of the present invention to provide a processing apparatus capable of transferring an object to be processed from a loader to an unloader via a plurality of processing units by a single transfer apparatus without increasing the overall length. .

【0014】[0014]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、被処
理物をエッチング液でエッチング処理してからリンス液
でリンス処理するエッチング処理装置において、チャン
バと、このチャンバ内に揺動自在に設けられ上面に上記
被処理物が保持される保持部材と、上記チャンバ内の上
部に配置され上記保持部材に保持された上記被処理物に
向けてエッチング液を供給する第1の供給手段およびリ
ンス液を供給する第2の供給手段と、上記被処理物にエ
ッチング液を供給してエッチング処理するときとリンス
液を供給してリンス処理するときとで上記保持部材を異
なる方向に傾斜させる駆動手段と、上記被処理物をエッ
チング処理するときにこの被処理物の傾斜方向下端側か
ら滴下するエッチング液を回収するエッチング液回収手
段と、上記被処理物をリンス処理するときにこの被処理
物の傾斜方向下端側から滴下するリンス液を回収するリ
ンス液回収手段とを具備したことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided an etching apparatus for etching an object to be processed with an etching liquid and then rinsing with a rinsing liquid. A holding member provided on the upper surface and holding the object to be processed, a first supply means for supplying an etchant to the object to be processed and held at the upper part of the chamber and held by the holding member, and a rinse A second supply unit for supplying a liquid, and a driving unit for inclining the holding member in different directions when supplying an etchant to the workpiece and performing an etching process and when supplying a rinsing liquid and performing a rinsing process An etching solution collecting means for collecting an etching solution dropped from the lower end side of the object to be etched when the object to be processed is etched; The characterized by comprising a rinsing liquid recovery means for recovering the rinse liquid dripping from the inclined direction lower side of the object to be processed when the rinsing process.

【0015】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記エッチング液回収手段は、上記チャンバの内底
部に設けられエッチング処理時に被処理物の傾斜方向下
端から滴下するエッチング液を受ける第1の受け部と、
この第1の受け部に連通して設けられ上記エッチング液
を回収する回収槽と、この回収槽と上記第1の供給手段
とを接続し中途部に上記回収槽に回収されたエッチング
液を上記第1の供給手段へ循環させるポンプが設けられ
た循環配管とを具備したことを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the etching liquid collecting means is provided at an inner bottom portion of the chamber and receives an etching liquid dropped from a lower end in a tilt direction of an object to be processed during an etching process. 1 receiving part,
A recovery tank provided in communication with the first receiving portion for recovering the etching liquid, and connecting the recovery tank and the first supply means to etch the recovery liquid in the recovery tank in the middle part; And a circulation pipe provided with a pump for circulating to the first supply means.

【0016】請求項3の発明は、被処理物に複数の処理
を行う処理装置において、本体と、この本体内に直線状
に設けられた走行路と、この走行路に沿って駆動される
受け渡し装置と、上記走行路の一側にこの走行路に沿っ
て並設された複数の処理ユニットと、上記走行路の他側
に設けられ上記受け渡し装置によって上記処理ユニット
に供給される未処理の被処理物を格納するロ−ダおよび
上記処理ユニットで処理された被処理物が上記受け渡し
装置によって格納されるアンロ−ダとを具備したことを
特徴とする。
According to a third aspect of the present invention, in a processing apparatus for performing a plurality of processes on an object to be processed, a main body, a traveling path linearly provided in the main body, and a delivery driven along the traveling path. An apparatus, a plurality of processing units arranged on one side of the traveling path along the traveling path, and an unprocessed substrate provided on the other side of the traveling path and supplied to the processing unit by the transfer device. A loader for storing the processed object and an unloader for storing the processed object processed by the processing unit by the transfer device.

【0017】請求項4の発明は、請求項3の発明におい
て、上記走行路の一側に並設される複数の処理ユニット
は、エッチング処理ユニッットと、洗浄処理ユニット
と、乾燥処理ユニットであることを特徴とする。
According to a fourth aspect of the present invention, in the third aspect of the present invention, the plurality of processing units juxtaposed on one side of the traveling path are an etching unit, a cleaning unit, and a drying unit. It is characterized by.

【0018】請求項1の発明によれば、被処理物が載置
される保持部材を、エッチング処理時とリンス処理時と
で異なる方向に傾斜させ、エッチング処理時に被処理物
の傾斜方向下端側から滴下するエッチング液を回収する
ため、エッチング液にリンス液を混入させることなく回
収できる。
According to the first aspect of the present invention, the holding member on which the object is placed is inclined in different directions between the etching process and the rinsing process. Since the etching solution dropped from the substrate is collected, the etching solution can be collected without mixing the rinse solution.

【0019】請求項2の発明によれば、リンス液が混入
しないエッチング液が回収されると、そのエッチング液
を循環させることができるから、エッチング液を繰り返
して使用することが可能となる。
According to the second aspect of the present invention, when the etching liquid into which the rinsing liquid is not mixed is recovered, the etching liquid can be circulated, so that the etching liquid can be used repeatedly.

【0020】請求項3の発明によれば、受け渡し装置が
走行駆動される走行路の一側に複数の処理ユニットを並
設し、他側にロ−ダとアンロ−ダとを配置したので、装
置の全長を短くでき、しかも走行路に1台の受け渡し装
置を設けるだけで、被処理物をロ−ダから処理ユニット
へ供給し、処理ユニットで処理された被処理物をアンロ
−ダへ格納することができる。
According to the third aspect of the present invention, a plurality of processing units are juxtaposed on one side of a traveling path on which the transfer device is driven, and a loader and an unloader are arranged on the other side. The workpiece can be supplied from the loader to the processing unit, and the workpiece processed by the processing unit can be stored in the unloader by shortening the overall length of the device and providing only one transfer device on the traveling path. can do.

【0021】請求項4の発明によれば、処理ユニットが
エッチング処理ユニット、洗浄処理ユニットおよび乾燥
処理ユニットからなるため、エッチング処理された被処
理物を洗浄し、ついで乾燥処理してアンロ−ダへ格納で
きる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the processing unit includes an etching unit, a cleaning unit, and a drying unit, the object to be etched is cleaned, then dried, and then unloaded. Can be stored.

【0022】[0022]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。図1と図2は後述する複数の
処理ユニットを備えた処理装置1を示し、この処理装置
1は本体2を有する。この本体2は矩形箱型状をなして
いて、その内部には幅方向中央部分に位置する走行路3
が長手方向ほぼ全長にわたって直線状に形成されてい
る。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. FIGS. 1 and 2 show a processing apparatus 1 having a plurality of processing units, which will be described later. The main body 2 has a rectangular box shape, and includes a traveling path 3 located at a central portion in the width direction.
Are formed linearly over substantially the entire length in the longitudinal direction.

【0023】上記走行路3には受け渡し装置としてのロ
ボット4が走行自在に設けられている。上記走行路3に
はその全長にわたってリニアモ−タ5が設けられ、上記
ロボット4はこのリニア−モ−タ5によって上記走行路
3に沿って駆動されるようになっている。
A robot 4 as a transfer device is provided on the traveling path 3 so as to be able to travel freely. The running path 3 is provided with a linear motor 5 over its entire length, and the robot 4 is driven along the running path 3 by the linear motor 5.

【0024】上記走行路3の一側には上記複数の処理ユ
ニット、この実施の形態ではエッチング処理ユニット
6、洗浄処理ユニット7および乾燥処理ユニット8が順
次並設されている。
On one side of the traveling path 3, the plurality of processing units, in this embodiment, the etching processing unit 6, the cleaning processing unit 7, and the drying processing unit 8 are sequentially arranged in parallel.

【0025】上記走行路3の他側には、未処理の被処理
物としての液晶用ガラス基板W(以下基板とする)が格
納されたロ−ダ11と、上記各処理ユニット6、7、8
で処理された基板Wが格納されるアンロ−ダ12とが配
置されている。
On the other side of the traveling path 3, a loader 11 in which a liquid crystal glass substrate W (hereinafter, referred to as a substrate) as an unprocessed object is stored, and the processing units 6, 7, 8
And an unloader 12 in which the substrate W processed in step (1) is stored.

【0026】上記構成の処理装置1において、基板Wを
処理する場合には、まず、ロボット4がロ−ダ11から
未処理の基板Wを取り出し、エッチング処理ユニット6
へ供給する。基板Wがエッチング処理ユニット6で処理
されたならば、その基板Wをエッチング処理ユニット6
から取り出して洗浄処理ユニット7へ供給する。
When processing the substrate W in the processing apparatus 1 having the above-described configuration, the robot 4 first takes out the unprocessed substrate W from the loader 11 and places it in the etching processing unit 6.
Supply to After the substrate W has been processed in the etching unit 6, the substrate W
And supplied to the cleaning unit 7.

【0027】上記洗浄処理ユニット7において基板Wの
洗浄処理が終了すると、ロボット4はその基板Wを取り
出して乾燥処理ユニット8へ供給する。乾燥処理ユニッ
ト8での乾燥処理が終了すると、その基板Wはロボット
4によって取り出されてアンロ−ダ12へ格納されるこ
とで、上記基板Wに対する一連の処理が終了することに
なる。
When the cleaning processing of the substrate W is completed in the cleaning processing unit 7, the robot 4 takes out the substrate W and supplies it to the drying processing unit 8. When the drying processing in the drying processing unit 8 is completed, the substrate W is taken out by the robot 4 and stored in the unloader 12, so that a series of processing on the substrate W is completed.

【0028】このように、走行路3を挟んでその一側に
3つの処理ユニット6、7、8を配置し、他側にロ−ダ
11とアンロ−ダ12とを配置したことで、処理装置1
の全長を短くすることができる。
As described above, the three processing units 6, 7, and 8 are arranged on one side of the traveling path 3 and the loader 11 and the unloader 12 are arranged on the other side. Apparatus 1
Can be shortened.

【0029】上記走行路3にロボット4を走行自在に設
けたことで、このロボット4によって走行路3の一側に
設けられた各処理ユニット6、7、8に対して基板Wを
供給したり、取り出すことができるばかりか、走行路3
の他側に設けられたロ−ダ11から基板Wを取り出した
り、アンロ−ダ12へ処理ずみの基板Wを格納すること
ができる。
The provision of the robot 4 on the traveling path 3 so that the robot 4 can travel freely allows the robot 4 to supply the substrate W to each of the processing units 6, 7, 8 provided on one side of the traveling path 3. , Not only can be taken out, running path 3
The substrate W can be taken out from the loader 11 provided on the other side, or the processed substrate W can be stored in the unloader 12.

【0030】つまり、処理装置1に1台のロボット4を
設けるだけで、各処理ユニット6、7、8やロ−ダ11
およびアンロ−ダ12に対する基板Wの受け渡しを行う
ことができる。
That is, only one robot 4 is provided in the processing apparatus 1 and each of the processing units 6, 7, 8 and the loader 11
In addition, the substrate W can be transferred to the unloader 12.

【0031】一方、上記エッチング処理ユニット6は、
図3と図4に示すようにチャンバ21を有する。このチ
ャンバ21の上記走行路3に面した前面には出入口22
が形成され、この出入口22は扉23によって開閉され
るようになっている。
On the other hand, the etching processing unit 6
It has a chamber 21 as shown in FIGS. An entrance 22 is provided at the front of the chamber 21 facing the traveling path 3.
The entrance 22 is opened and closed by a door 23.

【0032】上記チャンバ21内の高さ方向中途部には
平板状の保持部材24が配設されている。この保持部材
24の幅方向両側下面には支持部25が設けられ、この
支持部25は上記チャンバ21の前後方向に沿って回転
自在に設けられた駆動軸26に取付けられている。
A plate-like holding member 24 is provided at an intermediate position in the height direction in the chamber 21. Support portions 25 are provided on lower surfaces on both sides in the width direction of the holding member 24, and the support portions 25 are attached to a drive shaft 26 that is rotatably provided along the front-rear direction of the chamber 21.

【0033】なお、保持部材24の平面形状は上記基板
Wの平面形状に比べて十分に大きなは矩形状に形成され
ている。上記駆動軸26の上記チャンバ21の背面から
突出した一端部は、この背面側に設けられた駆動源27
に連結されている。この駆動源27は上記駆動軸26を
左右方向に所定角度づつ回動させるようになっている。
The holding member 24 is formed in a rectangular shape which is sufficiently larger than the flat shape of the substrate W. One end of the drive shaft 26 protruding from the rear surface of the chamber 21 is connected to a drive source 27 provided on the rear surface side.
It is connected to. The drive source 27 rotates the drive shaft 26 by a predetermined angle in the left-right direction.

【0034】つまり、上記駆動源27は、上記保持部材
24をほぼ水平な中立状態と、図3に実線で示すように
左側へ低く傾斜したエッチング処理状態と、同図に鎖線
で示すように右側へ低く傾斜したリンス処理状態とに位
置決めできるようになっている。
In other words, the drive source 27 moves the holding member 24 into a substantially horizontal neutral state, an etching state in which the holding member 24 is inclined to the left as shown by a solid line in FIG. 3, and a right side as shown by a chain line in FIG. It can be positioned in a low inclined rinsing state.

【0035】上記保持部材24の上面には複数の支持ピ
ン28が設けられ、これら支持ピン28によって上記基
板Wが支持されるようになっている。なお、上記保持部
材24の長手方向一端側と他端側には、保持部材24が
傾斜したときに上記支持ピン28に支持された基板Wが
傾斜方向へずれ動くのを規制するそれぞれ複数の規制ピ
ン29が設けられている。
A plurality of support pins 28 are provided on the upper surface of the holding member 24, and the substrate W is supported by these support pins 28. A plurality of restricting members are provided at one end and the other end in the longitudinal direction of the holding member 24 to prevent the substrate W supported by the support pins 28 from moving in the tilt direction when the holding member 24 is tilted. A pin 29 is provided.

【0036】上記チャンバ21内の下部の幅方向一端
側、つまり保持部材24がエッチング状態に傾斜したと
きにその傾斜方向下端側に対応する部位には第1の樋3
1がチャンバ21の前後方向ほぼ全長にわたって設けら
れ、他端側である、リンス処理状態における保持部材2
4の傾斜方向下端側に対応する部分には第2の樋32が
前後方向ほぼ全長にわたって設けられている。
The first gutter 3 is provided at one lower end in the width direction of the chamber 21, that is, at a position corresponding to the lower end in the inclined direction when the holding member 24 is inclined in the etching state.
1 is provided over substantially the entire length of the chamber 21 in the front-rear direction, and is a holding member 2 in a rinsing state at the other end.
A second gutter 32 is provided at a portion corresponding to the lower end side of the tilt direction 4 over substantially the entire length in the front-rear direction.

【0037】上記第1の樋31には第1の回収管33の
一端が接続されている。この第1の回収管33の他端は
エッチング液Eが収容された第1の回収槽34に接続さ
れている。この第1の回収槽34には第1の循環配管3
5の一端が接続されている。この循環配管35の他端
は、図5に示すように上記チャンバ21内の上部に前後
方向に沿って所定間隔で配置された複数のエッチング用
ノズル36に接続されている。上記循環配管35の中途
部には第1のポンプ37が設けられている。
One end of a first recovery pipe 33 is connected to the first gutter 31. The other end of the first collection pipe 33 is connected to a first collection tank 34 in which the etching solution E is stored. The first recovery tank 34 has a first circulation pipe 3
5 is connected to one end. The other end of the circulation pipe 35 is connected to a plurality of etching nozzles 36 arranged at predetermined intervals along the front-rear direction in the upper part of the chamber 21 as shown in FIG. A first pump 37 is provided in the middle of the circulation pipe 35.

【0038】したがって、上記保持部材24がエッチン
グ処理状態に傾斜しているときに、上記第1のポンプ3
7が作動すると、第1の回収層34のエッチング液Eが
エッチング用ノズル36へ供給されるから、エッチング
液Eはこのノズル36から保持部材24の上面に保持さ
れた基板Wに向けて噴射される。
Therefore, when the holding member 24 is inclined to the etching state, the first pump 3
7 operates, the etchant E of the first recovery layer 34 is supplied to the etching nozzle 36, and the etchant E is jetted from the nozzle 36 toward the substrate W held on the upper surface of the holding member 24. You.

【0039】基板Wに噴射されたエッチング液Eはこの
上面に沿って流れ、下端側に配設された第1の樋31へ
流入し、この第1の樋31から第1の回収管33を通じ
て第1の回収槽34へ回収されるようになっている。
The etching solution E sprayed on the substrate W flows along the upper surface, flows into a first gutter 31 provided on the lower end side, and flows from the first gutter 31 through a first recovery pipe 33. It is to be collected in the first collection tank 34.

【0040】上記第2の樋32には第2の回収管38の
一端が接続されている。この第2の回収管38の他端は
純水からなるリンス液Rが収容された第2の回収槽39
に接続されている。この第2の回収槽39には第2の循
環配管41の一端が接続されている。この第2の循環配
管41の他端は、上記チャンバ21内の上部に前後方向
に沿って所定間隔で配置された複数のリンス用ノズル4
2に接続されている。
One end of a second recovery pipe 38 is connected to the second gutter 32. The other end of the second recovery pipe 38 is connected to a second recovery tank 39 containing a rinsing liquid R made of pure water.
It is connected to the. One end of a second circulation pipe 41 is connected to the second recovery tank 39. The other end of the second circulation pipe 41 is connected to a plurality of rinsing nozzles 4 arranged at predetermined intervals along the front-rear direction in the upper part of the chamber 21.
2 are connected.

【0041】なお、図3では分かり易く図示するために
リンス用ノズル42とエッチング用ノズル36とが異な
る高さに配設されているが、これらノズル36、42は
同じ高さに配置してもよいこと、勿論である。
In FIG. 3, the rinse nozzle 42 and the etching nozzle 36 are provided at different heights for easy understanding, but these nozzles 36 and 42 may be provided at the same height. Good thing, of course.

【0042】上記第2の回収管38の中途部には三方切
換弁43が設けられている。この三方切換弁43の2つ
のポ−トに上記第2の回収管38が接続され、残りの1
つのポ−トには排液管44が接続されている。さらに、
上記第2の循環配管41の中途部には第2のポンプ45
および一端が図示しないリンス液Rの供給源に接続され
た供給管46の他端が接続されている。この供給管46
には開閉弁47が設けられている。
A three-way switching valve 43 is provided in the middle of the second recovery pipe 38. The second recovery pipe 38 is connected to the two ports of the three-way switching valve 43, and the remaining one
A drain pipe 44 is connected to one of the ports. further,
In the middle of the second circulation pipe 41, a second pump 45 is provided.
The other end of the supply pipe 46 whose one end is connected to a supply source of the rinsing liquid R (not shown) is connected. This supply pipe 46
Is provided with an on-off valve 47.

【0043】したがって、上記保持部材24がリンス処
理状態に傾斜しているときに、上記第2のポンプ45が
作動すると、第2の回収槽39のリンス液Rがリンス用
ノズル42へ供給されるから、リンス液Rはこのノズル
42から保持部材24の上面に保持された基板Wに向け
て噴射される。
Therefore, when the second pump 45 operates while the holding member 24 is inclined to the rinsing state, the rinsing liquid R in the second recovery tank 39 is supplied to the rinsing nozzle 42. Therefore, the rinsing liquid R is ejected from the nozzle 42 toward the substrate W held on the upper surface of the holding member 24.

【0044】基板Wに噴射されたリンス液Rはこの上面
に沿って流れ、下端側に配設された第2の樋32へ流入
し、この第2の樋32から第2の回収管38を通じて第
2の回収槽39へ回収されるようになっている。
The rinsing liquid R sprayed onto the substrate W flows along the upper surface, flows into the second gutter 32 provided on the lower end side, and flows from the second gutter 32 through the second recovery pipe 38. It is to be collected in the second collection tank 39.

【0045】リンス用ノズル42からリンス液Rを噴射
し始めたときには、第2の樋32に回収されるリンス液
Eにはエッチング液Eが混入する。そのため、リンス処
理の開始から所定時間の間は、第2の樋32から第2の
回収管38へ流れたリンス液Rが排液管44から排出さ
れるように三方切換弁43を切り換え、所定時間経過後
にリンス液Rを第2の回収槽39に回収するようにす
る。それによって、第2の回収槽39にエッチング液E
の混入したリンス液Rが回収されるのを防止できる。つ
まり、リンス液Rも、一部を回収して再使用できるよう
になっている。
When the rinsing liquid R starts to be sprayed from the rinsing nozzle 42, the etching liquid E is mixed with the rinsing liquid E collected in the second gutter 32. Therefore, during a predetermined time from the start of the rinsing process, the three-way switching valve 43 is switched so that the rinsing liquid R flowing from the second gutter 32 to the second recovery pipe 38 is discharged from the drain pipe 44, After a lapse of time, the rinsing liquid R is recovered in the second recovery tank 39. Thereby, the etchant E is stored in the second recovery tank 39.
Is prevented from being recovered. That is, a part of the rinsing liquid R can be collected and reused.

【0046】なお、第2の回収槽39に貯蔵されるリン
ス液Rが減少したならば、新たなリンス液Rを供給管4
6を通じてリンス用ノズル42から噴出させて上記第2
の回収槽39に回収することで、補充することができ
る。
When the rinsing liquid R stored in the second recovery tank 39 decreases, a new rinsing liquid R is supplied to the supply pipe 4.
6 to be jetted from the rinsing nozzle 42,
It can be replenished by collecting it in the collection tank 39.

【0047】上記保持部材24の幅方向両端部は、図4
に示すように上方に向かって折曲された折曲部24aに
形成されている。それによって、基板W上に噴射された
エッチング液Eやリンス液Rが保持部材24の幅方向両
側から滴下するのを防止している。
The both ends of the holding member 24 in the width direction are shown in FIG.
As shown in the figure, the bent portion 24a is formed to be bent upward. This prevents the etching liquid E and the rinsing liquid R sprayed onto the substrate W from dropping from both sides in the width direction of the holding member 24.

【0048】なお、チャンバ21の底部には、基板Wに
噴射されて第1、第2の樋31、32に回収されないエ
ッチング液Eやリンス液Rを排出するドレン管48が接
続されている。
A drain pipe 48 is connected to the bottom of the chamber 21 for discharging the etching liquid E and the rinsing liquid R which are injected into the substrate W and are not collected by the first and second gutters 31 and 32.

【0049】上記構成のエッチング処理装置によって基
板Wをエッチング処理する場合について図6のフロ−チ
ャ−トを参照しながら説明する。まず、保持部材24を
水平状態にしてチャンバ21の出入口22を開放する。
ついで、ロボット4によってロ−ダ11から取り出され
た基板Wを、上記保持部材24上に供給し、上記出入口
22を閉じる。
A case where the substrate W is etched by the above-described etching apparatus will be described with reference to a flowchart of FIG. First, the holding member 24 is placed in a horizontal state, and the entrance 22 of the chamber 21 is opened.
Next, the substrate W taken out of the loader 11 by the robot 4 is supplied onto the holding member 24, and the entrance 22 is closed.

【0050】つぎに、図6のS(ステップ)1 で示すよ
うに上記保持部材24をエッチング状態に傾斜させると
ともに、S2 で示すように第1のポンプ37を作動させ
てエッチング液Eをエッチング用ノズル36から基板W
に向けて噴射する。それによって、上記基板Wがエッチ
ングされることになる。
Next, as shown by S (step) 1 in FIG. 6, the holding member 24 is inclined to the etching state, and the first pump 37 is operated as shown by S 2 to etch the etching solution E. Substrate W from nozzle 36
Inject toward Thereby, the substrate W is etched.

【0051】基板Wの上面に噴射されたエッチング液E
は、この基板Wの上面から第1の樋31へ流れ、第1の
回収槽34に回収されるから、繰り返して使用すること
ができる。
Etching solution E sprayed on the upper surface of substrate W
Flows from the upper surface of the substrate W to the first gutter 31 and is collected in the first collection tank 34, so that it can be used repeatedly.

【0052】S3 で示すように、このようなエッチング
処理を所定時間行ったならば、S4で示すように第1の
ポンプ37を停止すると同時に、S5 で示すように上記
保持部材24をリンス状態に傾斜する。そして、S6 で
示すように第2のポンプ45を作動させて第2の回収槽
39のリンス液Rをリンス用ノズル42から基板Wに向
けて噴射し、この基板Wをリンス処理することで、基板
Wのエッチングが所定以上に進行するのを防止する。つ
いで、S7 で示すようにリンス処理が所定時間行われた
ならば、S8 で示すように第2のポンプ45を停止する
とともに、S9で示すように保持部材24を水平にする
ことで、エッチング処理が終了する。
When such an etching process has been performed for a predetermined time as shown in S3, the first pump 37 is stopped as shown in S4, and at the same time, the holding member 24 is brought into a rinsing state as shown in S5. Incline. Then, as shown in S6, the second pump 45 is operated to inject the rinse liquid R in the second recovery tank 39 from the rinse nozzle 42 toward the substrate W, and the substrate W is rinsed. The etching of the substrate W is prevented from proceeding beyond a predetermined level. Next, when the rinsing process has been performed for a predetermined time as shown in S7, the second pump 45 is stopped as shown in S8, and the holding member 24 is made horizontal as shown in S9 to perform the etching process. Ends.

【0053】エッチング処理が終了したならば、出入口
22を開口してロボット4によりリンス処理された基板
Wを取り出し、その基板Wを洗浄処理ユニット7へ供給
して洗浄処理する。基板Wの洗浄処理が終了したなら
ば、乾燥処理ユニット8へ供給して乾燥処理すること
で、基板Wに対する一連の処理が終了する。そして、こ
のようにして処理された基板Wはロボット4によって上
記乾燥処理ユニット8から取り出され、アンロ−ダ12
に格納されることになる。
When the etching process is completed, the entrance / exit 22 is opened, and the substrate W rinsed by the robot 4 is taken out, and the substrate W is supplied to the cleaning unit 7 for cleaning. When the cleaning processing of the substrate W is completed, the substrate W is supplied to the drying processing unit 8 to perform the drying processing, thereby completing a series of processing on the substrate W. The substrate W thus processed is taken out of the drying processing unit 8 by the robot 4 and is unloaded by the unloader 12.
Will be stored.

【0054】この発明は上記一実施の形態に限定され
ず、種々変形可能である。たとえば、走行路3の一側に
処理ユニットとしてエッチング処理ユニット6、洗浄処
理ユニット7および乾燥処理ユニット8を配置したが、
基板Wに回路パタ−ンを形成するために必要な他の処理
ユニット、たとえばCVDやアッシングなどを行う処理
ユニットを設けるようにしてもよく、処理ユニットの種
類や数などは限定されるものでない。また、被処理物と
しては液晶用ガラス基板に限られず、半導体ウエハなど
であってもよく、その点もなんら限定されるものでな
い。
The present invention is not limited to the above embodiment, but can be variously modified. For example, an etching unit 6, a cleaning unit 7, and a drying unit 8 are disposed as processing units on one side of the traveling path 3.
Other processing units necessary for forming a circuit pattern on the substrate W, for example, processing units for performing CVD, ashing, etc., may be provided, and the type and number of processing units are not limited. The object to be processed is not limited to a glass substrate for liquid crystal, but may be a semiconductor wafer or the like, and the point is not limited at all.

【0055】[0055]

【発明の効果】請求項1の発明によれば、被処理物が載
置される保持部材を、エッチング処理時とリンス処理時
とで異なる方向に傾斜させ、エッチング処理時に被処理
物の傾斜方向下端側から滴下するエッチング液を回収す
るようにした。
According to the first aspect of the present invention, the holding member on which the object is placed is inclined in different directions between the etching process and the rinsing process. The etching solution dropped from the lower end was collected.

【0056】そのため、エッチング処理時に回収される
エッチング液に、リンス処理時のリンス液が混入するの
を防止できるから、エッチング液を繰り返して使用する
ことができる。
Therefore, it is possible to prevent the rinsing liquid during the rinsing processing from being mixed into the etching liquid collected during the etching processing, so that the etching liquid can be used repeatedly.

【0057】しかも、エッチング液とリンス液とを別々
に回収できるため、1つのチャンバ内でエッチング処理
とリンス処理とを、エッチング液の回収に支障が生じる
ことなく行うことができる。
Further, since the etching solution and the rinsing solution can be separately recovered, the etching process and the rinsing process can be performed in one chamber without any trouble in the recovery of the etching solution.

【0058】請求項2の発明によれば、リンス液が混入
しないエッチング液を回収して循環させることができる
から、エッチング液を繰り返して使用することができ
る。請求項3の発明によれば、受け渡し装置が走行駆動
される走行路の一側に複数の処理ユニットを並設し、他
側にロ−ダとアンロ−ダとを配置するようにした。
According to the second aspect of the present invention, since the etching solution into which the rinsing solution is not mixed can be collected and circulated, the etching solution can be used repeatedly. According to the third aspect of the present invention, a plurality of processing units are juxtaposed on one side of the traveling path on which the transfer device is driven and the loader and the unloader are arranged on the other side.

【0059】そのため、処理装置の全長を短くできるば
かりか、走行路に1台の受け渡し装置を設けるだけで、
被処理物をロ−ダから処理ユニットへ供給し、処理ユニ
ットで処理された被処理物を他の処理ユニットやアンロ
−ダへ搬送することができるから、複数の受け渡し装置
を用いていた従来の処理装置に比べてコストの低減を計
ることができる。
Therefore, not only can the overall length of the processing device be shortened, but only one transfer device is provided on the traveling path.
The object to be processed is supplied from the loader to the processing unit, and the object to be processed processed by the processing unit can be transported to another processing unit or unloader. Cost can be reduced as compared with the processing apparatus.

【0060】請求項4の発明によれば、処理ユニットが
エッチング処理ユニット、洗浄処理ユニットおよび乾燥
処理ユニットからなるため、エッチング処理された被処
理物を洗浄し、ついで乾燥処理してアンロ−ダへ格納で
きる。つまり、エッチング処理を行った場合に必要な他
の処理を1つの処理装置で行うことができる。
According to the fourth aspect of the present invention, since the processing unit includes an etching unit, a cleaning unit, and a drying unit, the workpiece to be etched is cleaned, dried, and then unloaded. Can be stored. That is, another processing required when the etching processing is performed can be performed by one processing apparatus.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の一実施の形態を示す処理装置の概略
的構成の平面図。
FIG. 1 is a plan view of a schematic configuration of a processing apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同じく処理装置の側面図。FIG. 2 is a side view of the processing apparatus.

【図3】同じくエッチング装置の縦断面図。FIG. 3 is a longitudinal sectional view of the etching apparatus.

【図4】同じくエッチング装置の横断面図。FIG. 4 is a transverse sectional view of the etching apparatus.

【図5】同じくエッチング用ノズルとリンス用ノズルと
の配置状態の平面図。
FIG. 5 is a plan view showing an arrangement state of an etching nozzle and a rinsing nozzle.

【図6】同じく基板をエッチング処理するときのフロ−
チャ−ト。
FIG. 6 is a flow chart of the same etching process for the substrate.
Chart.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

2…装置本体 3…走行路 4…ロボット(受け渡し装置) 6…エッチング処理ユニット 7…洗浄処理ユニット 8…乾燥処理ユニット 11…ロ−ダ 12…アンロ−ダ 21…チャンバ 24…保持部材 27…駆動源(駆動手段) 31…第1の樋(エッチング液回収手段) 32…第2の樋(リンス液回収手段) 34…第1の回収槽(エッチング液回収手段) 36…エッチング用ノズル 37…第1のポンプ(エッチング液回収手段) 39…第2の回収槽(リンス液回収手段) 42…リンス用ノズル 45…第2のポンプ(リンス液回収手段) 2 ... Device main body 3 ... Running path 4 ... Robot (transfer device) 6 ... Etching processing unit 7 ... Cleaning processing unit 8 ... Drying processing unit 11 ... Loader 12 ... Unloader 21 ... Chamber 24 ... Holding member 27 ... Drive Source (driving means) 31 first gutter (etching liquid collecting means) 32 second gutter (rinsing liquid collecting means) 34 first collecting tank (etching liquid collecting means) 36 etching nozzle 37 ... 1 pump (etching liquid collecting means) 39 ... second collecting tank (rinsing liquid collecting means) 42 ... rinsing nozzle 45 ... second pump (rinsing liquid collecting means)

Claims (4)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 被処理物をエッチング液でエッチング処
理してからリンス液でリンス処理するエッチング処理装
置において、 チャンバと、 このチャンバ内に揺動自在に設けられ上面に上記被処理
物が保持される保持部材と、 上記チャンバ内の上部に配置され上記保持部材に保持さ
れた上記被処理物に向けてエッチング液を供給する第1
の供給手段およびリンス液を供給する第2の供給手段
と、 上記被処理物にエッチング液を供給してエッチング処理
するときとリンス液を供給してリンス処理するときとで
上記保持部材を異なる方向に傾斜させる駆動手段と、 上記被処理物をエッチング処理するときにこの被処理物
の傾斜方向下端側から滴下するエッチング液を回収する
エッチング液回収手段と、 上記被処理物をリンス処理するときにこの被処理物の傾
斜方向下端側から滴下するリンス液を回収するリンス液
回収手段とを具備したことを特徴とするエッチング処理
装置。
1. An etching apparatus for etching an object to be processed with an etchant and then rinsing the object with a rinsing liquid, comprising: a chamber; A first member for supplying an etchant to the object to be processed, which is disposed at an upper part in the chamber and held by the holding member;
And a second supply unit for supplying a rinsing liquid, wherein the holding member is moved in different directions depending on when the etching processing is performed by supplying the etching liquid to the workpiece and when the rinsing processing is performed by supplying the rinsing liquid. A driving means for inclining the object, an etching liquid collecting means for collecting an etching solution dropped from a lower end side of the object in the inclination direction when etching the object, and a rinsing process for the object. A rinsing liquid collecting means for collecting a rinsing liquid dropped from a lower end side of the object to be inclined in the inclination direction;
【請求項2】 上記エッチング液回収手段は、上記チャ
ンバの内底部に設けられエッチング処理時に被処理物の
傾斜方向下端から滴下するエッチング液を受ける第1の
受け部と、この第1の受け部に連通して設けられ上記エ
ッチング液を回収する回収槽と、この回収槽と上記第1
の供給手段とを接続し中途部に上記回収槽に回収された
エッチング液を上記第1の供給手段へ循環させるポンプ
が設けられた循環配管とを具備したことを特徴とする請
求項1記載のエッチング処理装置。
A first receiving portion provided at an inner bottom portion of the chamber for receiving an etching solution dropped from a lower end in an inclined direction of an object to be processed during the etching process; A collecting tank provided in communication with the first tank and collecting the etching liquid;
2. A circulation pipe, which is provided with a pump connected to said supply means and circulating an etching solution recovered in said recovery tank to said first supply means in a middle part thereof. Etching equipment.
【請求項3】 被処理物に複数の処理を行う処理装置に
おいて、 本体と、 この本体内に直線状に設けられた走行路と、 この走行路に沿って駆動される受け渡し装置と、 上記走行路の一側にこの走行路に沿って並設された複数
の処理ユニットと、 上記走行路の他側に設けられ上記受け渡し装置によって
上記処理ユニットに供給される未処理の被処理物を格納
するロ−ダおよび上記処理ユニットで処理された被処理
物が上記受け渡し装置によって格納されるアンロ−ダと
を具備したことを特徴とする処理装置。
3. A processing apparatus for performing a plurality of processes on an object to be processed, a main body, a traveling path linearly provided in the main body, a delivery device driven along the traveling path, A plurality of processing units arranged side by side along the traveling path on one side of the road, and unprocessed workpieces provided on the other side of the traveling path and supplied to the processing units by the transfer device are stored. A processing apparatus, comprising: a loader; and an unloader in which the object processed by the processing unit is stored by the delivery device.
【請求項4】 上記走行路の一側に並設される複数の処
理ユニットは、エッチング処理ユニッットと、洗浄処理
ユニットと、乾燥処理ユニットであることを特徴とする
請求項3記載の処理装置。
4. The processing apparatus according to claim 3, wherein the plurality of processing units arranged in parallel on one side of the traveling path are an etching processing unit, a cleaning processing unit, and a drying processing unit.
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