JPH11162884A - Peel method of protective sheet from semiconductor substrate - Google Patents

Peel method of protective sheet from semiconductor substrate

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JPH11162884A
JPH11162884A JP32349797A JP32349797A JPH11162884A JP H11162884 A JPH11162884 A JP H11162884A JP 32349797 A JP32349797 A JP 32349797A JP 32349797 A JP32349797 A JP 32349797A JP H11162884 A JPH11162884 A JP H11162884A
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protective sheet
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semiconductor substrate
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adhesive sheet
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純朋 猪俣
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晋二 吉原
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亘 三井
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To remove in a batch and easily the protective sheets on a semiconductor substrate which is cut and divided by dicing, without damaging small structures and moving sections formed on the semiconductor substrate and having small mechanical strength (hereinafter called 'structure and the like'). SOLUTION: Cut pieces of a protective sheet 1 cut and divided by dicing are jointed into a single body, and then the periphery of the protective sheets 1 and an adhesive sheet 1 are so attached to each other as to surround the structure 3 and the like. Then, the protective sheets 1 now integrated into one body by the adhesive force of the adhesive sheet 1 are peeled off from a semiconductor substrate 2. The protective sheets 1 are peeled off by rolling a cylindrical drum 10 provided with the adhesive sheet 1 over the semiconductor substrate 2. If a recessed section 10c to house caps 1a formed on the protective sheets 1 is formed on the outer surface of a drum 2, the protective sheets 1 can be peeled off in batch from the semiconductor substrate 2, without damaging the structure 3 and the like.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ダイシングによっ
て、半導体基板と共に分割された保護シートを剥離する
方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method for peeling a protective sheet that has been divided together with a semiconductor substrate by dicing.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体基板の表面に装着された保護シー
トは、ダイシングにより半導体基板と共に分割される。
この分割された保護シートを半導体基板から剥離する従
来の方法が特開昭64−61208号公報に記載されて
いる。この公報記載の方法では、放射線架橋性の粘着材
で熱収縮性プラスチックフィルムからなる保護フィルム
又は保護シート(以下、保護シートという)を使用して
おり、この保護シートを張りつけた半導体基板(ウェ
ハ)に放射線を照射したのち、半導体基板を炉内温度1
00℃の加熱炉に30秒以上投入することで保護シート
をロール状にめくれ上がらせ、さらに半導体基板を反転
させることによって保護シートを半導体基板から剥離さ
せている。そして、保護シートが完全に剥離しない場合
でもピンセット等で保護シートを持ち上げることで半導
体基板から剥離させている。
2. Description of the Related Art A protective sheet mounted on the surface of a semiconductor substrate is divided together with the semiconductor substrate by dicing.
A conventional method of separating the divided protective sheet from the semiconductor substrate is described in Japanese Patent Application Laid-Open No. 64-61208. In the method described in this publication, a protective film or a protective sheet (hereinafter, referred to as a protective sheet) made of a heat-shrinkable plastic film with a radiation-crosslinkable adhesive is used, and a semiconductor substrate (wafer) to which the protective sheet is adhered is used. After irradiating the semiconductor substrate with the semiconductor substrate,
The protective sheet is turned up in a roll by being put into a heating furnace of 00 ° C. for 30 seconds or more, and the protective sheet is peeled off from the semiconductor substrate by inverting the semiconductor substrate. Then, even when the protective sheet is not completely peeled off, the protective sheet is lifted up with tweezers or the like to be peeled off from the semiconductor substrate.

【0003】[0003]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の方法によると、半導体基板上の全ての分割された保
護シートを毎回確実に剥離させることは難しく、幾つか
の保護シートは粘着力の低下が不十分なために半導体基
板に張りついて残り、ピンセット等で剥がさなければな
らず、作業が煩雑になるという問題がある。そして、こ
のようにピンセット等で保護シートを剥がす場合、半導
体基板上の素子に損傷を与える可能性が高い。
However, according to the above-mentioned conventional method, it is difficult to surely peel off all the divided protective sheets on the semiconductor substrate every time, and some protective sheets have a reduced adhesive strength. Since it is insufficient, it remains on the semiconductor substrate and must be peeled off with tweezers or the like, which causes a problem that the operation becomes complicated. When the protective sheet is peeled off with tweezers or the like, there is a high possibility that the elements on the semiconductor substrate are damaged.

【0004】また、半導体基板上に形成された回路が機
械強度の小さい構造体や可動部を有するものである場
合、粘着シートの収縮時に構造体又は可動部と接触して
回路を破壊してしまうということや、半導体基板を反転
する時に振動を与えてしまい構造体又は可動部を破壊し
てしまうということが特に問題となる。本発明は上記問
題に鑑みたもので、ダイシングにおいて切断、分割され
た半導体基板上の保護シートを一括して容易に除去する
ことができる半導体基板の保護シート剥離方法を提供す
ることを第1の目的とする。
Further, when a circuit formed on a semiconductor substrate has a structure or a movable portion having low mechanical strength, the circuit is destroyed by contacting the structure or the movable portion when the pressure-sensitive adhesive sheet contracts. In particular, a problem arises in that a vibration is applied when the semiconductor substrate is inverted and the structure or the movable portion is destroyed. SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above problems, and a first object of the present invention is to provide a method for peeling a protective sheet of a semiconductor substrate, in which the protective sheet on the semiconductor substrate cut and divided in dicing can be easily and collectively removed. Aim.

【0005】さらに、半導体基板上に機械的強度の小さ
い構造体や可動部を形成している場合においても、構造
体や可動部を破壊することなく保護シートを半導体基板
上から剥離できる半導体基板の保護シートの剥離方法を
提供することを第2の目的とする。
Further, even when a structure or a movable portion having low mechanical strength is formed on the semiconductor substrate, the protective sheet can be peeled off from the semiconductor substrate without destroying the structure or the movable portion. A second object is to provide a method for peeling a protective sheet.

【0006】[0006]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、以下の技術的手段を採用する。請求項1に記載の発
明においては、半導体基板(2)のダイシングカットに
より切断され分割された保護シート(1)を、切断され
た部分(X)で接合して一体とし、保護シートと粘着シ
ート(11、21)とを密着させ、粘着シートの粘着力
により一体となった保護シートを半導体基板から一括剥
離させること特徴としている。
In order to achieve the above object, the following technical means are employed. According to the first aspect of the present invention, the protection sheet (1) cut and divided by the dicing cut of the semiconductor substrate (2) is joined at the cut portion (X) to be integrated, and the protection sheet and the pressure-sensitive adhesive sheet are integrated. (11, 21) are adhered to each other, and the integrated protective sheet is peeled off from the semiconductor substrate at a time by the adhesive force of the adhesive sheet.

【0007】このように、保護シートを一体とし、保護
シートの外周の部分を粘着シートと密着させて、粘着シ
ートの粘着力により保護シートを半導体基板から剥離さ
せるようにすれば、保護シートを半導体基板から一括で
剥離することができる。請求項2に記載の発明において
は、保護シートの剥離工程は、複数の素子を囲むよう
に、保護シートの外周となる部分と粘着シートとを密着
させることを特徴としている。
As described above, when the protective sheet is integrated, the outer peripheral portion of the protective sheet is brought into close contact with the adhesive sheet, and the protective sheet is peeled off from the semiconductor substrate by the adhesive force of the adhesive sheet. It can be peeled off from the substrate at once. The invention according to claim 2 is characterized in that, in the step of peeling the protective sheet, a portion to be an outer periphery of the protective sheet and the adhesive sheet are brought into close contact with each other so as to surround the plurality of elements.

【0008】このように、複数の素子を囲むように、保
護シートの外周となる部分と粘着シートとを密着させる
ようにすれば、複数の素子に損傷を与えることなく保護
シートを半導体基板から一括剥離することができる。こ
のようにすれば、請求項4に示すように、複数の素子が
機械的強度の小さい構造体又は可動部である場合でも、
これらの損傷を効果的に防ぐことができる。また、請求
項5に示すように、機械的強度の小さい構造体又は可動
部を保護するための凹凸が保護シートに形成されている
場合でも、これらの凹凸を潰したりせずに、保護シート
を半導体基板から剥離することができる。
As described above, by adhering the outer peripheral portion of the protective sheet and the adhesive sheet so as to surround the plurality of elements, the protective sheet can be collectively removed from the semiconductor substrate without damaging the plurality of elements. Can be peeled. In this case, as described in claim 4, even when the plurality of elements are a structure or a movable portion having a small mechanical strength,
These damages can be effectively prevented. In addition, as described in claim 5, even when the protection sheet has unevenness for protecting a structure or a movable portion having a small mechanical strength, the protection sheet is formed without crushing the unevenness. It can be separated from the semiconductor substrate.

【0009】請求項6に記載の発明においては、保護シ
ートを剥離させる工程は、粘着シートの粘着面が上面に
なるように、粘着シートを巻き付けた円筒状部材(1
0)を用意する工程と、円筒状部材を前記半導体基板上
で回転させることにより、保護シートを粘着シートに密
着させて巻き取る工程とを備えることを特徴としてい
る。
In the invention according to claim 6, the step of peeling off the protective sheet includes the step of peeling the cylindrical member (1) around which the adhesive sheet is wound so that the adhesive surface of the adhesive sheet is on the upper surface.
0) and a step of rotating the cylindrical member on the semiconductor substrate so that the protective sheet is brought into close contact with the adhesive sheet and wound.

【0010】このように、円筒状部材に粘着シートを取
付け、円筒状部材を回転させれば、この回転に伴い保護
シートを剥離させることができる。請求項7に記載の発
明においては、保護シートを剥離させる工程は、粘着シ
ートの粘着面が上面になるように、粘着シートを巻き付
けてあり、機械的強度の小さい構造体又は可動部が収容
できる凹部(10c)が形成されている円筒状部材(1
0)を用意する工程と、粘着シートのうち凹部上に配置
される部分を該凹部内に収容する工程と、円筒状部材を
半導体基板上で回転させることにより、保護シートを粘
着シートに密着させて巻き取る工程とを備えていること
を特徴としている。
As described above, by attaching the pressure-sensitive adhesive sheet to the cylindrical member and rotating the cylindrical member, the protective sheet can be peeled off with the rotation. In the invention according to claim 7, in the step of peeling the protective sheet, the pressure-sensitive adhesive sheet is wound so that the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive sheet is on the upper surface, and a structure or a movable portion having low mechanical strength can be accommodated. The cylindrical member (1) in which the concave portion (10c) is formed
0), a step of accommodating a portion of the adhesive sheet arranged on the concave portion in the concave portion, and a step of rotating the cylindrical member on the semiconductor substrate to bring the protective sheet into close contact with the adhesive sheet. And winding step.

【0011】このように、凹部が形成された円筒状部材
を用意し、粘着シートのうち凹部上に配置される部分を
該凹部内に収容すれば、保護シートに形成された凹凸を
円筒状部材の凹部内に収容することができる。これによ
り、円筒状部材が保護シートに形成された凹凸を押しつ
ぶしたりすることなく、機械的強度の小さい構造体又は
可動部の損傷を防止することができる。
As described above, when the cylindrical member having the concave portion is prepared and the portion of the adhesive sheet arranged on the concave portion is accommodated in the concave portion, the concave and convex portions formed on the protective sheet are removed from the cylindrical member. In the recess. This can prevent the structure or the movable portion having a small mechanical strength from being damaged without the cylindrical member crushing the unevenness formed on the protective sheet.

【0012】請求項7に記載の発明においては、凹部の
底面には円筒状部材の外部と連通する吸引孔(10d)
が形成されており、この連通孔を通じて凹部上における
粘着シートを吸引することにより、粘着シートのうち凹
部上に配置される部分を該凹部内に収容することを特徴
としている。このように、凹部の底面に円筒状部材の外
部と連通する吸引孔を設けることにより、粘着シートの
うち凹部状に配置される部分を吸引することができるた
め、これにより粘着シートを凹部内に収容することがで
きる。
According to the present invention, a suction hole (10d) communicating with the outside of the cylindrical member is formed in the bottom surface of the concave portion.
Is formed, and by suctioning the adhesive sheet on the concave portion through the communication hole, a portion of the adhesive sheet arranged on the concave portion is housed in the concave portion. In this manner, by providing the suction hole communicating with the outside of the cylindrical member on the bottom surface of the concave portion, the portion of the adhesive sheet that is arranged in the concave shape can be suctioned. Can be accommodated.

【0013】[0013]

【発明の実施の形態】以下、本発明を図に示す実施形態
について説明する。図1(a)に、表面に保護シート1
を装着させた半導体基板2を示す。図1(a)に示すよ
うに、半導体基板2上には加速度センサ等の機械的強度
の小さな構造体または可動部(以下、構造体等と省略す
る)3が複数、所定の配置で形成されている。
BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS FIG. 1 is a block diagram showing a first embodiment of the present invention. FIG. 1A shows a protective sheet 1 on the surface.
1 shows a semiconductor substrate 2 on which is mounted. As shown in FIG. 1A, a plurality of structures or movable parts (hereinafter, abbreviated as structures, etc.) 3 having a small mechanical strength such as an acceleration sensor are formed on a semiconductor substrate 2 in a predetermined arrangement. ing.

【0014】これら機械的強度の小さな構造体等3は1
つ1つ、保護シート1に形成された複数のキャップ1a
によって覆われている。このキャップ1aは保護シート
1を所定高さ分だけ突出させて形成したものであり、半
導体基板2に保護シート1を張りつけたときに機械的強
度の小さい構造体等3に接触しないような形状になって
いる。
The structures 3 having a small mechanical strength are composed of 1
Each of the plurality of caps 1a formed on the protection sheet 1
Covered by The cap 1a is formed by projecting the protective sheet 1 by a predetermined height, and has a shape such that when the protective sheet 1 is attached to the semiconductor substrate 2, it does not come into contact with a structure 3 having a small mechanical strength. Has become.

【0015】この保護シート1には、UV硬化性の粘着
シートを用いている。例えば、保護シート1の基材とし
ては、ポリオレフィン等を用いており、粘着材の剥離強
度が例えば1000g/25mm程度のものを用いてい
る。そして、図1(a)に示される半導体基板2は、図
1(b)に示すように粘着材を塗布してあるダイシング
シート4上に搭載されたのちに、ダイシングブレード5
によりスクライブラインに沿ってダイシングカットさ
れ、個々のチップに分割される。具体的には、半導体基
板2は互い直行しあう縦方向、横方向の2方向に、所定
のピッチをもってダイシングカットされて、矩形状のチ
ップに分割される。このダイシング工程によって、半導
体基板2上に搭載された保護シート1は、半導体基板2
と共に分割される。このため、この後は一端分割された
保護シート1を接合して、1つにまとめる工程を行う。
As the protective sheet 1, a UV-curable pressure-sensitive adhesive sheet is used. For example, as the base material of the protective sheet 1, a polyolefin or the like is used, and an adhesive having a peel strength of, for example, about 1000 g / 25 mm is used. Then, the semiconductor substrate 2 shown in FIG. 1A is mounted on a dicing sheet 4 coated with an adhesive as shown in FIG.
Is cut along a scribe line to be divided into individual chips. Specifically, the semiconductor substrate 2 is diced and cut at a predetermined pitch in two directions, that is, a vertical direction and a horizontal direction, which are perpendicular to each other, and is divided into rectangular chips. By this dicing step, the protective sheet 1 mounted on the semiconductor substrate 2
Is divided with For this reason, after that, a step of joining the protection sheet 1 divided at one end and combining them into one is performed.

【0016】分割された保護シート1の接合工程につい
て図2に基づいて説明する。図2は保護シート1の接合
を溶着で行っている状態を示している。この図に示すよ
うに、分割された保護シート1の溶着は、ヒータ6aに
よる加熱が行える櫛形ヒータ6によって行う。この櫛形
ヒータ6には、ダイシングカットのピッチと一致する間
隔で配された複数の櫛歯6bが備えられており、櫛形ヒ
ータ6を半導体基板2上に位置合わせしたときに複数の
櫛歯6bのそれぞれが分割された保護シート1の切断部
Xのそれぞれに一致するようになっている。そして、図
示しない電源等からの供給によって櫛形ヒータ6を加熱
すると共に、図示しない移動機構によってダイシングカ
ットの方向に櫛形ヒータ6を移動させることで、複数の
櫛歯6bが切断部Xのそれぞれを溶着していくようにな
っている。
The joining process of the divided protective sheet 1 will be described with reference to FIG. FIG. 2 shows a state where the protection sheet 1 is joined by welding. As shown in this figure, welding of the divided protective sheet 1 is performed by a comb-shaped heater 6 which can be heated by a heater 6a. The comb-shaped heater 6 is provided with a plurality of comb teeth 6b arranged at intervals corresponding to a pitch of the dicing cut. When the comb-shaped heater 6 is positioned on the semiconductor substrate 2, the plurality of comb teeth 6b are formed. Each of them corresponds to each of the cut portions X of the divided protective sheet 1. Then, the comb-shaped heater 6 is heated by a supply from a power source or the like (not shown), and the comb-shaped heater 6 is moved in the dicing cut direction by a moving mechanism (not shown), so that the plurality of comb teeth 6b weld each of the cut portions X. It is going to do.

【0017】ダイシングは、上記2方向に行われている
ため、チップの縦方向のピッチや横方向のピッチのそれ
ぞれに相応する複数の櫛歯6bを用意して、櫛形ヒータ
6を保護シート13の切断部Xに合わせて縦方向、横方
法の2方向に走査し、2方向の切断部Xを共に溶着す
る。これにより溶着工程が完了し、2方向の切断部Xが
溶着されて分割された保護シート1が再び一体に、つま
り1枚のシートになる。なお、図2では、切断部Xのう
ち溶着された部分(紙面手前側)を点線で示してあり、
まだ切断されたままの部分は実線で示してある。
Since dicing is performed in the above two directions, a plurality of comb teeth 6 b corresponding to the vertical pitch and the horizontal pitch of the chip are prepared, and the comb-shaped heater 6 is Scanning is performed in two directions, a vertical direction and a horizontal direction, in accordance with the cut portion X, and the cut portions X in two directions are welded together. As a result, the welding step is completed, and the protection sheet 1 in which the cut portions X in the two directions are welded and divided is integrated again, that is, becomes one sheet. In FIG. 2, the welded portion (on the front side of the drawing) of the cut portion X is indicated by a dotted line.
The parts that are still cut are indicated by solid lines.

【0018】この溶着工程が完了したのち、図示しない
UV照射装置により保護シート1にUV光を照射して、
保護シート1の粘着力を低下させる。次に、半導体基板
2から保護シート1を剥離させる。この半導体基板2か
らの保護シート1の剥離は、図3(a)〜(c)に示す
ドラム10を用いて行う。以下、図3(a)〜(c)に
基づいてドラム10の説明を行う。なお、図3(a)は
円筒状のドラム104の矢視図であり、図3(b)はド
ラム10の正面図であり、図3(c)は図3(b)のA
−A矢視断面図である。
After the welding step is completed, the protective sheet 1 is irradiated with UV light by a UV irradiation device (not shown),
The adhesive strength of the protective sheet 1 is reduced. Next, the protective sheet 1 is peeled from the semiconductor substrate 2. The peeling of the protective sheet 1 from the semiconductor substrate 2 is performed using the drum 10 shown in FIGS. Hereinafter, the drum 10 will be described with reference to FIGS. 3A is an arrow view of the cylindrical drum 104, FIG. 3B is a front view of the drum 10, and FIG.
It is sectional drawing in the -A arrow direction.

【0019】図2(a)に示すように、ドラム10は内
部が空洞状の円筒形状をしている。このドラム10の空
洞は、図3(b)、(c)に示すようにφdで長さLと
なっている。円筒形状のドラム10の端面のうちの一面
10aには、ドラム10内に空洞と連通する吸引口10
bが形成されている。この吸引口10bはドラム10の
端面から突出するように形成されており、この突出した
部分に真空ポンプ等が接続できるようになっている。
As shown in FIG. 2A, the drum 10 has a hollow cylindrical shape inside. As shown in FIGS. 3B and 3C, the cavity of the drum 10 has a length L at φd. One end 10a of the end surface of the cylindrical drum 10 has a suction port 10 communicating with a cavity in the drum 10.
b is formed. The suction port 10b is formed so as to protrude from the end face of the drum 10, and a vacuum pump or the like can be connected to the protruding portion.

【0020】一方、ドラム10の外周には、凹部10c
が形成されている。この凹部10cの展開したときの形
状は、直径Dとなる略円形をしている。この直径Dは、
半導体基板2の径よりも若干小さなもの、例えば半導体
基板2に6インチのものを使用する場合には6mm程度
小さなものとなっている。そして、凹部10cの段差
(深さ)Cは保護シート1に形成されたキャップ1aの
高さ(突出量)よりも大きくなっている。例えば、保護
シート1のキャップ1aの高さが0.5mmならば、段
差Cを1mm以上とすることが望ましい。
On the other hand, on the outer periphery of the drum 10, a concave portion 10c is provided.
Are formed. The unfolded shape of the concave portion 10c is a substantially circular shape having a diameter D. This diameter D is
The diameter is slightly smaller than the diameter of the semiconductor substrate 2, for example, about 6 mm when a 6-inch semiconductor substrate 2 is used. The step (depth) C of the concave portion 10c is larger than the height (projection amount) of the cap 1a formed on the protective sheet 1. For example, if the height of the cap 1a of the protective sheet 1 is 0.5 mm, it is desirable that the step C be 1 mm or more.

【0021】また、この凹部10cの底面には、ドラム
10内の空洞と連通する複数の吸引孔10dが開けられ
ている。この吸引孔10dは、ドラム10内の空洞を通
じて、吸引口10bとつながっている。このような構成
をドラム10は有している。なお、ドラム10に形成さ
れた凹部10cの直径D及び段差Cは上述のような寸法
になっているため、半導体基板2上の構造体等3の素子
に保護シート1が干渉しないように、つまり保護シート
1が凹部10c内に接触することによって構造体等3の
素子に保護シート1が接触しないようになっている。
Further, a plurality of suction holes 10d communicating with the cavity in the drum 10 are formed in the bottom surface of the concave portion 10c. The suction hole 10d is connected to the suction port 10b through a cavity in the drum 10. The drum 10 has such a configuration. Since the diameter D and the step C of the concave portion 10c formed in the drum 10 are as described above, the protection sheet 1 does not interfere with the elements such as the structure 3 on the semiconductor substrate 2, that is, When the protective sheet 1 comes into contact with the inside of the concave portion 10c, the protective sheet 1 does not come into contact with an element such as the structure 3.

【0022】続いて、上記構成を有するドラム10を用
いた保護シート1の剥離手順を、図4に示す保護シート
1の剥離工程を示す断面図を用いて説明する。なお、図
4は図3(c)と同様に図3(b)のA−A矢視断面の
部分を示している。まず、図4(a)に示すように、ド
ラム10の外周に、粘着面を上面側にして剥離用粘着シ
ート11を巻き付けたものを用意する。この時に用いる
剥離用粘着シート11は、粘着材として熱硬化性以外の
ものを用いているものであればよく、粘着力は被張付材
がSUSの場合に5N/25mm以上の粘着力を有する
ことが望ましい。また、剥離用粘着シート11のシート
基材としては熱収縮性の良いものが適している。
Next, a procedure for peeling the protective sheet 1 using the drum 10 having the above-described configuration will be described with reference to a cross-sectional view showing a step of peeling the protective sheet 1 shown in FIG. FIG. 4 shows a cross section taken along the line AA in FIG. 3B, as in FIG. 3C. First, as shown in FIG. 4A, a drum 10 is prepared by winding a peeling adhesive sheet 11 around the outer periphery of a drum 10 with the adhesive surface facing upward. The peeling pressure-sensitive adhesive sheet 11 used at this time only needs to use a material other than thermosetting as a pressure-sensitive adhesive, and the pressure-sensitive adhesive strength may be 5 N / 25 mm or more when the material to be adhered is SUS. desirable. Further, as the sheet base material of the peelable pressure-sensitive adhesive sheet 11, one having good heat shrinkability is suitable.

【0023】次に、図3(a)に示した吸引口10bに
図示しない真空ポンプを接続し、真空ポンプで吸引を行
いつつ、円筒形状の中心を軸としてドラム10を回転さ
せる。そして、図4(b)に示すように、ドラム10を
回転させた状態で温風器12が発生する温風12aを剥
離用粘着シート11にあてる。このとき温風器12が発
生する温風12aは、例えば60℃以上の温度に設定さ
れており、この温風12aによって熱可塑性の剥離用粘
着シート11が塑性変形(収縮)し易くなる。このよう
な状態となった剥離用粘着シート11は、吸引口10b
や空洞さらに吸引孔10dを介して真空ポンプの吸引力
によって塑性変形し、ドラム10に形成された凹部10
c内に収容され、凹部10cの底面と密着する。
Next, a vacuum pump (not shown) is connected to the suction port 10b shown in FIG. 3 (a), and the drum 10 is rotated around the center of the cylindrical shape while performing suction with the vacuum pump. Then, as shown in FIG. 4B, the hot air 12a generated by the hot air blower 12 is applied to the peeling adhesive sheet 11 while the drum 10 is rotated. At this time, the temperature of the hot air 12a generated by the hot air blower 12 is set to, for example, 60 ° C. or more, and the hot air 12a facilitates plastic deformation (shrinkage) of the thermoplastic adhesive sheet 11 for peeling. The peeling adhesive sheet 11 in such a state is provided with the suction port 10b.
And a cavity 10 which is plastically deformed by a suction force of a vacuum pump through a suction hole 10 d to form a recess 10 formed in the drum 10.
c and is in close contact with the bottom surface of the recess 10c.

【0024】その後、ドラム10に形成された凹部10
cの底面と剥離用粘着シート11が密着した状態のまま
でドラム10を半導体基板2の上に移動させ、図4
(c)に示すように、半導体基板2の端部と凹部10c
の端部を位置合わせして配置する。具体的には、半導体
基板2の外径の内側に凹部10cが位置するように、つ
まり凹部10cの外側に介在する剥離用粘着シート11
が半導体基板2の外周近傍の保護シート1と接触するよ
うに位置合わせを行う。
Thereafter, the recess 10 formed in the drum 10
The drum 10 is moved onto the semiconductor substrate 2 with the peeling adhesive sheet 11 in close contact with the bottom surface of FIG.
As shown in (c), the end of the semiconductor substrate 2 and the recess 10c
Align and place the ends. Specifically, the peeling adhesive sheet 11 interposed so that the recess 10c is located inside the outer diameter of the semiconductor substrate 2, that is, outside the recess 10c.
Of the semiconductor substrate 2 is brought into contact with the protective sheet 1 near the outer periphery of the semiconductor substrate 2.

【0025】続いて、図4(d)の示すように矢印方向
にドラム10を回転させると、このドラム10の回転に
伴って、半導体基板2の外周近傍の保護シート1が順に
剥離用粘着シート11に密着していく。このとき、ドラ
ム10に凹部10cが形成されており、また剥離用粘着
シート11が凹部10c内に収容されているため、キャ
ップ1aは凹部10c内に完全に収容される。このた
め、保護シート1に形成されているキャップ1aがドラ
ム10や剥離用粘着シート11によって押しつけられ
ず、半導体基板2上に形成された機械的強度の小さい構
造体等3に損傷を与えないようにすることができる。
Subsequently, as shown in FIG. 4D, when the drum 10 is rotated in the direction of the arrow, the protective sheet 1 near the outer periphery of the semiconductor substrate 2 is sequentially peeled off with the rotation of the drum 10. Close contact with 11. At this time, since the concave portion 10c is formed in the drum 10 and the peeling adhesive sheet 11 is stored in the concave portion 10c, the cap 1a is completely stored in the concave portion 10c. For this reason, the cap 1 a formed on the protective sheet 1 is not pressed by the drum 10 or the peeling adhesive sheet 11, so that the structure 3 having a small mechanical strength formed on the semiconductor substrate 2 is not damaged. Can be

【0026】そして、さらにドラム10を回転させる
と、さらに保護シート1が順に剥離用粘着シート11に
密着していくと共に、保護シート1が端から順に剥離し
ていく。そして、このままドラム10を回転させると、
半導体基板2が保護シート1から完全に剥離される。参
考として、この時の様子を図5に示す。このように、ダ
イシングカットによって分割された保護シート1を再び
接合して1枚のシートとし、剥離用粘着シート11の粘
着力によって保護シート1を剥がすようにしているた
め、保護シート1を一括して半導体基板2から容易に剥
離することができる。
When the drum 10 is further rotated, the protective sheet 1 further comes into close contact with the adhesive sheet 11 for peeling, and the protective sheet 1 peels sequentially from the end. And when the drum 10 is rotated as it is,
The semiconductor substrate 2 is completely peeled off from the protective sheet 1. The situation at this time is shown in FIG. 5 for reference. In this manner, the protection sheet 1 divided by the dicing cut is joined again to form a single sheet, and the protection sheet 1 is peeled off by the adhesive force of the release adhesive sheet 11, so that the protection sheets 1 are collectively assembled. And can be easily separated from the semiconductor substrate 2.

【0027】また、剥離用粘着シート11によって保護
シート1のキャップ1aが潰されたりしないように、ド
ラム10に凹部10cを設け、保護シート1の外周部分
にのみ剥離用粘着シート11を張りつけるようにしてい
るため、半導体基板2上に形成された機械的強度の小さ
い構造体等3を破壊することなく、保護シート1を半導
体基板2上から剥離することができる。
Also, a concave portion 10c is provided in the drum 10 so that the cap 1a of the protective sheet 1 is not crushed by the peeling adhesive sheet 11, and the peeling adhesive sheet 11 is attached only to the outer peripheral portion of the protective sheet 1. Therefore, the protective sheet 1 can be peeled off from the semiconductor substrate 2 without destroying the structure 3 having a small mechanical strength formed on the semiconductor substrate 2.

【0028】なお、従来では、加熱炉等で熱処理するこ
とによって半導体基板から保護シートを剥離させている
ため、保護シートは熱収縮の性質を必ず持ち合わせたも
のでなければならず、保護シートの選択が限定されるこ
とになっていた。しかしながら、本実施形態のように剥
離用粘着シート11によって保護シート1の剥離を行う
場合には、このような必要がないため保護シート1の選
択の幅を広げることも可能である。(第2実施形態)上
記第1実施形態では、凹部10cを設けたドラム10に
粘着シート11を備え、この粘着シート11付きドラム
10を用いて保護シート1を半導体基板2から剥離させ
ているが、本実施形態では、ドラム10を用いないで保
護シート1は半導体基板2から剥離させる場合を示す。
なお、保護シート1が設けられた半導体基板2の構成等
については第1実施形態と同様であるため、ここでは省
略する。
Conventionally, since the protective sheet is peeled off from the semiconductor substrate by heat treatment in a heating furnace or the like, the protective sheet must necessarily have the property of heat shrinkage. Was to be limited. However, in the case where the protective sheet 1 is peeled by the peeling adhesive sheet 11 as in the present embodiment, such a necessity is not required, so that the range of choice of the protective sheet 1 can be expanded. (Second Embodiment) In the first embodiment, the adhesive sheet 11 is provided on the drum 10 provided with the concave portion 10c, and the protective sheet 1 is separated from the semiconductor substrate 2 by using the drum 10 with the adhesive sheet 11. In this embodiment, the case where the protective sheet 1 is separated from the semiconductor substrate 2 without using the drum 10 is shown.
Note that the configuration and the like of the semiconductor substrate 2 provided with the protection sheet 1 are the same as those of the first embodiment, and will not be described here.

【0029】図6(a)に、本実施形態で使用する剥離
用粘着シート21の斜視図を示す。但し、本図では剥離
用粘着シート21の部分は斜線で示してある。本実施形
態では剥離用粘着シート21として、平面状の粘着シー
ト21の中央部に直径Dの円形状の穴21aをカットし
て開けたものを用いる。この剥離用粘着シート21に開
けられた穴21aの直径Dは、第1実施形態と同様に、
半導体基板2の径よりも若干小さなもの、例えば半導体
基板2に6インチのものを使用する場合には6mm程度
小さなものとなっている。
FIG. 6A is a perspective view of the release adhesive sheet 21 used in the present embodiment. However, in this drawing, the portion of the release adhesive sheet 21 is indicated by oblique lines. In the present embodiment, as the peeling adhesive sheet 21, a sheet obtained by cutting and opening a circular hole 21 a having a diameter D in the center of the planar adhesive sheet 21 is used. The diameter D of the hole 21a formed in the release adhesive sheet 21 is the same as in the first embodiment.
The diameter is slightly smaller than the diameter of the semiconductor substrate 2, for example, about 6 mm when a 6-inch semiconductor substrate 2 is used.

【0030】このように直径Dの穴21aが開けられた
剥離用粘着シート21を、直径Dの穴21aの中に保護
シート1のキャップ1a部分が入るように位置合わせし
て、保護シート1に張りつける。これにより、剥離用粘
着シート21のうち穴21aの外側の部分が半導体基板
2の外周近傍の保護シート1と密着する。例えば、上述
のように直径Dが半導体基板2の径よりも6mm程度小
さなものとしている場合、3mmの粘着幅を有すること
になる。
The release adhesive sheet 21 having the hole 21a having the diameter D is positioned so that the cap 1a of the protective sheet 1 is inserted into the hole 21a having the diameter D. Stick it on. As a result, the portion of the peeling adhesive sheet 21 outside the hole 21 a is in close contact with the protective sheet 1 near the outer periphery of the semiconductor substrate 2. For example, when the diameter D is smaller than the diameter of the semiconductor substrate 2 by about 6 mm as described above, the adhesive width is 3 mm.

【0031】その後、図6(b)に示すように、保護シ
ート1の端から剥離用粘着シート21を捲ってゆくと、
剥離用粘着シート21の粘着力によって、剥離用粘着シ
ート21と共に保護シート1を半導体基板2から剥すこ
とができる。このように、剥離用粘着シート21によっ
て保護シート1のキャップ1aが潰されたりしないよう
に、剥離用粘着シート21に穴21aを開ければ、ドラ
ム10を用いなくても保護シート1を剥離することがで
きる。
Thereafter, as shown in FIG. 6B, when the peeling adhesive sheet 21 is turned from the end of the protective sheet 1,
The protective sheet 1 can be peeled from the semiconductor substrate 2 together with the release adhesive sheet 21 by the adhesive force of the release adhesive sheet 21. In this way, if the holes 21a are formed in the peeling adhesive sheet 21 so that the cap 1a of the protective sheet 1 is not crushed by the peeling adhesive sheet 21, the protective sheet 1 can be peeled without using the drum 10. Can be.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】(a)は保護シート1を備えた半導体基板2を
示す断面図であり、(b)はダイシング工程中における
半導体基板2を示す断面図である。
FIG. 1A is a cross-sectional view showing a semiconductor substrate 2 provided with a protective sheet 1, and FIG. 1B is a cross-sectional view showing the semiconductor substrate 2 during a dicing process.

【図2】保護シート1を一体にするための溶着工程を示
す説明図である。
FIG. 2 is an explanatory view showing a welding step for integrating the protective sheet 1;

【図3】ドラム10を説明するための図であって、
(a)はドラム10の斜視図、(b)はドラム10の側
面図、(c)は(b)のA−A矢視断面図である。
FIG. 3 is a diagram for explaining the drum 10,
(A) is a perspective view of the drum 10, (b) is a side view of the drum 10, and (c) is a cross-sectional view taken along the line AA of (b).

【図4】保護シート1の剥離工程を示す説明図である。FIG. 4 is an explanatory view showing a peeling step of the protective sheet 1.

【図5】保護シート1の剥離工程を示す説明図である。FIG. 5 is an explanatory view showing a peeling step of the protective sheet 1.

【図6】(a)は第2実施形態における剥離用粘着シー
ト21を示す図であり、(b)は(a)の剥離用粘着シ
ート21を用いて保護シート1を剥離する時の工程を示
す図である。
FIG. 6 (a) is a view showing a peeling pressure-sensitive adhesive sheet 21 according to a second embodiment, and FIG. 6 (b) is a diagram showing a step of peeling a protective sheet 1 using the peeling pressure-sensitive adhesive sheet 21 of (a). FIG.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…保護シート、1a…キャップ、2…半導体基板、3
…構造体等、4…ダイシングシート、5…ダイシングブ
レード、6…櫛型ヒータ、10…ドラム、10a…ドラ
ムの端面、10b…吸引口、10c…凹部、10d…吸
引孔、11、21…剥離用粘着シート、12…温風器、
X…切断部。
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Protective sheet, 1a ... Cap, 2 ... Semiconductor substrate, 3
... Structure, etc., 4 ... Dicing sheet, 5 ... Dicing blade, 6 ... Comb heater, 10 ... Drum, 10a ... Drum end face, 10b ... Suction port, 10c ... Recess, 10d ... Suction hole, 11, 21 ... Peel off Pressure-sensitive adhesive sheet, 12 ... warm air heater,
X: cutting part.

Claims (8)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 表面に複数の素子(3)が形成された半
導体基板(2)の該表面に、前記複数の素子を覆うよう
に装着された保護シート(1)を、前記半導体基板をダ
イシングした後に前記半導体基板から剥離する保護シー
ト剥離方法において、 前記半導体基板のダイシングカットにより切断され分割
された前記保護シートを、前記切断された部分(X)で
接合して一体とする工程と、 前記保護シートに粘着シート(11、21)を密着さ
せ、前記粘着シートの粘着力により一体となった前記保
護シートを前記半導体基板から剥離させることを特徴と
する保護シートの剥離方法。
1. A semiconductor substrate (2) having a plurality of elements (3) formed on a surface thereof, a protective sheet (1) mounted on the surface to cover the plurality of elements, and the semiconductor substrate is diced. A method of peeling the protective sheet from the semiconductor substrate after the above, wherein the protective sheet cut and divided by dicing cut of the semiconductor substrate is joined at the cut portion (X) to be integrated, A method for peeling a protective sheet, comprising: adhering an adhesive sheet (11, 21) to a protective sheet; and peeling the integrated protective sheet from the semiconductor substrate by the adhesive force of the adhesive sheet.
【請求項2】 前記保護シートの剥離工程は、前記複数
の素子を囲むように、前記保護シートの外周となる部分
と前記粘着シート(11、21)とを密着させることを
特徴とする請求項1に記載の保護シートの剥離方法。
2. The method according to claim 2, wherein in the step of peeling off the protective sheet, a portion to be an outer periphery of the protective sheet and the adhesive sheet (11, 21) are brought into close contact with each other so as to surround the plurality of elements. The method for peeling a protective sheet according to claim 1.
【請求項3】 前記保護シートを一体とする工程は、熱
処理によって前記切断された部分を溶着することによっ
て行っていることを特徴とする請求項1又は2に記載の
保護シート剥離方法。
3. The protective sheet peeling method according to claim 1, wherein the step of integrating the protective sheet is performed by welding the cut portion by heat treatment.
【請求項4】 前記複数の素子は、機械的強度の小さい
構造体又は可動部であることを特徴とする請求項1乃至
3のいずれか1つに記載の保護シート剥離方法。
4. The method according to claim 1, wherein the plurality of elements are a structure or a movable part having a small mechanical strength.
【請求項5】 前記保護シートには、前記機械的強度の
小さい構造体又は可動部を保護するために凹凸(1a)
が形成されていることを特徴とする請求項4に記載の半
導体基板の保護シート剥離方法。
5. The projections and depressions (1a) on the protective sheet for protecting the structure or the movable part having a small mechanical strength.
5. The method according to claim 4, wherein the protective sheet is formed.
【請求項6】 前記保護シートを剥離させる工程は、 前記粘着シートの粘着面が上面になるように、前記粘着
シートを巻き付けた円筒状部材(10)を用意する工程
と、 前記円筒状部材を前記半導体基板上で回転させることに
より、前記保護シートを粘着シートに密着させて巻き取
る工程とを備えていることを特徴とする請求項1乃至5
のいずれか1つに記載の保護シート剥離方法。
6. The step of peeling off the protective sheet, the step of preparing a cylindrical member (10) around which the adhesive sheet is wound so that the adhesive surface of the adhesive sheet faces the upper surface; A step of winding the protective sheet in close contact with the adhesive sheet by rotating the semiconductor sheet on the semiconductor substrate.
The method for peeling a protective sheet according to any one of the above.
【請求項7】 前記保護シートを剥離させる工程は、 前記粘着シートの粘着面が上面になるように、前記粘着
シートを巻き付けてあり、前記機械的強度の小さい構造
体又は可動部が収容できる凹部(10c)が形成されて
いる円筒状部材(10)を用意する工程と、 前記粘着シートのうち前記凹部上に配置される部分を該
凹部内に収容する工程と、 前記円筒状部材を前記半導体基板上で回転させることに
より、前記保護シートを粘着シートに密着させて巻き取
る工程とを備えていることを特徴とする請求項5に記載
の保護シート剥離方法。
7. The step of peeling off the protective sheet, wherein the pressure-sensitive adhesive sheet is wound so that the pressure-sensitive adhesive surface of the pressure-sensitive adhesive sheet faces the upper surface, and the structure having a small mechanical strength or a recess capable of accommodating a movable portion. A step of preparing a cylindrical member (10) on which (10c) is formed; a step of accommodating a portion of the pressure-sensitive adhesive sheet arranged on the concave portion in the concave portion; The method for peeling a protective sheet according to claim 5, further comprising: winding the protective sheet in close contact with an adhesive sheet by rotating the protective sheet on a substrate.
【請求項8】 前記凹部の底面には前記円筒状部材の外
部と連通する吸引孔(10d)が形成されており、この
連通孔を通じて前記凹部上における粘着シートを吸引す
ることにより、前記粘着シートのうち前記凹部上に配置
される部分を該凹部内に収容することを特徴とする請求
項7に記載の保護シート剥離方法。
8. A suction hole (10d) communicating with the outside of the cylindrical member is formed on a bottom surface of the concave portion, and the pressure-sensitive adhesive sheet on the concave portion is sucked through the communication hole to form the pressure-sensitive adhesive sheet. The method according to claim 7, wherein a portion of the protective sheet disposed on the concave portion is accommodated in the concave portion.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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JP2012074476A (en) * 2010-09-28 2012-04-12 Lintec Corp Sheet sticking device and sheet sticking method
JP2013008985A (en) * 2012-08-09 2013-01-10 Lintec Corp Peeling device and peeling method
JP2023167463A (en) * 2022-05-12 2023-11-24 大日本印刷株式会社 Adhesive tape for semiconductor processing

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