JPH11156987A

JPH11156987A - 反射防止フィルム

Info

Publication number: JPH11156987A
Application number: JP9328780A
Authority: JP
Inventors: Kazutoshi Kiyokawa; 和利清川; Yutaka Kobayashi; 裕小林; Takahiro Harada; 隆宏原田; Haruo Uyama; 晴夫宇山
Original assignee: Toppan Printing Co Ltd
Current assignee: Toppan Inc
Priority date: 1997-11-28
Filing date: 1997-11-28
Publication date: 1999-06-15
Anticipated expiration: 2017-11-28
Also published as: JP4051740B2

Abstract

(57)【要約】【課題】外光反射を極力低減し、かつ光学的に十分な
可視光透過性を有し、さらに電磁波シールド性を発揮す
る反射防止フィルムを得る。【解決手段】プラスティックフィルム基材１上に反射
防止膜５を有する反射防止フィルム１０であって、該反
射防止膜５に、反射防止フィルム１０の電磁波シールド
性を１００ＭＨｚの電磁波に対して５ｄＢ以上とする導
電層Ｘを設ける。反射防止膜５が、基材１側から第１の
高屈折率層３ａ、第１の低屈折率層４ａ、第２の高屈折
率層３ｂ及び第２の低屈折率層４ｂの４層構造であると
き、第１の高屈折率層３ａ又は第２の高屈折率層３ｂを
ＩＴＯ等の導電層Ｘから形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＣＲＴ画面、ＬＣ
Ｄ画面、ＰＤＰ画面等のディスプレーの表面、その他ガ
ラス、プラスティック等からなるウィンドウの表面にお
いて、外光が反射して本来の情報が見づらくなることを
防止し、かつそれらの表面で電磁波シールド機能を発揮
する、電磁波シールド機能付きの反射防止フィルムに関
する。

【０００２】

【従来の技術】ディスプレーやウィンドウ等の表面で蛍
光灯や太陽などの明かりが反射して、本来知りたい情報
が見づらくなるという現象は、古くから問題となってい
る。この問題に対しては、反射防止膜を使用することが
知られており、かかる光学膜に関しての教本も出版され
ている。

【０００３】従来、この反射防止膜としては、ガラス基
板上に形成されたものが一般的となっており、プラステ
ィック、特にフィルム状のプラスティック基材に形成さ
れたものは少ない。しかし、反射防止膜をプラスティッ
クフィルム基材上に形成することにより、ガラス基板上
に形成した場合では得られない薄さと可撓性が得られ
る。そこで、反射防止膜をプラスティックフィルム基材
上に形成したもの、即ち反射防止フィルムが使用される
ようになってきている。この反射防止フィルムは、外光
の反射を防止したい面に張り付けるなどして用いられて
いる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、反射防止フ
ィルムの形成が必要とされる透明基材では、近年話題と
なっている電磁波シールドも必要とされる場合が多い。
例えば、パソコンやテレビ等の表示装置であるＣＲＴや
ＰＤＰ表面には、反射防止機能だけでなく電磁波シール
ド機能も付与した方が望ましい場合がある。また、移動
体通信網の増大などの影響に対して、透明な窓にも反射
防止機能だけでなく、電磁波シールド機能を付与した方
が望ましい場合が増えてきている。そこで、電磁波シー
ルド機能を有する反射防止フィルムを開発することが課
題となっている。

【０００５】一般に、電磁波シールドをするためには、
導電性の物質が使用される。一方、反射防止フィルムに
は可視光に対する透過性が要求される。そこで、反射防
止フィルムに電磁波シールド機能をもたせるためには、
電磁波シールド機能を発揮する導電性の物質として、薄
い金属膜か透明導電膜を使用することが考えられる。

【０００６】これまでに導電性を備えた反射防止膜とし
て、特開昭６１−１６８８９９号公報に記載されている
低反射率帯電防止板が知られている。しかし、この低反
射率帯電防止板に備えられている導電性は帯電防止だけ
を目的としたものであり、その基材としてはガラスやプ
ラスティック等の板材だけが使用されている。そのた
め、この低反射率帯電防止板は、反射防止膜をプラステ
ィックフィルム基材上に形成した反射防止フィルムとは
形態が異なり、その利用範囲も極めて限られたものとな
っている。さらにこの低反射率帯電防止板が有する導電
性も、電磁波シールドに対して十分なものとはなってい
ない。

【０００７】この低反射率帯電防止板が公表された後
も、導電性を有する反射防止膜に関する発明はなされて
いるが、電磁波シールド特性をも課題とし、また、電磁
波シールド特性と反射防止特性とを併せて最適なものに
するべくなされた反射防止フィルムは見られない。

【０００８】本発明は以上のような従来技術の課題を解
決しようとするものであり、外光などの反射を極力低減
し、かつ光学的に十分な可視光透過性を有し、さらに電
磁波シールド性を発揮する反射防止膜を、プラスティッ
クフィルム上に形成した反射防止フィルムを提供するこ
とを目的とする。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明は、プラスティックフィルムからなる基材上
に反射防止膜を有する反射防止フィルムであって、該反
射防止膜が、反射防止フィルムの電磁波シールド性を１
００ＭＨｚの電磁波に対して５ｄＢ以上、好ましくは７
ｄＢ〜５０ｄＢとする導電層を含むことを特徴とする反
射防止フィルムを提供する。

【００１０】特に、この反射防止フィルムの反射防止膜
が、高屈折率層と低屈折率層とが交互に積層された構造
を有し、該反射防止膜を形成する高屈折率層または低屈
折率層の少なくとも一層が、反射防止フィルムの電磁波
シールド性を１００ＭＨｚの電磁波に対して５ｄＢ以上
とする導電層からなる態様を提供する。

【００１１】本発明の反射防止フィルムは、プラスティ
ックフィルムからなる基材上に反射防止膜が形成されて
いるので、反射防止膜をガラス基板上に形成した場合で
は得られない薄さと可撓性を実現することができる。ま
た、本発明の反射防止フィルムは、電磁波シールド性を
発揮する導電層が反射防止膜中に組み入れられているの
で、電磁波シールド性を有しかつ、最大限の反射防止性
能を有するように反射防止膜を調整することが可能とな
る。そして、本発明の反射防止膜で使用される導電層
は、電磁波シールド性が１００ＭＨｚの電磁波に対して
５ｄＢ以上となるように調整されているので、実用上十
分な電磁波シールド性を有するものとなる。

【００１２】ここで、本発明の反射防止フィルムの電磁
波シールド性を１００ＭＨｚの電磁波に対して規定した
理由は、次の通りである。即ち、電磁波シールド現象に
は、電磁波シールドとして使用する薄膜の導電性が大き
く影響するが、さらに膜厚や他の諸特性等も絡み合うた
め、その薄膜による電磁波シールド効果は複雑になる。
一方、電磁波シールド測定装置は、原理的には、測定系
をシールドし、シールド材の表裏にアンテナを設置し、
妥当な発信、受信装置を用いて発信された電磁波がどの
くらい減衰したかを受信するというものである。また、
電磁波シールド効果は周波数によって変化するところ、
各周波数における電磁波シールド効果の測定値をすべて
既述するのは困難である。そこで、本発明においては、
測定する電磁波の周波数を、実用上及び測定の正確さの
点から、数ＧＨｚ以下とし、さらに、１００ＭＨｚの電
磁波についての電磁波シールド効果の値を電磁波シール
ド効果の代表値として用いた。他の周波数での電磁波シ
ールド効果の値は、１００ＭＨｚの電磁波についての電
磁波シールドの値からおおよそ類推することが可能であ
る。

【００１３】また、電磁波には電界成分と磁界成分が含
まれ、さらにアンテナからの距離により電磁波は遠方界
と近接界とに分けられる。本発明においては、実用上電
磁波シールド効果が必要とされる近接界における電界の
シールド効果を測定し、これを電磁波シールド効果を表
す値として代表させた。なお、本発明によれば、遠方界
と近接界のいずれの電磁波シールドも図ることができ、
本発明の反射防止膜の使用方法としては、遠方界と近接
界のいずれの電磁波シールドを行う場合も包含される。

【００１４】

【発明の実施の形態】以下、本発明の反射防止フィルム
を図面に基づいて詳細に説明する。なお、各図中、同一
符号は同一又は同等の構成要素を表している。

【００１５】図１は、本発明の反射防止フィルムの一の
態様の層構成図である。

【００１６】この反射防止フィルム１０は、プラスティ
ックフィルム基材１上に、ハードコート層２、反射防止
膜５、及び防汚層６が順次積層されたものとなってい
る。ここで、反射防止膜５は、基材１側から第１の高屈
折率層３ａ、第１の低屈折率層４ａ、第２の高屈折率層
３ｂ及び第２の低屈折率層４ｂが順次積層された４層構
造となっており、このうちの第１の高屈折率層３ａは、
電磁波シールド性を有する導電層Ｘとなっている。

【００１７】このように本発明においては、電磁波シー
ルド性を発揮する導電層Ｘが反射防止膜５を構成する所
定の屈折率の層の一部として形成されているので、反射
防止膜５の反射防止性能を最大限にし、かつ電磁波シー
ルド性を付与することができる。

【００１８】また、この反射防止フィルム１０におい
て、４層構造の反射防止膜５のうち第１の高屈折率層３
ａであり、かつ導電層Ｘとなっている層の構成材料とし
ては、一般に透明導電膜の構成材料として使用されてい
るものを使用することができる。例えば、酸化インジウ
ム、酸化スズ、酸化亜鉛等の酸化物又はこれらの任意の
２種以上の混合酸化物、さらには、Ａｌ、Ｇａ、Ｙ、Ｚ
ｒ等の３価以上の原子等を添加元素として加えたものを
使用することができる。なかでも、導電層Ｘを酸化イン
ジウムと酸化スズとの混合酸化物から構成し、その混合
酸化物中のインジウムとスズとの原子比率Ｓｎ／（Ｉｎ
＋Ｓｎ）を２〜１２at.％とすることが好ましい。これ
により、安定した低抵抗、即ち電磁波シールド特性が得
られるようになる。

【００１９】なお、導電層Ｘの構成材料としては、透明
導電膜の構成材料の他、透明性を保つように膜厚を薄く
した金属薄膜も使用することができるが、通常は、安定
性や強度等の点から透明導電膜を使用することが好まし
い。

【００２０】また、導電層Ｘは反射防止膜５の構成層で
もあるため、その光学特性によって当該導電層Ｘの層厚
が調整され、また、反射防止膜５全体の層構成も調整さ
れる。例えば、透明導電膜は高屈折率のものがほとんど
であるので、透明導電膜からなる導電層Ｘは、図１のよ
うに、反射防止膜５の高屈折率層として用いることがで
きる。

【００２１】一方、反射防止膜５を構成している導電層
Ｘ以外の高屈折率層３ｂ（第２の高屈折率層）は、酸化
チタン等から形成することができる。また、第１の低屈
折率層４ａ及び第２の低屈折率層４ｂは、酸化シリコ
ン、フッ化マグネシウム等から形成することができる。

【００２２】これら反射防止膜５を構成する各層の厚さ
は、その当該層を構成する物質の屈折率、目的とする反
射防止性等に応じて適宜定められるが、通常、導電層Ｘ
となっている第１の高屈折率層３ａを４５〜７５ｎｍ、
第１の低屈折率層４ａを２５〜４５ｎｍ、第２の高屈折
率層３ｂを１１０〜１５０ｎｍ、第２の低屈折率層３ｂ
を１２５〜１５５ｎｍとすることができ、これにより反
射防止フィルム１０の電磁波シールド性を、１００ＭＨ
ｚの電磁波に対して５〜１５ｄＢに調整することが可能
となる。

【００２３】反射防止膜５を構成する各層の形成方法に
は特に限定はない。例えば、スパッタリング法、蒸着
法、ＣＶＤ法等の真空成膜法を用いて形成することがで
きる。

【００２４】図１の反射防止フィルム１０において、プ
ラスティックフィルム基材１としては、種々のプラステ
ィックフィルムを使用することができ、例えば、ポリエ
チレンテレフタレート、トリアセチルセルロース、ポリ
カーボネート等のフィルムを使用することができる。プ
ラスティックフィルム基材１の厚さにも特に制限はない
が、通常、１０〜２００μｍとすることが好ましい。

【００２５】図１の反射防止フィルム１０において、プ
ラスティックフィルム基材１に積層されているハードコ
ート層２は、反射防止フィルム１０に所望の硬さを付与
するため、必要に応じて設けられている。このハードコ
ート層２の硬さとしては、２Ｈ以上とすることが好まし
く、３Ｈ以上とすることがより好ましい。またハードコ
ート層２としては、所定の光学特性を備えたものである
こと、即ち、透明性を有し、屈折率がプラスティックフ
ィルム基材１の屈折率と等しいかあるいはそれと同等で
あることが望ましい。ハードコート層２の厚さは、光学
特性及び可撓性の点から、１０μｍ以下が好ましいが、
反射防止フィルム１０に所期の硬さを付与できる限り特
に限定はない。

【００２６】また、ハードコート層２の材質としては、
例えば、紫外線硬化型のアクリル樹脂、シリコーン樹脂
等を主体とする樹脂から形成することができる。また、
これらの樹脂に添加剤を含有させることもできる。ここ
で添加剤としては、光を散乱させる透明顔料などの透明
粉末を好ましく使用することができ、このような透明顔
料としては、例えば、酸化チタン、酸化珪素、酸化亜
鉛、酸化アルミニウム等の無機化合物、硫酸バリウム等
の無機塩、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム等の
フッ化物等を挙げることができる。また、上記透明粉末
として、ポリジビニルベンゼン、ポリスチレン、ポリテ
トラフルオロエチレン等の樹脂粉末、これらの樹脂から
構成される中空のビ−ズ、あるいはこれらの樹脂または
その中空ビーズ表面に表面処理を施した粉末なども利用
することができる。このような透明粉末の大きさとして
は、ハードコート層２を構成する樹脂に分散し、プラス
ティックフィルム基材１上に平滑かつ均一に塗布できる
よう粒径３μｍ以下程度とすることが好ましい。

【００２７】防汚層６は、本発明において、反射防止膜
５を保護し、かつ、防汚性能を高めるために、反射防止
膜５上に必要に応じて設けられる。この防汚層６の特性
としては、反射防止膜５の機能が阻害されず、防汚層と
しての要求性能が満たされる限り特に制限はないが、純
水に対する接触角が９０度以上のものが好ましく、１０
０度以上のものがより好ましい。このような特性を有す
る防汚層６の形成材料としては、例えば、疎水基を有す
る化合物を好ましく使用でき、より具体的には、パーフ
ルオロシラン、フルオロカーボン等を好ましい材料とし
てあげることができる。防汚層６の層厚としては、通
常、２０ｎｍ以下が好ましく、１０ｎｍ以下がより好ま
しい。防汚層６の形成方法は、当該防汚層６の形成材料
に応じて、例えば、蒸着、スパッタリング等の物理気相
折出法、ＣＶＤのような化学気相折出法あるいは特殊な
湿式コーティング等を用いることができる。

【００２８】以上、図１に示した反射防止フィルム１０
について、詳細に説明したが、本発明はこの他種々の態
様をとることができる。例えば、図１の反射防止フィル
ム１０は、反射防止膜５が、基材１側から第１の高屈折
率層３ａ、第１の低屈折率層４ａ、第２の高屈折率層３
ｂ及び第２の低屈折率層４ｂの４層構造を有し、そのう
ちの第１の高屈折率層３ａを電磁波シールド性を有する
導電層Ｘとしたものであるが、図２に示す反射防止フィ
ルム１０ｂのように、反射防止膜５を、図１の反射防止
膜１０と同様に基材１側から第１の高屈折率層３ａ、第
１の低屈折率層４ａ、第２の高屈折率層３ｂ及び第２の
低屈折率層４ｂの４層構造とした場合に、その第２の高
屈折率層３ｂを図１の反射防止フィルム１０の第１の高
屈折率層３ａに代えて導電層Ｘとして構成してもよい。
これにより、反射防止フィルム１０ｂの電磁波シールド
性を７〜４０ｄＢにすることができる。

【００２９】また、図３に示した反射防止フィルム１０
ｃのように、反射防止膜５を上述の反射防止フィルム１
０，１０ｂと同様に４層構造とした場合に、その第１の
高屈折率層３ａ及び第２の高屈折率層３ｂの双方を導電
層Ｘとして構成してもよい。これにより反射防止フィル
ム１０ｃの電磁波シールド性をより向上させ、また、よ
り高い周波数の電磁波に対しても電磁波シールド性を高
めることができる。

【００３０】また、本発明の反射防止フィルムは、反射
防止膜が上述のような高屈折率層及び低屈折率層が交互
に積層した層構造を有する場合に、その層数が４層に限
定されるものではない。さらに、本発明の反射防止フィ
ルムは、その反射防止膜中に高屈折率層と低屈折率層の
他に中間屈折率層を有するものであってもよい。さらに
また、反射防止フィルムを構成する反射防止膜が、屈折
率の徐々に変化する傾斜膜からなるものであってもよ
い。いずれの態様においても、反射防止膜中に高屈折率
層として、低屈折率層として、あるいは所定の中間屈折
率層として、当該反射防止フィルムの電磁波シールド性
を１００ＭＨｚの電磁波に対して５ｄＢ以上、好ましく
は、７ｄＢ〜５０ｄＢとする導電層が含まれる限り、本
発明の反射防止フィルムに包含される。

【００３１】

【実施例】以下、本発明を実施例に基づいて具体的に説
明する。

【００３２】実施例１反射防止膜が、図１の反射防止フィルム１０の反射防止
膜５と同様の４層構造の反射防止フィルムを作製した。
この場合、プラスティックフィルム基材としては、ＰＥ
Ｔフィルム（１００μｍ厚）を使用し、その上に、基材
側からＩＴＯ（導電層Ｘである第１の高屈折率層３
ａ）、酸化シリコン（第１の低屈折率層４ａ）、酸化チ
タン（第２の高屈折率層３ｂ）及び酸化シリコン（第２
の低屈折率層４ｂ）を順次積層した。また、この反射防
止膜５を形成する各層はＥＢ蒸着法によって形成した。
また、各層の光学膜厚（ｎｄ）は、それぞれＩＴＯ（第
１の高屈折率層３ａ）７０ｎｍ、酸化シリコン（第１の
低屈折率層４ａ）４０ｎｍ、酸化チタン（第２の高屈折
率層３ｂ）１１５ｎｍ、酸化シリコン（第２の低屈折率
層４ｂ）１５３ｎｍとした。

【００３３】得られた反射防止フィルムの反射率は、波
長５５０ｎｍに対して０．５％であった。また、電磁波
シールド効果は、１００ＭＨｚに対して約８ｄＢであっ
た。電磁波シールド効果は、１００ＭＨｚ以下の周波数
に対してはより高く、例えば、１０ＭＨｚでは約２５ｄ
Ｂであった。また、１００ＭＨｚ以上の周波数に対し
て、例えば、５００ＭＨｚに対しては約４ｄＢであっ
た。

【００３４】実施例２反射防止膜が、図２の反射防止フィルム１０ｂの反射防
止膜５と同様の４層構造の反射防止フィルムを作製し
た。この場合、プラスティックフィルム基材としては、
ＰＥＴフィルム（１８８μｍ厚）を使用し、その上に基
材側から酸化チタン（第１の高屈折率層３ａ）、酸化シ
リコン（第１の低屈折率層４ａ）、ＩＴＯ（導電層Ｘで
ある第２の高屈折率層３ｂ）及び酸化シリコン（第２の
低屈折率層４ｂ）を順次積層した。また、この反射防止
膜５を形成するＩＴＯはスパッタリングによつて形成
し、その他の層はＥＢ蒸着法によって形成した。各層の
光学膜厚（ｎｄ）は、それぞれ酸化チタン（第１の高屈
折率層３ａ）５５ｎｍ、酸化シリコン（第１の低屈折率
層４ａ）２９ｎｍ、ＩＴＯ（導電層Ｘである第２の高屈
折率層３ｂ）１２４ｎｍ、酸化シリコン（第２の低屈折
率層４ｂ）１３５ｎｍとした。

【００３５】得られた反射防止フィルムの反射率は、波
長５５０ｎｍに対して０．７％であった。電磁波シール
ド効果は、１００ＭＨｚに対して約３４ｄＢであった。
また、電磁波シールド効果は、１００ＭＨｚ以下の周波
数に対してはより高く、例えば、１０ＭＨｚでは約３９
ｄＢであった。また、１００ＭＨｚ以上の周波数に対し
て、例えば、５００ＭＨｚに対しては約１２ｄＢ、１Ｇ
Ｈｚに対しては約４ｄＢであった。

【００３６】実施例３図３の反射防止フィルム１０ｃと同様の層構成の反射防
止フィルムを作製した。この場合、プラスティックフィ
ルム基材１としては、ＰＥＴフィルム（１８８μｍ厚）
を使用し、その上にハードコート層２として、アクリル
系樹脂層（４μｍ厚）を形成し、その上に、基材１側か
らＩＴＯ（導電層Ｘである第１の高屈折率層３ａ）、酸
化シリコン（第１の低屈折率層４ａ）、ＩＴＯ（導電層
Ｘである第２の高屈折率層３ｂ）及び酸化シリコン（第
２の低屈折率層４ｂ）を順次積層した。この反射防止膜
５を形成する各層のうち、ＩＴＯ（導電層Ｘである第１
の高屈折率層３ａ及び第２の高屈折率層３ｂ）はスパッ
タリングによって形成し、酸化シリコン（第１の低屈折
率層４ａ及び第２の低屈折率層４ｂ）はＥＢ蒸着法によ
って形成した。各層の光学膜厚（ｎｄ）は、それぞれお
よそＩＴＯ（導電層Ｘである第１の高屈折率層３ａ）５
３ｎｍ、酸化シリコン（第１の低屈折率層４ａ）３１ｎ
ｍ、ＩＴＯ（導電層Ｘである第２の高屈折率層３ｂ）１
３６ｎｍ、酸化シリコン（第２の低屈折率層４ｂ）１３
２ｎｍとした。こうして形成した４層構造の反射防止膜
５の上にさらに防汚層６としてフルオロアルキルシラザ
ン（信越化学社製、ＫＰ８０１Ｍ）（１１８０Å厚）を
形成した。

【００３７】得られた、反射防止フィルムの反射率およ
び透過率は、波長５５０ｎｍに対してそれぞれ０．５
％、８９％であった。また、電磁波シールド効果は、１
００ＭＨｚ以下の周波数に対しては約３５ｄＢであっ
た。１００ＭＨｚ以下の周波数に対してはより高く、例
えば、１０ＭＨｚでは約３９ｄＢであった。また、１０
０ＭＨｚ以上の周波数に対して、例えば、５００ＭＨｚ
に対しては約１２ｄＢ、１ＧＨｚに対しては約４ｄＢで
あった。

【００３８】以上の実施例により、本発明の反射防止フ
ィルムによれば、その反射防止膜の構成を適宜変えるこ
とにより反射率や電磁波シールド効果を変えられること
がわかる。

【００３９】

【発明の効果】本発明によれば、外光などの反射を極力
低減しかつ光学的に充分な可視光透過性を有し、さらに
は電磁波シールド効果を持った反射防止フィルムを得る
ことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の反射防止フィルムの層構成図である。

【図２】本発明の反射防止フィルムの他の態様の層構成
図である。

【図３】本発明の反射防止フィルムの他の態様の層構成
図である。

【符号の説明】

１プラスティックフィルム基材２ハードコート層３ａ第１の高屈折率層３ｂ第２の高屈折率層４ａ第１の低屈折率層４ｂ第２の低屈折率層５反射防止膜６防汚層Ｘ導電層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁶ 識別記号ＦＩＧ０２Ｂ 1/10 Ｇ０９Ｆ 9/00 ３１８ＡＧ０９Ｆ 9/00 ３０９Ｇ０２Ｂ 1/10 Ａ３１８Ｚ (72)発明者宇山晴夫東京都台東区台東１丁目５番１号凸版印刷株式会社内

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】プラスティックフィルムからなる基材上
に反射防止膜を有する反射防止フィルムであって、該反
射防止膜が、反射防止フィルムの電磁波シールド性を１
００ＭＨｚの電磁波に対して５ｄＢ以上とする導電層を
含むことを特徴とする反射防止フィルム。
【請求項２】反射防止フィルムの電磁波シールド性
が、１００ＭＨｚの電磁波に対して７ｄＢ〜５０ｄＢで
ある請求項１記載の反射防止フィルム。
【請求項３】反射防止膜が、高屈折率層と低屈折率層
とが交互に積層された構造を有し、該反射防止膜を形成
する高屈折率層または低屈折率層の少なくとも一層が、
反射防止フィルムの電磁波シールド性を１００ＭＨｚの
電磁波に対して５ｄＢ以上とする導電層からなる請求項
１記載の反射防止フィルム。
【請求項４】反射防止膜が、基材側から第１の高屈折
率層、第１の低屈折率層、第２の高屈折率層及び第２の
低屈折率層の４層構造からなる請求項３記載の反射防止
フィルム。
【請求項５】第１の高屈折率層が電磁波シールド性を
有する導電層からなる請求項４記載の反射防止フィル
ム。
【請求項６】第２の高屈折率層が電磁波シールド性を
有する導電層からなる請求項４記載の反射防止フィル
ム。
【請求項７】第１の高屈折率層及び第２の高屈折率層
が電磁波シールド性を有する導電層からなる請求項４記
載の反射防止フィルム。
【請求項８】導電層が、酸化インジウム、酸化スズ、
酸化亜鉛、又はこれらの任意の２種以上の混合酸化物か
らなる請求項１〜７のいずれかに記載の反射防止フィル
ム。
【請求項９】導電層が、酸化インジウムと酸化スズと
の混合酸化物からなり、該混合酸化物中のインジウムと
スズとの原子比率Ｓｎ／（Ｉｎ＋Ｓｎ）が２〜１２at.
％である請求項８記載の反射防止フィルム。
【請求項１０】導電層以外の高屈折率層が酸化チタン
からなり、低屈折率層が酸化シリコンからなる請求項３
〜９のいずれかに記載の反射防止フイルム。
【請求項１１】基材と反射防止膜との間にハードコー
ト層が形成されている請求項１〜１０のいずれかに記載
の反射防止フィルム。
【請求項１２】反射防止膜上に防汚層が形成されてい
る請求項１〜１１記載の反射防止フィルム。