JPH11151663A - 研磨装置および研磨方法 - Google Patents

研磨装置および研磨方法

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JPH11151663A
JPH11151663A JP31708597A JP31708597A JPH11151663A JP H11151663 A JPH11151663 A JP H11151663A JP 31708597 A JP31708597 A JP 31708597A JP 31708597 A JP31708597 A JP 31708597A JP H11151663 A JPH11151663 A JP H11151663A
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light
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JP31708597A
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English (en)
Inventor
Minokichi Ban
箕吉 伴
Masaru Chichii
勝 乳井
Takehiko Suzuki
武彦 鈴木
Yasushi Sugiyama
易 杉山
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Original Assignee
Canon Inc
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 研磨中に研磨パッドの研磨面を観察する。 【解決手段】 照射光を被研磨体1を介して研磨パッド
9に照射し、研磨パッドで反射した反射光を被研磨体1
を介して受光する対物レンズを被研磨レンズ21を被研
磨体1を介して研磨パッド9に対向して設ける。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、被研磨体に接触し
ている研磨パッドと、あるいは研磨パッドと被研磨体と
の間に供給された液体の流れ等を観察するための方法及
び装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、半導体デバイスの超微細化や高段
差化が進み、これに伴ってSOI基板、Si、GeAs、InP
等からなる半導体ウエハー、あるいは半導体集積回路形
成過程において表面に絶縁膜あるいは金属膜を有したウ
エハー、更にディスプレー用の基板等を高精度に研磨す
るための加工手段として化学機械研磨(CMP)装置が
知られている。
【0003】ここでは従来のCMP装置について図5と
図6を用いて説明する。図5は被研磨体(ウエハー)1
00が被研磨体保持手段によってその被研磨面を下に向
けた状態で保持され、被研磨体100の口径よりも大き
な口径の例えばポリウレタンからなる研磨パッド900
を用いて被研磨体100を研磨する形態である。この研
磨パッド900は、主として表面に凹凸を有しているか
あるいは多孔質である。図5では被研磨体100は、不
図示の駆動手段によって矢印Cが示す方向に回転する。
また、研磨パッド900は、不図示の駆動手段により矢
印Dが示す方向に回転する。これら被研磨体100と研
磨パッド900の互いの回転或いはいずれか一方の回転
によって当接する被研磨体100の被研磨面が研磨され
る。このとき研磨量を向上させる目的で研磨剤(スラリ
ー)が液体供給手段400から当接する被研磨体100
と研磨パッド900との間に供給される。スラリーは例
えばミクロンオーダーからサブミクロンオーダーのSiO2
の微粒子が安定に分散したアルカリ水溶液である。図5
においてスラリーは被研磨体100と研磨パッド900
との間へ外部から供給される。
【0004】図6は、被研磨体100の口径よりも小さ
い口径の研磨パッド900が研磨ヘッド800によって
保持され、被研磨面を上に向けて保持される被研磨体1
00を研磨する形態である。
【0005】このときスラリーは、研磨パッド900に
設けられた小孔350に連通するスラリー供給手段40
0から小孔350を介して当接する被研磨体100と研
磨パッド900との間へ供給される。
【0006】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、例えば
好適な研磨時間等の研磨条件を設定して複数の被研磨体
100を同じように研磨しようとしても研磨パッド90
0の研磨能力が経時劣化して被研磨体毎に研磨むらや研
磨屑による予期せぬ傷等が発生する。
【0007】こうした研磨むらや予期せぬ傷は研磨パッ
ド900の凹部がスラリー中の微粒子や研磨屑によって
目詰まりするために発生する。
【0008】従来の研磨方法では研磨条件の設定に必要
な知見を被研磨体100の被研磨面を観察することから
得るだけであるため、研磨パッド900が目詰まりする
時点を正確に特定することが出来なかった。
【0009】またスラリーが被研磨体100と研磨パッ
ド900との間で不均一に分布した状態で研磨が行われ
ることによっても研磨むらが発生する。その原因は、当
接する研磨パッド900と被研磨体100の少なくとも
いずれか一方が回転運動するため遠心力で飛散するから
である。そしてスラリーの供給が不十分な箇所では研磨
に伴う摩擦熱が被研磨体に熱的影響を与える。例えば被
研磨体100の被研磨面が半導体素子を有するような場
合、半導体素子の表面が熱的に改質され半導体素子の電
気的特性を劣化させるという現象が起こりうる。
【0010】従来は過剰のスラリーを供給することで上
述の研磨むらや摩擦熱による悪影響を防いでいたが、こ
れはスラリーの消費量を増やし製造コストを増大させ
る。
【0011】また被研磨体100として用いられる半導
体ウエハーは、現在その口径が6インチのものが使用さ
れているが、将来的に大口径化が進み、12インチある
いはそれ以上となる。このように大口径化する半導体ウ
エハーを被研磨体とする場合、あるいはマイクロプロセ
ッサ等の高価な高集積回路用の基板あるいは薄膜半導体
から構成されるディスプレイ用基板を被研磨体として多
数枚連続して研磨する場合,研磨むらをなくし歩留まり
を向上させることが製造コスト削減の急務である。
【0012】本発明はこのような従来技術における課題
を踏まえ、半導体基板及び半導体素子を構成する材料を
被研磨面に有する基板を研磨するCMP装置のみならず研
磨装置全般において、被研磨体に当接している研磨パッ
ドの研磨面、あるいは互いに当接した被研磨体と研磨パ
ッドとの間に供給されたスラリーの流れ等を実際の研磨
状態に近い環境で研磨中に観察することが出来る手段を
有した研磨装置及び前記研磨装置を用いた研磨方法を提
供するものである。
【0013】
【課題を解決するための手段】そこで本発明は、脱着可
能な研磨パッドを保持するための研磨ヘッドと、被研磨
体を保持するための被研磨体保持手段と、を有し、前記
研磨パッドの研磨面が前記研磨ヘッドによって前記被研
磨体の被研磨面と対向して保持され、前記研磨パッドが
前記被研磨体を研磨する研磨装置において、前記被研磨
体を介して前記研磨パッドの前記研磨面と対向するよう
に配置された対物レンズを有し、前記対物レンズを介し
て照射光を被観察部分に投光し、かつ前記被観察部分で
反射した反射光を受光する前記被観察部分の観察手段を
有することを特徴とする研磨装置を提供する。
【0014】また本発明は、研磨ヘッドに保持された脱
着可能な研磨パッドが被研磨体保持手段に保持された被
研磨体の被研磨面と当接して前記被研磨面を研磨する研
磨方法において、前記研磨中に前記研磨パッドの研磨面
に対向するように配置された対物レンズを用いて前記被
研磨体を介して照射光を被観察部分に投光し、且つ前記
被研磨体を介して前記被観察部分で反射した反射光を受
光することで前記被観察部分を観察することを特徴とす
る研磨方法を提供する。
【0015】(作用)本発明によれば、被研磨体と研磨
パッドとが互いに当接している状態で照射光を被研磨体
を介して被観察部分に照射し、被観察部分で反射した反
射光から被観察部分を観察することが出来る。また、対
物レンズが被観察部分に対向して配置されているので研
磨パッドを明瞭に観察することが出来る。また、互いに
当接する研磨パッドと被研磨体との間に供給されるスラ
リーの流れを観察することが出来る。その結果、被研磨
体を観察するのではなく研磨パッドの研磨面を研磨中に
観察することで被研磨体を高い再現性で研磨することが
できる。
【0016】
【発明の実施の形態】(実施の形態)本発明の実施の形
態が示す研磨装置は、図1に示すように透光性で略円形
の被研磨体1を被研磨面を上に向けた状態で保持する透
光性の被研磨体保持手段2と、被研磨体保持手段2に保
持された被研磨体1の研磨面上にスラリー等の液体を供
給するための液体供給手段4と、前記被研磨体1の口径
よりも小径のポリウレタンからなる研磨パッド9を被研
磨体1の被研磨面に対向するように保持し、且つ研磨パ
ッド9を被研磨体1に当接させるための上下駆動手段3
3と連結する研磨ヘッド8と、被研磨体保持手段2の裏
面から被研磨体保持手段2を介して研磨パッド9に対向
して対物レンズ21を配置した被観察部分観察系26と
光照射系27とを有することを特徴とする。
【0017】被研磨体1は、酸化シリコンから構成され
ている。また、被研磨体保持手段2も酸化シリコンから
構成されている。
【0018】被研磨体保持手段2は、第1の駆動手段3
によって回転軸5を中心に矢印Aが示す方向に回転す
る。また、第3の駆動手段10によって研磨ヘッド8は
被研磨体1上の所望の位置に水平移動する。また研磨ヘ
ッド8は、第2の駆動手段6によって回転軸7を中心に
矢印Bが示す方向に回転する。また、圧力供給手段28
が研磨工具8を所定の圧力で互いに当接している被研磨
体1と研磨パッド9に圧力を与える。
【0019】観察手段は非観察部分を観察するための手
段で、被観察部分に照射光を照射するための照射系27
と、被観察部分で反射した反射光を受光する被観察部分
観察系26と、被観察部分を観察して得られた情報、例
えば画像等を加工及び蓄積するための被観察部分処理系
32から構成される。
【0020】光照射系27は、照明レンズ19と、光フ
ァイバー18と、集光レンズ17と、白色瞬間光を発光
するキセノン(Xe)フラッシュランプ16と、発光電
源15とから構成される。発光電源15によってXeフ
ラッシュランプ16が被観察部分である研磨パッド9を
観察するための照射光を発光する。照射光は集光レンズ
17、可撓性の光ファイバー18を介し、またさらに照
明レンズ19を介して被観察部分観察系26のハーフミ
ラー20に入光し、対物レンズ21を経て研磨パッド9
に照射される。
【0021】被観察部分観察系26は、落射照明によっ
て被観察部分である研磨パッド9を観察する対物レンズ
21と、ハーフミラー20と、結像レンズ22と、撮像
素子23と、第4の駆動手段31とから構成される。被
観察部分観察系26は第4の駆動手段31によって水平
方向に移動し被観察部分の直下に移動する。ハーフミラ
ー20は、光照射系27によって照射された照射光を反
射させて対物レンズ21を介して被観察部分に照射す
る。研磨パッド9で照射された反射光は入射光と同軸で
正反射する。そして反射光は対物レンズ21とハーフミ
ラー20を経て結像レンズ22によって撮像素子23上
に結像される。撮像素子23は、2次元的に配列された
CCD、あるいはCMOSセンサー等で構成される。ま
た、対物レンズ21のワーキングディスタンス(作動距
離)を不図示のワーキングディスタンス調整手段を用い
て調整することで被観察部分の画像精度を調節すること
が出来る。また、ワーキングディスタンスを調節するこ
とで該被観察部分を一度に観察することが出来る範囲を
かえることが出来るが、これは例えば研磨パッド9の凹
部を観察することが出来るミクロな範囲、つまり数10
0マイクロメートル四方から、研磨パッドの全体を観察
することが出来るマクロな範囲、つまり数10センチメ
ートル四方の範囲まで観察することが出来ることを意味
する。そのため、本発明の研磨装置は被観察部分を選ん
で観察することが出来るので被観察部分をミクロな範
囲、つまり研磨パッド9の凹部を観察することが出来る
範囲のみならず、マクロな範囲、つまり研磨パッド9と
被研磨体1との間に供給されるスラリー8の動きを観察
することが出来る範囲にまで任意に選ぶことが出来る。
【0022】被研磨体保持手段2及び研磨ヘッド8は、
それぞれ遮光板10、11を有する。遮光板10、11
は被研磨体保持手段2及び研磨工具8が回転することで
共に回転し、該回転中にホトセンサー12、13の光セ
ンサー部位を遮光するように配置される。ホトセンサー
12、13は、それぞれトリガーボード14とそれぞれ
独立して電気的に接続している。
【0023】また、トリガーボード14は、発光光源1
5、撮像素子23のメモリアダプタ24の取り込み用の
不図示のシャッタートリガー、そして画像ボード用の不
図示の画像取り込みトリガーのそれぞれと電気的に接続
しており、遮光板10、11がホトセンサー12、13
の光センサー部を遮光する時、トリガー信号を発信させ
る。
【0024】発信したトリガー信号は、発光光源15に
おいてXeフラッシュランプ16に与える電力供給のタイ
ミングを制御し、発光光源15から電力供給されること
で発光するXeフラッシュランプ16の発光タイミングを
制御する。
【0025】また発信したトリガー信号は、撮像素子2
3のメモリアダプタ24の取り込み用の不図示のシャッ
タートリガーを介して撮像素子23が反射光を受光する
タイミングを制御する。
【0026】また発信したトリガー信号は、画像ボード
用の不図示の画像取り込みトリガーを介して撮像素子2
3が受光する反射光を像として取り込むタイミングを制
御する。
【0027】具体的には遮光板10、11がホトセンサ
ー12、13の光センサー部を遮光した瞬間に対してXe
フラッシュランプ16を発光させるタイミングと撮像素
子23によって反射光を受光するタイミングとメモリア
ダプタ24によって像を取り込むタイミングとをそれぞ
れ独立して同期させたり、あるいは数十マイクロ秒、よ
り好ましくは数マイクロ秒遅らせる。このようにするこ
とで回転している研磨パッド9の被観察部分の像を静止
画として撮像することが出来る。
【0028】また例えば撮像素子23によって反射光を
受光する時間とメモリアダプタ24によって像を取り込
む時間とを長時間に設定して回転している被観察部分を
動画として観察することが出来る。これは特に被研磨体
1と研磨パッド9との間に供給されるスラリーの流れを
観察する場合に好ましい。
【0029】また研磨方法を具体的に説明する。被研磨
体保持手段に3に保持された被研磨体1は、自転しなが
ら、自転する研磨ヘッド8に配置された研磨パッド9に
当接し研磨される。このとき互いに当接する被研磨体1
と研磨パッド9との間に液体供給手段4からスラリーが
供給される。研磨中被観察部分の回転に同期して照射系
27が白色瞬間光を照射し、撮像素子23が被観察部分
の画像情報を有した反射光を受光して電気的情報に変換
し、そして被観察部分観察系32が該被観察部分の二次
元画像を出力する。得られた二次元画像は研磨パッド9
の凹部を表す画像である。この画像から研磨パッド9の
凹部が研磨屑等によって目詰まりしていることが分かれ
ば研磨パッド9を被研磨体1から離し、研磨パッド9を
新しいものに交換して再び研磨を続ける。
【0030】本発明の実施の形態における研磨装置は、
上述したように被観察部分として研磨パッド9の研磨面
や被研磨体1と研磨パッド9との間に供給されるスラリ
ーの流れを観察することが出来る他に対物レンズ21の
ワーキングディスタンスを調節することで被研磨体1の
被研磨面も観察することが出来る。
【0031】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、研磨ヘッド8と被研磨体保持手段2はそれぞれ遮光
板10、11を有しているが、本発明は、回転する被観
察部分の周期を遮光板がホトセンサーに伝えることが出
来ればよいので例えば遮光板を研磨ヘッド8と被研磨体
保持手段2のいずれか一方のみに設けてもよい。例えば
被観察部分として研磨パッド9を観察する場合は、遮光
板は少なくとも研磨ヘッド8に設けられていればよい。
また、被観察部分として被研磨体1の被研磨面を観察す
る場合は、遮光板は少なくとも被研磨体保持手段2に設
けられていればよい。
【0032】また本発明の実施の形態における研磨装置
の被観察部分観察系26は、対物レンズ21が被観察部
分と対向して配置されているため、その結果明視野照明
の形態として被観察部分を観察することができるほかに
特に小さな被観察部分を観察する場合には、不図示の絞
りを設けて対物レンズ21が照射光を斜め方向から被観
察部分へ投光し、且つ反射光を被観察部分の直上で受光
する暗視野照明の形態として被観察部分を観察すること
もできる。
【0033】また本発明の実施の形態における研磨装置
の被観察部分観察系26の構成は、実施の形態で表した
形態の他にハーフミラーを介さず、照射光を斜入射で照
射し、散乱した反射光が被観察部分に対向して配置され
た対物レンズ21を経て結像レンズ22によって撮像素
子23上に結像する構成でもよい。
【0034】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、照射する光として白色光を用いるが、本発明はその
他に赤外光或いは単波長レーザー等を用いてもよい。本
発明において白色光以外の光を照射光として用いる場
合、研磨パッド9に対しては反射率が高く、また被研磨
体1による吸収率が低い光を選択することが必要であ
る。例えば被研磨体1が半導体シリコンウエハーである
場合、シリコン単結晶が光学的に高い透過性能を示す
1.3マイクロメートル以上の長波長光、例えば赤外光
を照射光として用いることが好ましい。また被研磨体保
持手段2は、被研磨体1と光学的に同一物質であること
が好ましい。
【0035】また、本発明の実施の形態における研磨装
置が研磨する被研磨体1の具体例としては、上述した酸
化シリコン基板やシリコンウエハ等以外に例えばボロン
やリンを含有する酸化シリコン基板(BPSG、PSG
等)や酸化アルミニウム(Al2O3等)等の透光性絶縁膜
を表面に有した基板やSOI等のような半導体素子を構
成する材料を表面に有した基板を挙げることが出来る。
【0036】また、本発明の実施の形態における研磨装
置が用いる研磨パッド9の材料はポリウレタンである
が、該ポリウレタンは発泡ポリウレタンや多孔質ウレタ
ン或いは高密度且つ高剛性ポリウレタンであってもよ
い。また本発明の研磨装置に用いられる研磨パッド9の
材質は、ポリウレタンの他に例えばテフロン等でもよ
い。また研磨パッド厚さは数ミリメートル程度からフィ
ルム程度の薄膜でもよい。
【0037】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、実施の形態に記載したような被研磨体保持手段2が
下側で研磨工具8が上側に配置される形態のほかに、被
研磨体保持手段2が上側で研磨工具8が下側に配置され
る形態でもよい。この場合、被観察部分を観察する対物
レンズ21及び被観察部分観察系26は、被研磨体1の
上方から被研磨体1を介して被観察部分を観察する。
【0038】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、実施の形態に記載したような被研磨体保持手段2が
被研磨体1の全面を保持する形態のほかに、被研磨体1
の一部のみを支える形態でもよい。このばあい、被研磨
体保持手段2と接触している部分以外から被観察部分を
被研磨体保持手段2を介さず被研磨体1のみを介して観
察することが出来る。
【0039】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、実施の形態に記載したように被研磨体1の直径より
も小さな直径を有する研磨ヘッド8を用いる形態のほか
に、被研磨体1の直径と同径の直径を有する研磨ヘッド
8を用いる形態でもよい。あるいはまた、被研磨体1の
直径よりも大きな直径を有する研磨ヘッド8を用いる形
態も好ましい。なおより好ましい被研磨体1の直径と研
磨ヘッド8の直径の関係は、研磨ヘッド8の直径が被研
磨体1の直径と同径以上2倍未満の間である。
【0040】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、実施の形態に記載したように被研磨体保持手段2及
び研磨ヘッド8はそれぞれ研磨中に独立して自転する
が、例えば被研磨体保持手段2を自転させず、研磨ヘッ
ド8のみを回転させるような被研磨体保持手段2と研磨
ヘッド8のうち少なくともいずれか一方が自転する形態
でもよい。
【0041】また本発明の実施の形態における研磨装置
は、実施の形態に記載したように被研磨体保持手段2及
び研磨ヘッド8がそれぞれ独立して自転する形態のほか
に、被研磨体保持手段2及び研磨ヘッド8の少なくとも
いずれか一方が自転に加えて不図示の駆動手段によって
公転してもよい。
【0042】また本発明の実施の形態における研磨装置
の被研磨体保持手段2及び研磨ヘッド8の回転数及び回
転方向は、それぞれ個別に設定することができるが、こ
のとき各回転数は数rpmから数千rpmの範囲で同回転数で
あることがより好ましい。なお各回転方向は逆向きでも
よい。
【0043】また、本発明の実施の形態における研磨装
置の被研磨体保持手段2と研磨ヘッド8は、少なくとも
いずれか一方が不図示の駆動手段によって水平方向へ揺
動運動することも好ましい。
【0044】また本発明で使用される液体として挙げた
スラリーは、例えばシリカ(SiO2等)、酸化アルミニウ
ム(Al2O3等)、酸化マンガン(MnO2等)、酸化セリウ
ム(CeO等)等の微粒子を水酸化ナトリウム(NaOH)、水
酸化カリウム(KOH)、過酸化水素(H2O2)等を含む液体に
分散させたものを指す。例えば被研磨体1の構成元素が
SiならばSiO2、CeO等の微粒子を分散させたスラリー、
また被研磨対象物の構成元素がAl、Cu、W等の金属であ
ればAl2O3 、MnO2等の微粒子を分散させたスラリーを用
いることがより好ましい。また、微粒子の粒径はおよそ
8nm〜50nmで粒度分布が比較的そろっていること
が好ましい。
【0045】また本発明で使用される液体のその他の具
体例として微粒子を含まない水酸化ナトリウム(NaOH)水
溶液、或いは水酸化カリウム(KOH)水溶液やイソプロピ
ルアルコール等の有機物ないし、前記有機物を含有する
混合水溶液、或いは純水も好ましい。また、被研磨体1
がガラスである場合水酸化カリウム(KOH)水溶液や純水
が特に好ましい。
【0046】図2は本発明の第1の実施の形態の別の形
態の研磨装置である。図2に示す研磨装置は、対物レン
ズ21を被研磨体保持手段2に設けられた凹部34の中
に配置している。このような形態にすることで対物レン
ズ21は被研磨面に接近するので、被観察部分をより明
瞭に観察することが出来る。
【0047】また前記凹部34を図2の回転軸7を中心
に同心円状に設けて対物レンズ21を前記凹部34の中
に配置してもよく、この場合、被研磨体保持手段2を回
転させながら被観察部分を観察することが出来る。
【0048】また本発明の実施の形態は、図2に示すよ
うに研磨パッド9を介して研磨ヘッド8に設けた小孔3
5から液体供給手段がスラリーを互いに当接する被研磨
体1と研磨パッド9との間に供給することが出来る形態
でもよい。この場合、例えば被研磨体保持手段2を回転
させず、研磨ヘッド8のみを回転させることでスラリー
が互いに当接する被研磨体1と研磨パッド9との間で流
れる様子を観察することが出来る。
【0049】また本発明の研磨装置は、図2に示すよう
にハードディスクを備えたパソコンを有し、得られた多
数の被観察部分の画像を保存したりあるいは加工するこ
とで被観察部分を分析するための情報を得ることが出来
る。
【0050】また本発明は実施の形態で用いたハーフミ
ラー20の代わりにダイクロイックミラーを代用するこ
とも好ましい。ダイクロイックミラーは、反射光のなか
で特定の波長を選択的に受光素子へ透過させることが出
来る。その結果、被観察部分の像の情報を有した反射光
が優先的に撮像素子23上で結像されるのでより鮮明な
被観察部分の像を得ることが出来る。
【0051】上述したように本発明の研磨装置を用いて
被観察部分を明瞭に観察することが出来るが、被観察部
分を更に明瞭に観察したい場合、入射光に対して特定の
励起波長を発する光増感剤をスラリーに含有させ被観察
部分をより鮮明に観察することもできる。以下にスラリ
ーに光増感剤である蛍光物質を添加して被観察部分、と
くに互いに当接する被研磨体1と研磨パッド9との間に
供給されたスラリーの流れを観察する実施例を述べる。
【0052】(実施例)本発明の実施例は、本発明の実
施の形態に示した研磨装置を用い、光増感剤として蛍光
物質を添加したスラリーを互いに当接する被研磨体1と
研磨パッド9との間に供給し、被観察部分観察系26が
被研磨体を介して当接する被研磨体1と研磨パッド9と
の間のスラリーの流れを観察する例である。
【0053】図3は、本発明の実施の形態に示した研磨
装置の液体供給手段4に蛍光物質をスラリーに供給する
ための供給手段29を付加した研磨装置を上方から模式
的に表した図である。蛍光物質としてはローダミンBを
用いる。ローダミンBは液体供給手段4に連通している
供給手段29によってスラリーに添加され、スラリーと
混合されて互いに当接する被研磨体1と被研磨パッド9
との間に供給される。
【0054】また、供給手段29は、不図示の制御手段
によって所望の量の蛍光剤を所望のタイミングと所望の
時間供給するためにを有する。
【0055】被研磨保持手段1と研磨ヘッド8とを図3
に示すようにそれぞれ矢印A,Bが示す方向に共に回転
数が193rpmになるように回転させる。遮光板10、
11がホトセンサー12、13の光センサー部を遮光し
たときトリガー信号を発生させ、このときXeフラッシ
ュランプ16が同期して発光する。同様に撮像素子23
のメモリアダプターの取り込みも画像ボード用の画像取
り込みも同期し、被観察部分が表示装置25上に表示さ
れる。このとき観察された被観察部分の領域は、縦46
0μm、横614μmの領域である。
【0056】互いに当接する被研磨体1と研磨パッド9
との間に研磨開始後10秒後に1mlあたりおよそ0.
001gのローダミンBを含むスラリーを2秒程度供給
する。そして更に30秒後に同様に蛍光剤を注入する動
作を繰り返す。
【0057】図4は、断続的に蛍光剤の注入を繰り返し
ながら被観察部分の輝度合計を示した図である。この図
から蛍光剤供給後数秒で輝度合計が増加し、被観察部分
においてスラリーが新たに流れていることが分かる。
【0058】なお本実施例に用いた光増感剤は、蛍光物
質であるローダミンBであるが、その他ブリリアントブ
ルーでもよいし、或いは燐光物質等でもよい
【0059】
【発明の効果】本発明によれば、被研磨体と研磨パッド
とが互いに当接している状態で照射光を被研磨体を介し
て被観察部分に照射し、被観察部分で反射した反射光か
ら被観察部分を観察することが出来る。また、対物レン
ズが被観察部分に対向して配置されているので研磨パッ
ドを明瞭に観察することが出来る。また、互いに当接す
る研磨パッドと被研磨体との間に供給されるスラリーの
流れを観察することが出来る。よって研磨中に研磨パッ
ドを交換する最適なタイミングを知ることが出来る。そ
の結果、被研磨体を観察するのではなく研磨パッドの研
磨面を研磨中に観察することで被研磨体を高い再現性で
研磨することができる。そしてその結果複数の被研磨体
を高いスループットで、また高い歩留まりで研磨するこ
とが出来る。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1の実施の形態における研磨装置を
側面から表した模式図である。
【図2】本発明の第1の実施の形態における別の研磨装
置を側面から表した模式図である。
【図3】本発明の実施例における液体供給手段を有した
研磨装置を上方から表した模式図である。
【図4】本発明の実施例における被観察部分の輝度合計
を経過時間に対して表したグラフである。
【図5】従来の研磨装置の1形態を側面から表した模式
図である。
【図6】従来の研磨装置の別の形態を側面から表した模
式図である。
【符号の説明】
1、100 被研磨体 2、200 被研磨体保持手段 3、300 第1の駆動手段 4、400 液体供給手段 5、7 回転軸 6 第2の駆動手段 8、800 研磨ヘッド 9、900 研磨パッド 10、11 遮光板 12、13 ホトセンサー 14 トリガーボード 15 発光電源 16 Xeフラッシュランプ 17 集光レンズ 18 光ファイバー 19 照明レンズ 20 ハーフミラー 21 対物レンズ 22 結像レンズ 23 撮像素子 24 メモリアダプタ 25 表示装置 26 被観察部分観察系 27 照射系 28 圧力供給手段 29 供給手段 30 第3の駆動手段 31 第4の駆動手段 32 被観察部分処理系 33 上下駆動手段 34 凹部 35、350 小孔
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 杉山 易 東京都大田区下丸子3丁目30番2号キヤノ ン株式会社内

Claims (38)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 脱着可能な研磨パッドを保持するための
    研磨ヘッドと、被研磨体を保持するための被研磨体保持
    手段と、を有し、前記研磨パッドの研磨面が前記研磨ヘ
    ッドによって前記被研磨体の被研磨面と対向して保持さ
    れ、前記研磨パッドが前記被研磨体を研磨する研磨装置
    において、前記被研磨体を介して前記研磨パッドの前記
    研磨面と対向するように配置された対物レンズを有し、
    前記対物レンズを介して照射光を被観察部分に投光し、
    かつ前記被観察部分で反射した反射光を受光する前記被
    観察部分の観察手段を有することを特徴とする研磨装
    置。
  2. 【請求項2】 前記被観察部分は前記研磨パッドの前記
    研磨面であることを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  3. 【請求項3】 前記研磨パッドと前記被研磨体の前記被
    研磨面との間に液体を供給する手段を有することを特徴
    とする請求項1記載の研磨装置。
  4. 【請求項4】 前記被観察部分は互いに当接する前記研
    磨パッドと前記被研磨体との間に供給される前記液体で
    あることを特徴とする請求項3記載の研磨装置。
  5. 【請求項5】 前記被観察部分は前記被研磨体の前記被
    研磨面であることを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  6. 【請求項6】 前記照射光として瞬間光を照射する照射
    系を有することを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  7. 【請求項7】 前記照射光は白色光乃至単波長のいずれ
    か一方であることを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  8. 【請求項8】 前記照射光は赤外光であることを特徴と
    する請求項1記載の研磨装置。
  9. 【請求項9】 前記被観察部分の回転に同期して前記照
    射光を照射することを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  10. 【請求項10】 前記被観察部分を画像として撮像する
    撮像手段を有することを特徴とする請求項1記載の研磨
    装置。
  11. 【請求項11】 前記画像は回転している前記被観察部
    分の静止画像であることを特徴とする請求項10記載の
    研磨装置。
  12. 【請求項12】 前記画像は回転している前記被観察部
    分の動画像であることを特徴とする請求項10記載の研
    磨装置。
  13. 【請求項13】 前記研磨ヘッドの直径は前記被研磨体
    の直径より小さいことを特徴とする請求項1記載の研磨
    装置。
  14. 【請求項14】 前記研磨ヘッドは、前記研磨パッドの
    研磨面を下に向けて保持することを特徴とする請求項1
    記載の研磨装置。
  15. 【請求項15】 前記被研磨体保持手段は、前記被研磨
    体の前記被研磨面を上向きにした状態で保持することを
    特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  16. 【請求項16】 前記被研磨体保持手段乃至前記研磨ヘ
    ッドの少なくとも1つを自転させる駆動手段を有するこ
    とを特徴とする請求項1記載の研磨装置。
  17. 【請求項17】 前記被研磨体保持手段は前記被研磨体
    と光学的に同一の部材であることを特徴とする請求項1
    記載の研磨装置。
  18. 【請求項18】 前記被研磨体保持手段の前記部材は酸
    化シリコンであることを特徴とする請求項17記載の研
    磨装置。
  19. 【請求項19】 前記対物レンズを前記被研磨体の前記
    被観察部分に近づけるための凹部を前記被研磨体保持手
    段に設けていることを特徴とする請求項1記載の研磨装
    置。
  20. 【請求項20】 研磨ヘッドに保持された脱着可能な研
    磨パッドが被研磨体保持手段に保持された被研磨体の被
    研磨面と当接して前記被研磨面を研磨する研磨方法にお
    いて、前記研磨中に前記研磨パッドの研磨面に対向する
    ように配置された対物レンズを用いて前記被研磨体を介
    して照射光を被観察部分に投光し、且つ前記被研磨体を
    介して前記被観察部分で反射した反射光を受光すること
    で前記被観察部分を観察することを特徴とする研磨方
    法。
  21. 【請求項21】 前記被観察部分は前記研磨パッドの前
    記研磨面であることを特徴とする請求項20記載の研磨
    方法。
  22. 【請求項22】 前記被観察部分は前記研磨パッドと前
    記被研磨体との間に供給された液体であることを特徴と
    する請求項20記載の研磨方法。
  23. 【請求項23】 前記被観察部分は前記被研磨体の前記
    被研磨面であることを特徴とする請求項20記載の研磨
    方法。
  24. 【請求項24】 前記被観察部分に照射する前記照射光
    は瞬間光であることを特徴とする請求項20記載の研磨
    方法。
  25. 【請求項25】 前記被観察部分に照射する前記照射光
    は白色光乃至単波長光のいずれかであることを特徴とす
    る請求項20記載の研磨方法。
  26. 【請求項26】 前記被観察部分に照射する前記照射光
    は赤外光であることを特徴とする請求項20記載の研磨
    方法。
  27. 【請求項27】 前記被観察部分の回転に同期して前記
    照射光を照射することを特徴とする請求項20記載の研
    磨方法。
  28. 【請求項28】 回転している前記被観察部分を静止画
    として撮像することを特徴とする請求項20記載の研磨
    方法。
  29. 【請求項29】 回転している前記被観察部分を動画と
    して撮像することを特徴とする請求項20記載の研磨方
    法。
  30. 【請求項30】 前記研磨ヘッドの面の直径は前記被研
    磨体の直径より小さいことを特徴とする請求項20記載
    の研磨方法。
  31. 【請求項31】 前記被研磨体保持手段乃至前記研磨パ
    ッドの少なくとも1つを自転させることを特徴とする請
    求項20記載の研磨方法。
  32. 【請求項32】 前記被研磨体保持手段は前記被研磨体
    と光学的に同一の部材であることを特徴とする請求項2
    0記載の研磨方法。
  33. 【請求項33】 前記被研磨体保持手段の前記部材は酸
    化シリコンであることを特徴とする請求項32記載の研
    磨方法。
  34. 【請求項34】 前記液体はアルカリ性水溶液、酸性水
    溶液、有機溶媒、純水の少なくともいずれか1つである
    ことを特徴とする請求項22記載の研磨方法。
  35. 【請求項35】 前記液体は酸化シリコン、酸化アルミ
    ニウム、酸化マンガン、酸化セリウム、酸化イットリウ
    ム、酸化モリブデン、酸化カルシウム、酸化マグネシウ
    ム、酸化錫のうち少なくとも1種の微粒子が分散してい
    ることを特徴とする請求項22記載の研磨方法。
  36. 【請求項36】 前記液体は光増感剤を含有することを
    特徴とする請求項22記載の研磨方法。
  37. 【請求項37】 前記光増感剤は蛍光物質であることを
    特徴とする請求項36記載の研磨方法。
  38. 【請求項38】 前記光増感剤は燐光物質であることを
    特徴とする請求項36記載の研磨方法。
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