JPH11150292A - 受発光素子 - Google Patents
受発光素子Info
- Publication number
- JPH11150292A JPH11150292A JP31877897A JP31877897A JPH11150292A JP H11150292 A JPH11150292 A JP H11150292A JP 31877897 A JP31877897 A JP 31877897A JP 31877897 A JP31877897 A JP 31877897A JP H11150292 A JPH11150292 A JP H11150292A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- light
- receiving
- emitting element
- receiving element
- light emitting
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型の受発光素子を提供することを課題とす
る。 【解決手段】 受光素子2と発光素子3を平面的な重な
りを持って配置した受発光素子1であって、発光素子3
の周囲を受光素子2の受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2を配置した。また、受光領域の中央にカ
ップ状のくぼみを形成し、このくぼみの中に発光素子を
配置することもできるし、受光領域の中央に上下に貫通
したカップ状の貫通孔を形成し、この貫通孔の中に発光
素子を配置することもできる。
る。 【解決手段】 受光素子2と発光素子3を平面的な重な
りを持って配置した受発光素子1であって、発光素子3
の周囲を受光素子2の受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2を配置した。また、受光領域の中央にカ
ップ状のくぼみを形成し、このくぼみの中に発光素子を
配置することもできるし、受光領域の中央に上下に貫通
したカップ状の貫通孔を形成し、この貫通孔の中に発光
素子を配置することもできる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、データ通信に適し
た受発光素子に関する。
た受発光素子に関する。
【0002】
【従来の技術】近年、IrDA(Infrared Data Asocia
tion)規格等に代表される光(赤外線)データ通信が、
各種の機器において採用されている。そして、このよう
な光データ通信を行うための受発光素子は、適用機器の
小型化に伴って、より一層の小型化が求められている。
tion)規格等に代表される光(赤外線)データ通信が、
各種の機器において採用されている。そして、このよう
な光データ通信を行うための受発光素子は、適用機器の
小型化に伴って、より一層の小型化が求められている。
【0003】従来の受発光素子は、別々のリードフレー
ムに発光素子と受光素子を載置し、それらを別々にレン
ズ付きの樹脂によってモ−ルドした構成となっていた
(例えば、実開昭54−103763号公報等)。しか
しながら、上述の構成では、発光素子と受光素子のそれ
ぞれに対応してレンズを設ける必要があるので、形状の
小型化が困難であった。
ムに発光素子と受光素子を載置し、それらを別々にレン
ズ付きの樹脂によってモ−ルドした構成となっていた
(例えば、実開昭54−103763号公報等)。しか
しながら、上述の構成では、発光素子と受光素子のそれ
ぞれに対応してレンズを設ける必要があるので、形状の
小型化が困難であった。
【0004】そこで、このような問題を考慮し、別々の
リードフレームに載置した発光素子と受光素子を1つの
レンズに対応させて樹脂モールドする構造も知られてい
る(例えば、実開昭54−11168号公報等)が、こ
のように発光素子と受光素子を別々のリードフレームに
載置する構成とすると、発光素子と受光素子の光軸に適
合させるためのレンズ設計が難しく、また、レンズの形
状も大型化するという課題が残る。
リードフレームに載置した発光素子と受光素子を1つの
レンズに対応させて樹脂モールドする構造も知られてい
る(例えば、実開昭54−11168号公報等)が、こ
のように発光素子と受光素子を別々のリードフレームに
載置する構成とすると、発光素子と受光素子の光軸に適
合させるためのレンズ設計が難しく、また、レンズの形
状も大型化するという課題が残る。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】そこで、本発明は、上
記の点を考慮し、小型の受発光素子を提供することを課
題の1つとする。また、受発光素子の構造の簡素化を図
ることを課題の1つとする。また、受発光素子の発光効
率の向上を図ることを課題の1つとする。
記の点を考慮し、小型の受発光素子を提供することを課
題の1つとする。また、受発光素子の構造の簡素化を図
ることを課題の1つとする。また、受発光素子の発光効
率の向上を図ることを課題の1つとする。
【0006】
【課題を解決するための手段】本発明の受発光素子は、
受光素子と発光素子を平面的な重なりを持って配置した
受発光素子であって、前記発光素子の周囲を前記受光素
子の受光領域が囲むように前記発光素子と前記受光素子
を配置したことを特徴とする。
受光素子と発光素子を平面的な重なりを持って配置した
受発光素子であって、前記発光素子の周囲を前記受光素
子の受光領域が囲むように前記発光素子と前記受光素子
を配置したことを特徴とする。
【0007】本発明の受発光素子は、受光素子と発光素
子を平面的な重なりを持って配置した受発光素子であっ
て、前記受光素子の受光領域の中央にカップ状のくぼみ
を形成し、このくぼみの中に前記発光素子を配置したこ
とを特徴とする。
子を平面的な重なりを持って配置した受発光素子であっ
て、前記受光素子の受光領域の中央にカップ状のくぼみ
を形成し、このくぼみの中に前記発光素子を配置したこ
とを特徴とする。
【0008】本発明の受発光素子は、受光素子と発光素
子を平面的な重なりを持って配置した受発光素子であっ
て、前記受光素子の受光領域の中央に上下に貫通したカ
ップ状の貫通孔を形成し、この貫通孔の中に前記発光素
子を配置したことを特徴とする。
子を平面的な重なりを持って配置した受発光素子であっ
て、前記受光素子の受光領域の中央に上下に貫通したカ
ップ状の貫通孔を形成し、この貫通孔の中に前記発光素
子を配置したことを特徴とする。
【0009】また、前記カップ状のくぼみあるいは貫通
孔の側面に反射領域を形成してもよいし、前記受光素子
と発光素子をレンズ付きの透光性樹脂によってモ−ルド
してもよい。
孔の側面に反射領域を形成してもよいし、前記受光素子
と発光素子をレンズ付きの透光性樹脂によってモ−ルド
してもよい。
【0010】そしてまた、本発明の受発光素子は、受光
素子と発光素子をレンズ付きの透光性樹脂によってモ−
ルドした受発光素子において、前記受光素子は、その中
央に前記発光素子を配置するための領域を設け、この配
置領域を囲むように受光領域を形成するとともに、前記
配置領域が前記レンズの光軸とほぼ一致するように配置
したことを特徴とする。
素子と発光素子をレンズ付きの透光性樹脂によってモ−
ルドした受発光素子において、前記受光素子は、その中
央に前記発光素子を配置するための領域を設け、この配
置領域を囲むように受光領域を形成するとともに、前記
配置領域が前記レンズの光軸とほぼ一致するように配置
したことを特徴とする。
【0011】
【発明の実施の形態】以下本発明の実施例を図面を参照
して説明する。まず、本発明の受発光素子の第1の実施
例を図1を参照して説明する。図1(a)は受発光素子
の平面図、同図(b)は、そのI−I断面図である。
して説明する。まず、本発明の受発光素子の第1の実施
例を図1を参照して説明する。図1(a)は受発光素子
の平面図、同図(b)は、そのI−I断面図である。
【0012】この受発光素子1は、受光素子2aと発光
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2aの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2aを配置したことを基本構成としてい
る。
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2aの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2aを配置したことを基本構成としてい
る。
【0013】受光素子2aは、フォトダイオード、フォ
トトランジスタ等によって構成することができ、ここで
は、シリコン(N-型Si)を主材料とし、図1(b)
に断面図を示すように、P層5とN層6の間にI層7を
介在したPINフォトダイオードによって構成した例を
示している。
トトランジスタ等によって構成することができ、ここで
は、シリコン(N-型Si)を主材料とし、図1(b)
に断面図を示すように、P層5とN層6の間にI層7を
介在したPINフォトダイオードによって構成した例を
示している。
【0014】受光素子2aは、PN層形成後のシリコン
材料の表面に、窒化シリコン、酸化シリコン等の透明で
絶縁性の保護膜8を形成し、受光信号を取り出すための
電極9を、この保護膜8に形成した孔を介して前記P層
5に接続して配置しており、シリコン材料の裏面には、
裏面電極10をN層6に接続して配置している。この受
光素子2aの平面形状は、一辺が約2.5mmの四角形
状を成している。
材料の表面に、窒化シリコン、酸化シリコン等の透明で
絶縁性の保護膜8を形成し、受光信号を取り出すための
電極9を、この保護膜8に形成した孔を介して前記P層
5に接続して配置しており、シリコン材料の裏面には、
裏面電極10をN層6に接続して配置している。この受
光素子2aの平面形状は、一辺が約2.5mmの四角形
状を成している。
【0015】受光素子2aの表面には、前記保護膜8の
上に位置させて金、アルミニウム等の光反射性のよい導
電性材料からなるパターン11を形成している。このパ
ターン11は、前記発光素子3に対する配線を構成する
もので、発光素子3を配置するための発光素子配置領域
12と、この配置領域12から延出したワイヤボンド領
域を13備えている。
上に位置させて金、アルミニウム等の光反射性のよい導
電性材料からなるパターン11を形成している。このパ
ターン11は、前記発光素子3に対する配線を構成する
もので、発光素子3を配置するための発光素子配置領域
12と、この配置領域12から延出したワイヤボンド領
域を13備えている。
【0016】配置領域12は、発光素子3と受光素子2
aの中心(光軸)をほぼ一致させるために、受光素子2
aの受光領域4の中央部に配置している。受光領域4と
なるP層5は、受光素子2aの表面のほぼ全面に形成す
ることもできるが、パターン11が光を遮断するので、
この例では、パターン11直下を除く受光素子2aの表
面のほぼ全面に形成している。このように、受光領域4
が受光素子2aのほぼ全面にわたって形成されているの
で、配置領域12は、受光素子2aの表面中央に位置す
ることになる。そしてまた、配置領域12は、発光素子
3の面積よりも若干広く形成し、その面積が受光素子2
a表面(受光領域4)の面積よりも十分に小さくなるよ
うに設定しているので、その周囲に受光素子2aの受光
領域4を広く確保することができる。
aの中心(光軸)をほぼ一致させるために、受光素子2
aの受光領域4の中央部に配置している。受光領域4と
なるP層5は、受光素子2aの表面のほぼ全面に形成す
ることもできるが、パターン11が光を遮断するので、
この例では、パターン11直下を除く受光素子2aの表
面のほぼ全面に形成している。このように、受光領域4
が受光素子2aのほぼ全面にわたって形成されているの
で、配置領域12は、受光素子2aの表面中央に位置す
ることになる。そしてまた、配置領域12は、発光素子
3の面積よりも若干広く形成し、その面積が受光素子2
a表面(受光領域4)の面積よりも十分に小さくなるよ
うに設定しているので、その周囲に受光素子2aの受光
領域4を広く確保することができる。
【0017】尚、受光素子2aは、PINフォトダイオ
ードを用いているが、これに限定されるものではなく、
PNフォトダイオードなど他の構造を備える受光素子を
用いてもよい。
ードを用いているが、これに限定されるものではなく、
PNフォトダイオードなど他の構造を備える受光素子を
用いてもよい。
【0018】発光素子3は、発光LEDチップを用いる
ことができ、ここでは、赤外線通信を行うために、ガリ
ウムアルミヒ素(GaAlAs)を主材料とした赤外LEDチ
ップを用いて構成した例を示している。この発光素子3
の平面形状は、受光素子2a表面(受光領域4)よりも
十分に小さく、一辺が約0.3mmの四角形状を成して
いる。
ことができ、ここでは、赤外線通信を行うために、ガリ
ウムアルミヒ素(GaAlAs)を主材料とした赤外LEDチ
ップを用いて構成した例を示している。この発光素子3
の平面形状は、受光素子2a表面(受光領域4)よりも
十分に小さく、一辺が約0.3mmの四角形状を成して
いる。
【0019】そして、発光素子3を配置領域12の上に
配置し、導電性接着剤によって固定することによって、
発光素子3の周囲を受光素子2aの受光領域4が囲む状
態で、受光素子2aと発光素子3を積層配置することが
できる。
配置し、導電性接着剤によって固定することによって、
発光素子3の周囲を受光素子2aの受光領域4が囲む状
態で、受光素子2aと発光素子3を積層配置することが
できる。
【0020】このような受発光素子1は、その応用例と
して、例えば、図4に示すような樹脂封止型の受発光素
子20を構成する上で有用となる。すなわち、リードフ
レーム21の所定位置に受光素子2として受光素子2a
を配置し、これに発光素子3を、図1に示すような状態
で積層配置し、ワイヤボンド接続を行った後、図4に示
すように、受光素子2と発光素子3共通のレンズ22の
光軸23が、この積層体近傍、特に発光素子3の近傍を
通過するように、透光性樹脂24をモ−ルドすることに
よって、図1に示す受発光素子1を、図4に示すような
樹脂封止型の受発光素子20に応用することが可能とな
る。
して、例えば、図4に示すような樹脂封止型の受発光素
子20を構成する上で有用となる。すなわち、リードフ
レーム21の所定位置に受光素子2として受光素子2a
を配置し、これに発光素子3を、図1に示すような状態
で積層配置し、ワイヤボンド接続を行った後、図4に示
すように、受光素子2と発光素子3共通のレンズ22の
光軸23が、この積層体近傍、特に発光素子3の近傍を
通過するように、透光性樹脂24をモ−ルドすることに
よって、図1に示す受発光素子1を、図4に示すような
樹脂封止型の受発光素子20に応用することが可能とな
る。
【0021】そして、第1実施例の受発光素子1を応用
した樹脂封止型の受発光素子20によれば、発光素子3
から出射する光を共通レンズ22によって効率よく集光
して外部に出射することができ、発光素子3から出射す
る光のロスを少なくすることができる。そしてまた、外
部から与えられる光は、共通レンズ22によって効率よ
く集光して受光素子2の受光領域4に入射させることが
できる。ここで、外部の光源が、共通レンズ22の光軸
23上に正確に位置することは少ないので、レンズ22
を介して入る光が発光素子配置領域12によって遮られ
る割合は比較的少ない。また、発光素子配置領域12を
外れた入射光は、その周囲の受光領域4に入射すること
になる。
した樹脂封止型の受発光素子20によれば、発光素子3
から出射する光を共通レンズ22によって効率よく集光
して外部に出射することができ、発光素子3から出射す
る光のロスを少なくすることができる。そしてまた、外
部から与えられる光は、共通レンズ22によって効率よ
く集光して受光素子2の受光領域4に入射させることが
できる。ここで、外部の光源が、共通レンズ22の光軸
23上に正確に位置することは少ないので、レンズ22
を介して入る光が発光素子配置領域12によって遮られ
る割合は比較的少ない。また、発光素子配置領域12を
外れた入射光は、その周囲の受光領域4に入射すること
になる。
【0022】このように、発光素子3の周囲を受光素子
2の受光領域4が囲むようにしたことにより、受光素子
2と発光素子3の光軸を揃えることが容易になり、共通
レンズ22の設計も容易になる。
2の受光領域4が囲むようにしたことにより、受光素子
2と発光素子3の光軸を揃えることが容易になり、共通
レンズ22の設計も容易になる。
【0023】次に、本発明の受発光素子1の第2の実施
例を図2を参照して説明する。図2(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのII−II断面図である。
例を図2を参照して説明する。図2(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのII−II断面図である。
【0024】この受発光素子1も、受光素子2bと発光
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2bの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2bを配置したことを基本構成としてい
る。
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2bの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2bを配置したことを基本構成としてい
る。
【0025】ここで、第2実施例は、図1に示した第1
実施例と基本的な構造は同じであり、配置領域12の構
造が相違するので、基本構成が同じ個所には図1の符号
と同一符号を示し、その相違点を中心に説明する。
実施例と基本的な構造は同じであり、配置領域12の構
造が相違するので、基本構成が同じ個所には図1の符号
と同一符号を示し、その相違点を中心に説明する。
【0026】第1実施例においては、配置領域12が受
光面とほぼ同一の高さになるように形成されていたが、
この第2実施例では、配置領域14が受光面よりも低位
置になるように形成されている。すなわち、配置領域1
4を形成するために、シリコン材料にカップ状(逆円錐
台形状)のくぼみ15を形成し、このくぼみ15の底面
に発光素子3を配置するようにしている。導電材料製の
パターン11は、くぼみ15の底面のみならず、側面に
も環状に形成している。くぼみ15底面のパターンは、
素子配置領域14として機能し、くぼみ15側面の環状
パターンは、発光素子3の光を上向きに反射する反射領
域16として機能する。このように、素子配置領域14
を受光面よりも低位置のくぼみ15内に形成したことに
より、くぼみ15の側面のパターン11を環状の反射材
として有効に利用して発光素子3の光取り出し効率を高
めることができる。
光面とほぼ同一の高さになるように形成されていたが、
この第2実施例では、配置領域14が受光面よりも低位
置になるように形成されている。すなわち、配置領域1
4を形成するために、シリコン材料にカップ状(逆円錐
台形状)のくぼみ15を形成し、このくぼみ15の底面
に発光素子3を配置するようにしている。導電材料製の
パターン11は、くぼみ15の底面のみならず、側面に
も環状に形成している。くぼみ15底面のパターンは、
素子配置領域14として機能し、くぼみ15側面の環状
パターンは、発光素子3の光を上向きに反射する反射領
域16として機能する。このように、素子配置領域14
を受光面よりも低位置のくぼみ15内に形成したことに
より、くぼみ15の側面のパターン11を環状の反射材
として有効に利用して発光素子3の光取り出し効率を高
めることができる。
【0027】次に、本発明の受発光素子1の第3の実施
例を図3を参照して説明する。図3(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのIII−III断面図であ
る。
例を図3を参照して説明する。図3(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのIII−III断面図であ
る。
【0028】この受発光素子1も、受光素子2cと発光
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2cの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2cを配置したことを基本構成としてい
る。
素子3を平面的な重なりを持って配置し、発光素子3の
周囲を受光素子2cの受光領域4が囲むように発光素子
3と受光素子2cを配置したことを基本構成としてい
る。
【0029】ここで、第3実施例は、図1,2に示した
第1,2実施例と基本的な構造は同じであり、配置領域
17の構造が相違するので、基本構成が同じ個所には図
1,2の符号と同一符号を示し、その相違点を中心に説
明する。
第1,2実施例と基本的な構造は同じであり、配置領域
17の構造が相違するので、基本構成が同じ個所には図
1,2の符号と同一符号を示し、その相違点を中心に説
明する。
【0030】第1,2の実施例においては、発光素子3
を受光素子2の上面に載置していたが、この第3の実施
例では、受光素子2cの中央に上下に貫通するカップ状
の貫通孔18を形成し、この貫通孔18の底部に配置さ
れるリードフレーム21の上に発光素子3を載置するこ
とができるようにした点で第1,第2実施例と基本的に
相違する。この貫通孔18によって発光素子3の配置領
域17を確保し、発光素子3の配置はリードフレーム2
1を利用して行なわれる。発光素子3の配線としてリー
ドフレーム21を利用可能とすることによって、第1,
第2実施例のような受光領域4を横切る配線パターン1
1を設ける必要がなくなる。そのため、第1,第2実施
例に比べて、受光領域4を広く確保することができる。
尚、貫通孔18の側面には、第2実施例と同様に、光反
射性の良いパターンを環状に形成して反射領域19形成
しておくことにより、発光素子から出射する光を効果的
に反射して光取り出し効率を高めることができる。
を受光素子2の上面に載置していたが、この第3の実施
例では、受光素子2cの中央に上下に貫通するカップ状
の貫通孔18を形成し、この貫通孔18の底部に配置さ
れるリードフレーム21の上に発光素子3を載置するこ
とができるようにした点で第1,第2実施例と基本的に
相違する。この貫通孔18によって発光素子3の配置領
域17を確保し、発光素子3の配置はリードフレーム2
1を利用して行なわれる。発光素子3の配線としてリー
ドフレーム21を利用可能とすることによって、第1,
第2実施例のような受光領域4を横切る配線パターン1
1を設ける必要がなくなる。そのため、第1,第2実施
例に比べて、受光領域4を広く確保することができる。
尚、貫通孔18の側面には、第2実施例と同様に、光反
射性の良いパターンを環状に形成して反射領域19形成
しておくことにより、発光素子から出射する光を効果的
に反射して光取り出し効率を高めることができる。
【0031】第2、第3実施例に示された受発光素子1
も、その応用例として、例えば、図4に示すような樹脂
封止型の受発光素子20を構成する上で有用となる。す
なわち、リードフレーム21の所定位置に受光素子2を
配置し、その後、発光素子3を、図2、3に示すような
状態で配置し、ワイヤボンド接続を行った後、図4に示
すように、受光素子2と発光素子3共通のレンズ22の
光軸23が、これら受光素子2と発光素子3の組合構造
近傍を通過、特に発光素子3の近傍を通過するように、
透光性樹脂24をモ−ルドすることによって、図2、3
に示す受発光素子を、図4に示すような樹脂封止型の受
発光素子20に応用することが可能となる。
も、その応用例として、例えば、図4に示すような樹脂
封止型の受発光素子20を構成する上で有用となる。す
なわち、リードフレーム21の所定位置に受光素子2を
配置し、その後、発光素子3を、図2、3に示すような
状態で配置し、ワイヤボンド接続を行った後、図4に示
すように、受光素子2と発光素子3共通のレンズ22の
光軸23が、これら受光素子2と発光素子3の組合構造
近傍を通過、特に発光素子3の近傍を通過するように、
透光性樹脂24をモ−ルドすることによって、図2、3
に示す受発光素子を、図4に示すような樹脂封止型の受
発光素子20に応用することが可能となる。
【0032】そして、第1実施例の場合と同様に、第
2、第3実施例の受発光素子1を応用した図4に示す樹
脂封止型の受発光素子20においても、発光素子3から
出射する光を共通レンズ22によって効率よく集光して
外部に出射することができ、発光素子3から出射する光
のロスを少なくすることができる。加えて、くぼみ15
や貫通孔18の側面に光反射性の良いパターンを、光軸
23を中心に環状に形成して反射領域16や19を配置
することにより、発光素子3から出射する光をより効果
的に共通レンズ22に集光することができる。そしてま
た、外部から与えられる光は、共通レンズ22によって
効率よく集光して受光素子2の受光領域4に与えること
ができる。ここで、外部の光源が、共通レンズ22の光
軸23上に正確に位置することは少ないので、レンズ2
2を介して入る光が配置領域14や17に入り込む割合
は比較的少ない。また、配置領域14や17を外れた入
射光は、その周囲の受光領域4に入射することになる。
2、第3実施例の受発光素子1を応用した図4に示す樹
脂封止型の受発光素子20においても、発光素子3から
出射する光を共通レンズ22によって効率よく集光して
外部に出射することができ、発光素子3から出射する光
のロスを少なくすることができる。加えて、くぼみ15
や貫通孔18の側面に光反射性の良いパターンを、光軸
23を中心に環状に形成して反射領域16や19を配置
することにより、発光素子3から出射する光をより効果
的に共通レンズ22に集光することができる。そしてま
た、外部から与えられる光は、共通レンズ22によって
効率よく集光して受光素子2の受光領域4に与えること
ができる。ここで、外部の光源が、共通レンズ22の光
軸23上に正確に位置することは少ないので、レンズ2
2を介して入る光が配置領域14や17に入り込む割合
は比較的少ない。また、配置領域14や17を外れた入
射光は、その周囲の受光領域4に入射することになる。
【0033】このように、発光素子3の周囲を受光素子
2の受光領域4が囲むようにしたことにより、受光素子
2と発光素子3の光軸を揃えることが容易になり、共通
レンズ22の設計も容易になる。
2の受光領域4が囲むようにしたことにより、受光素子
2と発光素子3の光軸を揃えることが容易になり、共通
レンズ22の設計も容易になる。
【0034】尚、応用実施例として図4に示す樹脂封止
型の受発光素子20を用いる場合の回路構成例を図5に
示している。この回路例において示された増幅回路3
1、バンドパスフィルター32、波形整形回路33、L
ED駆動回路34等は、信号処理回路30としてIC化
して構成することができる。この信号処理回路30を受
光素子2と一体化して形成することもでき、この場合
は、受光素子2を、図1〜3に示す受光領域4と、それ
に隣接したIC領域とを備える形状とし、このIC領域
に前記信号処理回路30を組み込んで構成し、IC内蔵
型受光素子(若しくは受光素子内蔵型IC)とすればよ
い。
型の受発光素子20を用いる場合の回路構成例を図5に
示している。この回路例において示された増幅回路3
1、バンドパスフィルター32、波形整形回路33、L
ED駆動回路34等は、信号処理回路30としてIC化
して構成することができる。この信号処理回路30を受
光素子2と一体化して形成することもでき、この場合
は、受光素子2を、図1〜3に示す受光領域4と、それ
に隣接したIC領域とを備える形状とし、このIC領域
に前記信号処理回路30を組み込んで構成し、IC内蔵
型受光素子(若しくは受光素子内蔵型IC)とすればよ
い。
【0035】受光素子2と信号処理回路30を別々に構
成する場合は、図4にICとして示すように、リードフ
レーム21の適所にIC化した信号処理回路30を配置
固定し、受光素子2や発光素子3とともに透光性樹脂2
4によってモールドすることができる。
成する場合は、図4にICとして示すように、リードフ
レーム21の適所にIC化した信号処理回路30を配置
固定し、受光素子2や発光素子3とともに透光性樹脂2
4によってモールドすることができる。
【0036】第1〜3実施例に示された受発光素子1を
図4に示す応用例のように構成したものをそれぞれ2組
用意し、図5に示す回路を用いてIrDA1.0規格に
対応した通信実験を行ったところ、いずれも1m以上の
距離においてデータ通信を行うことができた。ここで、
発光素子3に流す電流は約400mAであった。
図4に示す応用例のように構成したものをそれぞれ2組
用意し、図5に示す回路を用いてIrDA1.0規格に
対応した通信実験を行ったところ、いずれも1m以上の
距離においてデータ通信を行うことができた。ここで、
発光素子3に流す電流は約400mAであった。
【0037】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、素子配置
スペースを小さくすることができ受発光素子の小型化を
行うことができる。また、発光素子と受光素子に対する
レンズを共用することができ、レンズ設計の容易化、レ
ンズの小型化を図って受発光素子の小型化を行うことが
できる。また、発光素子を受光素子のくぼみに配置する
ことによって、発光素子の光取出効率を向上させ、レン
ズの小型化あるいは通信距離の拡大を図ることが可能と
なる。また、発光素子を受光素子の貫通孔に配置するこ
とによって、発光素子の配線に受光素子のリードフレー
ムを共用することができ、受光領域上のパターン省略に
よるコストダウンと受光素子の受光領域拡大を図ること
ができる。
スペースを小さくすることができ受発光素子の小型化を
行うことができる。また、発光素子と受光素子に対する
レンズを共用することができ、レンズ設計の容易化、レ
ンズの小型化を図って受発光素子の小型化を行うことが
できる。また、発光素子を受光素子のくぼみに配置する
ことによって、発光素子の光取出効率を向上させ、レン
ズの小型化あるいは通信距離の拡大を図ることが可能と
なる。また、発光素子を受光素子の貫通孔に配置するこ
とによって、発光素子の配線に受光素子のリードフレー
ムを共用することができ、受光領域上のパターン省略に
よるコストダウンと受光素子の受光領域拡大を図ること
ができる。
【図1】本発明の一実施例を示し、(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのI−I断面図である。
1の平面図、同図(b)は、そのI−I断面図である。
【図2】本発明の他実施例を示し、(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのII−II断面図である。
1の平面図、同図(b)は、そのII−II断面図である。
【図3】本発明の他実施例を示し、(a)は受発光素子
1の平面図、同図(b)は、そのIII−III断面図であ
る。
1の平面図、同図(b)は、そのIII−III断面図であ
る。
【図4】本発明の応用実施例を示し、(a)は受発光素
子20の平面図、同図(b)は、その側面図である。
子20の平面図、同図(b)は、その側面図である。
【図5】本発明の応用実施例に適用する回路図である。
1 受発光素子 2 受光素子 3 発光素子 4 受光領域 12 素子配置領域 14 素子配置領域 15 くぼみ 16 反射領域 17 素子配置領域 18 貫通孔 19 反射領域 20 樹脂封止型の受発光素子 21 リードフレーム 22 レンズ 23 光軸 24 透光性樹脂
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 西村 晋 鳥取県鳥取市南吉方3丁目201番地 鳥取 三洋電機株式会社内
Claims (8)
- 【請求項1】 受光素子と発光素子を平面的な重なりを
持って配置した受発光素子であって、前記発光素子の周
囲を前記受光素子の受光領域が囲むように前記発光素子
と前記受光素子を配置したことを特徴とする受発光素
子。 - 【請求項2】 受光素子と発光素子を平面的な重なりを
持って配置した受発光素子であって、前記受光素子の受
光領域の中央にカップ状のくぼみを形成し、このくぼみ
の中に前記発光素子を配置したことを特徴とする受発光
素子。 - 【請求項3】 受光素子と発光素子を平面的な重なりを
持って配置した受発光素子であって、前記受光素子の受
光領域の中央に上下に貫通したカップ状の貫通孔を形成
し、この貫通孔の中に前記発光素子を配置したことを特
徴とする受発光素子。 - 【請求項4】 前記カップ状のくぼみあるいは貫通孔の
側面に反射領域を形成した請求項2あるいは3記載の受
発光素子。 - 【請求項5】 受光素子と発光素子をレンズ付きの透光
性樹脂によってモ−ルドしたことを特徴とする請求項1
〜3記載の受発光素子。 - 【請求項6】 受光素子と発光素子をレンズ付きの透光
性樹脂によってモ−ルドした受発光素子において、前記
受光素子は、その中央に前記発光素子を配置するための
領域を設け、この配置領域を囲むように受光領域を形成
するとともに、前記配置領域が前記レンズの光軸とほぼ
一致するように配置したことを特徴とする受発光素子。 - 【請求項7】 前記配置領域の周囲に、環状の反射領域
を形成したことを特徴とする請求項6記載の受発光素
子。 - 【請求項8】 前記配置領域の周囲に、前記レンズの光
軸を中心とする環状の反射領域を形成したことを特徴と
する請求項6記載の受発光素子。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31877897A JPH11150292A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 受発光素子 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31877897A JPH11150292A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 受発光素子 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH11150292A true JPH11150292A (ja) | 1999-06-02 |
Family
ID=18102846
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31877897A Pending JPH11150292A (ja) | 1997-11-19 | 1997-11-19 | 受発光素子 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH11150292A (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rintaro Nishina | 反射型光センサ |
-
1997
- 1997-11-19 JP JP31877897A patent/JPH11150292A/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2008-10-02 | Rintaro Nishina | 反射型光センサ |
JPWO2008117800A1 (ja) * | 2007-03-26 | 2010-07-15 | 仁科 ▲りん▼太郎 | 反射型光センサ |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US4857746A (en) | Method for producing an optocoupler | |
KR101176819B1 (ko) | 조도?근접센서 패키지 및 그 제조 방법 | |
JP3797636B2 (ja) | 表面実装型発光ダイオード及びその製造方法 | |
US7402842B2 (en) | Light emitting diode package | |
JPH0918058A (ja) | 発光半導体装置 | |
JPH118415A (ja) | 赤外線データ通信モジュール | |
JP4877239B2 (ja) | 発光装置の製造方法 | |
JP2000150924A (ja) | 赤外線通信デバイス | |
JP2003008065A (ja) | Smd型光素子モジュールの製造方法 | |
JP3809969B2 (ja) | 赤外線送受信モジュールの構造 | |
JPH11150292A (ja) | 受発光素子 | |
JP4969055B2 (ja) | 光通信モジュール | |
JPH08186284A (ja) | 表面実装型フォトカプラ及びその製造方法 | |
JP2008034488A (ja) | 発光装置 | |
JP3976420B2 (ja) | 光半導体装置 | |
CN111656540B (zh) | 半导体装置 | |
US20190165013A1 (en) | Package for iris recognition imaging module and manufacturing method thereof | |
KR100765699B1 (ko) | 발광소자 패키지 및 그 제조방법 | |
JP3824696B2 (ja) | フォトカプラ及びその製造方法 | |
US6300674B1 (en) | Flat package for semiconductor diodes | |
US20060086940A1 (en) | Package structure of multi-chips light-emitting module | |
JP3976419B2 (ja) | 光半導体装置 | |
JP3534561B2 (ja) | 光結合素子 | |
JPH11274549A (ja) | 半導体リレー | |
KR20090093621A (ko) | 포토 인터럽터 및 그 제조방법 |