JPH11145512A

JPH11145512A - 半導体発光素子

Info

Publication number: JPH11145512A
Application number: JP31302697A
Authority: JP
Inventors: Toshio Hata; 俊雄幡
Original assignee: Sharp Corp
Current assignee: Sharp Corp
Priority date: 1997-11-14
Filing date: 1997-11-14
Publication date: 1999-05-28

Abstract

(57)【要約】【課題】低電流領域から大電流領域まで電流−輝度の
関係を線形に保ち、かつ素子抵抗の変化の小さい絶縁性
基板上に形成された半導体発光素子を提供する。【解決手段】絶縁性の基板と、発光層と、該基板と該
発光層の間に位置する第１導電型の第１半導体層と、発
光層に対し基板と反対側に設けられた第２導電型の第２
半導体層と、第１半導体層または第２半導体層に取り囲
まれるように素子中央領域に形成された電流阻止層と、
前記第１半導体層に設けられた第１電極と、第２半導体
層表面の前記電流阻止層の上部に設けられた光を透過し
ない第２電極とを有し、前記第２半導体層を通して上方
に光を取り出す半導体発光素子であって、前記第１電極
が前記電流阻止層の形成された領域を挟むように形成す
る。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体発光素子に
関し、特に絶縁性基板上に形成された、表面から２つの
電極を取り出すｐｎ接合型発光ダイオードに関する。

【０００２】

【従来の技術】発光ダイオード（ＬＥＤ）は表示用光源
として産業上重要なデバイスである。また、近年、絶縁
体基板であるサファイア上に形成された窒化ガリウム系
半導体発光素子において青色〜緑色の高輝度のＬＥＤが
実現されて来ており表示素子としてその重要性は高い。

【０００３】図６（ａ）に従来技術により作製された窒
化ガリウム系化合物半導体発光素子の断面模式図を示
す。この従来素子は、絶縁体であるサファイヤ基板６０
１上に、３００ｎｍ厚のｎ−ＧａＮからＩｎ_0.05Ｇａ
_0.95Ｎへのｎ型傾斜層６０２、２００ｎｍ厚のｎ型Ｉｎ
_0.05Ｇａ_0.95Ｎ半導体層６０３、ｐ型Ｉｎ_0.05Ｇａ_0.95
Ｎ半導体層６０４、からなる積層構造と、ｐ型半導体層
６０４上のｐ型電極６０５と、ｎ型傾斜層６０２上のｎ
型電極６０６から構成されている。図６（ｂ）に本従来
例素子の上面構造図を示す。本素子ではｎ型電極６０６
は図６に示すように素子の周辺のｐ型半導体層６０４が
除去された部分に発光領域６１１を取り囲むように形成
されている。また、ｐ型電極６０５はｐ型半導体層６０
４上にメッシュ状に形成されている。このｐ型電極６０
５はｐ型半導体層６０４が形成されている領域のほぼ全
面に均一なパターンで形成されている。従って、ｐ型半
導体層６０４が存在する領域が発光領域６１１となる。
また、ｐ型ボンディング電極６０７がメッシュ状のｐ型
電極６０５の一部に接触するように発光領域の一角に形
成されている。このような従来例素子は例えば特許公報
の特開平５−３３５６２２号公報に開示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】本従来例素子では、ｎ
型半導体層６０３とｐ型半導体層６０４がｐｎ接合を形
成しており、これら２層が発光層を形成している。この
従来例素子の発光パターンを、電流を１ｍＡから５０ｍ
Ａの範囲で変化させ素子上方より観測した。その結果、
１５ｍＡ以上の電流を流した場合にはほぼ四角の発光層
領域６１１全体が均一に発光するのに対し、１ｍＡ〜１
０ｍＡの低電流領域において、発光の強い領域がｎ型電
極６０６の近辺の約５０μｍ幅の領域（発光領域６１１
の周辺領域のみの約５μｍ幅の領域）に偏っており、発
光領域６１１全体が均一に発光していないことが分かっ
た。

【０００５】発光素子を表示素子として用いる場合に
は、素子に注入する電流量を変化させ、その輝度を調節
することにより、色や明るさの濃淡を表現することが多
い。従来素子では、輝度を小さくするために電流を低く
した時に、発光の周辺部への偏りが見られるため、発光
輝度のみではなく、発光パターン自体が変化してしま
う。これは、電流がｎ型傾斜層６０２内で均一に広がら
ず、ｎ型電極６０６近辺のｎ型傾斜層６０２に偏って流
れることが原因と考えられる。このような電流の偏り
は、絶縁基板６０１上に作成した発光素子で特徴的に観
測される現象である。これは、絶縁性基板６０１上での
ｎ型傾斜層６０２の厚さが０．３μｍと薄いために十分
に電流が広がることができず、ｎ型電極６０６近傍の狭
い領域に電流が集中して流れるためである。

【０００６】発光素子をモールドレンズに埋め込んだ形
にＬＥＤランプに実装した場合、チップから出る全体の
光の量は電流に比例して変化するが、発光パターンの偏
りがある場合には、ＬＥＤランプの正面輝度（モールド
レンズの光軸上での輝度）は低下した。これは、素子が
均一に発光した場合に最も正面輝度が上がるよう、モー
ルドレンズの光軸に素子の中心が一致するように実装さ
れているためである。

【０００７】このモールドランプの駆動電流に対する輝
度の関係を測定した結果を図７に示す。正面輝度（Ａ）
は、駆動電流を５ｍＡおよび０．５ｍＡにした場合に
は、電流の低下に線形比例する値（Ｃ）よりもさらに、
それぞれ２５％および７０％の正面輝度の低下が観測さ
れた。従来素子をモールドランプに実装し、電流を流し
た場合の電流と正面輝度の関係は、１０ｍＡ以下での低
電流領域で急激に減少することが分かる。一方、モール
ドランプの光軸中心より３゜程度ずれた位置での輝度
（Ｂ：以後、斜め輝度と記す）は、１０ｍＡ以下の電流
で駆動した場合にも、電流の変化にほぼ比例して変化し
た。従って、正面輝度（Ａ）を補正するために低電流領
域での電流値を正面輝度（Ａ）の低下分だけ大きくする
と、斜め輝度（Ｂ）が所定の輝度より格段に大きくな
り、ＬＥＤを観測する場所が光軸上であるか否かにより
明るさが著しく異なる不都合が生ずる。このように、本
従来例素子をモールドランプ用として使用した場合に
は、電流に対する輝度の線形性に乏しく、表示素子とし
て問題であった。

【０００８】また、従来例素子をレンズを使用する他の
実装方法に用いた場合にも、同様の問題点があった。さ
らに、このような従来例素子を、レンズを使用しない応
用に用いた場合には、電流を１０ｍＡ以下にした時に発
光点が均一ではなく、発光層領域６１１の周辺部のみで
発光するように見えるため、表示品位が劣化する問題点
があった。

【０００９】また、本従来例素子では、０．５ｍＡから
５０ｍＡに電流を増加させるに従って、発光する領域が
増加するに伴い、素子抵抗も２５Ωから６Ωに劇的に変
化することが分かった。この変化は素子内部での電流の
流れる領域が電流を増加させるに伴い増加することによ
るものと予測される。このような素子抵抗の変化は駆動
回路の動作を不安定にし、回路自体の低電流領域（０．
５〜５ｍＡ）での不要な発振現象や、高電流領域（１０
ｍＡ〜５０ｍＡ）での電流飽和を引き起こし、応用上大
きな問題であった。

【００１０】一方、上記のような問題を解決するため
に、ｎ型傾斜層６０２を３μｍ以上に厚くした素子も検
討されている。この場合には、ｎ型傾斜層６０２での電
流は拡がり易く上記の従例素子に比べてｎ型電極６０６
付近での局所的な発光は改善されるが、反対に低電流領
域でｐ型ボンディング電極６０７付近に発光が偏り、電
流を増加させるに従ってｎ型電極６０５側へ発光領域が
伸びる現象がおきた。この場合も、上述の従来例の場合
とは反対の発光部の変化ではあるが、もともと、ｐ型ボ
ンディング電極６０７は光を透過しないため光が素子の
外に取り出し難かった。従って、ｎ型層６０３を厚くし
てｎ型層６０３中での電流の拡がりを促進した素子をモ
ールドランプに実装した場合にも、図２と同様に低電流
領域での正面輝度は電流を低下させるに比例する以上に
低下することとなった。また、この場合には素子抵抗の
電流依存性は大きく０．５ｍＡから５０ｍＡに電流を増
加させた場合、３４Ωから１０Ωまで抵抗が変化した。

【００１１】このように、従来技術では、ｎ型層やｐ型
層の厚さや抵抗率を最適化をしようとしても、いずれか
の部分に低電流領域で電流が集中するため、発光層全体
が低電流領域から大電流領域までほぼ均一に発光させる
ことは不可能であった。

【００１２】従来技術で絶縁基板上に形成された発光素
子では、低電流駆動した場合、ｎ型電極６０６やｐ型ボ
ンディング電極６０７近傍の領域のみが局所的に発光す
る問題点があった。この現象は、１０ｍＡ以下の電流に
おいて顕著に見られ、これらの従来例素子をレンズを用
いた光学系に応用した場合、電流に対する正面輝度の線
形性に乏しく、表示素子として問題であった。また、レ
ンズを用いない応用においても、電流を低下させた時に
発光領域が縮小するため、表示品位が劣化する問題点が
あった。

【００１３】さらには、従来素子では駆動電流に対する
素子抵抗の変化が大きく駆動回路を安定して動作させる
ことが困難であった。

【００１４】本発明は上記の課題を解決し、低電流領域
でも線形性を保ち発光し、かつ低電流領域と高電流領域
とで素子抵抗の変化の小さい、絶縁基板上の半導体発光
素子を提供するものである。

【００１５】

【課題を解決するための手段】本発明は、請求項１とし
て、絶縁性基板の上に、第１導電型の第１半導体層と、
発光層と、第２導電型の第２半導体層とが積層され、第
１半導体層に設けられた第１電極と、第２半導体層に設
けられて光を透過しない第２電極を有し、第２半導体層
を通して光を取り出す半導体発光素子において、第１半
導体層或いは第２半導体層の内部または表面に電流阻止
層が形成されており、前記第１電極は該電流阻止層を挟
むように形成されている半導体発光素子により構成され
ている。

【００１６】また、本発明の請求項２は、上記第１電極
が上記電流阻止層に対して対称となる位置に形成されて
いることを特徴としており、さらに、請求項３は、電流
により発光する領域が、前記第１電極から前記第１半導
体層の厚さの１２０倍以下である領域内に設けられてい
ることを構成としている。

【００１７】また、本発明の請求項４は、上記第２電極
が上記電流阻止層の領域の内側に収まるように形成され
ていることにより構成されており、さらに、請求項５
は、上記第２電極が上記電流阻止層の領域より５μｍ以
上内側に包含されるように形成されていること構成とし
ている。

【００１８】

【発明の実施の形態】本発明を具体的な実施例に基づい
て詳細に説明する。（実施形態１）図１に本発明を実施した発光素子の断面
構造図を示す。本実施形態素子は、絶縁性のサファイア
基板１０１とＡｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎバッファ層１０２、
２．５μｍ厚のｎ型ＧａＮコンタクト層１０３、３ｎｍ
厚のＩｎ_0.35Ｇａ_0.65Ｎ発光層１０４、０．２μｍ厚の
ｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０５、素子を上部よ
り観察した場合のほぼ中央に配置された８０μｍ角のサ
イズを有する０．３μｍ厚のｎ型Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ電
流阻止層１０６、ｐ型クラッド層１０５と電流阻止層１
０６を覆うように形成された０．４μｍ厚のｐ型ＧａＮ
コンタクト層１０７から構成されている。

【００１９】素子内部で発生する光をほぼ５０％透過す
るｐ型オーミック電極１０９はｐ型ＧａＮコンタクト層
１０７表面のほぼ全面に形成した。ｐ型ボンディング電
極１１０は電流阻止層１０６の上部のｐ型オーミック電
極１０９直上に形成されており、そのサイズは７０μｍ
角とし、電流阻止層１０６の形状とほぼ同等とした。こ
のｐ型ボンディング電極１１０は２００ｎｍと厚く形成
し、光は透過しないようにした。一方、ｎ型ＧａＮコン
タクト層１０３の左右両側では、ｎ型コンタクト層１０
３より上部に形成された半導体層を幅５０μｍにわたっ
て除去し、露出したｎ型コンタクト層１０３の表面にｎ
型電極１０８を形成した。

【００２０】図２に本実施形態素子を上部より観測した
構造図を示す。このように、電流阻止層１０６とｐ型ボ
ンディング電極１１０はほぼ同等の形状で上下に配置さ
れている。また、ｎ型電極１０８は、ｐ型ボンディング
電極１１０および電流阻止層７の存在する領域をほぼ中
央に挟んで両側に配置した。また、素子の大きさは図示
したように、発光層１０４が２００μｍと３００μｍの
長方形となるようにした。すなわち、本実施形態素子の
発光領域１１１は、発光層１０４が存在する領域から電
流阻止層１０６および光を透過しないｐ型ボンディング
電極１１０を除いた部分となる。

【００２１】次に、本実施形態素子の作製方法について
図３（ａ）〜（ｃ）に基づいて説明する。

【００２２】まず、ＭＯＣＶＤ法により、基板温度６０
０℃でサファイア基板１０１上にＡｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎバ
ッファ層１０２を４０ｎｍ成長する。次に、基板温度１
０５０℃まで昇温しｎ型ＧａＮコンタクト層１０３を
２．５μｍ成長する。さらに、基板温度を８００℃に下
げた後、ノンドープＩｎ_0.35Ｇａ_0.65Ｎ発光層１０４を
３ｎｍを成長する。さらに、引き続き連続して、基板温
度を１０５０℃まで昇温しながらｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎ
クラッド層１０５を０．２μｍ、ｎ型Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95
Ｎ電流阻止層１０６を０．３μｍ成長する（図３
（ａ））。

【００２３】次に、ウエハーを成長室から取り出し電流
阻止層１０６を通常のフォトリソグラフィ技術とドライ
エッチング技術を用いて８０μｍ角の形状に加工する。
再び、このウエハー上に、基板温度を１０５０℃でｐ型
ＧａＮコンタクト層１０７を０．４μｍ厚成長する（図
３（ｂ））。

【００２４】次に、通常のフォトリソグラフィー技術と
ドライエッチング技術により、素子両サイドの５０μｍ
幅の部分をｎ型ＧａＮコンタクト層１０３の表面が露出
するまでエッチングし、そのｎ型コンタクト層１０３が
露出した部分にｎ型電極１０８を形成する。最後にｐ型
コンタクト層１０７上に半透明なｐ型オーミック電極１
０９を形成した後、電流阻止層１０６上部のｐ型オーミ
ック電極１０９上に通常のフォトリソグラフィー技術を
利用しリフトオフ法によりｐ型ボンディング電極１１０
を形成した（図３（ｃ））。素子はウェハーからスクラ
イブにより切り出した。

【００２５】上述の実施形態素子をモールドランプに実
装した場合の駆動電流と輝度の関係を図４に示す。正面
輝度Ｄと斜め輝度Ｅとも、１５〜５０ｍＡの範囲から外
装した線形直線Ｃにからのずれは小さく、１０ｍＡ以下
の低電流領域でも線形直線Ｃからのずれは±１５％以下
に抑制された。これにより、０．５ｍＡから５０ｍＡの
広い範囲にわたりほぼ線形な輝度変調が可能となり、ダ
イナミックレンジの広いモールドレンズ型表示ランプを
実現することができた。これは電流阻止層１０６および
光を透過しない（発光の取り出しを妨害する）ｐ型ボン
ディング電極１１０を同一の領域に配置し、低電流領域
でｐ型ボンディング電極１１０直下およびその近傍の発
光層１０４に流れ込む電流を抑制したことと、電流阻止
層１０６からほぼ等距離となるように２つのｎ型電極１
０８を設け、電流の大小に関わらず電流を発光層１０４
全体にほぼ均一な密度で注入できたことに依るものであ
る。

【００２６】また、本素子の素子抵抗を駆動電流０．５
ｍＡ、５ｍＡ、１０ｍＡ、５０ｍＡで測定したところ、
それぞれ７Ω、８Ω、７Ω、６Ωとなりほぼ一定の値と
なった。これも、本素子構成において電流の流れる領域
が電流の大小に依らずほぼ一定にできたためと考えられ
る。

【００２７】さらに詳細に効果を確認するため、ｎ型コ
ンタクト層１０３の厚さだけを上記の実施形態の２．５
μｍから１．０μｍ、０．３μｍに減少させた素子と、
４．０μｍに増加させた素子についても検討した。この
結果、ｎ型コンタクト層１０３の厚さを１．０μｍおよ
び４．０μｍにした素子では上記とほぼ同様に、電流に
対する依存性のほとんど見られない発光パターンが得ら
れたが、０．３μｍとした素子の駆動電流を５ｍＡ以下
にした場合には従来例と同様のｎ型電極の近傍の４０μ
ｍの幅の部分のみが発光する偏りが発生した。

【００２８】また、ｎ型コンタクト層１０３は厚さは
２．５μｍのままで、２つのｎ型電極１０８間の発光層
１０４の横幅のみを上記の２００μｍから６００μｍ、
８００μｍと大きくした素子についても検討した。この
場合にも、発光層１０４の幅が６００μｍとｎ型コンタ
クト層１０３の１２０倍の素子ではほぼ均一な発光が得
られ、モールドランプに実装した場合の正面輝度および
斜め輝度も電流にほぼ比例していた（比例関係からのず
れは低電流領域でも最大±２０％程度）。一方、発光層
１０４の幅を８００μｍにした素子では低電流領域でｎ
型電極１０８近傍の発光が強くなる現象が観測され、従
来例素子よりは改善は見られるものの、モールドランプ
実装時の輝度ー電流特性の比例関係からのずれは低電流
領域（０．５ｍＡ駆動時）で最大±５０％以上と大きく
なった。この結果より、ｎ型コンタクト層１０３の厚さ
の約１２０倍の距離以内の領域に全ての発光領域１１１
が存在するようにすることが望ましいことが分かった。

【００２９】また、ｐ型ボンディング電極１１０を上記
の７０μｍ角から８０μｍ角に大きくした場合について
検討したが、この場合、ｐ型ボンディング電極１１０近
傍での局所的な発光が低電流領域において観測された。
よって、ｐ型ボンディング電極１１０直下近傍への局所
的な電流注入を抑制するためには、ｐ型ボンディング電
極１１０が電流阻止層１０６よりも小さく、図２のごと
くｐ型ボンディング電極１１０が電流阻止層１０６の領
域内に収まるように配置することが必要である。望まし
くは、ｐ型ボンディング電極１１０の方が５μｍ以上、
電流阻止層１０６の内側に包含されるように形成すると
良いことも判明した。

【００３０】もちろん、本発明は上記の実施形態に制限
されるものではなく、電流阻止層１０６またはｐ型ボン
ディング電極１１０さらには発光領域１１１の形状が長
方形やその他の多角形、円形であっても構わない。ま
た、絶縁体基板１０１と発光層１０４の間に存在するｎ
型層１０３が複数の層から形成されていても構わない。
この場合には、電流阻止層１０６とｎ型電極１０８との
距離が、これら複数のｎ型層の合計の層厚の１２０倍以
内とすることが望ましい。

【００３１】（実施形態２）他の実施形態素子のｎ型電
極２０８、ｐ型ボンディング電極２１０、電流阻止層２
０６および発光領域２１１の配置を図５に示す。本実施
形態素子の主たる構成は前述の実施形態と同じであり、
異なる点はｎ型コンタクト層１０３の厚さを１．２μｍ
と薄くしたこと、ｎ型電極２０８、発光領域２１１の形
状である。発光領域２１１のサイズは３００μｍ角であ
り、幅が３０μｍのｎ型電極２０８が発光領域２１１の
周囲を取り囲むように形成されている。なお、ｎ型電極
２０８の一辺ではｎ側ボンディング領域２１２として幅
１００μｍの領域を形成した。１００μｍ角の電流阻止
層２０６は素子の中央部に配置し、かつその直上に中心
を同一とする配置で光を透過しない９０μｍ角のｐ型ボ
ンディング電極２１０を形成した。

【００３２】本素子をモールドランプに実装した場合で
も、図２と同等の電流に比例した輝度の変化が観測され
た。これは前述のように、電流阻止層２０６とｎ型電極
２０８との距離は最も離れた部分でも１４０μｍとｎ型
コンタクト層２０３より十分に大きくしたことと（ｎ型
コンタクト層２０３の厚さの約１１８倍）、ｐ型ボンデ
ィング電極２１０直下にｐ型ボンディング電極２１２よ
りも大きい電流阻止層２０６を設けたことによる効果で
あり、駆動電流量に依存せず電流を発光領域２１１全体
に均一に注入することができた結果である。また、素子
抵抗も０．５ｍＡから５０ｍＡの駆動電流範囲におい
て、７〜８Ωと一定であり、電流に対する素子抵抗の変
化を小さく抑制することができた。

【００３３】上述の２つの実施形態においては、ｎ型電
極１０８、２０８が電流阻止層１０６、２０６に対して
対称形状となるように形成したが、本発明は、ｎ型電極
が電流阻止層を挟んだ少なくとも２方向に形成されてい
ることが重要であり、特に対称形状である必要は無い
（例えば、電流阻止層とｎ型電極との距離が２つの方向
で異なる場合や、ｎ型電極自体の幅や形状が２つの方向
で異なる場合、等）。ただし、ｎ型電極を電流阻止層に
対して対称とすることにより、より均一な発光や低電流
領域でのより良い線形性が得られることは、上述の説明
からも理解される通りである。

【００３４】また、上述の実施形態では、ｐ型半導体層
の内部に形成されたｎ型半導体を電流阻止層の例として
説明したが、電流阻止層としてはこれに限る訳ではな
く、例えば、ｐ型層中に設けられた絶縁性のＡｌＧａＮ
層や、高抵抗のｐ型ＡｌＧａＮ層、ｐ型層表面に設けら
れたＳｉＯ₂などの誘電体膜、等でも良い。また、上述
の実施形態素子の導電型を全て反転した場合にも同様の
効果が得られることは言うまでもない。

【００３５】さらに、上述の実施形態素子では電流阻止
層は発光層の上部に形成したが、本発明はこれに限る訳
ではなく、発光層の下側（上述の実施形態を例にとれば
ｎ型ＧａＮコンタクト層内部）に形成しても良い。この
場合、電流阻止の機能を十分に働かせるためには、ｎ型
電極１０６、２０６より発光層１０４、２０４側に電流
阻止層１０８、２０８を形成する必要があり、より望ま
しくは、発光層の近傍１μｍ以内に設けるべきであっ
た。

【００３６】また、以上で説明した本発明の実施形態素
子では、電流阻止層とｐ型ボンディング電極の形状を正
方形としたが、双方とも円形でも良いし、それぞれの形
状が互いに異なっても構わない。ただし、前述のように
電流阻止層の領域の内部にｐ型ボンディング電極が包含
されるように形成することが望ましいことは言うまでも
ない。

【００３７】

【発明の効果】以上のように、本発明を実施することに
より、絶縁体上の発光素子においても、輝度が駆動電流
に比例して変化し、かつ素子抵抗も駆動電流に依らずほ
ぼ一定の半導体発光素子を実現することができた。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態素子の断面構造図である。

【図２】本発明の実施形態素子の表面構造図である。

【図３】本発明の実施形態素子の作製工程図である。

【図４】本発明の実施形態素子の電流−輝度特性を示す
図である。

【図５】本発明の実施形態２の素子の表面構造図であ
る。

【図６】従来例素子の構造図である。

【図７】従来例素子の電流−輝度特性を示す図である。

【符号の説明】

１０１サファイア基板１０２Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎバッファ層１０３ｎ型ＧａＮコンタクト層１０４Ｉｎ_0.35Ｇａ_0.65Ｎ発光層１０５ｐ型Ａｌ_0.1Ｇａ_0.9Ｎクラッド層１０６ｎ型Ａｌ_0.05Ｇａ_0.95Ｎ電流阻止層１０７ｐ型ＧａＮコンタクト層１０８ｎ型電極１０９ｐ型オーミック電極１１０ｐ型ボンディング電極１１１発光領域２０６電流阻止層２０８ｎ型電極２１０ｐ型ボンディング電極２１１発光領域２１２ｎ側ボンディング領域６０１サファイヤ基板６０２ｎ型傾斜層６０３ｎ型ＩｎＧａＮ半導体層６０４ｐ型ＩｎＧａＮ半導体層６０５ｐ型メッシュ電極６０６ｎ型電極６０７ｐ型ボンディング電極６１１発光領域

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】絶縁性基板の上に、第１導電型の第１半
導体層と、発光層と、第２導電型の第２半導体層とが積
層され、第１半導体層に設けられた第１電極と、第２半
導体層に設けられて光を透過しない第２電極を有し、第
２半導体層を通して光を取り出す半導体発光素子におい
て、第１半導体層或いは第２半導体層の内部または表面
に電流阻止層が形成されており、前記第１電極は該電流
阻止層を挟むように形成されていることを特徴とする半
導体発光素子。
【請求項２】上記第１電極が上記電流阻止層に対して
対称となる位置に形成されていることを特徴とする請求
項１に記載の半導体発光素子。
【請求項３】電流により発光する領域が、前記第１電
極から前記第１半導体層の厚さの１２０倍以下である領
域内に設けられていることを特徴とする請求項１に記載
の半導体発光素子。
【請求項４】上記第２電極が上記電流阻止層の領域の
内側に収まるように形成されていることを特徴とする請
求項１に記載の半導体発光素子。
【請求項５】上記第２電極が上記電流阻止層の領域よ
り５μｍ以上内側に包含されるように形成されているこ
とを特徴とする請求項４に記載の半導体発光素子。