JPH11144320A - 相変化型光記録媒体 - Google Patents
相変化型光記録媒体Info
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- JPH11144320A JPH11144320A JP9322289A JP32228997A JPH11144320A JP H11144320 A JPH11144320 A JP H11144320A JP 9322289 A JP9322289 A JP 9322289A JP 32228997 A JP32228997 A JP 32228997A JP H11144320 A JPH11144320 A JP H11144320A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 記録および消去に伴う反射放熱層の熱ダメー
ジを低減させ、繰り返し特性を向上させた相変化型光記
録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層および反射放
熱層を有する相変化型光記録媒体において、前記反射放
熱層がＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ
−Ｚｒの合金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向
において、前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまた
はＡｌの濃度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近
づくほど低くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒ
の濃度がレーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づく
ほど高くなる濃度勾配を有することを特徴とする相変化
型光記録媒体。
ジを低減させ、繰り返し特性を向上させた相変化型光記
録媒体を得る。 【解決手段】 基板上に少なくとも記録層および反射放
熱層を有する相変化型光記録媒体において、前記反射放
熱層がＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ
−Ｚｒの合金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向
において、前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまた
はＡｌの濃度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近
づくほど低くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒ
の濃度がレーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づく
ほど高くなる濃度勾配を有することを特徴とする相変化
型光記録媒体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、相変化型光記録媒
体、詳細には耐久性を向上させた反射放熱層を有する相
変化型光記録媒体に関する。
体、詳細には耐久性を向上させた反射放熱層を有する相
変化型光記録媒体に関する。
【０００２】
【従来の技術】相変化型光記録媒体は例えば図１に示す
ように、基板１上に、下部誘電体保護層２、記録層３、
上部耐熱保護層４、反射放熱層５を順次積層した構成か
らなる。反射放熱層５の機能は、第一に、入射したレー
ザ光を効率よく記録層に吸収させること、第二に、記録
層にレーザ光を吸収させるに伴い発生する熱を放熱する
ことである。従ってこの反射放熱層に使用される金属と
しては反射率が高く、かつ、熱伝導率が大きいＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｌ等であり、必要に応じてこれにＴｉ、Ｔ
ａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ等が添加され
た合金が使用されている（特開昭５７−２０９３３号公
報参照）。
ように、基板１上に、下部誘電体保護層２、記録層３、
上部耐熱保護層４、反射放熱層５を順次積層した構成か
らなる。反射放熱層５の機能は、第一に、入射したレー
ザ光を効率よく記録層に吸収させること、第二に、記録
層にレーザ光を吸収させるに伴い発生する熱を放熱する
ことである。従ってこの反射放熱層に使用される金属と
しては反射率が高く、かつ、熱伝導率が大きいＡｕ、Ａ
ｇ、Ｃｕ、Ａｌ等であり、必要に応じてこれにＴｉ、Ｔ
ａ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｉ、Ｍｎ、Ｍｇ、Ｃｒ等が添加され
た合金が使用されている（特開昭５７−２０９３３号公
報参照）。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】このような中で、現
在、反射放熱層材料として主として使用されているのは
Ａｌ合金である。それはＡｕは物性的には満足のゆくも
のであるがコストが高い。また、Ａｇは硫化の点で問題
があるとされているからである。しかしながら、相変化
型光記録媒体の記録は、レーザ光により記録層を溶融さ
せ急冷により記録マークを形成する方式であるため、熱
によるダメージが大きく、記録／消去の繰り返し特性に
問題が生じる。
在、反射放熱層材料として主として使用されているのは
Ａｌ合金である。それはＡｕは物性的には満足のゆくも
のであるがコストが高い。また、Ａｇは硫化の点で問題
があるとされているからである。しかしながら、相変化
型光記録媒体の記録は、レーザ光により記録層を溶融さ
せ急冷により記録マークを形成する方式であるため、熱
によるダメージが大きく、記録／消去の繰り返し特性に
問題が生じる。
【０００４】これはＡｌ単体の場合は記録／消去を繰り
返すうちに酸化等の劣化が生じ、酸化を防止するために
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等の元素を添加すると熱伝導率が小さ
くなり熱の放熱機能が低下し、結果的に大きな熱ダメー
ジを受けることになる。そこで、このような欠点を解決
するために反射放熱層をＡｌとＡｌ合金の２層にするこ
と、あるいはまた、Ａｌ層とＮｉ、Ｔｉ等から選択され
た元素からなる層とを積層する層間にＡｌに前記選択さ
れた元素を拡散させた合金層を設けることが提案されて
いる（特開平８−９６４１３号公報参照）。しかしなが
ら、このように金属層を追加してゆくことはコスト的に
極めて不利である。
返すうちに酸化等の劣化が生じ、酸化を防止するために
Ｔｉ、Ｃｒ、Ｎｉ等の元素を添加すると熱伝導率が小さ
くなり熱の放熱機能が低下し、結果的に大きな熱ダメー
ジを受けることになる。そこで、このような欠点を解決
するために反射放熱層をＡｌとＡｌ合金の２層にするこ
と、あるいはまた、Ａｌ層とＮｉ、Ｔｉ等から選択され
た元素からなる層とを積層する層間にＡｌに前記選択さ
れた元素を拡散させた合金層を設けることが提案されて
いる（特開平８−９６４１３号公報参照）。しかしなが
ら、このように金属層を追加してゆくことはコスト的に
極めて不利である。
【０００５】本発明はこのような状況に鑑みてなされた
もので、記録／消去の繰り返しによる反射放熱層の熱ダ
メージを低減させ、繰り返し特性を向上させた相変化型
光記録媒体を提供することを目的とする。
もので、記録／消去の繰り返しによる反射放熱層の熱ダ
メージを低減させ、繰り返し特性を向上させた相変化型
光記録媒体を提供することを目的とする。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明によれば、第一
に、基板上に少なくとも記録層および反射放熱層を有す
る相変化型光記録媒体において、前記反射放熱層がＡｇ
−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ−Ｚｒの合
金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向において、
前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまたはＡｌの濃
度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近づくほど低
くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃度がレ
ーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど高くな
る濃度勾配を有することを特徴とする相変化型光記録媒
体が提供される。
に、基板上に少なくとも記録層および反射放熱層を有す
る相変化型光記録媒体において、前記反射放熱層がＡｇ
−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ−Ｚｒの合
金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向において、
前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまたはＡｌの濃
度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近づくほど低
くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃度がレ
ーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど高くな
る濃度勾配を有することを特徴とする相変化型光記録媒
体が提供される。
【０００７】第二に、上記第一に記載した相変化型光記
録媒体において、上記金属元素の濃度勾配に応じて上記
反射放熱層の厚さ方向に熱伝導率の勾配を有することを
特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
録媒体において、上記金属元素の濃度勾配に応じて上記
反射放熱層の厚さ方向に熱伝導率の勾配を有することを
特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
【０００８】第三に、上記第一に記載した相変化型光記
録媒体において、上記金属元素の濃度勾配に応じて上記
反射放熱層の厚さ方向に反射率の勾配を有することを特
徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
録媒体において、上記金属元素の濃度勾配に応じて上記
反射放熱層の厚さ方向に反射率の勾配を有することを特
徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
【０００９】第四に、上記第二に記載した相変化型光記
録媒体において、上記熱伝導率の勾配が上記反射放熱層
のレーザ光の入射側で大きく、自由表面側に近づくほど
小さくなることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供
される。
録媒体において、上記熱伝導率の勾配が上記反射放熱層
のレーザ光の入射側で大きく、自由表面側に近づくほど
小さくなることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供
される。
【００１０】第五に、上記第三に記載した相変化型光記
録媒体において、上記反射率の勾配が上記反射放熱層の
レーザ光の入射側で高く、自由表面側に近づくほど低く
なることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供され
る。
録媒体において、上記反射率の勾配が上記反射放熱層の
レーザ光の入射側で高く、自由表面側に近づくほど低く
なることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供され
る。
【００１１】第六に、上記第一〜第五に記載した相変化
型光記録媒体において、上記反射放熱層を形成するＡｇ
−Ｐｄからなる合金の組成がＡｇXＰｄ1-X（ただし、ｘ
が６０％≦ｘ≦９０％の範囲にある）からなることを特
徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
型光記録媒体において、上記反射放熱層を形成するＡｇ
−Ｐｄからなる合金の組成がＡｇXＰｄ1-X（ただし、ｘ
が６０％≦ｘ≦９０％の範囲にある）からなることを特
徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
【００１２】第七に、上記第一〜第六に記載したいずれ
かの相変化型光記録媒体において、上記記録層がＡｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｘ（ただし、ＸはＮ、Ｐ、Ｚｎ、
Ｃ、Ｃｌの中から選択された少なくとも１種）からなる
ことを特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
かの相変化型光記録媒体において、上記記録層がＡｇ−
Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｘ（ただし、ＸはＮ、Ｐ、Ｚｎ、
Ｃ、Ｃｌの中から選択された少なくとも１種）からなる
ことを特徴とする相変化型光記録媒体が提供される。
【００１３】第八に、上記第五または第六に記載した相
変化型光記録媒体において、上記反射放熱層のレーザ光
入射側と自由表面側との反射率の差が６％以上１５％以
下であることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供さ
れる。
変化型光記録媒体において、上記反射放熱層のレーザ光
入射側と自由表面側との反射率の差が６％以上１５％以
下であることを特徴とする相変化型光記録媒体が提供さ
れる。
【００１４】以下に本発明を詳細に説明する。上述のよ
うに本発明は相変化型光記録媒体において、反射放熱層
がＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ−Ｚ
ｒの合金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向にお
いて、前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまたはＡ
ｌの濃度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近づく
ほど低くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃
度がレーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど
高くなる濃度勾配を有することを特徴とする。即ち、反
射放熱層の膜厚方向において該金属元素の濃度分布に勾
配をもたせることにより該反射放熱層の熱伝導率、熱膨
張率、比熱等の熱物性や反射率、透過率等の分光特性、
あるいは電気伝導率や耐環境性等を制御し、これにより
記録媒体の記録および消去特性、特にオーバライト時の
繰り返し特性の向上を図るものである。
うに本発明は相変化型光記録媒体において、反射放熱層
がＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ−Ｚ
ｒの合金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向にお
いて、前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまたはＡ
ｌの濃度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近づく
ほど低くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃
度がレーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど
高くなる濃度勾配を有することを特徴とする。即ち、反
射放熱層の膜厚方向において該金属元素の濃度分布に勾
配をもたせることにより該反射放熱層の熱伝導率、熱膨
張率、比熱等の熱物性や反射率、透過率等の分光特性、
あるいは電気伝導率や耐環境性等を制御し、これにより
記録媒体の記録および消去特性、特にオーバライト時の
繰り返し特性の向上を図るものである。
【００１５】例えば反射放熱層の合金としてＡｇ−Ｐｄ
を使用した場合、従来はＡｇ中にＰｄが一様に一定の割
合で分布していたが、本発明においては反射放熱層のレ
ーザ光の入射側にＡｇ濃度が高く、反対側の自由表面側
にＰｄ濃度が高い膜が形成される。このためレーザ光の
入射側ではほぼＡｇ単独膜の反射率や熱伝導率を有する
ことになり、Ｐｄ添加による反射率および熱伝導率の低
下はレーザ光の入射側では起こらない。従って記録層へ
のレーザ光の効率的な吸収が可能となる。また、記録層
におけるレーザ光の吸収に伴って生じる熱の放出も速や
かに行われるため熱ダメージが少なく、記録／消去の繰
り返し特性の向上を図ることができる。
を使用した場合、従来はＡｇ中にＰｄが一様に一定の割
合で分布していたが、本発明においては反射放熱層のレ
ーザ光の入射側にＡｇ濃度が高く、反対側の自由表面側
にＰｄ濃度が高い膜が形成される。このためレーザ光の
入射側ではほぼＡｇ単独膜の反射率や熱伝導率を有する
ことになり、Ｐｄ添加による反射率および熱伝導率の低
下はレーザ光の入射側では起こらない。従って記録層へ
のレーザ光の効率的な吸収が可能となる。また、記録層
におけるレーザ光の吸収に伴って生じる熱の放出も速や
かに行われるため熱ダメージが少なく、記録／消去の繰
り返し特性の向上を図ることができる。
【００１６】一方、反射放熱層の自由表面側はＰｄ濃度
が高い状態となっているため、Ａｇ最大の問題とされる
自由表面側からの硫化による腐食を防止することができ
る。反射放熱層のＡｇおよびＰｄの組成が、ＡｇXＰｄ
1-Xにおいて、特にｘが６０％≦ｘ≦９０％の範囲が優
れた結果を与える。ｘが９０％以上になるとＰｄの割合
が少ないので自由表面側のｐｄの濃度が高い部分の厚さ
が小さくなり硫化されやすくなる。また、ｘが６０％以
下であると光の入射側でのＡｇの濃度が高い部分の厚さ
が小さくなるので熱伝導率が見かけ上小さくなり熱の放
熱機能が低下するため繰り返し特性が劣化する。さら
に、反射放熱層のレーザ光入射側と自由表面側との反射
率差が６％以上、特に６％以上１５％以下である場合、
繰り返し特性や環境特性に優れた効果を示す。
が高い状態となっているため、Ａｇ最大の問題とされる
自由表面側からの硫化による腐食を防止することができ
る。反射放熱層のＡｇおよびＰｄの組成が、ＡｇXＰｄ
1-Xにおいて、特にｘが６０％≦ｘ≦９０％の範囲が優
れた結果を与える。ｘが９０％以上になるとＰｄの割合
が少ないので自由表面側のｐｄの濃度が高い部分の厚さ
が小さくなり硫化されやすくなる。また、ｘが６０％以
下であると光の入射側でのＡｇの濃度が高い部分の厚さ
が小さくなるので熱伝導率が見かけ上小さくなり熱の放
熱機能が低下するため繰り返し特性が劣化する。さら
に、反射放熱層のレーザ光入射側と自由表面側との反射
率差が６％以上、特に６％以上１５％以下である場合、
繰り返し特性や環境特性に優れた効果を示す。
【００１７】また、本発明では記録層としてＡｇ−Ｉｎ
−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｘ（ただし、ＸはＮ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃ、Ｃ
ｌから選択された少なくとも１種類の元素）を用い、こ
れと上記反射放熱層を組み合わせることによりディスク
特性の優れた記録媒体を得ることができる。ここで、
Ｎ、ＰはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの結合配位数をあげて
アモルファス化を容易にする働きを持つ。また、Ｚｎ、
Ｃｌは光の吸収効率を上げるため記録感度の向上につな
がる。
−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｘ（ただし、ＸはＮ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃ、Ｃ
ｌから選択された少なくとも１種類の元素）を用い、こ
れと上記反射放熱層を組み合わせることによりディスク
特性の優れた記録媒体を得ることができる。ここで、
Ｎ、ＰはＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅの結合配位数をあげて
アモルファス化を容易にする働きを持つ。また、Ｚｎ、
Ｃｌは光の吸収効率を上げるため記録感度の向上につな
がる。
【００１８】上述のごとく反射放熱層の材料としてＡｇ
−Ｐｄの合金を挙げて説明したが、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−
ＮｉまたはＡｌ−Ｚｒの合金によっても同等の効果が得
られる。
−Ｐｄの合金を挙げて説明したが、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−
ＮｉまたはＡｌ−Ｚｒの合金によっても同等の効果が得
られる。
【００１９】
【実施例】以下本発明を実施例により具体的に説明する
（図１参照）。 〔実施例１〕ポリカーボネート基板１の片面上に厚さ２
０００ÅのＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる下部誘電体保護層
２を設け、その上に２００ÅのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｎ−Ｚｎからなる記録層３、さらに厚さ２５０ÅのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2からなる上部誘電体保護層４を設けた。
これら３つの層はいずれもマグネトロンスパッタ法によ
り設けた。次に上部誘電体保護層４上に厚さ１５００Å
のＡｇ−Ｐｄ（９０：１０（ｗｔ％））からなる反射放
熱層５を抵抗加熱による真空蒸着法により設け相変化型
光記録媒体とした。
（図１参照）。 〔実施例１〕ポリカーボネート基板１の片面上に厚さ２
０００ÅのＺｎＳ−ＳｉＯ2からなる下部誘電体保護層
２を設け、その上に２００ÅのＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ
−Ｎ−Ｚｎからなる記録層３、さらに厚さ２５０ÅのＺ
ｎＳ−ＳｉＯ2からなる上部誘電体保護層４を設けた。
これら３つの層はいずれもマグネトロンスパッタ法によ
り設けた。次に上部誘電体保護層４上に厚さ１５００Å
のＡｇ−Ｐｄ（９０：１０（ｗｔ％））からなる反射放
熱層５を抵抗加熱による真空蒸着法により設け相変化型
光記録媒体とした。
【００２０】上述のように反射放熱層をスパッタ法でな
く抵抗加熱による真空蒸着法で形成したのは、Ａｇ−Ｐ
ｄ合金を蒸発源とした場合、ＡｇとＰｄで蒸気圧に差が
あるため一定の真空圧下ではＡｇがＰｄよりも蒸発しや
すいため反射放熱層のポリカーボネート基板側、即ちレ
ーザ光の入射側の方がＡｇの濃度が高く、自由表面側に
ゆくにしたがってＡｇの濃度は低下してＰｄ濃度が高く
なるため、本発明の反射放熱層が実現しやすくなるから
である。
く抵抗加熱による真空蒸着法で形成したのは、Ａｇ−Ｐ
ｄ合金を蒸発源とした場合、ＡｇとＰｄで蒸気圧に差が
あるため一定の真空圧下ではＡｇがＰｄよりも蒸発しや
すいため反射放熱層のポリカーボネート基板側、即ちレ
ーザ光の入射側の方がＡｇの濃度が高く、自由表面側に
ゆくにしたがってＡｇの濃度は低下してＰｄ濃度が高く
なるため、本発明の反射放熱層が実現しやすくなるから
である。
【００２１】また、熱伝導率と反射率を測定するため、
ディスク基板とは別に５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのガ
ラス基板を配置しておき、これを利用してλ＝６５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍの反射率および熱伝導率を測定した。た
だし、熱伝導率はウィーデマン−フランツの法則により
電気伝導率より求めた。
ディスク基板とは別に５０ｍｍ×５０ｍｍ×１ｍｍのガ
ラス基板を配置しておき、これを利用してλ＝６５０ｎ
ｍ、７８０ｎｍの反射率および熱伝導率を測定した。た
だし、熱伝導率はウィーデマン−フランツの法則により
電気伝導率より求めた。
【００２２】また、ディスク特性の評価は記録信号とし
てＥＦＭランダムパターンのオーバーライトで行った。
この時の記録パワー１３ｍＷ、バイアスパワー５ｍＷ、
記録線速２．４ｍ／ｓである。オーバーライト特性とし
て３Ｔ信号のジッターを繰り返し回数ｎ＝１、５００、
１０００、３０００、５０００回で評価した。さらに、
この記録媒体を５ｐｐｍの亜硫酸ガス中に５０時間放置
した後の特性も評価した。これらの特性は以下で示す実
施例２〜１０および比較例１〜２で得られた各記録媒体
の特性とともに表１および表２に示す。なお、反射率は
７８０ｎｍの波長の測定結果のみ示す。また、反射率は
ガラス側および膜面側の両方から測定した。熱伝導率は
膜面側からのみ測定した。
てＥＦＭランダムパターンのオーバーライトで行った。
この時の記録パワー１３ｍＷ、バイアスパワー５ｍＷ、
記録線速２．４ｍ／ｓである。オーバーライト特性とし
て３Ｔ信号のジッターを繰り返し回数ｎ＝１、５００、
１０００、３０００、５０００回で評価した。さらに、
この記録媒体を５ｐｐｍの亜硫酸ガス中に５０時間放置
した後の特性も評価した。これらの特性は以下で示す実
施例２〜１０および比較例１〜２で得られた各記録媒体
の特性とともに表１および表２に示す。なお、反射率は
７８０ｎｍの波長の測定結果のみ示す。また、反射率は
ガラス側および膜面側の両方から測定した。熱伝導率は
膜面側からのみ測定した。
【００２３】〔実施例２〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
【００２４】〔実施例３〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
７０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
７０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
【００２５】〔実施例４〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
６０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。 〔実施例５〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝９５（ｗｔ
％）のものを反射放熱層に使用した以外は実施例１と同
様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体のディ
スク特性とモニターガラス上に成膜されたＡｇ−Ｐｄ膜
の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および表２に示
す。
６０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。 〔実施例５〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝９５（ｗｔ
％）のものを反射放熱層に使用した以外は実施例１と同
様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体のディ
スク特性とモニターガラス上に成膜されたＡｇ−Ｐｄ膜
の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および表２に示
す。
【００２６】〔実施例６〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
５５（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
５５（ｗｔ％）のものを反射放熱層に使用した以外は実
施例１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録
媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜されたＡ
ｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率と反射率の測定結果を表１および
表２に示す。
【００２７】〔実施例７〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎ−Ｃｌを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｎ−Ｃｌを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
【００２８】〔実施例８〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐ−Ｚｎを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｐ−Ｚｎを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
【００２９】〔実施例９〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃ−Ｚｎを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層にＡ
ｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅ−Ｃ−Ｚｎを用いた以外は実施例
１と同様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体
のディスク特性を表２に示す。
【００３０】〔比較例１〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ＝
８０（ｗｔ％）のターゲットを作製し、反射放熱層のＡ
ｇとＰｄの濃度分布を均一にするため、スパッタ法によ
り反射放熱層を作製した以外は実施例１と同様にして記
録媒体を作製した。得られた記録媒体のディスク特性と
モニターガラス上に成膜されたＡｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率
と反射率の測定を行った。結果を表１および表２に示
す。
８０（ｗｔ％）のターゲットを作製し、反射放熱層のＡ
ｇとＰｄの濃度分布を均一にするため、スパッタ法によ
り反射放熱層を作製した以外は実施例１と同様にして記
録媒体を作製した。得られた記録媒体のディスク特性と
モニターガラス上に成膜されたＡｇ−Ｐｄ膜の熱伝導率
と反射率の測定を行った。結果を表１および表２に示
す。
【００３１】〔比較例２〕Ａｇのみ反射放熱層に用いた
以外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。得ら
れた記録媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜
されたＡｇ膜の熱伝導率と反射率の測定を行い、結果を
表１および表２に示す。
以外は実施例１と同様にして記録媒体を作製した。得ら
れた記録媒体のディスク特性とモニターガラス上に成膜
されたＡｇ膜の熱伝導率と反射率の測定を行い、結果を
表１および表２に示す。
【００３２】〔実施例１０〕ＡｇXＰｄ1-X合金としてｘ
＝８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層に
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを使用した以外は実施例１と同
様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体のディ
スク特性を表２に示す。
＝８０（ｗｔ％）のものを反射放熱層に用い、記録層に
Ａｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−Ｔｅを使用した以外は実施例１と同
様にして記録媒体を作製した。得られた記録媒体のディ
スク特性を表２に示す。
【００３３】
【表１】
【００３４】
【表２−（１）】
【００３５】
【表２−（２）】
【００３６】表１および表２−１〜２から明らかなよう
に、反射放熱層に使用する材料としてＡｇXＰｄ1-X合金
を用いたとき、そのＡｇの濃度が反射放熱層の膜厚方向
においてレーザ光の入射側で高く自由表面側ではＰｄの
濃度を高くした場合、ｘが６０％≦ｘ≦９０％の範囲内
においては亜硫酸ガスの雰囲気中でも熱伝導率や反射率
等の特性が劣化することはない。また、ディスク特性の
ジッター値も良好であり、繰り返し特性も優れているこ
とが分かる。ただし、ｘが９０％を超えると硫化の影響
が現れ始め、その特性は急激に劣化する。また、ｘが６
０％より小さい場合は熱伝導率が小さくなるため熱の放
熱効果が低下し、繰り返し後のジッター特性が劣化する
ことが分かる。さらにまた、記録層にＮ、Ｐ、Ｚｎ、
Ｃ、Ｃｌを添加した場合は実施例１０の結果からも分か
るように繰り返し特性が向上する。
に、反射放熱層に使用する材料としてＡｇXＰｄ1-X合金
を用いたとき、そのＡｇの濃度が反射放熱層の膜厚方向
においてレーザ光の入射側で高く自由表面側ではＰｄの
濃度を高くした場合、ｘが６０％≦ｘ≦９０％の範囲内
においては亜硫酸ガスの雰囲気中でも熱伝導率や反射率
等の特性が劣化することはない。また、ディスク特性の
ジッター値も良好であり、繰り返し特性も優れているこ
とが分かる。ただし、ｘが９０％を超えると硫化の影響
が現れ始め、その特性は急激に劣化する。また、ｘが６
０％より小さい場合は熱伝導率が小さくなるため熱の放
熱効果が低下し、繰り返し後のジッター特性が劣化する
ことが分かる。さらにまた、記録層にＮ、Ｐ、Ｚｎ、
Ｃ、Ｃｌを添加した場合は実施例１０の結果からも分か
るように繰り返し特性が向上する。
【００３７】
【発明の効果】以上のように、相変化型光記録媒体の反
射放熱層をＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉまたは
Ａｌ−Ｚｒの合金で、かつ、ＡｇまたはＡｌの濃度をレ
ーザ光の入射側で高く自由表面側に近づくほど低くし
て、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃度をレーザ
光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど高くなる濃
度勾配をつけて形成することによって、亜硫酸ガス雰囲
気中でも熱伝導率や反射率の劣化がなく、また、ディス
ク特性のジッター値も良好で、繰り返し特性も優れた相
変化型光記録媒体が得られる。
射放熱層をＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−Ｎｉまたは
Ａｌ−Ｚｒの合金で、かつ、ＡｇまたはＡｌの濃度をレ
ーザ光の入射側で高く自由表面側に近づくほど低くし
て、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒの濃度をレーザ
光の入射側で低く、自由表面側に近づくほど高くなる濃
度勾配をつけて形成することによって、亜硫酸ガス雰囲
気中でも熱伝導率や反射率の劣化がなく、また、ディス
ク特性のジッター値も良好で、繰り返し特性も優れた相
変化型光記録媒体が得られる。
【図１】相変化型光記録媒体の一例を示す概略断面図で
ある。
ある。
１ 基板 ２ 下部誘電体保護層 ３ 記録層 ４ 上部耐熱保護層 ５ 反射放熱層
Claims (8)
- 【請求項１】 基板上に少なくとも記録層および反射放
熱層を有する相変化型光記録媒体において、前記反射放
熱層がＡｇ−Ｐｄ、Ａｌ−Ｔｉ、Ａｌ−ＮｉまたはＡｌ
−Ｚｒの合金からなり、かつ、該反射放熱層の厚さ方向
において、前記合金を形成する金属元素のうちＡｇまた
はＡｌの濃度がレーザ光の入射側で高く自由表面側に近
づくほど低くなり、一方、Ｐｄ、Ｔｉ、ＮｉまたはＺｒ
の濃度がレーザ光の入射側で低く、自由表面側に近づく
ほど高くなる濃度勾配を有することを特徴とする相変化
型光記録媒体。 - 【請求項２】 請求項１記載の相変化型光記録媒体にお
いて、前記金属元素の濃度勾配に応じて前記反射放熱層
の厚さ方向に熱伝導率の勾配を有することを特徴とする
相変化型光記録媒体。 - 【請求項３】 請求項１記載の相変化型光記録媒体にお
いて、前記金属元素の濃度勾配に応じて前記反射放熱層
の厚さ方向に反射率の勾配を有することを特徴とする相
変化型光記録媒体。 - 【請求項４】 請求項２記載の相変化型光記録媒体にお
いて、前記熱伝導率が前記反射放熱層のレーザ光の入射
側で大きく、自由表面側に近づくほど小さくなることを
特徴とする相変化型光記録媒体。 - 【請求項５】 請求項３記載の相変化型光記録媒体にお
いて、前記反射率が前記反射放熱層のレーザ光の入射側
で高く、自由表面側に近づくほど低くなることを特徴と
する相変化型光記録媒体。 - 【請求項６】 請求項１〜５記載の相変化型光記録媒体
において、前記反射放熱層を形成するＡｇ−Ｐｄからな
る合金の組成がＡｇXＰｄ1-X（ただし、ｘが６０％≦ｘ
≦９０％の範囲にある）からなることを特徴とする相変
化型光記録媒体。 - 【請求項７】 請求項１〜６記載のいずれかの相変化型
光記録媒体において、前記記録層がＡｇ−Ｉｎ−Ｓｂ−
Ｔｅ−Ｘ（ただし、ＸはＮ、Ｐ、Ｚｎ、Ｃ、Ｃｌの中か
ら選択された少なくとも１種）からなることを特徴とす
る相変化型光記録媒体。 - 【請求項８】 請求項５または６記載の相変化型光記録
媒体において、反射放熱層のレーザ光入射側と自由表面
側との反射率の差が６％以上１５％以下であることを特
徴とする相変化型光記録媒体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322289A JPH11144320A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 相変化型光記録媒体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9322289A JPH11144320A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 相変化型光記録媒体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11144320A true JPH11144320A (ja) | 1999-05-28 |
Family
ID=18141981
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9322289A Pending JPH11144320A (ja) | 1997-11-07 | 1997-11-07 | 相変化型光記録媒体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11144320A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100421162C (zh) * | 2003-05-23 | 2008-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息存储介质及其制造方法 |
-
1997
- 1997-11-07 JP JP9322289A patent/JPH11144320A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100421162C (zh) * | 2003-05-23 | 2008-09-24 | 松下电器产业株式会社 | 光学信息存储介质及其制造方法 |
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|---|---|---|---|
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