JPH11136604A - 高精細リア型プロジェクションｔｖ - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 デジタル地上波放送に対応したコンパクトな
高精細リア型プロジェクションＴＶを低価格で提供する
こと。 【解決手段】 スクリーンサイズが２５〜３５インチ
で、スクリーン上に映し出された画素のピッチが０．５
ｍｍより小さいリア型プロジェクションＴＶが提供され
る。このリア型プロジェクションＴＶは、従来よりも高
い解像度を有し、デジタル地上波放送にも対応できる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明が属する技術分野】

【０００２】本発明は、アクティブマトリクス型の液晶
プロジェクションＴＶに関する。特に、デジタル放送に
も対応する高精細な液晶プロジェクションＴＶに関す
る。

【０００３】

【従来の技術】

【０００４】近年、ＡＴＶ（Ａｄｖａｎｃｅｄ ＴＶ）
への関心が高まってきている。これは、数年後に始まる
デジタル放送に対応したものである。

【０００５】１９９７年４月、米国連邦通信委員会（Ｆ
ＣＣ）は、デジタル地上波放送を１９９８年半ばから開
始することを正式に発表した。

【０００６】また数日後、米国マイクロソフト社、米国
インテル社、米コンパック・コンピュータ社の３社が、
共同でデジタル・テレビの普及を推進することを発表し
た。

【０００７】上記３社は、デジタル地上波放送の標準規
格として３つの画面フォーマットを提案している。この
標準規格は、ＨＤ０、ＨＤ１、およびＨＤ２と呼ばれて
おり、下記に示すような画素数を有する。

【０００８】

【０００９】上記の３つのフォーマットは、今後デジタ
ル地上波放送の標準規格となることはぽぼ間違いなく、
これらのフォーマットに対応した高精細ディスプレイの
開発が進められている。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】

【００１１】上記のようなフォーマット、特にＨＤ２
（１９２０×１０８０画素）に対応したディスプレイを
考えた場合、従来ディスプレイの代表としてよく用いら
れているＣＲＴでは、その奥行のために、かなり体積が
大きくなってしまう。

【００１２】そこで、近年注目を集めているフラットパ
ネルディスプレイが、上記のデジタル地上波放送に対応
したディスプレイとして関心を集めてきた。

【００１３】従来、フラットパネルディスプレイとして
用いられているものには、ＰＤＰ（Ｐｌａｓｍａ Ｄｉ
ｓｐｌａｙ Ｐａｎｅｌ）、ＰＡＬＣ（Ｐｌａｓｍａ
Ａｄｄｒｅｓｓｅｄ Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａ
ｌ）、直視型ＴＦＴ液晶等が挙げられる。

【００１４】まず、ＰＤＰあるいはＰＡＬＣを上記ＨＤ
２フォーマットに対応させた場合を考えてみる。ＰＤＰ
あるいはＰＡＬＣを作製する技術は、現在のところ画素
ピッチ０．５ｍｍが最高精細である。ここで画素ピッチ
とは、複数の同じサイズの画素が配列していると考え
て、画素の縦あるいは横の長さを言うものとする。画素
の縦と横の長さが同じであるとすると、画素ピッチ０．
５ｍｍで、上記ＨＤ２フォーマットに対応したＰＤＰあ
るいはＰＡＬＣを作製すると、横９６０ｍｍ、縦５４０
ｍｍ、対角約４３インチのＰＤＰあるいはＰＡＬＣとな
り、個人個人が楽しむためのディスプレイとしては、大
きすぎる。また、ディスプレイの大きさに対する視聴距
離を考慮に入れると、画素ピッチ０．５ｍｍでは画像が
粗すぎて、高精細な映像を十分に楽しむ事が出来ない。

【００１５】高精細な映像を個人個人が楽しむ為のディ
スプレイとしては、対角２５〜３５インチ程度が適当で
ある。ＰＤＰあるいはＰＡＬＣの場合、ＨＤ２フォーマ
ットに対応する対角２５〜３５インチ程度の製品を作製
する為には、画素ピッチを０．２８〜０．４ｍｍとする
必要がある。このようなＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製
することは、現在の技術では不可能であり、生産工場の
フォトラインの再構築が要求される。

【００１６】工場のフォトラインの再構成には莫大な費
用と時間がかかり、現実的ではない。よって、ＨＤ２フ
ォーマットに対応したＰＤＰあるいはＰＡＬＣを作製す
ることは難しいと考えられる。

【００１７】次に、直視型のＴＦＴ液晶パネルを例にと
ってみる。ＨＤ２フォーマットに対応する直視型のＴＦ
Ｔ液晶パネルを対角２５〜３５インチで作製することは
可能ではあるが、その歩留まりの低さを考慮すると、コ
スト的に釣り合いが取れないことが理解される。

【００１８】よって、数年後に迫っているデジタル地上
波放送に対応したディスプレイを、フラットパネルディ
スプレイで実現することは困難である。

【００１９】そこで、本発明は上述した問題を鑑みてな
されたものであり、デジタル地上波放送のフォーマット
にも対応した、個人が楽しむ為の大きさとしては十分で
ある対角２５〜３５インチの高精細かつコンパクトなデ
ィスプレイを低価格で提供することを目的とする。

【００２０】

【課題を解決するための手段】

【００２１】本発明のある実施形態によると、本体と、
スクリーンと、光源と、前記光源からの光を入射し、前
記光に映像情報を与える光学モジュールと、映像情報が
与えられた前記光をスクリーンに照射する光学手段と、
を少なくとも備えた高精細リア型プロジェクションＴＶ
であって、前記モジュールは、複数の画素を備えてお
り、前記スクリーンに照射される画素のピッチは、０．
５ｍｍよりも小さい高精細リア型プロジェクションＴＶ
が提供される。このことによって上記目的が達成され
る。

【００２２】前記光学モジュールは、液晶パネルであっ
てもよい。

【００２３】前記スクリーンのサイズは、２５〜３５イ
ンチであってもよい。

【００２４】前記液晶パネルは、水平方向の画素数が１
９２０であり、かつ垂直方向の画素数が１０８０であっ
てもよい。

【００２５】前記スクリーンに照射される画素のピッチ
は、０．３４ｍｍ以下であってもよい。

【００２６】前記液晶パネルの画素ピッチは、３２μｍ
以下であってもよい。

【００２７】前記スクリーンの角度を変更することがで
きる機構を更に備えていてもよい。

【００２８】角度調節機能付き台を更に備えていてもよ
い。

【００２９】また、本発明のある実施形態によると、本
体と、スクリーンと、光源と、前記光源からの光を入射
し、前記光に映像情報を与える光学モジュールと、映像
情報が与えられた前記光をスクリーンに照射する光学手
段と、を少なくとも備えた高精細リア型プロジェクショ
ンＴＶであって、前記モジュールは、複数の画素を備え
ており、前記スクリーンに照射される画素の面積は、
０．２５ｍｍ² 以下である高精細リア型プロジェクショ
ンＴＶが提供される。このことによって上記目的が達成
される。

【００３０】前記光学モジュールは、液晶パネルであっ
てもよい。

【００３１】前記液晶パネルの画素の面積は、１１００
μｍ²以下であってもよい。

【００３２】以下に述べる実施例をもって、本発明の高
精細リア型プロジェクションＴＶの詳細について説明す
る。

【００３３】

【実施例】

【００３４】（実施例１）

【００３５】本実施例では、高性能なＴＦＴ（薄膜トラ
ンジスタ）を備えた高精細なリア型プロジェクションＴ
Ｖについて説明する。なお、本実施例のリア型プロジェ
クションＴＶは、光源からの光に画像情報を与える光学
モジュールとして、１９２０×１０８０（水平方向の画
素数×垂直方向の画素数）の画素を有する液晶パネルを
３枚用いた。

【００３６】図１を参照する。図１は、本実施例のリア
型プロジェクションＴＶに用いられる液晶パネルのアク
ティブマトリクス基板側の上面図である。

【００３７】１００は基板である。１０１は画素マトリ
クス回路であり、対角２．６インチのスペースに配置さ
れた１９２０×１０８０（水平方向の画素数×垂直方向
の画素数）の画素１０７によって構成されている。な
お、各画素１０７は、それぞれＴＦＴを備えている。ま
た、画素マトリクス回路には上記の画素ＴＦＴの他に、
表示に関与しないダミーのＴＦＴも幾つか配置されてい
る。

【００３８】画素マトリクス回路１０１の一部を拡大し
た図が矢印によって示されている。画素１０７に注目す
ると、本実施例の画素サイズは３２μｍ×３２μｍであ
ることが理解される。よって本実施例の液晶パネルの画
素ピッチは、３２μｍである。

【００３９】なお、本実施例では、画素の面積は１０２
４μｍ²であるが、約１１００μｍ以下であることが好
ましい。

【００４０】また、本実施例では、画素の形状は正方形
としたが、長方形とすることも可能である。

【００４１】１０２および１０３はソース側ドライバ回
路であり、１０４はゲイト側ドライバ回路である。ゲイ
ト側ドライバ回路１０４からの走査信号と、ソース側ド
ライバ回路１０２、１０３からの階調電圧信号とによっ
て、画素マトリクス回路１０１の対応するＴＦＴがスイ
ッチングされる。なお、ソース側ドライバ回路１０２は
画素マトリクス回路１０１の奇数列のＴＦＴに、かつソ
ース側ドライバ回路１０３は画素マトリクス回路１０１
の偶数列のＴＦＴに階調電圧信号を供給する。なお、本
実施例のドライバ回路は、８ビットのデジタルドライバ
回路である。

【００４２】１０５および１０６はロジック回路であ
り、パルスジェネレータ、分割回路、補正回路、ＬＣＤ
コントローラ、メモリ等のドライバ回路以外の論理回路
が含まれる。

【００４３】なお基板１００には、この他に、ＦＰＣ
（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ Ｐｒｉｎｔ Ｃｉｒｃｕｉｔ）等
が設けられる。

【００４４】このアクティブマトリクス基板と、透明電
極を備えた対向基板（図示せず）とをシール剤（図示せ
ず）を介して貼り合せ、液晶（図示せず）を注入し、封
止剤（図示せず）でもって液晶注入口を封止する。この
ようにして完成したものが液晶パネルである。

【００４５】次に、本実施例の液晶パネルを組み込んだ
３板式リア型プロジェクションＴＶについて説明する。

【００４６】図２を参照する。図２には、本実施例の３
板式リア型プロジェクションＴＶの光学エンジン２００
の概略構成図が示されている。２０１は光源であり、白
色光を供給する。２０２および２０３はダイクロイック
ミラーであり、それぞれある波長領域の光を反射し、残
りの光を透過させる。本実施例では、ダイクロイックミ
ラー２０２は赤の波長領域の光を反射し、ダイクロイッ
クミラー２０３は青の波長領域の光を反射する。なお本
実施例では、それぞれ赤、青の波長領域の光を反射する
ような２つのダイクロイックミラー２０２、２０３を用
いたが、本発明はこれに限定される分けではない。赤、
青、あるいは緑の波長領域の光を反射するダイクロイッ
クミラーをいずれか２枚組み合わせることによって、本
発明のリア型プロジェクションＴＶの光学エンジンが構
成され得る。

【００４７】２０４、２０５、および２０６は全反射ミ
ラーである。２０７、２０８、および２０９は透過型液
晶パネルであり、後述するが、駆動回路が基板上に一体
形成されている。透過型液晶パネ２０７には赤の光が入
射し、透過型液晶パネル２０８には青の光が入射し、透
過型液晶パネル２０９には緑の光が入射する。２１０は
ダイクロイックプリズムであり、３枚の透過型液晶パネ
ルからの映像情報を合成し、投射レンズ２１１に供給す
る。

【００４８】上記の構成を有する光学エンジン２００
が、リア型プロジェクションＴＶに組み込まれる。図３
（Ａ）および（Ｂ）には、上記の光学エンジン２００が
組み込まれたリア型液晶プロジェクションＴＶの側面図
および斜視図が示されている。

【００４９】３０１はリア型プロジェクションＴＶ本体
である。３０２はリフレクターであり、光学エンジン２
００から照射される映像をスクリーン３０３に向かって
反射させるミラーの役割を果たしている。

【００５０】本実施例のリア型プロジェクションＴＶの
奥行きは、図３（Ａ）に示されているように約２０ｃｍ
である。なお、この奥行きは、光学エンジンの投射レン
ズ、その他の光学系の設計を変更することによって変え
ることができる。よって、本実施例のリア型プロジェク
ションＴＶの奥行きは、これに限定されることはない
が、コンパクト化を実現するためには出来る限り小さい
方が好ましい。

【００５１】図３（Ｂ）は、リア型プロジェクションＴ
Ｖの斜視図である。本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶは、スクリーン（あるいはスクリーンに映し出され
る映像）のサイズは、対角３０インチである。

【００５２】図４には、本実施例のリア型プロジェクシ
ョンＴＶの前面図が示されており、スクリーンの一部を
拡大した図が示されている。

【００５３】図４において、スクリーンの一部を拡大し
た図に注目すると、スクリーン上に映し出される画素の
サイズは、本実施例では約０．３４ｍｍ×約０．３４ｍ
ｍである。よって、スクリーン上に映し出される画素の
ピッチは、０．３４ｍｍである。また、スクリーン上に
映し出される画素の面積は、０．１１５６ｍｍ²であ
る。

【００５４】また、スクリーン上に映し出される画素の
ピッチは、０．５ｍｍよりも小さいことが好ましい。ま
た、スクリーン上に映し出される画素の面積は、０．２
５ｍｍ² 以下であることが好ましい。

【００５５】また、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶのスクリーンのサイズは、１６：９（横：縦）とな
っているが、これに限定されるわけではない。たとえ
ば、４：３などのサイズのスクリーンを用いることがで
きる。これに応じて液晶パネルの画素のサイズを変更す
ることが必要となる。

【００５６】図５には、本実施例のリア型プロジェクシ
ョンＴＶの下部に角度調節機能付きの台５０１付けた例
を示す。なお、図５（Ｂ）〜（Ｄ）には、本実施例のリ
ア型プロジェクションＴＶをパーソナルコンピュータな
どのコントロールシステム５０２の上に置いた場合を示
している。

【００５７】本実施例のリア型プロジェクションＴＶ
は、その奥行きが約２０ｃｍなので、角度調節機能付き
の台５０１によって前後に±θ₁だけ傾斜させることが
できる（図５（Ｂ））。また図５（Ｂ）に示されるよう
に、このθ₁は、本実施例のリア型プロジェクションＴ
Ｖの後部が後ろに出っ張らない角度範囲であることが好
ましい。こうすることによって、上下の視野角を補償す
ることができる。

【００５８】また、角度調節機能付きの台５０１によっ
て、リア型プロジェクションＴＶを正面から左右に回転
させることができるので、本体３０１を見やすい位置に
自由に回転させることもできる。

【００５９】また、図５（Ｃ）には、本実施例のリア型
プロジェクションＴＶのスクリーン３０３の角度がθ₂
だけ変更できる様子が示されている。スクリーン３０３
の上下方向の角度を変更することによって上記図５
（Ｂ）と同等の効果を得ることができる。

【００６０】また、図５（Ｄ）には、本実施例のリア型
プロジェクションＴＶの上面図が示されている。図５
（Ｄ）に示されうように、スクリーン３０３の左右方向
の角度もθ₃ だけ変更することができる。

【００６１】但し、スクリーン３０３の角度を変更する
場合は、それに伴いリフレクターの位置、光学系の位
置、あるいは光学エンジンの位置などを変更する必要が
ある。よって、スクリーン３０３の角度を変更する際に
は同時に、これらの部品も適切な位置に変更されなけれ
ばならない。よって、これらの位置を同時に変更できる
ような機構を備えている。

【００６２】次に、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶの光学エンジンに搭載されている液晶パネルの作製
工程について説明する。

【００６３】本実施例では絶縁表面を有する基板上に複
数のＴＦＴを形成し、画素マトリクス回路、駆動回路、
およびロジック回路等をモノリシックに構成する例を図
６〜図９に示す。なお、本実施例では、画素マトリクス
回路の１つの画素と、他の回路（駆動回路、ロジック回
路等）の基本回路であるＣＭＯＳ回路とが同時に形成さ
れる様子を示す。また、本実施例では、Ｐチャンネル型
ＴＦＴとＮチャンネル型ＴＦＴとがそれぞれ１つのゲイ
ト電極を備えている場合について、その作製工程を説明
するが、ダブルゲイト型のような複数のゲイト電極を備
えたＴＦＴによるＣＭＯＳ回路も同様に作製することが
できる。

【００６４】図６を参照する。まず、絶縁表面を有する
基板として石英基板６０１を準備する。石英基板の代わ
りに熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いることもで
きる。また、石英基板上に一旦非晶質珪素膜を形成し、
それを完全に熱酸化して絶縁膜とする様な方法をとって
も良い。さらに、絶縁膜として窒化珪素膜を形成した石
英基板、セラミックス基板またはシリコン基板を用いて
も良い。

【００６５】６０２は非晶質珪素膜であり、最終的な膜
厚（熱酸化後の膜減りを考慮した膜厚）が１０〜７５ｎ
ｍ（好ましくは１５〜４５ｎｍ）となる様に調節する。
なお、成膜に際して膜中の不純物濃度の管理を徹底的に
行うことは重要である。

【００６６】なお、非晶質珪素膜の成膜に際して膜中の
不純物濃度の管理を徹底的に行うことが重要である。本
実施例の場合、非晶質珪素膜６０２中では結晶化を阻害
する不純物であるＣ（炭素）およびＮ（窒素）の濃度は
いずれも５×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満（代表的に
は５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、好ましくは２×
１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下）、Ｏ（酸素）は１．５
×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³未満（代表的には１×１０
¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、好ましくは５×１０¹⁷ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³以下）となる様に管理する。なぜならば
各不純物がこれ以上の濃度で存在すると、後の結晶化の
際に悪影響を及ぼし、結晶化後の膜質を低下させる原因
となるからである。本明細書中において膜中の上記の不
純物元素濃度は、ＳＩＭＳ（質量２次イオン分析）の測
定結果における最小値で定義される。

【００６７】上記構成を得るため、本実施例で用いる減
圧熱ＣＶＤ炉は定期的にドライクリーニングを行い、成
膜室の清浄化を図っておくことが望ましい。ドライクリ
ーニングは、２００〜４００℃程度に加熱した炉内に１
００〜３００ｓｃｃｍのＣｌＦ₃ （フッ化塩素）ガスを
流し、熱分解によって生成したフッ素によって成膜室の
クリーニングを行えば良い。

【００６８】なお、本出願人の知見によれば炉内温度３
００℃とし、ＣｌＦ₃ （フッ化塩素）ガスの流量を３０
０ｓｃｃｍとした場合、約２μｍ厚の付着物（主に珪素
を主成分する）を４時間で完全に除去することができ
る。

【００６９】また、非晶質珪素膜６０２中の水素濃度も
非常に重要なパラメータであり、水素含有量を低く抑え
た方が結晶性の良い膜が得られる様である。そのため、
非晶質珪素膜６０２の成膜は減圧熱ＣＶＤ法であること
が好ましい。なお、成膜条件を最適化することでプラズ
マＣＶＤ法を用いることも可能である。

【００７０】次に、非晶質珪素膜６０２の結晶化工程を
行う。結晶化の手段としては特開平７−１３０６５２号
公報記載の技術を用いる。同公報の実施例１および実施
例２のどちらの手段でも良いが、本実施例では、同広報
の実施例２に記載した技術内容（特開平８−７８３２９
号公報に詳しい）を利用するのが好ましい。

【００７１】特開平８−７８３２９号公報記載の技術
は、まず触媒元素の添加領域を選択するマスク絶縁膜６
０３を形成する。マスク絶縁膜６０３は触媒元素を添加
するために複数箇所の開口部を有している。この開口部
の位置によって結晶領域の位置を決定することができ
る。

【００７２】そして、非晶質珪素膜の結晶化を助長する
触媒元素としてニッケル（Ｎｉ）を含有した溶液をスピ
ンコート法により塗布し、Ｎｉ含有層６０４を形成す
る。なお、触媒元素としてはニッケル以外にも、コバル
ト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジウム（Ｐｄ）、ゲルマ
ニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、銅（Ｃｕ）、金（Ａ
ｕ）等を用いることができる（図６（Ａ））。

【００７３】また、上記触媒元素の添加工程は、レジス
トマスクを利用したイオン注入法またはプラズマドーピ
ング法を用いることもできる。この場合、添加領域の占
有面積の低減、横成長領域の成長距離の制御が容易とな
るので、微細化した回路を構成する際に有効な技術とな
る。

【００７４】次に、触媒元素の添加工程が終了したら、
４５０℃で１時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、
水素雰囲気または酸素雰囲気中において５００〜７００
℃（代表的には５５０〜６５０℃）の温度で４〜２４時
間の加熱処理を加えて非晶質珪素膜６０２の結晶化を行
う。本実施例では窒素雰囲気で５７０℃で１４時間の加
熱処理を行う。

【００７５】この時、非晶質珪素膜６０２の結晶化はニ
ッケルを添加した領域６０５および６０６で発生した核
から優先的に進行し、基板６０１の基板面に対してほぼ
平行に成長した結晶領域６０７および６０８が形成され
る。この結晶領域６０７および６０８を横成長領域と呼
ぶ。横成長領域は比較的揃った状態で個々の結晶が集合
しているため、全体的な結晶性に優れるという利点があ
る（図６（Ｂ））。

【００７６】なお、上述の特開平７−１３０６５２号公
報の実施例１に記載された技術を用いた場合も微視的に
は横成長領域と呼びうる領域が形成されている。しかし
ながら、核発生が面内において不均一に起こるので結晶
粒界の制御性の面で難がある。

【００７７】結晶化のための加熱処理が終了したら、マ
スク絶縁膜６０３を除去してパターニングを行い、横成
長領域６０７および６０８でなる島状半導体層（活性
層）６０９、６１０、および６１１を形成する（図６
（Ｃ））。

【００７８】ここで６０９はＣＭＯＳ回路を構成するＮ
型ＴＦＴの活性層、６１０はＣＭＯＳ回路を構成するＰ
型ＴＦＴの活性層、６１１は画素マトリクス回路を構成
するＮ型ＴＦＴ（画素ＴＦＴ）の活性層である。

【００７９】活性層６０９、６１０、および６１１を形
成したら、その上に珪素を含む絶縁膜でなるゲイト絶縁
膜６１２を成膜する（図６（Ｃ））。

【００８０】そして、次に図６（Ｄ）に示す様に触媒元
素（ニッケル）を除去または低減するための加熱処理
（触媒元素のゲッタリングプロセス）を行う。この加熱
処理は処理雰囲気中にハロゲン元素を含ませ、ハロゲン
元素による金属元素のゲッタリング効果を利用するもの
である。

【００８１】なお、ハロゲン元素によるゲッタリング効
果を十分に得るためには、上記加熱処理を７００℃を超
える温度で行なうことが好ましい。この温度以下では処
理雰囲気中のハロゲン化合物の分解が困難となり、ゲッ
タリング効果が得られなくなる恐れがある。

【００８２】そのため本実施例ではこの加熱処理を７０
０℃を超える温度で行い、好ましくは８００〜１０００
℃（代表的には９５０℃）とし、処理時間は０．１〜６
ｈｒ、代表的には０．５〜１ｈｒとする。

【００８３】なお、本実施例では酸素雰囲気中に対して
塩化水素（ＨＣｌ）を０．５〜１０体積％（本実施例で
は３体積％）の濃度で含有させた雰囲気中において、９
５０℃で、３０分の加熱処理を行う例を示す。ＨＣｌ濃
度を上記濃度以上とすると、活性層６０９、６１０、お
よび６１１の表面に膜厚程度の凹凸が生じてしまうため
好ましくない。

【００８４】また、ハロゲン元素を含む化合物してＨＣ
ｌガスを用いる例を示したが、それ以外のガスとして、
代表的にはＨＦ、ＮＦ₃、ＨＢｒ、Ｃｌ₂、ＣｌＦ₃、Ｂ
Ｃｌ₂、Ｆ₂、Ｂｒ₂等のハロゲンを含む化合物から選ば
れた一種または複数種のものを用いることが出来る。

【００８５】この工程においては活性層６０９、６１
０、および６１１中のニッケルが塩素の作用によりゲッ
タリングされ、揮発性の塩化ニッケルとなって大気中へ
離脱して除去されると考えられる。そして、この工程に
より活性層６０９、６１０、および６１１中のニッケル
の濃度は５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下にまで低減
される。

【００８６】なお、５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³とい
う値はＳＩＭＳ（質量二次イオン分析）の検出下限であ
る。本出願人が試作したＴＦＴを解析した結果、１×１
０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下（好ましくは５×１０¹⁷ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ³以下）ではＴＦＴ特性に対するニッケ
ルの影響は確認されなかった。ただし、本明細書中にお
ける不純物濃度は、ＳＩＭＳ分析の測定結果の最小値で
もって定義される。

【００８７】また、上記加熱処理により活性層６０９、
６１０、および６１１とゲイト絶縁膜６１２との界面で
は熱酸化反応が進行し、熱酸化膜の分だけゲイト絶縁膜
６１２の膜厚は増加する。この様にして熱酸化膜を形成
すると、非常に界面準位の少ない半導体／絶縁膜界面を
得ることができる。また、活性層端部における熱酸化膜
の形成不良（エッジシニング）を防ぐ効果もある。

【００８８】また、触媒元素のゲッタリングプロセス
を、マスク絶縁膜６０３を除去した後、活性層をパター
ンニングする前に行なってもよい。また、触媒元素のゲ
ッタリングプロセスを、活性層をパターンニングした後
に行なってもよい。また、いずれのゲッタリングプロセ
スを組み合わせて行なってもよい。

【００８９】さらに、上記ハロゲン雰囲気における加熱
処理を施した後に、窒素雰囲気中で９５０℃で１時間程
度の加熱処理を行なうことで、ゲイト絶縁膜６１２の膜
質の向上を図ることも有効である。

【００９０】なお、ＳＩＭＳ分析により活性層６０９、
６１０、および６１１中にはゲッタリング処理に使用し
たハロゲン元素が、１×１０¹⁵ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜１
×１０²⁰ａｔｏｍｓ／ｃｍ³の濃度で残存することも確
認されている。また、その際、活性層６０９、６１０、
および６１１と加熱処理によって形成される熱酸化膜と
の間に前述のハロゲン元素が高濃度に分布することがＳ
ＩＭＳ分析によって確かめられている。

【００９１】また、他の元素についてもＳＩＭＳ分析を
行った結果、代表的な不純物であるＣ（炭素）、Ｎ（窒
素）、Ｏ（酸素）、Ｓ（硫黄）はいずれも５×１０¹⁸ａ
ｔｏｍｓ／ｃｍ³未満（典型的には１×１０¹⁸ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ³以下）であることが確認された。

【００９２】次に、図示しないアルミニウムを主成分と
する金属膜を成膜し、パターニングによって後のゲイト
電極の原型６１３、６１４、および６１５を形成する。
本実施例では２ｗｔ％のスカンジウムを含有したアルミ
ニウム膜を用いる（図７（Ａ））。

【００９３】次に、特開平７−１３５３１８号公報記載
の技術により多孔性の陽極酸化膜６１６、６１７、およ
び６１８、無孔性の陽極酸化膜６１９、６２０、および
６２１、ゲイト電極６２２、６２３、および６２４を形
成する（図７（Ｂ））。

【００９４】こうして図７（Ｂ）の状態が得られたら、
次にゲイト電極６２２、６２３、および６２４、多孔性
の陽極酸化膜６１６、６１７、および６１８をマスクと
してゲイト絶縁膜６１２をエッチングする。そして、多
孔性の陽極酸化膜６１６、６１７、および６１８を除去
して図７（Ｃ）の状態を得る。なお、図７（Ｃ）におい
て６２５、６２６、および６２７で示されるのは加工後
のゲイト絶縁膜である。

【００９５】次に、一導電性を付与する不純物元素の添
加工程を行う。不純物元素としてはＮ型ならばＰ（リ
ン）またはＡｓ（砒素）、Ｐ型ならばＢ（ボロン）また
はＧａ（ガリウム）を用いれば良い。

【００９６】本実施例では、不純物添加を２回の工程に
分けて行う。まず、１回目の不純物添加（本実施例では
Ｐ（リン）を用いる）を高加速電圧８０ｋｅＶ程度で行
い、ｎ^-領域を形成する。このｎ^-領域は、Ｐイオン濃度
が１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜１×１０¹⁹ａｔｏｍ
ｓ／ｃｍ³となるように調節する。

【００９７】さらに、２回目の不純物添加を低加速電圧
１０ｋeＶ程度で行い、ｎ⁺領域を形成する。この時は、
加速電圧が低いので、ゲイト絶縁膜がマスクとして機能
する。また、このｎ⁺領域は、シート抵抗が５００Ω以
下（好ましくは３００Ω以下）となるように調節する。

【００９８】以上の工程を経て、ＣＭＯＳ回路を構成す
るＮ型ＴＦＴのソース領域６２８、ドレイン領域６２
９、低濃度不純物領域６３０、チャネル形成領域６３１
が形成される。また、画素ＴＦＴを構成するＮ型ＴＦＴ
のソース領域６３２、ドレイン領域６３３、低濃度不純
物領域６３４、チャネル形成領域６３５が確定する（図
７（Ｄ））。

【００９９】なお、図７（Ｄ）に示す状態ではＣＭＯＳ
回路を構成するＰ型ＴＦＴの活性層もＮ型ＴＦＴの活性
層と同じ構成となっている。

【０１００】次に、図８（Ａ）に示すように、Ｎ型ＴＦ
Ｔを覆ってレジストマスク６３６を設け、Ｐ型を付与す
る不純物イオン（本実施例ではボロンを用いる）の添加
を行う。

【０１０１】この工程も前述の不純物添加工程と同様に
２回に分けて行うが、Ｎ型をＰ型に反転させる必要があ
るため、前述のＰイオンの添加濃度の数倍程度の濃度の
Ｂ（ボロン）イオンを添加する。

【０１０２】こうしてＣＭＯＳ回路を構成するＰ型ＴＦ
Ｔのソース領域６３７、ドレイン領域６３８、低濃度不
純物領域６３９、チャネル形成領域６４０が形成される
（図８（Ａ））。

【０１０３】以上の様にして活性層が完成したら、ファ
ーネスアニール、レーザーアニール、ランプアニール等
の組み合わせによって不純物イオンの活性化を行う。そ
れと同時に添加工程で受けた活性層の損傷も修復され
る。

【０１０４】次に、層間絶縁膜６４１として酸化珪素膜
と窒化珪素膜との積層膜を形成し、コンタクトホールを
形成した後、ソース電極６４２、６４３、および６４
４、ドレイン電極６４５、６４６を形成して図８（Ｂ）
に示す状態を得る。なお、層間絶縁膜６４１として有機
性樹脂膜を用いることもできる。

【０１０５】図８（Ｂ）に示す状態が得られたら、有機
性樹脂膜からなる第１の層間絶縁膜６４７を０．５〜３
μｍの厚さに形成する。有機性樹脂膜としては、ポリイ
ミド、アクリル、ポリイミドアミド等が用いられる。有
機性樹脂膜の利点は、成膜方法が簡単である点、容易に
膜厚を厚くできる点、比誘電率が低いので寄生容量を低
減できる点、平坦性に優れている点などが挙げられる。

【０１０６】次に、第１の層間絶縁膜６４７上に遮光性
を有する膜でなるブラックマスク６４８を１００ｎｍの
厚さに形成する。なお、本実施例では、ブラックマスク
６４８としてチタン膜を用いるが、黒色顔料を含む樹脂
膜等を用いることもできる。

【０１０７】ブラックマスク６４８を形成したら、第２
の層間絶縁膜６４９として酸化珪素膜、窒化珪素膜、有
機性樹脂膜のいずれかまたはそれらの積層膜を０．１〜
０．３μｍの厚さに形成する。そして層間絶縁膜６４７
および層間絶縁膜６４９にコンタクトホールを形成し、
画素電極６５０を１２０ｎｍの厚さに形成する。本実施
例の構成によると、ブラックマスク６４８と画素電極６
５０とが重畳する領域で補助容量が形成されている（図
８（Ｃ））。なお、本実施例は透過型の液晶パネルの例
であるため画素電極６５０を構成する導電膜としてＩＴ
Ｏ等の透明導電膜を用いる。

【０１０８】次に、基板全体を３５０℃の水素雰囲気で
１〜２時間加熱し、素子全体の水素化を行うことで膜中
（特に活性層中）のダングリングボンド（不対結合手）
を補償する。以上の工程を経て同一基板上にＣＭＯＳ回
路および画素マトリクス回路を作製することができる。

【０１０９】次に、図９に示すように、上記の工程によ
って作製されたアクティブマトリクス基板をもとに、液
晶パネルを作製する工程を説明する。

【０１１０】図８（Ｃ）の状態のアクティブマトリクス
基板に配向膜６５１を形成する。本実施例では、配向膜
６５１には、ポリイミドを用いた。次に、対向基板を用
意する。対向基板は、ガラス基板６５２、透明導電膜６
５３、配向膜６５４とで構成される。

【０１１１】なお、本実施例では、配向膜には、液晶分
子が基板に対して平行に配向するようなポリイミド膜を
用いた。なお、配向膜形成後、ラビング処理を施すこと
により、液晶分子がある一定のプレチルト角を持って平
行配向するようにした。

【０１１２】次に、上記の工程を経たアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを公知のセル組み工程によって、
シール材やスペーサ（共に図示せず）などを介して貼り
合わせる。その後、両基板の間に液晶材料６５５を注入
し、封止剤（図示せず）によって完全に封止する。よっ
て、図９に示すような透過型の液晶パネルが完成する。

【０１１３】なお本実施例では、液晶パネルがＴＮ（ツ
イストネマチック）モードによって表示を行うようにし
た。そのため、１対の偏光板（図示せず）がクロスニコ
ル（１対の偏光板が、それぞれの偏光軸を直交させるよ
うな状態）で、液晶パネルを挟持するように配置され
た。

【０１１４】よって、本実施例では、液晶パネルに電圧
が印加されていないとき白表示となる、いわゆるノーマ
リホワイトモードで表示を行うことが理解される。

【０１１５】なお、本実施例の液晶パネルは、ＦＰＣを
取り付ける端面のみアクティブマトリクス基板が外部に
出ており、残りの３つの端面は揃っている。

【０１１６】上記の工程を経て作製された液晶パネル
が、光学エンジンに搭載され、リア型プロジェクション
ＴＶに組み込まれる。

【０１１７】なお、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶは、搭載される液晶パネルの画素ピッチを３２μｍ
とし、スクリーンサイズを３０インチとしたため、スク
リーン上に映し出される画素のピッチは０．３４ｍｍと
なった。しかし、スクリーンサイズは３０インチに限定
されることはなく、２５〜３５インチのサイズをとるこ
とができる。スクリーンのサイズが２５〜３５インチと
なっても、光学系を変更することによって、液晶パネル
の画素ピッチのデザインを変更することなく対応でき
る。

【０１１８】また、液晶パネルの画素ピッチを３２μｍ
より大きく、あるいは３２μｍより小さくした場合で
も、光学系を変更することによって上記のような様々な
スクリーンサイズに適応させることができる。

【０１１９】また、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶは、１９２０×１０８０画素よりも更に高精細とす
ることも可能である。例えば、２０４８×２０４８画素
などの更に高精細なリア型プロジェクションＴＶとする
こともできる。また、本実施例の解像度よりも低くする
ことも可能である。

【０１２０】次に、本実施例に従って作製した液晶パネ
ルのＴＦＴの電気特性を調べた結果について以下に述べ
る。測定は市販の装置（ヒューレットパッカード社製：
型番４１４５Ｂ）を用いて行なった。

【０１２１】図１４を参照する。図１４には、本実施例
に従って作製したＴＦＴを積極的に加熱し、その状態で
繰り返し測定による劣化加速試験を行なった時の結果が
示されている。

【０１２２】図１４（Ａ）には、ＴＦＴのＬ／Ｗ（チャ
ネル長／チャネル幅）が、６．６μｍ／２μｍのトリプ
ルゲイト型ＴＦＴを室温で測定した結果であり、図１４
（Ｂ）は、同じトリプルゲイト型ＴＦＴを１２５℃に加
熱して調べた結果である。

【０１２３】図１４（Ａ）に示すように、室温で劣化加
速試験を行なった場合、イニシャル状態のＩｄ−Ｖｇ特
性（ドレイン電流−ゲイト電圧特性）１４０１（実線）
と劣化加速試験のＩｄ−Ｖｇ特性１４０２（点線）とで
は変化が見られないが、イニシャル状態のモビリティ１
４０３（実線）に対して劣化加速試験のモビリティ１４
０４（点線）は、最大値で２０％近くも劣化している。

【０１２４】一方、図１４（Ｂ）に示すように、１２５
℃で加熱した状態で劣化加速試験を行なった場合、イニ
シャル状態のＩｄ−Ｖｇ特性１４０５（実線）および劣
化加速試験後のＩｄ−Ｖｇ特性１４０６（点線）には、
ほとんど変化が見られず、イニシャル状態のモビリティ
１４０７（実線）と劣化加速試験後のモビリティ１４０
８（点線）との間にも大きな変化は見られなかった。

【０１２５】以上の結果から、本発明の液晶パネルに使
用されるＴＦＴは、熱を加えることで劣化しにくくなる
性質を持つことが確認された。この効果は、８０℃以上
で顕著になり、２５０℃程度まで確認されている。本出
願人の実験では、１００℃〜２００℃の温度範囲内で安
定な効果が得られている。

【０１２６】上述した、熱によりＴＦＴの劣化を防ぐこ
とができる、あるいは抑制することができるという効果
は、本願発明で利用するＴＦＴに特有のものである。本
出願人がいわゆる低温ポリシリコンに対して上記と同様
の測定を行なった結果、加熱によりしきい値電圧（Ｖｔ
ｈ）が大きくシフトしてしまい、特性の顕著な劣化が見
られた。

【０１２７】なお、低温ポリシリコンとしてニッケルの
ような触媒元素を使用して結晶化させたものと、触媒元
素を使用せずレーザーアニール飲みで結晶化させたもの
とを調べたが、いずれの場合も結果は同じであり、特性
の顕著な劣化が見られた。

【０１２８】上述した測定結果からもわかるように本発
明に用いられるＴＦＴは、加熱による特性の劣化防止あ
るいは抑制に優れている。よって、本実施例のプロジェ
クションＴＶに組み込まれる、強い光源にさらされる液
晶パネルにこのようなＴＦＴを用いることは、その優れ
た特性を十分に活用できると考えられる。

【０１２９】（実施例２）

【０１３０】本実施例では、上記実施例１において光学
エンジンに搭載された液晶パネルのデザインルールを変
更した場合の例について説明する。

【０１３１】図１０を参照する。図１０には、本実施例
の液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面図が示
される。

【０１３２】１０００は基板である。１００１は画素マ
トリクス回路であり、対角１．８インチのスペースに配
置された１９２０×１０８０（水平方向の画素数×垂直
方向の画素数）の画素１００６によって構成されてい
る。なお、各画素１００６は、実施例１と同様に、それ
ぞれＴＦＴを備えている。また、画素マトリクス回路に
は上記の画素ＴＦＴの他に、表示に関与しないダミーの
ＴＦＴも幾つか配置されている。

【０１３３】画素マトリクス回路１００１の一部を拡大
した図が矢印によって示されている。画素１００６に注
目すると、本実施例の画素サイズは２２μｍ×２２μｍ
であることが理解される。よって本実施例の液晶パネル
の画素ピッチは、２２μｍである。また、画素の面積
は、４８４μｍ²である。

【０１３４】また、本実施例では、画素の形状は正方形
としたが、長方形とすることも可能である。

【０１３５】１０２および１０３はソース側ドライバ回
路であり、１０４はゲイト側ドライバ回路である。な
お、本実施例のドライバ回路は、８ビットのデジタルド
ライバ回路である。

【０１３６】図１１には、本実施例の液晶パネルを搭載
した光学エンジンを組み込んだリア型プロジェクション
ＴＶの前面図が示される。

【０１３７】本実施例のリア型液晶プロジェクションＴ
Ｖは、スクリーン（あるいはスクリーンに映し出される
映像）のサイズは、対角２５インチである。

【０１３８】図１１には、スクリーンの一部を拡大した
図が示されている。図１１において、スクリーンの一部
を拡大した図に注目すると、スクリーン上に映し出され
る画素のサイズは、本実施例では約０．２８ｍｍ×約
０．２８ｍｍである。よって、スクリーン上に映し出さ
れる画素ピッチは、０．２８ｍｍである。また、スクリ
ーン上に映し出される画素の面積は、０．０７８４ｍｍ
²である。

【０１３９】本実施例の液晶パネルは、実施例１で述べ
た製造方法によって作製され得る。また、本実施例のリ
ア型プロジェクションＴＶは、実施例１で述べたような
角度調節機能付き台あるいは／およびスクリーン角度調
節機構を追加することによって、実施例１と同様の効果
を得ることができる。

【０１４０】なお、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶは、搭載される液晶パネルの画素ピッチを２２μｍ
とし、スクリーンサイズを２５インチとしたため、スク
リーン上に映し出される画素のピッチは０．２８ｍｍと
なった。しかし、スクリーンサイズは３０インチに限定
されることはなく、２５〜３５インチのサイズをとるこ
とができる。スクリーンのサイズが２５〜３５インチと
なっても、光学系を変更することによって、液晶パネル
の画素ピッチのデザインを変更することなく対応でき
る。

【０１４１】また、液晶パネルの画素ピッチを２２μｍ
より大きく、あるいは２２μｍより小さくした場合で
も、光学系を変更することによって上記のような様々な
スクリーンサイズに適応させることができる。

【０１４２】なお、本実施例では反射型の液晶パネルを
搭載した光学エンジンの一例を示したものにすぎず、他
の光学系を用いて光学エンジンを構成することも可能で
ある。

【０１４３】また、本実施例のリア型プロジェクション
ＴＶのスクリーンのサイズは、１６：９（横：縦）とな
っているが、これに限定されるわけではない。たとえ
ば、４：３などのサイズのスクリーンを用いることがで
きる。これに応じて液晶パネルの画素のサイズを変更す
ることが必要となる。

【０１４４】（実施例３）

【０１４５】本実施例では、上記実施例１あるいは２で
用いられた透過型液晶パネルを、反射型の液晶パネルと
した。また、液晶パネルの画素ピッチは実施例１あるい
は２に従う。実施例１あるいは２と異なる点は、アクテ
ィブマトリクス基板側の画素電極に、反射電極が用いら
れることである。また、光学エンジンの光学系にも変更
を要する。なお、反射電極には、アルミニウム（Ａ
ｌ）、Ｔｉ（チタン）、あるいはこれらの合金などが用
いられ得る。

【０１４６】図１２を参照する。図１２には、本実施例
のリア型プロジェクションＴＶに組み込まれる光学エン
ジン１２００の構成図が示されている。

【０１４７】１２０１は白色光源、１２０２、１２０３
はダイクロイックミラー、１２０４は全反射ミラー、１
２０５〜１２０７は偏光ビームスプリッタ（ＰＢＳ）、
１２０８〜１２１０はそれぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応する反
射型液晶パネル、１２１１はダイクロイックプリズム、
１２１２は投射レンズである。

【０１４８】白色光源１２０１から発した強光は、ダイ
クロイックミラー１２０２で赤の波長領域の光のみを透
過し、緑および青の波長領域の光を反射する。さらに、
ダイクロイックミラー１２０３では、緑の波長領域の光
のみが反射される。

【０１４９】ダイクロイックミラー１２０２を透過した
赤の波長領域の光は、全反射ミラー１２０４で反射さ
れ、偏光ビームスプリッタ１２０６へ入射する、また、
緑の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１２０５へ入
射し、赤の波長領域の光は偏光ビームスプリッタ１２０
７に入射する。

【０１５０】偏光ビームスプリッタ１２０５〜７は、入
射光をＰ偏光とＳ偏光とに分離する機能を有し、且つＰ
偏光のみを透過させる機能を有している。従って、Ｒ、
Ｇ、Ｂに対応する液晶パネル１２０８〜１２０９にはそ
れぞれＲ、Ｇ、Ｂに対応するＳ偏光のみが入射する。

【０１５１】本実施例の液晶パネル１２０８〜１２０９
は、電界制御複屈折モード（ＥＣＢ）で動作する。ま
た、液晶分子は基板に対してある角度をもって垂直配向
している。よって、各液晶パネル１２０８〜１２０９は
画素がオフ状態にある時は入射光の偏光状態を変化させ
ないで反射させるように液晶分子が配向している。ま
た、画素がオン状態にある時は液晶分子の配向状態が変
化し、入射光の偏光状態が変化する。

【０１５２】従って、液晶パネル１２０８〜１２０９で
反射されたＳ偏光は、画素がオン状態にあった部分に対
応した光のみ、偏光状態が変化し、偏光ビームスプリッ
タ１２０５〜１２０７を透過することができる。

【０１５３】こうして、偏光ビームスプリッタ１２０５
〜１２０７を透過した映像情報を含む光は、ダイクロイ
ックプリズム１２１１で合成され、投射レンズ１２１２
から出射される。

【０１５４】上述したような光学エンジンが、リア型プ
ロジェクションＴＶの本体に組み込まれる。

【０１５５】なお、本実施例では反射型の液晶パネルを
搭載した光学エンジンの一例を示したものにすぎず、他
の光学系を用いて光学エンジンを構成することも可能で
ある。

【０１５６】（実施例４）

【０１５７】本実施例では、光源からの光に画像情報を
与える光学モジュールとして３枚のＤＭＤ（デジタルミ
ラーデバイス）を搭載した光学エンジンを組み込んだリ
ア型プロジェクションＴＶを提供する

【０１５８】なお、本実施例の３枚のＤＭＤが搭載され
た光学エンジンを組み込んだリアプロジェクションＴＶ
は、高精細かつ高画質な映像を提供することができる。

【０１５９】また、本実施例では、３枚のＤＭＤが搭載
された光学エンジンを例にとって説明したが、１つのＤ
ＭＤによって構成される光学エンジンを組み込んだリア
型プロジェクションＴＶも実現することができる。

【０１６０】（実施例５）

【０１６１】本実施例では、シリコン基板上に形成され
た回路（代表的にはＣＭＯＳ回路）の上にミラーを形成
したアクティブマトリクス基板と、対向基板との間に液
晶を挟むことによって実現される反射型液晶パネル（Ｓ
ｉｌｉｃｏｎ Ｂａｓｅｄ液晶パネル）を光源からの光
に画像情報を与える光学モジュールとして用いる場合に
ついて説明する。この液晶パネルが搭載された光学エン
ジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶについて
説明する。他の構成については実施例１あるいは２に従
う。光学系に関しては、実施例３に示したものを用いて
も良い。

【０１６２】図１３を参照する。図１３には、本実施例
で用いられる液晶パネルの断面図を示したものである。
１３０１はシリコン基板であり、マトリクス状に配置さ
れたＣＭＯＳ回路や、駆動回路などが形成される。１３
０２はミラーであり、各画素（本実施例では、１９２０
×１０８０とした）が１枚のミラーを有している。１３
０３は液晶であり、１３０４は対向基板のガラスであ
る。

【０１６３】なお、本実施例では画素数は、１９２０×
１０８０としたが、これに限定されない。

【０１６４】このような液晶パネルが３枚搭載された光
学エンジンを組み込んだリア型プロジェクションＴＶが
提供される。

【０１６５】（実施例６）

【０１６６】上記実施例１〜３ではトップゲイト型のＴ
ＦＴを有する液晶パネルについて述べたが、本発明のリ
ア型プロジェクションＴＶは、逆スタガ型のＴＦＴを有
する液晶パネルが用いられる。その他の構成について
は、上記実施例１〜３に従うものとする。

【０１６７】

【発明の効果】

【０１６８】本発明のリア型プロジェクションＴＶによ
ると、高精細かつ高画質なリア型プロジェクションＴＶ
が低価格で提供される。

【０１６９】また、本発明のリア型プロジェクションＴ
Ｖは、そのサイズは高精細にもかかわらずコンパクトで
あり、デジタル地上放送にも対応することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面図
および部分拡大図である。

【図２】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される光学エンジンの構成図である。

【図３】 本発明のリア型プロジェクションＴＶの側面
図および斜視図である。

【図４】 本発明のリア型プロジェクションＴＶの正面
図およびスクリーンの部分拡大図である。

【図５】 本発明のリア型プロジェクションＴＶの側面
図である。

【図６】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される液晶パネルの製造工程を示す図である。

【図７】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される液晶パネルの製造工程を示す図である。

【図８】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される液晶パネルの製造工程を示す図である。

【図９】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭載
される液晶パネルの断面図を示す図である。

【図１０】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭
載される液晶パネルのアクティブマトリクス基板の上面
図および部分拡大図である。

【図１１】 本発明のリア型プロジェクションＴＶの正
面図およびスクリーンの部分拡大図である。

【図１２】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭
載される光学エンジンの構成図である。

【図１３】 本発明のリア型プロジェクションＴＶに搭
載され反射型液晶パネルの構成図である。

【図１４】 実施例１の製造方法によって作製されたＴ
ＦＴの特性を示す図である。

【符号の説明】

１００ 基板 １０１ 画素マトリクス回路 １０２、１０３ ソース側ドライバ回路 １０４ ゲイト側ドライバ回路 １０５、１０６ ロジック回路 １０７ 画素

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】本体と、 スクリーンと、 光源と、 前記光源からの光を入射し、前記光に映像情報を与える
   光学モジュールと、 映像情報が与えられた前記光をスクリーンに照射する光
   学手段と、を少なくとも備えた高精細リア型プロジェク
   ションＴＶであって、 前記モジュールは、複数の画素を備えており、 前記スクリーンに照射される画素のピッチは、０．５ｍ
   ｍよりも小さい高精細リア型プロジェクションＴＶ。
2. 【請求項２】 前記光学モジュールは、液晶パネルであ
   る請求項１に記載の高精細リア型プロジェクションＴ
   Ｖ。
3. 【請求項３】 前記スクリーンのサイズは、２５〜３５
   インチである請求項２に記載の高精細リア型プロジェク
   ションＴＶ。
4. 【請求項４】 前記液晶パネルは、水平方向の画素数が
   １９２０であり、かつ垂直方向の画素数が１０８０であ
   る請求項３に記載の高精細リア型プロジェクションＴ
   Ｖ。
5. 【請求項５】 前記スクリーンに照射される画素のピッ
   チは、０．３４ｍｍ以下である請求光４に記載の高精細
   リア型プロジェクションＴＶ。
6. 【請求項６】 前記液晶パネルの画素ピッチは、３２μ
   ｍ以下である請求項５に記載の高精細リア型プロジェク
   ションＴＶ。
7. 【請求項７】 前記スクリーンの角度を変更することが
   できる機構を更に備えた請求項１〜６のいずれか一つに
   記載の高精細リア型プロジェクションＴＶ。
8. 【請求項８】 角度調節機能付き台を更に備えた請求項
   １〜７のいずれか一つに記載の高精細リア型プロジェク
   ションＴＶ。
9. 【請求項９】本体と、 スクリーンと、 光源と、 前記光源からの光を入射し、前記光に映像情報を与える
   光学モジュールと、 映像情報が与えられた前記光をスクリーンに照射する光
   学手段と、を少なくとも備えた高精細リア型プロジェク
   ションＴＶであって、 前記モジュールは、複数の画素を備えており、 前記スクリーンに照射される画素の面積は、０．２５ｍ
   ｍ² 以下である高精細リア型プロジェクションＴＶ。
10. 【請求項１０】 前記光学モジュールは、液晶パネルで
    ある請求項９に記載の高精細リア型プロジェクションＴ
    Ｖ。
11. 【請求項１１】 前記液晶パネルの画素の面積は、１１
    ００μｍ²以下である請求項１０に記載の高精細リア型
    プロジェクションＴＶ。