JP2000221504A

JP2000221504A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JP2000221504A
Application number: JP11022805A
Authority: JP
Inventors: Kengo Akimoto; 健吾秋元; Koichiro Tanaka; 幸一郎田中; Yoshisuke Hayashi; 佳輔林
Original assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Current assignee: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Priority date: 1999-01-29
Filing date: 1999-01-29
Publication date: 2000-08-11

Abstract

(57)【要約】【課題】視力の低下を防止することのできる液晶表示
装置を提供すること。【解決手段】本発明の液晶表示装置は、液晶パネル１
０１、偏光板１０２ならびに１０３、位相差板１０５を
有する。本発明の液晶表示装置の使用者の眼球は、直線
偏光が位相差板によって変換された楕円偏光または円偏
光を検知し画像を認識するので、従来の直線偏光を検知
する液晶表示装置と比較して、使用者の眼に負担をかけ
ることはない。よって使用者の視力の低下を防止するこ
とができる。「

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】

【０００２】本発明は液晶表示装置に関する。

【０００３】

【従来の技術】

【０００４】近年、ＦＰＤ（フラットパネルディスプレ
イ）として、アクティブマトリクス型半導体表示装置が
市場を賑わしている。中でも、アクティブマトリクス型
液晶表示装置がパーソナルコンピュータの表示装置とし
て多用されてきている。しかも、ノート型のパーソナル
コンピュータに用いられるだけでなく、デスクトップ型
のパーソナルコンピュータにもＣＲＴに代わり大画面の
アクティブマトリクス型液晶表示装置が用いられるよう
になってきている。

【０００５】パーソナルコンピュータに用いられるアク
ティブマトリクス型液晶表示装置には、大画面であるこ
とに加えて、複数の情報を一度に表示可能であることが
要求さる。そこで、大画面・高精細・高画質でフルカラ
ー表示可能なアクティブマトリクス型液晶表示装置が要
求されている。

【０００６】アクティブマトリクス型液晶表示装置に
は、用いる液晶材料によって表示方法が異なるが、その
中でもネマチック液晶を用いたＴＮ（ツイストネマチッ
ク）モードを利用した液晶表示装置が最も多く市場に出
回っている。以下、本明細書では、ＴＮ液晶表示装置と
呼ぶことにする。

【０００７】ここで、従来のＴＮ液晶表示装置の概略構
成図を図１４に示す。１４０１は液晶パネルである。１
４０２および１４０３は偏光板である。偏光板１４０２
または１４０３においては、図面中に矢印で示した方向
が偏光軸を示している。１４０４はバックライトであ
り、通常は、側部に設けられた冷陰極管が設けられてい
る。

【０００８】図１４に示す従来のＴＮ液晶表示装置は、
バックライト１４０４からは、冷陰極管が発する白色光
を拡散板やプリズムレンズシート等によって面光にされ
た光が出射される。バックライト１４０４から出射され
る光は無偏光であるが、偏光板１４０２を通ることによ
って直線偏光に変換され、液晶パネルに照射される。そ
して、液晶パネルに入射する直線偏光は、液晶パネル内
で変調され楕円偏光にに変換され液晶パネルから出射さ
れる。液晶パネルから出射される楕円偏光は、偏光板２
００３によって直線偏光にされ、観察者の眼球に入射す
る。従って、観察者は、常に、直線偏光を観察すること
になる。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】

【００１０】最近、ノート型のパーソナルコンピュータ
に用いられるだけでなく、デスクトップ型のパーソナル
コンピュータにも大画面のアクティブマトリクス型液晶
表示装置が用いられるようになってくるようになり、問
題が生じてきている。その問題とは使用者（液晶表示装
置の観察者）の視力の極端な低下である。

【００１１】従来、ＣＲＴを表示装置として使用し続け
てきた使用者が、表示装置をＴＮ液晶表示装置に変更し
たところ、大多数の使用者に視力の急激な低下が起こっ
た。

【００１２】本発明者らがこの事実をもとに考察した結
果、次のような結論に達した。つまり、ＴＮ型液晶表示
装置を観察することは、直線偏光を観察することにな
り、直線偏光は、無偏光に比較して指向性が強いので、
使用者の眼に悪影響を及ぼしているのではないかという
ことである。従来、ＣＲＴを使用する際には、使用者は
無偏光を観察していたのである。

【００１３】

【課題を解決するための手段】

【００１４】そこで、本発明は上述の問題に鑑みてなさ
れたものであり、視力の低下を防止することのできる液
晶表示装置を提供することを目的とする。

【００１５】本発明は、画像情報を有する直線偏光を位
相差板を通すことによって楕円偏光または円偏光に変換
し、その楕円偏光または円偏光を観察者に観察されるよ
うにする。

【００１６】本発明の液晶表示装置について図１を用い
て説明する。１０１は液晶パネルである。液晶パネル
は、代表的にはＴＮ液晶パネルが用いられる。１０２お
よび１０３は偏光板である。偏光板１０２または１０３
においては、図面中に矢印で示した方向が偏光軸（方位
角）を示している。１０４はバックライトである。１０
５は位相差板である。１０６は観察者の眼球である。

【００１７】このように、本発明の液晶表示装置の使用
者の眼球は、直線偏光が位相差板によって変換された楕
円偏光または円偏光を検知し画像を認識するので、従来
の直線偏光を検知する液晶表示装置と比較して、使用者
の眼に負担をかけることはない。

【００１８】ここで、本発明の構成を以下に記載する。

【００１９】本発明によると、晶パネルと、液晶パネル
の光の出射側の上部に設けられた偏光板と、前記偏光板
の上部に設けられた位相差板と、を有する液晶表示装置
が提供される。

【００２０】また、本発明によると、液晶表示パネルか
ら出射される画像情報を有する光を偏光板によって直線
偏光に変換し、前記直線偏光を位相差板によって円偏光
または楕円偏光に変換することを特徴とする液晶表示装
置が提供される。

【００２１】また、前記位相差板は、１／４波長板であ
ってもよい。

【００２２】

【発明の実施の形態】

【００２３】以下に本発明の液晶表示装置の実施形態に
ついて説明する。ただし、本発明の液晶表示装置は、以
下の実施形態に限定されるわけではない。

【００２４】（実施形態１）

【００２５】本実施形態の液晶表示装置の概略構成図を
図２に示す。２０１は液晶パネルである。２０２および
２０３は偏光板である。偏光板２０２または２０３にお
いては、図面中に矢印で示した方向が偏光軸を示してい
る。２０４はバックライトであり、本実施例において
は、冷陰極管を用いたバックライトが用いられている。
２０５は１／４波長板である。２０６は観察者の眼球で
ある。

【００２６】図１に示す本実施形態の液晶表示装置にお
いては、バックライト２０４からは、冷陰極管が発する
白色光を拡散板およびプリズムレンズシートによって面
光にされた光が出射される。バックライト２０４から出
射される光は偏光板２０２を通ることによって直線偏光
に変換され、液晶パネル２０１に照射される。液晶パネ
ル２０１に入射する直線偏光は、液晶パネルに印加され
る電圧に応じて液晶パネル２０１内で変調され、画像情
報を有する楕円偏光となる。画像情報を有する楕円偏光
は液晶パネル２０１から出射され、偏光板２０３によっ
て画像情報を有する直線偏光に変換される。そして、こ
の画像情報を有する直線偏光は、１／４波長板２０５に
よって画像情報を有する楕円偏光に変換される。そして
この画像情報を有する楕円偏光が観察者２０６の眼球に
検知され、観察者は画像を認識する。

【００２７】このように、本実施形態の液晶表示装置の
観察者の眼球は、楕円偏光または円偏光を検知する。楕
円偏光または円偏光は自然光に近く、従来の直線偏光を
検知する液晶表示装置と比較して、使用者の眼に負担を
かけることはない。

【００２８】よって、本発明の液晶表示装置の使用によ
ると、従来の液晶表示装置と比較して使用者の眼にかか
る負担を軽減し、視力の低下を防ぐことができる。

【００２９】（実施形態２）

【００３０】本実施形態の液晶表示装置は、上述の実施
形態１の液晶表示装置をノートブック型パーソナルコン
ピュータの表示装置として用いる例について説明する。

【００３１】図３を参照する。図３には、本実施形態の
ノートブック型パーソナルコンピュータが示されてい
る。３０１はノートブック型パーソナルコンピュータ本
体であり、３０２は液晶表示装置である。液晶表示装置
３０２に実施形態１で述べた液晶表示装置が用いられ
る。

【００３２】（実施形態３）

【００３３】本実施形態の液晶表示装置は、上述の実施
形態１の液晶表示装置をデスクトップ型パーソナルコン
ピュータの表示装置として用いる例について説明する。

【００３４】図４を参照する。図４には、本実施形態の
デスクトップ型パーソナルコンピュータが示されてい
る。４０１はパーソナルコンピュータ本体であり、４０
２はキーボードであり、４０３は液晶表示装置である。
液晶表示装置４０３に実施形態１で述べた液晶表示装置
が用いられる。

【００３５】（実施形態４）

【００３６】本発明の液晶表示装置には様々な用途があ
る。本実施形態では、本発明の液晶表示装置を組み込ん
だ半導体装置について説明する。

【００３７】このような半導体装置には、ビデオカメ
ラ、スチルカメラ、プロジェクター、ヘッドマウントデ
ィスプレイ、カーナビゲーション、パーソナルコンピュ
ータ、携帯情報端末（モバイルコンピュータ、携帯電話
など）などが挙げられる。それらの一例を図５および図
６に示す。

【００３８】図５（Ａ）はフロント型プロジェクタ−で
あり、本体１０００１、本発明の液晶表示装置、光源１
０００３、光学系１０００４、スクリーン１０００５で
構成されている。なお、図５（Ａ）には、本発明の液晶
表示装置を１つ組み込んだフロントプロジェクターが示
されているが、本発明の液晶表示装置を３個（Ｒ、Ｇ、
Ｂの光にそれぞれ対応させる）組み込んことによって、
より高解像度・高精細のフロント型プロジェクタを実現
することができる。

【００３９】図５（Ｂ）はリア型プロジェクターであ
り、１０００６は本体、１０００７は本発明の液晶表示
装置であり、１０００８は光源であり、１０００９はリ
フレクター、１００１０はスクリーンである。なお、図
５（Ｂ）には、本発明の液晶表示装置を３個（Ｒ、Ｇ、
Ｂの光にそれぞれ対応させる）組み込んだリア型プロジ
ェクタが示されている。

【００４０】図６（Ａ）は携帯電話であり、本体１１０
０１、音声出力部１１００２、音声入力部１１００３、
本発明の液晶表示装置１１００４、操作スイッチ１１０
０５、アンテナ１１００６で構成される。

【００４１】図６（Ｂ）はビデオカメラであり、本体１
２００７、本発明の液晶表示装置１２００８、音声入力
部１２００９、操作スイッチ１２０１０、バッテリー１
２０１１、受像部１２０１２で構成される。

【００４２】図６（Ｃ）はモバイルコンピュータであ
り、本体１３０１３、カメラ部１３０１４、受像部１３
０１５、操作スイッチ１３０１６、本発明の液晶表示装
置１３０１７で構成される。

【００４３】図６（Ｄ）はヘッドマウントディスプレイ
であり、本体１４０１８、本発明の液晶表示装置１４０
１９、バンド部１４０２０で構成される。

【００４４】図７（Ｆ）は携帯書籍（電子書籍）であ
り、本体１５００１、アクティブマトリクス型半導体表
示装置１５００２、１５００３、記憶媒体１５００４、
操作スイッチ１５００５、アンテナ１５００６で構成さ
れる。

【００４５】（実施形態５）

【００４６】上述の実施形態には、位相差板として１／
４波長板が用いられる例について説明したが、位相差板
であれば如何なるものでも用いることができる。

【００４７】なお、プロジェクター等に用いられる本発
明の液晶表示装置には、フレネル・ロムやバビネ補正器
等を用いることもできる。

【００４８】（実施形態６）

【００４９】ここで、本発明の液晶表示装置の作製方法
例を以下に説明する。本実施形態では、アクティブマト
リクス型液晶表示装置を例にとって説明する。

【００５０】本実施形態では、絶縁表面を有する基板上
に複数のＴＦＴを形成し、アクティブマトリクス回路、
ソース信号線駆動回路、ゲイト信号線駆動回路、および
他の周辺回路等を同一基板上に形成する例を図７〜図１
０に示す。なお、以下の例では、アクティブマトリクス
回路の１つの画素ＴＦＴと、他の回路（ソース信号線駆
動回路、ゲイト信号線駆動回路および他の周辺回路）の
基本回路であるＣＭＯＳ回路とが同時に形成される様子
を示す。また、以下の例では、ＣＭＯＳ回路においては
Ｐチャネル型ＴＦＴとＮチャネル型ＴＦＴとがそれぞれ
１つのゲイト電極を備えている場合について、その作製
工程を説明するが、ダブルゲイト型やトリプルゲイト型
のような複数のゲイト電極を備えたＴＦＴによるＣＭＯ
Ｓ回路をも同様に作製することができる。また、以下の
例では、画素ＴＦＴはダブルゲイトのＮチャネル型ＴＦ
Ｔである、シングルゲイト、トリプルゲイト等のＴＦＴ
としてもよい。

【００５１】図７（Ａ）を参照する。まず、絶縁表面を
有する基板として石英基板５００１を準備する。石英基
板の代わりに熱酸化膜を形成したシリコン基板を用いる
こともできる。石英基板上に一旦非晶質シリコン膜を形
成し、それを完全に熱酸化して絶縁膜とする様な方法を
とっても良い。さらに、絶縁膜として窒化珪素膜を形成
した石英基板、セラミックス基板またはシリコン基板を
用いても良い。次に、下地膜５００１を形成する。本実
施形態では、下地膜５００１には酸化シリコン（ＳｉＯ
₂）が用いられた。次に、非晶質シリコン膜５００３を
形成する。非晶質シリコン膜５００３は、最終的な膜厚
（熱酸化後の膜減りを考慮した膜厚）が１０〜７５ｎｍ
（好ましくは１５〜４５ｎｍ）となる様に調節する。

【００５２】なお、非晶質シリコン膜５００３の成膜に
際して膜中の不純物濃度の管理を徹底的に行うことが重
要である。本実施形態の場合、非晶質シリコン膜５００
３中では、後の結晶化を阻害する不純物であるＣ（炭
素）およびＮ（窒素）の濃度はいずれも５×１０¹⁸ａｔ
ｏｍｓ／ｃｍ³未満（代表的には５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ
／ｃｍ³以下、好ましくは２×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³
以下）、Ｏ（酸素）は１．５×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ
³未満（代表的には１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下、
好ましくは５×１０¹⁷ａｔｏｍｓ／ｃｍ³以下）となる
様に管理する。なぜならば各不純物がこれ以上の濃度で
存在すると、後の結晶化の際に悪影響を及ぼし、結晶化
後の膜質を低下させる原因となるからである。本明細書
中において膜中の上記の不純物元素濃度は、ＳＩＭＳ
（質量２次イオン分析）の測定結果における最小値で定
義される。

【００５３】上記構成を得るため、本実施形態で用いる
減圧熱ＣＶＤ炉は定期的にドライクリーニングを行い、
成膜室の清浄化を図っておくことが望ましい。ドライク
リーニングは、２００〜４００℃程度に加熱した炉内に
１００〜３００ｓｃｃｍのＣｌＦ₃（フッ化塩素）ガス
を流し、熱分解によって生成したフッ素によって成膜室
のクリーニングを行えば良い。

【００５４】なお、本出願人の知見によれば炉内温度３
００℃とし、ＣｌＦ₃ガスの流量を３００ｓｃｃｍとし
た場合、約２μｍ厚の付着物（主にシリコンを主成分す
る）を４時間で完全に除去することができる。

【００５５】また、非晶質シリコン膜５００３中の水素
濃度も非常に重要なパラメータであり、水素含有量を低
く抑えた方が結晶性の良い膜が得られる様である。その
ため、非晶質シリコン膜５００３の成膜は減圧熱ＣＶＤ
法であることが好ましい。なお、成膜条件を最適化する
ことでプラズマＣＶＤ法を用いることも可能である。

【００５６】次に、非晶質シリコン膜５００３の結晶化
工程を行う。結晶化の手段としては特開平７−１３０６
５２号公報記載の技術を用いる。同公報の実施例１およ
び実施形態２のどちらの手段でも良いが、本実施形態で
は、同公報の実施例２に記載した技術内容（特開平８−
７８３２９号公報に詳しい）を利用するのが好ましい。

【００５７】特開平８−７８３２９号公報記載の技術
は、まず触媒元素の添加領域を選択するマスク絶縁膜５
００４を１５０ｎｍに形成する。マスク絶縁膜５００４
は触媒元素を添加するために複数箇所の開口部を有して
いる。この開口部の位置によって結晶領域の位置を決定
することができる（図７（Ｂ））。

【００５８】そして、非晶質シリコン膜５００３の結晶
化を助長する触媒元素としてニッケル（Ｎｉ）を含有し
た溶液（Ｎｉ酢酸塩エタノール溶液）５００５をスピン
コート法により塗布する。なお、触媒元素としてはニッ
ケル以外にも、コバルト（Ｃｏ）、鉄（Ｆｅ）、パラジ
ウム（Ｐｄ）、ゲルマニウム（Ｇｅ）、白金（Ｐｔ）、
銅（Ｃｕ）、金（Ａｕ）等を用いることができる（図７
（Ｂ））。

【００５９】また、上記触媒元素の添加工程は、レジス
トマスクを利用したイオン注入法またはプラズマドーピ
ング法を用いることもできる。この場合、添加領域の占
有面積の低減、後述する横成長領域の成長距離の制御が
容易となるので、微細化した回路を構成する際に有効な
技術となる。

【００６０】触媒元素の添加工程が終了したら、次に、
４５０℃で１時間程度の水素出しの後、不活性雰囲気、
水素雰囲気または酸素雰囲気中において５００〜９６０
℃（代表的には５５０〜６５０℃）の温度で４〜２４時
間の加熱処理を加えて非晶質シリコン膜５００３の結晶
化を行う。本実施形態では窒素雰囲気で５７０℃で１４
時間の加熱処理を行う。

【００６１】この時、非晶質シリコン膜５００３の結晶
化は、ニッケルを添加した領域４００６で発生した核か
ら優先的に進行し、基板５００１の基板面に対してほぼ
平行に成長した多結晶シリコン膜からなる結晶領域５０
０７が形成される。この結晶領域５００７を横成長領域
と呼ぶ。横成長領域は比較的揃った状態で個々の結晶が
集合しているため、全体的な結晶性に優れるという利点
がある。

【００６２】なお、マスク絶縁膜５００４を用いずに、
Ｎｉ酢酸溶液を非晶質シリコン膜の前面に塗布し結晶化
させることもできる。

【００６３】図７（Ｄ）を参照する。次に、触媒元素の
ゲッタリングプロセスを行う。まず、リンイオンのドー
ピングを選択的に行う。マスク絶縁膜５００４が形成さ
れた状態で、リンのドーピングを行う。すると、多結晶
シリコン膜のマスク絶縁膜５００４で覆われていない部
分５００８のみに、リンがドーピングされる（これらの
領域をリン添加領域５００８と呼ぶ）。このとき、ドー
ピングの加速電圧と、酸化膜で成るマスクの厚さを最適
化し、リンがマスク絶縁膜５００４を突き抜けないよう
にする。このマスク絶縁膜５００４は、必ずしも酸化膜
でなくてもよいが、酸化膜は活性層に直接触れても汚染
の原因にならないので都合がよい。

【００６４】リンのドーズ量は、１×１０¹⁴から１×１
０¹⁵ｉｏｎｓ／ｃｍ²程度とすると良い。本実施形態で
は、５×１０¹⁴ｉｏｎｓ／ｃｍ²のドーズをイオンドー
ピング装置を用いて行った。

【００６５】なお、イオンドープの際の加速電圧は１０
ｋｅＶとした。１０ｋｅＶの加速電圧であれば、リンは
１５０ｎｍのマスク絶縁膜をほとんど通過することがで
きない。

【００６６】図７（Ｅ）を参照する。次に、６００℃の
窒素雰囲気にて１〜１２時間（本実施形態では１２時
間）熱アニールし、ニッケル元素のゲッタリングを行っ
た。こうすることによって、図７（Ｅ）において矢印で
示されるように、ニッケルがリンに吸い寄せられること
になる。６００℃の温度のもとでは、リン原子は膜中を
ほとんど動かないが、ニッケル原子は数１００μｍ程度
またはそれ以上の距離を移動することができる。このこ
とからリンがニッケルのゲッタリングに最も適した元素
の１つであることが理解できる。

【００６７】次に図８（Ａ）を参照し、多結晶シリコン
膜をパターニングする工程を説明する。このとき、リン
の添加領域５００８、すなわちニッケルがゲッタリング
された領域が残らないようにする。このようにして、ニ
ッケル元素をほとんど含まない多結晶シリコン膜の活性
層５００９〜５０１１が得られた。得られた多結晶シリ
コン膜の活性層５００９〜５０１１が後にＴＦＴの活性
層となる。

【００６８】図８（Ｂ）を参照する。活性層５００９〜
５０１１を形成したら、その上にシリコンを含む絶縁膜
でなるゲイト絶縁膜５０１２を７０ｎｍに成膜する。そ
して、酸化性雰囲気において、８００〜１１００℃（好
ましくは９５０〜１０５０℃）で加熱処理を行い、活性
層５００９〜５０１１とゲイト絶縁膜５０１２の界面に
熱酸化膜（図示せず）を形成する。

【００６９】なお、触媒元素をゲッタリングするための
加熱処理（触媒元素のゲッタリングプロセス）を、この
段階で行っても良い。その場合、加熱処理は処理雰囲気
中にハロゲン元素を含ませ、ハロゲン元素による触媒元
素のゲッタリング効果を利用する。なお、ハロゲン元素
によるゲッタリング効果を十分に得るためには、上記加
熱処理を７００℃を超える温度で行なうことが好まし
い。この温度以下では処理雰囲気中のハロゲン化合物の
分解が困難となり、ゲッタリング効果が得られなくなる
恐れがある。また、この場合ハロゲン元素を含むガスと
して、代表的にはＨＣｌ、ＨＦ、ＮＦ₃、ＨＢｒ、Ｃ
ｌ₂、ＣｌＦ₃、ＢＣｌ₂、Ｆ₂、Ｂｒ₂等のハロゲンを含
む化合物から選ばれた一種または複数種のものを用いる
ことができる。この工程においては、例えばＨＣｌを用
いた場合、活性層中のニッケルが塩素の作用によりゲッ
タリングされ、揮発性の塩化ニッケルとなって大気中へ
離脱して除去されると考えられる。また、ハロゲン元素
を用いて触媒元素のゲッタリングプロセスを行う場合、
触媒元素のゲッタリングプロセスを、マスク絶縁膜５０
０４を除去した後、活性層をパターンニングする前に行
なってもよい。また、触媒元素のゲッタリングプロセス
を、活性層をパターンニングした後に行なってもよい。
また、いずれのゲッタリングプロセスを組み合わせて行
なってもよい。

【００７０】次に、図示しないアルミニウムを主成分と
する金属膜を成膜し、パターニングによって後のゲイト
電極の原型を形成する。本実施形態では２ｗｔ％のスカ
ンジウムを含有したアルミニウム膜を用いる。

【００７１】また、導電性を付与するための不純物を添
加した多結晶シリコン膜によってゲイト電極を形成して
も良い。

【００７２】次に、特開平７−１３５３１８号公報記載
の技術により多孔性陽極酸化膜５０１３〜５０２０、無
孔性陽極酸化膜５０２１〜５０２４およびゲイト電極５
０２５〜５０２８を形成する（図８（Ｂ））。

【００７３】こうして図８（Ｂ）の状態が得られたら、
次にゲイト電極５０２５〜５０２８および多孔性陽極酸
化膜５０１３〜５０２０をマスクとしてゲイト絶縁膜５
０１２をエッチングする。そして、多孔性陽極酸化膜５
０１３〜５０２０を除去し、図８（Ｃ）の状態を得る。
なお、図８（Ｃ）において５０２９〜５０３２で示され
るのは加工後のゲイト絶縁膜である。

【００７４】図９（Ａ）を参照する。次に、一導電性を
付与する不純物元素の添加工程を行う。不純物元素とし
てはＮチャネル型ならばＰ（リン）またはＡｓ（砒
素）、Ｐ型ならばＢ（ボロン）またはＧａ（ガリウム）
を用いれば良い。

【００７５】本実施形態では、Ｎチャネル型およびＰチ
ャネル型のＴＦＴを形成するための不純物添加をそれぞ
れ２回の工程に分けて行う。

【００７６】最初に、Ｎチャネル型のＴＦＴを形成する
ための不純物添加を行う。まず、１回目の不純物添加
（本実施形態ではＰ（リン）を用いる）を高加速電圧８
０ｋｅＶ程度で行い、ｎ^-領域を形成する。このｎ^-領域
は、Ｐイオン濃度が１×１０¹⁸ａｔｏｍｓ／ｃｍ³〜１
×１０¹⁹ａｔｏｍｓ／ｃｍ³となるように調節する。

【００７７】さらに、２回目の不純物添加を低加速電圧
１０ｋｅＶ程度で行い、ｎ⁺領域を形成する。この時は、
加速電圧が低いので、ゲイト絶縁膜がマスクとして機能
する。また、このｎ⁺領域は、シート抵抗が５００Ω以
下（好ましくは３００Ω以下）となるように調節する。

【００７８】以上の工程を経て、ＣＭＯＳ回路を構成す
るＮチャネル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域
５０３３および５０３４、低濃度不純物領域５０３７、
チャネル形成領域５０４０が形成される。また、画素Ｔ
ＦＴを構成するＮチャネル型ＴＦＴのソース領域および
ドレイン領域５０３５および５０３６、低濃度不純物領
域５０３８、５０３９、チャネル形成領域５０４１、５
０４２が確定する（図９（Ａ））。

【００７９】なお、図９（Ａ）に示す状態ではＣＭＯＳ
回路を構成するＰチャネル型ＴＦＴの活性層は、Ｎチャ
ネル型ＴＦＴの活性層と同じ構成となっている。

【００８０】次に、図９（Ｂ）に示すように、Ｎチャネ
ル型ＴＦＴを覆ってレジストマスク５０４３を設け、Ｐ
型を付与する不純物イオン（本実施形態ではボロンを用
いる）の添加を行う。

【００８１】この工程も前述の不純物添加工程と同様に
２回に分けて行うが、Ｎチャネル型をＰチャネル型に反
転させる必要があるため、前述のＰイオンの添加濃度の
数倍程度の濃度のＢ（ボロン）イオンを添加する。

【００８２】こうしてＣＭＯＳ回路を構成するＰチャネ
ル型ＴＦＴのソース領域およびドレイン領域５０４４お
よび５０４５、低濃度不純物領域５０４６、チャネル形
成領域５０４７が形成される（図９（Ｂ））。

【００８３】また、導電性を付与するための不純物を添
加した多結晶シリコン膜によってゲイト電極を形成した
場合は、低濃度不純物の形成には公知のサイドウォール
構造を用いれば良い。

【００８４】次に、ファーネスアニール、レーザーアニ
ール、ランプアニール等の組み合わせによって不純物イ
オンの活性化を行う。それと同時に添加工程で受けた活
性層の損傷も修復される。

【００８５】図９（Ｃ）を参照する。次に、第１層間絶
縁膜５０４８として酸化シリコン膜と窒化シリコン膜と
の積層膜を形成し、コンタクトホールを形成した後、ソ
ース電極およびドレイン電極５０４９〜５０５３を形成
する。なお、第１層間絶縁膜５０４８として有機性樹脂
膜を用いることもできる。

【００８６】図１０を参照する。次に、第２層間絶縁膜
５０５４を窒化シリコン膜で形成する。そして、第２層
間絶縁膜５０５４の一部をエッチングし、画素ＴＦＴの
ドレイン電極５０５３の上部に第２層間絶縁膜を挟んで
ブラックマトリクス５０５５を形成する。本実施形態で
は、ブラックマトリクス５０５５にはＴｉ（チタン）が
用いられた。なお、本実施形態では、画素ＴＦＴとブラ
ックマトリクスとの間で保持容量が形成される。

【００８７】そして次に、有機性樹脂膜からなる第３層
間絶縁膜５０５６を０．５〜３μｍの厚さに形成する。
有機性樹脂膜としては、ポリイミド、アクリル、ポリイ
ミドアミド等が用いられる。有機性樹脂膜の利点は、成
膜方法が簡単である点、容易に膜厚を厚くできる点、比
誘電率が低いので寄生容量を低減できる点、平坦性に優
れている点などが挙げられる。なお、上述した以外の有
機性樹脂膜を用いることもできる。

【００８８】次に、第２層間絶縁膜５０５４および第３
層間絶縁膜５０５６にコンタクトホールを形成し、画素
電極５０５７を１２０ｎｍの厚さに形成する。なお、本
実施形態は透過型のアクティブマトリクス液晶表示装置
の例であるため、画素電極５０５７を構成する導電膜と
してＩＴＯ等の透明導電膜を用いる。

【００８９】次に、基板全体を３５０℃の水素雰囲気で
１〜２時間加熱し、素子全体の水素化を行うことで膜中
（特に活性層中）のダングリングボンド（不対結合手）
を補償する。なお、この水素化処理を、プラズマ化させ
ることによってできた水素で行っても良い。

【００９０】以上の工程を経て同一基板上にＣＭＯＳ回
路および画素マトリクス回路を有するアクティブマトリ
クス基板が完成する。

【００９１】次に、上記の工程によって作製されたアク
ティブマトリクス基板をもとに、アクティブマトリクス
型液晶表示装置を作製する工程を説明する。

【００９２】図１０（Ｂ）の状態のアクティブマトリク
ス基板に配向膜５０５９を形成する。本実施形態では、
配向膜５０５８にはポリイミドを用いた。次に、対向基
板を用意する。対向基板は、ガラス基板５０５９、透明
導電膜から成る対向電極５０６０、配向膜５０６１とで
構成される。

【００９３】なお、本実施形態では、配向膜にはポリイ
ミド膜を用いた。なお、配向膜形成後、ラビング処理を
施した。なお、本実施形態では、配向膜に比較的大きな
プレチル角を持つようなポリイミドを用いた。

【００９４】次に、上記の工程を経たアクティブマトリ
クス基板と対向基板とを公知のセル組み工程によって、
シール材やスペーサ（共に図示せず）などを介して貼り
合わせる。その後、両基板の間にネマチック液晶５０６
３を注入し、封止剤（図示せず）によって完全に封止す
る。よって、図１０（Ｃ）に示すようなアクティブマト
リクス型液晶パネルが完成する。

【００９５】次に、図１１を参照する。図１０（Ｃ）の
アクティブマトリクス型液晶パネルに一対の偏光板５０
６４および５０６５を設ける、次に、アクティブマトリ
クス型液晶パネルの対向基板側（光の出射側）に１／４
波長板を設ける。

【００９６】以上のようにして、本実施形態のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置が完成する。

【００９７】なお、本実施形態で説明した非晶質シリコ
ン膜の結晶化の方法の代わりに、レーザー光（代表的に
はエキシマレーザー光）によって、非晶質シリコン膜の
結晶化を行ってもよい。また、エキシマレーザー光に
は、連続発光エキシマレーザー光を用いても良い

【００９８】また、多結晶シリコン膜を用いる代わり
に、スマートカット、ＳＩＭＯＸ、エルトラン等のＳＯ
Ｉ構造（ＳＯＩ基板）を用いて他のプロセスを行っても
よい。

【００９９】（実施形態７）

【０１００】本実施形態では、上述の実施形態６で説明
した、本発明の液晶表示装置の作製方法の別の例につい
て説明する。なお、ここでは、ＣＭＯＳ回路の基本構成
であるインバータ回路を図１２および図１３を用いて説
明する。

【０１０１】図１２を参照する。基板６００１はガラス
基板、プラスチック基板、セラミックス基板などを用い
ることができる。また、酸化シリコン膜や窒化シリコン
膜などの絶縁膜を表面に形成したシリコン基板やステン
レスに代表される金属基板を用いても良い。勿論、石英
基板をもちいることも可能である。

【０１０２】そして、基板６００１のＴＦＴが形成され
る主表面には、窒化シリコン膜から成る下地膜６００２
と、酸化シリコン膜から成る下地膜６００３が形成され
る。これらの下地膜はプラズマＣＶＤ法やスパッタ法で
形成されるものであり、基板６００１からＴＦＴに有害
な不純物が半導体層へ拡散することを防ぐために設けて
ある。そのために、窒化シリコン膜からなる下地膜６０
０２を２０〜１００ｎｍ、代表的には５０ｎｍの厚さに
形成し、さらに酸化シリコン膜ならなる下地膜６００３
を５０〜５００ｎｍ、代表的には１５０〜２００ｎｍの
厚さに形成すれば良い。

【０１０３】勿論、下地膜を窒化シリコン膜からなる下
地膜６００２または、酸化シリコン膜ならなる下地膜６
００３のどちらか一方のみで形成しても良いが、ＴＦＴ
の信頼性のを考慮すると２層構造とすることが最も望ま
しかった。

【０１０４】下地膜６００３に接して形成される半導体
層は、プラズマＣＶＤ法、減圧ＣＶＤ法、スパッタ法な
どの成膜法で形成される非晶質半導体を、レーザー結晶
化法や熱処理による固相成長法で結晶化された、結晶質
半導体を用いることが望ましい。また、前記成膜法で形
成される微結晶半導体を適用することも可能である。こ
こで適用できる半導体材料は、シリコン（Ｓｉ）、ゲル
マニウム（Ｇｅ）、またシリコンゲルマニウム合金、炭
化シリコンがあり、その他にガリウム砒素などの化合物
半導体材料を用いることもできる。

【０１０５】半導体層は１０〜１００ｎｍ、代表的には
５０ｎｍの厚さとして形成されるものである。プラズマ
ＣＶＤ法で作製される非晶質半導体膜には１０〜４０at
om％の割合で膜中に水素が含まれているが、結晶化の工
程に先立って４００〜５００℃の熱処理の工程を行い水
素を膜中から脱離させて含有水素量を５atom％以下とし
ておくことが望ましい。また、非晶質シリコン膜をスパ
ッタ法や蒸着法などの他の作製方法で形成しても良い
が、膜中に含まれる酸素、窒素などの不純物元素を十分
低減させておくことが望ましい。

【０１０６】また、下地膜と非晶質半導体膜とは同じ成
膜法で形成可能であるので、下地膜６００２と下地膜６
００３と、さらに半導体層を連続形成すると良い。それ
ぞれの膜が形成された後、その表面が大気雰囲気に触れ
ないことにより、その表面の汚染を防ぐことができる。
その結果、ＴＦＴの特性バラツキを発生させる要因の一
つをなくすことができた。

【０１０７】非晶質半導体膜を結晶化する工程は、公知
のレーザー結晶化技術または熱結晶化の技術を用いれば
良い。また、触媒元素を用いた熱結晶化の技術により結
晶質半導体膜を用いることもできる。さらに、触媒元素
を用いた熱結晶化の技術により形成された結晶質半導体
膜に対して、ゲッタリングの工程を加えて、前記触媒元
素を除去すると優れたＴＦＴ特性を得ることができる。

【０１０８】こうして形成された結晶質半導体膜を、第
１のフォトマスクを使用して、公知のパターニング法に
よりレジストマスクを形成し、ドライエッチング法によ
り第２の島状半導体層（活性層）６００４と、第１の島
状半導体層（活性層）６００５を形成した。

【０１０９】次に、第２の島状半導体層６００４と、第
１の島状半導体層６００５との表面に、酸化シリコンま
たは窒化シリコンを主成分とするゲート絶縁膜６００６
を形成する。ゲート絶縁膜６００６は、プラズマＣＶＤ
法やスパッタ法で形成し、その厚さを１０〜２００ｎ
ｍ、好ましくは５０〜１５０ｎｍとして形成すれば良い
（図１２（Ａ））。

【０１１０】そして、第２のフォトマスクにより、第２
の島状半導体層６００４と、第１の島状半導体層６００
５のチャネル形成領域を覆うレジストマスク６００７、
６００８を形成した。このとき、配線を形成する領域に
もレジストマスク６００９を形成しておいても良い。

【０１１１】そして、ｎ型を付与する不純物元素を添加
することにより第２の不純物領域を形成する工程を行っ
た。結晶質半導体材料に対してｎ型を付与する不純物元
素としては、リン（Ｐ）、砒素（Ａｓ）、アンチモン
（Ｓｂ）などが知られているが、ここでは、リンを用
い、フォスフィン（ＰＨ₃）を用いたイオンドープ法で
行った。この工程では、ゲート絶縁膜６００６を通して
その下の半導体層にリンを添加するために、加速電圧は
８０ｋｅＶと高めに設定した。半導体層に添加されるリ
ンの濃度は、１×１０¹⁶〜１×１０¹⁹atoms/cm³の範囲
にするのが好ましく、ここでは１×１０¹⁸atoms/cm³と
した。そして、半導体層にリンが添加された領域６０１
０、６０１１が形成された。ここで形成された第２の不
純物領域の一部は、ＬＤＤ領域として機能するものであ
る(図１２（Ｂ）)。

【０１１２】レジストマスクを除去するためには、アル
カリ性の市販の剥離液を用いても良いが、アッシング法
を用いると効果的であった。アッシング法は酸化雰囲気
中でプラズマを形成し、そこに硬化したレジストをさら
して除去する方法であるが、その雰囲気中に酸素の他に
水蒸気を添加しておくと効果的であった。

【０１１３】そして、ゲート絶縁膜６００６の表面に第
１の導電層６０１２を形成した。第１の導電層６０１２
は、Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗから選ばれた元素を主成分と
する導電性材料を用いて形成する。そして、第１の導電
層６００７の厚さは１０〜１００ｎｍ、好ましくは１５
０〜４００ｎｍで形成すれば良い（図１５（Ｃ））。

【０１１４】例えば、ＷＭｏ、ＴａＮ、ＭｏＴａ、ＷＳ
ｉx（x=2.4<X<2.7）などの化合物を用いることができ
る。

【０１１５】Ｔａ、Ｔｉ、Ｍｏ、Ｗなどの導電性材料
は、ＡｌやＣｕに比べ抵抗率が高いが、作製する回路の
面積との関係で、１００ｃｍ²程度までならば問題なく
使用することができた。

【０１１６】次に、第３のフォトマスクによりレジスト
マスク６０１３、６０１４、６０１５、６０１６を形成
した。レジストマスク６０１３は、ｐチャネル型ＴＦＴ
のゲート電極を形成するためのものであり、レジストマ
スク６０１５、６０１６は、ゲート配線およびゲートバ
スラインを形成するためのものであった。また、レジス
トマスク６０１４は第１の島状半導体層の全面を覆って
形成され、次の工程において、不純物が添加されるのを
阻止するマスクとするために設けられた。

【０１１７】第１の導電層はドライエッチング法により
不要な部分が除去され、第２のゲート電極６０１７と、
ゲート配線６０１９と、ゲートバスライン６０２０が形
成された。ここで、エッチング後残渣が残っている場合
には、アッシング処理すると良かった。

【０１１８】そして、レジストマスク６０１３、６０１
４、６０１５、６０１６をそのまま残して、ｐチャネル
型ＴＦＴが形成される第２の島状半導体層６００４の一
部に、ｐ型を付与する不純物元素を添加して第３の不純
物領域を形成する工程を行った。ｐ型を付与する不純物
元素としては、ボロン（Ｂ）、アルミニウム（Ａｌ）、
ガリウム（Ｇａ）、が知られているが、ここではボロン
をその不純物元素として、ジボラン（Ｂ₂Ｈ₆）を用いて
イオンドープ法で添加した。ここでも加速電圧を８０ｋ
ｅＶとして、２×１０²⁰atoms/cm³の濃度にボロンを添
加した。そして、図１２（Ｄ）に示すようにボロンが高
濃度に添加された第３の不純物領域６０２１、６０２２
が形成された。

【０１１９】図１２（Ｄ）で設けられたレジストマスク
を除去した後、第４のフォトマスクを用いてレジストマ
スク６０２３、６０２４、６０２５を形成した。第４の
フォトマスクはｎチャネル型ＴＦＴのゲート電極を形成
するためのものであり、ドライエッチング法により第１
のゲート電極６０２６が形成された。このとき第１のゲ
ート電極６０２６は、第２の不純物領域６０１０、６０
１１の一部とゲート絶縁膜を介して重なるように形成さ
れた（図１２（Ｅ））。

【０１２０】そして、レジストマスク６０２３、６０２
４、６０２５を完全に除去した後、第５のフォトマスク
によりレジストマスク６０２９、６０３０、６０３１を
形成した。レジストマスク６０３０は第１のゲート電極
６０２６とを覆って、さらに第２の不純物領域６０１
０、６０１１の一部と重なる形で形成されたものであっ
た。レジストマスク６０３０は、ＬＤＤ領域のオフセッ
ト量を決めるものであった。

【０１２１】また、ここでレジストマスク６０３０を使
用してゲート絶縁膜の一部を除去して、第１の不純物領
域が形成される半導体層の表面を露出させておいても良
い。このようにすると、次の工程で実施されるｎ型を付
与する不純物元素を添加する工程を効果的に実施するこ
とができる。

【０１２２】そして、ｎ型を付与する不純物元素を添加
して第１の不純物領域を形成する工程を行った。そし
て、ソース領域となる第１の不純物領域６０３２とドレ
イン領域となる第１の不純物領域６０３３が形成され
た。ここでは、フォスフィン（ＰＨ₃）を用いたイオン
ドープ法で行った。この工程でも、ゲート絶縁膜６００
６を通してその下の半導体層にリンを添加するために、
加速電圧は８０ｋｅＶと高めに設定した。この領域のリ
ンの濃度はｎ型を付与する第１の不純物元素を添加する
工程と比較して高濃度であり、１×１０¹⁹〜１×１０²¹
atoms/cm³とするのが好ましく、ここでは１×１０²⁰ato
ms/cm³とした（図１３（Ａ））。

【０１２３】そして、ゲート絶縁膜６００６、第１およ
び第２のゲート電極６０２６、６０１７、ゲート配線６
０２７、ゲートバスライン６０２８の表面に第１の層間
絶縁膜６０３４、６０３５を形成した。第１の層間絶縁
膜６０３４は窒化シリコン膜であり、５０ｎｍの厚さで
形成された。また第１の層間絶縁膜６０３５は酸化シリ
コン膜であり、９５０ｎｍの厚さに形成された。

【０１２４】ここで形成された窒化シリコン膜から成る
第１の層間絶縁膜６０３４は次の熱処理の工程を行うた
めに必要なものであった。これは第１および第２のゲー
ト電極６０２６、６０１７、ゲート配線６０２７、ゲー
トバスライン６０２８の表面が酸化することを防ぐため
に効果的であった。

【０１２５】熱処理の工程は、それぞれの濃度で添加さ
れたｎ型またはｐ型を付与する不純物元素を活性化する
ために行う必要があった。この工程は、電気加熱炉を用
いた熱アニール法や、前述のエキシマレーザーを用いた
レーザーアニール法や、ハロゲンランプを用いたラピッ
ドサーマルアニール法（ＲＴＡ法）で行えば良い。しか
し、レーザーアニール法は低い基板加熱温度で活性をす
ることができるが、ゲート電極の下にかくれる領域まで
活性化させることは困難であった。従って、ここでは熱
アニール法で活性化の工程を行った。加熱処理は、窒素
雰囲気中において３００〜７００℃、好ましくは３５０
〜５５０℃、ここでは４５０℃、２時間の処理を行っ
た。

【０１２６】この熱処理の工程において、窒素雰囲気中
に３〜９０％の水素を添加しておいても良い。また、熱
処理の工程の後に、さらに３〜１００％の水素雰囲気中
で１５０〜５００℃、好ましくは３００〜４５０℃で２
〜１２時間の水素化処理の工程を行うと良い。または、
１５０〜５００℃、好ましくは２００〜４５０℃の基板
温度で水素プラズマ処理をしても良い。いずれにして
も、水素が半導体層中やその界面に残留する欠陥を補償
することにより、ＴＦＴの特性を向上させることができ
た。

【０１２７】第１の層間絶縁膜６０３４、６０３５はそ
の後、第６のフォトマスクを用い、所定のレジストマス
クを形成した後、エッチング処理によりそれぞれのＴＦ
Ｔのソース領域と、ドレイン領域に達するコンタクトホ
ールが形成された。そして、第２の導電層を形成し、第
７のフォトマスクを用いたパターニングの工程によりソ
ース電極６０３６、６０３７とドレイン電極６０３８を
形成した。図示していないが、本実施形態ではこの電極
第２の導電層を、Ｔｉ膜を１００ｎｍ、Ｔｉを含むＡｌ
膜３００ｎｍ、Ｔｉ膜１５０ｎｍをスパッタ法で連続し
て形成した３層構造の電極として用いた。

【０１２８】以上の工程で、ｐチャネル型ＴＦＴは自己
整合的（セルフアライン）に形成され、ｎチャネル型Ｔ
ＦＴは非自己整合的（ノンセルフアライン）に形成され
た。

【０１２９】ＣＭＯＳ回路のｎチャネル型ＴＦＴにはチ
ャネル形成領域６０４２、第１の不純物領域６０４５、
６０４６、第２の不純物領域６０４３、６０４４が形成
された。ここで、第２の不純物領域は、ゲート電極と重
なる領域（ＧＯＬＤ領域）６０４３ａ、６０４４ａと、
ゲート電極と重ならない領域（ＬＤＤ領域）６０４３
ｂ、６０４４ｂがそれぞれ形成された。そして、第１の
不純物領域６０４５はソース領域として、第１の不純物
領域６０４６はドレイン領域となった。

【０１３０】一方、ｐチャネル型ＴＦＴは、チャネル形
成領域６０３９、第３の不純物領域６０４０、６０４１
が形成された。そして、第３の不純物領域６０４０はソ
ース領域として、第３の不純物領域６０４１はドレイン
領域となった（図１３（Ｂ））。

【０１３１】また、図１３（Ｃ）はインバータ回路の上
面図を示し、ＴＦＴ部分のＡ−Ａ'断面構造、ゲート配
線部分のＢ−Ｂ' 断面構造，ゲートバスライン部分のＣ
−Ｃ' 断面構造は、図１３（Ｂ）と対応している。本実
施形態において、ゲート電極とゲート配線とゲートバス
ラインとは、第１の導電層から形成されている。

【０１３２】図１２と図１３では、ｎチャネル型ＴＦＴ
とｐチャネル型ＴＦＴとを相補的組み合わせて成るＣＭ
ＯＳ回路を例にして示したが、ｎチャネル型ＴＦＴを用
いたＮＭＯＳ回路や、アクティブマトリクス回路等も同
様に作製される。

【０１３３】作製されたアクティブマトリクス基板は、
実施形態６と同様の方法によってアクティブマトリクス
型液晶パネルとされる。

【０１３４】そして、実施形態６と同様に、アクティブ
マトリクス型液晶パネルに一対の偏光板を設ける、次
に、アクティブマトリクス型液晶パネルの対向基板側
（光の出射側）に１／４波長板を設ける。

【０１３５】以上のようにして、本実施形態のアクティ
ブマトリクス型液晶表示装置が完成する。

【０１３６】

【発明の効果】

【０１３７】本発明によると、液晶表示装置の使用者の
眼球は、直線偏光が位相差板によって変換された楕円偏
光または円偏光を検知し画像を認識するので、従来の直
線偏光を検知する液晶表示装置と比較して、使用者の眼
に負担をかけることはない。よって、視力の低下を防止
することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の液晶表示装置の概略構成図である。

【図２】実施形態１による本発明の液晶表示装置の概
略構成図である。

【図３】実施形態２による本発明の液晶表示装置を用
いたノートブック型パーソナルコンピュータの例であ
る。

【図４】実施形態３による本発明の液晶表示装置を用
いたデスクトップ型パーソナルコンピュータの例であ
る。

【図５】実施形態４による本発明の液晶表示装置を用
いたプロジェクタの例である。

【図６】実施形態４による本発明の液晶表示装置を用
いた電子機器の例である。

【図７】実施形態６による本発明の液晶表示装置の作
製工程例である。

【図８】実施形態６による本発明の液晶表示装置の作
製工程例である。

【図９】実施形態６による本発明の液晶表示装置の作
製工程例である。

【図１０】実施形態６による本発明の液晶表示装置の
作製工程例である。

【図１１】実施形態６による本発明の液晶表示装置の
作製工程例である。

【図１２】実施形態７による本発明の液晶表示装置の
作製工程例である。

【図１３】実施形態７による本発明の液晶表示装置の
作製工程例である。

【図１４】従来の液晶表示装置の概略構成図である。

【符号の説明】

１０１液晶パネル１０２、１０３偏光板１０４バックライト１０５位相差板１０６観察者の眼球

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】液晶パネルと、液晶パネルの光の出射側の上部に設けられた偏光板と、前記偏光板の上部に設けられた位相差板と、を有する液
晶表示装置。
【請求項２】液晶表示パネルから出射される画像情報を
有する光を偏光板によって直線偏光に変換し、前記直線
偏光を位相差板によって円偏光または楕円偏光に変換す
ることを特徴とする液晶表示装置。
【請求項３】前記位相差板は、１／４波長板であること
を特徴とする請求項に記載の液晶表示装置。