JPH11135822A - 受光回路 - Google Patents
受光回路Info
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- JPH11135822A JPH11135822A JP9296889A JP29688997A JPH11135822A JP H11135822 A JPH11135822 A JP H11135822A JP 9296889 A JP9296889 A JP 9296889A JP 29688997 A JP29688997 A JP 29688997A JP H11135822 A JPH11135822 A JP H11135822A
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- Japan
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- electrode
- photodiodes
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Abstract
(57)【要約】
【課題】簡易なプロセスによって複数のフォトダイオー
ドを同一半導体基板上に形成しても、あるフォトダイオ
ードでの光電流が他のフォトダイオードでの光電流に影
響を与えないような受光回路を提供すること。 【解決手段】フォトダイオード１００ａ、１００ｂを形
成したｎ半導体基板２００と、照射された光に応じてフ
ォトダイオードに流れる電流を検出するための複数の回
路部とを備える。各回路部は、光吸収層からｎ電極まで
の抵抗値Ｒn よりも十分に大きな抵抗値をもつ直列抵抗
ＲL を含む。
ドを同一半導体基板上に形成しても、あるフォトダイオ
ードでの光電流が他のフォトダイオードでの光電流に影
響を与えないような受光回路を提供すること。 【解決手段】フォトダイオード１００ａ、１００ｂを形
成したｎ半導体基板２００と、照射された光に応じてフ
ォトダイオードに流れる電流を検出するための複数の回
路部とを備える。各回路部は、光吸収層からｎ電極まで
の抵抗値Ｒn よりも十分に大きな抵抗値をもつ直列抵抗
ＲL を含む。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信、光交換等
の各種の光情報処理に適用可能な受光回路に関する。
の各種の光情報処理に適用可能な受光回路に関する。
【０００２】
【従来の技術】２つのフォトダイオードを用いて光信号
の検出を行うために、両フォトダイオードで検出された
光信号の差動検出を行うものが提案されている。これに
よれば、本来検出すべき光信号以外のノイズ成分が除去
され、高精度で光信号を検出することが可能となるため
光通信を始めとする各種の分野で広く用いられている。
の検出を行うために、両フォトダイオードで検出された
光信号の差動検出を行うものが提案されている。これに
よれば、本来検出すべき光信号以外のノイズ成分が除去
され、高精度で光信号を検出することが可能となるため
光通信を始めとする各種の分野で広く用いられている。
【０００３】ところで、これによれば、２つのフォトダ
イオードの夫々から光信号を取り出し、両者の差信号を
出力するように構成しなければならないため、量子効
率、受光帯域等の特性が２つのフォトダイオード間で同
一になっていなけらばならず、このため、２つのフォト
ダイオードを同一の製造プロセスによって同一の半導体
基板上に近接させて形成することで特性を同じくなるよ
うにした、デュアルフォトダイオードが用いられてい
る。
イオードの夫々から光信号を取り出し、両者の差信号を
出力するように構成しなければならないため、量子効
率、受光帯域等の特性が２つのフォトダイオード間で同
一になっていなけらばならず、このため、２つのフォト
ダイオードを同一の製造プロセスによって同一の半導体
基板上に近接させて形成することで特性を同じくなるよ
うにした、デュアルフォトダイオードが用いられてい
る。
【０００４】そして、このデュアルフォトダイオードを
製造するためには、ＳＩ−ＩｎＰ（ＳＩ：Semi Insulat
or）等の半絶縁性半導体基板上にフォトダイオードを形
成する方法が用いられてきた。図２にこのような方法に
よって製造したデュアルフォトダイオードの断面構成図
を示す。
製造するためには、ＳＩ−ＩｎＰ（ＳＩ：Semi Insulat
or）等の半絶縁性半導体基板上にフォトダイオードを形
成する方法が用いられてきた。図２にこのような方法に
よって製造したデュアルフォトダイオードの断面構成図
を示す。
【０００５】このデュアルフォトダイオードは、ＳＩ−
ＩｎＰ等の半絶縁性半導体基板６上に、２つのフォトダ
イオードと、各フォトダイオードに対するｎ電極２（リ
ード線と金属からなる）とが形成されていて、両フォト
ダイオードを電気的に分離するための分離溝１０が半絶
縁性半導体基板６上の両フォトダイオードの中間位置に
設けられているとともに、各フォトダイオードはｎ型半
導体５と光吸収層４とｐ型半導体３とが順次積層された
構造を有し、ｐ型半導体３の上部にはｐ電極１（リード
線と金属からなる）が設けられている。
ＩｎＰ等の半絶縁性半導体基板６上に、２つのフォトダ
イオードと、各フォトダイオードに対するｎ電極２（リ
ード線と金属からなる）とが形成されていて、両フォト
ダイオードを電気的に分離するための分離溝１０が半絶
縁性半導体基板６上の両フォトダイオードの中間位置に
設けられているとともに、各フォトダイオードはｎ型半
導体５と光吸収層４とｐ型半導体３とが順次積層された
構造を有し、ｐ型半導体３の上部にはｐ電極１（リード
線と金属からなる）が設けられている。
【０００６】この構造では、半絶縁性基板６上にｎ電極
２を設けるための領域を確保しており、このため、ｎ型
半導体５をフォトダイオードの外部に張り出させて前記
領域を確保しなければならず、エッチング処理をｎ型半
導体５の中間位置で停止させなければならず製造プロセ
スの繁雑化を招いていた。さらに、分離溝１０を設ける
ことも製造工程の増加を招いてしまう。このような製造
プロセスの繁雑化は、他の素子を集積化させる際にもプ
ロセス工程の煩雑化や素子性能の低下の原因となる。
２を設けるための領域を確保しており、このため、ｎ型
半導体５をフォトダイオードの外部に張り出させて前記
領域を確保しなければならず、エッチング処理をｎ型半
導体５の中間位置で停止させなければならず製造プロセ
スの繁雑化を招いていた。さらに、分離溝１０を設ける
ことも製造工程の増加を招いてしまう。このような製造
プロセスの繁雑化は、他の素子を集積化させる際にもプ
ロセス工程の煩雑化や素子性能の低下の原因となる。
【０００７】そこで、このようなプロセスの繁雑化を回
避するために、図３に示すような断面構造を有するデュ
アルフォトダイオードが提案されていた。このデュアル
フォトダイオードは、ｎ型半導体基板７の表面上に２つ
のフォトダイオードが形成されたもので、各フォトダイ
オードはｎ型半導体５と光吸収層４とｐ型半導体３とが
順次積層された構造を有し、ｐ型半導体３の上部にはｐ
電極１（リード線と金属からなる）が設けられていると
ともに、ｎ型半導体基板７の裏面にはｎ電極２が設けら
れている。
避するために、図３に示すような断面構造を有するデュ
アルフォトダイオードが提案されていた。このデュアル
フォトダイオードは、ｎ型半導体基板７の表面上に２つ
のフォトダイオードが形成されたもので、各フォトダイ
オードはｎ型半導体５と光吸収層４とｐ型半導体３とが
順次積層された構造を有し、ｐ型半導体３の上部にはｐ
電極１（リード線と金属からなる）が設けられていると
ともに、ｎ型半導体基板７の裏面にはｎ電極２が設けら
れている。
【０００８】このように、フォトダイオードをｎ型半導
体基板７の表面上に配置すれば、このｎ型半導体基板７
の裏側からｎ電極２の取り出しが行えるため、図２に示
すものに比べて製造プロセスは簡易になり、他の素子と
集積化させる際にもプロセス工程の繁雑化や素子性能の
低下を避けることができるため、従来から広く用いられ
ていた。
体基板７の表面上に配置すれば、このｎ型半導体基板７
の裏側からｎ電極２の取り出しが行えるため、図２に示
すものに比べて製造プロセスは簡易になり、他の素子と
集積化させる際にもプロセス工程の繁雑化や素子性能の
低下を避けることができるため、従来から広く用いられ
ていた。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、このデ
ュアルフォトダイオードにおいては、一方のフォトダイ
オードに流れる光電流の一部が、ｎ型半導体基板７を介
して他方のフォトダイオードに流れてしまい、この他方
のフォトダイオードは本来検出すべきでない誤った光信
号を検出してしまうという問題があった。
ュアルフォトダイオードにおいては、一方のフォトダイ
オードに流れる光電流の一部が、ｎ型半導体基板７を介
して他方のフォトダイオードに流れてしまい、この他方
のフォトダイオードは本来検出すべきでない誤った光信
号を検出してしまうという問題があった。
【００１０】このことを図４を参照して説明する。図４
に示す受光回路は、ｎ型半導体基板２００（図３中符号
７に対応）上に設けられた２つのフォトダイオード１０
０ａ、１００ｂ（図３中符号３、４、５に対応）と、各
フォトダイオード１００ａ、１００ｂに流れる電流を検
出するための回路部とを有し、各回路部は逆バイアス電
圧を印加する電圧源２０ａ（２０ｂ）と電流計２１ａ
（２１ｂ）とを含んでいる。そして、フォトダイオード
の光吸収層４からｎ電極２までのｎ型半導体の抵抗をＲ
N 、フォトダイオード間のｎ型半導体の抵抗をＲn とし
て等価回路表現している。
に示す受光回路は、ｎ型半導体基板２００（図３中符号
７に対応）上に設けられた２つのフォトダイオード１０
０ａ、１００ｂ（図３中符号３、４、５に対応）と、各
フォトダイオード１００ａ、１００ｂに流れる電流を検
出するための回路部とを有し、各回路部は逆バイアス電
圧を印加する電圧源２０ａ（２０ｂ）と電流計２１ａ
（２１ｂ）とを含んでいる。そして、フォトダイオード
の光吸収層４からｎ電極２までのｎ型半導体の抵抗をＲ
N 、フォトダイオード間のｎ型半導体の抵抗をＲn とし
て等価回路表現している。
【００１１】図中左側のフォトダイオード１００ａに光
が照射されたとすると光電流は抵抗の大きいＲN を避け
て図中右側のフォトダイオード１００ｂを流れるように
電流経路が形成され、即ち、「電圧源２０ａ→電流計２
１ａ→電流計２１ｂ→電圧源２０ｂ→フォトダイオード
１００ｂ→Ｒn 」なる電流経路１４が形成され、ｎ型半
導体基板２００を介し、光電流が光照射されていないフ
ォトダイオード１００ｂに流れてしまう。これによっ
て、フォトダイオード１００ｂは本来検出されてはなら
ない電流を検出してしまい、一方のフォトダイオードで
検出した光電流によって他方のフォトダイドードでの光
電流が乱されて正確な光信号の検出ができなくなるとい
う問題があった。
が照射されたとすると光電流は抵抗の大きいＲN を避け
て図中右側のフォトダイオード１００ｂを流れるように
電流経路が形成され、即ち、「電圧源２０ａ→電流計２
１ａ→電流計２１ｂ→電圧源２０ｂ→フォトダイオード
１００ｂ→Ｒn 」なる電流経路１４が形成され、ｎ型半
導体基板２００を介し、光電流が光照射されていないフ
ォトダイオード１００ｂに流れてしまう。これによっ
て、フォトダイオード１００ｂは本来検出されてはなら
ない電流を検出してしまい、一方のフォトダイオードで
検出した光電流によって他方のフォトダイドードでの光
電流が乱されて正確な光信号の検出ができなくなるとい
う問題があった。
【００１２】本発明は、このような従来の課題を解決す
るためになされたもので、その目的は、簡単なプロセス
によって複数のフォトダイオードを同一半導体基板上に
形成しても、あるフォトダイオードでの光電流が他のフ
ォトダイオードでの光電流に影響を与えないような受光
回路を提供する点にある。
るためになされたもので、その目的は、簡単なプロセス
によって複数のフォトダイオードを同一半導体基板上に
形成しても、あるフォトダイオードでの光電流が他のフ
ォトダイオードでの光電流に影響を与えないような受光
回路を提供する点にある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明は、照射された光を検出する回路であって、
第１の導電型の半導体層と光吸収層と第２の導電型の半
導体層とを順次積層した構造を有する複数のフォトダイ
オードを、前記第２の導電型の半導体層の夫々が互いに
電気的に分離するように、自身の表面に配置した前記第
１の導電型の半導体基板と、前記第１の導電型の半導体
基板の裏面に設けた第１の電極と、前記複数のフォトダ
イオードを構成する前記第２の導電型の半導体層の夫々
に設けた複数の第２の電極と、前記第１の電極と前記第
２の電極の夫々の間に設けられ、照射された光に応じて
フォトダイオードに流れる電流を検出するための複数の
回路部とを備え、前記各回路部は、前記光吸収層から前
記第１の電極までの抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を
もつ抵抗を含むことを特徴とする。
め、本発明は、照射された光を検出する回路であって、
第１の導電型の半導体層と光吸収層と第２の導電型の半
導体層とを順次積層した構造を有する複数のフォトダイ
オードを、前記第２の導電型の半導体層の夫々が互いに
電気的に分離するように、自身の表面に配置した前記第
１の導電型の半導体基板と、前記第１の導電型の半導体
基板の裏面に設けた第１の電極と、前記複数のフォトダ
イオードを構成する前記第２の導電型の半導体層の夫々
に設けた複数の第２の電極と、前記第１の電極と前記第
２の電極の夫々の間に設けられ、照射された光に応じて
フォトダイオードに流れる電流を検出するための複数の
回路部とを備え、前記各回路部は、前記光吸収層から前
記第１の電極までの抵抗値よりも十分に大きな抵抗値を
もつ抵抗を含むことを特徴とする。
【００１４】なお、前記第１の導電型、第２の導電型と
しては「ｐ型、ｎ型」または「ｎ型、ｐ型」の組合せが
挙げられる。この受光回路によれば、各回路部に、光吸
収層から第１の電極までの抵抗値よりも十分に大きな抵
抗値をもつ抵抗を含むようにしたので、あるフォトダイ
オードから他のフォトダイオードへ流れる光電流の電流
経路が形成されなくなり、他のフォトダイオードによる
誤検出がなくなる。また、同一の半導体基板上に複数の
フォトダイオードを形成できるので、製造プロセスを簡
易化することが可能となる。
しては「ｐ型、ｎ型」または「ｎ型、ｐ型」の組合せが
挙げられる。この受光回路によれば、各回路部に、光吸
収層から第１の電極までの抵抗値よりも十分に大きな抵
抗値をもつ抵抗を含むようにしたので、あるフォトダイ
オードから他のフォトダイオードへ流れる光電流の電流
経路が形成されなくなり、他のフォトダイオードによる
誤検出がなくなる。また、同一の半導体基板上に複数の
フォトダイオードを形成できるので、製造プロセスを簡
易化することが可能となる。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
を参照しつつ説明する。図１に本発明の実施の形態に係
る受光回路の回路図を示す。この実施の形態に係る受光
回路は、ｎ型半導体基板２００上に設けられた２つのフ
ォトダイオード１００ａ、１００ｂと、各フォトダイオ
ード１００ａ、１００ｂに流れる電流を検出するための
回路部とを有する。フォトダイオード１００ａに対する
回路部は、逆バイアス電圧を印加する電圧源２０ａと電
流計２１ａと抵抗ＲL とを含んで構成されていると共
に、フォトダイオード１００ｂに対する回路部は、逆バ
イアス電圧を印加する電圧源２０ｂと電流計２１ｂと抵
抗ＲL とを含んでいて、また、フォトダイオードの光吸
収層からｎ電極（図示せず）までのｎ型半導体の抵抗を
ＲN 、フォトダイオード間のｎ型半導体の抵抗をＲn と
して等価回路表現している。
を参照しつつ説明する。図１に本発明の実施の形態に係
る受光回路の回路図を示す。この実施の形態に係る受光
回路は、ｎ型半導体基板２００上に設けられた２つのフ
ォトダイオード１００ａ、１００ｂと、各フォトダイオ
ード１００ａ、１００ｂに流れる電流を検出するための
回路部とを有する。フォトダイオード１００ａに対する
回路部は、逆バイアス電圧を印加する電圧源２０ａと電
流計２１ａと抵抗ＲL とを含んで構成されていると共
に、フォトダイオード１００ｂに対する回路部は、逆バ
イアス電圧を印加する電圧源２０ｂと電流計２１ｂと抵
抗ＲL とを含んでいて、また、フォトダイオードの光吸
収層からｎ電極（図示せず）までのｎ型半導体の抵抗を
ＲN 、フォトダイオード間のｎ型半導体の抵抗をＲn と
して等価回路表現している。
【００１６】このような受光回路を製造するためには、
図３に示すように、例えばＩｎＰにＳｎをドーピングし
て製造したｎ型半導体基板７に、同じくｎ型の半導体層
５、ＩｎＧａＡｓ等の光吸収層４、ＩｎＰにＺｎをドー
ピングしたｐ型半導体層３をこの順に積層するように成
長させ、次いで、エッチングを施して２つのフォトダイ
オードを形成する。さらに、両方のｐ型半導体層３にｐ
電極１を設けると共に、ｎ型半導体基板７の裏面にｎ電
極２を設けて、各ｐ電極１とｎ電極２との間に、電圧源
２０ａ（２０ｂ）と電流計２１ａ（２１ｂ）と抵抗ＲL
とを接続する。
図３に示すように、例えばＩｎＰにＳｎをドーピングし
て製造したｎ型半導体基板７に、同じくｎ型の半導体層
５、ＩｎＧａＡｓ等の光吸収層４、ＩｎＰにＺｎをドー
ピングしたｐ型半導体層３をこの順に積層するように成
長させ、次いで、エッチングを施して２つのフォトダイ
オードを形成する。さらに、両方のｐ型半導体層３にｐ
電極１を設けると共に、ｎ型半導体基板７の裏面にｎ電
極２を設けて、各ｐ電極１とｎ電極２との間に、電圧源
２０ａ（２０ｂ）と電流計２１ａ（２１ｂ）と抵抗ＲL
とを接続する。
【００１７】次に動作を説明する。フォトダイオード１
００ａの光吸収層に光が照射されたとすると、光電流が
発生して、「電圧源２０ａ→電流計２１ｂ→抵抗ＲL 」
の順に電流が流れる。そして、「（ＲL ＋ＲN ）≪（Ｒ
L ＋ＲL ）」、即ち、ＲL を十分大きく、例えば「ＲL
≫ＲN 」を満たすような抵抗値に設定しておけば、図４
中符号１４で示すような電流経路が形成されずに、図１
中符号１５で示すような電流経路が形成されるため、フ
ォトダイオード１００ａの光電流がフォトダイオード１
００ｂの回路部に流入して、フォトダイオード１００ｂ
が誤動作することはなくなる。この結果、電流計２１ｂ
によって電流は検出されず、電流計２１ａによって高精
度に光電流が検出されることになる。
００ａの光吸収層に光が照射されたとすると、光電流が
発生して、「電圧源２０ａ→電流計２１ｂ→抵抗ＲL 」
の順に電流が流れる。そして、「（ＲL ＋ＲN ）≪（Ｒ
L ＋ＲL ）」、即ち、ＲL を十分大きく、例えば「ＲL
≫ＲN 」を満たすような抵抗値に設定しておけば、図４
中符号１４で示すような電流経路が形成されずに、図１
中符号１５で示すような電流経路が形成されるため、フ
ォトダイオード１００ａの光電流がフォトダイオード１
００ｂの回路部に流入して、フォトダイオード１００ｂ
が誤動作することはなくなる。この結果、電流計２１ｂ
によって電流は検出されず、電流計２１ａによって高精
度に光電流が検出されることになる。
【００１８】以上のように、この実施の形態によれば、
フォトダイオード１００ａからフォトダイオード１００
ｂへ流れる光電流の電流経路が形成されなくなるので、
フォトダイオード１００ｂによる誤検出がなくなるとと
もに、同一のｎ型半導体基板７上に２つのフォトダイオ
ードを形成することができるので、製造プロセスを簡易
化することが可能となる。
フォトダイオード１００ａからフォトダイオード１００
ｂへ流れる光電流の電流経路が形成されなくなるので、
フォトダイオード１００ｂによる誤検出がなくなるとと
もに、同一のｎ型半導体基板７上に２つのフォトダイオ
ードを形成することができるので、製造プロセスを簡易
化することが可能となる。
【００１９】因みに、ＲL の値を「１ｋ（Ω）」とし
て、ＲN の値が「０．５（ｍΩ）」程度の場合フォトダ
イオード１００ｂが誤動作することがなくなることを確
認した。
て、ＲN の値が「０．５（ｍΩ）」程度の場合フォトダ
イオード１００ｂが誤動作することがなくなることを確
認した。
【００２０】なお、以上の説明は、ｎ型半導体基板上に
２つのフォトダイオードを形成した場合を想定したもの
であるが、ｐ型半導体基板上に２つのフォトダイオード
（この場合、フォトダイオードを構成するｐ型半導体と
ｎ型半導体を反対にする）を形成してもよく、また、同
一半導体基板上に形成されるフォトダイオードは２個に
限られない。
２つのフォトダイオードを形成した場合を想定したもの
であるが、ｐ型半導体基板上に２つのフォトダイオード
（この場合、フォトダイオードを構成するｐ型半導体と
ｎ型半導体を反対にする）を形成してもよく、また、同
一半導体基板上に形成されるフォトダイオードは２個に
限られない。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
あるフォトダイオードから他のフォトダイオードへ流れ
る光電流の電流経路が形成されなくなるので、他のフォ
トダイオードによる誤検出がなくなるとともに、同一の
半導体基板上に複数のフォトダイオードを形成できるの
で、製造プロセスを簡易化することが可能となる。
あるフォトダイオードから他のフォトダイオードへ流れ
る光電流の電流経路が形成されなくなるので、他のフォ
トダイオードによる誤検出がなくなるとともに、同一の
半導体基板上に複数のフォトダイオードを形成できるの
で、製造プロセスを簡易化することが可能となる。
【図１】 本発明の実施の形態にかかる受光回路の回路
図である。
図である。
【図２】 半絶縁性半導体基板上にフォトダイオードを
形成したデュアルフォトダイオードの断面構成図であ
る。
形成したデュアルフォトダイオードの断面構成図であ
る。
【図３】 ｎ型半導体基板上にフォトダイオードを形成
したデュアルフォトダイオードの断面構成図である。
したデュアルフォトダイオードの断面構成図である。
【図４】 従来の受光回路の回路図である。
１ ｐ電極 ２ ｎ電極 ３ ｐ型半導体 ４ 光吸収層 ５ ｎ型半導体 ６ 半絶縁性半導体基板 ７ ｎ型半導体基板 １０ 分離溝 １４ 電流経路 ２０ａ 電圧源 ２０ｂ 電圧源 ２１ａ 電流計 ２１ｂ 電流計 １００ａ フォトダイオード １００ｂ フォトダイオード ２００ ｎ型半導体基板
Claims (1)
- 【請求項１】 照射された光を検出する回路であって、 第１の導電型の半導体層と光吸収層と第２の導電型の半
導体層とを順次積層した構造を有する複数のフォトダイ
オードを、前記第２の導電型の半導体層の夫々が互いに
電気的に分離するように、自身の表面に配置した前記第
１の導電型の半導体基板と、 前記第１の導電型の半導体基板の裏面に設けた第１の電
極と、 前記複数のフォトダイオードを構成する前記第２の導電
型の半導体層の夫々に設けた複数の第２の電極と、 前記第１の電極と前記第２の電極の夫々の間に設けら
れ、照射された光に応じてフォトダイオードに流れる電
流を検出するための複数の回路部とを備え、 前記各回路部は、 前記光吸収層から前記第１の電極までの抵抗値よりも十
分に大きな抵抗値をもつ抵抗を含むことを特徴とする受
光回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9296889A JPH11135822A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 受光回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9296889A JPH11135822A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 受光回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11135822A true JPH11135822A (ja) | 1999-05-21 |
Family
ID=17839480
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9296889A Pending JPH11135822A (ja) | 1997-10-29 | 1997-10-29 | 受光回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11135822A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020149276A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器 |
-
1997
- 1997-10-29 JP JP9296889A patent/JPH11135822A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2020149276A1 (ja) * | 2019-01-16 | 2020-07-23 | 日本電信電話株式会社 | 光検出器 |
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