JPH11135360A - コンデンサ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】格段的に小型化及び高容量化し得るコンデンサ
及びその製造方法を実現し難かつた。 【解決手段】コンデンサにおいて、絶縁基板の一面上に
所定の導電材料からなる第１の下部電極を形成すると共
に、当該第１の下部電極上にスパツタ法又は化学気相法
を用いて高誘電体材料からなる第１の高誘電体層を成膜
形成し、当該第１の高誘電体層上に所定の導電材料から
なる第１の上部電極層を設けるようにした。またコンデ
ンサの製造方法において、絶縁基板の一面上に所定の導
電材料からなる第１の下部電極を形成する第１の工程
と、第１の下部電極上にスパツタ法又は化学気相法を用
いて高誘電体材料からなる第１の高誘電体層を形成する
第２の工程と、第１の高誘電体層上に所定の導電材料か
らなる第１の上部電極層を形成する第３の工程とを設け
るようにした。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【目次】以下の順序で本発明を説明する。

【０００２】発明の属する技術分野 従来の技術（図６〜図８） 発明が解決しようとする課題（図６〜図１０） 課題を解決するための手段（図１〜図５） 発明の実施の形態 （１）第１の実施の形態 （１−１）第１の実施の形態によるチツプ型コンデンサ
の構成（図１） （１−２）第１の実施の形態によるチツプ型コンデンサ
の製造手順（図２及び図３） （１−３）第１の実施の形態の動作及び効果（図１〜図
３） （２）第２の実施の形態（図４及び図５） （３）他の実施の形態（図１〜図５） 発明の効果

【０００３】

【発明の属する技術分野】本発明はコンデンサ及びその
製造方法に関し、例えばチツプ型コンデンサに適用して
好適なものである。

【０００４】

【従来の技術】従来、チツプ型コンデンサとして図６及
び図７のように構成されたものがある。

【０００５】かかる構成のチツプ型コンデンサ１におい
ては、図８に示すように、一面側にそれぞれ電極２Ａ〜
２Ｄが形成された誘電体材料からなるセラミツクシート
３Ａ〜３Ｄを複数枚重ね合わせて焼き固め、これを所定
の大きさにカツトした後、得られたチツプの長手方向の
両端部にそれぞれ第１又は第２の外部電極４Ａ、４Ｂを
形成することにより構成されている。

【０００６】この場合各電極２Ａ〜２Ｄは、それぞれ端
部が順次交互にセラミツクシート３Ａ〜３Ｄの長手方向
の一端又は他端にまで至るように当該セラミツクシート
３Ａ〜３Ｄの一面上に形成されている。

【０００７】また各第１及び第２の外部電極４Ａ、４Ｂ
は、それぞれセラミツクシート３Ａ〜３Ｄの同じ一端側
又は他端側にまで至る各電極２Ａ〜２Ｄと導通するよう
にデツプ処理により銀−パラジウム（Ag-Pd ）からなる
第１の電極層５Ａ、５Ｂをチツプの５面に亘つて形成す
ると共に、当該第１の電極層５Ａ、５Ｂ上にニツケルめ
つき処理により第２の電極層６Ａ、６Ｂを形成すること
により構成されている。

【０００８】かくしてこの種のチツプ型コンデンサ１に
おいては、第１及び第２の外部電極４Ａ、４Ｂをそれぞ
れマザー基板の対応する電極にはんだ等を用いて接合す
るようにして実装することができるようになされてい
る。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】ところで一般的にコン
デンサの容量Ｃは、図９に示すように、各電極１１Ａ、
１１Ｂの対向する部分の面積をＡ、電極１１Ａ、１１Ｂ
間の距離をｄ、電極１１Ａ、１１Ｂ間に介在する誘電体
１２の誘電率をε、絶対誘電係数をε₀ （＝8.854 ×10
^-12 〔F/m²〕として、次式

【００１０】

【数１】

【００１１】により与えられる。従つてこの（１）式か
らコンデンサの容量Ｃが電極１１Ａ、１１Ｂ間の距離ｄ
に反比例し、かつ電極１１Ａ、１１Ｂ間に介在する誘電
体１２の誘電率ε及び各電極１１Ａ、１１Ｂの対向する
部分の面積Ａに正比例することが分かる。

【００１２】ところが上述した従来のチツプ型コンデン
サ１においては、電極間に介在する誘電体としてのセラ
ミツクシート３Ａ〜３Ｄとして、比誘電率が低い（５〜
６程度）アルミナを材料とするセラミツク製薄板が用い
られている。またセラミツクシート３Ａ〜３Ｄは、取り
扱いの関係上、その厚みを15〜20〔μm 〕程度にしか薄
くすることができず、このため高容量のチツプ型コンデ
ンサ１を構築し難い問題があつた。

【００１３】このためこの種のチツプ型コンデンサ１に
おいては、上述のように電極２Ａ〜２Ｄを多層化（20〜
30層）して電極面積Ａを大きくすることにより高容量化
しているものの、この方法によると小型化し難しい問題
があつた。

【００１４】かかる問題を解決するため、従来、図１０
に示すように、セラミツク等からなる絶縁基板２０の一
面上に例えば銅めつき処理により下部電極２１を形成す
ると共に、当該下部電極２１上に印刷法等を用いて誘電
体材料からなる誘電体層２２を積層形成し、この後この
誘電体層２２上に印刷法等を用いて上部電極２３を形成
した後、これら下部電極２１及び上部電極２３のうちの
外部電極として利用する部位以外の部分を絶縁材２４で
覆うようにしてコンデンサ２５を形成する方法が提案さ
れている。

【００１５】しかしながらこの方法によると、絶縁基板
２０の表面の凹凸の影響によつて、誘電体層２２に電界
集中が生じて絶縁破壊が生じるおそれがあるため、誘電
体層２２を薄く形成することができない。このためこの
方法では、印刷法などの厚膜形成プロセスを用いて誘電
体層２２をある程度の厚みをもたせて形成するようにし
ており、この結果さらなる高容量化が難しい問題があつ
た。

【００１６】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、従来に比べて格段的に小型化及び高容量化し得るコ
ンデンサ及びその製造方法を提案しようとするものであ
る。

【００１７】

【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、コンデンサにおいて、絶縁基板の
一面上に所定の導電材料からなる第１の下部電極を形成
すると共に、当該第１の下部電極上にスパツタ法又は化
学気相法を用いて高誘電体材料からなる第１の高誘電体
層を成膜形成し、当該第１の高誘電体層上に所定の導電
材料からなる第１の上部電極層を設けるようにした。

【００１８】この結果、従来に比べて電極間距離が格段
的に短く、かつ電極間に格段的に誘電率の高い誘電体が
介在するコンデンサを得ることができる。

【００１９】またコンデンサの製造方法において、絶縁
基板の一面上に所定の導電材料からなる第１の下部電極
を形成する第１の工程と、第１の下部電極上にスパツタ
法又は化学気相法を用いて高誘電体材料からなる第１の
高誘電体層を成膜形成する第２の工程と、第１の高誘電
体層上に所定の導電材料からなる第１の上部電極層を形
成する第３の工程とを設けるようにした。

【００２０】この結果、従来に比べて電極間距離が格段
的に短く、かつ電極間に格段的に誘電率の高い誘電体が
介在するコンデンサを得ることができる。

【００２１】

【発明の実施の形態】以下図面について、本発明の一実
施の形態を詳述する。

【００２２】（１）第１の実施の形態 （１−１）第１の実施の形態によるチツプ型コンデンサ
の構成 図１（Ａ）及び（Ｂ）において、３０は全体として本発
明を適用した第１の実施の形態によるチツプ型コンデン
サを示し、一面３１Ａ側が平滑化又は平坦化されたセラ
ミツク基板３１の当該一面上に、銅等の導電材料からな
る下部電極３２が当該セラミツク３１基板の一端から他
端近傍にまで至るように形成されている。

【００２３】また下部電極３２上には、バリアメタル層
３３を介して高誘電体材料からなる高誘電体層３４が積
層形成されると共に、下部電極３２が形成されていない
セラミツク基板３１の一面３１Ａ上と、高誘電体層３４
が形成されていないバリアメタル層３３上とには、高誘
電体層３４と面一の高さで絶縁性樹脂材からなる絶縁層
３５が一体に積層形成されている。

【００２４】さらにこれら高誘電体層３４及び絶縁層３
５上には、銅等の導電材料からなる上部電極３６がセラ
ミツク基板３１の他端から高誘電体層３４の一端にまで
至るように形成されると共に、上部電極３６上と、当該
上部電極３６が形成されていない絶縁層３５上とには、
絶縁材からなる保護膜層３７が一体に形成されている。

【００２５】そしてこのチツプ型コンデンサ３０の長手
方向の一端部及び他端部には、それぞれセラミツク基板
３１の一端側又は他端側にまで端部が引き出された下部
電極３２又は上部電極３７と導通する第１又は第２の外
部電極３８Ａ、３８Ｂが形成されている。

【００２６】これによりこのチツプ型コンデンサ３０に
おいては、各第１及び第２の外部電極３８Ａ、３８Ｂを
それぞれマザー基板の対応する電極と接合することによ
り当該マザー基板上に実装することができるようになさ
れている。

【００２７】かかる構成に加えこのチツプ型コンデンサ
３０の場合、高誘電体層３４は、タンタルオキサイド
（比誘電率20〜25）や、バリウムチタンオキサイド（Ba
TiO₃、比誘電率2000）又はストロンチウムチタンオキサ
イド（SrTiO₃、比誘電率150 〜200 ）等の高誘電体材料
を、バリアメタル層３３上にスパツタ又は化学気相法
（ＣＶＤ：Chemical Vapor Deposition ）を用いて100
〜5000〔Å〕程度の膜厚で供給することにより形成され
ている。

【００２８】これによりこのチツプ型コンデンサ３０に
おいては、高誘電体層３４を実用上十分に薄く形成する
ことができ、かくして高誘電体層３４を形成する高誘電
体材料や、当該高誘電体層３４の層厚を選択することに
よつて、大容量かつ所望容量に形成し得るようになされ
ている。

【００２９】（１−２）第１の実施の形態によるチツプ
型コンデンサの製造手順ここで実際上このようなチツプ
型コンデンサ３０は、図２（Ａ）〜（Ｈ）に示す以下の
手順により製造することができる。

【００３０】すなわち、まず図２（Ａ）に示すように、
後の工程でのハンドリングに支障のない程度の厚み（10
0 〔μm 〕程度）を有する例えば硼珪酸ガラスからなる
セラミツク基板４０を用意し、この一面４０Ａを平滑化
又は平坦化することにより図２（Ｂ）のような一面３１
Ａが平滑化又は平坦化されてなるセラミツク基板３１を
形成する。

【００３１】実際上このような平滑化又は平坦化処理
は、例えば図３（Ａ）に示すように、セラミツク基板４
０の一面４０Ａ上にスピンオンガラス４１を塗布し、こ
れを数十〜300 〔℃〕で加熱後、再び数百度で加熱処理
することにより図３（Ｂ）のようにスピンオンガラスを
固化させ、この後図３（Ｃ）のように当該セラミツク基
板４０の一面４０Ａ側を研磨することにより行うことが
できる。

【００３２】次いで図２（Ｃ）に示すように、このよう
にして得られたセラミツク基板３１の一面３１Ａ上に、
スパツタ法、蒸着法又はめつき法等の手法を用いて銅等
の導電材料を供給することにより下部電極３２を形成
し、この後図２（Ｄ）に示すように、この下部電極３２
上に後述のような300 〜800 〔℃〕の酸素含有雰囲気化
における0.1 〜180 分程度の加熱処理によつても下部電
極３２を形成する導電材料の拡散や酸化を防止し得るバ
リアメタル層３３を当該下部電極３２全体を覆うように
形成する。

【００３３】因にこのようなバリアメタル層３３は、タ
ングステン、ルテニウム、ルテニウムオキサイド（RuOx
（ｘ＝0.05〜2.0 ））、Ir-Hf-Ox、PdRhO 又はPdRuO 等
の導電材料を印刷法、スピンコート法、スパツタ法又は
化学気相法等の手法を用いて0.01〜１〔μm 〕程度の厚
みで供給することにより形成することができる。

【００３４】続いてこのバリアメタル層３３上に上述の
ようなタンタルオキサイドや、又はBaSrTiO₃（比誘電率
20〜25）等の高誘電体材料をスパツタ法又は化学気相法
等の所定の薄膜形成手法を用いて供給することにより高
誘電体層３４を成膜形成する。このとき高誘電体層３４
の厚み、材料、tan δ及び耐圧等は、所望する容量及び
電気特性に応じて最適な値を選定するようにする。

【００３５】ここで実際上、例えばBaSrTiO₃からなる高
誘電体層３４を化学気相法により形成する場合には、Ba
(DPM)₂、Sr(DPM)₂、Ti(O-C₃H₇)₄ をそれぞれケトン系の
有機溶剤ＴＨＦに溶解させ、これらの0.01〜0.1 〔mol
〕程度の混合液を形成した後、当該混合液を加熱及び
減圧処理により瞬間的に蒸発させ、かくして得られた蒸
気を反応容器内に供給して温度400 〜450 〔℃〕、圧力
１〜10〔Torr〕程度の条件下で反応させるようにする。
この結果20〜150 〔Å/ 分〕程度の速度でBaSrTiO₃から
なる高誘電体層３４を形成することができる。

【００３６】またBaSrTiO₃からなる高誘電体層３４をス
パツタ法を用いて形成する場合には、一面３１Ａ上に下
部電極３２及びバリアメタル層３３が形成されたセラミ
ツク基板３１を0.1 〜１〔Torr〕のアルゴン酸素雰囲気
中において400 〜450 〔℃〕程度に加熱し、BaSrTiから
なるターゲツトを用いてスパツタ処理を行うようにす
る。これによりBaSrTiO₃からなる高誘電体層３４を形成
することができる。

【００３７】続いてこのようにして高誘電体層３４が形
成されたセラミツク基板３１を300〜800 〔℃〕の酸素
雰囲気中で0.1 〜180 分程度加熱処理することにより高
誘電体層３４の電気特性を向上させる。

【００３８】そしてこの後図２（Ｅ）に示すように、下
部電極３２が形成されていないセラミツク基板３１の一
面３１Ａ上と、高誘電体層３４が形成されていないバリ
アメタル層３３上とに、印刷法等を用いて高誘電体層３
４と面一の高さでポリイミドやエポキシ等の絶縁性樹脂
材を供給することにより絶縁層３５を形成し、さらにこ
の後図２（Ｆ）に示すように、この高誘電体層３４上及
びセラミツク基板３１の他端側の絶縁層３５上に、当該
セラミツク基板３１の他端から高誘電体層３４の一端側
にまで至るように銅等の導電材料からなる上部電極３６
を形成する。

【００３９】続いて高誘電体層３４の電気特性を向上さ
せるため、このセラミツク基板３１を200 〜500 〔℃〕
で0.1 〜180 分程度加熱処理すると共に、この後必要に
応じて容量値のトリミングを実施する。

【００４０】次いで図２（Ｇ）に示すように、表面に露
出する絶縁層３５及び上部電極３６上に一体にポリイミ
ドやエポキシ等の絶縁性樹脂材をオーバーコートするこ
とにより保護膜層３７を形成し、この後このようにして
形成したコンデンサを所定サイズに切断する。

【００４１】さらにこの後かくして得られた図２（Ｈ）
に示すようなコンデンサチツプ４２の長手方向の一端側
端部及び他端側端部にそれぞれ第１又は第２の外部電極
３８Ａ、３８Ｂ（図１（Ｂ））を形成する。

【００４２】実際上、各第１及び第２の外部電極３８
Ａ、３８Ｂは、図１（Ｂ）に示すように、コンデンサチ
ツプ４２の一端部及び他端部にそれぞれデツプ処理によ
り銀−パラジウム（Ag-Pd ）からなる第１の電極層４３
Ａ、４３Ｂを形成すると共に、この後この第１の電極層
４３Ａ、４３Ｂ上にニツケルめつき処理により第２の電
極層４４Ａ、４４Ｂを形成し、さらにこの第２の電極層
４４Ａ、４４Ｂ上にはんだ付け性向上のためはんだめつ
き処理により第３の電極層４５Ａ、４５Ｂを積層形成す
ることにより形成することができる。

【００４３】これにより図１に示す本実施の形態による
チツプ型コンデンサ３０を得ることができる。

【００４４】（１−３）第１の実施の形態の動作及び効
果 以上の構成において、この実施の形態によるチツプ型コ
ンデンサ３０は、一面３１Ａが平滑化又は平坦化された
セラミツク基板３１の当該一面３１Ａ上に下部電極３２
を形成すると共に、当該下部電極３２上に高誘電体材料
からなる高誘電体層３４をスパツタ法又は化学気相法に
より形成した後、上部電極３６を形成するようにして製
造される。

【００４５】従つてこのチツプ型コンデンサ３０では、
高誘電体層３４を100 〜5000〔Å〕程度の厚みで形成す
ることができ、その分例えば従来のチツプ型コンデンサ
１（図６及び図７）に比べて電極間距離を格段的に短く
することができると共に電極間に介在する誘電体として
格段的に比誘電率の高いものを用いることができ、その
分従来のチツプ型コンデンサ１に比して格段的に高容量
化することができる。

【００４６】またこのチツプ型コンデンサ３０では、こ
のように高容量化することができるため、従来のチツプ
型コンデンサ１のように電極を多層化する必要がなく、
その分従来のチツプ型コンデンサ１に比して格段的に小
型化することができる。

【００４７】さらにこのチツプ型コンデンサ３０では、
予めセラミツク基板３１の一面３１Ａを平滑化又は平坦
化しているため、下部電極３２及び上部電極３６間の距
離をほぼ均一化することができる。従つて上述のように
高誘電体層３４を薄膜化した場合においても高誘電体層
３４内における電界集中の発生を未然に防止でき、実用
上十分な耐圧性及び信頼性を得ることができる。

【００４８】以上の構成によれば、一面３１Ａが平滑化
又は平坦化されたセラミツク基板３１の当該一面３１Ａ
上に下部電極３２を形成すると共に、当該下部電極３２
上にスパツタ法又は化学気相法を用いて高誘電体材料か
らなる高誘電体層３４を成膜形成した後、当該高誘電体
層３４上に上部電極３６を形成するようにしてチツプ型
コンデンサ３０を得るようにしたことにより、従来に比
べて電極間距離が格段的に短く、かつ電極間に格段的に
誘電率の高い誘電体が介在するチツプ型コンデンサ３０
を得ることができ、かくして従来に比べて格段的に高容
量化及び小型化し得るチツプ型コンデンサ及びその製造
方法を実現できる。

【００４９】（２）第２の実施の形態 図４において、５０は全体として第２の実施の形態によ
るチツプ型コンデンサを示し、第１及び第２の外部電極
５１Ａ、５１Ｂが当該チツプ型コンデンサ５０の一表面
側にのみ形成されている（すなわち単面電極構造であ
る）点を除いて第１の実施の形態によるチツプ型コンデ
ンサ３０（図１）とほぼ同様に構成されている。

【００５０】実際上このチツプ型コンデンサ５０の場
合、一面５２Ａが平滑化又は平坦化されたセラミツク基
板５２の当該一面５２Ａ上に、銅等の所定の導電材料か
らなる下部電極５３が当該チツプ型コンデンサ５０の長
手方向の一端近傍から他端近傍にまで至るように形成さ
れると共に、この下部電極５３上に当該下部電極５３を
覆い隠すように第１の実施の形態におけるバリアメタル
層３３（図１（Ｂ））と同様のバリアメタル層５４が積
層形成されている。

【００５１】またこのバリアメタル層５４上には、第１
の実施の形態における高誘電体層３４（図１（Ｂ））と
同じ材料及び同じ手法（すなわちスパツタ法又は化学気
相法）を用いて高誘電体層５５が積層形成されると共
に、下部電極５３が形成されていないセラミツク基板５
２の一面５２Ａ上及び高誘電体層５５が形成されていな
いバリアメタル層５４上に、高誘電体層５５と面一の高
さでポリイミドやエポキシ等の絶縁性樹脂材からなる絶
縁層５６が積層形成されている。

【００５２】さらにこれら高誘電体層５５及び絶縁層５
６上には、銅等の導電材料からなる上部電極５７が当該
チツプ型コンデンサ５０の長手方向の他端近傍から高誘
電体層５５の一端にまで至るように形成されると共に、
上部電極５７上及び当該上部電極５７が形成されていな
い絶縁層５６上には、絶縁材からなる保護膜層５８が形
成されている。

【００５３】そして第１の外部電極５１Ａは、当該チツ
プ型コンデンサ５０の一端側に保護膜層５８及び絶縁層
５６を一体に貫通するように設けられた第１の開口部５
９Ａを介して下部電極５４上に積層形成され、第２の外
部電極５１Ｂは、当該チツプ型コンデンサ５０の他端側
に保護膜層５８を貫通するように設けられた第２の開口
部５９Ｂを介して上部電極５７上に積層形成されてい
る。

【００５４】これによりこのチツプ型コンデンサ５０に
おいては、第１及び第２の外部電極５１Ａ、５１Ｂをそ
れぞれマザー基板の対応する電極とはんだ等を用いて接
合するようにして当該マザー基板上に実装することがで
きるようになされている。

【００５５】なおこのようなチツプ型コンデンサ５０
は、図５（Ａ）及び（Ｂ）に示す以下の手順により製造
することができる。

【００５６】すなわちまず、図２（Ａ）〜（Ｈ）につい
て上述した手順とほぼ同様の手順により図５（Ａ）のよ
うなコンデンサチツプ６０を作製し、次いで図５（Ｂ）
に示すように、このコンデンサチツプ６０の一端側及び
他端側にそれぞれレーザ加工等の従来手法を用いて第１
又は第２の開口部５９Ａ、５９Ｂを形成した後、これら
第１及び第２の開口部５９Ａ、５９Ｂ内に印刷法等を用
いて導体材料をその先端面が保護膜層５８の表面よりも
僅かに高くなるように供給し、これらを焼成する。

【００５７】これにより図４に示すチツプ型コンデンサ
５０を得ることができる。

【００５８】以上の構成において、このチツプ型コンデ
ンサ５０では、第１及び第２の外部電極５１Ａ、５１Ｂ
が当該チツプ型コンデンサ５０の一表面側にのみ設けら
れており、このため例えばマザー基板上に高密度で実装
するときに隣接して実装された電子部品の電極と第１及
び第２の外部電極５１Ａ、５１Ｂが接触してシヨートが
発生するのを未然にかつ確実に回避することができる。

【００５９】従つてチツプ型コンデンサをこのように構
築することによつて第１の実施の形態によるチツプ型コ
ンデンサ３０（図１）と同様に従来に比べて格段的に高
容量化及び小型化し得る利点を得ることができると共
に、これに加えて高密度実装に実用上十分に対応し得る
利点をも得ることができる。

【００６０】以上の構成によれば、一面５２Ａが平滑化
又は平坦化されたセラミツク基板５２の当該一面５２Ａ
上に下部電極５３を形成すると共に、当該下部電極５３
上にスパツタ法又は化学気相法を用いて高誘電体材料か
らなる高誘電体層５５を成膜形成した後、当該高誘電体
層５５上に上部電極５７を形成する一方、第１及び第２
の外部電極５１Ａ、５１Ｂを一表面側にのみ形成するよ
うにしたことにより、従来に比べて格段的に高容量化及
び小型化し得る一方、高密度実装に実用上十分に対応し
得るチツプ型コンデンサ及びその製造方法を実現でき
る。

【００６１】（３）他の実施の形態 なお上述の第１及び第２の実施の形態においては、本発
明をチツプ型コンデンサに適用するようにした場合につ
いて述べたが、本発明はこれに限らず、チツプ型以外の
この他種々の形態のコンデンサに広く適用することがで
きる。

【００６２】また上述の第１及び第２の実施の形態にお
いては、バリアメタル層３３、５４を形成する導電材料
としてタングステン、ルテニウム又はルテニウムオキサ
イド（RuOx（ｘ＝0.05〜2.0 ））等を適用するようにし
た場合について述べたが、本発明はこれに限らず、要
は、下部電極３２、５３を形成する導電材料の拡散及び
酸化を防止することができる材料であるのならば、バリ
アメタル層３３、５４の材料としてはこの他種々の材料
を適用できる。またバリアメタル層３３、５４を例えば
Ti/Ir-Hf-Ox/Ir、Ti/Ir-Hf-Ox/Pt、Ti/Ir-Hf-Ox/Ti/Pt
、Ti/Ir-Hf-Ox/Ti/Ir のように、必要に応じて多層構
造とするようにしても良い。

【００６３】さらに上述の第１及び第２の実施の形態に
おいては、高誘電体層３４、５５の材料としてタンタル
オキサイド等を適用するようにした場合について述べた
が、本発明はこれに限らず、この他ＰＬＺＴ（PdLaZrTi
O₃、比誘電率750 〜4000）やPdTiO₃（比誘電率100 〜20
0 ）等の種々の高誘電体材料を広く適用できる。また高
誘電体材料に類似した例えばＰＺＴ（PbZrTiO₃、比誘電
率350 〜1000）等のペロブスカイト構造誘電体材料など
も広く適用することができる。

【００６４】さらに上述の第１及び第２の実施の形態に
おいては、下部電極３２、５３上に当該下部電極３２、
５３を覆うようにバリアメタル層３３、５４を形成する
ようにした場合について述べたが、本発明はこれに限ら
ず、例えば下部電極３２、５３の材料として酸化及び拡
散し難いものを用いた場合には、バリアメタル層３３、
５４を省略するようにしても良い。

【００６５】さらに上述の第１及び第２の実施の形態に
おいては、下部電極３２、５３及び上部電極３６、５７
をそれぞれ一層ずつ形成するようにした場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、例えば上部電極３６、
５７上に、それぞれ高誘電体材料からなる高誘電体層を
介して所定の導電材料からなる下部電極及び上部電極を
順次交互に１層又は複数層形成すると共に、セラミツク
基板３１、５２上に形成された下部電極３２、５３及び
他の下部電極と導通するように第１の外部電極を形成
し、かつ高誘電体層３４、５５上に形成された上部電極
３６、５７及び他の上部電極と導通するように第２の外
部電極をチツプ型コンデンサの一端側又は他端側にそれ
ぞれ形成するようにしても良く、このようにすることに
よつてコンデンサの単位面積当たりの容量をさらに向上
させることができる。

【００６６】また図２（Ｈ）又は図５（Ａ）のようなコ
ンデンサチツプ４２、６０を２つ用意し、セラミツク基
板３１、５２の他面側同士を貼り合わせるようにしてコ
ンデンサを形成するようにしても良く、このようにして
もコンデンサの単位面積当たりの容量をさらに向上させ
ることができる。

【００６７】さらに上述の第１及び第２の実施の形態に
おいては、チツプ型コンデンサ３０、５０のベースとし
てセラミツク基板３１、５２を適用するようにした場合
について述べたが、本発明はこれに限らず、チツプ型コ
ンデンサ３０、５０のベースとしてはガラス材等この他
種々の絶縁材料からなる絶縁基板を広く適用することが
できる。

【００６８】

【発明の効果】上述のように本発明によれば、コンデン
サにおいて、絶縁基板の一面上に所定の導電材料からな
る第１の下部電極を形成すると共に、当該第１の下部電
極上にスパツタ法又は化学気相法を用いて高誘電体材料
からなる第１の高誘電体層を成膜形成し、当該第１の高
誘電体層上に所定の導電材料からなる第１の上部電極を
設けるようにしたことにより、従来に比べて電極間距離
が格段的に短く、かつ電極間に格段的に誘電率の高い誘
電体が介在するコンデンサを得ることができ、かくして
従来に比べて格段的に小型化及び高容量化し得るコンデ
ンサを実現できる。

【００６９】また本発明によれば、コンデンサの製造方
法において、絶縁基板の一面上に所定の導電材料からな
る第１の下部電極を形成する第１の工程と、第１の下部
電極上にスパツタ法又は化学気相法を用いて高誘電体材
料からなる第１の高誘電体層を形成する第２の工程と、
第１の高誘電体層上に所定の導電材料からなる第１の上
部電極層を形成する第３の工程とを設けるようにしたこ
とにより、従来に比べて電極間距離が格段的に短く、か
つ電極間に格段的に誘電率の高い誘電体が介在するコン
デンサを得ることができ、かくして従来に比べて格段的
に小型化及び高容量化し得るコンデンサの製造方法を実
現できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】第１の実施の形態によるチツプ型コンデンサの
構成を示す上面図及び断面図である。

【図２】第１の実施の形態によるチツプ型コンデンサの
製造手順の説明に供する断面図である。

【図３】セラミツク基板の一面の平滑化又は平坦化処理
の説明に供する断面図である。

【図４】第２の実施の形態によるチツプ型コンデンサの
構成を示す下面図及び断面図である。

【図５】第２の実施の形態によるチツプ型コンデンサの
製造手順の説明に供する断面図である。

【図６】従来のチツプ型コンデンサを示す斜視図であ
る。

【図７】従来のチツプ型コンデンサを示す断面図であ
る。

【図８】従来のチツプ型コンデンサの説明に供する分解
斜視図である。

【図９】コンデンサの原理説明に供する断面図である。

【図１０】従来提案されているコンデンサの構成を示す
断面図である。

【符号の説明】

３０、５０……チツプ型コンデンサ、３１、５２……セ
ラミツク基板、３１Ａ、５２Ａ……一面、３２、５３…
…下部電極、３３、５４……バリアメタル層、３４、５
５……高誘電体層、３５、５６……絶縁層、３６、５７
……上部電極、３７、５８……保護膜層、３８Ａ、３８
Ｂ、５９Ａ、５９Ｂ……外部電極。

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】絶縁基板の一面上に設けられた所定の導電
   材料からなる第１の下部電極と、 上記第１の下部電極上にスパツタ法又は化学気相法を用
   いて成膜形成された高誘電体材料からなる第１の高誘電
   体層と、 上記第１の高誘電体層上に設けられた所定の導電材料か
   らなる第１の上部電極層と、 それぞれ上記第１の下部電極又は上記第１の上部電極と
   導通する第１及び第２の外部電極とを具えることを特徴
   とするコンデンサ。
2. 【請求項２】上記第１の下部電極上に積層形成された、
   当該第１の下部電極を形成する上記導電材料の拡散及び
   酸化を防止するための導電材料からなるバリアメタル層
   を具え上記第１の高誘電体層は、上記バリアメタル層上
   に積層形成されたことを特徴とする請求項１に記載のコ
   ンデンサ。
3. 【請求項３】上記第１の上部電極上に、所定の導電材料
   からなる第２の下部電極及び第２の上部電極がそれぞれ
   高誘電体材料からなる第２の高誘電体層を介して順次交
   互に１層又は複数層形成されると共に、上記第１の外部
   電極が上記第１の下部電極及び各上記第２の下部電極と
   導通接続され、かつ上記第２の外部電極が上記第１の上
   部電極及び各上記第２の上部電極とそれぞれ導通接続さ
   れたことを特徴とする請求項１に記載のコンデンサ。
4. 【請求項４】上記第１及び第２の外部電極が同じ一表面
   側にのみ形成されたことを特徴とする請求項１に記載の
   コンデンサ。
5. 【請求項５】絶縁基板の一面上に所定の導電材料からな
   る第１の下部電極を形成する第１の工程と、 上記第１の下部電極上にスパツタ法又は化学気相法を用
   いて高誘電体材料からなる第１の高誘電体層を形成する
   第２の工程と、 上記第１の高誘電体層上に所定の導電材料からなる第１
   の上部電極を形成する第３の工程と、 それぞれ上記第１の下部電極又は上記第１の上部電極と
   導通する第１及び第２の外部電極を形成する第４の工程
   とを具えることを特徴とするコンデンサの製造方法。
6. 【請求項６】上記第１の工程は、 上記第１の下部電極を形成した後、当該第１の下部電極
   上に、当該第１の下部電極を形成する上記導電材料の拡
   散及び酸化を防止するための導電材料からなるバリアメ
   タル層を形成する工程を有することを特徴とする請求項
   ４に記載のコンデンサの製造方法。
7. 【請求項７】上記第３の工程は、 上記第１の上部電極上に、所定の導電材料からなる第２
   の下部電極及び第２の上部電極をそれぞれ高誘電体材料
   からなる第２の高誘電体層を介して順次交互に１層又は
   複数層形成する工程を有し、 上記第４の工程では、 上記第１の外部電極を上記第１の外部電極に加えて各上
   記第２の下部電極と導通接続し、かつ上記第２の外部電
   極を上記第２の上部電極に加えて各上記第２の上部電極
   とそれぞれ導通接続することを特徴とする請求項４に記
   載のコンデンサの製造方法。
8. 【請求項８】上記第４の工程では、 上記第１及び第２の外部電極を同じ一表面側にのみ形成
   することを特徴とする請求項４に記載のコンデンサの製
   造方法。