JPH11124480A - 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置 - Google Patents

半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置

Info

Publication number
JPH11124480A
JPH11124480A JP9292004A JP29200497A JPH11124480A JP H11124480 A JPH11124480 A JP H11124480A JP 9292004 A JP9292004 A JP 9292004A JP 29200497 A JP29200497 A JP 29200497A JP H11124480 A JPH11124480 A JP H11124480A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
weight
resin composition
resin
copolymer
semiconductor encapsulation
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP9292004A
Other languages
English (en)
Inventor
Hiroshi Yamamoto
広志 山本
Masaaki Otsu
正明 大津
Shinji Hashimoto
眞治 橋本
Kyoko Shimada
恭子 嶋田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Panasonic Electric Works Co Ltd
Original Assignee
Matsushita Electric Works Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Matsushita Electric Works Ltd filed Critical Matsushita Electric Works Ltd
Priority to JP9292004A priority Critical patent/JPH11124480A/ja
Publication of JPH11124480A publication Critical patent/JPH11124480A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【課題】 物性や成形性を良好な状態に維持し、ＵＬ９
４−Ｖ０グレードの難燃性実現とエポキシ樹脂封止材レ
ベルの耐湿信頼性実現を達成することである。 【解決手段】 直鎖型ポリアリーレンスルフィド樹脂、
主にシンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹
脂、α- オレフィンとα, β- 不飽和グリシジルエステ
ルからなるオレフィン系共重合体と、（化１）で示され
る繰り返し単位で構成された共重合体の１種または２種
以上が、分岐、または架橋構造的に化学結合したグラフ
ト共重合体、無機充填材、無機イオン交換体、難燃剤か
らなる。 【化１】 ( ただし、Ｒは水素、または低級アルキル基、Ｘは、-C
OOCH3 、-COOC2H5、-COOC4H9、-COOCH2CH （C2H5）C
4H9、-C6H5 、-CN から選ばれた１種または２種以上の
基を表す。)

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＳＩ、ＩＣ、ハ
イブリッドＩＣ、トランジスタ、ダイオード、サイリス
タやこれらのハイブリッド部品など、半導体素子の封止
に用いられる半導体封止用樹脂組成物、およびこの半導
体封止用樹脂組成物の製造方法、ならびにこの半導体封
止用樹脂組成物を用いてこれらの半導体素子を封止した
半導体装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体素子の封止にはエポキシ樹
脂等の熱硬化性樹脂が用いられてきたが、熱硬化性樹脂
には種々の欠点がある。成型品を金型から取り出すこと
を可能にするために、キャビティ内の成型品部分は硬化
が進んでいる必要があるので、成形に１〜２分間を要
し、そのため、成形サイクル時間が長くなり生産性が低
いことが挙げられる。
【０００３】また、成形時に発生するスプルーやランナ
ーを再利用できないので、材料の利用効率が低いという
事に起因する、資源保護の面で地球環境への負荷が大き
いことと、封止工程コスト低減が困難であることも挙げ
られる。
【０００４】一方、熱硬化性樹脂のこれらの欠点を解消
するために、資源の再利用可能な熱可塑性樹脂であるポ
リフェニレンスルフィド（以下、ＰＰＳと略すことがあ
る）の組成物を、電気・電子部品封止に用いることが、
特開平２−７０７５４号公報、特公平７−９８９０１号
公報で提案されている。
【０００５】上記特開平２−７０７５４号公報で示され
ているのは、シンジオタクチック構造を有するスチレン
重合体を３０重量％未満の割合で含有するホリアリレン
スルフィド樹脂組成物およびその組成物１００重量部と
充填材１〜５００重量部からなる組成物であり、効果と
しては、組成物を射出成形する際の流れ性、バリという
成形性が改良されることと、成形物の強度向上が述べら
れている。
【０００６】しかし、この組成物は、半導体封止を対象
にした場合、難燃性ＵＬ９４−Ｖ０レベルを達成するに
は不充分であり、かつ、ＴＨＢ（Ｔｅｍｐｅｒａｔｕｒ
ｅＨｕｍｉｄｉｔｙ Ｂｉａｓ Ｔｅｓｔ）、ＵＳＰＣ
ＢＴ（ＵｎＳａｔｕｒａｔｅ Ｐｒｅｓｓｕｒｅ Ｃｏ
ｏｋｅｒ Ｂｉａｓ Ｔｅｓｔ）、ＰＣＴ（Ｐｒｅｓｓ
ｕｒｅ Ｃｏｏｋｅｒ Ｔｅｓｔ）等による、シリコン
チップ上に配置されたミクロン単位の微細アルミパター
ン腐食の程度や半導体素子自身の動作特性の良否を評価
する加速試験における、いわゆる耐湿信頼性が極めて低
いレベルであって、現在広範に使用されているエポキシ
樹脂封止材の替わりに実際に半導体封止用途に使用する
ことは困難であった。
【０００７】また、上記特公平７−９８９０１号公報で
示されているのは、結合性塩素含有量が５００ppm 以下
のＰＰＳ１５〜９５重量部と無機充填材５〜８５重量部
を含有する組成物であり、効果としては、インサート成
形したアルミニウム製金具の腐食状況が改善される、と
いうものである。
【０００８】しかし、この組成物は、電気部品等のミリ
単位以上の各種金属板をインサート成形するような場合
の用途では使用可能レベルの耐腐食性を有するが、先に
も述べたミクロン単位の微細アルミパターンを有する半
導体素子を封止した場合のＴＨＢ、ＵＳＰＣＢＴ、ＰＣ
Ｔの耐湿信頼性は極めて低く、エポキシ樹脂封止材を代
替できるレベルではなかった。
【０００９】これらのことから現状では、ＰＰＳ樹脂組
成物をエポキシ樹脂封止材に替えて半導体封止材として
使用する事は困難である。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】この現状に鑑み、本発
明で解決しようとする課題は、ＰＰＳ樹脂組成物を半導
体封止用途に使用できるようにするための課題と同一で
あり、それは、成形物強度等の物性や射出成形時の成形
性を良好な状態に維持した上で、ＵＬ９４−Ｖ０グレー
ドの難燃性実現と、エポキシ樹脂封止材レベルの耐湿信
頼性実現を達成することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明の請求項１に係る
半導体封止用樹脂組成物は、（Ａ）直鎖型ポリアリーレ
ンスルフィド樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック
構造を有するポリスチレン系樹脂、（Ｃ）α- オレフィ
ンとα, β- 不飽和グリシジルエステルからなるオレフ
ィン系共重合体（ａ）と、下記一般式（化３）で示され
る繰り返し単位で構成された共重合体（ｂ）の１種また
は２種以上が、分岐、または架橋構造的に化学結合した
グラフト共重合体、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）無機イオ
ン交換体、（Ｆ）難燃剤からなることを特徴とする。
【００１２】
【化３】
【００１３】( ただし、Ｒは水素、または低級アルキル
基、Ｘは、-COOCH3 、-COOC2H5、-COOC4H9、-COOCH2CH
（C2H5）C4H9、-C6H5 、-CN から選ばれた１種または２
種以上の基を表す。) 本発明の請求項２に係る半導体封止用樹脂組成物は、上
記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフィド樹脂におい
て、溶融粘度が、パラレルプレート法による温度300
℃、角速度100rad/sの条件で、1 〜30Pa・s であること
を特徴とする。
【００１４】本発明の請求項３に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフィド
樹脂において、抽出水中のイオン性不純物が、樹脂重量
換算した値でナトリウム含量5ppm以下、塩素含量5ppm以
下であり、同抽出水の電気伝導度が、10μS/cm以下であ
ることを特徴とする。
【００１５】本発明の請求項４に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造
を有するポリスチレン系樹脂において、溶融粘度が、パ
ラレルプレート法による温度300 ℃、角速度100rad/sの
条件で、1 〜250Pa ・s であることを特徴とする。
【００１６】本発明の請求項５に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造
を有するポリスチレン系樹脂において、抽出水中のイオ
ン性不純物が、樹脂重量換算した値でナトリウム含量5p
pm以下、塩素含量5ppm以下であり、電気伝導度が、10μ
S/cm以下であることを特徴とする。
【００１７】本発明の請求項６に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｃ）グラフト共重合体が、エチレン／
グリシジルメタクリレート共重合体とアクリロニトリル
スチレン共重合体が分岐、または架橋構造的に化学結合
したグラフト共重合体であり、そのＥＧＭＡ／ＡＳ重量
比が、80/20 〜50/50 であり、ＧＭＡ量が、1 〜15重量
％であり、熱重量分析において、昇温10℃／分、温度33
0 ℃での重量減少が、5 重量％以下であることを特徴と
する。
【００１８】本発明の請求項７に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｃ）グラフト共重合体が、エチレン／
グリシジルメタクリレート共重合体とポリスチレン共重
合体が分岐、または架橋構造的に化学結合したグラフト
共重合体であり、そのＥＧＭＡ／ＰＳ重量比が、80/20
〜50/50 であり、ＧＭＡ量が、1 〜15重量％の範囲であ
り、熱重量分析において、昇温10℃／分、温度330 ℃で
の重量減少が、5 重量％以下であることを特徴とする。
【００１９】本発明の請求項８に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｄ）無機充填材が、アミノ基を有する
カップリング剤で処理されたガラス繊維であり、繊維径
5 〜15μｍ、平均繊維長30〜100 μｍ、アスペクト比20
以下であることを特徴とする。
【００２０】本発明の請求項９に係る半導体封止用樹脂
組成物は、上記（Ｄ）無機充填材が、球状シリカであ
り、平均粒径10〜40μｍであることを特徴とする。
【００２１】本発明の請求項１０に係る半導体封止用樹
脂組成物は、上記（Ｅ）無機イオン交換体が、下記一般
式（化４）で示されるものであることを特徴とする。
【００２２】
【化４】
【００２３】（ただし、式中のa,b はそれぞれ1 〜2 、
c は1 〜7 、d は0.2 〜3 、e は0.05〜3 、n は0 〜2
である。） 本発明の請求項１１に係る半導体封止用樹脂組成物は、
上記（Ｆ）難燃剤が、臭素化ポリスチレンであり、その
臭素含有量が、45重量％以上、熱重量分析において、昇
温10℃／分、温度330 ℃での重量減少が、5 重量％以下
であることを特徴とする。
【００２４】本発明の請求項１２に係る半導体封止用樹
脂組成物は、上記（Ｄ）無機充填材が、（Ａ）〜（Ｅ）
の合計中、30〜70重量％であることを特徴とする。
【００２５】本発明の請求項１３に係る半導体封止用樹
脂組成物は、上記（Ｄ）無機充填材において、ガラス繊
維と球状シリカの重量比が100/0 〜30/70 であることを
特徴とする。
【００２６】本発明の請求項１４に係る半導体封止用樹
脂組成物は、上記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフィ
ド樹脂と（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有す
るポリスチレン系樹脂の重量比が95/5〜70/30 であり、
（Ｃ）α- オレフィンとα,β- 不飽和グリシジルエス
テルからなるオレフィン系共重合体（ａ）と、上記一般
式（化３）で示される繰り返し単位で構成された共重合
体（ｂ）の１種または２種以上が、分岐、または架橋構
造的に化学結合したグラフト共重合体が、（Ａ）と
（Ｂ）の合計100 重量部に対して、1 〜10重量部であ
り、（Ｅ）無機イオン交換体が、（Ａ）と（Ｂ）の合計
100 重量部に対して、0.5 〜5 重量部であり、（Ｆ）難
燃剤が、（Ｂ）100 重量部に対して、10〜40重量部配合
されていることを特徴とする。
【００２７】本発明の請求項１５に係る半導体封止用樹
脂組成物の製造方法は、請求項１ないし請求項１４何れ
か記載の半導体封止用樹脂組成物において、少なくとも
（Ｂ）、（Ｃ）と（Ｆ）の３成分を予め混練後、更に残
りの成分と混練することを特徴とする。
【００２８】本発明の請求項１６に係る半導体装置は、
請求項１ないし請求項１４何れか記載の半導体封止用樹
脂組成物を用いて半導体封止してなることを特徴とす
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を詳細に
説明する。
【００３０】本発明によれば、（Ａ）直鎖型ポリアリー
レンスルフィド樹脂（以下、直鎖型ＰＡＳ樹脂と記すこ
とがある） 100重量部、（Ｂ）主としてシンジオタクチ
ック構造を有するポリスチレン系樹脂、（Ｃ）α- オレ
フィンとα, β- 不飽和グリシジルエステルからなるオ
レフィン系共重合体（ａ）と、下記一般式（化５）で示
される繰り返し単位で構成された共重合体（ｂ）の１種
または２種以上が、分岐、または架橋構造的に化学結合
したグラフト共重合体、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）無機
イオン交換体、（Ｆ）難燃剤からなることを特徴とする
半導体封止用樹脂組成物が提供される。
【００３１】
【化５】
【００３２】( ただし、Ｒは水素、または低級アルキル
基、Ｘは、-COOCH3 、-COOC2H5、-COOC4H9、-COOCH2CH
（C2H5）C4H9、-C6H5 、-CN から選ばれた１種または２
種以上の基を表す。) また、本発明によれば、これらの半導体封止用樹脂組成
物を用いて封止した半導体装置が提供される。
【００３３】本発明で用いられる（Ａ）直鎖型ポリアリ
ーレンスルフィド樹脂（以下、直鎖型ＰＡＳ樹脂と記す
ことがある）は、繰り返し単位 −Ａｒー （但し、
Ａｒはアリール基）を主構成単位とするポリマーであっ
て、その代表的物質は、構造式 - Ｐｈ−Ｓ− （但
し、Ｐｈはフェニル基）で示される繰り返し単位を70モ
ル重量％以上有するポリフェニレンスルフィド樹脂であ
る。ＰＰＳ樹脂は、一般に、その製造方法により、実質
上、架橋型、半架橋型、直鎖型等に分類されるが、本発
明では、直鎖型が、機械的強度とイオン性不純物量の点
で、優れている為好適である。
【００３４】特に、融点が 260℃以上、溶融粘度が、パ
ラレルプレート法により、温度300℃、角速度100rad/s
の条件で、1 〜30Pa・s であるものが好適に用いられ
る。例えば、レオメトリックサイエンティフィック社
製、アレスでの測定が適当である。
【００３５】また、分子量分布についても、特に制限は
なく、さまざまなものを充当することが可能である．そ
して、融点が、260 ℃未満であれば、半導体封止用樹脂
の機械的強度が弱くなるので好ましくない。融点の上限
は無いが、290 ℃程度が実用上の限界である。また、溶
融粘度が、この範囲未満であれば、封止した電子部品の
機械的強度の低下が大きく、また、この範囲を越える
と、成形流動性が劣り成形時ワイヤースイープを起こし
やすい。本発明に好ましい直鎖型ＰＡＳ樹脂は、P-フェ
ニレンスルフィドの繰り返し単位を70重量％以上、好ま
しくは90重量％以上含まれているものであれば、他の構
成単位と共重合された物が併用されてもよい。この繰り
返し単位が70重量％未満であると結晶性高分子としての
特徴である結晶化度が低くなり、十分な強度が得られな
くなる傾向があり、靭性に劣るものとなる傾向がある。
【００３６】また、本発明に用いられる直鎖型ＰＡＳ樹
脂は、他の共重合単位を含んでも良く、共重合の構成単
位としては、例えば、下記（化６）、（化７）、（化
８）、（化９）、（化１０）、（化１１）などのものが
あげられる。
【００３７】
【化６】
【００３８】
【化７】
【００３９】
【化８】
【００４０】
【化９】
【００４１】
【化１０】
【００４２】
【化１１】
【００４３】さらに、本発明で用いる直鎖型ＰＡＳ樹脂
は、樹脂中に含まれているナトリウムや塩素等のイオン
性不純物は予め少量にしておくことが好ましく、純水で
抽出した抽出水中のイオン性不純物が、ナトリウム含量
5ppm以下、塩素含量5ppm以下（抽出条件は、樹脂10g を
イオン交換水100 ｍL 中で、95℃ー15時間処理したもの
をイオンクロマトグラフ法で評価、測定した値を樹脂重
量で換算した値を示す。）であり、また、同抽出水の電
気伝導度が、50μS/cm以下が望ましく、特に、同電気伝
導度が10μS/cm以下が好適である。この範囲を外れる
と、耐湿信頼性が悪化する傾向を示すので好ましくな
い。
【００４４】本発明で（Ｂ）成分としては、主としてシ
ンジオタクチック構造を有するポリスチレン系樹脂（以
下、ＳＰＳ樹脂と記することがある）を用いる。ポリス
チレン系樹脂のシンジオタクチック構造とは、立体構造
が主としてシンジオタクチック構造、すなわち、炭素ー
炭素結合から形成される主鎖に対して側鎖であるフェニ
ル基や置換フェニル基が交互に反対方向に位置する立体
構造を有するものであり、そのタクティシティーは同位
体炭素による核磁気共鳴法（13Ｃ−ＮＭＲ法）より定量
される。
【００４５】13Ｃ−ＮＭＲ法により測定されるタクティ
シティーは、連続する複数個の構成単位の存在割合、例
えば、２個の場合はダイアッド、３個の場合はトリアッ
ド、５個の場合はペンタッドによって示すことができる
が、本発明に言う主としてシンジオタクチック構造を有
するポリスチレン系樹脂とは、通常は、ダイアッドで75
％以上、好ましくは85％以上、又は、ペンタッド（ラセ
ミペンタッド）で30％以上、好ましくは、50％以上のシ
ンジオタクティシティーを有するポリスチレン、ポリ
（アルキルスチレン）、ポリ（ハロゲン化スチレン）、
ポリ（アルコキシスチレン）、ポリ（ビニル安息香酸エ
ステル）及びこれらの混合物、あるいはこれらを主成分
とする共重合体を示す。尚、ここで、ポリ（アルキルス
チレン）としては、ポリ（メチルスチレン）、ポリ（エ
チルスチレン）、ポリ（イソプロピルスチレン）、ポリ
（t ーブチルスチレン）などがあり、ポリ（ハロゲン化
スチレン）としては、ポリ（クロロスチレン）、ポリ
（ブロモスチレン）、ポリ（フルオロスチレン）などが
ある．また、ポリ（アルコキシスチレン）としては、ポ
リ（メトキシスチレン）、ポリ（エトキシスチレン）な
どがある．このうち、特に好ましいポリスチレン系樹脂
としては、ポリスチレン、ポリ（ pーメチルスチレ
ン）、ポリ（m ーメチルスチレン）、ポリ（p ーt ーブ
チルスチレン）、ポリ（p ークロロスチレン）、ポリ
（m ークロロスチレン）、、ポリ（p ーフルオロスチレ
ン）、更には、スチレンとp ーメチルスチレンとの共重
合体をあげることができる。
【００４６】また、本発明に用いるＳＰＳ樹脂におい
て、溶融粘度が、パラレルプレート法により温度300
℃、角速度100rad/sの条件下で、1 〜250Pa ・s である
ものが好適に用いられる。また、溶融粘度が、この範囲
未満であれば、封止した電子部品の機械的強度の低下が
大きく、また、この範囲を越えると、成形流動性が劣り
成形時ワイヤースイープを起こしやすい。さらに、分子
量分布についても、とくに制限はなく、さまざまなもの
を充当することが可能である。また、樹脂中に含まれて
いるナトリウムや塩素等のイオン性不純物は、予め少量
にしておくことが好ましく、純水で抽出した抽出水中の
イオン性不純物が、ナトリウム含量5ppm以下、塩素含量
5ppm以下（抽出条件は、樹脂10g をイオン交換水100 ｍ
L 中で、95℃ー15時間処理したものをイオンクロマトグ
ラフ法で評価、測定した値を樹脂重量で換算した値を示
す。）であり、また、同抽出水の電気伝導度が、50μS/
cm以下が望ましく、特に、同電気伝導度が10μS/cm以下
が好適である。この範囲を外れると、耐湿信頼性が悪化
する傾向を示すため、好ましくない。
【００４７】このようなＳＰＳ樹脂は、例えば、融点が
180 〜310 ℃であって、従来のアタクチック構造のポリ
スチレン系樹脂に比べて耐熱性が格段に優れている。こ
のようなＳＰＳ樹脂は、例えば不活性炭化水素溶媒中又
は溶媒の不存在下に、チタン化合物、および水とトリア
ルキルアルミニウムの縮合生成物を触媒として、スチレ
ン系単量体（ＳＰＳ樹脂に対応する単量体）を重合する
ことにより製造することができる。（特開昭62-187708
）また、成分（Ｂ）の（Ａ）成分100 重量部に対する
量は、1 〜15重量部、好ましくは1 〜10重量部である。
（Ｃ）成分が少なすぎると強靭性や温度サイクル試験で
の効果が得られず、多過ぎると耐熱性の低下等の機械的
性質を阻害するために好ましくない。
【００４８】次に、本発明で（Ｃ）成分として用いるグ
ラフト共重合体とは、α- オレフィンとα, β- 不飽和
グリシジルエステルからなるオレフィン系共重合体
（ａ）と、下記（化１２）で示される繰り返し単位で構
成された共重合体（b ）の1 種または2 種以上が、分
岐、又は架橋構造的に化学結合したグラフト共重合体、
【００４９】
【化１２】
【００５０】( ただし、Ｒは水素、または低級アルキル
基、Ｘは、-COOCH3 、-COOC2H5、-COOC4H9、-COOCH2CH
（C2H5）C4H9、-C6H5 、-CN から選ばれた１種または２
種以上の基を表す。)である。
【００５１】ここで、（ａ）の共重合体部分を構成する
一方のモノマーであるα- オレフィンとしては、エチレ
ン、プロピレン、ブテンー1 などがあげられるが、エチ
レンが好ましく用いられる．又、（ａ）成分を構成する
他のモノマーであるα, β-不飽和グリシジルエステル
とは、下記一般式（化１３）に示されるものである。
【００５２】
【化１３】
【００５３】（ここで、Ｒ1 は水素原子、または、低級
アルキル基を示す。）で示される化合物であり、例え
ば、アクリル酸グリシジルエステル、メタクリル酸グリ
シジルエステル、エタクリル酸グリシジルエステルなど
があげられるが、特に、メタクリル酸グリシジルエステ
ルが好ましく用いられる。α- オレフィン（例えば、エ
チレン）とα, β- 不飽和グリシジルエステルとはよく
知られたラジカル反応により共重合することによって
（ａ）の共重合体を得ることができる。セグメント
（ａ）の構成は、α- オレフィン70〜99重量％、α, β
- 不飽和グリシジルエステル30〜1 重量％が好適であ
る。
【００５４】次に、この共重合体（ａ）に分岐又は架橋
鎖としてグラフト重合させる重合体又は共重合体（ｂ）
としては、上記（化１２）で示される繰り返し単位で構
成された重合体あるいは２種以上共重合せしめた共重合
体であり、例えば、ポリメタアクリル酸メチル、ポリア
クリル酸エチル、ポリアクリル酸ブチル、ポリアクリル
酸ー2 ーエチルヘキシル、ポリスチレン、ポリアクリロ
ニトリル、ポリアクリロニトリルスチレン共重合体、ポ
リアクリル酸ブチルとポリメタクリル酸の共重合体、ポ
リアクリル酸ブチルとポリスチレンの共重合体等があげ
られる．これらの重合体または、共重合体（ｂ）も対応
するビニル系モノマーのラジカル重合によって調整され
る。
【００５５】（ａ）セグメントと（ｂ）セグメントより
なるグラフト共重合体の調整法は、特に限定されるもの
ではないが、これもラジカル反応によって容易に調整で
きる。例えば、ポリマー（ｂ）に過酸化物等によりフリ
ーラジカルを生成させ、これを（ａ）と溶融混練するこ
とによってグラフト共重合体（Ｃ）が調整される。ここ
で、（Ｃ）成分のグラフト共重合体を構成するための
（ａ）と（ｂ）の割合は、80/20 〜50/50 が最適であ
る。そして、熱重量分析において、昇温10℃／分、温度
330 ℃での重量減少が、5 重量％以下であるものが望ま
しい。これは、同重量減少が、5 重量％を越えると、材
料溶融混練時や成形時に揮発分により、成形性が悪化す
るためである。また、このような共重合体は、日本油脂
社製、商品名モディパーとして市販品を入手することが
できる。
【００５６】また、成分（Ｃ）の（Ａ）成分100 重量部
に対する量は、1 〜15重量部、好ましくは1 〜10重量部
である。（Ｃ）成分が少なすぎると機械的強度や温度サ
イクル試験での効果が得られず、多過ぎると耐熱性の低
下等の機械的強度を阻害するために好ましくない。
【００５７】次に、本発明に使用する無機充填材（Ｄ）
は、非晶質シリカ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリ
カ、アルミナ、ガラス、ミルドファイバーガラス、酸化
チタン、炭酸カルシウム、クレー、マイカ、タルク、カ
オリン、窒化ケイ素、窒化アルミ、等の充填剤があげら
れ、特に、好ましいのは、ミルドファイバーガラスや、
非晶質シリカ、結晶シリカ、合成シリカ等のシリカ、球
状アルミナである．また、これらは、単独で使用しても
よいし、２種類以上を併用してもよい。また、無機充填
材の表面をカップリング剤で処理したものが好ましい．
また、単独で処理してもよいし、２種類以上を併用して
処理してもよい。以上の中で、特に好ましいのは、アミ
ノ基を有するカップリング剤で処理された繊維径5 〜15
μｍ、平均繊維長30〜100 μｍ、アスペクト比20以下の
ものである。平均繊維長が、30μｍ未満であると、機械
的強度の向上効果が少なくなり、100 μｍを超えると素
子にダメージを与える恐れが生じる。また、シリカは、
球状であり平均粒径10〜40μｍであることが好適であ
る。10μｍ未満になると溶融粘度が増大し成形性が悪化
し、40μｍを超えると機械的強度が低下し、100 μｍを
越えると、素子にダメージを与える恐れが生じる。ま
た、形状が破砕状であると、素子にダメージを与える恐
れと、金型摩耗が増加する恐れがある。また、無機充填
材として、ガラス繊維と球状シリカを併用する場合に
は、重量比100/0 〜30/70 であることが好ましい。球状
シリカの比率が70重量％を超えると機械的強度が低下す
る。また、高熱伝導向けの封止材には無機充填材とし
て、結晶シリカや球状アルミナが好ましいが、成形性を
考慮すると、結晶シリカの場合、その体積分率は真比重
換算で無機充填材中の40〜90％が好ましい。球状アルミ
ナの場合、その体積分率は真比重換算で無機充填材中の
30〜100 ％が好ましい。この範囲未満であれば、所望の
熱伝導性が得られない不具合が生じる。また、この範囲
を越えるとワイヤー断線等成形不良が発生し易い。
【００５８】一方、メモリー向けの封止材には、無機充
填材として、合成シリカを用いるのが、半導体素子のソ
フトエラーを防止するのに有用である。では、前記の特
定成分を特定の配合割合にした樹脂組成物を使用するこ
とにより耐湿信頼性、成形性に際立った効果を発揮でき
るのである。さらに、無機充填材は、（Ａ）〜（Ｅ）の
合計中、30〜70重量％を配合することが好ましく30重量
％未満であれば、線膨張係数の低下による低応力性が期
待できず、また70重量％を越えると、成形時の流動性が
悪くなり、実用に供さなくなる。
【００５９】次に、本発明に用いる無機イオン交換体
（Ｅ）はゼオライト、ハイドロタルサイト、チタニアや
下記一般式（化１４）で示されるものがあるが、中でも
下記一般式（化１４）で示されるものが望ましい。
【００６０】
【化１４】
【００６１】（ただし、式中のa,b はそれぞれ1 〜2 、
c は1 〜7 、d は0.2 〜3 、e は0.05〜3 、n は0 〜2
である。） この無機イオン交換体がイオン性不純物やPCT 処理した
時に加水分解してくるイオンを吸着、捕捉して、半導体
封止樹脂の耐湿信頼性の低下を防ぐと共に、半導体装置
のアルミニウム配線の腐食を効果的に抑制する。無機イ
オン交換体の配合量は、（Ａ）と（Ｂ）の合計100 重量
部に対して、0.5 〜5 重量部の範囲が好ましい。無機イ
オン交換体の配合量が、0.5 重量部未満であると、イオ
ンの吸着、捕捉の効果を十分に得ることができない。し
かし、逆に無機イオン交換体の配合量が5 重量部を越え
ると、バイアス電圧のかかるTHB やUSPCBTのような耐湿
信頼性の加速試験では、無機イオン交換体がイオン化す
るため、逆に耐湿信頼性の極端な悪化が生じる恐れがあ
る。
【００６２】本発明で使用される難燃剤（Ｆ）は、特に
限定されるものではなく、一般に市販されているもので
あり、テトラブロモブタン、ヘキサブロモベンゼン、ペ
ンタブロモ・エチルベンゼン、ヘキサブロモ・ビフェニ
ル、ペンタブロモクロロ・シクロヘキサン、テトラブロ
モ・ビスフェノオールＳ、トリス（２，３―ジブロモプ
ロピルー１）イソシアヌレート、２，２−ビス［４
（２，３ジブロモプロポキシ）−３，５−ジブロモフェ
ニル］プロパン、ハロゲン化アセチレンアルコール、臭
素化エポキシ、デカブロモジフェニルエーテル、テトラ
ブロモビスフェノールＡやそのカーボネートオリゴマー
をはじめとする誘導体、オクタブロモジフェニルオキサ
イド、ペンタブロモジフェニルオキサイド、テトラブロ
モフェノール、ジブロモスチレン、ペンタブロモベンジ
ルアクリレート、テトラブロモスチレン、ポリジブロモ
フェニレンオキサイド、ビストリブロモフェノキシエタ
ン、テトラブロモフェタレーテトジオール、テトラブロ
モ無水フタル酸、ジブロモ・クレジル・グリシジルエー
テル、エピブロモヒドリン、ジブロモネオペンチル・グ
リコール、トリブロモネオペンチルアルコール、エチレ
ンビステトラブロモフタルイミド、ブロム化ポリスチレ
ンなどの臭素化物、塩素化パラフィン、塩素化ポリオレ
フィン、ジメチル・クロレンデート、無水クロレンド
酸、テトラクロロ無水フタル酸、フェニル・フォスフォ
ン酸ジクロリド、などの塩素系難燃剤、ポリテトラフロ
ロエチレンなどのフッ素化合物、赤リン、トリフェニル
フォスフェート、トリメチルホスフェート、トリエチル
ホスフェート、ト リクレジルフォスフェート、トリキシ
レニルフォスフェート、クレジルジフェニルフォスフェ
ート、クレジル２，６キシレニルフォスフェート、トリ
ス（クロロエチル）フォスフェート、トリス（クロロプ
ロピル）フォスフェート、トリス（ジクロロプロピルフ
ォスフェート、トリス（トリブロモネオペンチル）フォ
スフェート、ジエチルフェニルフォスフォネート、ジメ
チルフェニルフォフォネート、ビシフェノールＡ−ビス
（ジクレジルフォスフェート）、縮合リン酸エステルな
どのリン化合物、メラミン、メラミンシアヌレート、リ
ン酸メラミン、スルファミン酸グアニジンなどの窒素化
合物、メタホウ酸バリウム、ホウ酸亜鉛、無水ホウ酸亜
鉛などのホウ素系化合物、シリコーンパウダー難燃剤、
シリコーン樹脂などのケイ素含有化合物、水酸化アルミ
ニウム、水酸化マグネシウム、水酸化カルシウム、炭酸
カルシウム、カオリンクレー、アルミン酸カルシウム、
水酸化チタン、水酸化亜鉛、ドーソナイト、２水和石
膏、アンチモニー・シリコ・オキシドなどの無機系難燃
剤、酸化アンチモンなどの金属酸化物、低融点ガラス等
がある。これらは単独で用いても良いし、２種以上併用
しても良い。
【００６３】その中でも、臭素化物、特に、下記構造式
（化１５）で表される臭素化ポリスチレンが望ましい。
【００６４】
【化１５】
【００６５】（n は、30以上の整数であり、m は1 〜3
である。） さらに、臭素含有量が４５重量％以上で、熱重量分析に
おいて、昇温10℃／分、温度330 ℃での重量減少が５重
量％以下のものが望ましい。臭素含有率がこの範囲より
も低いと、添加量が多く必要になり、機械的強度が低下
する。また、温度330 ℃での重量減少が5 重量％を越え
ると、材料溶融混練時や成形時に揮発分により、成形性
が悪化し、同時に、必要な難燃性が維持できなくなる。
形態については、分散性を高める点で、粉末状の臭素化
ポリスチレンが好ましい。粒径の大きいペレットでは、
均一に分散しにくく、樹脂中に分散のばらつきが起こる
恐れがある。
【００６６】本発明の半導体封止用樹脂組成物は、必要
に応じて、本発明の目的を損なわない限り、他の合成樹
脂、エラストマー、酸化防止剤、結晶核剤、結晶化促進
剤、カップリング剤、離型剤、滑剤、着色剤、紫外線吸
収剤、帯電防止剤等を配合することができる。
【００６７】上記合成樹脂、エラストマーとしては、例
えば、ポリオレフィン、ポリエステル、ポリオキシメチ
レン、ポリメチルペンテン、ポリ塩化ビニリデン、ポリ
フッ化ビニリデン、ポリアミド（ナイロン6 、ナイロン
66、ナイロン610 、芳香族ナイロン、ナイロン46、共重
合ナイロン）、ポリカーボネート、ポリアリレート、ポ
リスルフォン、ポリエーテルスルフォン、ポリフェニレ
ンエーテル、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアセタ
ール、ポリエーテルイミド、、ポリアミドイミド、ポリ
イミド、ポリスチレン、AS樹脂、ABS 樹脂、フェノキシ
樹脂、ポリエーテルニトリル樹脂、ポリテトラフルオロ
エチレン、エポキシ樹脂、フェノール樹脂、シリコーン
樹脂、ウレタン樹脂等の合成樹脂やポリオレフィンゴ
ム、オレフィン系共重合体、水素添加ゴム等のエラスト
マーをあげることができる。また、これらは、２種類以
上を混合して使用することができる。
【００６８】酸化防止剤としては、リン系酸化防止剤、
フェノール系酸化防止剤等があげられる。また、これら
は、単独で使用しても良いし、２種類以上を混合して使
用することができる。結晶核剤としては、ジベンジリデ
ンソルビトール系化合物、t ーブチル安息香酸のアルミ
ニウム塩、リン酸エステルのナトリウム塩等があげられ
る。また、これらは、単独で使用しても良いし、２種類
以上を混合して使用することができる。
【００６９】カップリング剤としては、シラン系化合
物、チタネート系化合物、アルミニウム系化合物等があ
げられ、特にシラン系化合物が好ましい。シラン系とし
ては、γーアミノプロピルトリエトキシシラン、N ーβ
（アミノエチル）γーアミノプロピルトリメトキシシラ
ン、 Nーβ（アミノエチル）γーアミノプロピルメチル
ジメトキシシラン、γーアミノプロピルトリメトキシシ
ラン等のアミノシラン、γーグリシドキシプロピルトリ
メトキシシラン、γーグリシドキシプロピルトリエトキ
シシラン、βー（3 、4 エポキシシクロヘキシル）エチ
ルトリメトキシシラン等のエポキシシラン、p ースチリ
ルトリメトキシシラン、ビニルトリクロルシラン、ビニ
ルトリス（βメトキシエトキシ）シラン、ビニルトリメ
トキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、γーメタク
リロキシプロピルトリメトキシシラン等のビニルシラ
ン、更に、エポキシ系、アミノ系、ビニル系の高分子タ
イプのシラン等があり、特に、アミノシランが好適であ
る。また、これらは、単独で使用しても良いし、２種類
以上を混合して使用することができる。
【００７０】滑剤としては、内部滑剤、外部滑剤の両方
が使用でき、炭化水素系、脂肪酸系、脂肪酸アミド、脂
肪酸エステルとうがあげられる。また、これらは、単独
で使用しても良いし、２種類以上を混合して使用するこ
とができる。
【００７１】着色剤としては、公知の各種顔量又は染料
を使用することができ、例えば、カーボンブラック等の
黒色顔量、赤口黄鉛等の橙色顔量、弁柄等の赤色染顔
量、コバルトバイオレット等の紫色染顔量、コバルトブ
ルー等の青色染顔量、フタロシアニングリーン等の緑色
染顔量等を、使用することができる。更に、詳しくは、
最新顔量便覧（日本顔料技術協会編、昭和52年発行）を
参考にすることができる。
【００７２】本発明で用いる組成物を製造する方法は、
一般的には各成分をヘンシェルミキサー等の混合機で混
合するか、必要に応じて予め必要成分の一部をマスター
バッチ化して混合した後、エクストルーダ等の混練機で
溶融混練して、ペレタイズする方法が用いられるが、こ
れに限定されない。
【００７３】なお、電子部品の封止方法は、特に制限は
なく、金型中に電子素子を固定しておき、射出成形、ト
ランスファー成形、ポッティング成形で成形する方法な
どが挙げられる。
【００７４】
【実施例】以下に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に
述べる。
【００７５】（実施例１〜２５、および、比較例１〜１
１）実施例１〜２４に関しては、下記表１に示す配合
（配合量は重量部）、比較例１〜１１に関しては、下記
表２に示す配合（配合量は重量部）の各成分をヘンシェ
ルミキサーを用いて均一に混合した後、スクリュー径40
mmの２軸混練押し出し機を用いて、シリンダー温度300
℃の条件で押し出して、ペレット化し、実施例１〜２
４、および、比較例１〜１１の半導体封止用樹脂組成物
を作製した。
【００７６】また、実施例２５は、予め、下記表１中の
樹脂Ｅ10重量部と共重合体Ａ5 重量部、無機充填材Ａ5
重量部、難燃剤3.3 重量部をマスターバッチ化して混合
した後、エクストルーダ等の混練機で溶融混練し半導体
封止用樹脂組成物を作製した。本発明は、これらの実施
例のみに限定されるものではない。
【００７７】
【表１】
【００７８】
【表２】
【００７９】得られた封止成形品の物性試験は次の方法
で評価した。 （１）成形性 チップサイズが3mm 角でガラス系保護膜付きの半導体ゲ
ートアレイ素子を42アロイよりなるリードフレームに銀
ペーストを用いて実装し、ついで、この半導体チップを
16DIP 成形用金型を用いて、シリンダー温度300 ℃で金
型温度130 ℃で下記実施例及び比較例の封止用樹脂組成
物で射出成形し、評価用サンプルを得た。このサンプル
であるパッケージの外観状態（充填性、ボイド）及びワ
イヤーの断線状態を軟X 線で確認して、成形不良（未充
填、ボイド発生、ワイヤー断線）の発生する程度を○、
△、×として上記表１〜２に示した。 （２）曲げ強度試験 ASTM D790に従って、曲げ試験片成形用金型を用いて、
シリンダー温度300 ℃で金型温度130 ℃で下記実施例及
び比較例の封止用樹脂組成物で射出成形し、評価用サン
プルを得た。このサンプルを23℃で測定し、その結果を
上記表１〜２に示した。 （３）難燃性 燃焼試験は、Underwriters Laboratories社の安全基準
ＵＬ94（：燃焼時間10秒以内、△：10秒以上燃焼、×：
全焼）によって測定した。その結果を上記表１〜２に示
した。 （４）耐湿信頼性（PCT ） 上記と同様の操作で得られた評価用サンプルを121 ℃、
100%RHの条件下で、1000時間の処理を実施した。この試
験を終えたサンプルについて、ゲートアレイ素子の動作
確認を行い、動作不良が生じているサンプルを不良とし
た。得られた結果を（不良個数／試験したサンプル数）
として上記表１〜２に示した。 （５）耐湿信頼性（THB ） 上記と同様の操作で得られた評価用サンプルを85℃、85
%RH の条件下で30V の電圧をかけ、2000時間の連続通電
試験を実施した。この通電試験を終えたゲートアレイ素
子について抵抗値を調べ、試験前の抵抗の初期値から大
きく抵抗の変化したサンプルを不良とした。得られた結
果を（不良個数／試験したサンプル数）として上記表１
〜２に示した。 ＜実施例および比較例に使用の原材料＞ 樹脂Ａ：直鎖型PPS 樹脂（呉羽化学工業社製、品番：W-
202A、23Pa・s ／パラレルプレート法、300 ℃、100rad
/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム2ppm、塩素1p
pm、電気伝導度5 μS/cm） 樹脂Ｂ：直鎖型PPS 樹脂（呉羽化学工業社製、品番：W-
203A、溶融粘度：29Pa・s ／パラレルプレート法、300
℃、100rad/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム2p
pm、塩素2ppm、電気伝導度6 μS/cm） 樹脂Ｃ：直鎖型PPS 樹脂（トープレン社製、品番：LR0
1、溶融粘度：6Pa ・s／パラレルプレート法300 ℃、10
0rad/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム5ppm、塩
素4ppm、電気伝導度7 μS/cm） 樹脂Ｄ：直鎖型PPS 樹脂（トープレン社製、品番：LR0
3、溶融粘度：19Pa・s／パラレルプレート法300 ℃、10
0rad/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム5ppm、塩
素4ppm、電気伝導度7 μS/cm） 樹脂Ｅ：SPS 樹脂（出光石油化学製、品番：33EX003 、
溶融粘度：54Pa・s ／パラレルプレート法300 ℃、100r
ad/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム5ppm、塩素
4ppm、電気伝導度2 μS/cm） 樹脂Ｆ：SPS 樹脂（出光石油化学製、品番：130A、溶融
粘度：215 Pa・s ／パラレルプレート法300 ℃、100rad
/secで測定、イオン性不純物：ナトリウム2ppm、塩素1p
pm、電気伝導度3 μS/cm） 共重合体Ａ：エチレン/ グリシジルメタクリレート共重
合体へのアクリロニトリルスチレン共重合体のグラフト
共重合体（日本油脂社製、品番：A4400 、EGMA/AS(70/3
0),GMA10.5、330 ℃、重量減少 -2.2%） 共重合体Ｂ：エチレン/ グリシジルメタクリレート共重
合体へのアクリロニトリルスチレン共重合体のグラフト
共重合体（日本油脂社製、品番：A4401 、EGMA/AS(50/5
0),GMA7.5 、330 ℃、重量減少 -2.3%） 共重合体Ｃ：エチレン/ グリシジルメタクリレート共重
合体へのポリスチレン共重合体のグラフト共重合体（日
本油脂社製、品番：A4100 、EGMA/PS(70/30),GMA10.5、
330 ℃、重量減少 -3.1%） 共重合体Ｄ：エチレン/ グリシジルメタクリレート共重
合体へのポリスチレン共重合体のグラフト共重合（日本
油脂社製、品番：A4101 、EGMA/AS(50/50),GMA7.5 、33
0 ℃、重量減少 -3.5%） 無機充填材Ａ：ミルドファイバー（日本板硝子社製、品
番：REV8、アミノシラン処理、繊維径13μｍ、平均繊維
長70μｍ、アスペクト比5.6 ） 無機充填材Ｂ：ミルドファイバー（日本板硝子社製、品
番：REV12 、アミノシラン処理、繊維径6 μｍ、平均繊
維長50μｍ、アスペクト比8.3 ） 無機充填材Ｃ：ミルドファイバー（日本板硝子社製、品
番：REV4、無処理、繊維径13μｍ、平均繊維長70μｍ、
アスペクト比5.6 ） 無機充填材Ｄ：球状シリカ（電気化学工業社製、品番：
FB60、平均粒径20μｍ） カップリング剤Ａ：アミノシラン系カップリング剤（γ
ーアミノプロピルトリエトキシシラン、日本ユニカー社
製、品番：A1100 ） カップリング剤Ｂ：エポキシシラン系カップリング剤
（γーグリシドキシプロピルトリメトキシシラン、信越
シリコーン社製、品番：KBM403） 無機イオン交換体Ａ：Sb2 Bi1.4 O6.4(OH)0.9 （NO3 ）
0.4 ・0.6H2O 無機イオン交換体Ｂ：Sb2 Bi1.3 O6.6(OH)0.8 （NO3 ）
0.06・0.6H2O 難燃剤Ａ：臭素化ポリスチレン（日産フエロ社製、PYRO
-CHEK 68PB 、臭素含有率66.3重量％、融点265 〜324
℃、ガラス転移温度195 ℃、粉末、330 ℃、重量減少 -
0.8%） 難燃剤Ｂ：臭素化ポリスチレン（マナック社製、プラセ
フティ1200、臭素含有率67重量％、ガラス転移温度180
℃、Mw20〜24万、粉末、330 ℃、重量減少 -0.8%） 難燃剤Ｃ：臭素化ポリスチレン（東ソー社製、フレーム
カット210-K 、臭素含有率67重量％、軟化点200 〜211
℃、Mw13000 、粉末、330 ℃、重量減少 -2.7%） 難燃剤Ｄ：臭素化ポリスチレン(Great Lakes社製、PDBS
-80 、臭素含有率59重量％、比重1.8 、粉末、330 ℃、
重量減少 -1.2%） 上記表１〜２に見られるように、各実施例のものは、成
形性、曲げ強度、耐湿信頼性もいずれも極めて優れるも
のであった。また、実施例１と２３の難燃性試験結果
は、同じＶ０でも、残炎時間が実施例２３の方が、より
小さくなっており優れていた。
【００８０】
【発明の効果】上記のように本発明によれば、成形物強
度等の物性や射出成形時の成形性を良好な状態に維持し
た上で、ＵＬ９４−Ｖ０グレードの難燃性実現と、エポ
キシ樹脂封止材レベルの耐湿信頼性実現を達成すること
ができるものである。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 ＦＩ Ｈ０１Ｌ 23/29 Ｈ０１Ｌ 23/30 Ｒ 23/31 (72)発明者 嶋田 恭子 大阪府門真市大字門真1048番地松下電工株 式会社内

Claims (16)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 （Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフィド
    樹脂、（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を有する
    ポリスチレン系樹脂、（Ｃ）α- オレフィンとα, β-
    不飽和グリシジルエステルからなるオレフィン系共重合
    体（ａ）と、下記一般式（化１）で示される繰り返し単
    位で構成された共重合体（ｂ）の１種または２種以上
    が、分岐、または架橋構造的に化学結合したグラフト共
    重合体、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）無機イオン交換体、
    （Ｆ）難燃剤からなることを特徴とする半導体封止用樹
    脂組成物。 【化１】 ( ただし、Ｒは水素、または低級アルキル基、Ｘは、-C
    OOCH3 、-COOC2H5、-COOC4H9、-COOCH2CH （C2H5）C
    4H9、-C6H5 、-CN から選ばれた１種または２種以上の
    基を表す。)
  2. 【請求項２】 上記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフ
    ィド樹脂において、溶融粘度が、パラレルプレート法に
    よる温度300 ℃、角速度100rad/sの条件で、1 〜30Pa・
    s であることを特徴とする請求項１記載の半導体封止用
    樹脂組成物。
  3. 【請求項３】 上記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスルフ
    ィド樹脂において、抽出水中のイオン性不純物が、樹脂
    重量換算した値でナトリウム含量5ppm以下、塩素含量5p
    pm以下であり、同抽出水の電気伝導度が、10μS/cm以下
    であることを特徴とする請求項１または請求項２記載の
    半導体封止用樹脂組成物。
  4. 【請求項４】 上記（Ｂ）主としてシンジオタクチック
    構造を有するポリスチレン系樹脂において、溶融粘度
    が、パラレルプレート法による温度300 ℃、角速度100r
    ad/sの条件で、1 〜250Pa ・s であることを特徴とする
    請求項１ないし請求項３何れか記載の半導体封止用樹脂
    組成物。
  5. 【請求項５】 上記（Ｂ）主としてシンジオタクチック
    構造を有するポリスチレン系樹脂において、抽出水中の
    イオン性不純物が、樹脂重量換算した値でナトリウム含
    量5ppm以下、塩素含量5ppm以下であり、電気伝導度が、
    10μS/cm以下であることを特徴とする請求項１ないし請
    求項３何れか記載の半導体封止用樹脂組成物。
  6. 【請求項６】 上記（Ｃ）グラフト共重合体が、エチレ
    ン／グリシジルメタクリレート共重合体（以下、ＥＧＭ
    Ａと略すことがある）とアクリロニトリルスチレン共重
    合体（以下、ＡＳと略すことがある）が分岐、または架
    橋構造的に化学結合したグラフト共重合体であり、その
    ＥＧＭＡ／ＡＳ重量比が、80/20 〜50/50 であり、グリ
    シジルメタクリレート（以下、ＧＭＡと略すことがあ
    る）量が、1 〜15重量％であり、熱重量分析において、
    昇温10℃／分、温度330 ℃での重量減少が、5 重量％以
    下であることを特徴とする請求項１ないし請求項５何れ
    か記載の半導体封止用樹脂組成物。
  7. 【請求項７】 上記（Ｃ）グラフト共重合体が、エチレ
    ン／グリシジルメタクリレート共重合体とポリスチレン
    共重合体（以下、ＰＳと略すことがある）が分岐、また
    は架橋構造的に化学結合したグラフト共重合体であり、
    そのＥＧＭＡ／ＰＳ重量比が、80/20 〜50/50 であり、
    ＧＭＡ量が、1 〜15重量％の範囲であり、熱重量分析に
    おいて、昇温10℃／分、温度330 ℃での重量減少が、5
    重量％以下であることを特徴とする請求項１ないし請求
    項６何れか記載の半導体封止用樹脂組成物。
  8. 【請求項８】 上記（Ｄ）無機充填材が、アミノ基を有
    するカップリング剤で処理されたガラス繊維であり、繊
    維径5 〜15μｍ、平均繊維長30〜100 μｍ、アスペクト
    比20以下であることを特徴とする請求項１ないし請求項
    ７何れか記載の半導体封止用樹脂組成物。
  9. 【請求項９】 上記（Ｄ）無機充填材が、球状シリカで
    あり、平均粒径10〜40μｍであることを特徴とする請求
    項１ないし請求項８何れか記載の半導体封止用樹脂組成
    物。
  10. 【請求項１０】 上記（Ｅ）無機イオン交換体が、下記
    一般式（化２）で示されるものであることを特徴とする
    請求項１ないし請求項９何れか記載の半導体封止用樹脂
    組成物。 【化２】 （ただし、式中のa,b はそれぞれ1 〜2 、c は1 〜7 、
    d は0.2 〜3 、e は0.05〜3 、n は0 〜2 である。）
  11. 【請求項１１】 上記（Ｆ）難燃剤が、臭素化ポリスチ
    レンであり、その臭素含有量が、45重量％以上、熱重量
    分析において、昇温10℃／分、温度330 ℃での重量減少
    が、5 重量％以下であることを特徴とする請求項１ない
    し請求項１０何れか記載の半導体封止用樹脂組成物。
  12. 【請求項１２】 上記（Ｄ）無機充填材が、（Ａ）〜
    （Ｅ）の合計中、30〜70重量％であることを特徴とする
    請求項１ないし請求項１１何れか記載の半導体封止用樹
    脂組成物。
  13. 【請求項１３】 上記（Ｄ）無機充填材において、ガラ
    ス繊維と球状シリカの重量比が100/0 〜30/70 であるこ
    とを特徴とする請求項１ないし請求項１１何れか記載の
    半導体封止用樹脂組成物。
  14. 【請求項１４】 上記（Ａ）直鎖型ポリアリーレンスル
    フィド樹脂と（Ｂ）主としてシンジオタクチック構造を
    有するポリスチレン系樹脂の重量比が95/5〜70/30 であ
    り、（Ｃ）α- オレフィンとα, β- 不飽和グリシジル
    エステルからなるオレフィン系共重合体（ａ）と、上記
    一般式（化１）で示される繰り返し単位で構成された共
    重合体（ｂ）の１種または２種以上が、分岐、または架
    橋構造的に化学結合したグラフト共重合体が、（Ａ）と
    （Ｂ）の合計100 重量部に対して、1 〜10重量部であ
    り、（Ｅ）無機イオン交換体が、（Ａ）と（Ｂ）の合計
    100 重量部に対して、0.5 〜5 重量部であり、（Ｆ）難
    燃剤が、（Ｂ）100 重量部に対して、10〜40重量部配合
    されていることを特徴とする請求項１ないし請求項１３
    何れか記載の半導体封止用樹脂組成物。
  15. 【請求項１５】 請求項１ないし請求項１４何れか記載
    の半導体封止用樹脂組成物において、少なくとも
    （Ｂ）、（Ｃ）と（Ｆ）の３成分を予め混練後、更に残
    りの成分と混練することを特徴とする半導体封止用樹脂
    組成物の製造方法。
  16. 【請求項１６】 請求項１ないし請求項１４何れか記載
    の半導体封止用樹脂組成物を用いて半導体封止してなる
    ことを特徴とする半導体装置。
JP9292004A 1997-10-24 1997-10-24 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置 Pending JPH11124480A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9292004A JPH11124480A (ja) 1997-10-24 1997-10-24 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP9292004A JPH11124480A (ja) 1997-10-24 1997-10-24 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH11124480A true JPH11124480A (ja) 1999-05-11

Family

ID=17776291

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP9292004A Pending JPH11124480A (ja) 1997-10-24 1997-10-24 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPH11124480A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003080726A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Epoxy resin molding material for encapsulation and electronic components and devices
JP2007512406A (ja) * 2003-11-21 2007-05-17 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド ポリフェニレンサルファイド熱可塑性樹脂組成物
JP2015023101A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 大日本印刷株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2003080726A1 (en) * 2002-03-22 2003-10-02 Hitachi Chemical Co., Ltd. Epoxy resin molding material for encapsulation and electronic components and devices
JPWO2003080726A1 (ja) * 2002-03-22 2005-07-21 日立化成工業株式会社 封止用エポキシ樹脂成形材料及び電子部品装置
JP2007512406A (ja) * 2003-11-21 2007-05-17 チェイル インダストリーズ インコーポレイテッド ポリフェニレンサルファイド熱可塑性樹脂組成物
JP2015023101A (ja) * 2013-07-17 2015-02-02 大日本印刷株式会社 半導体発光装置、半導体発光装置用部品及びそれらの製造方法、並びに反射体、その製造方法及び反射体形成用組成物

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5276000B2 (ja) 難燃性ポリアミド組成物
TWI414560B (zh) 難燃性聚醯胺組成物
KR101821868B1 (ko) 폴리에스테르 수지 조성물과 그 제조 방법, 그것을 포함하는 카메라 모듈
JP3901752B2 (ja) 難燃性ポリスチレン系樹脂組成物及びポリスチレン系樹脂成形体
US20040166325A1 (en) Flame retardant molding compositions containing group IVA metal oxides
US20100261819A1 (en) Flame-retardant polyamide composition
US6348540B1 (en) Styrenic resin composition and semiconductor carrier device
JPS61148262A (ja) ポリブチレンテレフタレ−ト樹脂組成物
KR100754914B1 (ko) 열가소성 수지 조성물 및 성형품
JPH11124480A (ja) 半導体封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの半導体封止用樹脂組成物を用いた半導体装置
JP2001335708A (ja) 熱可塑性樹脂組成物、その製造方法、並びに半導体素子収納用パッケージ
JP2009185150A (ja) 伝熱性樹脂組成物及びその樹脂成形体
JP4006801B2 (ja) 耐トラッキング性に優れる難燃性熱可塑性樹脂組成物
JP2001181522A (ja) 熱可塑性樹脂組成物、その製造方法、及び、成形品
EP1702008B1 (en) Polyphenylene sulfide thermoplastic resin composition
JP3515583B2 (ja) ポリカーボネート樹脂組成物
JPH11189719A (ja) 電子部品封止用樹脂組成物およびその製造方法、ならびにこの電子部品封止用樹脂組成物を用いた封止電子部品
JP3484803B2 (ja) 難燃性樹脂組成物
JPH08157668A (ja) 電子部品，電子部品の封止用ケース，コンデンサーの容器及び封口板
JP2001335688A (ja) 熱可塑性樹脂組成物、その製造方法、並びに半導体素子収納用パッケージ
JPH0931276A (ja) 難燃性樹脂組成物
JPH11158357A (ja) ノルボルネン系樹脂組成物
WO2024132849A1 (en) Pps composition, process for preparation, process for producing an article, and article made of the composition
JPS62106920A (ja) 半導体封止用樹脂組成物
JP3098262B2 (ja) 自己消炎性スチレン樹脂組成物