JPH11122189A - 光伝送モジュール及び光伝送モジュールの製造方法 - Google Patents

光伝送モジュール及び光伝送モジュールの製造方法

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JPH11122189A
JPH11122189A JP9280206A JP28020697A JPH11122189A JP H11122189 A JPH11122189 A JP H11122189A JP 9280206 A JP9280206 A JP 9280206A JP 28020697 A JP28020697 A JP 28020697A JP H11122189 A JPH11122189 A JP H11122189A
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circuit
laser diode
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JP9280206A
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Satoshi Ueno
聡 上野
Taku Harada
卓 原田
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Hitachi Ltd
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Hitachi Ltd
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 レーザダイオードの駆動電流源の電流特性調
整用に外付け抵抗を必要としない光伝送モジュールを提
供する。 【解決手段】 光伝送モジュールは、一端に電気信号の
入力端子、電源端子及びグランド端子を備え、他端に光
ファイバを有するケーシングに、レーザダイオードと、
レーザダイオードのドライバICを含む。ドライバIC
は、レーザダイオードの駆動電流源回路を含み、駆動電
流源回路は、電流源トランジスタ(400)と、電流源
トランジスタに接続された抵抗回路(401)と、抵抗
回路の相互に異なる電流ノードに別々に接続された複数
個の外部調整端子(402〜406)とを含み、駆動電
流源回路の前記複数個の外部調整端子の中からグランド
電位を供給する端子が選択されて前記ケーシングのグラ
ンド端子に結合される。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、レーザダイオード
の温度特性のばらつきを調整するための技術に関し、そ
のための付加回路を最小化した光伝送モジュール、更に
は光伝送モジュールの製造方法に関し、例えば電話交換
機やデータ処理端末等の装置間、装置内ユニット間の光
接続に用いられる光インタコネクトケーブルに適用して
有効な技術に関するものである。
【0002】
【従来の技術】レーザダイオードは、ダブルヘテロ接合
を有し、それに流れる順方向電流がある電流値以上にな
るとレーザ発振を開始し、レーザ光を放出する。このレ
ーザ発振開始の電流を閾値電流(Ith)と言う。レーザダ
イオードに流すべき順方向電流(Id)の大きさは、必要な
光出力に応じて決定される。この順方向電流(Id)は、概
略的に、Ith+Imと表すことができる。Imを変調電流と称
し、必要な順方向電流のうち、変調電流をレーザダイオ
ードに流したり流さなかったりすること(変調電流のオ
ン/オフ制御と称する)によって、レーザダイオードの
光出力をオン/オフせることができる。レーザダイオー
ドを用いた光通信ではその光出力のオン/オフによって
情報伝達を行う。光出力のオン/オフの高速応答性を実
現するためには、順方向電流Idのうち、変調電流Imがパ
ルス状にオン/オフされる。
【0003】前記レーザダイオードは、順方向電流に対
する光出力が温度に依存して変化する、という温度特性
を有する。このとき、前記閾値電流と変調電流の温度特
性は相互に異なっており、夫々非線形特性である。
【0004】また、前記レーザダイオードや電流源トラ
ンジスタ等の特性には個体差があり、それらを組み立て
て光トランスミッタ若しくは光伝送モジュールを構成し
た場合は更に組み立て誤差による特性のばらつきも生ず
る。
【0005】したがって、レーザダイオードの駆動電流
に関する温度特性は光トランスミッタ若しくは光伝送モ
ジュール毎に無視し得ないばらつきがある。
【0006】そのようなばらつきを補償するために、レ
ーザダイオードのドライバIC側の駆動電流源の電流特
性を調整することが必要になる。例えば、レーザダイオ
ードに前記順方向電流を流すドライバの駆動電流源に、
外付け抵抗の外部接続電極を予め設けておくことができ
る。すなわち、レーザダイオードのドライバアレイを含
むドライバICに、外付け抵抗を選択的に接続するため
の外部接続電極を設ける。前記外部接続電極はドライバ
ICの内部で、前記駆動電流源を構成するnpnバイポ
ーラトランジスタのエミッタに結合されている。ドライ
バICの内部には前記エミッタに結合された標準的な抵
抗素子が配置され、当該抵抗素子は回路のグランド電位
に結合されることになる。標準的な抵抗素子に流れる電
流だけでは所望とする順方向電流を得ることができない
場合には、前記外部接続電極に適当な外付け抵抗を接続
してプルダウンする。これによって、目的とする順方向
電流を得るようにする。
【0007】データ処理装置間、装置内ユニット間での
光インタコネクトを考慮すると、インタフェースケーブ
ル様の光伝送モジュールには前記外付け抵抗を内蔵しな
ければならない。
【0008】尚、光インタコネクトについて記載された
文献の例として、社団法人電子情報通信学会の信学技報
DE95-58,OPE95-30,LQE95-34(1995-07)がある。
【0009】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記ド
ライバICの駆動電流源の電流特性を調整するために外
付け抵抗を用いると、光伝送モジュールの部品点数が増
大し、体積も増えてしまう。データ処理装置間、装置内
ユニット間のインタコネクトなどに適用される光伝送モ
ジュールは、インタフェースケーブルとして利用される
ものであるから、光伝送モジュールの体積は小さい方が
使い勝手がよい。
【0010】本発明の目的は、レーザダイオードの駆動
電流源の電流特性調整用に外付け抵抗を必要としないこ
とによって、部品点数を少なくできると共に、体積も小
さくできる光伝送モジュールを提供することにある。
【0011】本発明の別の目的は、外付け抵抗を用いる
こと無くレーザダイオードの駆動電流源の電流特性を調
整できる光伝送モジュールの製造方法を提供することに
ある。
【0012】本発明の前記並びにその他の目的と新規な
特徴は本明細書の記述及び添付図面から明らかになるで
あろう。
【0013】
【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0014】すなわち、光伝送モジュールは、一端に電
気信号の入力端子、電源端子及びグランド端子を備え、
他端に光信号を伝達する光ファイバを有するケーシング
に、レーザダイオードと、前記レーザダイオードの駆動
電流を形成するドライバICとを含む。前記ドライバI
Cは、前記レーザダイオードの駆動電流源回路を含み、
前記駆動電流源回路は、制御端子が所定の電圧でバイア
ス制御される電流源トランジスタと、前記電流源トラン
ジスタに接続された抵抗回路と、前記抵抗回路の相互に
異なる電流ノードに別々に接続された複数個の外部調整
端子とを含み、前記駆動電流源回路の前記複数個の外部
調整端子の中からグランド電位を供給する端子が選択さ
れて前記ケーシングのグランド端子に結合されて光伝送
モジュールが構成される。
【0015】前記電流源トランジスタに対する抵抗回路
の構成は種々の構成を採ることができる。例えば、前記
駆動電流源回路は、制御端子が所定の電圧でバイアス制
御され駆動電流ノードに共通結合された複数個の電流源
トランジスタと、各々の電流源トランジスタに接続され
た抵抗回路と、個々の抵抗に別々に接続された複数個の
外部調整端子とを含んで構成することも可能であり、こ
のとき、前記駆動電流源回路の前記複数個の外部調整端
子の中からグランド電位を供給する端子が選択されて前
記ケーシングのグランド端子に結合されて光伝送モジュ
ールが構成される。或いは、前記駆動電流源回路を、制
御端子が所定の電圧でバイアス制御され駆動電流ノード
に共通結合された複数個の電流源トランジスタと、各々
の電流源トランジスタに接続された抵抗回路と、前記抵
抗回路を個別的にグランド端子に接続するスイッチ素子
と、前記スイッチ素子の外部制御端子とによって構成
し、このとき、前記駆動電流源回路の前記スイッチ素子
をオン状態とすべき外部制御端子が選択されて前記ケー
シングの電源端子に結合される。
【0016】装置間、装置内ユニット間での光インタコ
ネクトに代表されるように、複数ビット並列に光伝送を
行なう場合には、前記レーザダイオードは複数個設けら
れ、前記ドライバICは個々のレーザダイオードに対応
して複数個の駆動電流源回路を有し、前記外部調整端子
は前記ドライバICの外部接続電極とすることができ
る。
【0017】上記光伝送モジュールによれば、レーザダ
イオードの駆動電流源の電流特性調整用に外付け抵抗を
必要としないから、部品点数を少なくできると共に、光
伝送モジュールの体積も小さくできる。前記光伝送モジ
ュールを装置間、装置内ユニット間での光インタコネク
トに適用する場合には、その使い勝手も向上する。
【0018】光伝送モジュールの製造方法の観点による
発明は、一端に電気信号の入力端子、電源端子及びグラ
ンド端子を備え、他端に光信号を伝達する光ファイバを
有するケーシングに、レーザダイオードと、前記レーザ
ダイオードの駆動電流を形成するドライバICとを含む
光伝送モジュールを、前記レーザダイオードの特性ばら
つきを補償して製造する方法である。前記ドライバIC
は、前記レーザダイオードに閾値電流を流す閾値電流回
路と、前記電気信号に基づいてレーザダイオードに変調
電流を流す変調電流回路とを含み、前記閾値電流回路及
び変調電流回路はレーザダイオードの駆動電流源回路を
有し、各々の駆動電流源回路は、その電流値を複数種類
の中から決定する抵抗回路を有し、抵抗回路の相互に異
なる複数個のノードに外部調整端子が別々に接続され
る。そのような光伝送モジュールの製造方法は、前記閾
値電流回路用の複数個の外部調整端子の中からグランド
電位を供給する端子を選択して前記ケーシングのグラン
ド端子に固定的に結合し、閾値電流を決定する第1工程
路と、前記変調電流回路用の複数個の外部調整端子の中
からグランド電位を供給する端子を選択して前記ケーシ
ングのグランド端子に固定的に結合し、変調電流を決定
する第2工程とを含む。
【0019】更に、前記閾値電流回路用の複数個の外部
調整端子の中から選択した端子にグランド電位を供給
し、前記変調電流回路用の複数個の外部調整端子の中か
ら選択した端子にグランド電位を供給し、これによって
決定される閾値電流及び変調電流を前記レーザダイオー
ドに流して発光させる第3工程と、前記第3工程によっ
て得られる光出力と目的とする光出力特性との関係に応
じて前記閾値電流回路用の複数個の外部調整端子の中か
らグランド電位を供給する端子を決定すると共に、前記
変調電流回路用の複数個の外部調整端子の中からグラン
ド電位を供給する端子を決定する第4工程とを更に含
み、前記第4工程によって決定された前記閾値電流回路
用の外部調整端子に対して前記第1工程を実施し、前記
第4工程によって決定された前記変調電流回路用の外部
調整端子に対して前記第2工程を実施することができ
る。
【0020】上記製造法方によれば、外付け抵抗を用い
てトリミングなどを行なうこと無く、所要の外部調整端
子をグランド端子に接続するという簡単な操作によっ
て、レーザダイオードの駆動電流源の電流特性を調整す
ることができる。
【0021】
【発明の実施の形態】図7には本発明の一例に係る光ト
ランスミッタの部分平面断面図が示される。光トランス
ミッタ1は、ケーシング2に、電気信号系の入力回路及
び信号処理回路を含むドライバIC4、前記ドライバI
C4に接続されたレーザダイオードアレイ5、及び、レ
ンズユニット6を有する。前記ケーシング2の一端に
は、前記ドライバIC4から引き出された電源端子3
0、グランド端子31及び電気信号の入力端子(例えば
8本)32が外部に露出され、ケーシング2の他端に
は、前記レンズユニット5に一端が結合された光ファイ
バ7が引き出されている。光ファイバ7の他端部には、
特に制限されないが、図示を省略する光コネクタが結合
されている。レーザダイオードの特性ばらつきに対する
補償等が完了された完成品の光トランスミッタ1は、ケ
ーシング2の内部が気密封止されている。
【0022】図8には前記ドライバIC4とレーザダイ
オードアレイ5の構成が例示される。前記レーザダイオ
ードアレイ5は、特に制限されないが8個のレーザダイ
オード80を有する。各レーザダイオード80のアノー
ドは回路の電源電圧Vddに共通接続され、カソードは
個別にドライバIC4に結合されている。
【0023】図8において40で示されるものはレーザ
ダイオード80のカソードの結合端子である。夫々の結
合端子40にはレーザダイオード80の閾値電流を決定
するための第1駆動電流源回路41が設けられている。
図8においてCH1〜CH8で示されるものは、前記電
気信号32の各ビットに対応された8ビットの入力端子
であり、入力端子CH1〜CH8から入力された信号を
差動増幅するアンプ40が設けられている。前記各々の
アンプ40にはその非反転出力をベース電極に受けるn
pn型のバイポーラトランジスタ43と、その反転出力
をベース電極に受けるnpn型のバイポーラトランジス
タ44とが接続され、前記バイポーラトランジスタ4
3,44は、入力端子CH1〜CH8から供給される対
応する入力信号の論理値に応じて相補的にスイッチ制御
される。前記バイポーラトランジスタ43のコレクタ電
極荷は電源電圧Vddが与えられ、前記バイポーラトラ
ンジスタ44のコレクタは結合端子40を介してレーザ
ダイオード80のカソードに結合される。前記バイポー
ラトランジスタ43,44のエミッタはレーザダイオー
ド80の変調電流を決定するための第2駆動電流源回路
45に結合されている。
【0024】上記構成により、回路の動作状態において
レーザダイオード80には第1駆動電流源回路41によ
って決定される閾値電流が常時流される。この状態で、
バイポーラトランジスタ43がオンにされ、バイポーラ
トランジスタ44がオフにされているときは、第2駆動
電流源回路45によって決定される変調電流はバイポー
ラトランジスタ43に全て流れ、レーザダイオード80
は消灯される。一方、バイポーラトランジスタ43がオ
フにされ、バイポーラトランジスタ44がオンにされる
と、第2駆動電流源回路45によって決定される変調電
流がバイポーラトランジスタ44に流れ、これによっ
て、レーザダイオード80には、閾値電流を超えて変調
電流が流されて発光される。
【0025】ここでレーザダイオード80の電流特性に
ついて説明する。レーザダイオードの閾値電流(Ith)
は、Ith=Ith0×exp((T-T0)/Ts)と表すことができる。It
h0はT(雰囲気温度)=T0(常温の特定温度)における閾値
電流、Tsは特性温度(温度に対する閾値電流の変化率を
決定するための係数)である。レーザダイオード(LD
とも記す)80の製造ばらつきにより、前記Ith0の値が
ばらつけば、図9に示されるように閾値電流Ithの特性
に相違を生ずる。また、図10に例示されるように、特
性温度Tsがばらつけば温度に対する閾値電流の変化率が
相違される。
【0026】また、レーザダイオード80で所要の発光
パワーPを得るために必要な変調電流ImはIm=P/η+Ithと
表すことができる。ηは電流を光に変換する変換効率を
意味するスロープ効率である。レーザダイオード80の
製造ばらつきにより、前記Ith0の値がばらつけば、図1
1に示されるように変調電流Imの特性にも相違を生ず
る。また、図12に例示されるように、変調電流はImは
スロープ効率ηのばらつきによっても相違される。
【0027】前記変調電流及び閾値電流の特性ばらつき
にを補償するため、ドライバIC4の第1及び第2駆動
電流源回路41,45はその電流特性が調整されてい
る。以下、この点について詳細を説明する。
【0028】図1には第1駆動電流源回路41の一例が
示されている。第1駆動電流源回路41は、バイアス電
圧発生回路46、バイアス電圧をベース電極に受けるn
pn型の電流源トランジスタ400、及び前記トランジ
スタ400のエミッタに結合された抵抗回路401、及
び前記抵抗回路401の相互に異なる電流ノードに別々
に接続された複数個の外部調整端子402〜406から
成る。前記外部調整端子402〜406は、半導体集積
回路化されたドライバIC4のボンディングパッド等の
外部接続電極として構成されている。前記抵抗回路40
1は、一端がトランジスタ400のエミッタに共通接続
された複数個の抵抗素子R1によって構成される。前記
バイアス電圧発生回路46は所定の電圧Vを抵抗Ra,
Rbで分圧してバイアス電圧を形成する。特に制限され
ないが、バイアス電圧発生回路46は全ての第1及び第
2駆動電流源回路41,45に共用される。
【0029】前記外部調整端子402〜406は、閾値
電流特性を、目的とする閾値電流特性に近付けるよう
に、グランド電位GNDを与えるべき単数若しくは複数
個が選択されて、前記ケーシング2のグランド端子31
に結合される。この例では電流源トランジスタ400は
1個であるが、グランド端子31に結合される外部調整
端子の数が多いほど当該トランジスタ400に流れる電
流Iは大きくされる。
【0030】第2駆動電流回路45も上記同様に構成す
ることができ、この場合には、前記外部調整端子402
〜406は、変調電流特性を、目的とする変調電流特性
に近付けるように、グランド電位GNDを与えるべき単
数若しくは複数個が選択されて、前記ケーシング2のグ
ランド端子31に結合される。
【0031】次に、光トランスミッタ1の第1及び第2
駆動電流源回路41,45に対し、前記外部調整端子4
02〜406の内のどの端子をグランド端子31に接続
するかを決定する工程を説明する。
【0032】図2には実装基板に搭載された前記ドライ
バIC4及びレーザダイオードアレイ5などが示され
る。実装基板47の裏面には前記入力回路3との接続用
に用いられる、1本の電源ピン430、2本のグランド
ピン431、及び8本の信号ピン432が配置され、実
装基板47の表面には前記個々のピン430,431,
432に個別的に接続された電源配線パターン440、
グランド配線パターン441及び信号配線442が設け
られている。
【0033】駆動電流源回路41,45の電流特性の調
整前において、ドライバIC4の外部調整端子402〜
406はグランド配線パターン441とは非接続状態に
され、ドライバIC4のその他の外部端子は対応される
配線パターン440,442にワイヤボンディングなど
によって接続されている。この状態で、実装基板47は
ケーシング2に組み込まれ、入力回路3及び光ファイバ
7に接続されて一体的に組み立てられている。
【0034】このように途中まで組み立てられた光トラ
ンスミッタ1の端子30,31,32と、光ファイバ7
の図示を省略するコネクタを、図示を省略するテスタに
接続する。そして、閾値電流用の駆動電流源回路41の
複数個の外部調整端子の中から選択した端子にグランド
電位GNDを供給し、前記変調電流用の駆動電流源回路
45の複数個の外部調整端子の中から選択した端子にグ
ランド電位を供給し、これによって決定される閾値電流
及び変調電流を前記レーザダイオード80に流して発光
させる(発光処理)。そして、発光された光出力と目的
とする光出力特性との関係に応じて前記閾値電流用の駆
動電流源回路41の複数個の外部調整端子の中からグラ
ンド電位GNDを供給する端子を決定すると共に、前記
変調電流用の駆動電流源回路45の複数個の外部調整端
子の中からグランド電位GNDを供給する端子を決定す
る(端子決定処理)。特に制限されないが、前記外部調
整端子はレーザダイオードアレイ5に対して全チャネル
に共通化されて一組設けられている。外部調整端子に対
する選択的なグランド電位の供給はテスタのプローブを
介して行なうことができる。
【0035】上記処理を更に詳しく説明すると、例えば
前記発光処理では、先ず、駆動電流源回路41,45の
外部調整端子402にグランド電位GNDを与える。こ
れによって得られた発光出力が十分なく同電流源回路4
1,45に関しては、前記端子決定処理において外部調
整端子402を選択する。発光出力が不十分な駆動電流
源回路に関しては、発光出力不足の度合いに応じて、外
部調整端子402と共に、外部調整端子403〜406
の中から単数又は複数個の更に別の外部調整端子を選択
する。
【0036】そして前記端子選択処理によって決定され
た前記閾値電流用の夫々の駆動電流源回路41の外部調
整端子を配線パターン441にボンディングして前記グ
ランド端子31に接続する。同様に、前記端子選択処理
によって決定された前記変調電流用の夫々の駆動電流源
回路45の外部調整端子を配線パターン441にボンデ
ィングして前記グランド端子31に接続する。尚、外部
調整端子402をグランド端子31に接続しただけで目
的とする発光出力以上の光出力を得られる場合、そのよ
うなトランスミッタ1は比較的長い距離の光伝送を行な
うものに流用できる。
【0037】以上のようにしてレーザダイオード80の
閾値電流と変調電流が決定されることにより、外付け抵
抗を用いてトリミングなどを行なうこと無く、所要の外
部調整端子をグランド端子に接続するという簡単な操作
によって、レーザダイオード80の駆動電流源回路4
1,45の電流特性を調整することができる。外付け抵
抗のトリミング最適量を超過して削り過ぎることによ
る、調整の失敗も未然に防止することができる。
【0038】尚、一つの外部調整端子402については
予めグランド配線パターン441にボンディングしてお
いてもよい。
【0039】図3には第1駆動電流源回路41の別の例
が示されている。第1駆動電流源回路41は、バイアス
電圧発生回路46、バイアス電圧をベース電極に受ける
npn型の電流源トランジスタ400a〜400d、及
び前記トランジスタ400a〜400dのエミッタに結
合された抵抗回路401、及び前記抵抗回路401の相
互に異なる電流ノードに別々に接続された複数個の外部
調整端子402〜405から成る。前記外部調整端子4
02〜405は、半導体集積回路化されたドライバIC
4のボンディングパッド等の外部接続電極として構成さ
れている。前記抵抗回路401は、複数個の抵抗素子R
1とR2によって構成されたラダー抵抗回路とされる。
特に制限されないが、素子R2は抵抗素子R1の2倍の
抵抗値を有する。前記バイアス電圧発生回路46は所定
の電圧Vaをバイアス電圧として出力する。特に制限さ
れないが、バイアス電圧発生回路46は全ての第1及び
第2駆動電流源回路41,45に共用される。
【0040】前記外部調整端子402〜405は、閾値
電流特性を、目的とする閾値電流特性に近付けるよう
に、グランド電位GNDを与えるべき単数若しくは複数
個が選択されて、前記ケーシング2のグランド端子31
に結合される。
【0041】図4には外部調整端子402〜405(P
AD)をグランド端子に接続したときの電流Iのシミュ
レーション結果の一例が示される。同図に示される結果
は、グランド端子31に接続する外部調整端子402〜
405(PAD)の個数による電流Iの相違を、抵抗素
子R1,R2の抵抗値の大小に応じて示してある。図4
においてPAD選択方法1は外部調整端子402だけを
グランド端子31に接続した場合を意味し、PAD選択
方法2は外部調整端子402及び403をグランド端子
31に接続した場合を意味し、PAD選択方法3は外部
調整端子402、403及び404をグランド端子31
に接続した場合を意味し、PAD選択方法4は外部調整
端子402〜405の全てをグランド端子31に接続し
た場合を意味する。これによれば、抵抗素子R1,R2
の抵抗値が小さいほど、グランド端子31に接続する外
部接続電極の数が多くなるに従って電流Iも大きくな
る。電流Iの設定は、2種類の抵抗値の抵抗素子R1,
R2を用いて行なうことができる。重み付けされた4種
類の抵抗値の抵抗素子を用いる必要はないから、抵抗素
子相互間の相対ばらつきの影響を殆ど受けずに済む。
【0042】第2駆動電流源回路45も図3と同様に構
成することができ、この場合には、前記外部調整端子4
02〜405は、変調電流特性を目的の変調電流特性に
近付けるように、グランド電位GNDを与えるべき単数
若しくは複数個が選択されて、前記ケーシング2のグラ
ンド端子31に結合される。
【0043】図3の構成において、光トランスミッタ1
の第1及び第2駆動電流源回路41,45に対し、前記
外部調整端子402〜405の内のどの端子をグランド
端子31に接続するかを決定する工程は図1及び図2に
基づいて説明したのと同様に行なう事ができるので、こ
こではその詳細な説明は省略すが、上記同様に、外付け
抵抗を用いてトリミングなどを行なうこと無く、所要の
外部調整端子をグランド端子に接続するという簡単な操
作によって、レーザダイオードの駆動電流源回路の電流
特性を調整することができる。
【0044】図5には更に別の駆動電流源回路の例が示
される。図3の構成とは抵抗回路401が相違される。
図5の抵抗回路401は、トランジスタ400aのエミ
ッタは抵抗素子R1を介してグランド端子31に接続さ
れ、その他のトランジスタ400b〜400dのエミッ
タは夫々抵抗素子R1とR3の直列回路を介してグラン
ド端子31に結合されると共に、前記抵抗素子R1,R
3の結合ノードが外部調整端子403〜405に接続さ
れる。抵抗素子R3の抵抗値は抵抗素子R1に比べて極
めて大きい。すなわち、抵抗素子R3は、それに対応さ
れる外部調整端子がグランド端子に接続されない状態に
おいて、当該外部調整端子がフローティングにならない
ように、その電位をグランド電位に強制する機能を有す
る。この点を除けば、図5の構成も上記と同様の作用効
果を得ることができる。
【0045】図5の抵抗素子は、図6に例示されたnチ
ャンネル型のMOSトランジスタQnによって構成する
ことも可能である。この場合には、選択された外部調整
端子は電源端子30に結合され、これによってMOSト
ランジスタQnがオン状態にされる。非選択とされるM
OSトランジスタQnの外部調整端子はグランド端子3
1に接続されてオフ状態にされる。このような構成によ
っても上記同様の作用効果を得ることができる。
【0046】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づいて具体的に説明したが、本発明はそれに限
定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲にお
いて種々変更可能であることは言うまでもない。
【0047】例えば、抵抗回路の構成、外部調整端子の
数等は上記の例に限定されず適宜変更可能である。ま
た、光トランスミッタから引き出された光ファイバの他
端には光コネクタの代わりに、光レシーバが設けられて
いてもよい。光レシーバは、光ファイバから伝達された
光信号をピンフォトダイオードで電気信号に変換して電
気系へ出力可能にする。
【0048】以上の説明では主として本発明者によって
なされた発明をその背景となった利用分野である装置間
や装置内ユニット間のインタフェースに利用される光イ
ンタコネクタに適用する場合について説明したが、本発
明はそれに限定されず、商用光通信回線と接続される光
伝送モジュールなどにも適用することができる。
【0049】
【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば下記
の通りである。
【0050】すなわち、本発明に係る光伝送モジュール
によれば、レーザダイオードの駆動電流源の電流特性調
整用に外付け抵抗を必要としないから、部品点数を少な
くできると共に、光伝送モジュールの体積も小さくでき
る。前記光伝送モジュールを装置間、装置内ユニット間
での光インタコネクトに適用する場合には、その使い勝
手も向上することができる。
【0051】また、本発明に係る光伝送モジュールの製
造法方によれば、外付け抵抗を用いてトリミングなどを
行なうこと無く、所要の外部調整端子をグランド端子に
接続するという簡単な操作によって、レーザダイオード
の駆動電流源の電流特性を調整することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】駆動電流源回路の第1の例を示す回路図であ
る。
【図2】実装基板に搭載されたドライバIC及びレーザ
ダイオードアレイなどを示す平面図である。
【図3】駆動電流源回路の第2の例を示す回路図であ
る。
【図4】駆動電流源回路で流す電流Iのシミュレーショ
ン結果を示す説明図である。
【図5】駆動電流源回路の第3の例を示す回路図であ
る。
【図6】駆動電流源回路の第4の例を示す回路図であ
る。
【図7】本発明の一例に係る光トランスミッタの部分平
面断面図である。
【図8】ドライバICとレーザダイオードアレイの全体
的な構成を示す回路図である。
【図9】レーザダイオードにおけるIth0に対する閾値電
流Ithの特性を示す説明図である。
【図10】レーザダイオードにおける特性温度Tsに対す
る閾値電流Ithの特性を示す説明図である。
【図11】レーザダイオードにおけるIth0の値に対する
変調電流Imの特性を示す説明図である。
【図12】レーザダイオードにおけるスロープ効率ηに
対する変調電流Imの特性を示す説明図である。
【符号の説明】
1 光トランスミッタ 2 ケーシング 4 ドライバIC 5 レーザダイオードアレイ 6 レンズユニット 7 光ファイバ 30 電源端子 31 グランド端子 32 信号入力端子 41 第1駆動電流源回路 43、44 スイッチングトランジスタ 45 第2駆動電流源回路 80 レーザダイオード 400 定電流源トランジスタ 400a,400b,400c,400d 定電流源ト
ランジスタ 401 抵抗回路 402〜406 外部調整端子 441 グランド電位用は緯線パターン R1,R2,R3 抵抗素子 Qn MOSトランジスタ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 FI H01S 3/133 H04B 10/28 10/02

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 一端に電気信号の入力端子、電源端子及
    びグランド端子を備え、他端に光信号を伝達する光ファ
    イバを有するケーシングに、レーザダイオードと、前記
    レーザダイオードの駆動電流を形成するドライバICと
    を含む光伝送モジュールであって、 前記ドライバICは、前記レーザダイオードの駆動電流
    源回路を含み、前記駆動電流源回路は、制御端子が所定
    の電圧でバイアス制御される電流源トランジスタと、前
    記電流源トランジスタに接続された抵抗回路と、前記抵
    抗回路の相互に異なる電流ノードに別々に接続された複
    数個の外部調整端子とを含み、 前記駆動電流源回路の前記複数個の外部調整端子の中か
    らグランド電位を供給する端子が選択されて前記ケーシ
    ングのグランド端子に結合されて成るものであることを
    特徴とする光伝送モジュール。
  2. 【請求項2】 一端に電気信号の入力端子、電源端子及
    びグランド端子を備え、他端に光信号を伝達する光ファ
    イバを有するケーシングに、レーザダイオードと、前記
    レーザダイオードの駆動電流を形成するドライバICと
    を含む光伝送モジュールであって、 前記ドライバICは、前記レーザダイオードの駆動電流
    源回路を含み、前記駆動電流源回路は、制御端子が所定
    の電圧でバイアス制御され駆動電流ノードに共通結合さ
    れた複数個の電流源トランジスタと、各々の電流源トラ
    ンジスタに接続された抵抗回路と、個々の抵抗に別々に
    接続された複数個の外部調整端子とを含み、 前記駆動電流源回路の前記複数個の外部調整端子の中か
    らグランド電位を供給する端子が選択されて前記ケーシ
    ングのグランド端子に結合されて成るものであることを
    特徴とする光伝送モジュール。
  3. 【請求項3】 一端に電気信号の入力端子、電源端子及
    びグランド端子を備え、他端に光信号を伝達する光ファ
    イバを有するケーシングに、レーザダイオードと、前記
    レーザダイオードの駆動電流を形成するドライバICと
    を含む光伝送モジュールであって、 前記ドライバICは、前記レーザダイオードの駆動電流
    源回路を含み、前記駆動電流源回路は、制御端子が所定
    の電圧でバイアス制御され駆動電流ノードに共通結合さ
    れた複数個の電流源トランジスタと、各々の電流源トラ
    ンジスタに接続された抵抗回路と、前記抵抗回路を個別
    的にグランド端子に接続するスイッチ素子と、前記スイ
    ッチ素子の外部制御端子とを含み、 前記駆動電流源回路の前記スイッチ素子をオン状態とす
    べき外部制御端子が選択されて前記ケーシングの電源端
    子に結合されて成るものであることを特徴とする光伝送
    モジュール。
  4. 【請求項4】 前記レーザダイオードは複数個設けら
    れ、前記ドライバICは個々のレーザダイオードに対応
    して複数個の駆動電流源回路を有し、前記外部調整端子
    は前記ドライバICの外部接続電極とされて成るもので
    あることを特徴とする請求項1乃至3の何れか1項記載
    の光伝送モジュール。
  5. 【請求項5】 一端に電気信号の入力端子、電源端子及
    びグランド端子を備え、他端に光信号を伝達する光ファ
    イバを有するケーシングに、レーザダイオードと、前記
    レーザダイオードの駆動電流を形成するドライバICと
    を含む光伝送モジュールを、前記レーザダイオードの特
    性ばらつきを補償して製造する方法であって、 前記ドライバICは、前記レーザダイオードに閾値電流
    を流す閾値電流回路と、前記電気信号に基づいてレーザ
    ダイオードに変調電流を流す変調電流回路とを含み、前
    記閾値電流回路及び変調電流回路はレーザダイオードの
    駆動電流源回路を有し、各々の駆動電流源回路は、その
    電流値を複数種類の中から決定する抵抗回路を有し、抵
    抗回路の相互に異なる複数個のノードに外部調整端子が
    別々に接続され、 前記閾値電流回路用の複数個の外部調整端子の中からグ
    ランド電位を供給する端子を選択して前記ケーシングの
    グランド端子に固定的に結合し、閾値電流を決定する第
    1工程路と、 前記変調電流回路用の複数個の外部調整端子の中からグ
    ランド電位を供給する端子を選択して前記ケーシングの
    グランド端子に固定的に結合し、変調電流を決定する第
    2工程と、を含むことを特徴とする光伝送モジュールの
    製造方法。
  6. 【請求項6】 前記閾値電流回路用の複数個の外部調整
    端子の中から選択した端子にグランド電位を供給し、前
    記変調電流回路用の複数個の外部調整端子の中から選択
    した端子にグランド電位を供給し、これによって決定さ
    れる閾値電流及び変調電流を前記レーザダイオードに流
    して発光させる第3工程と、 前記第3工程によって得られる光出力と目的とする光出
    力特性との関係に応じて前記閾値電流回路用の複数個の
    外部調整端子の中からグランド電位を供給する端子を決
    定すると共に、前記変調電流回路用の複数個の外部調整
    端子の中からグランド電位を供給する端子を決定する第
    4工程とを更に含み、 前記第4工程によって決定された前記閾値電流回路用の
    外部調整端子に対して前記第1工程を実施し、前記第4工
    程によって決定された前記変調電流回路用の外部調整端
    子に対して前記第2工程を実施することを特徴とする請
    求項5記載の光伝送モジュールの製造方法。
JP9280206A 1997-10-14 1997-10-14 光伝送モジュール及び光伝送モジュールの製造方法 Withdrawn JPH11122189A (ja)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10250986A1 (de) * 2002-10-28 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
US7149024B2 (en) 2004-05-31 2006-12-12 Opnext Japan, Inc. Optical modulator module
CN113985537A (zh) * 2021-10-29 2022-01-28 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10250986A1 (de) * 2002-10-28 2004-05-13 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
US6901091B2 (en) 2002-10-28 2005-05-31 Infineon Technologies Ag Electronic driver circuit for directly modulated semiconductor lasers
DE10250986B4 (de) * 2002-10-28 2006-03-23 Infineon Technologies Ag Elektronische Treiberschaltung für direkt modulierte Halbleiterlaser
US7149024B2 (en) 2004-05-31 2006-12-12 Opnext Japan, Inc. Optical modulator module
CN113985537A (zh) * 2021-10-29 2022-01-28 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块
CN113985537B (zh) * 2021-10-29 2023-03-28 青岛海信宽带多媒体技术有限公司 一种光模块

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