JPH11120518A - 磁気抵抗効果型ヘッド用基板とその製造方法 - Google Patents
磁気抵抗効果型ヘッド用基板とその製造方法Info
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- JPH11120518A JPH11120518A JP28046797A JP28046797A JPH11120518A JP H11120518 A JPH11120518 A JP H11120518A JP 28046797 A JP28046797 A JP 28046797A JP 28046797 A JP28046797 A JP 28046797A JP H11120518 A JPH11120518 A JP H11120518A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気抵抗効果型ヘッドの製造プロセスにおい
て、プロセス途中での静電気による磁気抵抗効果素子の
絶縁破壊を防止し、高い歩留まりで素子を形成するする
方法を提供する。 【解決手段】 基板上に多数の磁気抵抗効果型ヘッドを
形成する際、磁気抵抗効果素子単体の寸法より十分に長
い導電性パターンを同時に配することにより、基板に局
部的に蓄積される電荷を放電して絶縁破壊を防止する。
て、プロセス途中での静電気による磁気抵抗効果素子の
絶縁破壊を防止し、高い歩留まりで素子を形成するする
方法を提供する。 【解決手段】 基板上に多数の磁気抵抗効果型ヘッドを
形成する際、磁気抵抗効果素子単体の寸法より十分に長
い導電性パターンを同時に配することにより、基板に局
部的に蓄積される電荷を放電して絶縁破壊を防止する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、パソコン等の外部
記憶装置として用いられるハードディスクドライブの磁
気ヘッドに関するものであり、特に磁気抵抗効果素子の
絶縁破壊をなくすことが可能な製造方法に係わるもので
ある。
記憶装置として用いられるハードディスクドライブの磁
気ヘッドに関するものであり、特に磁気抵抗効果素子の
絶縁破壊をなくすことが可能な製造方法に係わるもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】記録時に誘導型薄膜磁気ヘッド（記録ヘ
ッド）を、また再生時に磁気抵抗効果素子を用いた磁気
ヘッド（再生ヘッド）を用いた記録再生分離複合型ヘッ
ドとして磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
す）が広く用いられ始めている。この種の磁気ヘッドと
しては、例えばＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．ＭＡ
Ｇ２６，１６８９（１９９０）に記載されている。図７
に従来のＭＲヘッドの斜視図を示す。再生ヘッド１０１
と記録ヘッド１０２が基板１０３上に積層形成され、再
生部は下部シールド１０４および上部シールド１０５
と、絶縁膜でできたギャップ膜（図７では省略）を介す
ると共に、それに挟まれた磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称す）１０６およびそれに電流を供給する電極
１０７を備える。これらＭＲヘッドはリソグラフィ技術
によって、基板上に一括同時に形成される。図８に複数
のＭＲヘッドを碁盤の目状の区画に沿って配列した従来
の基板１０３の概略図を示す。その後個々のヘッド素子
に切断されて研磨等工程を経て所要の形状寸法のスライ
ダーに仕上げられる。尚、図７の（ａ）は、（ｂ）に示
すスライダーを浮上面からみたときのＭＲヘッドの一部
を拡大した斜視図である。
ッド）を、また再生時に磁気抵抗効果素子を用いた磁気
ヘッド（再生ヘッド）を用いた記録再生分離複合型ヘッ
ドとして磁気抵抗効果型ヘッド（以下、ＭＲヘッドと称
す）が広く用いられ始めている。この種の磁気ヘッドと
しては、例えばＩＥＥＥ Ｔｒａｎｓ．Ｍａｇｎ．ＭＡ
Ｇ２６，１６８９（１９９０）に記載されている。図７
に従来のＭＲヘッドの斜視図を示す。再生ヘッド１０１
と記録ヘッド１０２が基板１０３上に積層形成され、再
生部は下部シールド１０４および上部シールド１０５
と、絶縁膜でできたギャップ膜（図７では省略）を介す
ると共に、それに挟まれた磁気抵抗効果素子（以下、Ｍ
Ｒ素子と称す）１０６およびそれに電流を供給する電極
１０７を備える。これらＭＲヘッドはリソグラフィ技術
によって、基板上に一括同時に形成される。図８に複数
のＭＲヘッドを碁盤の目状の区画に沿って配列した従来
の基板１０３の概略図を示す。その後個々のヘッド素子
に切断されて研磨等工程を経て所要の形状寸法のスライ
ダーに仕上げられる。尚、図７の（ａ）は、（ｂ）に示
すスライダーを浮上面からみたときのＭＲヘッドの一部
を拡大した斜視図である。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】ＭＲヘッドを製造する
に当たり、大きな課題となるものが静電気によるＭＲ素
子の破壊である。ＭＲヘッドは記録密度を向上させるよ
うに磁気ギャップ（再生ギャップまたは記録ギャップ）
あるいはトラック幅を縮小する。このためＭＲヘッドの
各部寸法が小さくされ、特に絶縁膜でできたギャップ膜
は薄膜化が必要となる。この結果ＭＲ素子の絶縁耐圧は
大幅に低下し静電気等による素子破壊が起きやすくな
る。ＭＲヘッドの静電破壊については、例えば、公開特
許昭６１−７７１１４号公報に記載されている。この従
来技術では、ヘッド使用時の課題を解決するためには有
効であるが、ヘッド素子作製時の課題には対処できてい
ない。
に当たり、大きな課題となるものが静電気によるＭＲ素
子の破壊である。ＭＲヘッドは記録密度を向上させるよ
うに磁気ギャップ（再生ギャップまたは記録ギャップ）
あるいはトラック幅を縮小する。このためＭＲヘッドの
各部寸法が小さくされ、特に絶縁膜でできたギャップ膜
は薄膜化が必要となる。この結果ＭＲ素子の絶縁耐圧は
大幅に低下し静電気等による素子破壊が起きやすくな
る。ＭＲヘッドの静電破壊については、例えば、公開特
許昭６１−７７１１４号公報に記載されている。この従
来技術では、ヘッド使用時の課題を解決するためには有
効であるが、ヘッド素子作製時の課題には対処できてい
ない。
【０００４】一方、ヘッド作製時の素子破壊を防止する
ための従来技術としては、公開特許平８−２２１７２１
号公報に記載の技術がある。前記従来技術の概略を図９
を用いて説明する。図９は上部シールド膜１０５形成前
のクリーニング工程での静電破壊を説明する断面図であ
る。クリーニング工程は、端子部１１０上に形成される
上部シールド膜１０５と電極１０７との接触抵抗を低減
するために必要な工程であり、イオンミリング法などが
用いられる。イオンミリング法は正電荷を持つＡｒイオ
ン１１２を基板等に照射して、その表面の汚れ等を削り
取る方法である。その際、基板表面に積層した膜がイオ
ン照射の影響で正に帯電することを避けるために、電子
１１３を同時に照射する方法がとられる。しかし、基板
表面全面が電気的に中性となることは少なく、局所的に
見ると電荷分布が生じてしまう。その結果、図９に示す
ようにクリーニングされる電極表面あるいはその近傍に
蓄積される電荷量に差が生じてしまう。即ち、互いに絶
縁された金属膜同士の間に電位差が生じ、このために、
下部または上部ギャップ膜１０８、１０９の絶縁が破壊
される。その時、磁気抵抗効果膜およびバイアス膜に過
大電流が流れＭＲ素子１０６が破壊されてしまう。この
過大電流がＭＲ素子に流れるのを防ぐために前記素子に
接触する１対の電極間を短絡する構造１１１をもつＭＲ
ヘッドを提供している。
ための従来技術としては、公開特許平８−２２１７２１
号公報に記載の技術がある。前記従来技術の概略を図９
を用いて説明する。図９は上部シールド膜１０５形成前
のクリーニング工程での静電破壊を説明する断面図であ
る。クリーニング工程は、端子部１１０上に形成される
上部シールド膜１０５と電極１０７との接触抵抗を低減
するために必要な工程であり、イオンミリング法などが
用いられる。イオンミリング法は正電荷を持つＡｒイオ
ン１１２を基板等に照射して、その表面の汚れ等を削り
取る方法である。その際、基板表面に積層した膜がイオ
ン照射の影響で正に帯電することを避けるために、電子
１１３を同時に照射する方法がとられる。しかし、基板
表面全面が電気的に中性となることは少なく、局所的に
見ると電荷分布が生じてしまう。その結果、図９に示す
ようにクリーニングされる電極表面あるいはその近傍に
蓄積される電荷量に差が生じてしまう。即ち、互いに絶
縁された金属膜同士の間に電位差が生じ、このために、
下部または上部ギャップ膜１０８、１０９の絶縁が破壊
される。その時、磁気抵抗効果膜およびバイアス膜に過
大電流が流れＭＲ素子１０６が破壊されてしまう。この
過大電流がＭＲ素子に流れるのを防ぐために前記素子に
接触する１対の電極間を短絡する構造１１１をもつＭＲ
ヘッドを提供している。
【０００５】しかし、静電破壊による過大電流の電流路
は必ずしも同一素子回路内を流れるとは限らないため改
善効果は小さい。また、ＭＲ素子と電極膜の複合体と絶
縁膜を介して積層された他の金属膜との間には依然とし
て電位差が発生するため、問題の根本的解決は望めな
い。尚、図９のクリーニング工程後にさらに記録ヘッド
を構成する膜（上部シールド１０５、電極１０７、記録
ギャップ１１５、上部磁極１１６）を積層した状態のＭ
Ｒヘッドの断面図を図１０に示す。但し、図１０では電
極間を短絡する構造１１１の記載を省略した。図１０の
（ｂ）はＭＲヘッド（ａ）のＡ−Ａ’における断面を説
明した図である。
は必ずしも同一素子回路内を流れるとは限らないため改
善効果は小さい。また、ＭＲ素子と電極膜の複合体と絶
縁膜を介して積層された他の金属膜との間には依然とし
て電位差が発生するため、問題の根本的解決は望めな
い。尚、図９のクリーニング工程後にさらに記録ヘッド
を構成する膜（上部シールド１０５、電極１０７、記録
ギャップ１１５、上部磁極１１６）を積層した状態のＭ
Ｒヘッドの断面図を図１０に示す。但し、図１０では電
極間を短絡する構造１１１の記載を省略した。図１０の
（ｂ）はＭＲヘッド（ａ）のＡ−Ａ’における断面を説
明した図である。
【０００６】またその他の従来技術として、公開特許平
８−２８７４２４号公報にＭＲ素子の端子部を加工量測
定用素子の端子部と共用化し、基板内の有効実素子の面
積の減少を防いでいる。その中で加工量測定用素子の端
子部を隣接する実素子の端子部と共用することにより、
実質的に加工量測定素子専用の端子部をなくし、実装密
度の向上を図っている。この技術では基板状態での静電
破壊についての具体的な記載がなく、２素子の電極を接
続したのみであるため、ミリング加工時の帯電電荷を逃
がすのには十分ではなく製造工程での静電破壊を防止す
るものではない。
８−２８７４２４号公報にＭＲ素子の端子部を加工量測
定用素子の端子部と共用化し、基板内の有効実素子の面
積の減少を防いでいる。その中で加工量測定用素子の端
子部を隣接する実素子の端子部と共用することにより、
実質的に加工量測定素子専用の端子部をなくし、実装密
度の向上を図っている。この技術では基板状態での静電
破壊についての具体的な記載がなく、２素子の電極を接
続したのみであるため、ミリング加工時の帯電電荷を逃
がすのには十分ではなく製造工程での静電破壊を防止す
るものではない。
【０００７】本発明の目的は、高密度に記録された磁気
信号を再生するＭＲヘッドおよび記録再生分離型複合ヘ
ッドを、高い歩留まりで作製可能なＭＲヘッド構造を提
供することである。特に、作成中の基板上におけるＭＲ
素子の静電破壊を防止するものである。
信号を再生するＭＲヘッドおよび記録再生分離型複合ヘ
ッドを、高い歩留まりで作製可能なＭＲヘッド構造を提
供することである。特に、作成中の基板上におけるＭＲ
素子の静電破壊を防止するものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記した従来技術の問題
点は、ＭＲヘッドを多数形成する基板に帯電した電荷を
逃がすこと、即ち放電路として充分な長さの導電性パタ
ーンを設けること、あるいは電荷の蓄積を緩和するため
に各々のＭＲヘッドの備える少なくとも４以上の端子を
短絡することにより解決される。
点は、ＭＲヘッドを多数形成する基板に帯電した電荷を
逃がすこと、即ち放電路として充分な長さの導電性パタ
ーンを設けること、あるいは電荷の蓄積を緩和するため
に各々のＭＲヘッドの備える少なくとも４以上の端子を
短絡することにより解決される。
【０００９】本発明は、ＭＲ素子に電気的に接続された
１対の電極を備えるＭＲヘッドを２以上設けた磁気抵抗
効果型ヘッド用基板であって、前記ＭＲ素子と前記１対
の電極からなる導電路の寸法よりも長い寸法の導電性パ
ターンが少なくとも１以上形成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッド用基板である。ここで、導電
路の寸法とは、電流の流れる経路として見た電極−ＭＲ
素子−電極の長さを示す。また、導電性パターンとは、
薄膜または薄膜をパターニングして形状を加工したもの
であって、導電性を備える。
１対の電極を備えるＭＲヘッドを２以上設けた磁気抵抗
効果型ヘッド用基板であって、前記ＭＲ素子と前記１対
の電極からなる導電路の寸法よりも長い寸法の導電性パ
ターンが少なくとも１以上形成されていることを特徴と
する磁気抵抗効果型ヘッド用基板である。ここで、導電
路の寸法とは、電流の流れる経路として見た電極−ＭＲ
素子−電極の長さを示す。また、導電性パターンとは、
薄膜または薄膜をパターニングして形状を加工したもの
であって、導電性を備える。
【００１０】また本発明は、前記導電性パターンが基板
の外縁部に達していることを特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッド用基板である。ここで、外縁部とは、基板の側面
や端部もしくはこれらの近傍を含む。また、本発明は前
記導電性パターンの一部が、前記１対の電極と電気的に
接続されることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
用基板である。また、本発明は、異なるＭＲヘッドの電
極が前記導電性パターンを介して電気的に接続されるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用基板である。
の外縁部に達していることを特徴とする磁気抵抗効果型
ヘッド用基板である。ここで、外縁部とは、基板の側面
や端部もしくはこれらの近傍を含む。また、本発明は前
記導電性パターンの一部が、前記１対の電極と電気的に
接続されることを特徴とする磁気抵抗効果型磁気ヘッド
用基板である。また、本発明は、異なるＭＲヘッドの電
極が前記導電性パターンを介して電気的に接続されるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用基板である。
【００１１】本発明は、１対の第一電極を電気的に接続
させたＭＲ素子と１対の第二電極を電気的に接続させた
コイル膜を備えるＭＲヘッドを、２以上設けた磁気抵抗
効果型ヘッド用基板であって、各々のＭＲヘッドごとに
前記第一電極と前記第二電極を電気的に短絡する導電性
パターンを設けることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド用基板である。要は、１個のＭＲヘッドの電極を全て
短絡させることである。ただし、基板上にあるＭＲヘッ
ド同士は互いに短絡することなく独立させる。
させたＭＲ素子と１対の第二電極を電気的に接続させた
コイル膜を備えるＭＲヘッドを、２以上設けた磁気抵抗
効果型ヘッド用基板であって、各々のＭＲヘッドごとに
前記第一電極と前記第二電極を電気的に短絡する導電性
パターンを設けることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッ
ド用基板である。要は、１個のＭＲヘッドの電極を全て
短絡させることである。ただし、基板上にあるＭＲヘッ
ド同士は互いに短絡することなく独立させる。
【００１２】また本発明は、正の荷電粒子と負の荷電粒
子から成るプラズマを有する真空中に磁気抵抗効果型ヘ
ッド用基板を配置する磁気抵抗効果型ヘッド用基板の製
造方法において、請求項１〜５のいずれかの磁気抵抗効
果型ヘッド用基板を用いることを特徴とした磁気抵抗効
果型ヘッド用基板の製造方法において、以上に述べた磁
気抵抗効果型ヘッド用基板を用いることを特徴とした磁
気抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法である。なお、プ
ラズマを用いる製造方法としては、イオンミリングやス
パッタ法等のように荷電粒子を基板に衝突させるエッチ
ング方法を適用することができる。
子から成るプラズマを有する真空中に磁気抵抗効果型ヘ
ッド用基板を配置する磁気抵抗効果型ヘッド用基板の製
造方法において、請求項１〜５のいずれかの磁気抵抗効
果型ヘッド用基板を用いることを特徴とした磁気抵抗効
果型ヘッド用基板の製造方法において、以上に述べた磁
気抵抗効果型ヘッド用基板を用いることを特徴とした磁
気抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法である。なお、プ
ラズマを用いる製造方法としては、イオンミリングやス
パッタ法等のように荷電粒子を基板に衝突させるエッチ
ング方法を適用することができる。
【００１３】また、本発明は１対の第一電極を電気的に
接続させたＭＲ素子と１対の第二電極を電気的に接続さ
せたコイル膜を備えるＭＲヘッドを、２以上設けた磁気
抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法であって、各々のＭ
Ｒヘッドごと前記第一電極と前記第二電極を電気的に短
絡する導電性パターンを設ける第一のプロセスと、正の
荷電粒子と負の荷電粒子から成るプラズマを有する真空
中に磁気抵抗効果型ヘッド用基板を配置する第二のプロ
セスと、前記導電性パターンの少なくとも一部を除去し
て前記第一電極と前記第二電極を電気的に開放する第三
のプロセスを用いることを特徴とした磁気抵抗効果型ヘ
ッド用基板の製造方法である。
接続させたＭＲ素子と１対の第二電極を電気的に接続さ
せたコイル膜を備えるＭＲヘッドを、２以上設けた磁気
抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法であって、各々のＭ
Ｒヘッドごと前記第一電極と前記第二電極を電気的に短
絡する導電性パターンを設ける第一のプロセスと、正の
荷電粒子と負の荷電粒子から成るプラズマを有する真空
中に磁気抵抗効果型ヘッド用基板を配置する第二のプロ
セスと、前記導電性パターンの少なくとも一部を除去し
て前記第一電極と前記第二電極を電気的に開放する第三
のプロセスを用いることを特徴とした磁気抵抗効果型ヘ
ッド用基板の製造方法である。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明における基板は、上部下部
シールド、磁気抵抗効果膜、前記磁気抵抗効果膜にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス膜、前記磁気抵抗効
果膜に電気的に接続された一対の電極、前記磁気抵抗効
果膜、前記電極と前記上部、前記下部シールド膜間に形
成された、上部、下部ギャップ膜、バルクハウゼンノイ
ズ抑制のために磁気抵抗効果膜に磁気的につながり、か
つ前記磁気抵抗効果膜の両端に形成されたバイアス膜等
からなるＭＲ素子が多数形成された基板において、素子
単体の寸法より長い導電性パターンが形成されているこ
とを特徴とする基板である。
シールド、磁気抵抗効果膜、前記磁気抵抗効果膜にバイ
アス磁界を印加するためのバイアス膜、前記磁気抵抗効
果膜に電気的に接続された一対の電極、前記磁気抵抗効
果膜、前記電極と前記上部、前記下部シールド膜間に形
成された、上部、下部ギャップ膜、バルクハウゼンノイ
ズ抑制のために磁気抵抗効果膜に磁気的につながり、か
つ前記磁気抵抗効果膜の両端に形成されたバイアス膜等
からなるＭＲ素子が多数形成された基板において、素子
単体の寸法より長い導電性パターンが形成されているこ
とを特徴とする基板である。
【００１５】本発明について図７を用いて説明する。本
図はＭＲヘッドの斜視図である。ＭＲヘッドは、基板上
に形成した外乱磁界からの影響を防止するための上下部
のシールド、下部及び上部ギャップ、信号磁界を電気抵
抗の変化に変換する磁気抵抗効果膜／分離膜１１７／バ
イアス膜１１８の３層からなるＭＲ素子、センス電流を
通電するための電極１０７、バルクハウゼンノイズを防
止するための磁区制御膜１１９からなる。これまでは従
来のＭＲヘッドと同様の構造である。本発明ではさらに
図１に示す複数の直線状の導電性パターンを追加した。
図１において、（ａ）は複数のＭＲヘッド２を碁盤の目
状の区画に沿って作製した基板３であり、ＭＲヘッド２
を有する区画同士の間に導電性の薄膜からなる導電性パ
ターン１を備える。各々の区画を切り出しすと、図１の
（ｂ）に示すようにＭＲヘッドを搭載したスライダーを
得ることができる。
図はＭＲヘッドの斜視図である。ＭＲヘッドは、基板上
に形成した外乱磁界からの影響を防止するための上下部
のシールド、下部及び上部ギャップ、信号磁界を電気抵
抗の変化に変換する磁気抵抗効果膜／分離膜１１７／バ
イアス膜１１８の３層からなるＭＲ素子、センス電流を
通電するための電極１０７、バルクハウゼンノイズを防
止するための磁区制御膜１１９からなる。これまでは従
来のＭＲヘッドと同様の構造である。本発明ではさらに
図１に示す複数の直線状の導電性パターンを追加した。
図１において、（ａ）は複数のＭＲヘッド２を碁盤の目
状の区画に沿って作製した基板３であり、ＭＲヘッド２
を有する区画同士の間に導電性の薄膜からなる導電性パ
ターン１を備える。各々の区画を切り出しすと、図１の
（ｂ）に示すようにＭＲヘッドを搭載したスライダーを
得ることができる。
【００１６】以下本発明を実施例をもって本発明の詳細
を説明する。 （実施例１）ＭＲヘッドは、まずベースアルミナ膜が積
層された基板上に下部シールド膜を作製する。基板はア
ルミナチタンカーバイド板である。下部シールドは導電
性の軟磁性材をスパッタリング装置で成膜した。膜厚は
２μｍである。成膜後、ホトレジスト膜でマスクしエッ
チングにより所定の形状にパターン化した。
を説明する。 （実施例１）ＭＲヘッドは、まずベースアルミナ膜が積
層された基板上に下部シールド膜を作製する。基板はア
ルミナチタンカーバイド板である。下部シールドは導電
性の軟磁性材をスパッタリング装置で成膜した。膜厚は
２μｍである。成膜後、ホトレジスト膜でマスクしエッ
チングにより所定の形状にパターン化した。
【００１７】次に下部ギャップ膜としてアルミナ膜を厚
さ０．１μｍでスパッタした。次にＭＲ素子を構成する
バイアス膜、分離膜、磁気抵抗効果膜を順次連続的に成
膜し、パターンニングする。その後、磁気制御膜、電極
を成膜してパターンニングする。このとき図１に示す導
電性パターン１も同時に形成する。パターンニングはミ
リングによっておこなった。次に上部ギャップをアルミ
ナで形成し、引き続き上部シールドを成膜し、リフトオ
フによりパターンニングする。その後、記録用誘導型薄
膜磁気ヘッドを形成する。以上で記録再生分離型複合ヘ
ッドが形成される。次に各素子毎に切り出す。その後浮
上面４を加工する。このとき図１に示した電極はＭＲ素
子の不要な部分と共に切断研磨される。
さ０．１μｍでスパッタした。次にＭＲ素子を構成する
バイアス膜、分離膜、磁気抵抗効果膜を順次連続的に成
膜し、パターンニングする。その後、磁気制御膜、電極
を成膜してパターンニングする。このとき図１に示す導
電性パターン１も同時に形成する。パターンニングはミ
リングによっておこなった。次に上部ギャップをアルミ
ナで形成し、引き続き上部シールドを成膜し、リフトオ
フによりパターンニングする。その後、記録用誘導型薄
膜磁気ヘッドを形成する。以上で記録再生分離型複合ヘ
ッドが形成される。次に各素子毎に切り出す。その後浮
上面４を加工する。このとき図１に示した電極はＭＲ素
子の不要な部分と共に切断研磨される。
【００１８】上述のプロセスで作製した基板の工程途中
での絶縁破壊した素子の分布とその割合を調査した。分
布を図２に示す。（ａ）は本発明を適用した場合で、
（ｂ）は従来方法による比較例である。黒く塗りつぶし
た長方形の各々は絶縁破壊した素子の分布を示す。それ
ぞれ８．８％および３１．３％の不良であった。本発明
を適用することにより、ＭＲ素子の抵抗分布も絶縁破壊
が減ったため、一様になった。絶縁破壊が抵抗値の不良
も誘発していたことが分かった。次に本プロセスで作製
したヘッドの記録再生特性を測定した。ＭＲ素子特有の
バルクハウゼンノイズ頻度も十分の一に減少していた。
このことから、絶縁破壊箇所が雑音の原因となっていた
ことが分かる。尚、本発明の適用により作製した直線を
組合せて構成した導電性パターン１は基板を切断する際
の目標線として利用した。このため有効な基板面積が減
少するという問題も発生しない。
での絶縁破壊した素子の分布とその割合を調査した。分
布を図２に示す。（ａ）は本発明を適用した場合で、
（ｂ）は従来方法による比較例である。黒く塗りつぶし
た長方形の各々は絶縁破壊した素子の分布を示す。それ
ぞれ８．８％および３１．３％の不良であった。本発明
を適用することにより、ＭＲ素子の抵抗分布も絶縁破壊
が減ったため、一様になった。絶縁破壊が抵抗値の不良
も誘発していたことが分かった。次に本プロセスで作製
したヘッドの記録再生特性を測定した。ＭＲ素子特有の
バルクハウゼンノイズ頻度も十分の一に減少していた。
このことから、絶縁破壊箇所が雑音の原因となっていた
ことが分かる。尚、本発明の適用により作製した直線を
組合せて構成した導電性パターン１は基板を切断する際
の目標線として利用した。このため有効な基板面積が減
少するという問題も発生しない。
【００１９】（実施例２）実施例１では、導電性パター
ンをＭＲ素子の電極と独立して設けたが、導電性パター
ンはミリング加工などのプロセスにおいて、ＭＲ素子ま
たはＭＲヘッドの電位を接地電位に近づけるための電流
通路として機能させることを目的とする。図３に本発明
の基板の概略図を説明する。本図ではこの電流通路とし
てＭＲヘッド２とその電極５も用いる。基板３において
外縁部の近傍にあるＭＲ素子の電極５を導電性パターン
６を介して基板の外縁部に設けたリング状の導電性パタ
ーン８に接続した。さらに、ＭＲヘッドの電極同士を接
続する導電性パターン７を設けることで基板全体の導電
性パターンの面積を広げて、ＭＲヘッドの電位を設置電
位に近づけることができる。
ンをＭＲ素子の電極と独立して設けたが、導電性パター
ンはミリング加工などのプロセスにおいて、ＭＲ素子ま
たはＭＲヘッドの電位を接地電位に近づけるための電流
通路として機能させることを目的とする。図３に本発明
の基板の概略図を説明する。本図ではこの電流通路とし
てＭＲヘッド２とその電極５も用いる。基板３において
外縁部の近傍にあるＭＲ素子の電極５を導電性パターン
６を介して基板の外縁部に設けたリング状の導電性パタ
ーン８に接続した。さらに、ＭＲヘッドの電極同士を接
続する導電性パターン７を設けることで基板全体の導電
性パターンの面積を広げて、ＭＲヘッドの電位を設置電
位に近づけることができる。
【００２０】（実施例３）図４に本発明の基板の概略図
を説明する。本図ではＭＲヘッド２の絶縁破壊防止のた
めに、各々のＭＲヘッドにおいて４個の電極を導電性パ
ターン１１で短絡する。ここで電極とは、ＭＲ素子に電
気的に接続された１対の第一電極１２と、コイル膜に電
気的に接続された１対の第二電極１３を示す。基板３に
おいて、ＭＲヘッド２の電極同士を接続する導電性パタ
ーンは設けない。また、基板の外縁部に設けたリング状
の導電性パターン８とＭＲヘッド２も接続しない。
を説明する。本図ではＭＲヘッド２の絶縁破壊防止のた
めに、各々のＭＲヘッドにおいて４個の電極を導電性パ
ターン１１で短絡する。ここで電極とは、ＭＲ素子に電
気的に接続された１対の第一電極１２と、コイル膜に電
気的に接続された１対の第二電極１３を示す。基板３に
おいて、ＭＲヘッド２の電極同士を接続する導電性パタ
ーンは設けない。また、基板の外縁部に設けたリング状
の導電性パターン８とＭＲヘッド２も接続しない。
【００２１】（実施例４）図５に本発明の基板の概略図
を説明する。本図ではＭＲヘッド２の絶縁破壊防止のた
めに、各々のＭＲヘッドにおいて４個の電極を導電性パ
ターン１４で短絡する。ここで電極とは、ＭＲ素子に電
気的に接続された１対の第一電極１２と、コイル膜に電
気的に接続された１対の第二電極１３を示す。さらに、
この導電性パターン１４はＭＲヘッド２の電極同士を接
続して一体を為している。尚、基板の外縁部に設けたリ
ング状の導電性パターン８と導電性パターン１４は接続
しない。
を説明する。本図ではＭＲヘッド２の絶縁破壊防止のた
めに、各々のＭＲヘッドにおいて４個の電極を導電性パ
ターン１４で短絡する。ここで電極とは、ＭＲ素子に電
気的に接続された１対の第一電極１２と、コイル膜に電
気的に接続された１対の第二電極１３を示す。さらに、
この導電性パターン１４はＭＲヘッド２の電極同士を接
続して一体を為している。尚、基板の外縁部に設けたリ
ング状の導電性パターン８と導電性パターン１４は接続
しない。
【００２２】図４および図５の構造を設けた基板を、実
施例１と同様のプロセスで処理した結果を図６に示す。
図６は、本発明で絶縁破壊した素子の分布を説明する図
である。図６の（ａ）は図４の実施例３に、（ｂ）は図
５の実施例４に相当する。図中の黒く塗りつぶした長方
形の各々は絶縁破壊した素子の分布を示す。それぞれ
５．６％および１１．４％の不良であった。本発明を適
用することにより、磁気抵抗効果素子の絶縁破壊が減少
し、基板をスライダーに切り分けた段階での不良抽出作
業が著しく低減された。
施例１と同様のプロセスで処理した結果を図６に示す。
図６は、本発明で絶縁破壊した素子の分布を説明する図
である。図６の（ａ）は図４の実施例３に、（ｂ）は図
５の実施例４に相当する。図中の黒く塗りつぶした長方
形の各々は絶縁破壊した素子の分布を示す。それぞれ
５．６％および１１．４％の不良であった。本発明を適
用することにより、磁気抵抗効果素子の絶縁破壊が減少
し、基板をスライダーに切り分けた段階での不良抽出作
業が著しく低減された。
【００２３】（実施例５）さらに、図４の導電性パター
ンを直線または曲線の組合せではなく、ある程度の面積
を有するシート状とし、ＭＲヘッド２を覆う程度にその
面積を拡大した場合、絶縁破壊による不良は２％以下ま
で低減することができた。ただし、シート状の導電性パ
ターンの面積は図４において点線のグリッドで示された
１個のＭＲヘッドの領域内に限られ、隣り合うＭＲ素子
の領域には重ねないものとする。
ンを直線または曲線の組合せではなく、ある程度の面積
を有するシート状とし、ＭＲヘッド２を覆う程度にその
面積を拡大した場合、絶縁破壊による不良は２％以下ま
で低減することができた。ただし、シート状の導電性パ
ターンの面積は図４において点線のグリッドで示された
１個のＭＲヘッドの領域内に限られ、隣り合うＭＲ素子
の領域には重ねないものとする。
【００２４】
【発明の効果】以上に述べたように、素子作成中での静
電気破壊の防止を目的に導電性パターンを追加すること
で、従来３０〜４０％程度あった絶縁不良が２〜９％と
著しく減少させることが可能となった。
電気破壊の防止を目的に導電性パターンを追加すること
で、従来３０〜４０％程度あった絶縁不良が２〜９％と
著しく減少させることが可能となった。
【図１】本発明の基板の概略図。
【図２】本発明と従来で絶縁破壊した素子の分布を比較
する図。
する図。
【図３】本発明の基板の概略図。
【図４】本発明の基板の概略図。
【図５】本発明の基板の概略図。
【図６】本発明で絶縁破壊した素子の分布を説明する
図。
図。
【図７】従来のＭＲヘッドの斜視図。
【図８】従来の基板の概略図。
【図９】従来のクリーニング工程での絶縁破壊を説明す
る断面図。
る断面図。
【図１０】従来のＭＲヘッドの断面図。
１ 導電性パターン、２ ＭＲヘッド、３ 基板、４
浮上面、５ 電極 ６ 導電性パターン、７ 導電性パターン、８ リング
状の導電性パターン、１１ 導電性パターン、１２ 磁
気抵抗効果素子に電気的に接続された１対の第一電極、
１３ コイル膜に電気的に接続された１対の第二電極、
１４ 導電性パターン
浮上面、５ 電極 ６ 導電性パターン、７ 導電性パターン、８ リング
状の導電性パターン、１１ 導電性パターン、１２ 磁
気抵抗効果素子に電気的に接続された１対の第一電極、
１３ コイル膜に電気的に接続された１対の第二電極、
１４ 導電性パターン
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 笠越 利幸 栃木県真岡市松山町18番地日立金属株式会 社電子部品工場内
Claims (7)
- 【請求項１】 磁気抵抗効果素子に電気的に接続された
１対の電極を備える磁気抵抗効果型ヘッドを２以上設け
た磁気抵抗効果型ヘッド用基板であって、前記磁気抵抗
効果素子と前記１対の電極からなる導電路の寸法よりも
長い寸法の導電性パターンが少なくとも１以上形成され
ていることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用基板。 - 【請求項２】 請求項１の磁気抵抗効果型ヘッド用基板
において、前記導電性パターンが基板の外縁部に達して
いることを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用基板。 - 【請求項３】 請求項１または２の磁気抵抗効果型ヘッ
ド用基板において、前記導電性パターンの一部が、前記
１対の電極と電気的に接続されることを特徴とする磁気
抵抗効果型磁気ヘッド用基板。 - 【請求項４】 請求項１、２または３の磁気抵抗効果型
ヘッド用基板において、異なる磁気抵抗効果ヘッドの電
極が前記導電性パターンを介して電気的に接続されるこ
とを特徴とする磁気抵抗効果型ヘッド用基板。 - 【請求項５】 １対の第一電極を電気的に接続させた磁
気抵抗効果素子と１対の第二電極を電気的に接続させた
コイル膜を備える磁気抵抗効果型ヘッドを、２以上設け
た磁気抵抗効果型ヘッド用基板であって、各々の磁気抵
抗効果型ヘッドごとに前記第一電極と前記第二電極を電
気的に短絡する導電性パターンを設けることを特徴とす
る磁気抵抗効果型ヘッド用基板。 - 【請求項６】 １対の第一電極を電気的に接続させた磁
気抵抗効果素子と１対の第二電極を電気的に接続させた
コイル膜を備える磁気抵抗効果型ヘッドを、２以上設け
た磁気抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法であって、各
々の磁気抵抗効果型ヘッドごと前記第一電極と前記第二
電極を電気的に短絡する導電性パターンを設ける第一の
プロセスと、正の荷電粒子と負の荷電粒子から成るプラ
ズマを有する真空中に磁気抵抗効果型ヘッド用基板を配
置する第二のプロセスと、前記導電性パターンの少なく
とも一部を除去して前記第一電極と前記第二電極を電気
的に開放する第三のプロセスを用いることを特徴とした
磁気抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法。 - 【請求項７】 正の荷電粒子と負の荷電粒子から成るプ
ラズマを有する真空中に磁気抵抗効果型ヘッド用基板を
配置する磁気抵抗効果型ヘッド用基板の製造方法におい
て、請求項１〜５のいずれかの磁気抵抗効果型ヘッド用
基板を用いることを特徴とした磁気抵抗効果型ヘッド用
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28046797A JP3853934B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド用基板とその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP28046797A JP3853934B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド用基板とその製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11120518A true JPH11120518A (ja) | 1999-04-30 |
| JP3853934B2 JP3853934B2 (ja) | 2006-12-06 |
Family
ID=17625484
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP28046797A Expired - Fee Related JP3853934B2 (ja) | 1997-10-14 | 1997-10-14 | 磁気抵抗効果型ヘッド用基板とその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3853934B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
-
1997
- 1997-10-14 JP JP28046797A patent/JP3853934B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7239488B2 (en) * | 2004-03-09 | 2007-07-03 | Sae Magnetics (H.K.), Ltd. | MR sensor on an insulating substrate and method of manufacture |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3853934B2 (ja) | 2006-12-06 |
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