JPH11111664A - Treatment equipment of substrate - Google Patents

Treatment equipment of substrate

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Publication number
JPH11111664A
JPH11111664A JP26689297A JP26689297A JPH11111664A JP H11111664 A JPH11111664 A JP H11111664A JP 26689297 A JP26689297 A JP 26689297A JP 26689297 A JP26689297 A JP 26689297A JP H11111664 A JPH11111664 A JP H11111664A
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JP
Japan
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substrate
processing tank
treatment tank
processing
outside
Prior art date
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Application number
JP26689297A
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Japanese (ja)
Inventor
Sadaaki Kurokawa
禎明 黒川
Hideki Nakajima
英樹 中嶋
Daisuke Matsushima
大輔 松嶋
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Shibaura Mechatronics Corp
Original Assignee
Shibaura Mechatronics Corp
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Publication date
Application filed by Shibaura Mechatronics Corp filed Critical Shibaura Mechatronics Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent atmosphere in a treatment tank from leaking to the outside by installing a filter unit in a treatment tank, in which a spin equipment is accommodated, and controlling the supply amount of clean air to the treatment tank by the filter unit, on the basis of result of pressure difference between the inside and the outside of the treatment tank. SOLUTION: A spin equipment 3 for cleaning and dry-treating a substrate 2 such as a semiconductor wafer is installed in a treatment tank 1. A filter unit 11 is installed above the treatment tank 1 and introduces clean air in a clean room R into the treatment tank 1 by using a blower 12. A filter part 13 for further cleaning the introduced air is arranged. A differential pressure detector 16 is connected with the treatment tank 1, and the difference of pressure between the treatment tank 1, and the clean room R is detected. On the basis of the detected result, the supply amount of the clean air to the treatment tank 1 by the filter unit 11 is controlled through a control equipment 17.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は基板を回転させて
処理するスピン装置を備えた基板の処理装置に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus provided with a spin device for processing a substrate by rotating the substrate.

【0002】[0002]

【従来の技術】たとえば液晶製造装置や半導体製造装置
には、液晶用ガラス基板や半導体ウエハなどの基板を高
い清浄度で洗浄する工程がある。このような基板を洗浄
する方式としては、洗浄液中に複数枚の基板を浸漬する
デイップ方式や基板に向けて洗浄液を噴射して一枚づつ
洗浄する枚葉方式があり、最近では高い清浄度が得られ
るとともに、コスト的に有利な枚葉方式が採用されるこ
とが多くなってきている。
2. Description of the Related Art For example, a liquid crystal manufacturing apparatus or a semiconductor manufacturing apparatus has a step of cleaning a substrate such as a liquid crystal glass substrate or a semiconductor wafer with a high degree of cleanliness. As a method of cleaning such a substrate, there are a dip method in which a plurality of substrates are immersed in a cleaning liquid and a single-wafer method in which a cleaning liquid is sprayed toward a substrate to wash one by one. In addition to this, a single-wafer method that is advantageous in terms of cost is often used.

【0003】枚葉方式の1つとして基板を回転させなが
ら洗浄するスピン装置が知られている。スピン装置の場
合、上記基板を低速回転させながら洗浄液をかけること
で洗浄を行うことができ、ついで高速回転させることで
乾燥処理することができる。つまり、スピン装置は、洗
浄処理と乾燥処理とを連続して行うことができるという
利点がある。
[0003] As one of the single-wafer systems, a spin device for cleaning a substrate while rotating it is known. In the case of a spin device, cleaning can be performed by applying a cleaning liquid while rotating the substrate at a low speed, and then drying can be performed by rotating the substrate at a high speed. That is, the spin device has an advantage that the cleaning process and the drying process can be performed continuously.

【0004】上記スピン装置で基板を回転させると、そ
の回転にともない発生する空気流によって外気に含まれ
るパ−ティクルが上記基板に付着し、汚染の原因になる
ということがある。そこで、スピン装置による基板の処
理をクリ−ンル−ムで行うだけでなく、上記スピン装置
を処理槽に収容し、その内部に清浄空気を循環させて行
うようにしている。
When the substrate is rotated by the spin device, particles contained in the outside air adhere to the substrate due to the air flow generated by the rotation, which may cause contamination. Therefore, not only the processing of the substrate by the spin device is performed in a clean room, but also the spin device is accommodated in a processing tank and clean air is circulated in the processing device.

【0005】処理槽に清浄空気を循環させれば、基板に
付着するパ−ティクルの量を減少させることができる。
しかしながら、処理槽内の圧力は、清浄空気の循環量の
変動や基板の処理形態に応じた回転速度の変更などによ
って変動することが避けられない。
By circulating clean air through the processing tank, the amount of particles adhering to the substrate can be reduced.
However, it is inevitable that the pressure in the processing tank fluctuates due to a change in the circulation amount of clean air, a change in the rotation speed according to the processing mode of the substrate, and the like.

【0006】そして、処理槽内の圧力が外気の圧力より
も低くなると、外気が処理槽内に流入するから、その外
気に含まれるパ−ティクルが基板に付着するということ
がある。また、処理槽内の圧力が外気よりも高くなる
と、処理槽内の雰囲気が外部に漏れ出るということがあ
り、とくに、基板を薬液で洗浄処理するような場合に
は、洗浄槽内の雰囲気が外部に漏れ出ることは好ましく
ない。
[0006] When the pressure in the processing tank becomes lower than the pressure of the outside air, the outside air flows into the processing tank, and the particles contained in the outside air may adhere to the substrate. Also, if the pressure in the processing tank is higher than the outside air, the atmosphere in the processing tank may leak to the outside, especially when the substrate is cleaned with a chemical solution. Leakage to the outside is undesirable.

【0007】さらに、処理槽の外部の圧力、つまりクリ
−ンル−ムの圧力も一定でないため、その圧力変動によ
っても、基板へのパ−ティクルの付着量が増大したり、
処理槽内の雰囲気が外部に漏れ出ることがある。
Further, since the pressure outside the processing tank, that is, the pressure of the clean room, is not constant, the amount of particles attached to the substrate increases due to the pressure fluctuation.
The atmosphere in the processing tank may leak to the outside.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】このように、従来は基
板をスピン処理する場合、基板へのパ−ティクルの付着
を抑制するためにスピン装置を処理槽内に設置するとい
うことが行われているものの、処理槽内と外部との圧力
変動によって洗浄槽内へパ−ティクルが流入したり、洗
浄槽内の雰囲気が外部に漏れ出るなどのことがあった。
As described above, conventionally, when a substrate is subjected to spin processing, a spin apparatus is installed in a processing tank in order to suppress particles from adhering to the substrate. However, particles may flow into the cleaning tank due to pressure fluctuations between the processing tank and the outside, and the atmosphere in the cleaning tank may leak to the outside.

【0009】この発明は、処理槽や外部の圧力が変動し
ても、外気が処理槽に流入したり、処理槽内の雰囲気が
外部に漏れ出ることがないようにした基板の処理装置を
提供することにある。
The present invention provides a substrate processing apparatus which prevents external air from flowing into the processing tank and the atmosphere in the processing tank from leaking to the outside even if the pressure in the processing tank or outside fluctuates. Is to do.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】請求項1の発明は、基板
を回転させて処理する処理装置において、上記基板を保
持して回転駆動するためのスピン装置と、このスピン装
置が収容された処理槽と、この処理槽に設けられ処理槽
内に清浄空気を供給するフィルタユニットと、上記処理
槽内の空気を排出する排気手段と、上記処理槽の内部と
外部との圧力差を検出する検出手段と、この検出手段の
検出結果に基いて上記フィルタユニットによる上記処理
槽への清浄空気の供給量を制御する制御手段とを具備し
たことを特徴とする。
According to a first aspect of the present invention, there is provided a processing apparatus for rotating and processing a substrate, comprising: a spin device for holding and rotating the substrate; and a processing device containing the spin device. A tank, a filter unit provided in the processing tank and supplying clean air to the processing tank, an exhaust unit for discharging air from the processing tank, and a detection unit for detecting a pressure difference between the inside and the outside of the processing tank. Means, and control means for controlling a supply amount of clean air to the processing tank by the filter unit based on a detection result of the detection means.

【0011】請求項2の発明は、請求項1の発明におい
て、上記制御手段は、上記処理槽の内部と外部との圧力
差がほぼ0になるよう上記フィルタユニットによる清浄
空気の供給量を制御することを特徴とする。
According to a second aspect of the present invention, in the first aspect of the present invention, the control means controls a supply amount of clean air by the filter unit such that a pressure difference between the inside and the outside of the processing tank becomes substantially zero. It is characterized by doing.

【0012】請求項1と請求項2の発明によれば、処理
槽の内部と外部との圧力差を検出し、その検出結果に基
いて処理槽への清浄空気の供給量を制御するため、外気
が処理槽内に流入したり、内部の雰囲気が外部に漏れ出
るのを防止することができる。
According to the first and second aspects of the present invention, a pressure difference between the inside and outside of the processing tank is detected, and the amount of clean air supplied to the processing tank is controlled based on the detection result. It is possible to prevent the outside air from flowing into the processing tank and the internal atmosphere from leaking to the outside.

【0013】とくに、請求項2の発明によれば、処理槽
の内部と外部との圧力差がほぼ0になるよう制御するた
め、処理槽への外気の流入や内部雰囲気が外部へ漏れ出
るのを確実に防止することができる。
In particular, according to the second aspect of the present invention, since the pressure difference between the inside and outside of the processing tank is controlled to be substantially zero, the inflow of outside air into the processing tank and the internal atmosphere leak to the outside. Can be reliably prevented.

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、この発明の一実施の形態を
図面を参照して説明する。図1に示すこの発明の処理装
置はクリ−ンル−ムRに設置された処理槽1を備えてい
る。この処理槽1は箱型状をなしていて、内部には半導
体ウエハや液晶用ガラス基板などの基板2を洗浄や乾燥
処理するためのスピン装置3が設置されている。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to the drawings. The processing apparatus of the present invention shown in FIG. 1 has a processing tank 1 installed in a clean room R. The processing tank 1 has a box shape, and a spin device 3 for cleaning and drying a substrate 2 such as a semiconductor wafer or a glass substrate for liquid crystal is installed therein.

【0015】なお、処理槽1の一側壁には図示しない開
閉扉によって開閉される開口部が設けられ、この開口部
から上記スピン装置3に対して基板2が出し入れされる
ようになっている。
An opening which is opened and closed by an opening / closing door (not shown) is provided in one side wall of the processing tank 1, and the substrate 2 is put in and out of the spin device 3 through this opening.

【0016】上記スピン装置3は、上面が開口したカッ
プ体4を有し、このカップ体4の内部には上記基板2を
保持する回転体5が回転自在に設けられている。この回
転体5の下面には駆動軸6が連結され、この駆動軸6は
駆動源7によって回転駆動されるようになっている。
The spin device 3 has a cup body 4 having an open upper surface, and a rotating body 5 for holding the substrate 2 is rotatably provided inside the cup body 4. A drive shaft 6 is connected to the lower surface of the rotating body 5, and the drive shaft 6 is driven to rotate by a drive source 7.

【0017】上記回転体5の上方にはノズル体8が配置
され、このノズル体8からは上記回転体5に保持された
基板2に向けて薬液や純水などの洗浄液が噴射されるよ
うになっている。
A nozzle body 8 is arranged above the rotating body 5, and a cleaning liquid such as a chemical solution or pure water is sprayed from the nozzle body 8 toward the substrate 2 held by the rotating body 5. Has become.

【0018】したがって、上記ノズル体8から洗浄液を
噴射しながら基板2を回転体5とともに回転させれば、
上記基板2を洗浄処理することができ、洗浄後に洗浄液
を噴射させずに回転体5を高速回転させれば、上記基板
2を乾燥処理することができるようになっている。
Therefore, by rotating the substrate 2 together with the rotating body 5 while spraying the cleaning liquid from the nozzle body 8,
The substrate 2 can be subjected to a cleaning process. If the rotating body 5 is rotated at a high speed without spraying a cleaning liquid after the cleaning, the substrate 2 can be subjected to a drying process.

【0019】上記処理槽1の上部にはフィルタユニット
11が設けられている。このフィルタユニット11はク
リ−ンル−ムR内の清浄空気を処理槽1へ導入する送風
機部12と、この送風機部12によって上記処理槽1へ
導入される清浄空気をさらに浄化するためのフィルタ部
13とからなる。なお、クリ−ンル−ムRには清浄空気
が図示しない浄化装置を通じて供給されるが、クリ−ン
ル−ムR内の圧力は清浄空気の供給量の変化などによっ
て変動することがある。
A filter unit 11 is provided above the processing tank 1. The filter unit 11 includes a blower unit 12 for introducing clean air in the clean room R into the processing tank 1 and a filter unit for further purifying the clean air introduced into the processing tank 1 by the blower unit 12. 13 Although clean air is supplied to the clean room R through a purifying device (not shown), the pressure in the clean room R may fluctuate due to a change in the amount of clean air supplied.

【0020】上記カップ体4の底部には、このカップ体
4内で生じるパ−ティクルやミストなどを含む雰囲気を
処理槽1の外部に排気する排気管14が接続されてい
る。この排気管14はクリ−ンル−ムRに設置された複
数の処理装置の排気を一括して行う図示しない排気ポン
プに接続されている。
An exhaust pipe 14 for exhausting an atmosphere containing particles, mist, and the like generated in the cup body 4 to the outside of the processing tank 1 is connected to the bottom of the cup body 4. The exhaust pipe 14 is connected to an exhaust pump (not shown) that collectively exhausts a plurality of processing apparatuses installed in the clean room R.

【0021】したがって、複数の処理装置が全て稼働し
ているときと、そうでないときとでは排気圧が多少変動
することが避けられない。つまり、カップ体4内の圧力
が変動することがある。
Therefore, it is inevitable that the exhaust pressure fluctuates somewhat when all of the plurality of processing apparatuses are operating and when they are not. That is, the pressure in the cup body 4 may fluctuate.

【0022】上記処理槽1には、この処理槽1とクリ−
ル−ムRとの圧力差を検出して電気信号に変換して出力
する差圧検出器16が接続されている。この差圧検出器
16からの検出信号Sは制御装置17に入力される。こ
の制御装置17は検出信号Sの大きさに応じて駆動信号
Dを駆動部18に出力し、それによって、この駆動部1
8は上記フィルタユニット11の送風機部12の出力、
たとえば回転数などを制御するようになっている。
The processing tank 1 and the cleaning tank 1
A differential pressure detector 16 that detects a pressure difference from the room R, converts the pressure difference into an electric signal, and outputs the electric signal is connected. The detection signal S from the differential pressure detector 16 is input to the control device 17. The control device 17 outputs a drive signal D to the drive unit 18 in accordance with the magnitude of the detection signal S, and thereby the drive unit 1
8 is an output of the blower unit 12 of the filter unit 11;
For example, the number of rotations is controlled.

【0023】つまり、上記差圧検出器16が検出する差
圧がほぼ0に近い場合、たとえば0〜-0.5mmAqの設定範
囲内の場合には、その差圧が維持されるよう上記送風機
部12の出力を変えることはないが、差圧が設定範囲か
ら外れた場合には、上記送風機部12による処理槽1へ
の清浄空気の供給量を増減制御し、処理槽1内の圧力を
設定範囲内に維持するようになっている。
That is, when the differential pressure detected by the differential pressure detector 16 is almost zero, for example, when the differential pressure is within a set range of 0 to -0.5 mmAq, the blower unit 12 is controlled to maintain the differential pressure. Is not changed, but when the differential pressure is out of the set range, the supply amount of the clean air to the processing tank 1 by the blower unit 12 is controlled to increase or decrease, and the pressure in the processing tank 1 is set to the set range. Is to be maintained within.

【0024】たとえば、洗浄槽1内の圧力が外部の圧力
よりも高い場合には、上記送風機部12の回転数が下げ
て送風量を減少させ、逆に低い場合には送風機部12の
回転数が上げられて送風量を増大させる。
For example, when the pressure in the washing tank 1 is higher than the external pressure, the number of rotations of the blower section 12 is reduced to reduce the amount of blown air. Is raised to increase the air flow.

【0025】つぎに、上記構成の処理装置によって基板
2を処理する場合について説明する。未処理の基板2を
スピン装置3の回転体5に供給したならば、この回転体
5を低速回転するとともに、ノズル体8から処理液を上
記基板2に向けて噴射する。それによって、基板2は処
理液によってたとえば洗浄処理されることになる。
Next, a case where the substrate 2 is processed by the processing apparatus having the above configuration will be described. When the unprocessed substrate 2 is supplied to the rotating body 5 of the spin device 3, the rotating body 5 is rotated at a low speed, and the processing liquid is jetted from the nozzle body 8 toward the substrate 2. Thereby, the substrate 2 is subjected to, for example, a cleaning process by the processing liquid.

【0026】処理液による洗浄処理が終了したならば、
上記ノズル体8(または別のノズル体)から基板2に向
けて純水を供給し、基板2をリンス処理する。ついで、
基板2を高速回転させることで、その遠心力によって基
板2を乾燥処理する。
When the cleaning process with the processing solution is completed,
Pure water is supplied from the nozzle body 8 (or another nozzle body) to the substrate 2 and the substrate 2 is rinsed. Then
By rotating the substrate 2 at a high speed, the substrate 2 is dried by the centrifugal force.

【0027】このような一連の処理作業に際し、クリ−
ンル−ムRと処理槽1内部との差圧が差圧検出器16に
よって検出される。この差圧検出器16による差圧の検
出範囲が0〜-0.5mmAqの範囲内であれば、フィルタユニ
ット11の送風機部12はその状態での運転が継続され
る。
In such a series of processing operations, a clear
A differential pressure between the room R and the inside of the processing tank 1 is detected by a differential pressure detector 16. If the detection range of the differential pressure by the differential pressure detector 16 is within the range of 0 to -0.5 mmAq, the operation of the blower unit 12 of the filter unit 11 in that state is continued.

【0028】しかしながら、クリ−ンル−ムRと処理槽
1の内部との差圧が設定された範囲から外れると、上記
送風機部12の運転が駆動部18により制御され、差圧
が設定範囲内に維持されることになる。
However, when the pressure difference between the clean room R and the inside of the processing tank 1 is out of the set range, the operation of the blower unit 12 is controlled by the drive unit 18 so that the pressure difference falls within the set range. Will be maintained.

【0029】差圧の変動要因としては、クリ−ンル−ム
Rの圧力変動、スピン装置3に接続された排気管14に
よる排気圧の変動、処理形態に応じた回転体5の回転数
の変化による内部圧力の変動などが考えられる。
The fluctuation factors of the differential pressure include pressure fluctuation of the clean room R, fluctuation of the exhaust pressure by the exhaust pipe 14 connected to the spinning device 3, and change of the rotation speed of the rotating body 5 according to the processing mode. This may cause fluctuations in the internal pressure.

【0030】そして、処理槽1内の圧力がクリ−ンル−
ムRの圧力よりも高くなると、処理槽1内の雰囲気がク
リ−ンル−ムの漏れ出る虞があり、とくに基板2を薬液
処理する場合には作業者に悪影響を与えることになった
り、パ−ティクルやミストを含むカップ体4内の気体の
排出が円滑に行われなくなり、基板2を汚染することが
ある。
Then, the pressure in the processing tank 1 becomes clean.
If the pressure is higher than the pressure of the chamber R, the atmosphere in the processing tank 1 may leak from the clean room. -The gas in the cup body 4 including the tickle and the mist may not be discharged smoothly, and the substrate 2 may be contaminated.

【0031】処理槽1内の圧力がクリ−ンル−ムRの圧
力よりも低くなると、クリ−ンル−ムR内の外気が処理
槽1内に侵入する虞がある。クリ−ンル−ムR内の気体
は浄化されているものの、フィルタユニット11で浄化
されて処理槽1に供給される空気に比べると清浄度が低
いため、その場合も基板2を汚染する虞がある。
If the pressure in the processing tank 1 becomes lower than the pressure of the clean room R, the outside air in the clean room R may enter the processing tank 1. Although the gas in the clean room R is purified, the cleanliness is lower than that of the air that is purified by the filter unit 11 and supplied to the processing tank 1. Therefore, in this case, the substrate 2 may be contaminated. is there.

【0032】しかしながら、この発明においては、上述
したように、クリ−ンル−ムRと処理槽1の内部との差
圧が差圧検出器16によって検出され、その検出結果に
基づいて処理槽1の内部圧力は所定の範囲内になるよう
送風機部12の回転数が変えられて処理槽1への送風量
が制御されるから、洗浄槽1内の雰囲気が外部に漏れ出
たり、外気が洗浄槽1内に侵入するなどのことが防止さ
れ、基板2の処理を安全かつ確実に行うことができる。
However, in the present invention, as described above, the differential pressure between the clean room R and the inside of the processing tank 1 is detected by the differential pressure detector 16, and the processing tank 1 is detected based on the detection result. Since the internal pressure of the blower unit 12 is changed so that the internal pressure is within a predetermined range and the amount of air blown to the processing tank 1 is controlled, the atmosphere in the cleaning tank 1 leaks to the outside or the outside air is washed. Intrusion into the tank 1 and the like are prevented, and the processing of the substrate 2 can be performed safely and reliably.

【0033】なお、この発明は上記一実施の形態に限定
されるものでなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々
変更可能である。たとえば処理槽への清浄空気の供給量
の制御は送風機部の回転数を変える手段に変えて送風機
部とフィルタユニットとの間にダンパを設け、このダン
パの開度を制御することで行うようにしてもよい。
The present invention is not limited to the above-described embodiment, but can be variously modified without departing from the gist of the invention. For example, the amount of clean air supplied to the processing tank is controlled by changing the number of rotations of the blower unit to a damper between the blower unit and the filter unit, and controlling the opening of the damper. You may.

【0034】[0034]

【発明の効果】以上述べたように請求項1と請求項2の
発明によれば、処理槽の内部と外部との圧力差を検出
し、その検出結果に基いて処理槽への清浄空気の供給量
を制御するようにした。
As described above, according to the first and second aspects of the present invention, the pressure difference between the inside and the outside of the processing tank is detected, and based on the detection result, the clean air is supplied to the processing tank. The supply amount was controlled.

【0035】そのため、基板を処理槽で処理するに際
し、処理槽の内部と外部との圧力差を所定の範囲内に維
持することができるから、処理槽内に外気が流入して基
板が汚染されたり、処理槽内の雰囲気が外部に漏れ出る
などのことを確実に防止することができる。
Therefore, when the substrate is processed in the processing bath, the pressure difference between the inside and the outside of the processing bath can be maintained within a predetermined range, so that the outside air flows into the processing bath and the substrate is contaminated. Also, it is possible to reliably prevent the atmosphere in the processing tank from leaking to the outside.

【0036】とくに、請求項2の発明によれば、処理槽
の内部と外部との圧力差がほぼ0になるよう制御される
ため、処理槽への外気の流入や内部雰囲気が外部へ漏れ
出るのを確実に防止することができる。
In particular, according to the invention of claim 2, since the pressure difference between the inside and the outside of the processing tank is controlled to be substantially zero, the inflow of outside air into the processing tank and the internal atmosphere leak to the outside. Can be reliably prevented.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】この発明の第1の実施形態を示す全体の構成
図。
FIG. 1 is an overall configuration diagram showing a first embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1…処理槽 2…基板 3…スピン装置 11…フィルタユニット 12…送風機部 14…排気管 16…差圧検出器 17…制御装置 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 ... Processing tank 2 ... Substrate 3 ... Spin device 11 ... Filter unit 12 ... Blower part 14 ... Exhaust pipe 16 ... Differential pressure detector 17 ... Control device

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を回転させて処理する処理装置にお
いて、 上記基板を保持して回転駆動するためのスピン装置と、 このスピン装置が収容された処理槽と、 この処理槽に設けられ処理槽内に清浄空気を供給するフ
ィルタユニットと、 上記処理槽内の空気を排出する排気手段と、 上記処理槽の内部と外部との圧力差を検出する検出手段
と、 この検出手段の検出結果に基いて上記フィルタユニット
による上記処理槽への清浄空気の供給量を制御する制御
手段とを具備したことを特徴とする基板の処理装置。
1. A processing apparatus for processing a substrate by rotating the substrate, a spin device for holding and rotating the substrate, a processing tank accommodating the spin device, and a processing tank provided in the processing tank. A filter unit that supplies clean air into the processing tank, an exhaust unit that discharges air in the processing tank, a detecting unit that detects a pressure difference between the inside and the outside of the processing tank, And a control means for controlling a supply amount of clean air to the processing tank by the filter unit.
【請求項2】 上記制御手段は、上記処理槽の内部と外
部との圧力差がほぼ0になるよう上記フィルタユニット
による清浄空気の供給量を制御することを特徴とする請
求項1記載の基板の処理装置。
2. The substrate according to claim 1, wherein the control means controls a supply amount of clean air by the filter unit such that a pressure difference between the inside and the outside of the processing tank becomes substantially zero. Processing equipment.
JP26689297A 1997-09-30 1997-09-30 Treatment equipment of substrate Pending JPH11111664A (en)

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JP26689297A JPH11111664A (en) 1997-09-30 1997-09-30 Treatment equipment of substrate

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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20160008985A (en) 2014-07-15 2016-01-25 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 Substrate processing apparatus and substrate processing method
WO2017138056A1 (en) * 2016-02-09 2017-08-17 信越半導体株式会社 Single wafer cleaning device and wafer cleaning method

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