JP2002353186A - Liquid chemical recycling system for sheet substrate- cleaning device and sheet substrate-cleaning device - Google Patents

Liquid chemical recycling system for sheet substrate- cleaning device and sheet substrate-cleaning device

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JP2002353186A
JP2002353186A JP2001161946A JP2001161946A JP2002353186A JP 2002353186 A JP2002353186 A JP 2002353186A JP 2001161946 A JP2001161946 A JP 2001161946A JP 2001161946 A JP2001161946 A JP 2001161946A JP 2002353186 A JP2002353186 A JP 2002353186A
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JP
Japan
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chemical
cleaning
substrate
chemical liquid
unit
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Application number
JP2001161946A
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Japanese (ja)
Inventor
Yuji Ono
裕司 小野
Ryoichi Okura
領一 大蔵
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SES Co Ltd
Original Assignee
SES Co Ltd
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Publication date
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Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a liquid chemical recycling technique, capable of efficiently recycling a liquid chemical in relation with a cleaning process cycle in sheet wet cleaning. SOLUTION: A liquid chemical supply and recovery part 30 is provided with two storage tanks 35 and 36 storing the liquid chemical and a liquid chemical circulation part 37 circulating the liquid chemical of the storage tanks 35 and 36, through a density correction part 31 and performing purification. While the liquid chemical of one storage tank 35 or 36 is supplied to a cleaning chamber 3 and used and cleaning is executed, the liquid chemical of the other storage tank 36 or 35 is circulated in the liquid chemical circulation part 37, purified and density-corrected.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】この発明は枚葉式基板洗浄装
置の薬液リサイクルシステムおよび枚葉式基板洗浄装置
に関し、さらに詳細には、半導体ウエハ等の基板を一枚
ずつ薬液によりウェット洗浄処理するための枚葉式ウェ
ット洗浄装置において、使用済みの薬液を回収して再利
用するための薬液リサイクル技術に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a chemical liquid recycling system for a single-wafer type substrate cleaning apparatus and a single-wafer type substrate cleaning apparatus, and more particularly, to wet cleaning of substrates such as semiconductor wafers one by one with a chemical liquid. The present invention relates to a chemical liquid recycling technique for collecting and reusing used chemical liquids in a single wafer type wet cleaning apparatus.

【0002】[0002]

【従来の技術】半導体ウエハ等の基板(以下単にウエハ
と称する)をウェット洗浄する方法としては、従来、複
数の洗浄槽が連続して配列されてなるウェットベンチタ
イプの洗浄槽に対して、キャリアカセットに収納した複
数枚のウエハを、またはキャリアカセットを省略して直
接複数枚のウエハを搬送装置により順次浸漬して処理す
るいわゆるバッチ式ウェット洗浄が主流であったが、半
導体装置もサブミクロン時代を迎え、このような装置構
造の微細化、高集積化に伴って、ウエハの表面にも非常
に高い清浄度が要求されている昨今、より高い清浄度の
要求を満足するウェット洗浄技術として、密閉された洗
浄ハウジング内でウエハを一枚ずつカセットレスでウェ
ット洗浄するいわゆる枚葉式ウェット洗浄が開発提案さ
れるに至った。
2. Description of the Related Art Conventionally, as a method of wet cleaning a substrate such as a semiconductor wafer (hereinafter simply referred to as a wafer), a carrier is conventionally used for a wet bench type cleaning tank in which a plurality of cleaning tanks are continuously arranged. So-called batch type wet cleaning, in which a plurality of wafers stored in a cassette or a plurality of wafers are directly immersed by a transfer device without a carrier cassette and processed, was the mainstream, but semiconductor devices were also in the submicron era. With the recent miniaturization and high integration of such device structures, very high cleanliness is also required on the wafer surface.In recent years, as a wet cleaning technology that satisfies the demand for higher cleanliness, A so-called single wafer wet cleaning in which wafers are wet-cleaned one by one in a sealed cleaning housing without a cassette has been developed.

【0003】この枚葉式ウェット洗浄にあっては、パー
ティクルの再付着等もなく高い清浄度雰囲気での洗浄を
高精度に行なうことができ、しかも装置構成が単純かつ
コンパクトで多品種少量生産にも有効に対応できるとい
う利点がある。
[0003] In this single wafer type wet cleaning, cleaning in a high cleanness atmosphere can be performed with high precision without reattachment of particles, etc. In addition, the apparatus configuration is simple and compact, and it is possible to produce many kinds of small quantities. Also has the advantage of being able to respond effectively.

【0004】[0004]

【発明が解決しようとする課題】ところで、この枚葉式
ウェット洗浄においては、ウエハの表面に対する各種の
薬液による洗浄処理が予め定められた順序で行われると
ころ、上述したようにパーティクルの再付着等を防止し
て、高精度な洗浄を実行するため、使用済みの薬液はそ
のまま廃液処理されるのが一般的であった。
In the single-wafer wet cleaning, the surface of the wafer is cleaned with various chemicals in a predetermined order. In general, used chemical liquids are generally directly subjected to waste liquid treatment in order to prevent the occurrence of the cleaning and to perform high-precision cleaning.

【0005】一方、近時は省資源化等の要請から、一回
の洗浄工程における薬液の使用量が多いバッチ式ウェッ
ト洗浄と同様、使用済みの薬液をそのまま廃液処理する
ことなく回収して、この薬液を清浄化するとともに濃度
補正してから再利用するための薬液リサイクル技術も種
々開発提案されているが、いずれのリサイクル技術にお
いてもさらなる改良の余地があった。
On the other hand, recently, due to demands for resource saving and the like, as in the case of batch-type wet cleaning in which a large amount of chemical liquid is used in one cleaning step, used chemical liquid is collected as it is without waste liquid treatment. Various chemical liquid recycling technologies for purifying the chemical liquid, correcting the concentration, and then reusing the same have been proposed and developed. However, there is room for further improvement in any of the recycling techniques.

【0006】本発明は、かかる従来の問題点に鑑みてな
されたものであって、その目的とするところは、枚葉式
ウェット洗浄において、洗浄工程サイクルとの関係で効
率的な薬液の再利用を実現し得る薬液リサイクル技術を
提供することにある。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made in view of the above-mentioned conventional problems, and an object of the present invention is to efficiently reuse a chemical solution in a single wafer wet cleaning in relation to a cleaning process cycle. It is an object of the present invention to provide a chemical solution recycling technology that can realize the above.

【0007】[0007]

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の薬液リサイクルシステムは、ウエハを一枚
ずつ薬液によりウェット洗浄処理する枚葉式基板洗浄装
置において、使用済みの薬液を回収して再利用する薬液
リサイクルシステムであって、上記枚葉式洗浄装置の洗
浄チャンバに対して洗浄薬液を供給回収する薬液供給回
収部と、この薬液供給回収部の薬液の濃度を補正する濃
度補正部とを備えてなり、上記薬液供給回収部は、薬液
を貯蔵する複数の貯蔵タンクと、これら貯蔵タンクの薬
液を上記濃度補正部を介して循環させて清浄化処理する
薬液循環部とを備え、上記複数の貯蔵タンクが上記薬液
循環部に選択的に接続可能とされていることを特徴とす
る。
In order to achieve the above object, a chemical liquid recycling system according to the present invention collects used chemical liquid in a single-wafer substrate cleaning apparatus that performs wet cleaning of wafers one by one with a chemical liquid. A chemical solution recycling system for supplying and recovering a cleaning chemical solution to and from the cleaning chamber of the single-wafer cleaning apparatus, and a concentration correction unit for correcting the concentration of the chemical solution in the chemical solution supply / collection unit. The chemical solution supply and recovery unit includes a plurality of storage tanks for storing the chemical solution, and a chemical solution circulating unit for circulating the chemical solution in these storage tanks through the concentration correction unit and performing a cleaning process, The plurality of storage tanks can be selectively connected to the chemical circulation section.

【0008】好適な実施態様として、上記複数の貯蔵タ
ンクのいずれかの薬液が上記洗浄チャンバに供給使用さ
れている間に、他の残りの貯蔵タンクの薬液が上記薬液
循環部で循環されて、清浄化されるとともに濃度補正さ
れるように構成されている。
In a preferred embodiment, while any one of the plurality of storage tanks is being supplied to the cleaning chamber and used, the other remaining storage tanks are circulated in the chemical circulation section. It is configured so as to be cleaned and density corrected.

【0009】また、上記薬液供給回収部は同一構造を有
する2台の貯蔵タンクを備える場合、この貯蔵タンク
は、少なくとも上記洗浄チャンバにおける一回の洗浄処
理工程に必要な薬液量よりも多い薬液を貯蔵し得る貯蔵
容量を有するのが望ましい。
When the chemical supply / recovery section includes two storage tanks having the same structure, the storage tank stores a chemical liquid larger than at least a chemical amount required for one cleaning process in the cleaning chamber. It is desirable to have a storage capacity that can be stored.

【0010】また、本発明の枚葉式基板洗浄装置は、密
閉された洗浄ハウジング内において、ウエハを一枚ずつ
カセットレスでウェット洗浄する枚葉式基板洗浄装置で
あって、上記洗浄ハウジング内に、一枚のウエハを水平
状態で支持回転する基板回転手段と、上記基板回転手段
の外周部に、基板回転手段に回転支持されるウエハの洗
浄処理用空間を形成する洗浄チャンバと、上記基板回転
手段に回転支持されるウエハの表裏面に洗浄液を供給す
る薬液供給手段とを備えてなり、上記薬液供給手段は、
上記薬液リサイクルシステムを備えていることを特徴と
する。
A single-wafer substrate cleaning apparatus according to the present invention is a single-wafer substrate cleaning apparatus for performing wet cleaning of wafers one by one in a sealed cleaning housing without using a cassette. A substrate rotating means for supporting and rotating one wafer in a horizontal state, a cleaning chamber for forming a cleaning processing space for a wafer rotatably supported by the substrate rotating means on an outer peripheral portion of the substrate rotating means; Chemical supply means for supplying a cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer rotatably supported by the means, the chemical supply means,
It is characterized by comprising the above-mentioned chemical liquid recycling system.

【0011】好適な実施態様として、上記洗浄チャンバ
は、上記基板回転手段に対して上下方向へ相対的に昇降
動作可能とされるとともに、この洗浄チャンバの内周部
に、上記洗浄処理用空間を形成する環状洗浄槽が、上記
基板回転手段に支持されたウエハを取り囲むように同心
状に、かつ上下方向へ複数段に配列されてなり、洗浄処
理工程に応じて、これら環状洗浄槽のいずれか一つが、
上記洗浄チャンバの上下方向への昇降動作により、上記
基板回転手段に支持されたウエハに対応した位置に移動
して位置決めされるように構成され、上記薬液供給手段
は、上記環状洗浄槽にそれぞれ接続された複数の上記薬
液リサイクルシステムを備える。
In a preferred embodiment, the cleaning chamber is vertically movable relative to the substrate rotating means, and the cleaning processing space is provided in an inner peripheral portion of the cleaning chamber. The annular cleaning tank to be formed is concentrically arranged so as to surround the wafer supported by the substrate rotating means, and is arranged in a plurality of stages in the up and down direction. One is
The cleaning chamber is configured to be moved to a position corresponding to the wafer supported by the substrate rotating means and positioned by the vertical movement of the cleaning chamber, and the chemical liquid supply means is connected to the annular cleaning tank, respectively. A plurality of the above-mentioned chemical liquid recycling systems.

【0012】本発明の枚葉式基板洗浄においては、密閉
された洗浄ハウジング内において、ウエハの表裏面に対
する薬液による洗浄工程が行われるところ、リサイクル
される使用済みの薬液は、薬液供給回収部へ回収されて
清浄化されるとともに、濃度補正部により濃度補正され
て再利用される。
In the single-wafer substrate cleaning of the present invention, a cleaning step is performed on the front and back surfaces of the wafer in a sealed cleaning housing with a chemical solution, and the used chemical solution to be recycled is sent to a chemical solution supply / recovery section. While being collected and cleaned, the density is corrected by the density correction unit and reused.

【0013】この場合、上記薬液供給回収部は、薬液を
貯蔵する複数の貯蔵タンクと、これら貯蔵タンクの薬液
を上記濃度補正部を介して循環させて清浄化処理する薬
液循環部とを備え、上記複数の貯蔵タンクが上記薬液循
環部に選択的に接続可能とされている。
In this case, the chemical supply / recovery section includes a plurality of storage tanks for storing the chemicals, and a chemical circulating section for circulating the chemicals in the storage tanks through the concentration correction section and performing a cleaning process. The plurality of storage tanks can be selectively connected to the chemical liquid circulation unit.

【0014】したがって、いずれかの貯蔵タンクの薬液
が上記洗浄チャンバに供給使用されて洗浄工程を実行し
ている間に、他の残りの貯蔵タンクの薬液が前記薬液循
環部で循環されて、清浄化されるとともに濃度補正され
ることが可能であり、洗浄工程サイクルを中断すること
なく、効率的な薬液の再利用処理が可能となる。
Therefore, while the chemical in one of the storage tanks is supplied to and used in the cleaning chamber to execute the cleaning process, the chemical in the other storage tank is circulated in the chemical circulating section to clean the tank. In addition, the concentration can be corrected and the chemical solution can be efficiently reused without interrupting the cleaning process cycle.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて詳細に説明する。
Embodiments of the present invention will be described below in detail with reference to the drawings.

【0016】本発明に係る薬液リサイクルシステムを備
えた枚葉式基板洗浄装置が図1および図2に示されてい
る。
FIGS. 1 and 2 show a single wafer type substrate cleaning apparatus provided with a chemical solution recycling system according to the present invention.

【0017】この基板洗浄装置は、具体的には、密閉可
能な洗浄ハウジング1内において、ウエハWを一枚ずつ
カセットレスでウェット洗浄する構成とされ、一枚のウ
エハWを水平状態で支持回転する基板回転装置(基板回
転手段)2と、相対的な上下方向移動が可能な洗浄チャ
ンバ3と、洗浄液を供給する薬液供給装置(薬液供給手
段)4と、酸化防止用の不活性気体を供給する不活性気
体供給装置(不活性気体供給手段)5と、これらの駆動
部を相互に連動して制御する制御装置6とを主要部とし
て備える。また、上記薬液供給装置4は、薬液リサイク
ルシステムRSを主要部として構成されており、この基
板洗浄装置で使用される薬液の再利用を可能としてい
る。
Specifically, the substrate cleaning apparatus is configured to perform wet cleaning of wafers W one by one in a hermetically sealable cleaning housing 1 without using a cassette, and to support and rotate one wafer W in a horizontal state. Substrate rotating device (substrate rotating means) 2, a cleaning chamber 3 capable of relative vertical movement, a chemical liquid supply device (chemical liquid supplying device) 4 for supplying a cleaning liquid, and an inert gas for preventing oxidation. An inert gas supply device (inert gas supply means) 5 and a control device 6 that controls these driving units in conjunction with each other are provided as main components. In addition, the chemical liquid supply device 4 is mainly configured with a chemical liquid recycling system RS, and enables the chemical liquid used in the substrate cleaning device to be reused.

【0018】洗浄ハウジング1は、上部が密閉可能な洗
浄処理用の空間とされるとともに、下部が上部空間内に
配されて各種装置駆動部の設置部とされている。洗浄ハ
ウジング1の上部空間には、具体的には図示しないが、
開閉可能な基板搬入出口が設けられており、この基板搬
入出口は、その閉塞時においてこの部位の気密・水密性
が確保される構造とされている。
The upper portion of the cleaning housing 1 is a sealable space for the cleaning process, and the lower portion is disposed in the upper space so as to be an installation portion for driving various devices. Although not specifically shown in the upper space of the cleaning housing 1,
An openable and closable substrate loading / unloading port is provided, and the substrate loading / unloading port has a structure in which airtightness and watertightness of this portion are secured when the substrate is loaded and closed.

【0019】基板回転装置2は、一枚のウエハWをスピ
ン洗浄時およびスピン乾燥時において水平状態に支持し
ながら水平回転させるもので、回転軸10の先端部分に
基板支持部11が水平状態で取付け支持されるととも
に、この回転軸10を回転駆動する駆動モータ12を備
えてなる。
The substrate rotating device 2 rotates a single wafer W horizontally while supporting the wafer W horizontally during spin cleaning and spin drying. A drive motor 12 that is mounted and supported and that rotates the rotating shaft 10 is provided.

【0020】基板支持部11および回転軸10は、軸受
支持筒体13を介して、洗浄ハウジング1の中央部に垂
直起立状態で回転可能に配置されており、基板支持部1
1に一枚のウエハWを水平状態に支持する構成とされて
いる。
The substrate support portion 11 and the rotating shaft 10 are rotatably arranged in a vertically upright state at the center of the cleaning housing 1 via a bearing support cylinder 13.
One is configured to support one wafer W in a horizontal state.

【0021】具体的には、基板支持部11は、回転軸1
0に水平状に固定された円板11a上に、ウエハWの周
縁部を載置支持する複数の支持アーム14,14,…を
備えてなる。
Specifically, the substrate support 11 is provided with the rotating shaft 1
A plurality of support arms 14, 14,... For mounting and supporting the peripheral portion of the wafer W are provided on a disk 11a fixed horizontally to zero.

【0022】これら支持アーム14,14,…は、水平
な状態で放射状に配置されるとともに、その先端部がウ
エハWの周縁部を支持する爪部14aとされている。こ
れら支持アーム14,14,…の爪部14a,14a,
…は、互いに同一高さになるように設定されており、こ
れにより、ウエハWの周縁部を水平状態で支持する。
These support arms 14, 14,... Are arranged radially in a horizontal state, and the front ends thereof are claw portions 14a for supporting the peripheral portion of the wafer W. The claw portions 14a, 14a of these support arms 14, 14,.
Are set to be at the same height as each other, thereby supporting the peripheral portion of the wafer W in a horizontal state.

【0023】また、爪部14aの支持面は、具体的には
図示しないが、ウエハWの周縁部の輪郭形状に対応した
断面形状を有しており、これにより、ウエハWの矩形断
面の周縁部に対して、その周縁角部を点接触状態または
線接触状態で当接支持するように形成されている。
Although not specifically shown, the support surface of the claw portion 14a has a cross-sectional shape corresponding to the contour shape of the peripheral portion of the wafer W. The portion is formed so as to abut and support the peripheral edge portion in a point contact state or a line contact state.

【0024】また、回転軸10は、軸受支持筒体13を
介して起立状に回転支持されるとともに、その下端部が
駆動モータ12にベルト駆動可能に接続されており、こ
の駆動モータ12の駆動により回転駆動されて、上記基
板支持部11が所定の回転数をもって回転される構成と
されている。回転軸10の回転速度は、例えば、スピン
洗浄処理時においては40〜50r.p.m.の低速に設定さ
れるとともに、スピン乾燥時においては約3000r.p.
m.の高速に設定されている。
The rotating shaft 10 is rotatably supported in an upright manner via a bearing support cylinder 13 and has a lower end connected to a driving motor 12 so as to be able to drive the belt. , And the substrate supporting portion 11 is rotated at a predetermined number of rotations. The rotation speed of the rotating shaft 10 is set to, for example, a low speed of 40 to 50 rpm during the spin cleaning process, and about 3000 rpm during the spin drying.
m. is set to high speed.

【0025】洗浄チャンバ3はウエハWを洗浄処理する
部位で、その内径寸法が、後述するように、基板回転装
置2の基板支持部11との関係で設定されて、基板回転
装置2の外周部に、基板回転装置2に回転支持されるウ
エハWの洗浄処理用空間を形成する。
The cleaning chamber 3 is a portion for cleaning the wafer W. The inner diameter of the cleaning chamber 3 is set in relation to the substrate supporting portion 11 of the substrate rotating device 2 as described later. Next, a cleaning processing space for the wafer W that is rotatably supported by the substrate rotation device 2 is formed.

【0026】洗浄チャンバ3は、具体的には、その内周
部に、上下方向に配列された複数段の円環状処理槽15
〜18を備えるとともに、上記基板回転装置2に対して
上下方向へ昇降動作可能な構成とされている。
Specifically, the cleaning chamber 3 has a plurality of annular processing tanks 15 arranged vertically in the inner peripheral portion thereof.
18 and a structure capable of moving up and down in the vertical direction with respect to the substrate rotating device 2.

【0027】図示の実施形態においては、上記円環状処
理槽15〜18が、基板回転装置2の基板支持部11に
支持されたウエハWを取り囲むように同心状に、かつ上
下方向へ4段に配列されてなる。
In the illustrated embodiment, the annular processing tanks 15 to 18 are concentrically arranged so as to surround the wafer W supported by the substrate supporting portion 11 of the substrate rotating device 2 and are vertically arranged in four stages. They are arranged.

【0028】これら円環状処理槽15〜18の内径縁
は、上記基板回転装置2の基板支持部11の外径縁と非
接触で、かつこれら両縁の間に形成される環状隙間が、
洗浄液等の下側への漏れを阻止する程度の微小間隔とな
るように設定されている。
The inner peripheral edge of each of the annular processing tanks 15 to 18 is in non-contact with the outer peripheral edge of the substrate support portion 11 of the substrate rotating device 2, and an annular gap formed between both edges is formed.
The interval is set so as to be small enough to prevent leakage of the cleaning liquid or the like to the lower side.

【0029】また、洗浄チャンバ3は、図示しない昇降
ガイドを介して上下方向へ垂直に昇降可能に支持される
とともに、基板回転装置2の基板支持部11に対して所
定ストローク分ずつ昇降動作する昇降機構20を備えて
いる。
The cleaning chamber 3 is supported vertically vertically by a lift guide (not shown) so as to be vertically movable, and moves up and down by a predetermined stroke with respect to the substrate support portion 11 of the substrate rotating device 2. A mechanism 20 is provided.

【0030】この昇降機構20は、洗浄チャンバ3を支
える支持フレーム23を昇降動作させる図示しない送り
ねじ機構と、この送りねじ機構を回転駆動させる駆動モ
ータ22とからなる。
The elevating mechanism 20 includes a feed screw mechanism (not shown) for elevating and lowering the support frame 23 supporting the cleaning chamber 3, and a drive motor 22 for rotating the feed screw mechanism.

【0031】そして、洗浄処理工程に応じて、後述する
基板回転装置2の動作と連動する駆動モータ22の駆動
により、上記送りねじ機構を介して、洗浄チャンバ3
が、上下方向へ所定ストロークずつ昇降されて、洗浄処
理工程を行うべき円環状処理槽15〜18のいずれか一
つの処理槽が、上記基板回転装置2の基板支持部11に
支持されたウエハWに対して、その高さ方向位置を選択
的に位置決めされる。
Then, in accordance with the cleaning process, the cleaning chamber 3 is driven by the drive motor 22 in conjunction with the operation of the substrate rotating device 2 to be described later via the feed screw mechanism.
Is lifted up and down by a predetermined stroke in the vertical direction, and any one of the annular processing tanks 15 to 18 in which the cleaning process is to be performed is mounted on the wafer W supported by the substrate supporting unit 11 of the substrate rotating device 2. , The position in the height direction is selectively positioned.

【0032】また、4つの円環状処理槽15〜18に
は、各々に薬液回収路15a〜18aの開口が開閉可能
に臨んでいる。これら薬液回収路15a〜18aは、各
処理槽15〜18内の洗浄液を回収するもので、薬液回
収路21を介して薬液供給装置4の薬液リサイクルシス
テムRSもしくは図示しない排液路に直接連通されてお
り、後述するように、洗浄処理が行われる際のみ開口し
て、他の処理槽における洗浄処理が行われている場合に
は閉塞される構成とされている。
In the four annular processing tanks 15 to 18, the openings of the chemical solution recovery passages 15a to 18a openably open and close, respectively. These chemical liquid recovery paths 15a to 18a collect the cleaning liquid in the processing tanks 15 to 18, and are directly connected to the chemical liquid recycling system RS of the chemical liquid supply device 4 or a drain liquid path (not shown) via the chemical liquid recovery path 21. As will be described later, the opening is performed only when the cleaning process is performed, and is closed when the cleaning process is performed in another processing tank.

【0033】薬液供給装置4は、上記基板回転装置2に
回転支持されるウエハWの表裏面に洗浄液を供給するも
ので、洗浄ハウジング1内の上部に設けられた上側噴射
ノズル部25と、上記基板回転装置2の回転軸10の内
部に設けられた下側噴射ノズル部26と、これら両噴射
ノズル部25,26に使い捨て薬液を供給する使い捨て
薬液供給システムDSと、両噴射ノズル部25,26に
リサイクル薬液を供給する薬液リサイクルシステムRS
とを備えてなる。
The chemical liquid supply device 4 supplies a cleaning liquid to the front and back surfaces of the wafer W which is rotatably supported by the substrate rotating device 2. The chemical liquid supply device 4 includes an upper jet nozzle 25 provided at an upper portion in the cleaning housing 1, A lower ejection nozzle portion 26 provided inside the rotating shaft 10 of the substrate rotating device 2, a disposable chemical solution supply system DS for supplying a disposable chemical solution to both the ejection nozzle portions 25, 26, and both ejection nozzle portions 25, 26 Recycling System RS that supplies recycled chemicals to Japan
And

【0034】上側噴射ノズル部25は、基板回転装置2
の基板支持部11に支持されたウエハWの表面に上側か
ら洗浄液を噴射供給するもので、洗浄ハウジング1内の
上部に設けられている。この噴射ノズル部25は、洗浄
ハウジング1内の上部において、下向き状態で水平旋回
可能に設けられるとともに、図示しないスイング用の駆
動モータに駆動連結されている。
The upper injection nozzle 25 is provided with the substrate rotating device 2.
The cleaning liquid is jetted and supplied from above to the surface of the wafer W supported by the substrate support portion 11, and is provided at the upper portion in the cleaning housing 1. The injection nozzle portion 25 is provided at the upper part in the cleaning housing 1 so as to be horizontally turnable in a downward state, and is drivingly connected to a swing drive motor (not shown).

【0035】そして、噴射ノズル部25は、基板回転装
置2の基板支持部11に水平状態で回転支持されるウエ
ハWの表面に対して、その外周から中心にわたって水平
旋回しながら、あるいは水平旋回して静止後に洗浄液を
噴射供給するように構成されている。
Then, the spray nozzle portion 25 horizontally or horizontally rotates from the outer periphery to the center with respect to the surface of the wafer W which is rotatably supported by the substrate supporting portion 11 of the substrate rotating device 2 in a horizontal state. Then, after stopping, the cleaning liquid is injected and supplied.

【0036】図示の実施形態においては、上側噴射ノズ
ル部25には、供給すべき洗浄液の種類に対応した数の
ノズル口が設けられ、具体的には、3つのノズル口が設
けられている(図示省略)。これらノズル口は、それぞ
れ図2に示すような薬液供給路27を介して、薬液供給
装置4のAPM液供給源(薬液リサイクルシステムR
S)、純水供給源、DHF液供給源(使い捨て薬液供給
システムDS)および不活性期待供給装置5にそれぞれ
連通されて、APM液,純水、DHF液用の供給口とし
てそれぞれ機能する。
In the illustrated embodiment, the upper spray nozzle section 25 is provided with a number of nozzle ports corresponding to the type of the cleaning liquid to be supplied, and specifically, three nozzle ports are provided ( Not shown). These nozzle ports are respectively connected to an APM liquid supply source (chemical liquid recycling system R) of the chemical liquid supply device 4 through a chemical liquid supply path 27 as shown in FIG.
S), the pure water supply source, the DHF liquid supply source (disposable chemical liquid supply system DS), and the inert expected supply device 5 respectively function as supply ports for the APM liquid, the pure water, and the DHF liquid.

【0037】下側噴射ノズル部26は、上記ウエハWの
裏面に下側から洗浄液を噴射供給するもので、上記基板
回転装置2の回転軸10の内部に設けられている。下側
噴射ノズル部26は、4つのノズル口が設けられてお
り、これらノズル口が、上記薬液供給路27を介して、
APM液,純水、DHF液用の薬液リサイクルシステム
RS、RS,…および不活性気体供給装置5にそれぞれ
連通されて、APM液,純水、DHF液用、N2 用の供
給口として機能する。
The lower jet nozzle portion 26 is for jetting and supplying a cleaning liquid to the back surface of the wafer W from below, and is provided inside the rotating shaft 10 of the substrate rotating device 2. The lower injection nozzle portion 26 is provided with four nozzle ports, and these nozzle ports are connected through the chemical solution supply path 27,
Are connected to the chemical liquid recycling system RS, RS,... For the APM liquid, the pure water, the DHF liquid, and the inert gas supply device 5, and function as supply ports for the APM liquid, the pure water, the DHF liquid, and N 2 . .

【0038】薬液リサイクルシステムRSは、噴射ノズ
ル部25および26に洗浄用の薬液を供給する供給源
で、図示の実施形態においては、APM(NH4 OH+
2 2 +H2 O)液による洗浄を行うためのAPM液
リサイクルシステムRSを備えている。
The chemical liquid recycling system RS has an injection nozzle.
Supply source for supplying cleaning chemicals to the control units 25 and 26
In the illustrated embodiment, the APM (NHFourOH +
HTwoO Two+ HTwoO) APM liquid for cleaning with liquid
A recycling system RS is provided.

【0039】これに対応して、洗浄チャンバ3における
処理槽15〜18は、それぞれ、最下段の処理槽15が
APM液による洗浄工程用、その上の段の処理槽16が
DHF液による洗浄工程用、その上の段の処理槽17が
純水によるリンス用、および最上段の処理槽18がスピ
ン乾燥用とされている。
Correspondingly, the processing tanks 15 to 18 in the cleaning chamber 3 are such that the lowermost processing tank 15 is used for the cleaning step using the APM liquid, and the upper processing tank 16 is used for the cleaning step using the DHF liquid. The upper processing tank 17 is for rinsing with pure water, and the uppermost processing tank 18 is for spin drying.

【0040】薬液リサイクルシステムRSは、どの薬液
を使う場合も、そのRSの基本的構成は同様であり、例
えばAPM液リサイクルシステムRSの基本構成は図2
に示されるとおりである。
The basic structure of the chemical liquid recycling system RS is the same regardless of which chemical is used. For example, the basic structure of the APM liquid recycling system RS is shown in FIG.
As shown in FIG.

【0041】すなわち、APM液リサイクルシステムR
Sは、枚葉式洗浄装置の洗浄チャンバ3に対して薬液
(APM液)を供給回収する薬液供給回収部30と、こ
の薬液供給回収部30の薬液の濃度を補正する濃度補正
部31とを主要部として備えてなる。
That is, the APM liquid recycling system R
S includes a chemical solution supply / recovery unit 30 that supplies and recovers a chemical solution (APM solution) to and from the cleaning chamber 3 of the single-wafer cleaning apparatus, and a concentration correction unit 31 that corrects the concentration of the chemical solution in the chemical solution supply / recovery unit 30. Provided as the main part.

【0042】薬液供給回収部30は、薬液を貯蔵する複
数(図示の場合は2つ)の貯蔵タンク35,36と、こ
れら貯蔵タンク35,36の薬液を上記濃度補正部31
を介して循環させて清浄化処理する薬液循環部37とを
備える。
The chemical supply / recovery section 30 includes a plurality of (two in the illustrated case) storage tanks 35 and 36 for storing the chemicals, and the chemicals in the storage tanks 35 and 36 are supplied to the concentration correction section 31.
And a chemical solution circulating unit 37 for circulating and cleaning the solution.

【0043】上記2台の貯蔵タンク35、36は同一構
造とされ、各貯蔵タンク35,36の貯蔵容量は、少な
くとも上記洗浄チャンバ3の円環状処理槽15〜18に
おける一回の洗浄処理工程に必要な薬液量よりも多くな
るように設定されている。
The two storage tanks 35 and 36 have the same structure, and the storage capacity of each of the storage tanks 35 and 36 is at least one cleaning processing step in the annular processing tanks 15 to 18 of the cleaning chamber 3. It is set so as to be larger than the required amount of the chemical.

【0044】これら両貯蔵タンク35、36は、薬液供
給路27により、洗浄ハウジング1内の上側および下側
噴射ノズル部25、26のノズル口のいずれか一つ(こ
の場合はAPM液洗浄工程用のノズル口)に接続されて
おり、貯蔵タンク35、36内の薬液は、薬液供給路2
7に設けられた供給ポンプ40により、薬液フィルタ4
1を介して上側および下側噴射ノズル部25、26へ圧
送供給される。なお、上記薬液供給路27のほぼ全長に
わたってラインヒータ42が被覆状に配されており、薬
液供給路27を通る薬液を必要に応じて加熱昇温する構
成とされている。
The two storage tanks 35, 36 are connected to one of the nozzle openings of the upper and lower injection nozzles 25, 26 in the cleaning housing 1 (in this case, for the APM liquid cleaning step) by the chemical supply path 27. Of the storage tanks 35 and 36, and the chemicals in the storage tanks 35 and 36
The chemical pump 4 is provided by a supply pump 40 provided in
1 to the upper and lower injection nozzles 25 and 26. A line heater 42 is disposed in a covering shape over substantially the entire length of the chemical solution supply path 27, and is configured to heat and raise the temperature of the chemical solution passing through the chemical solution supply path 27 as necessary.

【0045】一方、両貯蔵タンク35,36は、薬液回
収路21により、上記円環状処理槽15〜18のいずれ
か一つ(この場合はAPM液洗浄工程用の最下段の処理
槽15)に接続されており、上側および下側噴射ノズル
部25、26からウエハWの表裏面へ噴射供給されて円
環状処理槽15へ回収された使用済みの薬液は、薬液回
収路21の薬液フィルタ43を介して、貯蔵タンク3
5,36に回収される。
On the other hand, the two storage tanks 35 and 36 are connected to one of the annular processing tanks 15 to 18 (in this case, the lowermost processing tank 15 for the APM liquid cleaning step) by the chemical liquid recovery path 21. The used chemical liquid which is connected and is supplied to the front and back surfaces of the wafer W from the upper and lower injection nozzles 25 and 26 and collected in the annular processing tank 15 is supplied to the chemical liquid filter 43 of the chemical liquid recovery path 21. Via the storage tank 3
Collected at 5,36.

【0046】なお、上記薬液回収路21における上記薬
液フィルタ42と貯蔵タンク35,36との間には、エ
ア弁からなる切替弁44,45がそれぞれ配されてお
り、これら切替弁44,45は、円環状処理槽15にお
ける洗浄処理が行われる際のみ開口して、他の処理槽に
おける洗浄処理が行われている場合には閉止するととも
に、また、一方の切替弁44または45が開口している
時は、他方の切替弁45または44が閉止する構成とさ
れている。
Switching valves 44 and 45, which are air valves, are disposed between the chemical liquid filter 42 and the storage tanks 35 and 36 in the chemical liquid collecting path 21, respectively. The opening is performed only when the cleaning processing is performed in the annular processing tank 15, and is closed when the cleaning processing is performed in the other processing tank, and one of the switching valves 44 or 45 is opened. When in operation, the other switching valve 45 or 44 is closed.

【0047】薬液循環部37は、上記両貯蔵タンク3
5,36から、濃度補正部31を介して再び貯蔵タンク
35,36へ帰還する薬液循環路50を備える。この薬
液循環路50は、上記両貯蔵タンク35,36とそれぞ
れエア弁からなる切替弁51a,51bおよび52a,
52bにより選択的に連通可能とされてなり、これら制
御弁の切替制御により、二つの循環系50Aと50Bを
選択的に形成する構成とされている。
The chemical circulating section 37 is provided with the two storage tanks 3.
There is provided a chemical circulation path 50 that returns to the storage tanks 35 and 36 again from the storage tanks 5 and 36 via the concentration correction unit 31. This chemical liquid circulation path 50 is provided with switching valves 51a, 51b and 52a, which are composed of the storage tanks 35 and 36 and air valves, respectively.
The circulating system 50A and the circulating system 50B are selectively formed by switching control of these control valves.

【0048】すなわち、一方の組の切替弁51a,51
bが開口するとともに、他方の組の切替弁52a,52
bが閉止することにより、貯蔵タンク35から、濃度補
正部31を介して再び貯蔵タンク35へ帰還する循環系
50Aが形成される。一方、これと逆に、他方の組の切
替弁52a,52bが開口するとともに、一方の組の切
替弁51a,51bが閉止することにより、貯蔵タンク
36から、濃度補正部31を介して再び貯蔵タンク36
へ帰還する循環系50Bが形成される。
That is, one set of switching valves 51a, 51
b is opened and the other set of switching valves 52a, 52
By closing b, a circulation system 50A is formed that returns from the storage tank 35 to the storage tank 35 again via the concentration correction unit 31. On the other hand, on the other hand, when the other set of switching valves 52a and 52b is opened and the one set of switching valves 51a and 51b is closed, the storage tank 36 is stored again via the density correction unit 31. Tank 36
A circulation system 50B that returns to is formed.

【0049】また、上記薬液循環路50には、薬液を循
環させる循環ポンプ55と、薬液中の不純物粒子をろ過
する薬液フィルタ57と、薬液の温度を調整する温度調
整器56が配されている。これら各機器は従来公知の一
般的な構造とされ、また薬液フィルタ57は上述した薬
液フィルタ41、43と同様な構造とされている。
In the chemical circulation path 50, a circulation pump 55 for circulating the chemical, a chemical filter 57 for filtering impurity particles in the chemical, and a temperature controller 56 for adjusting the temperature of the chemical are arranged. . Each of these devices has a conventionally known general structure, and the chemical liquid filter 57 has the same structure as the chemical liquid filters 41 and 43 described above.

【0050】濃度補正部31は、薬液循環部37の循環
路50を循環する薬液の濃度を測定する濃度センサ60
と、この濃度センサ60の測定値を予め設定された設定
値と比較して、濃度補正に必要な補正値を算出する補正
値演算部61と、この補正値演算部61の補正値に従っ
て循環路50の薬液に補正薬液を供給する補正薬液供給
部62とを備えてなる。
The concentration correcting section 31 is provided with a concentration sensor 60 for measuring the concentration of the chemical circulating in the circulation path 50 of the chemical circulating section 37.
A correction value calculating unit 61 for comparing the measured value of the density sensor 60 with a preset set value to calculate a correction value necessary for the density correction; and a circulation path according to the correction value of the correction value calculating unit 61. A correction chemical supply unit 62 for supplying a correction chemical to the 50 chemicals is provided.

【0051】また、補正薬液供給部62は、薬液(ここ
ではAPM液)の濃度補正用のアンモニア(NH4
H)、過酸化水素水(H2 2 )および純水(DIW)
の各供給源65a〜65cに対して、積算流量計66a
〜66cと、エア弁からなる切替弁67a〜67cとか
ら構成された補正量制御部68a〜68cがそれぞれ設
けられてなる。
The correction chemical supply section 62 is provided with ammonia (NH 4 O) for correcting the concentration of the chemical (APM liquid in this case).
H), aqueous hydrogen peroxide (H 2 O 2 ) and pure water (DIW)
For each of the supply sources 65a to 65c,
To 66c, and correction amount control units 68a to 68c including switching valves 67a to 67c formed of air valves.

【0052】そして、薬液循環路50を流れる薬液(A
PM液)は、濃度補正部31の濃度センサ60によりそ
の濃度が測定され、その測定値が上記補正値演算部61
により予め設定された設定値と比較されて、NH4
H、H2 2 またはDIWのそれぞれの補正量が算出さ
れ、この算出結果に従って、補正薬液供給部62(68
a〜68c)が、NH4 OH、H2 2 またはDIWの
供給源65a〜65cからの各薬液を必要量(補正量)
だけ上記薬液循環路50を流れる薬液に供給して、濃度
補正する。
The chemical (A) flowing through the chemical circulation path 50
The concentration of the PM solution is measured by the concentration sensor 60 of the concentration correction unit 31, and the measured value is used as the correction value calculation unit 61.
Is compared with a set value set in advance by NH 4 O
The correction amount of each of H, H 2 O 2 and DIW is calculated, and according to the calculation result, the correction chemical liquid supply unit 62 (68
a to 68c) require the amount of each chemical solution from NH 4 OH, H 2 O 2 or DIW supply sources 65a to 65c (correction amount).
Is supplied to the chemical liquid flowing through the chemical liquid circulation path 50 to correct the concentration.

【0053】具体的には、各補正量制御部68a〜68
cにおいて、補正が必要な薬液の切替弁67a〜67c
が開口して、供給源65a〜65cから薬液が循環路5
0に供給され、その積算流量計66a〜66cの測定流
量(供給量)が上記補正値になったところで、上記切替
弁67a〜67cが閉止する。この補正動作は、上記濃
度センサ60により測定された濃度(測定値)が補正値
演算部61により予め設定された濃度(設定値)になる
まで続けられる結果、薬液循環路50を流れる薬液の濃
度が最終的に上記設定値に補正されることとなる。
More specifically, each of the correction amount control sections 68a-68
c, the switching valves 67a to 67c of the chemical liquids that need to be corrected
Is opened, and the chemical solution is supplied from the supply sources 65a to 65c to the circulation path 5.
0, and when the measured flow rates (supply amounts) of the integrated flow meters 66a to 66c reach the above-mentioned correction values, the switching valves 67a to 67c are closed. This correction operation is continued until the concentration (measured value) measured by the concentration sensor 60 reaches the concentration (set value) set in advance by the correction value calculation unit 61. As a result, the concentration of the chemical flowing through the chemical liquid circulation path 50 is increased. Is finally corrected to the set value.

【0054】以上の構成とされたAPM液リサイクルシ
ステムRSにおいては、切替弁44、45、ならびに5
1a,51bおよび52a,52bの切替制御により、
上記2台の貯蔵タンク35,36のいずれか一方、例え
ば貯蔵タンク35の薬液が洗浄チャンバ3に供給使用さ
れている間に、他方の貯蔵タンク36の薬液が蒸気薬液
循環路50を介して循環されて、薬液中の不純物粒子が
ろ過されて清浄化されつつ温度調整されるとともに、上
記濃度補正部31により濃度補正される。
In the APM liquid recycling system RS configured as described above, the switching valves 44, 45, and 5
By switching control of 1a, 51b and 52a, 52b,
While one of the two storage tanks 35, 36, for example, the chemical in the storage tank 35 is being supplied to the cleaning chamber 3, the chemical in the other storage tank 36 circulates through the vapor chemical circulation path 50. Then, the temperature is adjusted while the impurity particles in the chemical solution are filtered and cleaned, and the concentration is corrected by the concentration correction unit 31.

【0055】なお、使い捨て薬液供給システムDSにつ
いては具体的には図示しないが、本実施形態において
は、純水およびDHF液をリサイクルせずに使い捨て使
用される。
Although the disposable chemical liquid supply system DS is not specifically shown, in this embodiment, the pure water and the DHF liquid are used without being recycled.

【0056】不活性気体供給装置5は、上記基板回転装
置2に回転支持されるウエハWの表面に酸化防止用の不
活性気体を供給するもので、洗浄ハウジング1内の上部
に設けられた気体噴出部70を備えてなる。図示の実施
形態においては、不活性気体としてN2 ガス(窒素)が
使用されている。
The inert gas supply device 5 supplies an inert gas for preventing oxidation to the surface of the wafer W rotatably supported by the substrate rotating device 2. The inert gas supply device 5 is provided at the upper portion of the cleaning housing 1. An ejection section 70 is provided. In the illustrated embodiment, N 2 gas (nitrogen) is used as the inert gas.

【0057】上記気体噴出部70は、具体的には、洗浄
チャンバ3と協働して、基板回転装置2に回転支持され
るウエハWの表面周囲に乾燥用密閉空間を形成する円形
蓋体の形態とされている。
The gas ejection portion 70 is, specifically, a circular lid member that forms a closed space for drying around the surface of the wafer W that is rotatably supported by the substrate rotation device 2 in cooperation with the cleaning chamber 3. It is a form.

【0058】この気体噴出部70の外径縁は、洗浄チャ
ンバ3の内径縁つまり最上段の円環状処理槽18の外径
縁と密接状に係合するように設計されており、これによ
り、基板回転装置2に回転支持されるウエハWの表面周
囲に必要最小限の乾燥用密閉空間を形成する。
The outer diameter edge of the gas ejection portion 70 is designed to be closely engaged with the inner diameter edge of the cleaning chamber 3, that is, the outer diameter edge of the uppermost annular processing tank 18, whereby A required minimum hermetically sealed drying space is formed around the surface of the wafer W rotatably supported by the substrate rotating device 2.

【0059】制御装置6は、上述した基板洗浄装置の各
構成部を相互に連動して駆動制御するもので、この制御
装置6により、一連のウェット処理工程が全自動で実行
される。
The control device 6 controls each of the components of the above-described substrate cleaning apparatus in a mutually interlocking manner, and the control device 6 automatically executes a series of wet processing steps.

【0060】すなわち、上記構成とされた基板洗浄装置
においては、洗浄チャンバ3の上下方向への昇降によ
り、基板回転装置2の基板支持部11に支持されたウエ
ハWと上記洗浄チャンバ3の処理槽15〜18のいずれ
かとの位置決めが選択的になされるとともに、基板回転
装置2により、基板支持部11に支持されたウエハWが
所定の回転速度をもって水平回転される。
That is, in the substrate cleaning apparatus configured as described above, the wafer W supported by the substrate support 11 of the substrate rotating device 2 and the processing tank of the cleaning chamber 3 are moved up and down in the cleaning chamber 3. Positioning with any of 15 to 18 is selectively performed, and the wafer W supported by the substrate support unit 11 is horizontally rotated at a predetermined rotation speed by the substrate rotation device 2.

【0061】そして、洗浄工程にかかるレシピを選択設
定することにより、i)APM+DHF+(O3 +DI
W)+DRY,ii)APM+DHF+DRY,iii)AP
M+DRYおよびiv) DHF+DRYなどの洗浄工程が
選択的に実行可能である。
By selecting and setting the recipe for the cleaning step, i) APM + DHF + (O 3 + DI
W) + DRY, ii) APM + DHF + DRY, iii) AP
M + DRY and iv) cleaning steps such as DHF + DRY can be selectively performed.

【0062】例えば、上述したii)の洗浄処理工程(A
PM+DHF+DRY)であれば、洗浄チャンバ3の昇
降位置決めにより、基板支持部11上のウエハWが、ま
ず、最下段の処理槽15に位置決め配置されて、噴射ノ
ズル部25、26からAPM液が供給されるとともに、
基板回転装置2による低速回転によりスピン洗浄が行わ
れる。
For example, the washing step (A) of the above ii)
In the case of (PM + DHF + DRY), the wafer W on the substrate supporting unit 11 is first positioned and arranged in the lowermost processing tank 15 by the vertical positioning of the cleaning chamber 3, and the APM liquid is supplied from the injection nozzle units 25 and 26. Along with
Spin cleaning is performed by low-speed rotation by the substrate rotating device 2.

【0063】続いて、上から2段目の処理槽17に位置
決め配置されて、噴射ノズル部25、26から純水が供
給されるとともに、基板回転装置2による低速回転によ
りリンスが行われる。
Subsequently, the substrate is positioned and arranged in the second processing tank 17 from the top, and pure water is supplied from the injection nozzles 25 and 26, and rinsing is performed by the substrate rotating device 2 rotating at a low speed.

【0064】さらに、上から3段目の処理槽16に位置
決め配置されて、噴射ノズル部25、26からDHF液
が供給されるとともに、基板回転装置2による低速回転
によりスピン洗浄が行われる。
Further, the DHF solution is supplied from the injection nozzles 25 and 26 while being positioned and disposed in the third processing tank 16 from the top, and spin cleaning is performed by the substrate rotating device 2 rotating at a low speed.

【0065】再び、上記処理槽17に位置決め配置され
て、噴射ノズル部25、26から純水が供給されるとと
もに、基板回転装置2による低速回転によりリンスが行
われる。
The substrate is again positioned and disposed in the processing tank 17, and pure water is supplied from the injection nozzles 25 and 26, and rinsing is performed by low-speed rotation of the substrate rotating device 2.

【0066】そして最後に、最上段の処理槽18に位置
決め配置されて、噴射ノズル部26からN2 ガスが噴射
されながら、基板回転装置2による高速回転によりスピ
ン乾燥が行われる。
Finally, spin drying is performed by high-speed rotation of the substrate rotating device 2 while the N 2 gas is being injected from the injection nozzle portion 26 while being positioned and arranged in the uppermost processing tank 18.

【0067】しかして、本発明の枚葉式基板洗浄装置に
おいては、密閉された洗浄ハウジング1内において、ウ
エハWの表裏面に対する薬液による洗浄工程が行われる
ところ、使用済みのリサイクル薬液(本実施形態におい
てはAPM液)は、薬液供給装置4の薬液供給回収部3
0へ回収されて清浄化されるとともに、濃度補正部31
により濃度補正されて再利用される。
In the single wafer type substrate cleaning apparatus according to the present invention, the cleaning process for the front and back surfaces of the wafer W is performed in the sealed cleaning housing 1 using the chemical solution. APM liquid in the embodiment) is a chemical liquid supply / recovery section 3 of the chemical liquid supply device 4.
0 and cleaned, and the density correction unit 31
Is used for density correction and reused.

【0068】この場合、上記薬液供給回収部30は、薬
液を貯蔵する2台の貯蔵タンク35,36と、これら貯
蔵タンク35,36の薬液を上記濃度補正部31を介し
て循環させて清浄化処理する薬液循環部37とを備え、
上記両貯蔵タンク35,36が上記薬液循環部37に選
択的に接続可能とされている。
In this case, the chemical supply / recovery section 30 cleans by circulating the two storage tanks 35 and 36 for storing the chemical and the chemicals in the storage tanks 35 and 36 via the concentration correcting section 31. And a chemical liquid circulation section 37 for processing,
The two storage tanks 35 and 36 can be selectively connected to the chemical solution circulating unit 37.

【0069】したがって、一方の貯蔵タンク35または
36の薬液が上記洗浄チャンバ3に供給使用されて洗浄
工程を実行している間に、他方の貯蔵タンク36または
35の薬液が薬液循環部37で循環されて、清浄化され
るとともに濃度補正されることが可能であり、洗浄工程
サイクルを中断することなく、効率的な薬液の再利用処
理が可能となる。
Accordingly, while the chemical solution in one storage tank 35 or 36 is supplied to and used in the cleaning chamber 3 to execute the cleaning process, the chemical solution in the other storage tank 36 or 35 is circulated in the chemical solution circulating unit 37. Then, the cleaning can be performed and the concentration can be corrected, and the chemical solution can be efficiently reused without interrupting the cleaning process cycle.

【0070】なお、上述した実施形態はあくまでも本発
明の好適な実施態様を示すものであって、本発明はこれ
に限定されることなくその範囲内で種々の設計変更が可
能である。
The above-described embodiment merely shows a preferred embodiment of the present invention, and the present invention is not limited to this, and various design changes can be made within the scope.

【0071】例えば、図示の実施形態においては、2台
の貯蔵タンク35,36が薬液循環部37に選択的に接
続可能とされて、2台の貯蔵タンク35,36のいずれ
か35または36の薬液が洗浄チャンバ3に供給使用さ
れている間に、他の残りの貯蔵タンク36または35の
薬液が薬液循環部37で循環されて、清浄化されるとと
もに濃度補正されるように構成されているが、貯蔵タン
クの設置数は図示のもの限定されず、目的に応じて適宜
増設される。
For example, in the illustrated embodiment, two storage tanks 35 and 36 can be selectively connected to the chemical solution circulating section 37, and any one of the two storage tanks 35 and 36 can be connected. While the chemical is supplied to the cleaning chamber 3, the chemical in the remaining storage tank 36 or 35 is circulated in the chemical circulating unit 37 to be cleaned and concentration corrected. However, the number of storage tanks is not limited to that shown in the figure, and may be appropriately increased according to the purpose.

【0072】この場合は、複数の貯蔵タンクのいずれか
の薬液が洗浄チャンバ3に供給使用されている間に、他
の残りの貯蔵タンクの薬液が薬液循環部37で循環され
て、清浄化されるとともに濃度補正されるように構成さ
れることとなる。
In this case, while one of the chemicals in the plurality of storage tanks is being supplied to the cleaning chamber 3, the chemicals in the other storage tanks are circulated in the chemical circulating unit 37 to be cleaned. And the density is corrected.

【0073】また、本実施形態において用いた薬液は、
あくまでも一例であって、例えばHPM(HCl+H2
2 +H2 O)やSPM(H2 SO4 +H2 2 +H2
O)など目的に応じて他の洗浄液も利用可能である。
The chemical used in this embodiment is as follows:
This is merely an example. For example, HPM (HCl + H 2
O 2 + H 2 O) or SPM (H 2 SO 4 + H 2 O 2 + H 2)
Other cleaning liquids such as O) can be used depending on the purpose.

【0074】さらに、本実施形態に係る基板洗浄装置
は、本装置単独での使用はもちろんのこと、ローディン
グ部、アンローディング部あるいは移載ロボット等の各
種装置を備えた基板洗浄システムの基本単位構成要素と
しての使用も可能である。
Further, the substrate cleaning apparatus according to the present embodiment can be used alone as well as a basic unit configuration of a substrate cleaning system provided with various devices such as a loading unit, an unloading unit, and a transfer robot. Use as an element is also possible.

【0075】[0075]

【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば、
枚葉式洗浄装置の洗浄チャンバに対して洗浄薬液を供給
回収する薬液供給回収部と、この薬液供給回収部の薬液
の濃度を補正する濃度補正部とを備えてなり、上記薬液
供給回収部は、薬液を貯蔵する複数の貯蔵タンクと、こ
れら貯蔵タンクの薬液を上記濃度補正部を介して循環さ
せて清浄化処理する薬液循環部とを備え、上記複数の貯
蔵タンクが上記薬液循環部に選択的に接続可能とされて
いるから、枚葉式ウェット洗浄において、洗浄工程サイ
クルとの関係で効率的な薬液の再利用を実現し得る薬液
リサイクル技術を提供することができる。
As described in detail above, according to the present invention,
A chemical solution supply / recovery unit for supplying / collecting a cleaning solution to / from the cleaning chamber of the single-wafer cleaning apparatus; and a concentration correction unit for correcting the concentration of the chemical solution in the solution supply / recovery unit. A plurality of storage tanks for storing a chemical solution, and a chemical solution circulating unit for circulating the chemical solution in these storage tanks through the concentration correction unit to perform a cleaning process, and the plurality of storage tanks are selected as the chemical solution circulating unit. In this case, it is possible to provide a chemical recycling technique that can realize efficient reuse of a chemical in relation to a cleaning process cycle in single wafer wet cleaning.

【0076】すなわち、本発明の枚葉式基板洗浄におい
ては、密閉された洗浄ハウジング内において、ウエハの
表裏面に対する薬液による洗浄工程が行われるところ、
リサイクルされる使用済みの薬液は、薬液供給回収部へ
回収されて清浄化されるとともに、濃度補正部により濃
度補正されて再利用される。
That is, in the single-wafer substrate cleaning of the present invention, a step of cleaning the front and back surfaces of the wafer with a chemical solution is performed in a closed cleaning housing.
The used chemical liquid to be recycled is collected by the chemical liquid supply / collection unit and cleaned, and the concentration is corrected by the concentration correction unit and reused.

【0077】この場合、上記薬液供給回収部は、薬液を
貯蔵する複数の貯蔵タンクと、これら貯蔵タンクの薬液
を上記濃度補正部を介して循環させて清浄化処理する薬
液循環部とを備えてなり、いずれかの貯蔵タンクの薬液
が上記洗浄チャンバに供給使用されて洗浄工程を実行し
ている間に、他の残りの貯蔵タンクの薬液が前記薬液循
環部で循環されて、清浄化されるとともに濃度補正され
ることが可能であり、これにより、洗浄工程サイクルが
中断されることなく、効率的な薬液の再利用処理が可能
となる。
In this case, the chemical supply / recovery section includes a plurality of storage tanks for storing the chemicals, and a chemical circulation section for circulating the chemicals in these storage tanks through the concentration correction section for cleaning. While the chemical solution in one of the storage tanks is supplied to the cleaning chamber and used to perform the cleaning process, the chemical solution in the other storage tanks is circulated in the chemical circulating unit to be cleaned. The concentration can be corrected at the same time, whereby the chemical solution can be efficiently reused without interrupting the cleaning process cycle.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の一実施形態に係る枚葉式基板洗浄装置
の内部構成を示す正面断面図である。
FIG. 1 is a front sectional view showing the internal configuration of a single wafer type substrate cleaning apparatus according to an embodiment of the present invention.

【図2】同枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクルシステ
ムを示す構成図である。
FIG. 2 is a configuration diagram showing a chemical liquid recycling system of the single-wafer substrate cleaning apparatus.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

SR 薬液リサイクルシステム W ウエハ 1 洗浄ハウジング 2 基板回転装置(基板回転手
段) 3 洗浄チャンバ 4 薬液供給装置(薬液供給手
段) 5 不活性気体供給装置(不活
性気体供給手段) 6 制御部 10 回転軸 11 基板支持部 15〜18 円環状処理槽 21 薬液回収路 25 上側噴射ノズル部 26 下側噴射ノズル部 27 薬液供給路 30 薬液供給回収部 31 濃度補正部 35,36 貯蔵タンク 37 薬液循環部 40 供給ポンプ 41,43 薬液フィルタ 44,45 切替弁 50 薬液循環路 50A,50B 循環系 51a、51b 切替弁 52a、52b 切替弁 55 循環ポンプ 56 薬液フィルタ 57 温度調整器 60 濃度センサ 61 補正値演算部 62 補正薬液供給部 70 気体噴出部
SR chemical liquid recycling system W wafer 1 cleaning housing 2 substrate rotating device (substrate rotating means) 3 cleaning chamber 4 chemical liquid supplying device (chemical liquid supplying device) 5 inert gas supplying device (inactive gas supplying device) 6 control unit 10 rotating shaft 11 Substrate support part 15-18 Annular processing tank 21 Chemical recovery path 25 Upper injection nozzle part 26 Lower injection nozzle part 27 Chemical liquid supply path 30 Chemical liquid supply and recovery part 31 Concentration correction part 35, 36 Storage tank 37 Chemical liquid circulation part 40 Supply pump 41, 43 Chemical liquid filter 44, 45 Switching valve 50 Chemical liquid circulation path 50A, 50B Circulating system 51a, 51b Switching valve 52a, 52b Switching valve 55 Circulating pump 56 Chemical liquid filter 57 Temperature controller 60 Concentration sensor 61 Correction value calculation unit 62 Correcting chemical liquid Supply unit 70 Gas ejection unit

Claims (9)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 基板を一枚ずつ薬液によりウェット洗浄
処理する枚葉式基板洗浄装置において、使用済みの薬液
を回収して再利用する薬液リサイクルシステムであっ
て、 前記枚葉式洗浄装置の洗浄チャンバに対して洗浄薬液を
供給回収する薬液供給回収部と、この薬液供給回収部の
薬液の濃度を補正する濃度補正部とを備えてなり、 前記薬液供給回収部は、薬液を貯蔵する複数の貯蔵タン
クと、これら貯蔵タンクの薬液を前記濃度補正部を介し
て循環させて清浄化処理する薬液循環部とを備え、 前記複数の貯蔵タンクが前記薬液循環部に選択的に接続
可能とされていることを特徴とする枚葉式基板洗浄装置
の薬液リサイクルシステム。
1. A chemical liquid recycling system for collecting and reusing a used chemical liquid in a single-wafer substrate cleaning apparatus for performing wet cleaning processing of substrates one by one with a chemical liquid, wherein the cleaning of the single-wafer cleaning apparatus is performed. A chemical solution supply / collection unit that supplies / collects a cleaning chemical solution to / from the chamber; and a concentration correction unit that corrects the concentration of the chemical solution in the chemical solution supply / collection unit. A storage tank, and a chemical circulating unit that circulates the chemicals in these storage tanks through the concentration correction unit to perform a cleaning process, wherein the plurality of storage tanks can be selectively connected to the chemical circulating unit. A chemical liquid recycling system for a single wafer type substrate cleaning apparatus.
【請求項2】 前記複数の貯蔵タンクのいずれかの薬液
が前記洗浄チャンバに供給使用されている間に、他の残
りの貯蔵タンクの薬液が前記薬液循環部で循環されて、
清浄化されるとともに濃度補正されるように構成されて
いることを特徴とする請求項1に記載の枚葉式基板洗浄
装置の薬液リサイクルシステム。
2. While any of the chemicals in the plurality of storage tanks is being supplied to the cleaning chamber, the chemicals in the other remaining storage tanks are circulated in the chemical circulating unit,
2. The chemical liquid recycling system for a single-wafer substrate cleaning apparatus according to claim 1, wherein the chemical liquid is cleaned and the concentration is corrected.
【請求項3】 前記薬液供給回収部は同一構造を有する
2台の貯蔵タンクを備え、 この貯蔵タンクは、少なくとも前記洗浄チャンバにおけ
る一回の洗浄処理工程に必要な薬液量よりも多い薬液を
貯蔵し得る貯蔵容量を有することを特徴とする請求項1
または2に記載の枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクル
システム。
3. The chemical supply / recovery section includes two storage tanks having the same structure, and the storage tank stores a chemical that is at least larger than a chemical required for one cleaning process in the cleaning chamber. 2. A storage capacity according to claim 1.
Or a chemical liquid recycling system for a single-wafer substrate cleaning apparatus according to item 2.
【請求項4】 前記薬液供給回収部の薬液循環部は、前
記両貯蔵タンクから前記濃度補正部を介して再び前記複
数の貯蔵タンクへ帰還する薬液循環路を備えるととも
に、この薬液循環路は、前記両貯蔵タンクとそれぞれ切
替弁により選択的に連通可能とされてなり、 前記切替弁の制御により、前記両貯蔵タンクのいずれか
一方の薬液が前記洗浄チャンバに供給使用されている間
に、他方の貯蔵タンクの薬液が前記薬液循環路を介して
循環されるように構成されていることを特徴とする請求
項3に記載の枚葉式基板洗浄装置の薬液リサイクルシス
テム。
4. The chemical liquid circulating section of the chemical liquid supply / recovery section includes a chemical liquid circulating path that returns from the two storage tanks to the plurality of storage tanks again via the concentration correction section, and the chemical liquid circulating path includes: The two storage tanks can be selectively communicated with each other by a switching valve. By controlling the switching valve, the other one of the two storage tanks is supplied to the cleaning chamber while the other chemical is being used. The chemical liquid recycling system for a single-wafer substrate cleaning apparatus according to claim 3, wherein the chemical liquid in the storage tank is circulated through the chemical liquid circulation path.
【請求項5】 前記薬液循環部の薬液循環路に、薬液を
循環させる循環ポンプと、薬液中の不純物粒子をろ過す
る薬液フィルタと、薬液の温度を調整する温度調整器が
配されていることを特徴とする請求項4に記載の枚葉式
基板洗浄装置の薬液リサイクルシステム。
5. A circulating pump for circulating a chemical, a chemical filter for filtering impurity particles in the chemical, and a temperature controller for adjusting the temperature of the chemical are arranged in the chemical circulating path of the chemical circulating section. The chemical liquid recycling system for a single wafer type substrate cleaning apparatus according to claim 4, characterized in that:
【請求項6】 前記濃度補正部は、前記薬液循環部の薬
液の濃度を測定する濃度センサと、この濃度センサの測
定値を予め設定された設定値と比較して、濃度補正に必
要な補正値を算出する補正値演算部と、この補正値演算
部の補正値に従って前記薬液循環部の薬液に補正薬液を
供給する補正薬液供給回収部とを備えてなることを特徴
とする請求項1から5のいずれか一つに記載の枚葉式基
板洗浄装置の薬液リサイクルシステム。
6. The concentration correction section, comprising: a concentration sensor for measuring the concentration of the chemical in the liquid circulation section; and a measurement value of the concentration sensor being compared with a preset set value to perform a correction required for the concentration correction. 2. The apparatus according to claim 1, further comprising: a correction value calculating unit that calculates a value; and a correction chemical supply and recovery unit that supplies a correction chemical to the chemical in the chemical circulation unit according to the correction value of the correction value calculation unit. 5. The chemical liquid recycling system for a single-wafer substrate cleaning apparatus according to any one of 5.
【請求項7】 密閉された洗浄ハウジング内において、
基板を一枚ずつカセットレスでウェット洗浄する枚葉式
基板洗浄装置であって、 前記洗浄ハウジング内に、一枚の基板を水平状態で支持
回転する基板回転手段と、 前記基板回転手段の外周部に、基板回転手段に回転支持
される基板の洗浄処理用空間を形成する洗浄チャンバ
と、 前記基板回転手段に回転支持される基板の表裏面に洗浄
液を供給する薬液供給手段とを備えてなり、 前記薬液供給手段は、請求項1から6のいずれか一つに
記載の薬液リサイクルシステムを備えていることを特徴
とする枚葉式基板洗浄装置。
7. In a sealed cleaning housing,
What is claimed is: 1. A single-wafer substrate cleaning apparatus for performing wet cleaning of substrates one by one without using a cassette, wherein: a substrate rotating unit configured to support and rotate one substrate in a horizontal state in the cleaning housing; and an outer peripheral portion of the substrate rotating unit. A cleaning chamber that forms a space for cleaning processing of a substrate that is rotatably supported by the substrate rotating unit, and a chemical solution supply unit that supplies a cleaning liquid to the front and back surfaces of the substrate that is rotatably supported by the substrate rotating unit, A single-wafer-type substrate cleaning apparatus, wherein the chemical liquid supply unit includes the chemical liquid recycling system according to any one of claims 1 to 6.
【請求項8】 前記洗浄チャンバは、前記基板回転手段
に対して上下方向へ相対的に昇降動作可能とされるとと
もに、この洗浄チャンバの内周部に、前記洗浄処理用空
間を形成する環状洗浄槽が、前記基板回転手段に支持さ
れた基板を取り囲むように同心状に、かつ上下方向へ複
数段に配列されてなり、 洗浄処理工程に応じて、これら環状洗浄槽のいずれか一
つが、前記洗浄チャンバの上下方向への昇降動作によ
り、前記基板回転手段に支持された基板に対応した位置
に移動して位置決めされるように構成されていることを
特徴とする請求項7に記載の枚葉式基板洗浄装置。
8. The annular cleaning device, wherein the cleaning chamber is vertically movable relative to the substrate rotating means, and the cleaning processing space is formed in an inner peripheral portion of the cleaning chamber. The tanks are concentrically arranged so as to surround the substrate supported by the substrate rotating means, and are arranged in a plurality of stages in the vertical direction. Depending on a cleaning treatment step, one of these annular cleaning tanks is 8. The single wafer according to claim 7, wherein the cleaning chamber is configured to move to a position corresponding to a substrate supported by the substrate rotating means and to be positioned by a vertically moving operation of the cleaning chamber. Type substrate cleaning equipment.
【請求項9】 前記薬液供給手段は、前記環状洗浄槽に
それぞれ接続された複数の前記薬液リサイクルシステム
を備えることを特徴とする請求項8に記載の枚葉式基板
洗浄装置。
9. The single wafer type substrate cleaning apparatus according to claim 8, wherein the chemical liquid supply means includes a plurality of the chemical liquid recycling systems connected to the annular cleaning tank.
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