JPH11110110A - Transparent conductive film for touch panel - Google Patents

Transparent conductive film for touch panel

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JPH11110110A
JPH11110110A JP26441397A JP26441397A JPH11110110A JP H11110110 A JPH11110110 A JP H11110110A JP 26441397 A JP26441397 A JP 26441397A JP 26441397 A JP26441397 A JP 26441397A JP H11110110 A JPH11110110 A JP H11110110A
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JP
Japan
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conductive film
transparent conductive
layer
touch panel
film
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Pending
Application number
JP26441397A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Yoshihiro Sakai
▲祥▼浩 坂井
Masato Koyama
正人 小山
Masaaki Kikkai
正彰 吉開
Yuichiro Harada
祐一郎 原田
Akira Suzuki
彰 鈴木
Akiyoshi Nakajima
明美 中島
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Mitsui Chemicals Inc
Original Assignee
Mitsui Chemicals Inc
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Publication date
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  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a film improved in description resistance, alkali resistance and adhesion by making the linearity lower than a specified value and making the retardation value lower than a specified value after the polyacetal pen of a specified diameter is used and reciprocatively moved plural times with a specified load. SOLUTION: Concerning a touch panel sample, a transparent conductive film 3 is laminated through a spacer 2 onto glass 4 with conductive film 1 and further, a polarizing film 5 with hard coat is laminated through an adhesive layer 4 onto the film 3. When measuring the linearity of the transparent conductive film 3 to be used as the transparent electrode of a touch panel, the film is reciprocatively moved 100,000 times with the load of 250 g (at the speed of 3 reciprocation per second for the distance of 35 mm for one side) while using a polyacetal pen 6 having the diameter of 8 mm. After this transparent conductive film 3 is reciprocatively moved 100,000 times, its linearity is lower than 1.45% and its retardation value is lower than 15 nm.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、耐筆記性、耐アル
カリ性および密着性に優れ、透明タッチパネル用途に適
した光等方性を有し、タッチパネルの透明電極として好
適に使用できる透明導電性フィルムに関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a transparent conductive film which is excellent in writing resistance, alkali resistance and adhesion, has optical isotropy suitable for use in a transparent touch panel, and can be suitably used as a transparent electrode of a touch panel. About.

【0002】[0002]

【従来の技術】近年、ディスプレイ画面を指で触った
り、ペンで押圧するだけで入力できる透明タッチパネル
が普及している。このタッチパネルには、アナログ式と
マトリックス式がある。前者のアナログ式は、両端に電
極を備えた2枚の透明導電性基体をスペーサを介して対
向配置させ、上下の電極に電圧を印加して押圧位置の電
圧値をX−Y座標の位置として検知する。後者のマトリ
ックス式は、導電層をストリップ状に形成した2枚の透
明導電性基体をマトリックス状に配列し、各々の電極に
より押圧位置を検知する。
2. Description of the Related Art In recent years, a transparent touch panel that allows input by simply touching a display screen with a finger or pressing with a pen has become widespread. This touch panel has an analog type and a matrix type. In the former analog type, two transparent conductive substrates provided with electrodes at both ends are opposed to each other via a spacer, and a voltage is applied to upper and lower electrodes, and the voltage value at the pressed position is set as the position of the XY coordinate. Detect. In the latter matrix type, two transparent conductive substrates each having a conductive layer formed in a strip shape are arranged in a matrix, and the pressed position is detected by each electrode.

【0003】通常のタッチパネル用透明導電性フィルム
は、液晶表示素子の最上層に重ね合わせて用いるので、
透明性については留意するが、光等方性については考慮
されていない。したがって、基本的にはガラスもしくは
高分子フィルムに導電層(主にITO膜)を積層した構
成を有し、少なくとも可視光の透過率が80%以上であ
り、表面抵抗が1000Ω/□以下であり、かつ耐筆記
性に優れることが要求される。
[0003] Since a normal transparent conductive film for a touch panel is used by being superimposed on the uppermost layer of a liquid crystal display element,
Although attention is paid to transparency, optical isotropy is not considered. Therefore, it basically has a configuration in which a conductive layer (mainly an ITO film) is laminated on a glass or polymer film, has a visible light transmittance of at least 80% and a surface resistance of 1000Ω / □ or less. , And excellent writing resistance.

【0004】一方、次世代のタッチパネル用資材とし
て、光の反射の低減、視認性の向上が要求されるように
なってきているが、上述した従来の積層構造では、この
要求を十分に満たすことはできない。
On the other hand, as a material for a next-generation touch panel, it is required to reduce the reflection of light and improve the visibility. However, the above-mentioned conventional laminated structure is required to satisfy these requirements sufficiently. Can not.

【0005】そこで、視認性を向上させるため、液晶表
示素子の偏光板の下に透明導電性フィルムを設置するこ
とが検討されはじめ、有力な方式として期待され始め
た。この方式では、偏光板の下に透明導電性フィルムを
組み込む関係上、ベースフィルムには光学的に等方機能
を有することが要求される。
[0005] Therefore, to improve the visibility, the installation of a transparent conductive film under a polarizing plate of a liquid crystal display element has been studied, and is expected to be an effective method. In this method, the base film is required to have an optically isotropic function because a transparent conductive film is incorporated under the polarizing plate.

【0006】ところで従来の導電膜層としては、酸化イ
ンジウム、酸化錫に酸化珪素や酸化アルミニウム等をド
ープしたもの(特開平4−206403号)、酸化イン
ジウム、酸化錫に窒素をドープしたもの(特開平4−3
08612号)がある。しかしながら、単に透明導電膜
層を透明高分子基体上に形成しただけでは、アナログ用
途として求められる250g荷重10万文字筆記テスト
には耐えられない。
Meanwhile, a conventional conductive film layer is obtained by doping indium oxide or tin oxide with silicon oxide, aluminum oxide, or the like (Japanese Patent Laid-Open No. 4-206403), or obtained by doping indium oxide or tin oxide with nitrogen (particularly, Japanese Patent Laid-Open Publication No. Kaihei 4-3
08612). However, simply forming a transparent conductive film layer on a transparent polymer substrate cannot withstand a 250 g load 100,000 character writing test required for analog use.

【0007】また、特開平6−64105号には、高分
子フィルムの少なくとも片面に酸化処理を施した有機珪
素ポリマー層を積層し、導電層を一方の面に積層したガ
スバリア性透明導電性積層体が記載されている。しか
し、これらの実施例では、PETフィルムを使用してお
り、偏光板の下に設置するタイプの次世代のタッチパネ
ル用途としては、リターデーション値が大き過ぎて不向
きである。
Japanese Patent Application Laid-Open No. 6-64105 discloses a gas-barrier transparent conductive laminate in which an oxidized organic silicon polymer layer is laminated on at least one surface of a polymer film and a conductive layer is laminated on one surface. Is described. However, in these examples, a PET film is used, and the retardation value is too large for a next-generation touch panel application of a type installed under a polarizing plate, which is not suitable.

【0008】また、リターデーション値の低いフィルム
としては、ポリカーボネート、ポリエーテルサルフォ
ン、ポリアリレート、ポリアクリレート等があり、耐薬
品性、腰および加工性の観点からフィルムの両面に樹脂
層を塗布したものが開発されている。しかしながら、こ
れらのフィルムに直接有機珪素ポリマーやITO膜を形
成すると、PETフィルム(50gf/inch以上)
に比べて密着性が弱く(30gf/inch程度)、こ
れまでは実用化されなかった。
[0008] Films having a low retardation value include polycarbonate, polyether sulfone, polyarylate, polyacrylate, and the like. Resin layers are applied to both surfaces of the film from the viewpoints of chemical resistance, stiffness and workability. Things are being developed. However, when an organosilicon polymer or an ITO film is formed directly on these films, a PET film (50 gf / inch or more) is required.
The adhesiveness was weaker (approximately 30 gf / inch) as compared with that of the prior art, and it was not practically used until now.

【0009】[0009]

【発明が解決しようとする課題】従来の透明導電性基体
は、先にも述べたように、基本的にはガラスもしくは高
分子フィルム/導電層(主にITO膜)の層構成を有す
る。
As described above, the conventional transparent conductive substrate basically has a layer structure of glass or polymer film / conductive layer (mainly ITO film).

【0010】ガラス基体を用いる場合は、基体を高温に
加熱する事により化学的に安定な透明導電膜層を形成
し、耐筆記性および密着性に優れるが、割れる、重い、
厚いといった問題がある。一方、高分子基体(高分子フ
ィルム)を用いる場合は、ガラス基体のような問題は生
じない。しかしながら、光学的に等方性な透明高分子基
体を使用すると、透明導電膜層を形成する際の温度は高
分子基体の耐熱温度に制限され、低温化せざるを得な
い。そのため、耐筆記性および密着性に優れた透明導電
膜層を形成するのは容易でない。さらに、高分子基体と
して従来提案されているものを用いた場合、光等方性、
透明性、耐熱性、耐薬品性、密着性などの要求性能を全
て満たすことは難しい。
[0010] When a glass substrate is used, a chemically stable transparent conductive film layer is formed by heating the substrate to a high temperature.
There is a problem that it is thick. On the other hand, when a polymer substrate (polymer film) is used, the problem unlike the glass substrate does not occur. However, when an optically isotropic transparent polymer substrate is used, the temperature at which the transparent conductive film layer is formed is limited to the heat-resistant temperature of the polymer substrate, and the temperature must be lowered. Therefore, it is not easy to form a transparent conductive film layer having excellent writing resistance and adhesion. Furthermore, when a conventionally proposed polymer substrate is used, optical isotropy,
It is difficult to satisfy all required properties such as transparency, heat resistance, chemical resistance, and adhesion.

【0011】すなわち、本発明は、従来解決できなかっ
た前述の課題を総合的に解決し、特に、耐筆記性、耐ア
ルカリ性および密着性に優れたタッチパネル用透明導電
性フィルムを提供することを目的とする。
That is, an object of the present invention is to provide a transparent conductive film for a touch panel which solves the above-mentioned problems which could not be solved conventionally, and which is particularly excellent in writing resistance, alkali resistance and adhesion. And

【0012】[0012]

【課題を解決するための手段】本発明者らは、上述した
課題を解決するため鋭意検討を重ねた結果、以下の本発
明を完成した。
Means for Solving the Problems The present inventors have made intensive studies to solve the above-mentioned problems, and as a result, have completed the present invention described below.

【0013】すなわち、本発明は、直径8mmのポリア
セタールペンを用いて、250g荷重で10万往復(3
往復/1秒、片道距離35mm)した後のリニアリティ
が1.5%以下であり、かつリターデーション値が15
nm以下であるタッチパネル用透明導電性フィルムであ
り、また、上述の性能を有し、かつ透明高分子基体
(A)の一方の主面に、酸窒化珪素からなる層(B)、
酸化インジウム錫からなる透明導電膜層(C)を順次積
層してなるタッチパネル用透明導電性フィルムである。
That is, the present invention uses a polyacetal pen having a diameter of 8 mm and performs 100,000 reciprocations (3
The linearity after a round trip / one second and a one-way distance of 35 mm) is 1.5% or less, and the retardation value is 15
a transparent conductive film for a touch panel having a thickness of not more than 10 nm, and a layer (B) made of silicon oxynitride on one main surface of the transparent polymer substrate (A) having the above-mentioned performance,
The transparent conductive film for a touch panel is formed by sequentially laminating a transparent conductive film layer (C) made of indium tin oxide.

【0014】また、望ましくは、透明高分子基体(A)
の一方の主面をコロナ放電処理および/またはグロー放
電処理し、該処理面上に酸窒化珪素からなる層(B)を
積層し、また、望ましくは、透明高分子基体(A)の一
方の主面に、主としてニッケルからなる金属薄膜層ある
いは金属酸化物薄膜層(D)を積層し、該層(D)上に
酸窒化珪素からなる層(B)を積層し、また、望ましく
は、透明高分子基体(A)の一方の主面をコロナ放電処
理および/またはグロー放電処理し、該処理面上に主と
してニッケルからなる金属薄膜層あるいは金属酸化物薄
膜層(D)を積層し、該層(D)上に酸窒化珪素からな
る層(B)を積層し、また、望ましくは、酸窒化珪素か
らなる層(B)の厚さが3〜30nmであるタッチパネ
ル用透明導電性フィルムである。
Preferably, the transparent polymer substrate (A)
Is subjected to corona discharge treatment and / or glow discharge treatment, and a layer (B) made of silicon oxynitride is laminated on the treated surface, and desirably, one of the transparent polymer substrates (A) On the main surface, a metal thin film layer or a metal oxide thin film layer (D) mainly composed of nickel is laminated, and a layer (B) composed of silicon oxynitride is laminated on the layer (D). One main surface of the polymer substrate (A) is subjected to corona discharge treatment and / or glow discharge treatment, and a metal thin film layer or a metal oxide thin film layer (D) mainly composed of nickel is laminated on the treated surface. A transparent conductive film for a touch panel in which a layer (B) made of silicon oxynitride is laminated on (D), and the thickness of the layer (B) made of silicon oxynitride is preferably 3 to 30 nm.

【0015】[0015]

【発明の実施の形態】本発明のタッチパネル用透明導電
性フィルムは、上述したような特定のリニアリティとリ
ターデーション値を有することを特徴とするものであ
る。このような特性は、具体的には、透明高分子基体
(A)の一方の主面に、酸窒化珪素からなる層(B)、
酸化インジウム錫からなる透明導電膜層(C)を順次積
層することにより、良好に得ることができる。
BEST MODE FOR CARRYING OUT THE INVENTION The transparent conductive film for a touch panel according to the present invention is characterized by having the above-mentioned specific linearity and retardation value. Specifically, such a property is obtained by forming a layer (B) made of silicon oxynitride on one main surface of the transparent polymer substrate (A),
By successively laminating the transparent conductive film layers (C) made of indium tin oxide, a good result can be obtained.

【0016】透明高分子基体(A)は、光学的に等方機
能を有する透明フィルムであればよく、その材質等に特
に制限は無い。例えば、ポリカーボネート、ポリエーテ
ルサルフォン、ポリアリレート、ポリアクリレート、ポ
リサルフォン等のホモポリマー、およびこれら樹脂のモ
ノマーと共重合可能なモノマーとのコポリマー等から成
る高分子基体が挙げられる。
The transparent polymer substrate (A) may be any transparent film having an optically isotropic function, and there is no particular limitation on the material and the like. For example, a polymer substrate composed of a homopolymer such as polycarbonate, polyethersulfone, polyarylate, polyacrylate, and polysulfone, and a copolymer of a monomer of these resins with a copolymerizable monomer, and the like can be given.

【0017】また、透明高分子基体(A)中もしくはそ
の表面上に、公知の添加剤、例えば硬化剤、易滑剤、帯
電防止剤、ハードコート剤、防湿コート剤、ガスバリア
コート剤、腐食剤などが添加もしくは積層されていても
良い。また、透明高分子基体(A)の表面に公知の表面
処理、例えば、粗面化処理、アンカーコートなどが施さ
れていても良い。透明高分子基体(A)の厚みに特に制
限は無いが、タッチパネル用途を考慮した場合、10〜
250μm程度が好ましい。
Known additives such as a curing agent, a lubricant, an antistatic agent, a hard coating agent, a moisture-proof coating agent, a gas barrier coating agent, a corrosive agent, etc. in or on the transparent polymer substrate (A). May be added or laminated. Further, the surface of the transparent polymer substrate (A) may be subjected to a known surface treatment, for example, a surface roughening treatment, an anchor coat, or the like. The thickness of the transparent polymer substrate (A) is not particularly limited.
It is preferably about 250 μm.

【0018】酸窒化珪素(SiOxNy)からなる層
(B)は、2x+y≦4、x=0.05〜2、y=0.
5〜4を満足することが好ましい。成膜時の反応ガス
は、窒素/アルゴン=0.6〜4に保つことが好まし
い。窒素/アルゴンを0.6以上にすれば透明性や耐ア
ルカリ性などの点で良好な結果が得られ、また、窒素/
アルゴンを4以下にすればスパッタ速度などの点で良好
な結果が得られる。また、屈折率の低下により透明性を
向上させるため少量の酸素を添加しても良く、また、過
度の酸化防止のために水素を添加しても良い。
The layer (B) made of silicon oxynitride (SiOxNy) has 2x + y ≦ 4, x = 0.05 to 2, y = 0.
It is preferable to satisfy 5 to 4. It is preferable that the reaction gas at the time of film formation is kept at nitrogen / argon = 0.6 to 4. If the nitrogen / argon ratio is 0.6 or more, good results in terms of transparency and alkali resistance can be obtained.
If the amount of argon is set to 4 or less, good results can be obtained in terms of sputtering speed and the like. Further, a small amount of oxygen may be added to improve transparency by lowering the refractive index, and hydrogen may be added to prevent excessive oxidation.

【0019】この酸窒化珪素からなる層(B)の厚さ
は、3〜30nm程度が好ましい。厚みをこの範囲内に
することによって、表面抵抗および可視光線透過率の両
方においてより良好な結果が得られる。
The thickness of the layer (B) made of silicon oxynitride is preferably about 3 to 30 nm. By setting the thickness within this range, better results can be obtained in both surface resistance and visible light transmittance.

【0020】酸窒化珪素からなる層(B)の成膜方法と
しては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレー
ティング法といった従来の公知技術の何れも採用でき
る。スパッタリング法においては、ターゲットに珪素を
使用しても、窒化珪素を使用しても良い。
As a method for forming the layer (B) made of silicon oxynitride, any of the conventionally known techniques such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method can be adopted. In the sputtering method, silicon or silicon nitride may be used for the target.

【0021】透明導電膜層(C)は、酸化インジウム錫
からなるものであればよい。比抵抗や可視光線透過率を
考慮すると、錫の含有率は3〜50重量%が好ましい。
その厚みは、表面抵抗および可視光線透過率に影響する
ので、要求される表面抵抗と可視光線透過率によって厚
みを適宜決定すれば良い。通常は、10〜50nm程度
が好ましい。
The transparent conductive film layer (C) may be made of indium tin oxide. Considering the specific resistance and the visible light transmittance, the tin content is preferably 3 to 50% by weight.
Since the thickness affects the surface resistance and the visible light transmittance, the thickness may be appropriately determined according to the required surface resistance and the visible light transmittance. Usually, about 10 to 50 nm is preferable.

【0022】また、透明導電膜層(C)の表面抵抗値は
200〜1000Ω/□程度が好ましい。
The surface resistance of the transparent conductive film layer (C) is preferably about 200 to 1000 Ω / □.

【0023】透明導電膜層(C)の成膜方法としては、
真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング
法といった従来の公知技術の何れも採用できる。スパッ
タリング法においては、ターゲットに酸化インジウム錫
を使用しても、インジウム錫合金を使用しても良い。
As a method of forming the transparent conductive film layer (C),
Any of the conventionally known techniques such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method can be adopted. In the sputtering method, indium tin oxide or an indium tin alloy may be used as a target.

【0024】本発明においては、さらに、透明高分子基
体(A)の一方の主面をコロナ放電処理および/または
グロー放電処理し、この処理面上に酸窒化珪素からなる
層(B)を積層することが望ましい。これらの処理によ
り、透明高分子基体(A)の表面が活性化および清浄化
されて、酸窒化珪素からなる層(B)との密着性がより
良好となる。
In the present invention, one main surface of the transparent polymer substrate (A) is subjected to a corona discharge treatment and / or a glow discharge treatment, and a layer (B) made of silicon oxynitride is laminated on the treated surface. It is desirable to do. By these treatments, the surface of the transparent polymer substrate (A) is activated and cleaned, and the adhesion to the layer (B) made of silicon oxynitride is further improved.

【0025】コロナ放電処理の条件は特に制限は無い
が、通常は、大気中で10〜100kVの条件で行う。
グロー放電処理の条件も特に制限は無いが、通常は、2
0Pa以下の減圧下で、酸素、窒素、一酸化窒素、アル
ゴン、水素等のガスを使用すれば良い。
There are no particular restrictions on the conditions of the corona discharge treatment, but usually, the treatment is carried out in the atmosphere at 10 to 100 kV.
The conditions for the glow discharge treatment are not particularly limited, but usually are 2
Under a reduced pressure of 0 Pa or less, a gas such as oxygen, nitrogen, nitrogen monoxide, argon, or hydrogen may be used.

【0026】本発明においては、さらに、透明高分子基
体(A)の一方の主面に、主としてニッケルからなる金
属薄膜層あるいは金属酸化物薄膜層(D)を積層し、こ
の層(D)上に酸窒化珪素からなる層(B)を積層する
ことが望ましい。このような層(D)を、透明高分子基
体(A)と酸窒化珪素からなる層(B)の間に介在させ
ることにより、耐アルカリ性がより良好となり、エッチ
ング加工などでアルカリを使用する工程がある場合に極
めて有効である。
In the present invention, a metal thin film layer or a metal oxide thin film layer (D) mainly composed of nickel is laminated on one main surface of the transparent polymer substrate (A). It is desirable to laminate a layer (B) made of silicon oxynitride on the substrate. By interposing such a layer (D) between the transparent polymer substrate (A) and the layer (B) made of silicon oxynitride, the alkali resistance becomes better, and a step of using an alkali for etching or the like. It is extremely effective when there is.

【0027】この層(D)は、主としてニッケルから形
成されるものであり、クロム、鉄などの金属との合金で
も良い。また、金属薄膜でも金属酸化物薄膜でも良く、
連続膜でなくても、島状の不連続膜でも良い。その厚み
は、耐アルカリ性を損なわない範囲で、特に可視光線透
過率を考慮した薄い厚みを適宜決定すれば良い。計算上
の厚さとしては、通常0.2〜3nm程度が好ましい。
この厚さを0.2nm以上にすれば耐アルカリ性の効果
がより良好に得られ、3nm以下にすれば透明性がより
良好となる。
This layer (D) is mainly formed of nickel, and may be an alloy with a metal such as chromium or iron. Also, a metal thin film or a metal oxide thin film may be used.
Instead of a continuous film, an island-shaped discontinuous film may be used. The thickness may be appropriately determined as long as the thickness does not impair the alkali resistance, particularly considering the visible light transmittance. The calculated thickness is usually preferably about 0.2 to 3 nm.
When the thickness is 0.2 nm or more, the effect of alkali resistance is more favorably obtained, and when the thickness is 3 nm or less, transparency is further improved.

【0028】この層(D)の成膜方法としては、真空蒸
着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法とい
った従来の公知技術のいずれも採用できる。
As the method for forming the layer (D), any of the conventionally known techniques such as a vacuum deposition method, a sputtering method, and an ion plating method can be adopted.

【0029】本発明においては、さらに、透明高分子基
体(A)の一方の主面をコロナ放電処理および/または
グロー放電処理し、この処理面上に主としてニッケルか
らなる金属薄膜層あるいは金属酸化物薄膜層(D)を積
層し、この層(D)上に酸窒化珪素からなる層(B)を
積層するすることが望ましい。これにより、先に説明し
た特定処理による密着性の向上、層(D)による耐アル
カリ性の向上の効果を同時に発現でき、より良好なもの
が得られる。
In the present invention, one main surface of the transparent polymer substrate (A) is further subjected to a corona discharge treatment and / or a glow discharge treatment, and a metal thin film layer or a metal oxide mainly composed of nickel is formed on the treated surface. It is desirable that a thin film layer (D) be laminated, and a layer (B) made of silicon oxynitride be laminated on this layer (D). As a result, the effect of improving the adhesion by the specific treatment described above and the effect of improving the alkali resistance by the layer (D) can be simultaneously exhibited, and a better product can be obtained.

【0030】本発明の透明導電性フィルムは、直径8m
mのポリアセタールペンを用いて、250g荷重で10
万往復(3往復/1秒、片道距離35mm)した後のリ
ニアリティが1.5%以下であることを特徴とする。以
下、このリニアリティの測定法(筆記特性評価法)を、
図面を参照して説明する。
The transparent conductive film of the present invention has a diameter of 8 m.
m with a 250 g load using a 10 m polyacetal pen.
The linearity after every reciprocation (3 reciprocations / 1 second, one-way distance 35 mm) is 1.5% or less. Hereinafter, this linearity measurement method (writing characteristic evaluation method)
This will be described with reference to the drawings.

【0031】図1は、本発明のタッチパネルサンプルの
リニアリティを測定する状態を示す模式的断面図であ
る。この図において、タッチパネルサンプルは、導電膜
付きガラス1上に、スペーサー2を介して、透明導電性
フィルム3が積層され、さらにその上に接着層4を介し
てハードコート付き偏光フィルム5が積層されてなる。
このタッチパネルの透明電極として使用される透明導電
性フィルム3のリニアリティを測定する場合は、この図
1に示すように、直径8mmのポリアセタールペン6を
用いて、250g荷重で10万往復(速度:3往復/1
秒、片道距離35mm)する。
FIG. 1 is a schematic sectional view showing a state of measuring the linearity of a touch panel sample of the present invention. In this figure, in the touch panel sample, a transparent conductive film 3 is laminated on a glass 1 with a conductive film via a spacer 2, and a polarizing film 5 with a hard coat is further laminated thereon via an adhesive layer 4. It becomes.
When measuring the linearity of the transparent conductive film 3 used as a transparent electrode of this touch panel, as shown in FIG. 1, a 100,000 reciprocation with a 250 g load (speed: 3) using a polyacetal pen 6 having a diameter of 8 mm. Round trip / 1
Second, one-way distance 35 mm).

【0032】図2は、本発明のタッチパネルサンプルの
リニアリティを測定する状態を示す模式的平面図であ
る。ポリアセタールペン6を摺動させる場合は、この図
2に示すように、電極9の間(摺動部8)を往復摺動さ
せる。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a state of measuring the linearity of the touch panel sample of the present invention. When sliding the polyacetal pen 6, as shown in FIG. 2, the sliding between the electrodes 9 (sliding portion 8) is reciprocated.

【0033】図3は、リニアリティの測定法を説明する
ためのグラフである。一方の電極9から測定点までの距
離と電圧との関係を測定すると、この図3示す鎖線のよ
うに、理想的には直線となる筈である(理想電圧)。し
かし、実際には、その距離と電圧との関係は、図3に示
す実線のように曲線となる(測定電圧)。ここで、10
万往復した後の距離と電圧との関係をグラフで表わし、
理想電圧値とのズレ(△Vと△V’)を算出し、△Vと
△V’のうち大きい方の値(△Vmax)と、その距離で
の理想電圧の値(V)を用いて、以下の式より、リニア
リティを算出する。
FIG. 3 is a graph for explaining a method of measuring linearity. When the relationship between the distance from one electrode 9 to the measurement point and the voltage is measured, it should ideally be a straight line (ideal voltage) as shown by the chain line in FIG. However, actually, the relationship between the distance and the voltage is a curve (measured voltage) as shown by the solid line in FIG. Where 10
The relationship between the distance and voltage after 10,000 round trips is represented by a graph,
The deviation from the ideal voltage value (ΔV and ΔV ′) is calculated, and the larger value (ΔVmax) of ΔV and ΔV ′ and the ideal voltage value (V) at that distance are used. The linearity is calculated from the following equation.

【0034】 リニアリティ(%)=(△Vmax/V)×100 このリニアリティの測定は、具体的には図2に示すよう
に、5cm×9cm角に切ったサンプルの9cm方向に
電圧を5V印加し、1cm間隔で電圧を測定し、理想値
からのズレ(△Vと△V’)を算出すればよい。
Linearity (%) = (△ Vmax / V) × 100 In the measurement of the linearity, specifically, as shown in FIG. 2, a voltage of 5 V is applied in a 9 cm direction of a sample cut into a 5 cm × 9 cm square. The voltage may be measured at 1 cm intervals, and the deviation from the ideal value (ΔV and ΔV ′) may be calculated.

【0035】また、本発明の透明導電性フィルムは、リ
ターデーション値が15nm以下であることを特徴とす
る。このリターデーション値は、基材フィルムのTD方
向とMD方向の屈折率の差(△n)を算出し、以下の式
より算出する。
Further, the transparent conductive film of the present invention is characterized in that the retardation value is 15 nm or less. The retardation value is calculated by calculating the difference (Δn) between the refractive index in the TD direction and the refractive index in the MD direction of the base film, and using the following equation.

【0036】リターデーション(nm)=d×△n すなわち、リターデーション値は、基材フィルムのTD
方向とMD方向の屈折率の差に基材フィルムの厚みをか
けた値である。
Retardation (nm) = d × Δn That is, the retardation value is determined by the TD of the base film.
It is a value obtained by multiplying the difference between the refractive index in the MD direction and the refractive index in the MD direction by the thickness of the base film.

【0037】[0037]

【実施例】以下、本発明を実施例により更に詳細に説明
する。
The present invention will be described in more detail with reference to the following examples.

【0038】<実施例1>キャスト法により製膜した1
00μm厚のポリカーボネートフィルム(帝人(株)
製)の両面にノンソルベントタイプのアクリルエステル
系硬化型樹脂(日本ゼオン(株)製、商品名クインビー
ム−7008)を10μm塗布した透明高分子基材に、
酸素グロー放電処理(1.3Pa、900W、1分間)
を施した。
<Example 1> A film 1 was formed by a casting method.
00 µm thick polycarbonate film (Teijin Corporation)
A non-solvent type acrylic ester-based curable resin (manufactured by Nippon Zeon Co., Ltd., trade name: Quinbeam-7008) coated on both sides of a transparent polymer base material having a thickness of 10 μm,
Oxygen glow discharge treatment (1.3 Pa, 900 W, 1 minute)
Was given.

【0039】次いで、反応ガスを窒素/アルゴン=1.
5の割合で導入し、0.5Pa雰囲気下でDCマグネト
ロンスパッタリング法により、16nm厚の酸窒化珪素
からなる層を形成した。
Next, the reaction gas was nitrogen / argon = 1.
Then, a layer made of silicon oxynitride having a thickness of 16 nm was formed by a DC magnetron sputtering method under an atmosphere of 0.5 Pa.

【0040】更に連続して、錫を20重量%含有したイ
ンジウム錫合金をターゲットとして使用し、反応ガスを
アルゴン/酸素=40の割合で導入し、0.4Pa雰囲
気下でDCマグネトロンスパッタリング法により、酸化
インジウム錫を表面抵抗値が500Ω/□になる膜厚
(20nm)だけ成膜して透明導電膜層とし、本発明の
透明導電性フィルムを作製した。
Continuously, using an indium tin alloy containing 20% by weight of tin as a target, a reaction gas was introduced at a ratio of argon / oxygen = 40, and a DC magnetron sputtering method was performed under an atmosphere of 0.4 Pa. A transparent conductive film of the present invention was produced by forming indium tin oxide to a thickness (20 nm) with a surface resistance of 500 Ω / □ to form a transparent conductive film layer.

【0041】<実施例2>酸素グロー放電処理の代わり
にコロナ放電処理(印加電圧3.5kV、速度3m/
分)を行なったこと以外は、実施例1と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。
<Example 2> Instead of the oxygen glow discharge treatment, a corona discharge treatment (applied voltage: 3.5 kV, speed: 3 m /
A transparent conductive film was prepared under the same conditions as in Example 1 except that the above steps were performed.

【0042】<実施例3>アクリルエステル系硬化型樹
脂の代わりにエポキシアクリレート系樹脂(帝国化学産
業(株)製、商品名TUR1776HV)を使用し、か
つ酸窒化珪素からなる層の厚みを10nmとしたこと以
外は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィルムを作製
した。
Example 3 An epoxy acrylate resin (trade name: TUR1776HV, manufactured by Teikoku Chemical Industry Co., Ltd.) was used in place of the acrylic ester-curable resin, and the thickness of the silicon oxynitride layer was 10 nm. A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except for the above.

【0043】<実施例4>酸窒化珪素からなる層の厚み
を10nmとしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透
明導電性フィルムを作製した。
Example 4 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the layer made of silicon oxynitride was 10 nm.

【0044】<実施例5>酸窒化珪素からなる層の厚み
を20nmとしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透
明導電性フィルムを作製した。
Example 5 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the layer made of silicon oxynitride was changed to 20 nm.

【0045】<実施例6>グロー放電処理を施した後、
酸窒化珪素からなる層の形成前に、そのグロー放電処理
を施した面上に厚さ1nmのニッケルクロム合金膜を形
成したこと以外は実施例1と同じ条件で透明導電性フィ
ルムを作製した。
<Embodiment 6> After performing the glow discharge treatment,
A transparent conductive film was manufactured under the same conditions as in Example 1 except that a 1-nm-thick nickel-chromium alloy film was formed on the surface subjected to the glow discharge treatment before forming the layer made of silicon oxynitride.

【0046】<実施例7>ニッケルクロム合金膜の厚さ
を2nmとしたこと以外は、実施例6と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。
Example 7 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 6, except that the thickness of the nickel-chromium alloy film was changed to 2 nm.

【0047】<実施例8>グロー放電処理を行わないこ
と以外は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィルムを
作製した。
Example 8 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the glow discharge treatment was not performed.

【0048】<実施例9>グロー放電条件を650W
(0.5A、1300V)にしたこと以外は、実施例1
と同じ条件で透明導電性フィルムを作製した。
<Embodiment 9> The glow discharge condition was 650 W
(0.5 A, 1300 V)
Under the same conditions as above, a transparent conductive film was produced.

【0049】<実施例10>グロー放電ガスを空気とし
たこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィル
ムを作製した。
Example 10 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the glow discharge gas was air.

【0050】<実施例11>酸窒化珪素からなる層の成
膜時の反応ガスを、窒素/アルゴン=2としたこと以外
は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィルムを作製し
た。
Example 11 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the reaction gas used for forming the silicon oxynitride layer was changed to nitrogen / argon = 2.

【0051】<実施例12>酸窒化珪素からなる層の成
膜時の反応ガスを、窒素/アルゴン=4としたこと以外
は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィルムを作製し
た。
Example 12 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the reaction gas used for forming the silicon oxynitride layer was changed to nitrogen / argon = 4.

【0052】<実施例13>酸化インジウム錫からなる
透明導電膜層の表面抵抗値が350Ω/□になるように
成膜したこと以外は、実施例1と同じ条件で透明導電性
フィルムを作製した。
Example 13 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the transparent conductive film layer made of indium tin oxide was formed to have a surface resistance of 350 Ω / □. .

【0053】<比較例1>酸窒化珪素からなる層の厚み
を2nmとしたこと以外は、実施例1と同じ条件で透明
導電性フィルムを作製した。
Comparative Example 1 A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the thickness of the layer made of silicon oxynitride was changed to 2 nm.

【0054】<比較例2>酸窒化珪素からなる層の成膜
時の反応ガスを、窒素/アルゴン=0.5としたこと以
外は、実施例1と同じ条件で透明導電性フィルムを作製
した。
<Comparative Example 2> A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the reaction gas at the time of forming the silicon oxynitride layer was nitrogen / argon = 0.5. .

【0055】<比較例3>酸化インジウム錫からなる透
明導電膜層の厚さを5nmとし、その表面抵抗値が2k
Ω/□になるように成膜したこと以外は、実施例1と同
じ条件で透明導電性フィルムを作製した。
Comparative Example 3 The thickness of the transparent conductive film layer made of indium tin oxide was 5 nm, and the surface resistance value was 2 k.
A transparent conductive film was produced under the same conditions as in Example 1 except that the film was formed to have a resistance of Ω / □.

【0056】<評価>各実施例及び各比較例で作製した
透明導電性フィルムの表面抵抗、透過率、筆記特性(リ
ニアリティ)、リターデーション値、密着性、耐アルカ
リ性を、以下の手法で評価した。評価結果を下記表1に
示す。
<Evaluation> The surface resistance, transmittance, writing characteristics (linearity), retardation value, adhesion, and alkali resistance of the transparent conductive films produced in each of the examples and comparative examples were evaluated by the following methods. . The evaluation results are shown in Table 1 below.

【0057】[表面抵抗(R、Ω/□)]4端子法によ
り測定した。
[Surface resistance (R, Ω / □)] Measured by a four-terminal method.

【0058】[透過率(Tvis、%)]日立製作所
(株)製、分光光度計U−3500使用して測定した。
[Transmittance (Tvis,%)] The transmittance was measured using a spectrophotometer U-3500 manufactured by Hitachi, Ltd.

【0059】[筆記特性(リニアリティ%)]図1及び
図2に示したように、透明導電性フィルム3に接着剤を
設けてハードコート付き偏光フィルム5を貼り合わせ、
透明導電性フィルム3側をスペーサー2付き導電膜付き
ガラス1と重ね合せ、このサンプルの偏光フィルム5側
をポリアセタールペンでリニアリティーを評価した。摺
動条件は、250g荷重、10万往復(3往復/1秒、
片道距離35mm)とした。また、導電膜付きガラス1
の導電膜はSnO2膜、スペーサー2の材質はアクリル
系樹脂、幅は100μm、高さは200μm、接着剤4
の厚みは20μm、ハードコート付き偏光フィルム5の
硬度は2H以上、厚みは180μmとした。
[Writing Characteristics (Linearity%)] As shown in FIGS. 1 and 2, an adhesive is provided on the transparent conductive film 3 and the polarizing film 5 with a hard coat is attached thereto.
The transparent conductive film 3 side was overlapped with the glass 1 with a conductive film provided with the spacer 2, and the linearity of the polarizing film 5 side of this sample was evaluated with a polyacetal pen. The sliding conditions were 250 g load, 100,000 reciprocations (3 reciprocations / 1 second,
(One-way distance 35 mm). Glass with conductive film 1
Is a SnO 2 film, the material of the spacer 2 is an acrylic resin, the width is 100 μm, the height is 200 μm, and the adhesive 4
Was 20 μm, the hardness of the polarizing film 5 with a hard coat was 2 H or more, and the thickness was 180 μm.

【0060】10万往復摺動後、図2に示すように、5
cm×9cm角に切ったサンプルの9cm方向に電圧を
5V印加し、1cm間隔で電圧を測定し、理想値からの
ズレ(△Vと△V’)を算出し、リニアリティを求め
た。
After sliding 100,000 reciprocations, as shown in FIG.
A voltage of 5 V was applied in the 9 cm direction of the sample cut into a square of 9 cm square, the voltage was measured at 1 cm intervals, and the deviation from the ideal value (ΔV and ΔV ′) was calculated to determine the linearity.

【0061】[リターデーション値]平行ニコル回転法
に従って、新王子製紙(株)製KOBRA−21ADH
を用い、基材フィルムのTD方向とMD方向の屈折率の
差を算出し、この値に基材フィルムの厚みをかけてリタ
ーデーション値を得た。
[Retardation value] KOBRA-21ADH manufactured by Shin-Oji Paper Co., Ltd. according to the parallel Nicol rotation method.
Was used to calculate the difference in the refractive index between the TD direction and the MD direction of the base film, and this value was multiplied by the thickness of the base film to obtain a retardation value.

【0062】[密着性(gf/inch)]JIS K
6854に準じ、島津オートグラフAGS−100Aを
使用し、90゜×5mm/分剥離の条件で実施した。一
般的には、50gf/inch以上が合格基準である。
[Adhesion (gf / inch)] JIS K
According to 6854, the peeling was performed at 90 ° × 5 mm / min using Shimadzu Autograph AGS-100A. Generally, 50 gf / inch or more is a passing criterion.

【0063】[耐アルカリ性]3.5%KOHに3分浸
漬(23℃)後の抵抗変化率を測定し、(R/R0)≦
1.1のものを「◎」とし、1.1<(R/R0)<1.3
のものを「○」とし、1.3≦(R/R0)のものを
「×」とした。
[Alkali Resistance] The resistance change rate after immersion in 3.5% KOH for 3 minutes (23 ° C.) was measured, and (R / R 0) ≦
1.1 is defined as “◎”, and 1.1 <(R / R0) <1.3.
Was evaluated as “「 ”and 1.3 ≦ (R / R0) was evaluated as“ × ”.

【0064】[0064]

【表1】 [Table 1]

【0065】[0065]

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
特に、耐筆記性、耐アルカリ性および密着性に優れたタ
ッチパネル用透明導電性フィルムを提供できる。
As described above, according to the present invention,
In particular, it is possible to provide a transparent conductive film for a touch panel excellent in writing resistance, alkali resistance and adhesion.

【0066】本発明の透明導電性フィルムは、上述の優
れた各特性を有するので、例えば、視認性を向上させる
ため液晶表示素子の偏光板の下に透明導電性フィルムを
設置する構成のタッチパネルに極めて有効に使用でき
る。
The transparent conductive film of the present invention has the above-mentioned excellent properties. For example, the transparent conductive film may be applied to a touch panel having a structure in which a transparent conductive film is provided under a polarizing plate of a liquid crystal display element in order to improve visibility. It can be used very effectively.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明のタッチパネルサンプルのリニアリティ
を測定する状態を示す模式的断面図である。
FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a state of measuring the linearity of a touch panel sample according to the present invention.

【図2】本発明のタッチパネルサンプルのリニアリティ
を測定する状態を示す模式的平面図である。
FIG. 2 is a schematic plan view showing a state of measuring the linearity of the touch panel sample of the present invention.

【図3】リニアリティの測定法を説明するためのグラフ
である。
FIG. 3 is a graph for explaining a linearity measurement method.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 導電膜付きガラス 2 スペーサー 3 透明導電性フィルム 4 接着剤 5 ハードコート付き偏光フィルム 6 ポリアセタールペン 8 摺動部 9 電極 DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass with conductive film 2 Spacer 3 Transparent conductive film 4 Adhesive 5 Polarizing film with hard coat 6 Polyacetal pen 8 Sliding part 9 Electrode

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 原田 祐一郎 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 鈴木 彰 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内 (72)発明者 中島 明美 愛知県名古屋市南区丹後通2丁目1番地 三井東圧化学株式会社内 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continuing on the front page (72) Inventor Yuichiro Harada 2-1-1 Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi Inside Mitsui Toatsu Chemicals Co., Ltd. (72) Akira Suzuki 2-chome Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi No. 1 Mitsui Toatsu Chemical Co., Ltd. (72) Inventor Akemi Nakajima 2-1-1 Tango-dori, Minami-ku, Nagoya-shi, Aichi Prefecture

Claims (6)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 直径8mmのポリアセタールペンを用い
て、250g荷重で10万往復(3往復/1秒、片道距
離35mm)した後のリニアリティが1.5%以下であ
り、かつリターデーション値が15nm以下であるタッ
チパネル用透明導電性フィルム。
1. The linearity after 100,000 reciprocations (3 reciprocations / 1 second, one-way distance 35 mm) with a load of 250 g using a polyacetal pen having a diameter of 8 mm is 1.5% or less, and the retardation value is 15 nm. The following transparent conductive film for touch panels.
【請求項2】 透明高分子基体(A)の一方の主面に、
酸窒化珪素からなる層(B)、酸化インジウム錫からな
る透明導電膜層(C)を順次積層してなる請求項1記載
のタッチパネル用透明導電性フィルム。
2. A transparent polymer substrate (A) having one main surface
The transparent conductive film for a touch panel according to claim 1, wherein a layer (B) made of silicon oxynitride and a transparent conductive film layer (C) made of indium tin oxide are sequentially laminated.
【請求項3】 透明高分子基体(A)の一方の主面をコ
ロナ放電処理および/またはグロー放電処理し、該処理
面上に酸窒化珪素からなる層(B)を積層する請求項2
記載のタッチパネル用透明導電性フィルム。
3. A main surface of the transparent polymer substrate (A) is subjected to a corona discharge treatment and / or a glow discharge treatment, and a layer (B) made of silicon oxynitride is laminated on the treated surface.
The transparent conductive film for a touch panel according to the above.
【請求項4】 透明高分子基体(A)の一方の主面に、
主としてニッケルからなる金属薄膜層あるいは金属酸化
物薄膜層(D)を積層し、該層(D)上に酸窒化珪素か
らなる層(B)を積層する請求項2記載のタッチパネル
用透明導電性フィルム。
4. The method according to claim 1, wherein one of the main surfaces of the transparent polymer substrate (A) is
The transparent conductive film for a touch panel according to claim 2, wherein a metal thin film layer or a metal oxide thin film layer (D) mainly composed of nickel is laminated, and a layer (B) composed of silicon oxynitride is laminated on the layer (D). .
【請求項5】 透明高分子基体(A)の一方の主面をコ
ロナ放電処理および/またはグロー放電処理し、該処理
面上に主としてニッケルからなる金属薄膜層あるいは金
属酸化物薄膜層(D)を積層し、該層(D)上に酸窒化
珪素からなる層(B)を積層する請求項2記載のタッチ
パネル用透明導電性フィルム。
5. One of the main surfaces of the transparent polymer substrate (A) is subjected to a corona discharge treatment and / or a glow discharge treatment, and a metal thin film layer or a metal oxide thin film layer (D) mainly composed of nickel is formed on the treated surface. 3. The transparent conductive film for a touch panel according to claim 2, wherein a layer (B) made of silicon oxynitride is laminated on the layer (D).
【請求項6】 酸窒化珪素からなる層(B)の厚さが3
〜30nmである請求項1ないし5の何れか一項記載の
タッチパネル用透明導電性フィルム。
6. A layer (B) made of silicon oxynitride having a thickness of 3
The transparent conductive film for a touch panel according to any one of claims 1 to 5, wherein the thickness is from 30 to 30 nm.
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Cited By (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002029830A1 (en) * 2000-09-29 2002-04-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent substrate with conductive multilayer anti reflection film, transparent touch panel using the transparent substrate with multilayer anti reflection film and electronic apparatus using the touch panel
JP2010076100A (en) * 2008-09-24 2010-04-08 Toppan Printing Co Ltd Transparent conductive laminated film
JP2014000812A (en) * 2013-07-12 2014-01-09 Toppan Printing Co Ltd Transparent conductive laminate film
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9134851B2 (en) 2002-02-20 2015-09-15 Apple Inc. Light sensitive display
WO2015159804A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-22 旭硝子株式会社 Laminate, conductive laminate and electronic device
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US9354735B2 (en) 2002-05-23 2016-05-31 Apple Inc. Light sensitive display
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US9939935B2 (en) 2013-07-31 2018-04-10 Apple Inc. Scan engine for touch controller architecture
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
US10061450B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication
US11073926B2 (en) 2002-02-20 2021-07-27 Apple Inc. Light sensitive display

Cited By (30)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2002029830A1 (en) * 2000-09-29 2002-04-11 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent substrate with conductive multilayer anti reflection film, transparent touch panel using the transparent substrate with multilayer anti reflection film and electronic apparatus using the touch panel
JPWO2002029830A1 (en) * 2000-09-29 2004-02-19 松下電器産業株式会社 Transparent substrate with multilayer anti-reflection film having conductivity, transparent touch panel using this transparent substrate with multi-layer anti-reflection film, and electronic device using this transparent touch panel
US6727566B1 (en) 2000-09-29 2004-04-27 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Transparent substrate with conductive multilayer anti reflection film, transparent touch panel using the transparent substrate with multilayer anti reflection film and electronic apparatus using the touch panel
US9411470B2 (en) 2002-02-20 2016-08-09 Apple Inc. Light sensitive display with multiple data set object detection
US11073926B2 (en) 2002-02-20 2021-07-27 Apple Inc. Light sensitive display
US9134851B2 (en) 2002-02-20 2015-09-15 Apple Inc. Light sensitive display
US9971456B2 (en) 2002-02-20 2018-05-15 Apple Inc. Light sensitive display with switchable detection modes for detecting a fingerprint
US9354735B2 (en) 2002-05-23 2016-05-31 Apple Inc. Light sensitive display
JP2010076100A (en) * 2008-09-24 2010-04-08 Toppan Printing Co Ltd Transparent conductive laminated film
US9310923B2 (en) 2010-12-03 2016-04-12 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US9329703B2 (en) 2011-06-22 2016-05-03 Apple Inc. Intelligent stylus
US8928635B2 (en) 2011-06-22 2015-01-06 Apple Inc. Active stylus
US9921684B2 (en) 2011-06-22 2018-03-20 Apple Inc. Intelligent stylus
US9519361B2 (en) 2011-06-22 2016-12-13 Apple Inc. Active stylus
US9652090B2 (en) 2012-07-27 2017-05-16 Apple Inc. Device for digital communication through capacitive coupling
US9582105B2 (en) 2012-07-27 2017-02-28 Apple Inc. Input device for touch sensitive devices
US9557845B2 (en) 2012-07-27 2017-01-31 Apple Inc. Input device for and method of communication with capacitive devices through frequency variation
US9176604B2 (en) 2012-07-27 2015-11-03 Apple Inc. Stylus device
US10048775B2 (en) 2013-03-14 2018-08-14 Apple Inc. Stylus detection and demodulation
JP2014000812A (en) * 2013-07-12 2014-01-09 Toppan Printing Co Ltd Transparent conductive laminate film
US10845901B2 (en) 2013-07-31 2020-11-24 Apple Inc. Touch controller architecture
US9939935B2 (en) 2013-07-31 2018-04-10 Apple Inc. Scan engine for touch controller architecture
US11687192B2 (en) 2013-07-31 2023-06-27 Apple Inc. Touch controller architecture
US10067580B2 (en) 2013-07-31 2018-09-04 Apple Inc. Active stylus for use with touch controller architecture
WO2015159804A1 (en) * 2014-04-15 2015-10-22 旭硝子株式会社 Laminate, conductive laminate and electronic device
US10664113B2 (en) 2014-12-04 2020-05-26 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus
US10067618B2 (en) 2014-12-04 2018-09-04 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10061449B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch and stylus
US10061450B2 (en) 2014-12-04 2018-08-28 Apple Inc. Coarse scan and targeted active mode scan for touch
US10474277B2 (en) 2016-05-31 2019-11-12 Apple Inc. Position-based stylus communication

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