JPH11103088A - 半導体導波路型受光素子 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 光検出部と光減衰部が集積されていて、製作
プロセスは簡略化され、実働時の無効電流が１nA以下に
なる半導体導波路型受光素子を提供する。 【解決手段】 第１下部クラッド層２，第１光吸収層１
および第１上部クラッド層３から成る光検出部Ａと、第
２下部クラッド層８，第１光吸収層１と光学的に結合し
ている第２光吸収層７および第２上部クラッド層９から
成り、かつ光検出部Ａと光入射面Ｃの間に配置された光
減衰部Ｂとを備えており、第１下部クラッド層２がｎ型
またはｐ型の半導体から成り、かつ第１上部クラッド層
３が第１下部クラッド層２と逆導電型の半導体から成
り、また、第２下部クラッド層８が第１上部クラッド層
３と同じ導電型の半導体から成り、かつ第２上部クラッ
ド層９が第１下部クラッド層２と同じ導電型の半導体か
ら成り、第１下部クラッド層２と第２上部クラッド層９
が互いに電気的に結合されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は光検出部と光減衰部
をモノリシックに集積した半導体導波路型受光素子に関
し、更に詳しくは、バイアス電圧の印加時における無効
電流を低減することができ、また製作プロセスを簡略化
することができる半導体導波路型受光素子に関する。

【０００２】

【従来の技術】特開平９−６４３９９号公報には、次の
ような構造の半導体導波路型受光素子が開示されてい
る。すなわち、第１の光吸収層を互いに逆の導電型の半
導体から成る光閉じ込め層で挟んだ構造の光検出部と光
入射面との間に、前記した第１の光吸収層と光学的に結
合した第２の光吸収層を前記光閉じ込め層と同じ閉じ込
め層で挟んだ構造の光減衰部を配置し、かつ、前記光検
出部と前記光減衰部の間に半絶縁性の半導体や絶縁性の
有機材料から成る電気的分離部を介装して光検出部と光
減衰部の電気的な分離を実現しているものである。

【０００３】この受光素子は、光検出部と光減衰部に独
立して互いに逆バイアスの電圧を印加してその機能を発
揮せしめる。すなわち、光入射面への入射光の受光強度
に応じて光減衰部への印加電圧を調整することにより当
該光減衰部で入射光の一部を吸収したのち、減衰した光
を光検出部に伝搬し、そこで光電流に変換して電気信号
を取り出すものである。この受光素子は、入射光の強度
が大きければ光減衰部における減衰を大きくし、逆に入
射光の強度が小さければ光減衰部における減衰を小さく
することにより、光検出部の感度を可変にすることがで
きるので、広帯域で強度幅が広い信号光に対しても光変
換の線型性が良好になるという効果を奏する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、上記した受
光素子の場合、光検出部と光減衰部に互いに異なる逆バ
イアス電圧を印加すると、それぞれの印加電圧の電位差
によっては、光検出部に無効電流の流れることがある。
その場合、この無効電流は光検出部における暗電流と同
程度であるかそれ以下でなければならない。具体的に
は、１nA以下に上記無効電流を抑制することが必要にな
る。

【０００５】仮に、光検出部と光減衰部への電位差が最
大で１０Ｖとなる動作条件で前記受光素子を動作させた
場合、光検出部への無効電流を１nA以下に抑制するため
には、光検出部と光減衰部の間に介装されている電気的
分離部の抵抗を１０ＧΩ以上にすることが必要となる。
ところで、この受光素子は、特開平９−６４３９９号公
報によれば大略次のような製作プロセスを踏んで製造さ
れる。

【０００６】まず、所定の半導体基板の上に、エピタキ
シャル成長法により例えばｎ型半導体から成る下部クラ
ッド層（光閉じ込め層）と、第１の光吸収層と、前記下
部クラッド層の半導体と逆導電型の半導体、すなわち、
ｐ型半導体から成る上部クラッド層（光閉じ込め層）と
の積層構造を形成したのち、形成すべき光検出部に相当
する個所以外の前記積層構造を、少なくとも前記第１の
光吸収層に至るまで完全にエッチング除去する。そし
て、エッチング除去した個所に、形成すべき光減衰部に
相当する積層構造、すなわち、前記したｎ型半導体から
成る下部クラッド層の上に第２の光吸収層と前記したｐ
型半導体から成る半導体の上部クラッド層を積層した構
造を形成する。

【０００７】ついで、エッチング処理を行って、光検出
部と光減衰部が光路長方向で所定の間隔を置いて離隔し
ている形状の例えばメサストライプを形成したのち、例
えばポリイミドのような絶縁性有機材料や半絶縁性半導
体で前記メサストライプを埋め込む。その後、これら絶
縁性材料にホトリソグラフィーとエッチングを行って、
これらの絶縁性材料の不要部を除去して、光検出部と光
減衰部の間に電気的分離部を形成したのち、更にこれら
光検出部と光減衰部にそれぞれの駆動電極を装荷する。

【０００８】したがって、この受光素子の場合、光検出
部と光減衰部との電気的な分離を実現してその機能を発
揮させるためには、かなり複雑な製作プロセスを踏まな
ければならない。しかも、光検出部と光減衰部の間の電
気的分離部を例えば半絶縁性半導体で形成した場合、そ
の材料の抵抗率が充分に大きくないと、両者間の抵抗は
高々数１０ＭΩであるにすぎず、光検出部への前記した
無効電流を１nA以下に抑制することは困難である。

【０００９】また、電気的分離部をポリイミドのような
絶縁性有機材料で形成すると、その有機材料と半導体の
屈折率が異なるので、有機材料と半導体の界面で信号光
の反射が起こり、光損失やノイズが発生する。そのため
に、特開平９−６４３９９号の受光素子の場合、光検出
部と光減衰部の光路長方向における間隔を、入射光波長
の１／２の整数倍に設定している。

【００１０】しかしながら、上記したような間隔を例え
ば０.１μｍ以下の精度をもってエッチング技術で形成
することは極めて困難である。しかも、この受光素子
を、その将来が期待されている波長多重伝送技術に使用
することを考えた場合、仮に電気的分離部の長さを上記
したような条件で形成し得たとしても、それはある波長
に対してのみ有効であるにすぎず、波長によっては反射
を生ずることが不可避であるという問題を孕んでいる。

【００１１】本発明は、特開平９−６４３９９号公報で
開示されている受光素子における上記した問題を解決
し、その製作プロセスは簡略化され、光検出部と光減衰
部の間には特開平９−６４３９９号の受光素子の場合の
ような電気的分離部は存在しないにもかかわらず、実働
時における無効電流を１nA以下にすることが可能な半導
体導波路型受光素子の提供を目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記した目的を達成する
ために、本発明においては、第１下部クラッド層，第１
光吸収層および第１上部クラッド層から成る積層構造を
有する光検出部と、第２下部クラッド層，前記第１光吸
収層と光学的に結合している第２光吸収層および第２上
部クラッド層から成る積層構造の光減衰部を備え、かつ
前記光減衰部が前記光検出部と光入射面の間に配置され
ている半導体導波路型受光素子において、前記第１下部
クラッド層がｎ型またはｐ型の半導体から成り、かつ前
記第１上部クラッド層が前記第１下部クラッド層と逆導
電型の半導体から成り、また、前記第２下部クラッド層
が前記第１上部クラッド層と同じ導電型の半導体から成
り、かつ前記第２上部クラッド層が前記第１下部クラッ
ド層と同じ導電型の半導体から成り、前記第１下部クラ
ッド層と前記第２上部クラッド層、または前記第１上部
クラッド層と前記第２下部クラッド層が互いに電気的に
結合されていることを特徴とする半導体導波路型受光素
子（以下、第１の受光素子という）が提供される。

【００１３】また、本発明においては、前記光検出部お
よび前記光減衰部の周辺の全部または一部が、前記互い
に電気的に結合しているクラッド層の半導体と同じ導電
型の半導体で埋め込まれている半導体導波路型受光素子
（以下、第２の受光素子という）が提供される。

【００１４】

【発明の実施の形態】まず、第１の受光素子について図
面に則して詳細に説明する。図１は第１の受光素子例を
示す斜視図であり、図２は図１のII−II線に沿う断面図
である。図１において、素子の上部には、信号光の伝搬
方向に沿ってメサストライプ形状をなした導波路が形成
され、信号光は光入射面Ｃからこの導波路内を伝搬して
いく。そして、上記導波路は、後述する光検出部Ａと、
この光検出部Ａと光入射面Ｃとの間に配置される光減衰
部Ｂをもって構成されており、これら光検出部Ａと光減
衰部Ｂは同じ基板の上に集積されている。

【００１５】まず、光検出部Ａは、後述する基板８の上
に、ノンドープ（ｉ型）半導体から成る第１光吸収層１
が、例えばｎ型半導体から成る第１下部クラッド層２と
その第１下部クラッド層２を構成する半導体と逆導電型
の半導体、すなわちｐ型半導体から成る第１上部クラッ
ド層３で挟まれた積層構造を有している。そして、第１
上部クラッド層３の上にはｐ型半導体から成るコンタク
ト層４が積層され、その全体は例えばＳｉＮｘから成る
絶縁膜５で被覆され、その絶縁膜５の一部が除去され、
表出したコンタクト層４の上に光検出用電極６が装荷さ
れている。

【００１６】したがって、上記した積層構造において、
第１下部クラッド層２と第１光吸収層１と第１上部クラ
ッド層３の間にはｎｉｐ接合構造が形成されている。一
方、光減衰部Ｂは、ｉ型半導体から成る第２光吸収層７
が、ｐ型半導体から成り、全体の基板をも兼ねる第２下
部クラッド層８とその第２下部クラッド層８を構成する
半導体とは逆導電型の半導体、すなわちｎ型半導体から
成る第２上部クラッド層９で挟まれた積層構造を有して
いる。ここで、前記第２光吸収層７は、光検出部Ａにお
ける第１光吸収層１と光学的に結合する、すなわち、第
２光吸収層７を伝搬する光は光検出部Ａの第１光吸収層
１に入射できるように形成されている。第２上部クラッ
ド層９の上面は前記絶縁膜５で被覆され、その一部が除
去され、表出した上部クラッド層９の上に共通電極１０
が装荷されている。そして第２下部クラッド層（基板）
９の裏面の全体には、前記光検出用電極６と共通電極１
０の双方の対極である光減衰用電極１１が装荷されてい
る。

【００１７】したがって、上記した積層構造において、
第２下部クラッド層（基板）８と第２光吸収層７と第２
上部クラッド層９の間にはｐｉｎ接合構造が形成されて
いる。以上の構造において重要なことは、前記第１下部
クラッド層２と第２上部クラッド層９とが電気的に結合
していることである。具体的には、第１下部クラッド層
２と第２上部クラッド層９が同じ導電型の半導体から成
る同一の層として形成されていることである。

【００１８】したがって、図示した受光素子において
は、同一基板に光検出部Ａと光減衰部Ｂが集積され、光
検出部Ａにはｎｉｐ接合構造が形成され、かつ光減衰部
Ｂには光検出部Ａとは逆のｐｉｎ接合構造が形成され、
ｎ型半導体のクラッド層（第１株クラッド層２と第２上
部クラッド層９）が互いに電気的に接続された構造にな
っている。

【００１９】なお、図の場合は、光検出部Ａをｎｉｐ接
合構造とし、光減衰部Ｂをｐｉｎ接合構造にしている
が、本発明の受光素子では、基板としてｎ型半導体を用
いることにより、光検出部Ａをｐｉｎ接合構造とし、光
減衰部Ｂをｎｉｐ接合構造にしてもよい。要は、光検出
部Ａと光減衰部Ｂ内に形成する半導体の接合構造を互い
に逆にすることが必要である。

【００２０】この第１の受光素子は次のようにして製造
することができる。まず、光減衰部Ｂにおける第２下部
クラッド層８をも兼ねるｐ型半導体の基板の全面に、エ
ピタキシャル成長法によりｉ型半導体から成る第２光吸
収層７とｎ型半導体から成る第２上部クラッド層９をこ
の順序で積層する。ついで、形成すべき光減衰部に相当
する箇所に例えばＳｉＮｘの絶縁膜を形成したのち、そ
の絶縁膜をマスクにして他の部分の積層構造を第２光吸
収層７が完全に除去されるまでエッチング除去する。通
常、第２下部クラッド層（基板）８の一部が除去される
程度の深さにまでエッチング除去する。

【００２１】前記絶縁膜を除去したのち全体の表面に、
ｎ型半導体から成る第１下部クラッド層２，ｉ型半導体
から成る第１光吸収層１，ｐ型半導体から成る第１上部
クラッド層３およびｐ型半導体から成るコンタクト層４
をこの順序で積層することにより目的とする光検出部Ａ
の積層構造を形成する。ついで、形成すべき光検出部に
相当する箇所に前記と同様に絶縁膜を形成したのち、他
の部分を前記した第２上部クラッド層９に到達するまで
エッチング除去する。そして、絶縁膜を除去したのち全
体にエッチング処理を行って図１で示したようなメサス
トライプ形状の導波路を形成する。

【００２２】ついで、電極を装荷すべき個所以外を絶縁
膜５で被覆したのち、コンタクト層４に光検出用電極
６、第２上部クラッド層９に共通電極１０、基板の裏面
に光減衰用電極１１をそれぞれ装荷する。そして最後に
劈開を行って光入射面Ｃを形成したのち、そこに例えば
ＳｉＮｘ薄膜を無反射膜として形成することにより本発
明の第１の受光素子が得られる。

【００２３】この受光素子においては、光検出部Ａの第
１下部クラッド層２と光減衰部Ｂの第２上部クラッド層
９が、いずれもｎ型半導体から成り、かつ互いに電気的
に結合して導通状態になっていて、光検出部Ａがｎｉｐ
接合構造を有し、光減衰部Ｂが逆のｐｉｎ接合構造にな
っている。この構造を等価回路で示すと図３のようにな
る。したがって、光検出部Ａと光減衰部Ｂに互いに異な
る逆バイアス電圧を印加した場合であっても、その電位
差がｐｉｎ（またはｎｉｐ）接合構造のブレータダウン
電圧以下であれば、光減衰部Ｂから光検出部Ａ（あるい
はその逆方向）に流れる電流（無効電流）はｐｉｎ（ま
たはｎｉｐ）接合構造の暗電流と同程度、すなわち１nA
以下になる。

【００２４】そして、この受光素子の場合は、特開平９
−６４３９９号公報の受光素子の場合のように光検出部
と光減衰部の間に寸法精度が厳しい電気的分離用の間隔
をエッチングによって形成することが不要になるので、
全体の製作プロセスは簡略になる。なお、上記した製造
方法に関する説明では、最初に光減衰部Ｂを形成したの
ち光検出部を形成する場合を示したが、その逆、すなわ
ち最初に光検出部を形成し、ついで光減衰部を形成する
態様であってもよい。

【００２５】以上説明した第１の受光素子において、光
減衰部Ｂとしてｐ−ＩｎＰ基板８の上に、バンドギャッ
プ波長が１.４５μｍのノンドープＧａＩｎＡｓＰから
成る厚み０.１μｍの第２光吸収層７、およびｎ−Ｉｎ
Ｐから成る厚み１μｍの第１上部クラッド層９の積層構
造を形成し、また光検出部Ａとしては、エッチング除去
した表面に、ｎ−ＩｎＰから成る厚み１μｍの第１下部
クラッド層２，バンドギャップ波長が１.６７μｍのノ
ンドープＧａＩｎＡｓから成る厚み０.１μｍの第１光
吸収層１，ｐ−ＩｎＰから成る厚み２μｍの第１上部ク
ラッド層３およびｐ−ＧａＩｎＡｓから成る厚み０.３
μｍのコンタクト層６の積層構造を形成した。

【００２６】そして、光検出部Ａに３Ｖ，光減衰部Ｂに
１０Ｖの逆バイアス電圧を印加したところ、計測された
無効電流は約３００pAであり、良好な結果が得られた。
また、光検出部Ａの抵抗は約２００Ωであった。ところ
で、この第１の受光素子の場合、図２からも明らかなよ
うに、光減衰部Ｂの第２上部クラッド層９の厚みが厚く
なると、その後に形成される光検出部Ａの第１光吸収層
１と前記第２上部クラッド層９の下に位置している第２
光吸収層７との垂直方向における位置ずれが生じてく
る。そのことは、光減衰部Ｂから光検出部Ａの第１光吸
収層１への入射光の結合が実現しにくくなるということ
である。すなわち、受光素子としての感度低下が起こる
ようになる。

【００２７】このような問題は、素子の製造時に第２上
部クラッド層９の厚みを充分に薄くすれば解消すること
はできる。しかしながら、この第１の受光素子の場合、
共通電極１０と光検出用電極６が導波路の長手方向に直
列に装荷されている関係で、光検出部Ａにおける第１下
部クラッド層２の厚みも薄くなることであって、当該光
検出部Ａの電気抵抗が増大することになる。例えば、光
検出部Ａにおける第１下部クラッド層２の厚みを、前記
した１μｍから０.１μｍ以下の厚みにすると、厚み１
μｍのときよりも光検出部Ａの抵抗値は１００Ω以上増
大してしまう。また、これにより、光検出部に印加され
る電圧は、長手方向に沿って不均一になってしまうとい
う問題が生ずる。

【００２８】このような問題に対し、本発明では次のよ
うな第２の受光素子が提供される。第２の受光素子の１
例を図４の斜視図として示す。そして、図４のＶ−Ｖ線
に沿う断面図を図５，光検出部Ａを図４のVI−VI線に沿
う断面図として図６に、光減衰部Ｂを図４のVII−VII線
に沿う断面図として図７に示す。この第２の受光素子の
場合、光検出部Ａが第１下部クラッド層２と第１光吸収
層１と第１上部クラッド層３とのｎｉｐ（またはｐｉ
ｎ）接合構造を有し（図６参照）、また光減衰部Ｂが第
２下部クラッド層（基板）８と第２光吸収層７と第２上
部クラッド層９とのｐｉｎ（またはｎｉｐ）接合構造
（図７を参照）を有しており、かつ、光検出部Ａの第１
下部クラッド層２が光減衰部の第２上部クラッド層９と
電気的に結合している（図５を参照）ことは第１の受光
素子の場合と同じである。

【００２９】しかしながら、第１の受光素子の場合と異
なり、光減衰部Ｂの第２上部クラッド層を形成する半導
体で光検出部Ａと光減衰部Ｂの全体が埋め込まれてい
る。そして、光検出用電極と共通電極に関しては、第１
の受光素子の場合が導波路の長手方向にそれぞれ配置さ
れていたことと異なり、光検出部Ａの個所においては、
光検出用電極６と平行する位置にも共通電極１０が延在
して配置され、光検出用電極６の脇にも共通電極１０が
位置していることである（図４を参照）。

【００３０】このような埋め込み構造にすることによ
り、仮に光検出部Ａにおける第１下部クラッド層２の厚
みが薄くなって長手方向には高抵抗になったとしても、
図４で示したように、光検出部Ａに平行して共通電極１
０を配置することにより低抵抗化が図られ、光検出部Ａ
への印加電圧が不均一になることを抑制できる。この第
２の受光素子の製造に当たっては、まず、例えば第２下
部クラッド層８も兼ねる基板の上に、第２光吸収層７，
薄い第２上部クラッド層９，第１光吸収層１，第１上部
クラッド層３およびコンタクト層４を積層して光検出部
Ａおよび光減衰部Ｂとなるｐｉｎｉｐ（またはｎｉｐｉ
ｎ）接合の積層構造を形成し、形成すべき光検出部Ａに
相当する箇所を除いた箇所をマスキングし、残余の積層
構造を、第２上部クラッド層９を所定の厚みだけ残置す
る状態までエッチング除去する。

【００３１】その後、表出した第２上部クラッド層９’
の上に、第２上部クラッド層９と同じ導電型の半導体を
積層し、前記光検出部Ａを埋め込んだ構造にする。そし
て、全体の上面に形成すべき導波路パターンでマスキン
グを行い、全体を第２下部クラッド層（基板）８に到達
するまで、またはそれよりも深くエッチング除去したの
ち、そのエッチング除去した個所に前記第２上部クラッ
ド層と同じ半導体を積層して導波路パターンをなして形
成されている光検出部Ａと光減衰部Ｂを埋め込む。

【００３２】そして、光検出用電極６，共通電極１０、
および光減衰用電極１１をそれぞれ装荷したのち劈開し
て光入射面Ｃを形成し、そこに無反射膜を形成すること
により図４で示した第２の受光素子が得られる。例え
ば、光減衰部Ｂが、ｐ−ＩｎＰ基板８の上に、バンドギ
ャップ波長が１.４５μｍのノンドープＧａＩｎＡｓＰ
から成る厚み０.１μｍの第２光吸収層７とその上に位
置するｎ−ＩｎＰから成る第２上部クラッド層９で構成
され、また光検出部Ａが、前記第２光吸収層７の上に位
置する厚み０.０５μｍの第１下部クラッド層２とバン
ドギャップ波長が１.６７μｍのノンドープＧａＩｎＡ
ｓから成る厚み０.１μｍの第１光吸収層１とｐ−Ｉｎ
Ｐから成る厚み２μｍの第１上部クラッド層３とｐ−Ｇ
ａＩｎＡｓから成る厚み０.３μｍのコンタクト層４で
構成されている第２の受光素子を製造した。

【００３３】なお、この場合、光減衰部Ｂにおけるｎ−
ＩｎＰの第２上部クラッド層９では、第２光吸収層７の
直上の部分が光検出部Ａにおける厚み０.０５μｍの第
１下部クラッド層２にもなっている。この受光素子の場
合、光検出用電極６と共通電極１０に異なる逆バイアス
電圧を印加し、そのときの電位差を７Ｖにしたところ、
無効電流は約５００pAであった。この無効電流は、前記
した第１の受光素子に比べて２００pA程度増加している
が、これはｐ−ＩｎＰの第１上部クラッド層３とｎ−Ｉ
ｎＰの第２上部クラッド層９間を流れる電流が発生した
ためと考えられるが、それは１nAを超えることがないた
め実用上は何の不都合も生じない。

【００３４】また、光検出部Ａの抵抗は約１０Ω程度で
あった。これは、図４で示したような電極の配置態様で
はなく、単に光減衰部Ｂと光検出部Ａの長手方向に沿っ
て電極を配置したときの光検出部Ａの抵抗が約２００Ω
であったことを考えると、図４で示した電極の配置態様
の有用性を示している。

【００３５】

【発明の効果】以上の説明で明らかなように、本発明の
半導体導波路型受光素子は、光検出部と光減衰部をモノ
リシックに集積して成る特開平９−６４３９９号の受光
素子に比べるとその製作プロセスが大幅に簡略化されて
おり、そのうえで、実働時における無効電流は１nA以下
になっていて、広ダイナミックレンジ特性が優れたもの
であり、光通信システムや光データリングにおいてその
有用性は顕著である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の受光素子例を示す斜視図であ
る。

【図２】図１のII−II線に沿う断面図である。

【図３】本発明の受光素子構造を示す等価回路図であ
る。

【図４】本発明の第２の受光素子例を示す斜視図であ
る。

【図５】図４のＶ−Ｖ線に沿う断面図である。

【図６】図４のVI−VI線に沿う断面図である。

【図７】図４のVII−VII線に沿う断面図である。

【符号の説明】

Ａ 光検出部 Ｂ 光減衰部 Ｃ 光入射面 １ 第１光吸収層 ２ 第１下部クラッド層（ｎ型半導体） ３ 第１上部クラッド層（ｐ型半導体） ４ コンタクト層（ｐ型半導体） ５ 絶縁膜 ６ 光検出用電極 ７ 第２光吸収層（ｉ型半導体） ８ 第２下部クラッド層（基板、ｐ型半導体） ９，９’ 第２上部クラッド層（ｎ型半導体） １０ 共通電極 １１ 光減衰用電極

Claims (2)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 第１下部クラッド層，第１光吸収層およ
   び第１上部クラッド層から成る積層構造を有する光検出
   部と、第２下部クラッド層，前記第１光吸収層と光学的
   に結合している第２光吸収層および第２上部クラッド層
   から成る積層構造の光減衰部を備え、かつ前記光減衰部
   が前記光検出部と光入射面の間に配置されている半導体
   導波路型受光素子において、 前記第１下部クラッド層がｎ型またはｐ型の半導体から
   成り、かつ前記第１上部クラッド層が前記第１下部クラ
   ッド層と逆導電型の半導体から成り、また、前記第２下
   部クラッド層が前記第１上部クラッド層と同じ導電型の
   半導体から成り、かつ前記第２上部クラッド層が前記第
   １下部クラッド層と同じ導電型の半導体から成り、 前記第１下部クラッド層と前記第２上部クラッド層、ま
   たは前記第１上部クラッド層と前記第２下部クラッド層
   が互いに電気的に結合されていることを特徴とする半導
   体導波路型受光素子。
2. 【請求項２】 前記光検出部および前記光減衰部の周辺
   の全部または一部が、前記互いに電気的に結合している
   クラッド層の半導体と同じ導電型の半導体で埋め込まれ
   ている請求項１の半導体導波路型受光素子。