JPH11102657A - 光検出管 - Google Patents
光検出管Info
- Publication number
- JPH11102657A JPH11102657A JP26019497A JP26019497A JPH11102657A JP H11102657 A JPH11102657 A JP H11102657A JP 26019497 A JP26019497 A JP 26019497A JP 26019497 A JP26019497 A JP 26019497A JP H11102657 A JPH11102657 A JP H11102657A
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- JP
- Japan
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- light
- wavelength
- photocathode
- tube
- selectively
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- Common Detailed Techniques For Electron Tubes Or Discharge Tubes (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 波長１２５ｎｍ付近の光のみを選択的に検出
する光検出管を提供する。 【解決手段】 本光検出管１は、入射窓１３及び光電陰
極１５を備えており、入射窓１３はＭｇＦ2からなり、
且つ、光電陰極１５はＫＢｒからなる。ＭｇＦ2は波長
約９０ｎｍ以上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは波長
約１６０ｎｍ以下の光を選択的に光電変換する。したが
って、本光検出管においては、波長１２５ｎｍに検出感
度のピークを有し、波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光の
みを光学的バンドパスフィルタを用いることなく選択的
に検出することができる。
する光検出管を提供する。 【解決手段】 本光検出管１は、入射窓１３及び光電陰
極１５を備えており、入射窓１３はＭｇＦ2からなり、
且つ、光電陰極１５はＫＢｒからなる。ＭｇＦ2は波長
約９０ｎｍ以上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは波長
約１６０ｎｍ以下の光を選択的に光電変換する。したが
って、本光検出管においては、波長１２５ｎｍに検出感
度のピークを有し、波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光の
みを光学的バンドパスフィルタを用いることなく選択的
に検出することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光電管や光電子増
倍管等の光検出管に関する。
倍管等の光検出管に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光源の光強度を測定する光検出器
として、半導体Ｓｉを用いたフォトダイオードが知られ
ている。また、高感度の光検出を行う光検出器として光
電子増倍管等の光検出管が知られている。
として、半導体Ｓｉを用いたフォトダイオードが知られ
ている。また、高感度の光検出を行う光検出器として光
電子増倍管等の光検出管が知られている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
光検出管においては、波長１２５ｎｍ付近の紫外光を出
射する光源の強度をモニターする場合、その特定波長の
みを透過させる透過率特性を有する光学フィルタを併用
することを必要とした。すなわち、従来の光検出管にお
いては光検出管前方に１又は２以上の特定波長光選択透
過特性を有する光学フィルタを配置し、これを透過した
光を検出していた。このような光学フィルタは、透過光
の強度を減少させると同時に部品点数の増加を招いてい
た。本発明は、このような課題を解決するためになされ
たものであり、波長１２５ｎｍ付近の光のみを選択的に
検出する光検出管を提供することを目的とする。
光検出管においては、波長１２５ｎｍ付近の紫外光を出
射する光源の強度をモニターする場合、その特定波長の
みを透過させる透過率特性を有する光学フィルタを併用
することを必要とした。すなわち、従来の光検出管にお
いては光検出管前方に１又は２以上の特定波長光選択透
過特性を有する光学フィルタを配置し、これを透過した
光を検出していた。このような光学フィルタは、透過光
の強度を減少させると同時に部品点数の増加を招いてい
た。本発明は、このような課題を解決するためになされ
たものであり、波長１２５ｎｍ付近の光のみを選択的に
検出する光検出管を提供することを目的とする。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明に係る光検出管
は、真空容器外壁の一部をなす入射窓と、真空容器内に
配置され入射窓を透過した光を光電変換する光電陰極と
を備えた光検出管において、入射窓はＭｇＦ2からな
り、且つ、光電陰極はＫＢｒからなることを特徴とす
る。ＭｇＦ2は波長約９０ｎｍ以上の光を選択的に透過
させ、ＫＢｒは波長約１６０ｎｍ以下の光を選択的に光
電変換する。したがって、本光検出管においては、波長
１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光のみを光学的バンドパスフ
ィルタを用いることなく選択的に検出することができ
る。
は、真空容器外壁の一部をなす入射窓と、真空容器内に
配置され入射窓を透過した光を光電変換する光電陰極と
を備えた光検出管において、入射窓はＭｇＦ2からな
り、且つ、光電陰極はＫＢｒからなることを特徴とす
る。ＭｇＦ2は波長約９０ｎｍ以上の光を選択的に透過
させ、ＫＢｒは波長約１６０ｎｍ以下の光を選択的に光
電変換する。したがって、本光検出管においては、波長
１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光のみを光学的バンドパスフ
ィルタを用いることなく選択的に検出することができ
る。
【０００５】
【発明の実施の形態】以下、実施の形態に係る光検出管
について説明する。同一要素又は同一機能を有する要素
には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略す
る。
について説明する。同一要素又は同一機能を有する要素
には同一符号を用いるものとし、重複する説明は省略す
る。
【０００６】図１は、実施の形態に係る光検出管１の縦
断面図である。本光検出管１は光電管であり、金属製側
管２の上端開口部を、入射窓としての面板３で封止し、
下端開口部をステム板４で封止してなる真空容器を備え
る。本真空容器の内部は大気圧よりも減圧されている。
本真空容器内には、入射窓３を透過した光λを光電変換
する光電陰極５と、光電陰極５から放出された電子ｅを
収集する金属製の陽極６とが配置されている。
断面図である。本光検出管１は光電管であり、金属製側
管２の上端開口部を、入射窓としての面板３で封止し、
下端開口部をステム板４で封止してなる真空容器を備え
る。本真空容器の内部は大気圧よりも減圧されている。
本真空容器内には、入射窓３を透過した光λを光電変換
する光電陰極５と、光電陰極５から放出された電子ｅを
収集する金属製の陽極６とが配置されている。
【０００７】光電陰極５は入射窓３の内面に形成されて
おり、光電陰極５には側管２を介して所定の電位が与え
られ、陽極６には陰極５よりも高い電位が与えられる。
例えば光電陰極５を接地し、陽極６に１００Ｖの電位を
与えると、これらの間の電圧に従って真空容器内部に電
子ｅを陽極６方向へ引っ張る電界が発生する。光λの入
射に応じて光電陰極５で発生した電子ｅは、内部電界に
したがって加速された後、陽極６に衝突し、陽極６に電
気的に接続されたリードピン７を介して出力電流として
外部に取りだされる。なお、リードピン７とステム板４
との間の隙間はガラス充填材料８によって気密封止され
ている。
おり、光電陰極５には側管２を介して所定の電位が与え
られ、陽極６には陰極５よりも高い電位が与えられる。
例えば光電陰極５を接地し、陽極６に１００Ｖの電位を
与えると、これらの間の電圧に従って真空容器内部に電
子ｅを陽極６方向へ引っ張る電界が発生する。光λの入
射に応じて光電陰極５で発生した電子ｅは、内部電界に
したがって加速された後、陽極６に衝突し、陽極６に電
気的に接続されたリードピン７を介して出力電流として
外部に取りだされる。なお、リードピン７とステム板４
との間の隙間はガラス充填材料８によって気密封止され
ている。
【０００８】図２は、波長−入射窓透過率（％）特性、
波長−光電陰極放射感度（ｍＡ／Ｗ）特性、及びこれら
を合成した光電管１自体の検出感度（ｍＡ／Ｗ）特性を
示すグラフである。入射窓３に入射した光λのうち、波
長λ1以上の成分は入射窓３を透過する。また、光電陰
極５に入射した光λのうち、波長λ2以下の成分は光電
陰極５によって光電変換される。波長λ2は波長λ1より
も長く、したがって、光電管１自体は、波長λ1〜λ2の
間に検出感度を有する。
波長−光電陰極放射感度（ｍＡ／Ｗ）特性、及びこれら
を合成した光電管１自体の検出感度（ｍＡ／Ｗ）特性を
示すグラフである。入射窓３に入射した光λのうち、波
長λ1以上の成分は入射窓３を透過する。また、光電陰
極５に入射した光λのうち、波長λ2以下の成分は光電
陰極５によって光電変換される。波長λ2は波長λ1より
も長く、したがって、光電管１自体は、波長λ1〜λ2の
間に検出感度を有する。
【０００９】なお、入射窓３の波長λ1における透過率
は波長λ1＋７０ｎｍにおける透過率の約１／１０００
以下であり、光電陰極５の波長λ2における放射感度は
波長λ2−７０ｎｍにおける放射感度の約１／１０００
以下である。
は波長λ1＋７０ｎｍにおける透過率の約１／１０００
以下であり、光電陰極５の波長λ2における放射感度は
波長λ2−７０ｎｍにおける放射感度の約１／１０００
以下である。
【００１０】本実施の形態に係る光電管１は、真空容器
外壁の一部をなす入射窓３と、真空容器内に配置され入
射窓３を透過した光λを光電変換する光電陰極５を備
え、入射窓３はＭｇＦ2からなり、且つ、光電陰極５は
ＫＢｒからなる。ＭｇＦ2は波長約９０ｎｍ（＝λ1）以
上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは波長約１６０ｎｍ
（＝λ2）以下の光を選択的に光電変換する。したがっ
て、本光電管においては、波長１２５ｎｍ付近に検出感
度のピークを有し、波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光の
みを光学的バンドパスフィルタを用いることなく選択的
に検出することができる。また、本光電管の検出感度の
ピーク値を与える波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍにおける
それぞれの検出感度は、ピーク値の検出感度の約１／１
０００以下である。また、本光電管のＸｅ2エキシマラ
ンプのピーク波長１７０ｎｍにおける検出感度は、ピー
ク値の検出感度の約１／１０００以下であり、波長１２
６ｎｍの光を出射するＡｒエキシマランプの光をこれを
区別して検出することができる。
外壁の一部をなす入射窓３と、真空容器内に配置され入
射窓３を透過した光λを光電変換する光電陰極５を備
え、入射窓３はＭｇＦ2からなり、且つ、光電陰極５は
ＫＢｒからなる。ＭｇＦ2は波長約９０ｎｍ（＝λ1）以
上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは波長約１６０ｎｍ
（＝λ2）以下の光を選択的に光電変換する。したがっ
て、本光電管においては、波長１２５ｎｍ付近に検出感
度のピークを有し、波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍの光の
みを光学的バンドパスフィルタを用いることなく選択的
に検出することができる。また、本光電管の検出感度の
ピーク値を与える波長１２５ｎｍ±約３５ｎｍにおける
それぞれの検出感度は、ピーク値の検出感度の約１／１
０００以下である。また、本光電管のＸｅ2エキシマラ
ンプのピーク波長１７０ｎｍにおける検出感度は、ピー
ク値の検出感度の約１／１０００以下であり、波長１２
６ｎｍの光を出射するＡｒエキシマランプの光をこれを
区別して検出することができる。
【００１１】図３は、別の実施の形態に係る光検出管１
の縦断面図である。本光検出管１は光電子増倍管であ
り、ガラスバルブ１２の上端開口部を、入射窓としての
面板１３で封止し、下端開口部をステム板１４で封止し
てなる真空容器を備える。本真空容器の内部は大気圧よ
りも減圧されている。本真空容器内には、入射窓１３を
透過した光λを光電変換する光電陰極１５と、光電陰極
１５から放出された電子ｅを収集する金属製の陽極１６
とが配置されている。また、陰極１５と陽極１６との間
には入射した電子を増倍するダイノードＤ1〜Ｄ5からな
る電子増倍器が順番に配置されている。
の縦断面図である。本光検出管１は光電子増倍管であ
り、ガラスバルブ１２の上端開口部を、入射窓としての
面板１３で封止し、下端開口部をステム板１４で封止し
てなる真空容器を備える。本真空容器の内部は大気圧よ
りも減圧されている。本真空容器内には、入射窓１３を
透過した光λを光電変換する光電陰極１５と、光電陰極
１５から放出された電子ｅを収集する金属製の陽極１６
とが配置されている。また、陰極１５と陽極１６との間
には入射した電子を増倍するダイノードＤ1〜Ｄ5からな
る電子増倍器が順番に配置されている。
【００１２】光電陰極１５は入射窓１３の内面に形成さ
れており、光電陰極１５には集束電極１９，２０を介し
て所定の電位が与えられ、ダイノードＤ1〜Ｄ5及び陽極
１６には陰極１５よりも高い電位が与えられる。薄膜状
集束電極１９は光電陰極１５から第１段目のダイノード
Ｄ1までの空間を囲むガラスバルブ１２内面にアルミ等
の金属が蒸着されることによって形成され、板状集束電
極２０は外周の一部分が薄膜状集束電極１９に接触した
金属板からなる。板状集束電極２０は中央部に開口を有
している。これらの集束電極１９，２０は、光電陰極１
５に電気的に接続されており、第１段目のダイノードＤ
1と共に、これらによった囲まれた空間内に光電陰極１
５で発生した電子を集束電極２０の開口直下に配置され
た第１段ダイノードＤ1内に集束させる電界を形成す
る。
れており、光電陰極１５には集束電極１９，２０を介し
て所定の電位が与えられ、ダイノードＤ1〜Ｄ5及び陽極
１６には陰極１５よりも高い電位が与えられる。薄膜状
集束電極１９は光電陰極１５から第１段目のダイノード
Ｄ1までの空間を囲むガラスバルブ１２内面にアルミ等
の金属が蒸着されることによって形成され、板状集束電
極２０は外周の一部分が薄膜状集束電極１９に接触した
金属板からなる。板状集束電極２０は中央部に開口を有
している。これらの集束電極１９，２０は、光電陰極１
５に電気的に接続されており、第１段目のダイノードＤ
1と共に、これらによった囲まれた空間内に光電陰極１
５で発生した電子を集束電極２０の開口直下に配置され
た第１段ダイノードＤ1内に集束させる電界を形成す
る。
【００１３】詳説すれば、光電陰極１５及び集束電極１
９，２０には単一のリードピン１７を介して基準電位が
与えられ、ダイノードＤ1〜Ｄ5及び陽極１６には、残り
の複数のリードピン１７を介して後段になるほど高い電
位が与えられる。例えば光電陰極１５及び集束電極１
９，２０に接地電位を与え、陽極１６に１００Ｖの電位
を与え、ダイノードＤ1〜Ｄ5に０〜１００Ｖの電位から
選択される電位を与えると、これらの間の電圧に従って
真空容器内部に光電陰極１５で発生した電子ｅを陽極１
６方向へ引っ張る電界が発生する。
９，２０には単一のリードピン１７を介して基準電位が
与えられ、ダイノードＤ1〜Ｄ5及び陽極１６には、残り
の複数のリードピン１７を介して後段になるほど高い電
位が与えられる。例えば光電陰極１５及び集束電極１
９，２０に接地電位を与え、陽極１６に１００Ｖの電位
を与え、ダイノードＤ1〜Ｄ5に０〜１００Ｖの電位から
選択される電位を与えると、これらの間の電圧に従って
真空容器内部に光電陰極１５で発生した電子ｅを陽極１
６方向へ引っ張る電界が発生する。
【００１４】光λの入射に応じて光電陰極１５で発生し
た電子ｅは、内部電界にしたがって加速された後、第１
段目のダイノードＤ1に衝突して増倍され、これよりも
後段のダイノードＤ2〜Ｄ5に順次衝突しながらさらに増
倍され、最終的に陽極１６に衝突する。陽極１６で収集
された電子ｅは、陽極１６に電気的に接続されたリード
ピン１７を介して出力電流として外部に取りだされる。
なお、リードピン１７とステム板１４との間の隙間はガ
ラス充填材料１８によって気密封止されている。
た電子ｅは、内部電界にしたがって加速された後、第１
段目のダイノードＤ1に衝突して増倍され、これよりも
後段のダイノードＤ2〜Ｄ5に順次衝突しながらさらに増
倍され、最終的に陽極１６に衝突する。陽極１６で収集
された電子ｅは、陽極１６に電気的に接続されたリード
ピン１７を介して出力電流として外部に取りだされる。
なお、リードピン１７とステム板１４との間の隙間はガ
ラス充填材料１８によって気密封止されている。
【００１５】本光電子増倍管は、ボックスアンドグリッ
ド型の光電子増倍管であり、各ダイノードＤ1〜Ｄ5はボ
ックス型であって、その前面にはグリッドが設けられて
いる。また、陽極１６の近傍には最終段ダイノードが配
置されているが、本実施の形態では図示しない。
ド型の光電子増倍管であり、各ダイノードＤ1〜Ｄ5はボ
ックス型であって、その前面にはグリッドが設けられて
いる。また、陽極１６の近傍には最終段ダイノードが配
置されているが、本実施の形態では図示しない。
【００１６】本実施の形態に係る光電子増倍管は、上記
実施の形態に係る光電管と同様に、真空容器外壁の一部
をなす入射窓１３と、真空容器内に配置され入射窓１３
を透過した光λを光電変換する光電陰極１５とを備え、
入射窓１３はＭｇＦ2からなり、且つ、光電陰極１５は
ＫＢｒからなる。上述のように、ＭｇＦ2は波長約９０
ｎｍ（＝λ1）以上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは
波長約１６０ｎｍ（＝λ2）以下の光を選択的に光電変
換する。したがって、本光電子増倍管においては、波長
１２５ｎｍに検出感度のピークを有し、波長１２５ｎｍ
±約３５ｎｍの光のみを光学的バンドパスフィルタを用
いることなく選択的に検出することができる。
実施の形態に係る光電管と同様に、真空容器外壁の一部
をなす入射窓１３と、真空容器内に配置され入射窓１３
を透過した光λを光電変換する光電陰極１５とを備え、
入射窓１３はＭｇＦ2からなり、且つ、光電陰極１５は
ＫＢｒからなる。上述のように、ＭｇＦ2は波長約９０
ｎｍ（＝λ1）以上の光を選択的に透過させ、ＫＢｒは
波長約１６０ｎｍ（＝λ2）以下の光を選択的に光電変
換する。したがって、本光電子増倍管においては、波長
１２５ｎｍに検出感度のピークを有し、波長１２５ｎｍ
±約３５ｎｍの光のみを光学的バンドパスフィルタを用
いることなく選択的に検出することができる。
【００１７】なお、上述の入射窓及び光電陰極は、透過
型の光電陰極を有するヘッドオン型の光検出管に適用し
たが、これらは反射型の光電陰極を有するサイドオン型
の光電子増倍管やイメージインテンシファイア等の光検
出管に適用することもできる。
型の光電陰極を有するヘッドオン型の光検出管に適用し
たが、これらは反射型の光電陰極を有するサイドオン型
の光電子増倍管やイメージインテンシファイア等の光検
出管に適用することもできる。
【００１８】図４は、上記光検出管１を内部に有する光
検出管モジュール１００の縦断面図である。本光検出管
モジュールは、光検出管１を収納する包囲筒２１と、包
囲筒２１の上端開口部を封止するキャップ部材２２と、
包囲筒２１の下端開口部を封止する封止板２３とを備え
る。キャップ部材２２は、包囲筒２１の長手方向に沿っ
て穿設された貫通孔２４を有しており、モジュール外部
からの光λを貫通孔２４を介して包囲筒２１内部に導く
ことができる。
検出管モジュール１００の縦断面図である。本光検出管
モジュールは、光検出管１を収納する包囲筒２１と、包
囲筒２１の上端開口部を封止するキャップ部材２２と、
包囲筒２１の下端開口部を封止する封止板２３とを備え
る。キャップ部材２２は、包囲筒２１の長手方向に沿っ
て穿設された貫通孔２４を有しており、モジュール外部
からの光λを貫通孔２４を介して包囲筒２１内部に導く
ことができる。
【００１９】包囲筒２１内には上記特定波長の光を少な
くとも透過させる材料からなるスリガラス等の光拡散板
２５が配置されており、光拡散板２５は光検出管１の入
射窓と貫通孔２４の光出射端との間に位置する。光拡散
板２５は貫通孔２４の光出射端を封止しており、貫通孔
２４内に導入された光λを拡散して光検出管１の入射窓
方向へ照射する。なお、光拡散板２５に代えてエッチン
グメッシュを貫通孔２４の光出射端に配置し、光電陰極
の劣化を防止することもできる。上述の光検出管１は、
特定波長の光の入射に応じて電気信号を出力する。この
電気信号は包囲筒２１内部に配置されたプリアンプ２６
で増幅され、封止板２３を貫通するリード線を介して外
部に出力される。本光検出管モジュールは、フロンガス
やＮＯX等の分解用光源のモニタとして用いることがで
きる。
くとも透過させる材料からなるスリガラス等の光拡散板
２５が配置されており、光拡散板２５は光検出管１の入
射窓と貫通孔２４の光出射端との間に位置する。光拡散
板２５は貫通孔２４の光出射端を封止しており、貫通孔
２４内に導入された光λを拡散して光検出管１の入射窓
方向へ照射する。なお、光拡散板２５に代えてエッチン
グメッシュを貫通孔２４の光出射端に配置し、光電陰極
の劣化を防止することもできる。上述の光検出管１は、
特定波長の光の入射に応じて電気信号を出力する。この
電気信号は包囲筒２１内部に配置されたプリアンプ２６
で増幅され、封止板２３を貫通するリード線を介して外
部に出力される。本光検出管モジュールは、フロンガス
やＮＯX等の分解用光源のモニタとして用いることがで
きる。
【００２０】
【発明の効果】以上、説明したように、本発明の光検出
管によれば、特定波長の光のみを光学的バンドパスフィ
ルタを用いることなく検出することができ、高感度に光
検出を行うことができる。
管によれば、特定波長の光のみを光学的バンドパスフィ
ルタを用いることなく検出することができ、高感度に光
検出を行うことができる。
【図１】実施の形態に係る光電管の縦断面図。
【図２】波長−入射窓透過率（％）特性、波長−光電陰
極放射感度（ｍＡ／Ｗ）特性、及びこれらを合成した光
電管１自体の検出感度特性を示すグラフ。
極放射感度（ｍＡ／Ｗ）特性、及びこれらを合成した光
電管１自体の検出感度特性を示すグラフ。
【図３】実施の形態に係る光電子増倍管の縦断面図。
【図４】光検出管を内蔵した光検出管モジュールの縦断
面図。
面図。
【符号の説明】 １…光検出管、１３…入射窓、１５…光電陰極。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 久米 英浩 静岡県浜松市市野町1126番地の１ 浜松ホ トニクス株式会社内
Claims (1)
- 【請求項１】 真空容器外壁の一部をなす入射窓と、前
記真空容器内に配置され前記入射窓を透過した光を光電
変換する光電陰極とを備えた光検出管において、前記入
射窓はＭｇＦ2からなり、且つ、前記光電陰極はＫＢｒ
からなることを特徴とする光検出管。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26019497A JPH11102657A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 光検出管 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP26019497A JPH11102657A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 光検出管 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11102657A true JPH11102657A (ja) | 1999-04-13 |
Family
ID=17344646
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP26019497A Pending JPH11102657A (ja) | 1997-09-25 | 1997-09-25 | 光検出管 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11102657A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003087739A1 (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出センサ |
-
1997
- 1997-09-25 JP JP26019497A patent/JPH11102657A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2003087739A1 (ja) * | 2002-04-17 | 2005-08-18 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出センサ |
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