JP2008059995A

JP2008059995A - 撮像管

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Publication number: JP2008059995A
Application number: JP2006237997A
Authority: JP
Inventors: Minoru Kondo; 稔近藤; Itaru Mizuno; 到水野; Hiroto Nishizawa; 寛仁西澤
Original assignee: Hamamatsu Photonics KK
Current assignee: Hamamatsu Photonics KK
Priority date: 2006-09-01
Filing date: 2006-09-01
Publication date: 2008-03-13
Anticipated expiration: 2026-09-01
Also published as: JP4975400B2

Abstract

【課題】蛍光体の残光特性に影響されることなく、光入射位置を容易に検出することが可能な撮像管を提供する。
【解決手段】本発明の一実施形態に係る撮像管１は、光入射窓１２及び光出射窓１３を有する真空外囲器１０と、光入射窓１２の内面１２ａ側に形成された光電面２０と、光電面２０から放出された光電子を増倍するための電子増倍部３０〜３２と、電子増倍部３０〜３２からの電子の入射によって蛍光を発する第１の膜４０と、略均一な面積抵抗率を有し、電子増倍部３０〜３２からの電子を受ける第２の膜５０と、第２の膜５０と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材６０，６２とを備え、第１の膜４０と第２の膜５０とは、光出射窓の内面１３ａ側に積層されている。
【選択図】図１

Description

本発明は、撮像管に関するものである。

撮像管として、蛍光観察や夜間監視（例えばナイトビュア）などに用いられるイメージインテンシファイアが知られている。イメージインテンシファイアは、物体からの発光や反射光などの微弱な光を増強することによって、物体の光学像を撮像する。

特許文献１には、夜間監視に用いられるイメージインテンシファイアが記載されている。このイメージインテンシファイアでは、可視光及び赤外線光に応答してフォトカソード（光電面）が光電子を放出し、これらの光電子をマルチチャンネルプレート（電子増倍部）に導き、二次電子増倍する。このようにして二次電子増倍された電子はりん光スクリーン電極（蛍光体膜）に入射し、りん光スクリーン電極がりん光を発することによって物体の可視光学像が撮像される。
特表２００３−５２０３８９号公報

ところで、このような撮像管において、撮像管における何れの位置に光が入射したかを知りたいという要望がある。

そこで、本発明は、光入射位置を容易に検出することが可能な撮像管を提供することを目的としている。

本発明の撮像管は、（ａ）光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、（ｂ）光入射窓の内面側に形成された光電面と、（ｃ）光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、（ｄ）電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する第１の膜と、（ｅ）略均一な面積抵抗率を有し、電子増倍部からの電子を受ける第２の膜と、（ｆ）第２の膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材とを備え、（ｇ）第１の膜と第２の膜とは、光出射窓の内面側に積層されている。

この撮像管によれば、光入射窓に光が入射すると、光電面から光電子が放出される。これらの光電子は、電子増倍部によって増倍されて第１の膜及び第２の膜に入射する。すると、第１の膜によって蛍光が放出され、光出射窓から出力される。また、第２の膜に入射した電子は、第２の膜を移動して導電部材から取り出される。

第２の膜は略均一な面積抵抗率を有するので、導電部材から取り出される電子の量は、電子の入射位置と導電部材との距離に略比例する。ここで、面積抵抗率とは、単位面積あたりの抵抗率である。したがって、少なくとも二つの導電部材の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、第２の膜における電子の入射位置を検出することができる。第２の膜における電子の入射位置は光入射窓における光の入射位置に対応するので、この撮像管によれば、光入射位置を容易に検出することができる。

本発明の撮像管は、（ａ）光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、（ｂ）光入射窓の内面側に形成された光電面と、（ｃ）光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、（ｄ）光出射窓の内面側に形成され、電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、（ｅ）略均一な面積抵抗率を有し、蛍光体膜における電子増倍部側の主面側に形成されて、電子増倍部からの電子を受ける導電膜と、（ｆ）導電膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材とを備える。

この撮像管によれば、光入射窓に光が入射すると、光電面から光電子が放出される。これらの光電子は電子増倍部によって増倍され、増倍された電子は導電膜へ入射し、その電子の一部は導電膜を通過して蛍光体膜へ入射する。すると、蛍光体膜によって蛍光が放出され、光出射窓から出力される。一方、導電膜に入射した電子の一部は、導電膜を移動して導電部材から取り出される。

導電膜は略均一な面積抵抗率を有するので、上述したように、少なくとも二つの導電部材の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、導電膜における電子の入射位置を検出することができる。導電膜における電子の入射位置は光入射窓における光の入射位置に対応するので、この撮像管によれば、光入射位置を容易に検出することができる。

また、導電膜は、蛍光体膜における電子増倍部側の主面側に形成されているので、導電膜側に放出された蛍光を光出射窓側へと反射させる反射膜として機能する。したがって、この撮像管によれば、蛍光体膜が発する蛍光を効率的に光出射窓へ導くことができる。

本発明の撮像管は、（ａ）光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、（ｂ）光入射窓の内面側に形成された光電面と、（ｃ）光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、（ｄ）略均一な面積抵抗率を有し、光出射窓の内面側に形成されて、電子増倍部からの電子を受ける導電膜と、（ｅ）導電膜における電子増倍部側の主面側に形成され、電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、（ｆ）導電膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材とを備え、（ｇ）導電膜は、蛍光体膜からの蛍光を透過可能である。

この撮像管によれば、光入射窓に光が入射すると、光電面から光電子が放出される。これらの光電子は電子増倍部によって増倍され、増倍された電子は蛍光体膜に入射し、その電子の一部は蛍光体膜を通過して導電膜に入射する。すると、蛍光体膜によって蛍光が放出され、蛍光が透過可能な導電膜を透過した蛍光が光出射窓から出力される。一方、導電膜に入射した電子は、導電膜を移動して導電部材から取り出される。

導電膜は略均一な面積抵抗率を有するので、この撮像管によれば、上述したように、少なくとも二つの導電部材の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、導電膜における電子の入射位置を検出することができ、光入射位置を容易に検出することができる。

また、この撮像管によれば、光出射窓の内面に導電膜と蛍光体膜とを順次に形成することとなるので、導電膜の形成にあたって蛍光体膜の主面の平坦性に依存することなく、面積抵抗率の均一性が高い導電膜を容易に形成することができる。したがって、この撮像管によれば、光入射位置の検出精度を高めることができる。

本発明の撮像管は、（ａ）光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、（ｂ）光入射窓の内面側に形成された光電面と、（ｃ）光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、（ｄ）略均一な面積抵抗率を有し、光出射窓の内面側に形成されて、電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、（ｅ）蛍光体膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材とを備える。

この撮像管によれば、光入射窓に光が入射すると、光電面から光電子が放出される。これらの光電子は、電子増倍部によって増倍されて蛍光体膜に入射する。すると、蛍光体膜に入射した電子の一部によって蛍光体膜から蛍光が放出され、光出射窓から出力される。一方、蛍光体膜に入射した他の電子は、蛍光体膜を移動して導電部材から取り出される。

蛍光体膜は略均一な面積抵抗率を有するので、上述したように、少なくとも二つの導電部材の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、蛍光体膜における電子の入射位置を検出することができる。蛍光体膜における電子の入射位置は光入射窓における光の入射位置に対応するので、この撮像管によれば、光入射位置を容易に検出することができる。

また、この撮像管によれば、蛍光を発する蛍光体膜が光入射位置をも検出する機能を有するので、光入射位置検出のために導電膜を形成する必要がなく、製造が容易である。

本発明によれば、撮像管に入射する光の入射位置を容易に検出することができる。

以下、図面を参照して本発明の好適な実施形態について詳細に説明する。なお、各図面において同一又は相当の部分に対しては同一の符号を附すこととする。
［第１の実施形態］

図１は、本発明の第１の実施形態に係る撮像管を示す図である。図１（ａ）には、光出射窓側から見た撮像管が示されており、図１（ｂ）には、図１（ａ）におけるＩ−Ｉ線に沿う断面図が示されている。

図１に示す撮像管１は、蛍光観察や夜間監視（例えばナイトビュア）などに用いられるイメージインテンシファイアであり、物体からの発光や反射光などの微弱な光を増強することによって物体の光学像を撮像する。

撮像管１は、真空外囲器１０と、光電面２０と、三つのマイクロチャンネルプレート（Micro-ChannelPlate：以下ＭＣＰという。）３０，３１，３２と、蛍光体膜４０と、導電膜５０と、四本のリードピン６０，６１，６２，６３とを備えている。なお、ＭＣＰ３０〜３２は、特許請求の範囲に記載した電子増倍部に相当し、蛍光体膜４０及び導電膜５０は、それぞれ、特許請求の範囲に記載した第１の膜、第２の膜に相当する。また、リードピン６０〜６３は、特許請求の範囲に記載した導電部材に相当する。なお、真空外囲器１０の、光電面２０と蛍光体膜４０及び導電膜５０とを結ぶ方向での中心軸線を軸線Ｘとする。

真空外囲器１０は、側壁１１と、光入射窓１２と、光出射窓１３とを有している。側壁１１は、軸線Ｘ方向に延びる筒状をなしている。側壁１１には、例えば、光を遮断する材料が用いられる。側壁１１の一端側の開口には光入射窓１２が設けられており、側壁１１の他端側の開口には光出射窓１３が設けられている。

このように、光入射窓１２と光出射窓１３とは、軸線Ｘ方向に互いに対向するように設けられている。光入射窓１２及び光出射窓１３の各々は、円状の平板をなしている。光入射窓１２及び光出射窓１３の各々の材料としては、例えば、ガラスが用いられる。

側壁１１と光入射窓１２とはロウ材などによって互いに接合されており、同様に、側壁１１と光出射窓１３とはロウ材などによって互いに接合されている。このようにして、真空外囲器１０の内部は、真空状態に保たれている。

光入射窓１２の内面１２ａ上には、光電面２０が形成されている。光電面２０は、光入射窓１２を介して入射する光に応じて光電子を放出する。光電面２０の材料としては、例えば、ガリウム・砒素・リン（ＧａＡｓＰ）といった半導体光電面や、アンチモン・ナトリウム・カリウム・セシウム（Ｓｂ−Ｎａ−Ｋ−Ｃｓ）のようなマルチアルカリ光電面などが用いられる。光電面２０における光入射窓１２と反対側には、三つのＭＣＰ３０〜３２が設けられている。

ＭＣＰ３０〜３２は、光電面２０に対向して離間して設けられている。ＭＣＰ３０〜３２は、互いに隣接し、軸線Ｘ方向に順に積層して設けられている。ＭＣＰ３０は、光電面２０から放出された光電子の入射によって二次電子を放出し、増倍する。同様に、ＭＣＰ３１はＭＣＰ３０から放出された電子の入射によって二次電子を放出、増倍し、ＭＣＰ３２は、ＭＣＰ３１から放出された電子の入射によって二次電子を放出、増倍する。このようにして、ＭＣＰ３０〜３２は、光電面２０から放出された光電子を増倍する。

光出射窓１３の内面１３ａ上には、蛍光体膜４０が形成されている。蛍光体膜４０は、ＭＣＰ３０，３１，３２によって増倍された電子の入射に応じて蛍光を発する。蛍光体膜４０の材料としては、例えば、Ｐ４７（Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ）やＰ４６（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ）などが好ましい。これらの材料からなる蛍光体膜４０は、残光時間が短い。蛍光体膜４０におけるＭＣＰ３０〜３２側の主面４０ａ上には、導電膜５０が形成されている。

導電膜５０は、ＭＣＰ３０〜３２によって増倍された電子を受ける。導電膜５０は、ＭＣＰ３０〜３２からの電子の一部を透過すると共に、蛍光体膜４０から導電膜５０側へ放出される蛍光を反射して光出射窓１３へ導く。すなわち、導電膜５０は、反射膜として機能する。また、導電膜５０の面積抵抗率は略均一である。面積抵抗率とは、単位面積あたりの抵抗率である。導電膜５０の材料としては、例えば、アルミニウム（Ａｌ）や酸化ルテニウムなどが用いられる。導電膜５０には、四本のリードピン６０〜６３が電気的に接続されている。

リードピン６０〜６３の各々は、軸線Ｘ方向に延びている。リードピン６０〜６３の一端は、それぞれ、導電膜５０の縁付近に接続されている。リードピン６０〜６３は、軸線Ｘを中心として順に９０度ずつ離間して設けられている。すなわち、リードピン６０と６２とが軸線Ｘを挟んで対向しており、リードピン６１と６３とが軸線Ｘを挟んで対向している。リードピン６０〜６３は、それぞれ、蛍光体膜４０及び光出射窓１３を貫通しており、リードピン６０〜６３の他端は、それぞれ、外部に露出している。

次に、撮像管１の動作を説明する。まず、光入射窓１２に光が入射すると、光電面２０から光電子が放出される。これらの光電子はＭＣＰ３０，３１，３２によって増倍され、増倍された電子は導電膜５０へ入射し、その電子に一部は導電膜５０を通過して蛍光体膜４０へ入射する。すると、蛍光体膜４０によって蛍光が放出され、この蛍光の一部は直接に、他の蛍光は導電膜５０によって反射された上で、光出射窓１３から出力される。一方、導電膜５０に入射した電子の一部は、導電膜５０を移動してリードピン６０〜６３の各々から取り出される。

導電膜５０は略均一な面積抵抗率を有するので、リードピン６０〜６３から取り出される電子の量は、それぞれ、電子の入射位置とリードピン６０〜６３の各々との距離に略比例する。具体的には、電子の入射位置とリードピン６０〜６３の各々との距離が長いほど電気的抵抗値が大きくなるので、リードピン６０〜６３の各々から取り出される電子の量が減少する。リードピン６０〜６３の各々から取り出される電子の量は、リードピン６０〜６３の各々に流れる電流量に相当するので、リードピン６０〜６３の各々に流れる電流値によって、導電膜５０における電子の入射位置を検出することができる。

図２は、四本のリードピン６０〜６３に流れる電流値に対応する電圧値の測定結果を示す図であり、図３は、光出射窓側から見た撮像管を領域分割した図である。なお、図２には、図３における領域（２，３）内の位置Ｏに光を入射したときの電圧値であって、５０Ω測定系にて電流−電圧変換された電圧値が示されている。

曲線Ｖ６０，Ｖ６１，Ｖ６２，Ｖ６３は、それぞれ、リードピン６０〜６３の電圧である。導電膜５０への電子の入射によってリードピン６０〜６３の各々に電流が流れ、曲線Ｖ６０〜Ｖ６３には、それぞれ、ピーク電圧Ｐ６０，Ｐ６１，Ｐ６２，Ｐ６３が発生していることがわかる。ピーク電圧Ｐ６１の値を１とすると、ピーク電圧Ｐ６０，Ｐ６２，Ｐ６３の値は、それぞれ、約０．６、約０．９、約０．５である。

ピーク電圧Ｐ６１の値とピーク電圧Ｐ６２の値との差が小さいので、リードピン６１に流れる電流値とリードピン６２に流れる電流値との差、すなわち、リードピン６１から取り出される電子の量とリードピン６２から取り出される電子の量との差が小さいことがわかる。同様に、ピーク電圧Ｐ６０の値とピーク電圧Ｐ６３の値との差が小さいので、リードピン６０に流れる電流値とリードピン６３に流れる電流値との差、すなわち、リードピン６０から取り出される電子の量とリードピン６３から取り出される電子の量との差が小さいことがわかる。これより、導電膜５０における電子の入射位置は、中心境界線Ｙの近傍であって、リードピン６０，６１側寄りであることがわかる。

また、ピーク電圧Ｐ６１の値がピーク電圧Ｐ６０の値に対して約２倍であるので、リードピン６１に流れる電流値はリードピン６０に流れる電流値に対して約２倍であること、すなわち、リードピン６１から取り出される電子の量はリードピン６０から取り出される電子の量に対して約２倍であることがわかる。同様に、ピーク電圧Ｐ６２の値がピーク電圧Ｐ６３の値に対して約２倍であるので、リードピン６２に流れる電流値はリードピン６３に流れる電流値に対して約２倍であること、すなわち、リードピン６２から取り出される電子の量はリードピン６３から取り出される電子の量に対して約２倍であることがわかる。これより、導電膜５０における電子の入射位置は、境界線Ｚの近傍であって、リードピン６０，６３側寄りであることがわかる。

その結果、導電膜５０における電子の入射位置は、領域（２，３）における位置Ｏであることがわかる。このように、検出された導電膜５０における電子の入射位置は光入射窓１２における光の入射位置に対応するので、第１の実施形態の撮像管１によれば、光入射位置を容易に検出することができる。

また、導電膜５０は、蛍光体膜４０におけるＭＣＰ３０〜３２側の主面４０ａ上に形成されているので、導電膜側５０に放出された蛍光を光出射窓１２側へと反射させる反射膜として機能する。したがって、第１の実施形態の撮像管１によれば、蛍光体膜４０が発する蛍光を効率的に光出射窓１３へ導くことができる。
［第２の実施形態］

図４は、本発明の第２の実施形態に係る撮像管を示す断面図である。図４に示す撮像管１Ａは、撮像管１において蛍光体膜４０及び導電膜５０に代えて蛍光体膜４０Ａ及び導電膜５０Ａを備える構成において第１の実施形態と異なっている。撮像管１Ａのその他の構成は、第１の実施形態と同様である。

導電膜５０Ａは、光出射窓１３の内面１３ａ上に形成されており、導電膜５０ＡのＭＣＰ３０〜３２側の主面５０ａ上には、蛍光体膜４０Ａが形成されている。蛍光体膜４０Ａは、上記した蛍光体膜４０と同一である。

導電膜５０Ａは、ＭＣＰ３０〜３２によって増倍された電子を受ける。導電膜５０Ａは、蛍光体膜４０Ａからの蛍光を透過可能であり、蛍光の波長における透過率が高いことが好ましい。導電膜５０Ａの材料としては、例えば、酸化インジウム（Ｉｎ２０３）が用いられる。酸化インジウムは略透明であるので、蛍光体膜４０Ａからの蛍光の波長における透過率が高い。また、導電膜５０Ａは、略均一な面積抵抗率を有する。導電膜５０Ａの縁付近には、四本のリードピン６０，６１，６２，６３の一端が、それぞれ、電気的に接続されている。

第２の実施形態の撮像管１Ａでは、光入射窓１２に光が入射すると、光電面２０から光電子が放出される。これらの光電子はＭＣＰ３０〜３２によって増倍され、増倍された電子は蛍光体膜４０Ａに入射し、その電子の一部は蛍光体膜４０Ａを通過して導電膜５０Ａに入射する。すると、蛍光体膜４０Ａによって蛍光が放出され、光出射窓１３から出力される。一方、導電膜５０Ａに入射した電子は、導電膜５０Ａを移動してリードピン６０〜６３の各々から取り出される。

第２の実施形態の撮像管１Ａでも、導電膜５０Ａが略均一な面積抵抗率を有するので、第１の実施形態と同様に、リードピン６０〜６３の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、導電膜５０Ａにおける電子の入射位置を検出することができ、光入射位置を容易に検出することができる。

また、第２の実施形態の撮像管１Ａによれば、平板である光出射窓１３の内面１３ａ上に導電膜５０Ａと蛍光体膜４０Ａとを順次に形成することとなるので、導電膜５０Ａの形成にあたって蛍光体膜４０Ａの主面の平坦性に依存することなく、面積抵抗率の均一性が高い導電膜５０Ａを容易に形成することができる。したがって、第２の実施形態の撮像管１Ａによれば、光入射位置の検出精度を高めることができる。

また、蛍光体膜４０Ａの主面の平坦性を意識することなく導電膜５０Ａの薄膜化が可能であり、導電膜５０Ａの蛍光透過率を向上することができる。したがって、第２の実施形態の撮像管１Ａによれば、蛍光体膜４０Ａの輝度効率の低下を低減することができる。
［第３の実施形態］

図５は、本発明の第３の実施形態に係る撮像管を示す断面図である。図５に示す撮像管１Ｂは、撮像管１において蛍光体膜４０及び導電膜５０に代えて蛍光体膜４０Ｂを備える構成において第１の実施形態と異なっている。撮像管１Ｂのその他の構成は、第１の実施形態と同様である。

蛍光体膜４０Ｂは、光出射窓１３の内面１３ａ上に形成されている。蛍光体膜４０Ｂは、ＭＣＰ３０〜３２によって増倍された電子の入射に応じて蛍光を発する。蛍光体膜４０Ｂの主材料としては、例えば、蛍光体膜４０と同様に、Ｐ４７（Ｙ_２ＳｉＯ_５：Ｃｅ）やＰ４６（Ｙ_３Ａｌ_５Ｏ_１２：Ｃｅ）などが用いられる。蛍光体膜４０Ｂには、これらの主材料に加えて、例えば、酸化インジウムやインジウム・チン・オキサイド（ＩＴＯ）などの導電性物質が均一に混ぜ込まれている。これによって、蛍光体膜４０Ｂは均一な面積抵抗率を有する。また、蛍光体膜４０Ｂには、導電性物質を混ぜることなく導電性を有するＰ２４（ＺｎＯ：Ｚｎ）などが用いられてもよい。蛍光体膜４０Ｂの縁付近には、四本のリードピン６０〜６３の一端が、それぞれ、電気的に接続されている。

第３の実施形態の撮像管１Ｂでは、光入射窓１２に光が入射すると、光電面２０から光電子が放出され、ＭＣＰ３０〜３２によって増倍されて蛍光体膜４０Ｂに入射する。すると、蛍光体膜４０Ｂに入射した電子の一部によって蛍光体膜４０Ｂから蛍光が放出され、光出射窓１３から出力される。一方、蛍光体膜４０Ｂに入射した他の電子は、蛍光体膜４０Ｂを移動してリードピン６０〜６３の各々から取り出される。

第３の実施形態の撮像管１Ｂでも、蛍光体膜４０Ｂが略均一な面積抵抗率を有するので、上記した第１の実施形態と同様に、リードピン６０〜６３の各々から取り出される電子の量、すなわち電流値によって、蛍光体膜４０Ｂにおける電子の入射位置を検出することができる。蛍光体膜４０Ｂにおける電子の入射位置は光入射窓１２における光の入射位置に対応するので、光入射位置を容易に検出することができる。

また、第３の実施形態の撮像管１Ｂによれば、蛍光を発する蛍光体膜４０Ｂが光入射位置をも検出する機能を有するので、光入射位置検出のために導電膜を形成する必要がなく、製造が容易である。

なお、本発明は上記した本実施形態に限定されることなく種々の変形が可能である。
［変形例］

本実施形態では、Ｉ型のリードピンを例示したが、Ｉ型のリードピンに代えてＴ型のリードピンが用いられてもよい。図６は、本発明の変形例に係る撮像管を示す図である。図６には、光出射窓側から見た撮像管が示されている。図６に示す撮像管１Ｃは、撮像管１においてリードピン６０〜６３に代えて、リードピン６０Ｃ，６１Ｃ，６２Ｃ，６３Ｃを備える構成において第１の実施形態と異なっている。撮像管１Ｃのその他の構成は、第１の実施形態と同様である。

リードピン６０Ｃは、Ｔ字状をなしており、部分６０ａと部分６０ｂとを有している。部分６０ａは、リードピン６０と同様に、軸線Ｘ方向に延びている。部分６０ａの一端側には、部分６０ｂが結合されている。部分６０ｂは、導電膜５０の主面に沿って延びており、導電膜５０と電気的に接合されている。

同様に、リードピン６１Ｃ，６２Ｃ，６３Ｃは、それぞれ、Ｔ字状をなしており、部分６１ａ，６２ａ，６３ａと部分６１ｂ，６２ｂ，６３ｂとを有している。部分６１ａ，６２ａ，６３ａの各々は、リードピン６０と同様に、軸線Ｘ方向に延びている。部分６１ａ，６２ａ，６３ａの一端部には、それぞれ、部分６１ｂ，６２ｂ，６３ｂが結合されている。部分６１ｂ，６２ｂ，６３ｂの各々は、導電膜５０の主面に沿って延びており、導電膜５０と電気的に接合されている。また、リードピン６０Ｃにおける部分６０ｂとリードピン６２Ｃにおける部分６２ｂとは平行になるように設けられており、同様に、リードピン６１Ｃにおける部分６１ｂとリードピン６３Ｃにおける部分６３ｂとは平行になるように設けられている。

この変形例に係る撮像管１Ｃによれば、導電膜５０に入射し、導電膜５０を移動する電子を、リードピン６０Ｃ〜６３Ｃによって効率よく取り出すことができ、光入射位置の検出感度を向上することができる。

また、本実施形態では、四本のリードピンを備える撮像管を例示したが、撮像管は少なくとも二本のリードピンを備えていれば光入射位置を検出することができる。

本発明の第１の実施形態に係る撮像管を示す図である。四本のリードピンに流れる電流値に対応する電圧値の測定結果を示す図である。光出力窓側から見た撮像管を領域分割した図である。本発明の第２の実施形態に係る撮像管を示す断面図である。本発明の第３の実施形態に係る撮像管を示す断面図である。本発明の変形例に係る撮像管を示す図である。

符号の説明

１，１Ａ，１Ｂ…撮像管、１０…真空外囲器、１１…側壁、１２…光入射窓、１２ａ…内面、１３…光出射窓、１３ａ…内面、２０…光電面、３０〜３２…マルチチャンネルプレート（ＭＣＰ、電子増倍部）、４０，４０Ａ…蛍光体膜（第１の膜）、４０ａ…主面、４０Ｂ…蛍光体膜、５０，５０Ａ…導電膜（第２の膜）、５０ａ…主面、６０〜６３…リードピン（導電部材）。

Claims

光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、
前記光入射窓の内面側に形成された光電面と、
前記光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、
前記電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する第１の膜と、
略均一な面積抵抗率を有し、前記電子増倍部からの電子を受ける第２の膜と、
前記第２の膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材と、
を備え、
前記第１の膜と前記第２の膜とは、前記光出射窓の内面側に積層されている、
撮像管。
光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、
前記光入射窓の内面側に形成された光電面と、
前記光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、
前記光出射窓の内面側に形成され、前記電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、
略均一な面積抵抗率を有し、前記蛍光体膜における前記電子増倍部側の主面側に形成されて、前記電子増倍部からの電子を受ける導電膜と、
前記導電膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材と、
を備える、
撮像管。
光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、
前記光入射窓の内面側に形成された光電面と、
前記光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、
略均一な面積抵抗率を有し、前記光出射窓の内面側に形成されて、前記電子増倍部からの電子を受ける導電膜と、
前記導電膜における前記電子増倍部側の主面側に形成され、前記電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、
前記導電膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材と、
を備え、
前記導電膜は、前記蛍光体膜からの蛍光を透過可能である、
撮像管。
光入射窓及び光出射窓を有する真空外囲器と、
前記光入射窓の内面側に形成された光電面と、
前記光電面から放出された光電子を増倍するための電子増倍部と、
略均一な面積抵抗率を有し、前記光出射窓の内面側に形成されて、前記電子増倍部からの電子の入射によって蛍光を発する蛍光体膜と、
前記蛍光体膜と電気的に接合した少なくとも二つの導電部材と、
を備える、
撮像管。