JPH1097835A

JPH1097835A - 保護リングを有するフラット・ディスプレイ・スクリーン・アノード

Info

Publication number: JPH1097835A
Application number: JP9130553A
Authority: JP
Inventors: Stephane Mougin; ムウジャンステファン; Francis Courreges; クレージュフランシス; Bernard Bancal; バンカルベルナール; Cazaux Lionel Riviere; リヴィエール−カゾーリオヌル
Original assignee: Pixtech SA
Current assignee: Pixtech SA
Priority date: 1996-05-06
Filing date: 1997-05-06
Publication date: 1998-04-14
Also published as: FR2748347A1; US5903108A; EP0806788A1; FR2748347B1

Abstract

(57)【要約】【課題】スクリーンの周縁に出る火花の問題の新しい
解決策を提供すること。【解決手段】本発明は、蛍光エレメントを有する活性
領域を含み、活性領域が、１に等しいかまたは１よりも
小さい二次放出係数を有する材料内の少なくとも１つの
トラックによって囲まれるタイプのフラット・ディスプ
レイ・スクリーン・アノードに関する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フラット・ディス
プレイ・スクリーンに関し、さらに詳細には、そのアノ
ードが絶縁領域によって互いに分離され、かつ電子衝撃
によって励起される可能性のある蛍光エレメントを担持
するいわゆるカソード・ルミネセンス・スクリーンに関
する。この電子衝撃は、蛍光エレメントをバイアスする
ことを必要とし、マイクロチップ、低い抽出電位を有す
る層、または熱イオン源から発生する。

【０００２】

【従来の技術】本願の説明を簡単にするために、以下で
はマイクロチップ・スクリーンについてのみ検討する
が、本発明は一般に、様々な上述のタイプのスクリーン
などに関することに留意されたい。

【０００３】図１に、フラット・カラー・マイクロチッ
プ・ディスプレイ・スクリーンの構造を示す。

【０００４】そのようなマイクロチップ・スクリーンは
本質上、マイクロチップ２を有するカソード１と、マイ
クロチップ２の位置に対応する穴４が形成されたグリッ
ド３から構成される。カソード１は、そのガラス基板６
がスクリーン表面を構成するカソード・ルミネセント・
アノード５に対向して配置される。

【０００５】マイクロチップ・スクリーンの動作原理お
よび特定の実施形態は、特に、Ｃｏｍｍｉｓｓａｒｉａ
ｔａｌ’ＥｎｅｒｇｉｅＡｔｏｍｉｑｕｅの米国
特許第４９４９１１６号に記載されている。

【０００６】カソード１は、列として編成され、ガラス
基板１０上で、導電層からメッシュとして編成されたカ
ソード導体から構成される。マイクロチップ２は、カソ
ード導体上に設置された抵抗層１１上で実施され、カソ
ード導体によって画定されたメッシュ内に配置される。
図１は、特にメッシュの内部を示し、カソード導体は図
面に示されていない。カソード１は、行として編成され
たグリッド３と関連する。グリッド３の行とカソード１
の列との交点がピクセルを定義する。

【０００７】この装置では、カソード１とグリッド３の
間に生成される電界を使用して、マイクロチップ２から
電子を抽出する。次いで、これらの電子は、アノード５
の蛍光エレメントが適切にバイアスされた場合、それに
よって引きつけられる。カラー・スクリーンの場合、ア
ノード５は、それぞれカラー（赤、緑、青）に対応する
蛍光エレメント７ｒ、７ｇ、７ｂの交互のバンドを具備
する。バンドは、カソードの列に平行であり、絶縁体
８、一般に二酸化ケイ素（ＳｉＯ₂ ）によって互いに分
離される。蛍光エレメント７は、インジウムおよびスズ
酸化物（ＩＴＯ）など透明導電層の対応するバンドから
構成される電極９上に設置される。赤、緑、青のバンド
の組は、カソード１に対して交互にバイアスされ、した
がってカソード／グリッドのピクセルのマイクロチップ
２から抽出された電子は、各カラーに対応する蛍光エレ
メント７に交互に向けられる。

【０００８】カソード１のマイクロチップからの電子に
よって衝撃すべきエレメント７（図１の蛍光体７ｇ）を
選択する制御は、カラーごとに、アノード５の蛍光エレ
メント７のバイアスを選択的に制御するように強いる。

【０００９】一般に、グリッド３の行は、８０ボルト程
度の電位に逐次バイアスされ、励起すべき蛍光エレメン
トのバンド（例えば、図１の７ｇ）は、蛍光エレメント
がその上に設置されたＩＴＯバンドを介して４００ボル
ト程度の電圧のもとでバイアスされる。蛍光エレメント
の他のバンド（例えば、図１の７ｒおよび７ｂ）を担持
するＩＴＯバンドは、低電位または０電位にある。カソ
ード１の列は、最大放出電位と無放出電位の間のそれぞ
れの電位にされる（例えば、それぞれ０〜３０ボル
ト）。このようにして、行内の各ピクセルのカラー成分
の輝度が決定される。

【００１０】バイアス電位の値の選択は、蛍光エレメン
トのフィーチャおよびマイクロチップ２のフィーチャに
関連する。通常、カソードとグリッドの間の電位差が５
０ボルト以下の場合、電子放出は起こらず、使用される
最大放出は８０ボルトの電位差に対応する。

【００１１】基板６と基板１０の間の空間１２は、一般
に、グリッド３とアノード５の間でスクリーンの表面全
体上に均一に分配されたスペーサ（図示せず）によって
画定される。基板６と基板１０は、周縁密封材、例え
ば、焼き入れした後、堅い周縁ジョイントを構成する溶
融ガラスのひもによって互いにアセンブルされる。

【００１２】カラー・スクリーンの場合、同じカラーの
蛍光エレメントを担持するバンドの組によってバンド９
を接続するためのトラックは、交互のバンドの３つの組
を相互接続しなければならないので、絶縁層と導電層の
パイルを基板６上に形成する必要がある。

【００１３】モノクローム・スクリーンの場合、そのア
ノードが同じカラーの蛍光エレメントの平面から構成さ
れ、必要な接続トラックは１つだけであり、このトラッ
クは、基板６上に直接設置される。

【００１４】従来のスクリーンの欠点は、その寿命が短
いこと、すなわち、比較的短い動作時間（１００時間程
度）の後、スクリーン周縁における火花の形成に起因す
る破壊現象が起こることである。

【００１５】この現象の原因は、あまりよく分かってお
らず、一般に、アノードとカソードの間の高い電位差に
対して電極間の空間が小さい（０．２ｍｍ程度）ためで
あると考えられていた。とりわけこの現象を克服するた
めに、所与のアノード／カソード電圧に対して電極間の
距離を増す方法が実施された。しかしながら、この解決
策では、他の問題（スペーサ、結像．．．）が発生し、
スクリーン周縁における破壊現象の発生が遅くなるだけ
である。

【００１６】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、上述
のスクリーンの周縁に出る火花の問題の新しい解決策を
提供することである。

【００１７】

【課題を解決するための手段】この目的を達成するため
に、本発明は、蛍光エレメントを有する活性領域を含
み、前記活性領域が、活性領域を電子衝撃した後でそれ
によって再放出される可能性のある二次電子を収集する
少なくとも１つのトラックによって囲まれ、前記トラッ
クの少なくとも大部分が絶縁材料内の間隔によって活性
領域の周縁から分離されるタイプのフラット・ディスプ
レイ・スクリーン・アノードを提供する。

【００１８】本発明の一実施形態によれば、トラックの
幅は、絶縁材料によって再放出される二次電子が進む可
能性のある距離よりも大きい。

【００１９】本発明の一実施形態によれば、トラックの
幅は、５０μｍよりも大きい。

【００２０】本発明の一実施形態によれば、絶縁間隔の
幅は、それを構成する材料によって再放出される二次電
子が進む可能性のある距離よりも小さい。

【００２１】本発明の一実施形態によれば、トラック
は、活性領域のバイアス電位よりも実質上小さい電位に
される。

【００２２】本発明の一実施形態によれば、アノード
は、活性領域を囲む少なくとも２つの同心トラックを含
む。活性領域に近接する第１のトラックは、この活性領
域の電位と、活性領域に対して遠端側にある第２のトラ
ックがもっていかれる電位との間の中間電位にされる。

【００２３】本発明の一実施形態によれば、トラック
は、活性領域をバイアスするためのトラックが通過でき
るように開いている。

【００２４】本発明の一実施形態によれば、トラック
は、活性領域と、活性領域の電位よりも低い電位にある
接続端子との間でらせん形状になっている。

【００２５】本発明の一実施形態によれば、抵抗がらせ
んの各断面内に挿入される。

【００２６】本発明の一実施形態によれば、トラック
は、低抵抗材料内にある。

【００２７】本発明の一実施形態によれば、トラック
は、１に等しいかまたは１よりも小さい二次放出係数を
有する材料内にある。

【００２８】本発明の上記の目的、特徴および利点につ
いて、添付の図面と関連して、以下の本発明の特定の実
施形態についての非限定的な説明において詳細に論じ
る。

【００２９】

【発明の実施の形態】図が見やすいように、異なる図面
において、同じ要素は同じ参照番号によって示してあ
る。同じ理由で、図面の表示は縮尺が一定でない。

【００３０】本発明の発端は、従来のスクリーン内で上
述の問題を発生する現象を解明することである。

【００３１】本発明の発明者等は、この問題は、特に、
アノード周縁において発生する二次放出現象に起因する
と考える。

【００３２】図２に、フラット・ディスプレイ・スクリ
ーンの縁部を概略的に断面で示す。図が見やすいよう
に、カソード１およびグリッド３を構成する細部は図示
していない。

【００３３】上記のように、スクリーンが完成した後、
内部間隔１２は、それぞれスクリーンのアノードおよび
カソードを担持する基板６および１０の密封を保証する
ためにガラス・ジョイント１４で囲まれる。カラー・ス
クリーンの場合、ジョイント１４は、バンドが同じカラ
ーの組によって相互接続されるように、蛍光エレメント
を担持するアノードの活性領域の縁部から離して配置し
なければならない。図が見やすいように、導電層と絶縁
層のパイルは図２に示されていない。周縁絶縁バンド
８’のみを示してある。このバンド８’は、図２に示す
ように、ジョイント１４まで延びるか、またはスクリー
ンの周縁のいくつかの部分において基板６にアクセスで
きる状態にすることができる。

【００３４】スクリーンの周縁に配置されたＩＴＯバン
ド（例えば、図２のバンド９ｇ）が４００ボルトにバイ
アスされているとき、カソード１のマイクロチップ（図
示せず）によって放出された「一次」電子ｅ_i は蛍光体
７ｇ上に到達する。「二次」電子ｅ_s は、７ｇによって
再放出される。さらに、多数の一次電子は、絶縁層８’
の縁部上に到達するか、またはついには基板６上の層
８’のない領域に直接到達する。この場合も、二次電子
が発生する。

【００３５】どんな材料も、この材料上に到達する入射
電子に対して再放出される二次電子の平均数を表すδと
呼ばれる二次放出係数を有する。二次電子の統計分布の
優勢なエネルギーは、入射電子のエネルギーの如何に関
わらず、３０〜５０ｅＶ程度である。

【００３６】材料の二次放出係数は、その表面に接触す
る電子のエネルギーに応じて変化する。一般に、この係
数は、最大レベルδ_max に達するまで増大し、その後漸
近値まで減少する。マイクロチップ・スクリーンの場
合、一次電子のエネルギーは、アノードのバイアス電位
に結合され、例えば４００ｅＶ程度である。

【００３７】二次放出係数δが１よりも大きい場合、材
料の表面が、それが受け取ったよりも多くの電子を再放
出し、正に帯電する傾向があることを意味する。逆に、
二次放出係数δが１よりも小さい場合、電子は蓄積す
る。

【００３８】集積回路を製造する場合に使用される技術
から派生する技術を使用してマイクロチップ・スクリー
ンを実施することから、酸化ケイ素を使用して絶縁バン
ド８’を実施することになる。実際、酸化ケイ素は、一
般的な材料であり、その使用はよく制御される。残念な
がら、酸化ケイ素は、特に高い二次放出係数を有する
（δ_max は、４００ｅＶ程度のエネルギーに対して３程
度である）。

【００３９】同様に、基板６およびジョイント１４を構
成するガラスも非常に高い二次放出係数を有する（δ
_max は、４００ｅＶ程度のエネルギーに対して４程度で
ある）。

【００４０】この二次放出現象の結果は次のようにな
る。

【００４１】最初に、トラック８’、基板６およびジョ
イント１４は０ボルトになっている。トラック８’（ま
たは基板６上）の縁部上で、トラック９ｇがバイアスさ
れた場合にトラック９ｇの縁部に到達する一次電子は、
二次電子の放出によって、層８’の酸化ケイ素の表面
（または基板６の表面）に正電荷を発生させる。スクリ
ーンが動作すると、正電荷が増大するにつれて、ますま
す多くの一次電子がバンド８’の表面または基板６の表
面によって引きつけられるので、この正電荷領域が拡大
する。さらに、二次電子の放出は一般に、二次電子の新
たな放出をもたらす。正電荷領域は、ジョイント１４に
向かって伝搬し、次いでガラス・ジョイント１４の表面
に達し、したがって徐々にカソードに近くなる。正電荷
領域がカソードに十分近くなると、カソードに対する電
位差のために、火花現象が起こる。

【００４２】これで、基板を互いに間隔しても、スクリ
ーン周縁における電気アークの発生が遅くなるだけであ
る理由が理解できよう。

【００４３】この分析に基づいて、本発明は、二次放出
現象が密封ジョイントまで伝搬するのを防ぐために、二
次電子を捕獲する方法を提供する。

【００４４】本発明の特徴は、アノードの蛍光エレメン
トを担持する活性領域と密封ジョイントとの間に、第２
の電極を収集するトラックを配置することである。この
収集トラックは、本発明によれば、所定の電位にバイア
スされた導電性材料内か、またはバイアスできることが
好ましい１に等しいかまたは１よりも小さい二次放出係
数を有する材料内にある。

【００４５】本発明によれば、収集トラックの少なくと
も大部分が絶縁材料内の間隔によって活性領域の周縁か
ら分離される。

【００４６】トラックをバイアスする場合、そのバイア
ス電位は、カソードによって放出される電子に影響を及
ぼさないように選択する。

【００４７】材料の選択は、特に、以下で本発明の様々
な実施形態に関して示すように、収集トラックの数およ
び形状に依存する。低い二次放出係数δを有する材料の
場合、少なくともマイクロチップによって放出された一
次電子のエネルギー範囲内で１よりも小さい二次放出係
数δを有する材料を選択する。導電性材料の場合、その
二次放出係数δが１よりも大きいならば、低抵抗材料を
選択する。

【００４８】次に、これらの実施形態について、図３な
いし図５と関連して説明する。図面を簡単にするため
に、図３ないし図５は、対応するＩＴＯ平面（図面には
図示せず）によって支持される同じカラーの蛍光エレメ
ントの平面２０から構成されるモノクローム・スクリー
ンのアノードを示す。ただし、以下に記載する様々な実
施形態は、そのアノードが同じカラーの蛍光エレメント
の交互の平行バンドのいくつかの組から構成されるカラ
ー・スクリーンの場合にも適用されることに留意された
い。図３ないし図５において、密封ジョイント（図２の
１４）の内部限界の位置は、点線１４’の枠によって表
されている。

【００４９】図３に、本発明によるフラット・スクリー
ン・アノードの第１の実施形態を示す。

【００５０】この実施形態によれば、活性領域２０は、
二次電子を収集する単一のトラック２１によって囲まれ
る。

【００５１】トラック２１は、活性領域２０を囲むリン
グであり、カソード（図示せず）から電子を引きつける
ことによってスクリーンの動作を妨害しないように、実
質上活性領域のバイアス電位よりも小さい電位にバイア
スされることが好ましい。

【００５２】リング２１は、活性領域２０と接触しては
ならない。したがって、リング２１および活性領域２０
は、絶縁材料２２、例えば、アノードがその上に形成さ
れる基板６のガラスまたは基板６上に移動した酸化ケイ
素バンドによって分離される。

【００５３】リング２１は、バイアスされていない場
合、その二次放出係数が１よりも小さいので、材料２２
の表面によって再放出された二次電子を受け取ったとき
に負に帯電し、帯電した後、電子を活性領域２０の方へ
集中させる。しかしながら、この負の帯電は制御するこ
とが困難である。特に、活性領域２０とトラック２１の
間に電気アークが発生するのを回避できる絶縁間隔２２
の幅を決定することが困難である。

【００５４】リング２１の電位は、バイアスされた場
合、例えば、０または０に近くなる（わずかに負になる
ことが好ましい）。

【００５５】リング２１の幅は、前述のようにマイクロ
チップからの一次電子を受け取る可能性のある絶縁材料
２２の表面によって再放出され、二次電子が進む可能性
のある平均距離よりも大きくなるように選択される。一
般に、３０ｅＶ程度のエネルギーでは、二次電子は、５
０μｍ程度の距離を進む。したがって、リング２１の幅
は、実質上５０μｍ以上であることが好ましい。

【００５６】絶縁間隔２２は、活性領域２０と収集リン
グ２１の間に電気アークが発生するのを回避するために
十分大きくなければならない。しかしながら、間隔２２
は、この間隔内で正電荷領域が拡大するのを回避するた
めにできるだけ狭くする。バイアス電位が許すならば、
絶縁間隔２２の幅は、この間隔の表面によって放出され
た二次電子が進む可能性のある平均距離よりも小さい、
すなわち５０μｍ以下であることが理想的である。これ
により、絶縁材料２２よって再放出されたすべての二次
電子が材料２１によって収集されることになる。

【００５７】トラック２１の材料は、少なくとも低い抵
抗率を有しない場合、１よりも小さい二次放出係数δ
_max を有することが好ましい。これにより、一次電子の
エネルギーとは無関係に、すなわちアノードおよびカソ
ードのバイアス値とは無関係に、二次放出が起こらなく
なる。第１の実施形態では、トラック２１の材料は、必
要ならば、それをバイアスすることが望まれない場合、
絶縁される。

【００５８】本発明の利点は、二次電子がアノード・プ
レートとカソード・プレートの間の密封ジョイント１
４’まで伝搬する現象が回避されることである。さら
に、リング２１をバイアスすることにより、対応する電
荷を除去することができる。

【００５９】図３において、リング２１は、連続的であ
り、したがって絶縁物（図示せず）を介して、活性領域
２０をバイアスするためのトラック２４を覆う。このト
ラック２４は、ジョイント１４’の先に延び、コネクタ
２５を介して、スクリーン制御回路（図示せず）に接続
されるようになされる。同様に、リング２１は、ジョイ
ント１４’の先に延びる導電トラック２６によってバイ
アスされ、制御回路に接続するためのコネクタ２７を受
容するようになされる。

【００６０】しかしながら、リング内には、トラック２
４と接触することなく通過できるように開口が残され
る。これは、同じプロセス・ステップにおいてエッチン
グされる領域２０、トラック２４およびリング２１に同
じ材料（例えばＩＴＯ）が使用できる利点を有する。

【００６１】図４に、本発明によるフラット・スクリー
ン・アノードの第２の実施形態を示す。

【００６２】この第２の実施形態によれば、アノードの
活性領域２０は、二次電子を制御するための２つの同心
リングで囲まれる。第１のリング２１’は、絶縁材料２
２内の間隔によって領域２０から分離される。第２のリ
ング２１”は、リング２１’を囲み、同時に絶縁材料２
２’内の第２の間隔によってリング２１’から分離され
る（例えば、基板６のガラスまたは基板６上に付着した
酸化ケイ素）。本願では、リング２１’および２１”を
構成する材料は、バイアスできる（また低い抵抗率を有
しない場合、１よりも小さいδを有する）ように選択さ
れる。

【００６３】上述のように、リング２１’および２１”
の幅は、それぞれ絶縁材料２２および２２”によって再
放出された二次電子が進む可能性のある平均距離よりも
大きくなるように選択される。

【００６４】活性領域２０は、トラック２４およびコネ
クタ２５によってバイアスされる。リング２１’および
２１”は、それぞれトラック２６’およびコネクタ２
７’、トラック２６”およびコネクタ２７”によってバ
イアスされる。

【００６５】本発明によれば、リング２１’および２
１”は、異なる電位にバイアスされる。リング２１’
は、活性領域２０の電位と外部リング２１”の電位の間
の中間電位にあることが好ましい。具体例として、リン
グ２１’は２００ボルトの電位にあり、リング２１”は
０ボルトの電位にある。

【００６６】この第２の実施形態の利点は、電位を活性
領域からスクリーンの縁部までより漸進的に低下させ、
電界力線を拡げることによりエッジ効果が回避されるこ
とである。

【００６７】この第２の実施形態の他の利点は、活性領
域２０とリング２１’の間の間隔２２の幅、およびリン
グ２１’とリング２１”の間の間隔２２’の幅を短縮で
きることである。実際、領域２０とリング２１’の間の
電位差、およびリング２１’とリング２１”の間の電位
差が低下するので、電気アークが生成される限界距離は
小さくなる。これにより、領域２０とリング２１’の間
の電気アークの形成を防ぐ要件および二次電子が進む距
離よりも小さい幅をもたせる要望と関連して、間隔２２
の幅の兼ね合いの考慮が容易になるので、間隔２２内の
正電荷領域の拡大が最小限に抑えられる。

【００６８】図５に、本発明によるフラット・スクリー
ン・アノードの第３の実施形態を示す。

【００６９】この実施形態によれば、二次電子の収集
は、０または０に近い電位にある導体２７によって活性
領域２０の１つの縁部を接続端子３６に接続するらせん
形状のトラック３１によって実施される。本願では、ト
ラック３１は、１よりも小さい二次放出係数を有するよ
うに選択される。

【００７０】絶縁材料２２、２２’および２２”内の間
隔は、活性領域２０と第１のらせん巻線の間、およびト
ラック３１の各らせん巻線間に形成される。

【００７１】上述のように、トラック３１の巻線の幅
は、二次電子が巻線をスキップし、絶縁間隔２２から絶
縁間隔２２’または２２”まで伝搬して、スクリーンの
縁部に到達するのを回避するために十分大きくする。

【００７２】この第３の実施形態では、巻線の幅はま
た、活性領域（４００ボルト）から端子３６（例えば、
０ボルト）までの電位の漸進的低下を得るために、所望
の抵抗率によって決定される。

【００７３】本発明によれば、トラック３１の幅は、ト
ラック３１がそこを通る電流を最小にするために十分な
抵抗を有するように選択される。

【００７４】別形態として、トラック３１を構成するた
めに選択した材料の抵抗率に応じて、トラック３１によ
って画定される各らせん巻線内に、例えば、セリグラフ
ィによって得られる抵抗３３を組み込むことができる。

【００７５】活性領域２０のバイアスは、上述のよう
に、スクリーン制御回路に接続されたコネクタ２５を受
容するトラック２４によって得られる。

【００７６】図５に示される第３の実施形態の利点は、
活性領域２０とジョイント１４’の間に漸進的な制御さ
れた電位減少が生じることである。

【００７７】この第３の実施形態の他の利点は、中間電
源を必要とせず、同時に縁部効果が最小限に抑えられる
ことである。

【００７８】前述の実施形態の１つによる二次電子収集
リング２１、２１’、２１”または３１を構成する材料
は、例えば、ＩＴＯ（低抵抗材料）である。

【００７９】二次電子収集リングはまた、０．９５程度
の最大二次放出係数δ_max を有する酸化クロム（Ｃｒ₂
Ｏ₃ ）によっても実施できる。この場合、収集トラック
の最終的なバイアスは、酸化クロム層がその上に設置さ
れる（例えば、ＩＴＯの）同じパターンを有する導電層
を介して得られる。

【００８０】図５に示される第３の実施形態のトラック
３１を実施するために酸化クロムを選択した場合、酸化
クロムはＩＴＯよりも大きい抵抗率を有する材料なの
で、一般に、抵抗３３を追加する必要はない。さらに、
酸化クロムを使用すると、第３の実施形態によれば、よ
り広い巻線を実施することができ、したがって二次電子
伝搬の欠如が改善される。

【００８１】トラック２１’、２１”および３１に選択
した材料が１よりも小さい係数δを有しない場合、それ
をバイアスすることによって電荷を除去し、それにより
二次電子再放出を回避するために、その抵抗率を十分小
さくすべきことに留意されたい。

【００８２】上述のいずれかの実施形態による本発明の
実施は、選択した材料に対して従来の付着およびトラッ
ク画定手段によって実施できる。例えば、カソード・ス
パッタリングまたは蒸着が使用できる。トラックの幅は
また、セリグラフィの使用を可能にすることに留意され
たい。

【００８３】もちろん、当業者なら容易に考えつくであ
ろう様々な変更、修正および改善を本発明に加えること
ができる。特に、二次電子収集リングのバイアス電位の
選択は、スクリーンのアノードおよびカソードそれぞれ
の電位に依存する。

【００８４】さらに、例として示したもの以外の他の材
料を使用して、収集リングを実施することができ、また
例として与えられた寸法は、用途に応じて修正できる。

【００８５】さらに、記載の例はモノクローム・スクリ
ーンに適用されるが、本発明は、カラー・スクリーンに
も適用できる。この場合、二次電子収集リングは、蛍光
エレメントのバンドの相互接続を可能にするパイルの上
に設置される。

【図面の簡単な説明】

【図１】上述した従来のマイクロチップ・スクリーンの
構造全体を概略的に示す図である。

【図２】従来のフラット・ディスプレイ・スクリーンの
縁部を概略的に断面で示す図である。

【図３】本発明によるカソード・ルミネセンス・フラッ
ト・ディスプレイ・スクリーン・アノードの第１の実施
形態を示す図である。

【図４】本発明によるカソード・ルミネセンス・フラッ
ト・ディスプレイ・スクリーン・アノードの第２の実施
形態を示す図である。

【図５】本発明によるカソード・ルミネセンス・フラッ
ト・ディスプレイ・スクリーン・アノードの第３の実施
形態を示す図である。

【符号の説明】

ｅ_i 一次電子ｅ_s 二次電子１カソード２マイクロチップ３グリッド４穴５カソード・ルミネセント・アノード６ガラス基板７ｒ蛍光エレメント７ｇ蛍光エレメント７ｂ蛍光エレメント８絶縁体８’ 周縁絶縁バンド９電極９ｇバンド１０ガラス基板１１抵抗層１２空間１４ガラス・ジョイント２０蛍光エレメントの平面２１トラック２１’ 第１のリング２１” 第２のリング２２絶縁材料２２’ 絶縁材料２２” 絶縁材料２４トラック２５コネクタ２６導電トラック２６’ トラック２６” トラック２７コネクタ２７’ コネクタ２７” コネクタ３１らせん形状のトラック３３抵抗３６接続端子

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者フランシスクレージュフランス国， 34000 モンペリエ，リュデュプティサンジャン， 16番地 (72)発明者ベルナールバンカルフランス国， 13080 リュイヌ，アレドゥロデナ，５番地 (72)発明者リオヌルリヴィエール−カゾーフランス国， 34000 モンペリエ，リュデュピオクドゥブウトネート, 473番地

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】蛍光エレメントを有する活性領域を含
み、前記活性領域（２０）が、活性領域を電子衝撃した
後でそれによって再放出される可能性のある二次電子を
収集する少なくとも１つのトラック（２１、２１’、３
１）によって囲まれ、前記トラックの少なくとも大部分
が絶縁材料内の間隔によって活性領域の周縁から分離さ
れるタイプのフラット・ディスプレイ・スクリーン・ア
ノード。
【請求項２】トラック（２１、２１’、２１”、３
１）の幅が、絶縁材料（２２、２２’、２２”）によっ
て再放出される二次電子が進む可能性のある距離よりも
大きい請求項１に記載のアノード。
【請求項３】トラック（２１、２１’、２１”、３
１）の幅が５０μｍよりも大きい請求項２に記載のアノ
ード。
【請求項４】絶縁間隔（２２、２２’、２２”）の幅
が、それを構成する材料によって再放出される二次電子
が進む可能性のある距離よりも小さい請求項１ないし３
のいずれか一項に記載のアノード。
【請求項５】トラック（２１、２１’、３１）が、活
性領域（２０）のバイアス電位よりも実質上小さい電位
にされる請求項１ないし４のいずれか一項に記載のアノ
ード。
【請求項６】活性領域（２０）を囲む少なくとも２つ
の同心トラック（２１’、２２”）を含み、活性領域
（２０）に近接する第１のトラック（２１’）が、この
活性領域（２０）の電位と、活性領域（２０）に対して
遠端側にある第２のトラック（２２”）がもっていかれ
る電位との間の中間電位にされる請求項１ないし４のい
ずれか一項に記載のアノード。
【請求項７】トラックが、活性領域（２０）をバイア
スするためのトラック（２４）が通過できるように開い
ている請求項１ないし６のいずれか一項に記載のアノー
ド。
【請求項８】トラック（３１）が、活性領域（２０）
と、活性領域（２０）の電位よりも低い電位にある接続
端子（３６）との間でらせん形状になっている請求項１
ないし４のいずれか一項に記載のアノード。
【請求項９】抵抗（３３）がらせん（３１）の各セク
ション内に挿入される請求項７に記載のアノード。
【請求項１０】トラック（２１、２１’、２１”、３
１）が低抵抗材料内にある請求項１ないし９のいずれか
一項に記載のアノード。
【請求項１１】トラック（２１、２１’、２１”、３
１）が、１に等しいかまたは１よりも小さい二次放出係
数（δ）を有する材料内にある請求項１ないし１０のい
ずれか一項に記載のアノード。