JPH1082802A - Wave-form memory device - Google Patents

Wave-form memory device

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Publication number
JPH1082802A
JPH1082802A JP23675896A JP23675896A JPH1082802A JP H1082802 A JPH1082802 A JP H1082802A JP 23675896 A JP23675896 A JP 23675896A JP 23675896 A JP23675896 A JP 23675896A JP H1082802 A JPH1082802 A JP H1082802A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
memory
address
time
addresses
memory address
Prior art date
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Pending
Application number
JP23675896A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Noboru Hosokawa
昇 細川
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Denshi KK
Original Assignee
Hitachi Denshi KK
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Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Denshi KK filed Critical Hitachi Denshi KK
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Publication of JPH1082802A publication Critical patent/JPH1082802A/en
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To reduce the noises from a memory address bus by using a gray code so that the hamming distance of the address numerical value becomes 1 before and after a change every time the memory address proceeds by 1. SOLUTION: The input signal of a CH1 is set to a proper amplitude through an attenuator 1 and an amplifier 3, it is converted by an ADD-converter 5 at the timing of the clock signal D from a time base circuit 10, and it is stored in a memory 7 by the write signal E from the time base circuit 10. A gray code memory address counter circuit 9 counts up based on the address counter clock signal F from the time base circuit 10, memory addresses A are inputted to a memory address bus in sequence, and the AD-converted wave-form data are stored in different addresses of a memory 8 in sequence. The memory addresses A are outputted in a gray code, and only one bit is changed every time one address proceeds. The occurrence of noises can be sharply suppressed.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、ディジタルオシロ
スコープ等の波形記憶装置のメモリへの記憶方式の改良
に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an improvement in a storage method of a waveform storage device such as a digital oscilloscope in a memory.

【0002】[0002]

【従来の技術】図4に従来技術例を示す。同図は2チャ
ンネル入力の波形記憶装置の一部を示したブロック図で
ある。
2. Description of the Related Art FIG. 4 shows a prior art example. FIG. 1 is a block diagram showing a part of a two-channel input waveform storage device.

【0003】1と2はアッテネータ回路、3と4はアン
プ、5と6はA/D変換器、7と8はメモリ、10はタ
イムベース回路、11はメモリアドレスカウンタ回路で
ある。ch1の入力信号は、アッテネータ1、アンプ3
を通して適当な振幅になり、タイムベース10から出力
されるクロック信号DによるタイミングでA/D変換器
5でディジタル変換され、波形データを得る。同じくタ
イムベース10から出力される書込信号Eによりメモリ
7に記憶される。 このとき、タイムベース回路10か
らのアドレスカウンタ用のクロック信号Fにより、メモ
リアドレスカウンタ回路11がカウントアップして、メ
モリアドレスAを順次バスを介して出力していき、メモ
リの異なるアドレスにA/D変換された前記波形データ
を順次記憶していく。
[0003] 1 and 2 are attenuator circuits, 3 and 4 are amplifiers, 5 and 6 are A / D converters, 7 and 8 are memories, 10 is a time base circuit, and 11 is a memory address counter circuit. The input signal of ch1 is attenuator 1, amplifier 3
Through the A / D converter 5 at a timing according to the clock signal D output from the time base 10 to obtain waveform data. Similarly, the write signal E output from the time base 10 is stored in the memory 7. At this time, the memory address counter circuit 11 counts up by the clock signal F for the address counter from the time base circuit 10 and sequentially outputs the memory addresses A via the bus. The D-converted waveform data is sequentially stored.

【0004】このときメモリアドレスカウンタ11から
出力されるメモリアドレスはバイナリコードで出力され
ている。
At this time, the memory address output from the memory address counter 11 is output in a binary code.

【0005】[0005]

【発明が解決しようとする課題】前述の従来技術には、
波形データ記憶中のメモリのアドレスのビット変化が激
しく、さらに多ビットが同時に変化するという欠点があ
る。
The above-mentioned prior art includes the following:
There is a drawback that the bit of the address of the memory during the storage of the waveform data changes drastically, and more bits change simultaneously.

【0006】図3にアドレスバスにおけるこのメモリア
ドレスAのタイムチャートを示す。バイナリコードで0
から順次カウントアップしていくと、実線の矢印で示す
ように全ビットが同時に変化するところが有れば、破線
の矢印で示すように1ビットを除いて全て同時に変化す
るところがあったりする。本例では、説明の都合上4ビ
ットしか記載していないが、メモリ容量が大きくなるほ
どアドレスのビット数が増え、同時に変化するタイミン
グで大きなノイズが発生することになる。変化するビッ
ト数がタイミングによりまちまちなので、ノイズの量も
大から小までまちまちになる。このノイズが前段の高感
度のアナログ回路(アッテネータ1、2、アンプ3、
4、A/D変換器5、6)に飛び込んで悪影響を及ぼす
ことになる。
FIG. 3 shows a time chart of the memory address A on the address bus. 0 in binary code
When sequentially counting up from, if all bits change at the same time as indicated by the solid-line arrows, all but one bit change at the same time as indicated by the dashed-line arrows. In this example, only four bits are described for the sake of explanation. However, as the memory capacity increases, the number of address bits increases, and large noise occurs at the same time as changing. Since the number of changing bits varies depending on the timing, the amount of noise varies from large to small. This noise is a high-sensitivity analog circuit (attenuator 1, 2, amplifier 3,
4. It jumps into the A / D converters 5 and 6) and has an adverse effect.

【0007】また、このアドレス信号は変化の頻度が多
いので、メモリアドレスの入力容量を駆動するための消
費電流が多くなる欠点がある。一般にCMOS回路で
は、静的な消費電流はほとんどなく、ロジックレベルの
変化点で負荷容量を充放電する時の駆動電流が消費電流
の大半を占めるからである。
Further, since this address signal changes frequently, there is a disadvantage that the current consumption for driving the input capacitance of the memory address increases. Generally, in a CMOS circuit, there is almost no static current consumption, and the driving current for charging / discharging the load capacitance at the change point of the logic level occupies most of the current consumption.

【0008】図は2チャネルであるが、多チャンネルに
なり、並列に駆動するメモリが多くなればなるほどこの
消費電流が多くなることになる。
Although FIG. 2 shows two channels, the current consumption increases as the number of channels increases and the number of memories driven in parallel increases.

【0009】本発明の第一の目的は、メモリアドレスバ
スからのノイズを減らすことにある。 本発明の第二の
目的はメモリアドレス駆動回路の消費電流を削減するこ
とにある。
A first object of the present invention is to reduce noise from a memory address bus. A second object of the present invention is to reduce current consumption of a memory address driving circuit.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明は上記の目的を達
成するために、メモリアドレスが1進むごとに変化する
前後のアドレス数値のハミング距離が1となるように、
バイナリコードではなくグレイコードを用いるようにし
たものである。
SUMMARY OF THE INVENTION In order to achieve the above object, the present invention provides a method in which a hamming distance of an address value before and after a memory address changes by one is set to one.
Gray code is used instead of binary code.

【0011】[0011]

【発明の実施の形態】以下この発明の実施例を図1と図
2を用いて説明する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS An embodiment of the present invention will be described below with reference to FIGS.

【0012】図1は前述の従来技術の図4に対応する本
発明の実施例を示す図で、図4と同じ参照符号は同一物
を示す。
FIG. 1 is a diagram showing an embodiment of the present invention corresponding to FIG. 4 of the prior art described above, and the same reference numerals as those in FIG. 4 denote the same components.

【0013】次にこの動作を説明する。Next, this operation will be described.

【0014】ch1の入力信号は、アッテネータ1、ア
ンプ3を通して適当な振幅になりタイムベース10から
出力されるクロック信号DによるタイミングでA/D変
換器5でディジタル変換され、同じくタイムベース10
から出力される書込信号Eによりメモリ7に記憶され
る。9のグレイコードメモリアドレスカウンタ回路は図
4のメモリアドレスカウンタ11とは異なる。このと
き、タイムベース回路10からのアドレスカウンタ用の
クロック信号Fによりグレイコードメモリアドレスカウ
ンタ回路9がカウントアップして、メモリアドレスAを
メモリアドレスバスに順次出力していき、メモリの異な
るアドレスにA/D変換された波形データを順次記憶し
ていく。
The input signal of ch1 has an appropriate amplitude through the attenuator 1 and the amplifier 3 and is digitally converted by the A / D converter 5 at the timing of the clock signal D output from the time base 10.
Is stored in the memory 7 by a write signal E output from the memory 7. The gray code memory address counter circuit 9 is different from the memory address counter 11 in FIG. At this time, the gray code memory address counter circuit 9 counts up by the clock signal F for the address counter from the time base circuit 10, sequentially outputs the memory addresses A to the memory address bus, and outputs A to different addresses of the memory. The / D-converted waveform data is sequentially stored.

【0015】この出力のメモリアドレスAは、図2に示
すグレイコードで出力される。この実施例では説明を簡
単にするため、図3と同じく4ビットによるアドレス指
定の例を示した。
The output memory address A is output in the gray code shown in FIG. In this embodiment, for simplicity of explanation, an example of address designation by 4 bits is shown as in FIG.

【0016】以上説明した実施例では、図2のタイムチ
ャートに示すように、メモリアドレスの変化は、1アド
レス進む毎に1ビットしか変化しない。このようにメモ
リアドレスは、いつでも、どれか1ビットしか変化しな
い。もし、アドレス数がnビットならば図3のアドレス
変化を行う従来技術のバイナリコードのアドレスカウン
タでは最大nビットの同時変化が起きるが、本実施例の
図2のグレイコードのアドレスカウンタでは2ビット以
上の同時変化は無いので、最大1/nにノイズの発生を
抑えたことになる。
In the embodiment described above, as shown in the time chart of FIG. 2, the change of the memory address changes only one bit every time the address advances. In this way, the memory address changes only one bit at any time. If the number of addresses is n bits, simultaneous change of up to n bits occurs in the binary code address counter of the prior art which performs the address change of FIG. Since there is no such simultaneous change, the generation of noise is suppressed to 1 / n at the maximum.

【0017】また、アドレス信号の変化を見てみると、
従来技術の図3の例では、アドレス0から15を経てま
た0に戻るまでに4本のアドレス信号のロジックレベル
は、30箇所で変化しているが、本実施例で適用した図
2の例では16箇所しか変化していない。メモリのアド
レス入力の負荷容量の駆動を考えるとき単位時間内の信
号の変化数が多いほど負荷容量を充放電する頻度が多
く、消費電力の増加となる。本例では、約1/2の消費
電力の削減を図ることができる。
Looking at the change of the address signal,
In the example of FIG. 3 of the related art, the logic levels of the four address signals are changed at 30 locations from address 0 to 15 after returning to 0, but in the example of FIG. 2 applied in the present embodiment. Then only 16 locations have changed. When driving the load capacitance of the address input of the memory, the frequency of charging and discharging the load capacitance increases as the number of signal changes per unit time increases, resulting in an increase in power consumption. In this example, the power consumption can be reduced by about 1 /.

【0018】[0018]

【発明の効果】本発明のメモリの記憶装置では、アドレ
スを示すビットは、いつでも、どれか1ビットしか変化
しない。このため、大幅にノイズの発生を抑えるこがで
き、アナログ回路への、悪影響を防止することができ
る。したがって、このような、波形記憶装置をデジタル
オシロスコープ等の測定器に応用すれば、装置の信頼性
の向上に役立つ。
According to the memory storage device of the present invention, only one bit of the address indicating bit changes at any time. Therefore, generation of noise can be greatly suppressed, and adverse effects on analog circuits can be prevented. Therefore, if such a waveform storage device is applied to a measuring instrument such as a digital oscilloscope, the reliability of the device is improved.

【0019】さらに、前述の通り、アドレスを示すビッ
トは、いつでも、どれか1ビットしか変化しないため、
負荷容量を充放電する頻度が少なくなり、消費電力を大
幅に削減することができる。このため、バッテリー駆動
のデジタルオシロスコープ等に使用するれば非常に大き
な効果があり、使用可能時間を大幅に伸ばすことができ
る。
Further, as described above, any one of the bits indicating the address changes at any time.
The frequency of charging and discharging the load capacity is reduced, and power consumption can be significantly reduced. Therefore, when used in a battery-driven digital oscilloscope or the like, there is a very great effect, and the usable time can be greatly extended.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】 本発明の一実施例を示すブロック図FIG. 1 is a block diagram showing an embodiment of the present invention.

【図2】 本発明の実施例におけるメモリアドレスの変
化を説明するタイムチャート
FIG. 2 is a time chart for explaining a change in a memory address in the embodiment of the present invention.

【図3】 従来技術におけるメモリアドレスの変化を示
すタイムチャート
FIG. 3 is a time chart showing a change in a memory address in the related art.

【図4】 従来技術の動作を説明するブロック図FIG. 4 is a block diagram illustrating the operation of the related art.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1、2 アッテネータ回路、3、4 アンプ、5、6
A/D変換器、7、8 メモリ、9 グレイコードメモ
リアドレスカウンタ回路、10:タイムベース回路、1
1:メモリアドレスカウンタ回路
1,2 attenuator circuit, 3,4 amplifier, 5,6
A / D converter, 7, 8 memory, 9 Gray code memory address counter circuit, 10: time base circuit, 1
1: Memory address counter circuit

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 入力信号をAD変換してメモリに記憶し
ていく波形記憶装置において、 前記メモリが1アドレスのデータを記憶するごとに前後
のアドレス数値のハミング距離が1となるグレイコード
のメモリアドレスを順次発生させ、このアドレス順にメ
モリに記憶していくことを特徴とした波形記憶装置。
1. A waveform storage device in which an input signal is AD-converted and stored in a memory, wherein each time the memory stores data of one address, a gray code memory in which a hamming distance of preceding and succeeding address values becomes one. A waveform storage device wherein addresses are sequentially generated and stored in a memory in the order of the addresses.
【請求項2】 入力信号をレベル変換するアッテネータ
回路及び次段のアンプと、該任意レベルに変換された入
力信号をデジタルデータに変換するA/D変換器と、該
A/D変換器により変換された入力信号の波形データを
記憶するメモリと、該メモリのアドレスを発生するメモ
リアドレスカウンタと、該メモリアドレスカウンタと前
記A/D変換器と前記メモリにクロックを供給するタイ
ムベース回路とを有する波形記憶装置において、 前記メモリアドレスカウンタは前記メモリが1アドレス
のデータを記憶するごとに前後のアドレス数値のハミン
グ距離が1となるグレイコードのメモリアドレスを順次
発生させ、このアドレス順に前記波形データを前記メモ
リに記憶していくことを特徴とする波形記憶装置。
2. An attenuator circuit for level-converting an input signal and an amplifier at the next stage, an A / D converter for converting the input signal converted to the arbitrary level into digital data, and conversion by the A / D converter. A memory for storing the waveform data of the input signal, a memory address counter for generating an address of the memory, a memory address counter, the A / D converter, and a time base circuit for supplying a clock to the memory. In the waveform storage device, each time the memory stores data of one address, the memory address counter sequentially generates a gray code memory address in which the hamming distance of the preceding and following address numerical values becomes 1, and stores the waveform data in the order of the addresses. A waveform storage device storing the data in the memory.
JP23675896A 1996-09-06 1996-09-06 Wave-form memory device Pending JPH1082802A (en)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2366634A (en) * 2000-09-11 2002-03-13 Lucent Technologies Inc Gray code program counter and address compiler
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