JPH1081528A - 分散シフト光ファイバー用ガラス母材の製造方法 - Google Patents
分散シフト光ファイバー用ガラス母材の製造方法Info
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- JPH1081528A JPH1081528A JP8235579A JP23557996A JPH1081528A JP H1081528 A JPH1081528 A JP H1081528A JP 8235579 A JP8235579 A JP 8235579A JP 23557996 A JP23557996 A JP 23557996A JP H1081528 A JPH1081528 A JP H1081528A
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B37/00—Manufacture or treatment of flakes, fibres, or filaments from softened glass, minerals, or slags
- C03B37/01—Manufacture of glass fibres or filaments
- C03B37/012—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments
- C03B37/014—Manufacture of preforms for drawing fibres or filaments made entirely or partially by chemical means, e.g. vapour phase deposition of bulk porous glass either by outside vapour deposition [OVD], or by outside vapour phase oxidation [OVPO] or by vapour axial deposition [VAD]
- C03B37/01413—Reactant delivery systems
- C03B37/0142—Reactant deposition burners
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2203/00—Fibre product details, e.g. structure, shape
- C03B2203/36—Dispersion modified fibres, e.g. wavelength or polarisation shifted, flattened or compensating fibres (DSF, DFF, DCF)
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
- C03B—MANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
- C03B2207/00—Glass deposition burners
- C03B2207/50—Multiple burner arrangements
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- Materials Engineering (AREA)
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- Glass Compositions (AREA)
- Optical Fibers, Optical Fiber Cores, And Optical Fiber Bundles (AREA)
- Manufacture, Treatment Of Glass Fibers (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 サイドコアの比屈折率差を調整するだけで、
零分散波長を十分に制御できる屈折率分布を持った分散
シフト光ファイバーの母材を効率よく製造する方法を提
供する。 【解決手段】 本発明の光ファイバー用ガラス母材の製
法には、種棒１００の中心に向けてバーナ３１からセン
ターコア１０１のガラス微粒子を噴射し、センターコア
１０１の外側にバーナ３２から第１サイドコア１０２の
ガラス微粒子を噴射し、第１サイドコア１０２の外側に
バーナ３３から第２サイドコア１０３のガラス微粒子を
噴射し、第２サイドコア１０３の外側にバーナ３４から
クラッド１０４のガラス微粒子を噴射して多孔質ガラス
を成長させる工程が含まれる。
零分散波長を十分に制御できる屈折率分布を持った分散
シフト光ファイバーの母材を効率よく製造する方法を提
供する。 【解決手段】 本発明の光ファイバー用ガラス母材の製
法には、種棒１００の中心に向けてバーナ３１からセン
ターコア１０１のガラス微粒子を噴射し、センターコア
１０１の外側にバーナ３２から第１サイドコア１０２の
ガラス微粒子を噴射し、第１サイドコア１０２の外側に
バーナ３３から第２サイドコア１０３のガラス微粒子を
噴射し、第２サイドコア１０３の外側にバーナ３４から
クラッド１０４のガラス微粒子を噴射して多孔質ガラス
を成長させる工程が含まれる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光通信等に利用さ
れる石英系分散シフト光ファイバーの原料であるガラス
母材を製造する方法に関する。
れる石英系分散シフト光ファイバーの原料であるガラス
母材を製造する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】石英系シングルモード光ファイバーは、
例えばLuc B.Jeunhomme, "Single-mode Fiber Optics−
Principles and Applications− ",: ｐ.98（1990）に
記載されているように、理論上、1550ｎｍ付近の光の伝
送損失が最小である。このため1550ｎｍ帯の光伝送がで
きる分散シフト光ファイバーが実用的であり、このよう
な分散シフト光ファイバーを効率よく製造することが重
要である。
例えばLuc B.Jeunhomme, "Single-mode Fiber Optics−
Principles and Applications− ",: ｐ.98（1990）に
記載されているように、理論上、1550ｎｍ付近の光の伝
送損失が最小である。このため1550ｎｍ帯の光伝送がで
きる分散シフト光ファイバーが実用的であり、このよう
な分散シフト光ファイバーを効率よく製造することが重
要である。
【０００３】特公平3-18161号公報には、1550ｎｍ帯で
波長分散がゼロになるように屈折率分布が設計されてい
る分散シフト光ファイバーが開示されている。すなわち
図９にその断面を示すように、分散シフト光ファイバー
２０はセンターコア２１とサイドコア２２とクラッド２
３からなる。その屈折率分布は図１０に示すような階段
型である。このような階段型構造にすることで、材料分
散と導波路分散とが相互に打ち消しあって1550ｎｍ帯に
おける波長分散がゼロになる。
波長分散がゼロになるように屈折率分布が設計されてい
る分散シフト光ファイバーが開示されている。すなわち
図９にその断面を示すように、分散シフト光ファイバー
２０はセンターコア２１とサイドコア２２とクラッド２
３からなる。その屈折率分布は図１０に示すような階段
型である。このような階段型構造にすることで、材料分
散と導波路分散とが相互に打ち消しあって1550ｎｍ帯に
おける波長分散がゼロになる。
【０００４】一方、海底ケーブル等、長距離の光ファイ
バー通信における中継器として、従来の「光→電気（増
幅）→光」という経緯をとる増幅器に変って、エルビウ
ムドープファイバーにより光エネルギそのものを励起す
る増幅器（ＥＤＦＡ：ErbiumDoped Fiber Amplifier）
が用いられるようになってきた。ＥＤＦＡシステムで
は、増幅できる波長帯域が1550ｎｍ帯に一致しているた
め、上記の分散シフト光ファイバーを組み合わせて使用
するには、格好である。
バー通信における中継器として、従来の「光→電気（増
幅）→光」という経緯をとる増幅器に変って、エルビウ
ムドープファイバーにより光エネルギそのものを励起す
る増幅器（ＥＤＦＡ：ErbiumDoped Fiber Amplifier）
が用いられるようになってきた。ＥＤＦＡシステムで
は、増幅できる波長帯域が1550ｎｍ帯に一致しているた
め、上記の分散シフト光ファイバーを組み合わせて使用
するには、格好である。
【０００５】しかしながら、ＥＤＦＡシステムでは、信
号光そのものの増幅を繰り返して長距離伝送するため、
光学非線型効果が蓄積して信号が劣化してしまうという
問題が浮上してきた。従来の「光→電気（増幅）→光」
の増幅システムでは、このような信号劣化は起こらな
い。
号光そのものの増幅を繰り返して長距離伝送するため、
光学非線型効果が蓄積して信号が劣化してしまうという
問題が浮上してきた。従来の「光→電気（増幅）→光」
の増幅システムでは、このような信号劣化は起こらな
い。
【０００６】信号劣化の原因になる光学非線型効果に
は、誘導ラマン散乱、誘導プルリアン散乱、自己位相変
調、相互位相変調、４光波混合がある。これらの現象を
低減するには、信号光の出力やファイバーの光学特性を
調整する必要がある。このうちファイバー特性に関与す
る重要な現象は、４光波混合である。４光波混合は、異
なる周波数の光が相互作用して新たな周波数の光を生じ
る現象である。信号光とＥＤＦＡの自然放出光（ＡＳ
Ｅ：Amplifier Spontaneous Emission）との間や、波長
多重システムの場合に信号光どうしの間に４光波混合が
発生すると、Ｓ／Ｎ（信号対雑音比）の低下やクロスト
ークの原因となる。４光波混合の生じ易さは、光信号の
位相マッチングに依存する。このため４光波混合を防止
する手段として、信号波長の波長分散値の絶対値を大き
くすること、すなわち信号波長と零分散波長とを一致さ
せないことが検討されている。
は、誘導ラマン散乱、誘導プルリアン散乱、自己位相変
調、相互位相変調、４光波混合がある。これらの現象を
低減するには、信号光の出力やファイバーの光学特性を
調整する必要がある。このうちファイバー特性に関与す
る重要な現象は、４光波混合である。４光波混合は、異
なる周波数の光が相互作用して新たな周波数の光を生じ
る現象である。信号光とＥＤＦＡの自然放出光（ＡＳ
Ｅ：Amplifier Spontaneous Emission）との間や、波長
多重システムの場合に信号光どうしの間に４光波混合が
発生すると、Ｓ／Ｎ（信号対雑音比）の低下やクロスト
ークの原因となる。４光波混合の生じ易さは、光信号の
位相マッチングに依存する。このため４光波混合を防止
する手段として、信号波長の波長分散値の絶対値を大き
くすること、すなわち信号波長と零分散波長とを一致さ
せないことが検討されている。
【０００７】D.Marcuse,“Single-Channel Operation i
n Very Long Nonlinear Fibers with Optical Amplifie
rs at Zero Dispersion”, J.Lightwave Technol,Vol.
9,No.3(1991),pp356-361には、１チャンネルのＥＤＦＡ
システムでは増幅ゲインがピークとなる1558.5ｎｍ付近
を信号波長として使用すること、ＡＳＥノイズとの干渉
を避けるために分散値の異なるファイバーを鋸刃状に接
続していることが示されている。
n Very Long Nonlinear Fibers with Optical Amplifie
rs at Zero Dispersion”, J.Lightwave Technol,Vol.
9,No.3(1991),pp356-361には、１チャンネルのＥＤＦＡ
システムでは増幅ゲインがピークとなる1558.5ｎｍ付近
を信号波長として使用すること、ＡＳＥノイズとの干渉
を避けるために分散値の異なるファイバーを鋸刃状に接
続していることが示されている。
【０００８】米国特許第5,327,516号明細書には、４チ
ャンネルの波長多重通信でチャンネル間隔250ＧＨｚと
したときの伝送容量と波長分散との関係が記載されてい
る。信号波長の分散をOps/km・nmに近づけたとき、伝送
容量は急速に悪化して１Ｇbit/ｓ以下となってしまう
が、分散の絶対値を１ps/km・nmにすれば１０Ｇbit/ｓ
以上の伝送容量を確保できる。分散スロープが約0.08Ps
/km・nm2前後であるから、伝送容量を確保するには零分
散波長と信号波長とを数ｎｍから数十ｎｍ離す必要があ
る。
ャンネルの波長多重通信でチャンネル間隔250ＧＨｚと
したときの伝送容量と波長分散との関係が記載されてい
る。信号波長の分散をOps/km・nmに近づけたとき、伝送
容量は急速に悪化して１Ｇbit/ｓ以下となってしまう
が、分散の絶対値を１ps/km・nmにすれば１０Ｇbit/ｓ
以上の伝送容量を確保できる。分散スロープが約0.08Ps
/km・nm2前後であるから、伝送容量を確保するには零分
散波長と信号波長とを数ｎｍから数十ｎｍ離す必要があ
る。
【０００９】このように分散シフト光ファイバーには、
信号波長と零分散波長とが一致した零分散タイプ、信号
波長と零分散波長とが一致しない非零分散タイプがあ
る。非零分散タイプは、信号波長の違いや信号波長の分
散値の正負の違い等によって多品種になりつつある。と
ころが非零分散タイプの品種は、零分散波長は異なる
が、他光学特性、例えばカットオフ波長やモードフィー
ド径がほぼ同一となる。したがって、ファイバーの用途
に合わせて零分散波長だけを作り分ける必要がある。
信号波長と零分散波長とが一致した零分散タイプ、信号
波長と零分散波長とが一致しない非零分散タイプがあ
る。非零分散タイプは、信号波長の違いや信号波長の分
散値の正負の違い等によって多品種になりつつある。と
ころが非零分散タイプの品種は、零分散波長は異なる
が、他光学特性、例えばカットオフ波長やモードフィー
ド径がほぼ同一となる。したがって、ファイバーの用途
に合わせて零分散波長だけを作り分ける必要がある。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】本発明の発明者は、分
散シフト光ファイバーを研究のため試作し、種々の検討
をした結果、以下の所見を得た。
散シフト光ファイバーを研究のため試作し、種々の検討
をした結果、以下の所見を得た。
【００１１】図９の分散シフト光ファイバー２０の屈折
率分布は図１０に示すとおりで、ｎ1がセンターコア２
１の屈折率、ｎ2がサイドコア２２の屈折率、ｎ3がクラ
ッド２３の屈折率、ａ1がセンターコア２１の半径、ａ2
がサイドコア２２の半径、すなわちセンターコア２１の
半径ａ1とサイドコア２２の厚みとの総和である。
率分布は図１０に示すとおりで、ｎ1がセンターコア２
１の屈折率、ｎ2がサイドコア２２の屈折率、ｎ3がクラ
ッド２３の屈折率、ａ1がセンターコア２１の半径、ａ2
がサイドコア２２の半径、すなわちセンターコア２１の
半径ａ1とサイドコア２２の厚みとの総和である。
【００１２】図１１は、分散シフト光ファイバー２０の
カットオフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実
線）、およびカットオフ波長λｃとモードフィールド径
ＭＦＤとの関係（点線）を示している。この分散シフト
光ファイバー２０は、センターコア２１の比屈折率差Δ
１＝（ｎ1−ｎ3）／ｎ1、サイドコア２２の比屈折率差
Δ２＝（ｎ2−ｎ3）／ｎ2、センターコア２１の半径ａ1
に対するサイドコア２２の半径ａ2の比率Ｒａ2＝ａ2／
ａ1を変えずに、クラッド２３の厚みだけを変えて外径
１２５μｍに作製したものである。零分散波長λｏの変
化率dλｏ/dλｃが最小になる点Ｐのクラッド厚みを設
定することで、分散シフト光ファイバー２０の零分散波
長λｏの変動が抑制される。
カットオフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実
線）、およびカットオフ波長λｃとモードフィールド径
ＭＦＤとの関係（点線）を示している。この分散シフト
光ファイバー２０は、センターコア２１の比屈折率差Δ
１＝（ｎ1−ｎ3）／ｎ1、サイドコア２２の比屈折率差
Δ２＝（ｎ2−ｎ3）／ｎ2、センターコア２１の半径ａ1
に対するサイドコア２２の半径ａ2の比率Ｒａ2＝ａ2／
ａ1を変えずに、クラッド２３の厚みだけを変えて外径
１２５μｍに作製したものである。零分散波長λｏの変
化率dλｏ/dλｃが最小になる点Ｐのクラッド厚みを設
定することで、分散シフト光ファイバー２０の零分散波
長λｏの変動が抑制される。
【００１３】点Ｐにおける零分散波長λｏｐ、カットオ
フ波長λｃｐ、モードフィールド径ＭＦＤｐと比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、サイドコア半径比率Ｒａ2と
の関係を図１２に示す。図１２の(O-1)は比屈折率差Δ
１の変動に対する零分散波長λｏｐの変化、同じく(C-
1)はカットオフ波長λｃｐの変化、(M-1)はモードフィ
ールド径ＭＦＤｐの変化を示している。(O-2)は比屈折
率差Δ２の変動に対する零分散波長λｏｐの変化、同じ
く(C-2)はカットオフ波長λｃｐの変化、(M-2)はモード
フィールド径ＭＦＤｐの変化を示している。(O-3)はサ
イドコア半径比率Ｒａ2の変動に対する零分散波長λｏ
ｐの変化、同じく(C-3)はカットオフ波長λｃｐの変
化、(M-3)はモードフィールド径ＭＦＤｐの変化を示し
ている。これら図１２から分かるように、分散シフト光
ファイバー２０は、零分散波長λｏｐを変えるために比
屈折率差Δ１、比屈折率差Δ２、サイドコア半径比率Ｒ
ａ2を変えると、カットオフ波長λｃｐやモードフィー
ルド径ＭＦＤｐも変化してしまう。
フ波長λｃｐ、モードフィールド径ＭＦＤｐと比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、サイドコア半径比率Ｒａ2と
の関係を図１２に示す。図１２の(O-1)は比屈折率差Δ
１の変動に対する零分散波長λｏｐの変化、同じく(C-
1)はカットオフ波長λｃｐの変化、(M-1)はモードフィ
ールド径ＭＦＤｐの変化を示している。(O-2)は比屈折
率差Δ２の変動に対する零分散波長λｏｐの変化、同じ
く(C-2)はカットオフ波長λｃｐの変化、(M-2)はモード
フィールド径ＭＦＤｐの変化を示している。(O-3)はサ
イドコア半径比率Ｒａ2の変動に対する零分散波長λｏ
ｐの変化、同じく(C-3)はカットオフ波長λｃｐの変
化、(M-3)はモードフィールド径ＭＦＤｐの変化を示し
ている。これら図１２から分かるように、分散シフト光
ファイバー２０は、零分散波長λｏｐを変えるために比
屈折率差Δ１、比屈折率差Δ２、サイドコア半径比率Ｒ
ａ2を変えると、カットオフ波長λｃｐやモードフィー
ルド径ＭＦＤｐも変化してしまう。
【００１４】図１３はカットオフ波長λｃｐ、モードフ
ィールド径ＭＦＤｐを一定にしたとき、零分散波長λｏ
ｐに対する比屈折率差Δ１（Ａ）、比屈折率差Δ２
（Ｂ）、サイドコア半径比率Ｒａ2と（Ｃ）の関係を示
した図である。カットオフ波長λｃｐ＝1.3μm、モード
フィールド径ＭＦＤｐ＝8.5μmである。同図より零分散
波長λｏｐに対しては、比屈折率差Δ２、サイドコア半
径比率Ｒａ2の制御が重要なことがわかる。
ィールド径ＭＦＤｐを一定にしたとき、零分散波長λｏ
ｐに対する比屈折率差Δ１（Ａ）、比屈折率差Δ２
（Ｂ）、サイドコア半径比率Ｒａ2と（Ｃ）の関係を示
した図である。カットオフ波長λｃｐ＝1.3μm、モード
フィールド径ＭＦＤｐ＝8.5μmである。同図より零分散
波長λｏｐに対しては、比屈折率差Δ２、サイドコア半
径比率Ｒａ2の制御が重要なことがわかる。
【００１５】図１４には、分散シフト光ファイバー用ガ
ラス母材の製造装置の概略が示してある。多孔質母材２
００に向けて第１のバーナ４１、第２のバーナ４２、第
３のバーナ４３が配置されている。第１のバーナ４１、
第２のバーナ４２、第３のバーナ４３は、図１５にその
正面を示すように同心円多重管バーナであり、中心空孔
４５は水素が流出し、空孔４６は酸素が流出し、空孔４
７は四塩化ケイ素（SiCl4）が流出し、最外空孔４８は
四塩化ゲルマニウム（GeCl4）が流出するようになって
いる。多孔質母材２００を製造するには、多孔質母材２
００（種棒）に向けて、バーナ４１から火炎形成用ガス
として水素および酸素を流し、さらにガラス原料のSiCl
4およびドーパントのGeCl4を流す。バーナ４１の火炎中
で生成したガラス微粒子が噴出し種棒に堆積し、その部
分がセンターコア２０１となる。バーナ４２にも水素、
酸素、SiCl4およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積し
た部分がサイドコア２０２になる。バーナ４３には水
素、酸素およびSiCl4を流し、ゲルマニウム（Ge）がド
ープされないガラス微粒子が噴出して堆積した部分がク
ラッド２０３になる。こうして作製した多孔質母材２０
０を焼成して透明化させると光ファイバー母材（プリフ
ォーム）となる。このプリフォームを線引して分散シフ
ト光ファイバーができあがる。
ラス母材の製造装置の概略が示してある。多孔質母材２
００に向けて第１のバーナ４１、第２のバーナ４２、第
３のバーナ４３が配置されている。第１のバーナ４１、
第２のバーナ４２、第３のバーナ４３は、図１５にその
正面を示すように同心円多重管バーナであり、中心空孔
４５は水素が流出し、空孔４６は酸素が流出し、空孔４
７は四塩化ケイ素（SiCl4）が流出し、最外空孔４８は
四塩化ゲルマニウム（GeCl4）が流出するようになって
いる。多孔質母材２００を製造するには、多孔質母材２
００（種棒）に向けて、バーナ４１から火炎形成用ガス
として水素および酸素を流し、さらにガラス原料のSiCl
4およびドーパントのGeCl4を流す。バーナ４１の火炎中
で生成したガラス微粒子が噴出し種棒に堆積し、その部
分がセンターコア２０１となる。バーナ４２にも水素、
酸素、SiCl4およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積し
た部分がサイドコア２０２になる。バーナ４３には水
素、酸素およびSiCl4を流し、ゲルマニウム（Ge）がド
ープされないガラス微粒子が噴出して堆積した部分がク
ラッド２０３になる。こうして作製した多孔質母材２０
０を焼成して透明化させると光ファイバー母材（プリフ
ォーム）となる。このプリフォームを線引して分散シフ
ト光ファイバーができあがる。
【００１６】上記の分散シフト光ファイバー２０で零分
散波長λｏｐを得るには、比屈折率差Δ２、サイドコア
半径比率Ｒａ2の調整が必要である（図１３参照）。図
１４の装置でガラス母材を製造するときに、比屈折率差
Δ２は、サイドコア２０２のドーパントの量、すなわち
バーナ４２から流すGeCl4の流量を変化させれば、比較
的容易に調整することができる。しかし比屈折率差Δ２
だけではなく、サイドコア半径比率Ｒａ2も調整する必
要がある。サイドコア半径比率Ｒａ2は、基本的にサイ
ドコア２０２に対するSiCl4の流量を変化させることで
調整されるが、SiCl4の量だけが変化するとGeCl4の相対
量が変わって屈折率ｎ2が変化してしまう。屈折率ｎ2を
一定に保つためには、SiCl4の流量とともにGeCl4の流量
も変化させる必要がある。さらに、サイドコア２０２に
対するSiCl4の流量が変化するとその成長速度が変化す
るため、センターコア２０１の成長速度とのバランスを
とるため、各バーナ４１、４２、４３の相対位置や、夫
々の酸素や水素の流量までも調整し直さなければならな
い。このように従来の製法で零分散波長の分散シフト光
ファイバー２０を得るには、その原料となる母材を製造
するための調整が非常に手間のかかるものとなる。
散波長λｏｐを得るには、比屈折率差Δ２、サイドコア
半径比率Ｒａ2の調整が必要である（図１３参照）。図
１４の装置でガラス母材を製造するときに、比屈折率差
Δ２は、サイドコア２０２のドーパントの量、すなわち
バーナ４２から流すGeCl4の流量を変化させれば、比較
的容易に調整することができる。しかし比屈折率差Δ２
だけではなく、サイドコア半径比率Ｒａ2も調整する必
要がある。サイドコア半径比率Ｒａ2は、基本的にサイ
ドコア２０２に対するSiCl4の流量を変化させることで
調整されるが、SiCl4の量だけが変化するとGeCl4の相対
量が変わって屈折率ｎ2が変化してしまう。屈折率ｎ2を
一定に保つためには、SiCl4の流量とともにGeCl4の流量
も変化させる必要がある。さらに、サイドコア２０２に
対するSiCl4の流量が変化するとその成長速度が変化す
るため、センターコア２０１の成長速度とのバランスを
とるため、各バーナ４１、４２、４３の相対位置や、夫
々の酸素や水素の流量までも調整し直さなければならな
い。このように従来の製法で零分散波長の分散シフト光
ファイバー２０を得るには、その原料となる母材を製造
するための調整が非常に手間のかかるものとなる。
【００１７】本発明は、前記の問題点を解決するために
なされたもので、センターコア径やサイドコアの厚みを
調整しなくても、サイドコアの比屈折率差を調整するだ
けで零分散波長を十分に制御できる屈折率分布を持った
分散シフト光ファイバーの母材を効率よく製造する方法
を提供するものである。
なされたもので、センターコア径やサイドコアの厚みを
調整しなくても、サイドコアの比屈折率差を調整するだ
けで零分散波長を十分に制御できる屈折率分布を持った
分散シフト光ファイバーの母材を効率よく製造する方法
を提供するものである。
【００１８】
【課題を解決するための手段】前記の目的を達成するた
めになされた本発明の光ファイバー用ガラス母材の製造
方法は、図１に示されるように、分散シフト光ファイバ
ー用ガラス母材の製造方法において、種棒１００の中心
に向けて第１のバーナ３１からセンターコア１０１のガ
ラス微粒子を噴射し、センターコア１０１の外側に第２
のバーナ３２から第１サイドコア１０２のガラス微粒子
を噴射し、第１サイドコア１０２の外側に第３のバーナ
３３から第２サイドコア１０３のガラス微粒子を噴射
し、第２サイドコア１０３の外側に第４のバーナ３４か
らクラッド１０４のガラス微粒子を噴射して多孔質ガラ
スを成長させる工程を含んでいる。
めになされた本発明の光ファイバー用ガラス母材の製造
方法は、図１に示されるように、分散シフト光ファイバ
ー用ガラス母材の製造方法において、種棒１００の中心
に向けて第１のバーナ３１からセンターコア１０１のガ
ラス微粒子を噴射し、センターコア１０１の外側に第２
のバーナ３２から第１サイドコア１０２のガラス微粒子
を噴射し、第１サイドコア１０２の外側に第３のバーナ
３３から第２サイドコア１０３のガラス微粒子を噴射
し、第２サイドコア１０３の外側に第４のバーナ３４か
らクラッド１０４のガラス微粒子を噴射して多孔質ガラ
スを成長させる工程を含んでいる。
【００１９】第１のバーナ３１、第２のバーナ３２、第
３のバーナ３３のそれぞれは酸素、水素、四塩化ケイ素
およびドーパントを噴射する同心円多重管バーナであ
り、第４のバーナ３４は酸素、水素および四塩化ケイ素
を噴射する同心円多重管バーナである。
３のバーナ３３のそれぞれは酸素、水素、四塩化ケイ素
およびドーパントを噴射する同心円多重管バーナであ
り、第４のバーナ３４は酸素、水素および四塩化ケイ素
を噴射する同心円多重管バーナである。
【００２０】ドーパントとしては四塩化ゲルマニウムが
最も好ましい。
最も好ましい。
【００２１】各バーナ３１・３２・３３・３４から噴射
する四塩化ケイ素の流量に対するドーパントの流量比を
第１のバーナ３１、第２のバーナ３２、第３のバーナ３
３、第４のバーナ３４の順に低くすることによって、セ
ンターコア１０１の屈折率、第１サイドコア１０２の屈
折率、第２サイドコア１０３の屈折率、クラッド１０４
の屈折率をこの順に低下させている。
する四塩化ケイ素の流量に対するドーパントの流量比を
第１のバーナ３１、第２のバーナ３２、第３のバーナ３
３、第４のバーナ３４の順に低くすることによって、セ
ンターコア１０１の屈折率、第１サイドコア１０２の屈
折率、第２サイドコア１０３の屈折率、クラッド１０４
の屈折率をこの順に低下させている。
【００２２】第１のバーナ３１から噴射する四塩化ケイ
素の流量に対するドーパントの流量比は０．０５〜０．
１５、第２のバーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に
対するドーパントの流量比が０．０２〜０．０５、第３
のバーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に対するドー
パントの流量比が０．０１〜０．０３であることが好ま
しい。
素の流量に対するドーパントの流量比は０．０５〜０．
１５、第２のバーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に
対するドーパントの流量比が０．０２〜０．０５、第３
のバーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に対するドー
パントの流量比が０．０１〜０．０３であることが好ま
しい。
【００２３】各バーナ３１・３２・３３・３４から噴射
する四塩化ケイ素の流量およびドーパントの流量の総流
量を第１のバーナ３１、第２のバーナ３２、第３のバー
ナ３３、第４のバーナ３４の順に高くすることによっ
て、センターコア１０１の半径、第１サイドコア１０２
の厚さ、第２サイドコア１０３の厚さ、クラッド１０４
の厚さをこの順に大きくしている。
する四塩化ケイ素の流量およびドーパントの流量の総流
量を第１のバーナ３１、第２のバーナ３２、第３のバー
ナ３３、第４のバーナ３４の順に高くすることによっ
て、センターコア１０１の半径、第１サイドコア１０２
の厚さ、第２サイドコア１０３の厚さ、クラッド１０４
の厚さをこの順に大きくしている。
【００２４】第１のバーナ３１から噴射する四塩化ケイ
素の流量およびドーパントの流量の総流量に対し、第２
のバーナ３２から噴射する四塩化ケイ素の流量およびド
ーパントの流量の総流量比が３．０〜３．５、第３のバ
ーナ３３から噴射する四塩化ケイ素の流量およびドーパ
ントの流量の総流量比が４．０〜５．０、第４のバーナ
３４から噴射する四塩化ケイ素の流量比が６．０〜７．
０であることが好ましい。
素の流量およびドーパントの流量の総流量に対し、第２
のバーナ３２から噴射する四塩化ケイ素の流量およびド
ーパントの流量の総流量比が３．０〜３．５、第３のバ
ーナ３３から噴射する四塩化ケイ素の流量およびドーパ
ントの流量の総流量比が４．０〜５．０、第４のバーナ
３４から噴射する四塩化ケイ素の流量比が６．０〜７．
０であることが好ましい。
【００２５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を詳細に説
明する。図１は、本発明を適用する分散シフト光ファイ
バー用ガラス母材の製造方法の一実施例を示す概略図で
ある。多孔質母材１００に向けて第１のバーナ３１、第
２のバーナ３２、第３のバーナ３３および第４のバーナ
３４が配置されている。バーナ３１、３２、３３、３４
は、図１５にその正断面を示すように同心円多重管バー
ナであり、中心空孔４５は水素が流出し、空孔４６は酸
素が流出し、空孔４７はSiCl4が流出し、最外空孔４８
はGeCl4が流出するようになっている。光ファイバ用ガ
ラス母材を製造するには、多孔質母材１００（種棒）に
向けて、バーナ３１から火炎形成用ガスとして水素およ
び酸素を流し、さらにガラス原料のSiCl4およびドーパ
ントのGeCl4を流す。バーナ３１の火炎中で生成したガ
ラス微粒子が噴出し種棒に堆積し、その部分がセンター
コア１０１となる。バーナ３２にも水素、酸素、SiCl4
およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積した部分が第
１サイドコア１０２になる。バーナ３３にも水素、酸
素、SiCl4およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積した
部分が第２サイドコア１０３になる。バーナ３４には水
素、酸素およびSiCl4を流し、Geがドープされないガラ
ス微粒子が噴出して堆積した部分がクラッド１０４にな
る。こうして作製したガラス母材を焼成して透明化させ
ると、光ファイバー母材（プリフォーム）となる。この
プリフォームを線引して零分散波長分散シフト光ファイ
バーができあがる。
明する。図１は、本発明を適用する分散シフト光ファイ
バー用ガラス母材の製造方法の一実施例を示す概略図で
ある。多孔質母材１００に向けて第１のバーナ３１、第
２のバーナ３２、第３のバーナ３３および第４のバーナ
３４が配置されている。バーナ３１、３２、３３、３４
は、図１５にその正断面を示すように同心円多重管バー
ナであり、中心空孔４５は水素が流出し、空孔４６は酸
素が流出し、空孔４７はSiCl4が流出し、最外空孔４８
はGeCl4が流出するようになっている。光ファイバ用ガ
ラス母材を製造するには、多孔質母材１００（種棒）に
向けて、バーナ３１から火炎形成用ガスとして水素およ
び酸素を流し、さらにガラス原料のSiCl4およびドーパ
ントのGeCl4を流す。バーナ３１の火炎中で生成したガ
ラス微粒子が噴出し種棒に堆積し、その部分がセンター
コア１０１となる。バーナ３２にも水素、酸素、SiCl4
およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積した部分が第
１サイドコア１０２になる。バーナ３３にも水素、酸
素、SiCl4およびGeCl4を流し、ガラス微粒子が堆積した
部分が第２サイドコア１０３になる。バーナ３４には水
素、酸素およびSiCl4を流し、Geがドープされないガラ
ス微粒子が噴出して堆積した部分がクラッド１０４にな
る。こうして作製したガラス母材を焼成して透明化させ
ると、光ファイバー母材（プリフォーム）となる。この
プリフォームを線引して零分散波長分散シフト光ファイ
バーができあがる。
【００２６】図２は本発明の製法で得られた母材からな
る分散シフト光ファイバー１０の切り口を示す図であ
る。中心部はセンターコア１１で、その周囲はセンター
コア１１よりも屈折率の低い第１サイドコア１２で囲ま
れ、第１サイドコア１２はその屈折率よりも低い屈折率
を持つ第２サイドコア１３で囲まれており、さらに第２
サイドコア１３はその屈折率よりも低い屈折率を持つク
ラッド１４で被われている。
る分散シフト光ファイバー１０の切り口を示す図であ
る。中心部はセンターコア１１で、その周囲はセンター
コア１１よりも屈折率の低い第１サイドコア１２で囲ま
れ、第１サイドコア１２はその屈折率よりも低い屈折率
を持つ第２サイドコア１３で囲まれており、さらに第２
サイドコア１３はその屈折率よりも低い屈折率を持つク
ラッド１４で被われている。
【００２７】この分散シフト光ファイバー１０の屈折率
分布が図３に示されている。横軸は分散シフト光ファイ
バー１０の半径方向であり、縦軸が屈折率である。ｎ1
はセンターコア１１の屈折率、ｎ2は第１サイドコア１
２の屈折率、ｎ3は第２サイドコア１３の屈折率、ｎ4は
クラッド１４の屈折率である。ａ1はセンターコア１１
の半径である。ａ2は第１サイドコア１２の半径、すな
わちセンターコア１１の半径と第１サイドコア１２の厚
みとの和である。ａ3は第２サイドコア１３の半径、す
なわちセンターコア１１の半径と第１サイドコア１２の
厚みと第２サイドコア１３の厚みとの総和である。
分布が図３に示されている。横軸は分散シフト光ファイ
バー１０の半径方向であり、縦軸が屈折率である。ｎ1
はセンターコア１１の屈折率、ｎ2は第１サイドコア１
２の屈折率、ｎ3は第２サイドコア１３の屈折率、ｎ4は
クラッド１４の屈折率である。ａ1はセンターコア１１
の半径である。ａ2は第１サイドコア１２の半径、すな
わちセンターコア１１の半径と第１サイドコア１２の厚
みとの和である。ａ3は第２サイドコア１３の半径、す
なわちセンターコア１１の半径と第１サイドコア１２の
厚みと第２サイドコア１３の厚みとの総和である。
【００２８】図４は分散シフト光ファイバー１０のカッ
トオフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実線）、お
よびカットオフ波長λｃとモードフィールド径ＭＦＤと
の関係（点線）を示している。この分散シフト光ファイ
バー１０は、センターコア１１の比屈折率差Δ１＝（ｎ
1−ｎ4）／ｎ1、第１サイドコア１２の比屈折率差Δ２
＝（ｎ2−ｎ4）／ｎ2、第２サイドコア１３の比屈折率
差Δ３＝（ｎ3−ｎ4）／ｎ3、センターコア１１の半径
ａ1に対する第１サイドコア１２の半径ａ2の比率Ｒａ2
＝ａ2／ａ1、センターコア１１の半径ａ1に対する第２
サイドコア１３の半径ａ3の比率Ｒａ3＝ａ3／ａ1を変え
ずに、クラッド１４の厚みだけを変えて外径１２５μｍ
に作製してある。図３から分かるようにこの分散シフト
光ファイバー１０も、従来の分散シフト光ファイバー２
０と同様、零分散波長λｏの変化率dλｏ/dλｃが最小
になる点Ｑが存在する。そのときの零分散波長がλｏ
ｑ、カットオフ波長がλｃｑである。
トオフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実線）、お
よびカットオフ波長λｃとモードフィールド径ＭＦＤと
の関係（点線）を示している。この分散シフト光ファイ
バー１０は、センターコア１１の比屈折率差Δ１＝（ｎ
1−ｎ4）／ｎ1、第１サイドコア１２の比屈折率差Δ２
＝（ｎ2−ｎ4）／ｎ2、第２サイドコア１３の比屈折率
差Δ３＝（ｎ3−ｎ4）／ｎ3、センターコア１１の半径
ａ1に対する第１サイドコア１２の半径ａ2の比率Ｒａ2
＝ａ2／ａ1、センターコア１１の半径ａ1に対する第２
サイドコア１３の半径ａ3の比率Ｒａ3＝ａ3／ａ1を変え
ずに、クラッド１４の厚みだけを変えて外径１２５μｍ
に作製してある。図３から分かるようにこの分散シフト
光ファイバー１０も、従来の分散シフト光ファイバー２
０と同様、零分散波長λｏの変化率dλｏ/dλｃが最小
になる点Ｑが存在する。そのときの零分散波長がλｏ
ｑ、カットオフ波長がλｃｑである。
【００２９】分散シフト光ファイバー１０（第１サイド
コア半径比率Ｒａ2、第２サイドコア半径比率Ｒａ3はと
もに一定）の点Ｑにおける零分散波長λｏｑ、カットオ
フ波長λｃｑ、モードフィールド径ＭＦＤｑと比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、比屈折率差Δ３との関係を図
５に示す。同図の(O-1)は比屈折率差Δ１の変動に対す
る零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-1)はカットオフ
波長λｃｑの変化、(M-1)はモードフィールド径ＭＦＤ
ｑの変化を示している。(O-2)は比屈折率差Δ２の変動
に対する零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-2)はカッ
トオフ波長λｃｑの変化、(M-2)はモードフィールド径
ＭＦＤｑの変化を示している。(O-3)は比屈折率差Δ３
の変動に対する零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-3)
はカットオフ波長λｃｑの変化、(M-3)はモードフィー
ルド径ＭＦＤｑの変化を示している。これら図５から分
かるように、分散シフト光ファイバー１０は、比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、比屈折率差Δ３を調整するこ
とで零分散波長λｏｑ、カットオフ波長λｃｑ、モード
フィールド径ＭＦＤｑを制御できる。
コア半径比率Ｒａ2、第２サイドコア半径比率Ｒａ3はと
もに一定）の点Ｑにおける零分散波長λｏｑ、カットオ
フ波長λｃｑ、モードフィールド径ＭＦＤｑと比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、比屈折率差Δ３との関係を図
５に示す。同図の(O-1)は比屈折率差Δ１の変動に対す
る零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-1)はカットオフ
波長λｃｑの変化、(M-1)はモードフィールド径ＭＦＤ
ｑの変化を示している。(O-2)は比屈折率差Δ２の変動
に対する零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-2)はカッ
トオフ波長λｃｑの変化、(M-2)はモードフィールド径
ＭＦＤｑの変化を示している。(O-3)は比屈折率差Δ３
の変動に対する零分散波長λｏｑの変化、同じく(C-3)
はカットオフ波長λｃｑの変化、(M-3)はモードフィー
ルド径ＭＦＤｑの変化を示している。これら図５から分
かるように、分散シフト光ファイバー１０は、比屈折率
差Δ１、比屈折率差Δ２、比屈折率差Δ３を調整するこ
とで零分散波長λｏｑ、カットオフ波長λｃｑ、モード
フィールド径ＭＦＤｑを制御できる。
【００３０】図６はカットオフ波長λｃｑ＝1.3μm、モ
ードフィールド径ＭＦＤｑ＝8.5μｍと一定にしたと
き、零分散波長λｏｑに対する比屈折率差Δ１（Ａ）、
比屈折率差Δ２（Ｂ）、比屈折率差Δ３（Ｃ）の関係を
示した図である。このとき第１サイドコア半径比率Ｒａ
２、第２サイドコア半径比率Ｒａ3は一定に保たれてい
る。
ードフィールド径ＭＦＤｑ＝8.5μｍと一定にしたと
き、零分散波長λｏｑに対する比屈折率差Δ１（Ａ）、
比屈折率差Δ２（Ｂ）、比屈折率差Δ３（Ｃ）の関係を
示した図である。このとき第１サイドコア半径比率Ｒａ
２、第２サイドコア半径比率Ｒａ3は一定に保たれてい
る。
【００３１】図６に示されるように、分散シフト光ファ
イバーの零分散波長を調整するには、比屈折率差Δ２お
よび比屈折率差Δ３の調整が重要である。Δ２およびΔ
３を調整するには、図１に示す製造装置でガラス母材を
製造する際に、バーナ３２・３３に供給するドーパント
（GeCl4）の流量を変化させれば良い。従って、本発明
の製法は、分散シフト光ファイバーの零分散波長を効率
よく制御できる。
イバーの零分散波長を調整するには、比屈折率差Δ２お
よび比屈折率差Δ３の調整が重要である。Δ２およびΔ
３を調整するには、図１に示す製造装置でガラス母材を
製造する際に、バーナ３２・３３に供給するドーパント
（GeCl4）の流量を変化させれば良い。従って、本発明
の製法は、分散シフト光ファイバーの零分散波長を効率
よく制御できる。
【００３２】上記の分散シフト光ファイバを実際に製造
した。その実験例は以下のとおりである。
した。その実験例は以下のとおりである。
【００３３】実験例１ 図１に示される製造装置により、表１に示す製造条件で
分散シフト光ファイバー用ガラス母材を試作した。
分散シフト光ファイバー用ガラス母材を試作した。
【００３４】
【表１】
【００３５】試作したガラス母材を焼成して透明化させ
た光ファイバー母材（プリフォーム）を線引して分散シ
フト光ファイバーを得た。このプリフォームの屈折率プ
ロファイル（得られた分散シフト光ファイバーの屈折率
プロファイルと相似）は図７中に実線で描かれた(a)実
験例１のようになる。図８の(a)には、この分散シフト
光ファイバーのカットオフ波長λｃと零分散波長λｏと
の関係（実線）、およびカットオフ波長λｃとモードフ
ィールド径ＭＦＤとの関係（点線）が示してある。尚、
点Ｑ1に相当するクラッドの厚みは、クラッド外付け方
法（不図示）によって調整されている。
た光ファイバー母材（プリフォーム）を線引して分散シ
フト光ファイバーを得た。このプリフォームの屈折率プ
ロファイル（得られた分散シフト光ファイバーの屈折率
プロファイルと相似）は図７中に実線で描かれた(a)実
験例１のようになる。図８の(a)には、この分散シフト
光ファイバーのカットオフ波長λｃと零分散波長λｏと
の関係（実線）、およびカットオフ波長λｃとモードフ
ィールド径ＭＦＤとの関係（点線）が示してある。尚、
点Ｑ1に相当するクラッドの厚みは、クラッド外付け方
法（不図示）によって調整されている。
【００３６】実験例２ 図１に示される製造装置により、表２に示す製造条件で
ガラス母材を試作した。
ガラス母材を試作した。
【００３７】
【表２】
【００３８】試作したガラス母材を焼成して透明化させ
たプリフォームを線引して分散シフト光ファイバーを得
た。このプリフォームの屈折率プロファイル（得られた
分散シフト光ファイバーの屈折率プロファイルと相似）
は図７中に点線で描かれた(b)実験例２のようになる。
図８の(b)には、この分散シフト光ファイバーのカット
オフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実線）、およ
びカットオフ波長λｃとモードフィールド径ＭＦＤとの
関係（点線）が示してある。尚、点Ｑ2に相当するクラ
ッドの厚みは、クラッド外付け方法によって調整されて
いる。
たプリフォームを線引して分散シフト光ファイバーを得
た。このプリフォームの屈折率プロファイル（得られた
分散シフト光ファイバーの屈折率プロファイルと相似）
は図７中に点線で描かれた(b)実験例２のようになる。
図８の(b)には、この分散シフト光ファイバーのカット
オフ波長λｃと零分散波長λｏとの関係（実線）、およ
びカットオフ波長λｃとモードフィールド径ＭＦＤとの
関係（点線）が示してある。尚、点Ｑ2に相当するクラ
ッドの厚みは、クラッド外付け方法によって調整されて
いる。
【００３９】実験例１および実験例２で得られた分散シ
フト光ファイバーの伝送特性を表３に示す。
フト光ファイバーの伝送特性を表３に示す。
【００４０】
【表３】
【００４１】表１〜３から、バーナ３２・３３のGeCl4
の流量を変化させるだけで分散シフト光ファイバーの零
分散波長を調整できることが確認された。
の流量を変化させるだけで分散シフト光ファイバーの零
分散波長を調整できることが確認された。
【００４２】
【発明の効果】従来、分散シフト光ファイバーで零分散
波長を得るには、バーナで光ファイバー用ガラス母材を
製造する際にサイドコア比屈折率差を調整し、さらに各
バーナの相対位置や夫々の酸素や水素の流量を調整して
サイドコア半径比率を調整する必要がある。しかし本発
明の製法によると、サイドコア比屈折率差の調整だけで
分散シフト光ファイバーの零分散波長を調整できる。サ
イドコア比屈折率差の調整は、バーナに供給するドーパ
ントの流量だけを変化させればよい。このように本案の
製法は、バーナの相対位置や酸素の流量を調整してサイ
ドコア半径比率の調整を図る必要がないので、分散シフ
ト光ファイバー用ガラス母材、延いては分散シフト光フ
ァイバーを効率よく製造することができる。
波長を得るには、バーナで光ファイバー用ガラス母材を
製造する際にサイドコア比屈折率差を調整し、さらに各
バーナの相対位置や夫々の酸素や水素の流量を調整して
サイドコア半径比率を調整する必要がある。しかし本発
明の製法によると、サイドコア比屈折率差の調整だけで
分散シフト光ファイバーの零分散波長を調整できる。サ
イドコア比屈折率差の調整は、バーナに供給するドーパ
ントの流量だけを変化させればよい。このように本案の
製法は、バーナの相対位置や酸素の流量を調整してサイ
ドコア半径比率の調整を図る必要がないので、分散シフ
ト光ファイバー用ガラス母材、延いては分散シフト光フ
ァイバーを効率よく製造することができる。
【図１】本発明を適用する分散シフト光ファイバー用ガ
ラス母材の製造方法の一実施例を示す概略図である。
ラス母材の製造方法の一実施例を示す概略図である。
【図２】本発明の製法で得られた母材からなる分散シフ
ト光ファイバーの切り口を示す図である。
ト光ファイバーの切り口を示す図である。
【図３】本発明の製法で得られた母材からなる分散シフ
ト光ファイバーの屈折率分布を示す図である。
ト光ファイバーの屈折率分布を示す図である。
【図４】本発明の製法で得られた母材からなる分散シフ
ト光ファイバーのカットオフ波長と、零分散波長および
モードフィールド径との関係を示す図である。
ト光ファイバーのカットオフ波長と、零分散波長および
モードフィールド径との関係を示す図である。
【図５】本発明の製法で得られた母材からなる分散シフ
ト光ファイバーの零分散波長、カットオフ波長、モール
ドフィード径と、比屈折率差との関係を示す図である。
ト光ファイバーの零分散波長、カットオフ波長、モール
ドフィード径と、比屈折率差との関係を示す図である。
【図６】本発明の製法で得られた母材からなる分散シフ
ト光ファイバーの比屈折率差と零分散波長との関係を示
す図である。
ト光ファイバーの比屈折率差と零分散波長との関係を示
す図である。
【図７】本発明を適用して試作した分散シフトフト光フ
ァイバーの屈折率プロファイルを示す図である。
ァイバーの屈折率プロファイルを示す図である。
【図８】本発明を適用して試作した分散シフト光ファイ
バーのカットオフ波長と、零分散波長およびモードフィ
ールド径との関係を示す図である。
バーのカットオフ波長と、零分散波長およびモードフィ
ールド径との関係を示す図である。
【図９】従来の分散シフト光ファイバーの切り口を示す
図である。
図である。
【図１０】従来の分散シフト光ファイバーの屈折率分布
を示す図である。
を示す図である。
【図１１】従来の分散シフト光ファイバーのカットオフ
波長と、零分散波長およびモードフィールド径との関係
を示す図である。
波長と、零分散波長およびモードフィールド径との関係
を示す図である。
【図１２】従来の分散シフト光ファイバーの零分散波
長、 カットオフ波長、モールドフィード径と、比屈折
率差、サイドコア比との関係を示す図である。
長、 カットオフ波長、モールドフィード径と、比屈折
率差、サイドコア比との関係を示す図である。
【図１３】従来の分散シフト光ファイバーの比屈折率
差、サイドコア比と、零分散波長との関係を示した図で
ある。
差、サイドコア比と、零分散波長との関係を示した図で
ある。
【図１４】従来の分散シフト光ファイバーを作製する装
置の概略図である。
置の概略図である。
【図１５】同心円多重管バーナの正面図である。
１０１はセンターコア、１０２は第１サイドコア、１０
３は第２サイドコア、１０４はクラッド、３１・３２・
３３・３４はバーナ、１００は多孔質母材である。
３は第２サイドコア、１０４はクラッド、３１・３２・
３３・３４はバーナ、１００は多孔質母材である。
Claims (7)
- 【請求項１】 分散シフト光ファイバー用ガラス母材の
製造方法において、種棒の中心に向けて第１のバーナか
らセンターコアのガラス微粒子を噴射し、該センターコ
アの外側に第２のバーナから第１サイドコアのガラス微
粒子を噴射し、該第１サイドコアの外側に第３のバーナ
から第２サイドコアのガラス微粒子を噴射し、該第２サ
イドコアの外側に第４のバーナからクラッドのガラス微
粒子を噴射して多孔質ガラスを成長させる工程を含む光
ファイバー用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項２】 前記第１のバーナ、第２のバーナ、第３
のバーナのそれぞれが酸素、水素、四塩化ケイ素および
ドーパントを噴射する同心円多重管バーナであり、前記
第４のバーナが酸素、水素および四塩化ケイ素を噴射す
る同心円多重管バーナであることを特徴とする請求項１
に記載の光ファイバー用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項３】 前記ドーパントが四塩化ゲルマニウム
であることを特徴とする請求項１に記載の光ファイバー
用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項４】 各バーナから噴射する四塩化ケイ素の
流量に対するドーパントの流量比を前記第１のバーナ、
第２のバーナ、第３のバーナ、第４のバーナの順に低く
することによって、センターコアの屈折率、第１サイド
コアの屈折率、第２サイドコアの屈折率、クラッドの屈
折率をこの順に低下させることを特徴とする請求項１に
記載の光ファイバー用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項５】 第１のバーナから噴射する四塩化ケイ素
の流量に対するドーパントの流量比が０．０５〜０．１
５、第２のバーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に対
するドーパントの流量比が０．０２〜０．０５、第３の
バーナから噴射する四塩化ケイ素の流量に対するドーパ
ントの流量比が０．０１〜０．０３であることを特徴と
する請求項４に記載の光ファイバー用ガラス母材の製造
方法。 - 【請求項６】 各バーナから噴射する四塩化ケイ素の流
量およびドーパントの流量の総流量を前記第１のバー
ナ、第２のバーナ、第３のバーナ、第４のバーナの順に
高くすることによって、センターコアの半径、第１サイ
ドコアの厚さ、第２サイドコアの厚さ、クラッドの厚さ
をこの順に大きくすることを特徴とする請求項１に記載
の光ファイバー用ガラス母材の製造方法。 - 【請求項７】 第１のバーナから噴射する四塩化ケイ素
の流量およびドーパントの流量の総流量に対し、第２の
バーナから噴射する四塩化ケイ素の流量およびドーパン
トの流量の総流量比が３．０〜３．５、第３のバーナか
ら噴射する四塩化ケイ素の流量およびドーパントの流量
の総流量比が４．０〜５．０、第４のバーナから噴射す
る四塩化ケイ素の流量比が６．０〜７．０であることを
特徴とする請求項６に記載の光ファイバー用ガラス母材
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235579A JPH1081528A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 分散シフト光ファイバー用ガラス母材の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8235579A JPH1081528A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 分散シフト光ファイバー用ガラス母材の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1081528A true JPH1081528A (ja) | 1998-03-31 |
Family
ID=16988091
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8235579A Pending JPH1081528A (ja) | 1996-09-05 | 1996-09-05 | 分散シフト光ファイバー用ガラス母材の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1081528A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001021735A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シングルモード光ファイバ母材の選択方法 |
| KR100368575B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2003-01-24 | 대한전선 주식회사 | 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법 |
-
1996
- 1996-09-05 JP JP8235579A patent/JPH1081528A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001021735A (ja) * | 1999-07-06 | 2001-01-26 | Shin Etsu Chem Co Ltd | シングルモード光ファイバ母材の選択方法 |
| KR100368575B1 (ko) * | 1999-11-12 | 2003-01-24 | 대한전선 주식회사 | 비영분산 천이 광섬유용 모재의 제조방법 |
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