JPH108110A - W−Cu合金焼結体の製造方法 - Google Patents
W−Cu合金焼結体の製造方法Info
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- JPH108110A JPH108110A JP15698796A JP15698796A JPH108110A JP H108110 A JPH108110 A JP H108110A JP 15698796 A JP15698796 A JP 15698796A JP 15698796 A JP15698796 A JP 15698796A JP H108110 A JPH108110 A JP H108110A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、複雑形状のW−Cu合金焼結体が、
高い焼結体密度および熱伝導率を有しながら安価に得ら
れる、量産性に優れたW−Cu合金焼結体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 平均粒径40μm以下のW粉末を有機物
バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出成形
し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去し
て、好ましくは水素雰囲気中で、900〜1000℃で
予備焼結後に1200〜1450℃で焼結し、次に、得
られたW焼結体にCuを、得られるW−Cu合金焼結体
の5〜30重量%となるように、好ましくは水素雰囲気
中で1100〜1300℃で溶浸するW−Cu合金焼結
体の製造方法。
高い焼結体密度および熱伝導率を有しながら安価に得ら
れる、量産性に優れたW−Cu合金焼結体の製造方法を
提供する。 【解決手段】 平均粒径40μm以下のW粉末を有機物
バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出成形
し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去し
て、好ましくは水素雰囲気中で、900〜1000℃で
予備焼結後に1200〜1450℃で焼結し、次に、得
られたW焼結体にCuを、得られるW−Cu合金焼結体
の5〜30重量%となるように、好ましくは水素雰囲気
中で1100〜1300℃で溶浸するW−Cu合金焼結
体の製造方法。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の放熱基盤
材料、ヒートシンク材等に用いられる熱伝導性に優れた
W−Cu合金焼結体を製造する方法に関し、より詳しく
は、小型で、複雑形状のW−Cu焼結体を従来より安価
に得る製造方法に関する。
材料、ヒートシンク材等に用いられる熱伝導性に優れた
W−Cu合金焼結体を製造する方法に関し、より詳しく
は、小型で、複雑形状のW−Cu焼結体を従来より安価
に得る製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】W−Cu合金焼結体は、機械的強度、熱
伝導性に優れるため、半導体の放熱基盤材料、ヒートシ
ンク材等に用いられている。近年、マイクロプロセッサ
用、超小型演算処理装置用に用いるための、小型、複雑
形状のW−Cu焼結体製品の需要が増加している。ヒー
トシンク材料としては、熱伝導率が高いことと、熱膨張
率が半導体のセラミックスパッケージ材料と近いことが
求められる。このため、W−Cuの組成は、重量%でC
uが約80%以下のものが用いられる。
伝導性に優れるため、半導体の放熱基盤材料、ヒートシ
ンク材等に用いられている。近年、マイクロプロセッサ
用、超小型演算処理装置用に用いるための、小型、複雑
形状のW−Cu焼結体製品の需要が増加している。ヒー
トシンク材料としては、熱伝導率が高いことと、熱膨張
率が半導体のセラミックスパッケージ材料と近いことが
求められる。このため、W−Cuの組成は、重量%でC
uが約80%以下のものが用いられる。
【0003】従来この材料は、W−Cu粉末を原料とし
てプレス成形し、この成形体を焼結して、更にこの焼結
体を切削、研磨加工等して製造される。また最近になっ
て射出成形粉末冶金法をW−Cu合金に適用する試みも
なされている(特開平2−501316号公報)。
てプレス成形し、この成形体を焼結して、更にこの焼結
体を切削、研磨加工等して製造される。また最近になっ
て射出成形粉末冶金法をW−Cu合金に適用する試みも
なされている(特開平2−501316号公報)。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のW−C
u焼結体の製造方法ではプレス工程を伴うため、ヒート
シンク材用途等の小型、複雑形状品の場合に切削加工等
の後処理が必要となり加工費やそれに伴う原材料費等が
かかって、量産性が低下し、高コストになる欠点を有し
ていた。
u焼結体の製造方法ではプレス工程を伴うため、ヒート
シンク材用途等の小型、複雑形状品の場合に切削加工等
の後処理が必要となり加工費やそれに伴う原材料費等が
かかって、量産性が低下し、高コストになる欠点を有し
ていた。
【0005】また、ステンレス鋼、Fe−Ni−C系合
金、チタン等の材料で行われているように、W−Cu粉
末を射出成形し、この成形体を焼結する方法(メタル・
インジェクション・モールディング。以下、「MIM」
という。)も考えられるが、W−Cu合金の焼結におい
てはWとCuの反応が全く生じないため、そのまま従来
の射出成形法を適用すると焼結体密度が上がらず、切削
加工材に匹敵する熱伝導率が得られなかった。また焼結
密度が低く、開気孔が存在する場合には、半導体を封止
することができなかった。
金、チタン等の材料で行われているように、W−Cu粉
末を射出成形し、この成形体を焼結する方法(メタル・
インジェクション・モールディング。以下、「MIM」
という。)も考えられるが、W−Cu合金の焼結におい
てはWとCuの反応が全く生じないため、そのまま従来
の射出成形法を適用すると焼結体密度が上がらず、切削
加工材に匹敵する熱伝導率が得られなかった。また焼結
密度が低く、開気孔が存在する場合には、半導体を封止
することができなかった。
【0006】そこで、本発明の目的は、上記欠点を解消
し、小型で、複雑形状のW−Cu焼結体が、高い焼結体
密度および熱伝導率を有しながら、安価に得られる、量
産性に優れたW−Cu合金焼結体の製造方法を提供する
ことにある。
し、小型で、複雑形状のW−Cu焼結体が、高い焼結体
密度および熱伝導率を有しながら、安価に得られる、量
産性に優れたW−Cu合金焼結体の製造方法を提供する
ことにある。
【0007】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の第1の本発明のW−Cu合金焼結体の製造方法は、W
粉末を有機物バインダと混練し、次に、得られた混練物
を射出成形し、次に、得られた射出成形体よりバインダ
を除去して焼結し、次に、得られたW焼結体にCuを溶
浸することを特徴とする。
の第1の本発明のW−Cu合金焼結体の製造方法は、W
粉末を有機物バインダと混練し、次に、得られた混練物
を射出成形し、次に、得られた射出成形体よりバインダ
を除去して焼結し、次に、得られたW焼結体にCuを溶
浸することを特徴とする。
【0008】また、第2の発明は、上記第1の本発明の
構成で更に、上記有機物バインダと混練するW粉末の平
均粒径を40μm以下とすることを特徴とする。
構成で更に、上記有機物バインダと混練するW粉末の平
均粒径を40μm以下とすることを特徴とする。
【0009】また、第3の発明は、上記第1または第2
の発明のいずれかの構成で更に、W焼結体に溶浸するC
uの量を得られるW−Cu合金焼結体の5〜80重量%
とすることを特徴とする。
の発明のいずれかの構成で更に、W焼結体に溶浸するC
uの量を得られるW−Cu合金焼結体の5〜80重量%
とすることを特徴とする。
【0010】また、第4の発明は、上記第1〜第3の発
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の焼結を水
素雰囲気中で行うことを特徴とする。
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の焼結を水
素雰囲気中で行うことを特徴とする。
【0011】また、第5の発明は、上記第1〜第4の発
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の本焼結の
前に900〜1000℃で予備焼結することを特徴とす
る。
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の本焼結の
前に900〜1000℃で予備焼結することを特徴とす
る。
【0012】また、第6の発明は、上記第1〜第4の発
明のいずれかの構成で更に、上記W焼結体へのCuの溶
浸を水素雰囲気中で行うことを特徴とする。
明のいずれかの構成で更に、上記W焼結体へのCuの溶
浸を水素雰囲気中で行うことを特徴とする。
【0013】また、第7の発明は、上記第1〜第5の発
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の焼結を1
200〜1450℃で行うことを特徴とするまた、第8
の発明は、上記第1〜第6の発明のいずれかの構成で更
に、上記W焼結体へのCuの溶浸を1100〜1300
℃で行うことを特徴とする。
明のいずれかの構成で更に、上記射出成形体の焼結を1
200〜1450℃で行うことを特徴とするまた、第8
の発明は、上記第1〜第6の発明のいずれかの構成で更
に、上記W焼結体へのCuの溶浸を1100〜1300
℃で行うことを特徴とする。
【0014】
【発明の実施の形態】本発明において、W粉末のみを予
めバインダと混練して射出成形するのは、WとCuの焼
結温度が著しく異なるので、これらの混合粉の成形体を
焼結すると、高温ではCuが揮散してしまい、低温では
Wの焼結が進まないためである。Wは極めて融点が高い
ので、焼結を行うには粉末粒径にもよるが、一般に14
00℃以上の高温が必要である。一方、Cuの融点は1
083℃であるので、両者を同時に焼結することは好ま
しくない。
めバインダと混練して射出成形するのは、WとCuの焼
結温度が著しく異なるので、これらの混合粉の成形体を
焼結すると、高温ではCuが揮散してしまい、低温では
Wの焼結が進まないためである。Wは極めて融点が高い
ので、焼結を行うには粉末粒径にもよるが、一般に14
00℃以上の高温が必要である。一方、Cuの融点は1
083℃であるので、両者を同時に焼結することは好ま
しくない。
【0015】そこで、まず高融点のWのみをMIMによ
り焼結体とする。しかし、Wのみで繊密な焼結体を得る
のは非常に困難であるのでこれを部分的に焼結し、空隙
部を残留させてそこにCuを溶浸することにより繊密な
焼結体を得る。
り焼結体とする。しかし、Wのみで繊密な焼結体を得る
のは非常に困難であるのでこれを部分的に焼結し、空隙
部を残留させてそこにCuを溶浸することにより繊密な
焼結体を得る。
【0016】W粉末の成形に用いるバインダは、射出成
形するため可塑性材料を含むことが必要で、従来のMI
M法でー般的に用いられるものが使用できる。例えば、
低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸共
重合体、カルナバワックス、パラフィンワックス、ポリ
エチレンワックス、ステアリン酸等である。
形するため可塑性材料を含むことが必要で、従来のMI
M法でー般的に用いられるものが使用できる。例えば、
低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸共
重合体、カルナバワックス、パラフィンワックス、ポリ
エチレンワックス、ステアリン酸等である。
【0017】W粉末とバインダとの混練方法は、従来の
MIM法で一般的に用いられるものが使用できる。例え
ば、万能混合撹枠機、二軸ニーダ等の装置を用いた方法
である。
MIM法で一般的に用いられるものが使用できる。例え
ば、万能混合撹枠機、二軸ニーダ等の装置を用いた方法
である。
【0018】W粉末とバインダとの混練割合は、バイン
ダ組成にもよるが、一般的にバインダ量が混練物に対
し、8〜10重量%程度とするのが望ましい。成形体よ
りバインダを除去する方法は、従来のMIM法でー般的
に用いられるものが使用できる。例えば、大気中及び不
活性雰囲気中での加熱除去、溶媒抽出法及びそれらを組
み合わせる方法等である。
ダ組成にもよるが、一般的にバインダ量が混練物に対
し、8〜10重量%程度とするのが望ましい。成形体よ
りバインダを除去する方法は、従来のMIM法でー般的
に用いられるものが使用できる。例えば、大気中及び不
活性雰囲気中での加熱除去、溶媒抽出法及びそれらを組
み合わせる方法等である。
【0019】焼結方法は、従釆のMIM法で一般的に用
いられるものが使用できる。例えば、金属製ヒータの連
続式またはバッチ式の焼結炉において、水素雰囲気中に
て900〜1000℃で1〜3時間保持し、更に120
0〜1450℃で1〜8時間保持した後に、炉冷によっ
て冷却して焼結体を得る。焼結の条件は、粉末粒径およ
び添加Cu量によって適宜選択する。
いられるものが使用できる。例えば、金属製ヒータの連
続式またはバッチ式の焼結炉において、水素雰囲気中に
て900〜1000℃で1〜3時間保持し、更に120
0〜1450℃で1〜8時間保持した後に、炉冷によっ
て冷却して焼結体を得る。焼結の条件は、粉末粒径およ
び添加Cu量によって適宜選択する。
【0020】得られたW焼結体に溶浸するCuの量は、
多いほど密度および熱伝導率が高くなるが、同時に熱膨
張率も大きくなるので、得られるW−Cu合金焼結体に
対して5〜30重量%とする。5重量%未満ではCu量
が少ないために繊密な焼結体を得るのが難しく、30重
量%を超えると熱膨張率が大きくなってしまうからであ
る。
多いほど密度および熱伝導率が高くなるが、同時に熱膨
張率も大きくなるので、得られるW−Cu合金焼結体に
対して5〜30重量%とする。5重量%未満ではCu量
が少ないために繊密な焼結体を得るのが難しく、30重
量%を超えると熱膨張率が大きくなってしまうからであ
る。
【0021】また、W焼結体中の空隙部の体積がCuの
体積よりも大きな場合には空隙がCuで満たされず、繊
密な焼結体が得られない。空隙部の体積が小さい場合に
は過剰なCuが焼結体表面に鯵みだしてしまう。従っ
て、添加するCuが適切な量となるようにWの焼結条件
を選択する必要がある。
体積よりも大きな場合には空隙がCuで満たされず、繊
密な焼結体が得られない。空隙部の体積が小さい場合に
は過剰なCuが焼結体表面に鯵みだしてしまう。従っ
て、添加するCuが適切な量となるようにWの焼結条件
を選択する必要がある。
【0022】本焼結の前に900℃〜1000℃の保持
を入れることにより、焼結の進行を助勢し、焼結温度を
低下させる効果がある。更に、焼結密度や、熱伝導率の
低下を招くW酸化物を還元させる効果もある。900℃
以下では焼結を助勢する効果が得られず、1000℃以
上ではW酸化物の還元反応が低下する。焼結温度が12
00℃よりも低いと十分な焼結密度が得られないので、
Wの焼結は1200℃以上で行うのが望ましく、145
0℃以下で十分である。望ましくは、1250〜140
0℃である。
を入れることにより、焼結の進行を助勢し、焼結温度を
低下させる効果がある。更に、焼結密度や、熱伝導率の
低下を招くW酸化物を還元させる効果もある。900℃
以下では焼結を助勢する効果が得られず、1000℃以
上ではW酸化物の還元反応が低下する。焼結温度が12
00℃よりも低いと十分な焼結密度が得られないので、
Wの焼結は1200℃以上で行うのが望ましく、145
0℃以下で十分である。望ましくは、1250〜140
0℃である。
【0023】W焼結体へのCuの溶浸は、例えば、W焼
結体上にCuを載せ、再度加熱しCuを溶融すればよ
い。このようにして溶融されたCuがW焼結体に溶浸し
て、繊密なW−Cu舎金焼結体を得る。Cuの溶浸は、
1100〜1300℃で行う。1100℃未満ではCu
が十分溶融状態にならず、W焼結体に溶浸しないからで
あり、また、1300℃を超えるとCuが揮散してしま
い、エネルギー・コストも上昇するためである。
結体上にCuを載せ、再度加熱しCuを溶融すればよ
い。このようにして溶融されたCuがW焼結体に溶浸し
て、繊密なW−Cu舎金焼結体を得る。Cuの溶浸は、
1100〜1300℃で行う。1100℃未満ではCu
が十分溶融状態にならず、W焼結体に溶浸しないからで
あり、また、1300℃を超えるとCuが揮散してしま
い、エネルギー・コストも上昇するためである。
【0024】W粉末の焼結およびCuの溶浸における雰
囲気は、不要な酸化物を水素が還元するために、水素雰
囲気で行うのがよい。
囲気は、不要な酸化物を水素が還元するために、水素雰
囲気で行うのがよい。
【0025】以上の方法により、小型、複雑形状のW−
Cu合金焼結体が得られる。
Cu合金焼結体が得られる。
【0026】
【実施例】以下に、本発明の代表的な実施例を示す。W
粉末には、東京タングステン(株)製の平均粒径1.3
μmのW粉末を用いた。バインダには、パラフィンワッ
クス、低密度ポリエチレン、ほう酸エステルを主成分と
する濡れ剤、を重量比3:1:1で配合したものを用い
た。これらW粉末とバインダとを重量比92:8で混練
した。混練は、万能混合撹枠機を用いて140℃にて1
時間混合した。
粉末には、東京タングステン(株)製の平均粒径1.3
μmのW粉末を用いた。バインダには、パラフィンワッ
クス、低密度ポリエチレン、ほう酸エステルを主成分と
する濡れ剤、を重量比3:1:1で配合したものを用い
た。これらW粉末とバインダとを重量比92:8で混練
した。混練は、万能混合撹枠機を用いて140℃にて1
時間混合した。
【0027】この混練物をぺレット状に造粒し、厚さ5
mm、直径10mmの円盤状テストピースを射出成形し
た。射出圧は75MPa、射出温度は120℃とした。
次にこのテストピースを窒素雰囲気中で室温から400
℃まで20℃/時の昇温速度で昇温し、熱分解によりバ
インダを除去した。さらに、脱バインダした成形体を焼
結炉に挿入し、水素雰囲気中で室温から1000℃まで
10℃/分の昇温速度で昇温し、1000℃で2時間保
持した後に、1400℃まで10℃/分の昇温速度で昇
温し、1400℃で2時間保持した。その後、室温まで
炉冷し、W焼結体を得た。そのW焼結体の上に、W−C
u合金に対して16〜20重量%となるように秤量した
電気銅を載せ、再度水素雰囲気中で室温から1150℃
まで10℃/分の昇温速度で昇温し、1150℃で1時
間保持した。
mm、直径10mmの円盤状テストピースを射出成形し
た。射出圧は75MPa、射出温度は120℃とした。
次にこのテストピースを窒素雰囲気中で室温から400
℃まで20℃/時の昇温速度で昇温し、熱分解によりバ
インダを除去した。さらに、脱バインダした成形体を焼
結炉に挿入し、水素雰囲気中で室温から1000℃まで
10℃/分の昇温速度で昇温し、1000℃で2時間保
持した後に、1400℃まで10℃/分の昇温速度で昇
温し、1400℃で2時間保持した。その後、室温まで
炉冷し、W焼結体を得た。そのW焼結体の上に、W−C
u合金に対して16〜20重量%となるように秤量した
電気銅を載せ、再度水素雰囲気中で室温から1150℃
まで10℃/分の昇温速度で昇温し、1150℃で1時
間保持した。
【0028】その後、室温まで炉冷し、W−Cu合金焼
結体を得た。このようにして得られた焼結体について、
(1)アルキメデス法による相対密度の測定、(2)熱
膨張率の測定、(3)レーザーフラッシュ法による熱伝
導率の測定を行った。結果を表1に示す。表1には各試
料の密度、熱膨張率、熱伝導率を示す。
結体を得た。このようにして得られた焼結体について、
(1)アルキメデス法による相対密度の測定、(2)熱
膨張率の測定、(3)レーザーフラッシュ法による熱伝
導率の測定を行った。結果を表1に示す。表1には各試
料の密度、熱膨張率、熱伝導率を示す。
【0029】また比較試料として、W粉末と平均粒径
0.5μmのCu粉末を24時間ポールミル混合した粉
末を用い、上記試料と同様に射出成形、バインダを除去
した試料を、水素中1200〜1400℃、2時間焼結
した試料について同様の測定を行った。結果を表1に示
す。
0.5μmのCu粉末を24時間ポールミル混合した粉
末を用い、上記試料と同様に射出成形、バインダを除去
した試料を、水素中1200〜1400℃、2時間焼結
した試料について同様の測定を行った。結果を表1に示
す。
【0030】
【表1】
【0031】本発明方法によるW−Cu合金焼結体(実
施例1〜3)は、いずれも97%以上の相対密度を有
し、200W/mKを超える高い熱伝導率をもつことが
分かる。それに対し、比較方法で作製した試料(比較例
4〜5)は、焼結温度が低い場合にはW粒子の再配列が
進まず密度が低く、また焼結温度を高くした場合にはC
uが揮散してしまうためにやはり高い密度は得られな
い。そのため熱伝導率も低く、要求特性を満たさない。
施例1〜3)は、いずれも97%以上の相対密度を有
し、200W/mKを超える高い熱伝導率をもつことが
分かる。それに対し、比較方法で作製した試料(比較例
4〜5)は、焼結温度が低い場合にはW粒子の再配列が
進まず密度が低く、また焼結温度を高くした場合にはC
uが揮散してしまうためにやはり高い密度は得られな
い。そのため熱伝導率も低く、要求特性を満たさない。
【0032】次に、本発明の方法によって得られる焼結
体の特性は、Wの平均粉末粒径、Cu量、焼結雰囲気、
焼結温度、溶浸温度などによって決まるので、これらの
条件を変化させて試料を作製した。各試料の条件と得ら
れた焼結体の特性を表2に示す。
体の特性は、Wの平均粉末粒径、Cu量、焼結雰囲気、
焼結温度、溶浸温度などによって決まるので、これらの
条件を変化させて試料を作製した。各試料の条件と得ら
れた焼結体の特性を表2に示す。
【0033】
【表2】
【0034】本発明の実施例6、7ではいずれも良好な
熱的特性を示している。それに対し、焼結温度の低い比
較例8ではW焼結体の密度が低いためにCu液相量が足
らず、本発明の実施例に比較して焼結体密度は低くなっ
ている。また、Cu量の少ない比較例9では熱膨張率は
小さいが、やはり十分な密度が得られない。Cu溶浸温
度の高い比較例10ではCuが揮散してしまう。W粒径
の大きな比較例11では1500℃まで焼結温度を上げ
ても焼結体密度は上がらない。
熱的特性を示している。それに対し、焼結温度の低い比
較例8ではW焼結体の密度が低いためにCu液相量が足
らず、本発明の実施例に比較して焼結体密度は低くなっ
ている。また、Cu量の少ない比較例9では熱膨張率は
小さいが、やはり十分な密度が得られない。Cu溶浸温
度の高い比較例10ではCuが揮散してしまう。W粒径
の大きな比較例11では1500℃まで焼結温度を上げ
ても焼結体密度は上がらない。
【0035】
【発明の効果】本発明によれば、従来高密度を得ること
が難しかったMIM法を用いて、小型で、複雑形状のW
−Cu焼結体が、高い焼結体密度および熱伝導率を有し
ながら安価に得られ、量産性に優れたW−Cu合金焼結
体の製造方法が提供できた。
が難しかったMIM法を用いて、小型で、複雑形状のW
−Cu焼結体が、高い焼結体密度および熱伝導率を有し
ながら安価に得られ、量産性に優れたW−Cu合金焼結
体の製造方法が提供できた。
Claims (8)
- 【請求項1】 W粉末を有機物バインダと混練し、次
に、得られた混練物を射出成形し、次に、得られた射出
成形体よりバインダを除去して焼結し、次に、得られた
W焼結体にCuを溶浸することを特徴とするW−Cu合
金焼結体の製造方法。 - 【請求項2】 有機物バインダと混練するW粉末の平均
粒径を40μm以下とすることを特徴とする請求項1に
記載のW−Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項3】 W焼結体に溶浸するCuの量を、得られ
るW−Cu合金焼結体の5−30重量%とすることを特
徴とする請求項1または請求項2いずれかに記載のW−
Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項4】 射出成形体の焼結を水素雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項1〜請求項3いずれかに記載の
W−Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項5】 射出成形体を焼結する際に本焼結の前に
水素雰囲気中で900〜1000℃で予備焼結すること
を特徴とする請求項1〜請求項4いずれかに記載のW−
Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項6】 W焼結体へのCuの溶浸を水素雰囲気中
で行うことを特徴とする請求項1〜請求項4いずれかに
記載のW−Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項7】 射出成形体の焼結を1200〜1450
℃で行うことを特徴とする請求項1〜請求項5いずれか
に記載のW−Cu合金焼結体の製造方法。 - 【請求項8】 W焼結体へのCuの溶浸を1100〜1
300℃で行うことを特徴とする請求項1〜請求項6い
ずれかに記載のW−Cu合金焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15698796A JPH108110A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | W−Cu合金焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP15698796A JPH108110A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | W−Cu合金焼結体の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH108110A true JPH108110A (ja) | 1998-01-13 |
Family
ID=15639706
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP15698796A Pending JPH108110A (ja) | 1996-06-18 | 1996-06-18 | W−Cu合金焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH108110A (ja) |
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7063815B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-06-20 | Agency For Science, Technology And Research | Production of composite materials by powder injection molding and infiltration |
KR100615469B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-08-25 | 한국생산기술연구원 | 텅스텐-구리 소결합금 제조방법 |
CN104404282A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 天龙钨钼(天津)有限公司 | 一种低钨含量钨铜合金及其制备方法 |
-
1996
- 1996-06-18 JP JP15698796A patent/JPH108110A/ja active Pending
Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7063815B2 (en) | 2003-12-05 | 2006-06-20 | Agency For Science, Technology And Research | Production of composite materials by powder injection molding and infiltration |
KR100615469B1 (ko) * | 2004-12-23 | 2006-08-25 | 한국생산기술연구원 | 텅스텐-구리 소결합금 제조방법 |
CN104404282A (zh) * | 2014-12-02 | 2015-03-11 | 天龙钨钼(天津)有限公司 | 一种低钨含量钨铜合金及其制备方法 |
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