JPH09143591A - Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法 - Google Patents
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法Info
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- JPH09143591A JPH09143591A JP30865295A JP30865295A JPH09143591A JP H09143591 A JPH09143591 A JP H09143591A JP 30865295 A JP30865295 A JP 30865295A JP 30865295 A JP30865295 A JP 30865295A JP H09143591 A JPH09143591 A JP H09143591A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型で、複雑形状のＷ−Ｃｕ焼結体が、高い
焼結体密度および熱伝導率を有しながら安価に得られ
る、量産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法を提
供する。 【解決手段】 平均粒径４０μｍ以下のＷ粉末を有機物
バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出成形
し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去し
て、好ましくは水素雰囲気中１４００〜１６００℃で焼
結し、次に、得られたＷ焼結体にＣｕを、得られるＷ−
Ｃｕ合金焼結体の５〜３０重量％となるように、好まし
くは水素雰囲気中で１１００〜１３００℃で溶浸する、
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。
焼結体密度および熱伝導率を有しながら安価に得られ
る、量産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法を提
供する。 【解決手段】 平均粒径４０μｍ以下のＷ粉末を有機物
バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出成形
し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去し
て、好ましくは水素雰囲気中１４００〜１６００℃で焼
結し、次に、得られたＷ焼結体にＣｕを、得られるＷ−
Ｃｕ合金焼結体の５〜３０重量％となるように、好まし
くは水素雰囲気中で１１００〜１３００℃で溶浸する、
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体の放熱基盤
材料、ヒートシンク材等に用いられる熱伝導性に優れた
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体を製造する方法に関し、より詳しく
は、小型で、複雑形状のＷ−Ｃｕ焼結体を従来より安価
に得る製造方法に関する。
材料、ヒートシンク材等に用いられる熱伝導性に優れた
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体を製造する方法に関し、より詳しく
は、小型で、複雑形状のＷ−Ｃｕ焼結体を従来より安価
に得る製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】Ｗ−Ｃｕ合金焼結体は、機械的強度、熱
伝導性に優れるため、半導体の放熱基盤材料、ヒートシ
ンク材等に用いられている。近年、マイクロプロセッサ
用、超小型演算処理装置用に用いるための、小型、複雑
形状のＷ−Ｃｕ焼結体製品の需要が増加している。ヒー
トシンク材料としては、熱伝導率が高いことと、熱膨張
率が半導体のセラミックスパッケージ材料と近いことが
求められる。このため、Ｗ−Ｃｕの組成は、重量％でＣ
ｕが約３０％以下のものが用いられる。
伝導性に優れるため、半導体の放熱基盤材料、ヒートシ
ンク材等に用いられている。近年、マイクロプロセッサ
用、超小型演算処理装置用に用いるための、小型、複雑
形状のＷ−Ｃｕ焼結体製品の需要が増加している。ヒー
トシンク材料としては、熱伝導率が高いことと、熱膨張
率が半導体のセラミックスパッケージ材料と近いことが
求められる。このため、Ｗ−Ｃｕの組成は、重量％でＣ
ｕが約３０％以下のものが用いられる。
【０００３】従来この材料は、Ｗ−Ｃｕ粉末を原料とし
てプレス成形し、この成形体を焼結して、更にこの焼結
体を切削、研磨加工等して製造される。また最近になっ
て射出成形粉末冶金法をＷ−Ｃｕ合金に適用する試みも
なされている（特開平２−５０１３１６号公報）。
てプレス成形し、この成形体を焼結して、更にこの焼結
体を切削、研磨加工等して製造される。また最近になっ
て射出成形粉末冶金法をＷ−Ｃｕ合金に適用する試みも
なされている（特開平２−５０１３１６号公報）。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のＷ−Ｃ
ｕ焼結体の製造方法ではプレス工程を伴うため、ヒート
シンク材用途等の小型、複雑形状品の場合に切削加工等
の後処理が必要となり、加工費やそれに伴う原材料費等
がかかって、量産性が低下し、高コストになる欠点を有
していた。
ｕ焼結体の製造方法ではプレス工程を伴うため、ヒート
シンク材用途等の小型、複雑形状品の場合に切削加工等
の後処理が必要となり、加工費やそれに伴う原材料費等
がかかって、量産性が低下し、高コストになる欠点を有
していた。
【０００５】また、ステンレス鋼、Ｆｅ−Ｎｉ−Ｃ系合
金、チタン等の材料で行われているように、Ｗ−Ｃｕ粉
末を射出成形し、この成形体を焼結する方法（メタル・
インジェクション・モールディング。以下、「ＭＩＭ」
という。）も考えられるが、Ｗ−Ｃｕ合金の焼結におい
てはＷとＣｕの反応が全く生じないため、そのまま従来
の射出成形法を適用すると焼結体密度が上がらず、切削
加工材に匹敵する熱伝導率が得られなかった。また焼結
密度が低く、開気孔が存在する場合には、半導体を封止
することができなかった。
金、チタン等の材料で行われているように、Ｗ−Ｃｕ粉
末を射出成形し、この成形体を焼結する方法（メタル・
インジェクション・モールディング。以下、「ＭＩＭ」
という。）も考えられるが、Ｗ−Ｃｕ合金の焼結におい
てはＷとＣｕの反応が全く生じないため、そのまま従来
の射出成形法を適用すると焼結体密度が上がらず、切削
加工材に匹敵する熱伝導率が得られなかった。また焼結
密度が低く、開気孔が存在する場合には、半導体を封止
することができなかった。
【０００６】そこで、本発明の目的は、上記欠点を解消
し、小型で、複雑形状のＷ−Ｃｕ焼結体が、高い焼結体
密度および熱伝導率を有しながら、安価に得られる、量
産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法を提供する
ことにある。
し、小型で、複雑形状のＷ−Ｃｕ焼結体が、高い焼結体
密度および熱伝導率を有しながら、安価に得られる、量
産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法を提供する
ことにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法は、Ｗ粉末を
有機物バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出
成形し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去
して焼結し、次に、得られたＷ焼結体にＣｕを溶浸する
ことを特徴とする。
の本発明のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法は、Ｗ粉末を
有機物バインダと混練し、次に、得られた混練物を射出
成形し、次に、得られた射出成形体よりバインダを除去
して焼結し、次に、得られたＷ焼結体にＣｕを溶浸する
ことを特徴とする。
【０００８】また、上記構成で更に、上記有機物バイン
ダと混練するＷ粉末の平均粒径を４０μｍ以下とするこ
とを特徴とする。
ダと混練するＷ粉末の平均粒径を４０μｍ以下とするこ
とを特徴とする。
【０００９】また、上記Ｗ焼結体に溶浸するＣｕの量を
得られるＷ−Ｃｕ合金焼結体の５〜３０重量％とするこ
とを特徴とする。
得られるＷ−Ｃｕ合金焼結体の５〜３０重量％とするこ
とを特徴とする。
【００１０】また、上記射出成形体の焼結を水素雰囲気
中で行うことを特徴とする。
中で行うことを特徴とする。
【００１１】また、上記Ｗ焼結体へのＣｕの溶浸を水素
雰囲気中で行うことを特徴とする。
雰囲気中で行うことを特徴とする。
【００１２】また、上記射出成形体の焼結を１４００〜
１６００℃で行うことを特徴とする。
１６００℃で行うことを特徴とする。
【００１３】また、上記Ｗ焼結体へのＣｕの溶浸を１１
００〜１３００℃で行うことを特徴とする。
００〜１３００℃で行うことを特徴とする。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明において、Ｗ粉末のみを予
めバインダと混練して射出成形するのは、ＷとＣｕの焼
結温度が著しく異なるので、これらの混合粉の成形体を
焼結すると、高温ではＣｕが揮散してしまい、低温では
Ｗの焼結が進まないためである。Ｗは極めて融点が高い
ので、焼結を行うには粉末粒径にもよるが、一般に１４
００℃以上の高温が必要である。一方、Ｃｕの融点は１
０８３℃であるので、両者を同時に焼結することは好ま
しくない。
めバインダと混練して射出成形するのは、ＷとＣｕの焼
結温度が著しく異なるので、これらの混合粉の成形体を
焼結すると、高温ではＣｕが揮散してしまい、低温では
Ｗの焼結が進まないためである。Ｗは極めて融点が高い
ので、焼結を行うには粉末粒径にもよるが、一般に１４
００℃以上の高温が必要である。一方、Ｃｕの融点は１
０８３℃であるので、両者を同時に焼結することは好ま
しくない。
【００１５】そこで、まず高融点のＷのみをＭＩＭによ
り焼結体とする。しかし、Ｗのみで緻密な焼結体を得る
のは非常に困難であるのでこれを部分的に焼結し、空隙
部を残留させてそこにＣｕを溶浸することにより緻密な
焼結体を得る。
り焼結体とする。しかし、Ｗのみで緻密な焼結体を得る
のは非常に困難であるのでこれを部分的に焼結し、空隙
部を残留させてそこにＣｕを溶浸することにより緻密な
焼結体を得る。
【００１６】Ｗ粉末の成形に用いるバインダは、射出成
形するため可塑性材料を含むことが必要で、従来のＭＩ
Ｍ法で一般的に用いられるものが使用できる。例えば、
低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸共
重合体、カルナバワックス、パラフィンワックス、ポリ
エチレンワックス、ステアリン酸等である。
形するため可塑性材料を含むことが必要で、従来のＭＩ
Ｍ法で一般的に用いられるものが使用できる。例えば、
低密度ポリエチレン、ポリプロピレン、エチレン酢酸共
重合体、カルナバワックス、パラフィンワックス、ポリ
エチレンワックス、ステアリン酸等である。
【００１７】Ｗ粉末とバインダとの混練方法は、従来の
ＭＩＭ法で一般的に用いられるものが使用できる。例え
ば、万能混合撹拌機、二軸ニーダ等の装置を用いた方法
である。
ＭＩＭ法で一般的に用いられるものが使用できる。例え
ば、万能混合撹拌機、二軸ニーダ等の装置を用いた方法
である。
【００１８】Ｗ粉末とバインダとの混練割合は、バイン
ダ組成にもよるが、一般的にバインダ量が混練物に対
し、８〜１０重量％程度とするのが望ましい。成形体よ
りバインダを除去する方法は、従来のＭＩＭ法で一般的
に用いられるものが使用できる。例えば、大気中及び不
活性雰囲気中での加熱除去、溶媒抽出法及びそれらを組
み合わせる方法等である。
ダ組成にもよるが、一般的にバインダ量が混練物に対
し、８〜１０重量％程度とするのが望ましい。成形体よ
りバインダを除去する方法は、従来のＭＩＭ法で一般的
に用いられるものが使用できる。例えば、大気中及び不
活性雰囲気中での加熱除去、溶媒抽出法及びそれらを組
み合わせる方法等である。
【００１９】焼結方法は、従来のＭＩＭ法で一般的に用
いられるものが使用できる。例えば、金属製ヒータの連
続式またはバッチ式の焼結炉において、水素雰囲気中に
て１４００〜１６００℃で１〜３時間保持した後に、炉
冷によって冷却して焼結体を得る。焼結の条件は、粉末
粒径および添加Ｃｕ量によって適宜選択する。
いられるものが使用できる。例えば、金属製ヒータの連
続式またはバッチ式の焼結炉において、水素雰囲気中に
て１４００〜１６００℃で１〜３時間保持した後に、炉
冷によって冷却して焼結体を得る。焼結の条件は、粉末
粒径および添加Ｃｕ量によって適宜選択する。
【００２０】得られたＷ焼結体に溶浸するＣｕの量は、
多いほど密度および熱伝導率が高くなるが、同時に熱膨
張率も大きくなるので、得られるＷ−Ｃｕ合金焼結体に
対して５〜３０重量％とする。５重量％未満ではＣｕ量
が少ないために緻密な焼結体を得るのが難しく、３０重
量％を超えると熱膨張率が大きくなってしまうからであ
る。
多いほど密度および熱伝導率が高くなるが、同時に熱膨
張率も大きくなるので、得られるＷ−Ｃｕ合金焼結体に
対して５〜３０重量％とする。５重量％未満ではＣｕ量
が少ないために緻密な焼結体を得るのが難しく、３０重
量％を超えると熱膨張率が大きくなってしまうからであ
る。
【００２１】また、Ｗ焼結体中の空隙部の体積がＣｕの
体積よりも大きな場合には空隙がＣｕで満たされず、緻
密な焼結体が得られない。空隙部の体積が小さい場合に
は過剰なＣｕが焼結体表面に滲みだしてしまう。従っ
て、添加するＣｕが適切な量となるようにＷの焼結条件
を選択する必要がある。焼結温度が１４００℃よりも低
いと十分な焼結密度が得られないので、Ｗの焼結は１４
００℃以上で行うのが望ましく、１６００℃以下で十分
である。望ましくは、１４５０〜１５５０℃である。
体積よりも大きな場合には空隙がＣｕで満たされず、緻
密な焼結体が得られない。空隙部の体積が小さい場合に
は過剰なＣｕが焼結体表面に滲みだしてしまう。従っ
て、添加するＣｕが適切な量となるようにＷの焼結条件
を選択する必要がある。焼結温度が１４００℃よりも低
いと十分な焼結密度が得られないので、Ｗの焼結は１４
００℃以上で行うのが望ましく、１６００℃以下で十分
である。望ましくは、１４５０〜１５５０℃である。
【００２２】Ｗ焼結体へのＣｕの溶浸は、例えば、Ｗ焼
結体上にＣｕを載せ、再度加熱しＣｕを溶融すればよ
い。このようにして溶融されたＣｕがＷ焼結体に溶浸し
て、緻密なＷ−Ｃｕ合金焼結体を得る。Ｃｕの溶浸は、
１１００〜１３００℃で行う。１１００℃未満ではＣｕ
が十分溶融状態にならず、Ｗ焼結体に溶浸しないからで
あり、また、１３００℃を超えるとＣｕが揮散してしま
い、エネルギー・コストも上昇するためである。
結体上にＣｕを載せ、再度加熱しＣｕを溶融すればよ
い。このようにして溶融されたＣｕがＷ焼結体に溶浸し
て、緻密なＷ−Ｃｕ合金焼結体を得る。Ｃｕの溶浸は、
１１００〜１３００℃で行う。１１００℃未満ではＣｕ
が十分溶融状態にならず、Ｗ焼結体に溶浸しないからで
あり、また、１３００℃を超えるとＣｕが揮散してしま
い、エネルギー・コストも上昇するためである。
【００２３】Ｗ粉末の焼結およびＣｕの溶浸における雰
囲気は、不要な酸化物を水素が還元するために、水素雰
囲気で行うのがよい。
囲気は、不要な酸化物を水素が還元するために、水素雰
囲気で行うのがよい。
【００２４】以上の方法により、小型、複雑形状のＷ−
Ｃｕ焼結体が得られる。
Ｃｕ焼結体が得られる。
【００２５】
【実施例】以下に、本発明の代表的な実施例を示す。
【００２６】Ｗ粉末には、東京タングステン（株）製の
平均粒径１．３μｍのＷ粉末を用いた。バインダには、
パラフィンワックス、低密度ポリエチレン、ほう酸エス
テルを主成分とする濡れ剤、を重量比３：１：１で配合
したものを用いた。これらＷ粉末とバインダとを重量比
９２：８で混練した。混練は、万能混合撹拌機を用いて
１４０℃にて１時間混合した。
平均粒径１．３μｍのＷ粉末を用いた。バインダには、
パラフィンワックス、低密度ポリエチレン、ほう酸エス
テルを主成分とする濡れ剤、を重量比３：１：１で配合
したものを用いた。これらＷ粉末とバインダとを重量比
９２：８で混練した。混練は、万能混合撹拌機を用いて
１４０℃にて１時間混合した。
【００２７】この混練物をペレット状に造粒し、厚さ５
ｍｍ、直径１０ｍｍの円盤状テストピースを射出成形し
た。射出圧は７５ＭＰａ、射出温度は１２０℃とした。
次にこのテストピースを窒素雰囲気中で室温から４００
℃まで２０℃／時の昇温速度で昇温し、熱分解によりバ
インダを除去した。さらに、脱バインダした成形体を焼
結炉に挿入し、水素雰囲気中で室温から１５００℃まで
１０℃／分の昇温速度で昇温し、１５００℃で２時間保
持した。その後、室温まで炉冷し、Ｗ焼結体を得た。そ
のＷ焼結体の上に、Ｗ−Ｃｕ合金に対して１６〜２０重
量％となるように秤量した電気銅を載せ、再度水素雰囲
気中で室温から１１５０℃まで１０℃／分の昇温速度で
昇温し、１１５０℃で１時間保持した。
ｍｍ、直径１０ｍｍの円盤状テストピースを射出成形し
た。射出圧は７５ＭＰａ、射出温度は１２０℃とした。
次にこのテストピースを窒素雰囲気中で室温から４００
℃まで２０℃／時の昇温速度で昇温し、熱分解によりバ
インダを除去した。さらに、脱バインダした成形体を焼
結炉に挿入し、水素雰囲気中で室温から１５００℃まで
１０℃／分の昇温速度で昇温し、１５００℃で２時間保
持した。その後、室温まで炉冷し、Ｗ焼結体を得た。そ
のＷ焼結体の上に、Ｗ−Ｃｕ合金に対して１６〜２０重
量％となるように秤量した電気銅を載せ、再度水素雰囲
気中で室温から１１５０℃まで１０℃／分の昇温速度で
昇温し、１１５０℃で１時間保持した。
【００２８】その後、室温まで炉冷し、Ｗ焼結体を得
た。このようにして得られた焼結体について、（１）ア
ルキメデス法による相対密度の測定、（２）熱膨張率の
測定、（３）レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測
定を行った。結果を表１に示す。表１には各試料の密
度、熱膨張率、熱伝導率を示す。
た。このようにして得られた焼結体について、（１）ア
ルキメデス法による相対密度の測定、（２）熱膨張率の
測定、（３）レーザーフラッシュ法による熱伝導率の測
定を行った。結果を表１に示す。表１には各試料の密
度、熱膨張率、熱伝導率を示す。
【００２９】また比較試料として、Ｗ粉末と平均粒径
０．５μｍのＣｕ粉末を２４時間ボールミル混合した粉
末を用い、上記試料と同様に射出成形、バインダを除去
した試料を、水素中１２００〜１４００℃、２時間焼結
した試料について同様の測定を行った。結果を表１に示
す。
０．５μｍのＣｕ粉末を２４時間ボールミル混合した粉
末を用い、上記試料と同様に射出成形、バインダを除去
した試料を、水素中１２００〜１４００℃、２時間焼結
した試料について同様の測定を行った。結果を表１に示
す。
【００３０】
【表１】
【００３１】本発明方法によるＷ−Ｃｕ合金焼結体（実
施例１〜３）は、いずれも９７％以上の相対密度を有
し、２００Ｗ／ｍＫを超える高い熱伝導率をもつことが
分かる。それに対し、比較方法で作製した試料（比較例
４〜５）は、焼結温度が低い場合にはＷ粒子の再配列が
進まず密度が低く、また焼結温度を高くした場合にはＣ
ｕが揮散してしまうためにやはり高い密度は得られな
い。そのため熱伝導率も低く、要求特性を満たさない。
施例１〜３）は、いずれも９７％以上の相対密度を有
し、２００Ｗ／ｍＫを超える高い熱伝導率をもつことが
分かる。それに対し、比較方法で作製した試料（比較例
４〜５）は、焼結温度が低い場合にはＷ粒子の再配列が
進まず密度が低く、また焼結温度を高くした場合にはＣ
ｕが揮散してしまうためにやはり高い密度は得られな
い。そのため熱伝導率も低く、要求特性を満たさない。
【００３２】次に、本発明の方法によって得られる焼結
体の特性は、Ｗの平均粉末粒径、Ｃｕ量、焼結雰囲気、
焼結温度、溶浸温度などによって決まるので、これらの
条件を変化させて試料を作製した。各試料の条件と得ら
れた焼結体の特性を表２に示す。
体の特性は、Ｗの平均粉末粒径、Ｃｕ量、焼結雰囲気、
焼結温度、溶浸温度などによって決まるので、これらの
条件を変化させて試料を作製した。各試料の条件と得ら
れた焼結体の特性を表２に示す。
【００３３】
【表２】
【００３４】本発明例６〜７ではいずれも良好な熱的特
性を示している。それに対し、焼結温度の低い比較例８
ではＷ焼結体の密度が低いためにＣｕ液相量が足らず、
本発明例に比較して焼結体密度は低くなっている。ま
た、Ｃｕ量の少ない比較例９では熱膨張率は小さいが、
やはり十分な密度が得られない。Ｃｕ溶浸温度の高い比
較例１０ではＣｕが揮散してしまう。Ｗ粒径の大きな比
較例１１では１６００℃まで焼結温度を上げても焼結体
密度は上がらない。
性を示している。それに対し、焼結温度の低い比較例８
ではＷ焼結体の密度が低いためにＣｕ液相量が足らず、
本発明例に比較して焼結体密度は低くなっている。ま
た、Ｃｕ量の少ない比較例９では熱膨張率は小さいが、
やはり十分な密度が得られない。Ｃｕ溶浸温度の高い比
較例１０ではＣｕが揮散してしまう。Ｗ粒径の大きな比
較例１１では１６００℃まで焼結温度を上げても焼結体
密度は上がらない。
【００３５】
【発明の効果】本発明によれば、従来高密度を得ること
が難しかったＭＩＭ法を用いて、小型で、複雑形状のＷ
−Ｃｕ焼結体が、高い焼結体密度および熱伝導率を有し
ながら安価に得られ、量産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結
体の製造方法が提供できた。
が難しかったＭＩＭ法を用いて、小型で、複雑形状のＷ
−Ｃｕ焼結体が、高い焼結体密度および熱伝導率を有し
ながら安価に得られ、量産性に優れたＷ−Ｃｕ合金焼結
体の製造方法が提供できた。
Claims (7)
- 【請求項１】 Ｗ粉末を有機物バインダと混練し、次
に、得られた混練物を射出成形し、次に、得られた射出
成形体よりバインダを除去して焼結し、次に、得られた
Ｗ焼結体にＣｕを溶浸することを特徴とするＷ−Ｃｕ合
金焼結体の製造方法。 - 【請求項２】 有機物バインダと混練するＷ粉末の平均
粒径を４０μｍ以下とすることを特徴とする請求項１に
記載のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。 - 【請求項３】 Ｗ焼結体に溶浸するＣｕの量を得られる
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の５〜３０重量％とすることを特徴
とする請求項１または請求項２に記載のＷ−Ｃｕ合金焼
結体の製造方法。 - 【請求項４】 射出成形体の焼結を水素雰囲気中で行う
ことを特徴とする請求項１〜請求項３いずれかに記載の
Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。 - 【請求項５】 Ｗ焼結体へのＣｕの溶浸を水素雰囲気中
で行うことを特徴とする請求項１〜請求項４いずれかに
記載のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。 - 【請求項６】 射出成形体の焼結を１４００〜１６００
℃で行うことを特徴とする請求項１〜請求項５いずれか
に記載のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。 - 【請求項７】 Ｗ焼結体へのＣｕの溶浸を１１００〜１
３００℃で行うことを特徴とする請求項１〜請求項６い
ずれかに記載のＷ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30865295A JPH09143591A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP30865295A JPH09143591A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09143591A true JPH09143591A (ja) | 1997-06-03 |
Family
ID=17983658
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30865295A Pending JPH09143591A (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | Ｗ−Ｃｕ合金焼結体の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09143591A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1422757A1 (en) * | 2001-08-31 | 2004-05-26 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Semiconductor radiating substrate and production method therefor and package |
| FR2847909A1 (fr) * | 2002-11-29 | 2004-06-04 | Agency Defense Dev | Alliage w-cu ayant une microstructure homogene et son procede de fabrication |
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