JPH1075145A - Lc band-pass filter - Google Patents
Lc band-pass filterInfo
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- JPH1075145A JPH1075145A JP8248646A JP24864696A JPH1075145A JP H1075145 A JPH1075145 A JP H1075145A JP 8248646 A JP8248646 A JP 8248646A JP 24864696 A JP24864696 A JP 24864696A JP H1075145 A JPH1075145 A JP H1075145A
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Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、携帯電話や自動車
電話等の各種無線通信機器に使用されるＬＣバンドパス
フィルタに関するものである。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to an LC bandpass filter used for various wireless communication devices such as a portable telephone and a car telephone.
【０００２】[0002]
【従来の技術】ＬＣバンドパスフィルタとしては、アル
ミナ等の薄い、複数又は単数の絶縁基板により入出力用
コンデンサとインダクタとを並列接続した並列共振回路
を担持してなるものが一般的に用いられている。このＬ
Ｃバンドパスフィルタは、誘電体ブロック内に複数の貫
通孔状の共振導体を形成した一体型誘電体フィルタや二
枚の誘電基板の間に箔状の共振導体を挟持した三導体型
ストリップラインフィルタに比して薄肉化、小型化が容
易である等の利点から携帯電話等に好適に採用されつつ
ある。2. Description of the Related Art As an LC bandpass filter, a filter having a parallel resonance circuit in which an input / output capacitor and an inductor are connected in parallel by a thin, plural or single insulating substrate such as alumina is generally used. ing. This L
The C bandpass filter is an integrated dielectric filter in which a plurality of through-hole-shaped resonance conductors are formed in a dielectric block, or a three-conductor stripline filter in which a foil-shaped resonance conductor is sandwiched between two dielectric substrates. It is being favorably used in mobile phones and the like because of its advantages such as easy thinning and miniaturization as compared with.
【０００３】[0003]
【発明が解決しようとする課題】一方、近年は、電子機
器等の小型化、高性能化、高密度実装化に対する要望が
さらに高まっており、このため、ＬＣバンドパスフィル
タの一層の小型化，薄型化が求められてきている。On the other hand, in recent years, there has been a growing demand for miniaturization, high performance, and high-density mounting of electronic devices and the like. Thinning has been demanded.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】従来のこの種のバンド
パスフィルタは、各誘電体層により容量部を形成するも
のであり、通常、入出力側の一方において、共振用コン
デンサＣ3 とインダクタＬ1 とをアースに並列接続し、
かつ入出力用コンデンサＣ1 と共振用コンデンサＣ3 と
を直列状に接続し、入出力側の他方において、共振用コ
ンデンサＣ4 とインダクタＬ2 とをアースに並列接続
し、かつ入出力用コンデンサＣ2 と共振用コンデンサＣ
4 とを直列状に接続した回路構成を担持する多層構造か
らなる。ところで、この従来構成にあっては、各コンデ
ンサを夫々誘電体層により構成しており、この為、層数
が増え、全体としての肉厚化が避けられなかった。本発
明は、可及的に薄型化を図り得る構成のＬＣバンドパス
フィルタを提供することを目的とするものである。[SUMMARY OF THE INVENTION The band pass filter of the conventional this type, the respective dielectric layers is intended to form a capacitor unit, usually at one of the input and output side, the resonant capacitor C 3 and the inductor L 1 is connected in parallel to the ground,
And it connects the output capacitor C 1 and the resonant capacitor C 3 in series form, the other of the input and output side, connected in parallel with resonant capacitor C 4 and the inductor L 2 to ground, and input and output capacitors C 2 and the resonance capacitor C
4 has a multilayer structure that carries a circuit configuration in which they are connected in series. By the way, in this conventional configuration, each capacitor is formed of a dielectric layer, and therefore, the number of layers is increased, and the increase in the overall thickness is inevitable. An object of the present invention is to provide an LC bandpass filter having a configuration that can be made as thin as possible.
【０００５】[0005]
【課題を解決するための手段】本発明は、多層構造から
なり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コンデンサ電極
３ａ，３ｂを並設し、該共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
上に、誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜
層１０上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位
に、入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の
他側コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コ
ンデンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデン
サＣ2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１
２ｂ，１３ｂを夫々設けたことを特徴とするＬＣバンド
パスフィルタである。The present invention has a multi-layer structure, in which two common capacitor electrodes 3a and 3b are provided in parallel on the surface of an insulating substrate 1, and the common capacitor electrodes 3a and 3b are arranged in parallel.
A dielectric thin film layer 10 is formed thereon, and further, on the portion of the dielectric thin film layer 10 facing the common capacitor electrode 3a, the input / output capacitor C 1 and the other-side capacitor electrode 12a of the resonance capacitor C 3 are provided. , 13a, respectively, and the input / output capacitor C 2 and the other-side capacitor electrode 1 of the resonance capacitor C 4 are provided at a portion facing the common capacitor electrode 3b.
This is an LC bandpass filter provided with 2b and 13b, respectively.
【０００６】かかる構成にあっては、単一の誘電体薄膜
層に、コンデンサ電極１２ａ，１３ａ，１２ｂ，１３ｂ
を形成し、絶縁基板１の表面に、各電極と対向する二つ
の共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、これにより
単一の誘電体薄膜層のみにより、入出力用コンデンサＣ
1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成される。
したがって、誘電体層の数を少なくでき、全体として、
薄型化を図り得ることとなる。In such a configuration, the capacitor electrodes 12a, 13a, 12b, 13b are formed on a single dielectric thin film layer.
Is formed on the surface of the insulating substrate 1, and two common capacitor electrodes 3a and 3b opposed to the respective electrodes are arranged in parallel, so that the input / output capacitor C is formed only by a single dielectric thin film layer.
1 and C 2 , and resonance capacitors C 3 and C 4 .
Therefore, the number of dielectric layers can be reduced, and as a whole,
The thickness can be reduced.
【０００７】この好適な構成としては、絶縁基板１の表
面に、下部導電層２を形成して、この下部導電層２に二
つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導
電層２上に誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体
薄膜層１０上に、中間導電層１１を形成して、該中間導
電層１１に共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、
入出力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側
コンデンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデ
ンサ電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ
2 ，共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２
ｂ，１３ｂを夫々設け、さらに中間導電層１１上に絶縁
層２０を設けて、該絶縁層２０上に、上部導電層２１を
形成し、この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接
地電極２６から延出する二つのインダクタＬ1 ，Ｌ2
と、前記入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデン
サ電極１２ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２
ａ，２２ｂとを夫々設けると共に、インダクタＬ1 ，Ｌ
2 の中心を、下部導電層２の共通コンデンサ電極３ａ，
３ｂに夫々接続し、さらに接地電極層２６を、下部導電
層２の他側コンデンサ電極１３ａ，１３ｂに夫々接続し
たＬＣバンドパスフィルタが提案され得る。このよう
に、構成することにより、その全体として、極薄の多層
構造からなるＬＣバンドパスフィルタが供せられる。As a preferred configuration, a lower conductive layer 2 is formed on the surface of an insulating substrate 1, and two common capacitor electrodes 3a and 3b are provided on the lower conductive layer 2 in parallel. A dielectric thin film layer 10 is formed thereon, an intermediate conductive layer 11 is further formed on the dielectric thin film layer 10, and a portion of the intermediate conductive layer 11 facing the common capacitor electrode 3a is
Output capacitor C 1, the other side capacitor electrode 12a of the resonance capacitor C 3, 13a and respectively provided, at a site opposed to the common capacitor electrode 3b, output capacitor C
2, the other side capacitor electrode 12 of the resonance capacitor C 4
b, 13b, respectively, an insulating layer 20 is further provided on the intermediate conductive layer 11, an upper conductive layer 21 is formed on the insulating layer 20, and a ground electrode 26 and the ground electrode Two inductors L 1 and L 2 extending from the electrode 26
When input and output electrodes 22 in which the input and output for other side capacitor electrode 12a of the capacitor C 1, C 2, 12b and respective connecting
a, 22b, and inductors L 1 , L
2, the center of the common capacitor electrode 3a of the lower conductive layer 2,
3b, and an LC bandpass filter in which the ground electrode layer 26 is further connected to the other capacitor electrodes 13a and 13b of the lower conductive layer 2 respectively. With this configuration, an LC bandpass filter having an extremely thin multilayer structure is provided as a whole.
【０００８】さらには、多層構造からなり、最下層の絶
縁基板４１上に他側コンデンサ電極５３を形成し、ま
た、他側コンデンサ電極５３上に形成した誘電体薄膜層
５０上に、二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂを
並設氏、この誘電体薄膜層５０を介して、共通コンデン
サ電極４３ａ，４３ｂが他側コンデンサ電極５３と対向
することにより、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成す
ると共に、また、誘電体薄膜層５０上に形成された絶縁
層６０上に上部導電層６１を形成し、該上部導電層６１
には、共通コンデンサ電極４３ａと対向する部位に、該
共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０を介して入出
力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデンサ電極とな
る入出力電極６２ａを、同じく前記共通コンデンサ電極
４３ｂと対向する部位に、該共通コンデンサ電極４３ｂ
とで絶縁層６０を介して入出力用コンデンサＣ2 を構成
する他側コンデンサ電極となる入出力電極６２ｂを夫々
形成し、また、上部導電層６１には、接地電極６６ａ，
６６ｂを形成して、この接地電極６６ａ，６６ｂに、イ
ンダクタＬ1 ，Ｌ2 を延成し、さらにこのインダクタＬ
1 ，Ｌ2 の先端を、厚さ方向に形成した導通路７０を介
して、誘電体薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３
ａ，４３ｂに接続し、さらに接地電極６６ａ，６６ｂ
を、厚さ方向に形成した形成した導通路７１を介して、
共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コンデンサ電極５３
に接続することにより構成したことを特徴とするＬＣバ
ンドパスフィルタが提案される。このように構成した多
層構造にあっては、絶縁層６０により、二つの入出力用
コンデンサＣ1 ，Ｃ2 を形成し、誘電体薄膜層５０によ
り、二つの共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるた
め、薄型化を図ることができる。Further, a capacitor electrode 53 having a multilayer structure is formed on the lowermost insulating substrate 41, and two common capacitor electrodes 53 are formed on the dielectric thin film layer 50 formed on the other capacitor electrode 53. capacitor electrodes 43a, 43b are parallel設氏, through the dielectric thin film layer 50, the common capacitor electrode 43a, by 43b faces the other side capacitor electrodes 53, resonant capacitor C 3, together with the C 4 constitute Forming an upper conductive layer 61 on an insulating layer 60 formed on the dielectric thin film layer 50;
The, the portion facing the common capacitor electrode 43a, the input and output electrodes 62a serving as the other side capacitor electrodes that constitute the input and output capacitor C 1 through the insulating layer 60 between the common capacitor electrode 43a, also the common The common capacitor electrode 43b is provided at a portion facing the capacitor electrode 43b.
And in the input and output electrodes 62b to be the other side capacitor electrode constituting the output capacitor C 2 through the insulating layer 60 is formed respectively, also in the upper conductive layer 61, the ground electrode 66a,
66b are formed, and inductors L 1 and L 2 are extended to the ground electrodes 66a and 66b.
1 and L 2 are connected to the common capacitor electrode 43 on the dielectric thin film layer 50 through the conductive path 70 formed in the thickness direction.
a, 43b and ground electrodes 66a, 66b
Through the conductive path 71 formed in the thickness direction,
The other side capacitor electrode 53 of the resonance capacitors C 3 and C 4
An LC bandpass filter characterized by being configured by connecting to a. In the multilayer structure having such a configuration, two input / output capacitors C 1 and C 2 are formed by the insulating layer 60, and two resonance capacitors C 3 and C 4 are formed by the dielectric thin film layer 50. Since it is formed, the thickness can be reduced.
【０００９】[0009]
【発明の実施の形態】添付図面について本発明の一実施
例を説明する。図１は本発明に係るＬＣバンドパスフィ
ルタを示すものであり、寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦
横２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁
基板１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層２（厚
３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層１０（厚２
μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層１１（厚
３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる上部導
電層２１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。また、こ
のフィルタのうちその面領域のほぼ半面をコンデンサ形
成領域Ｓ1 とし、他半面をインダクタ形成領域Ｓ2 とし
ている。この全体の総厚は、その総和からも理解される
ように、０．７ｍｍ以下の極薄状となる。DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS One embodiment of the present invention will be described with reference to the accompanying drawings. FIG. 1 shows an LC band-pass filter according to the present invention, in which a dimension example is formed on a rectangular insulating substrate 1 such as alumina having a thickness of about 0.635 mm and a length and width of about 2 mm. lower conductive layer 2 (thickness 3 [mu] m), a dielectric thin film layer 10 made of SiO 2 comprising (thickness 2
μm), an intermediate conductive layer 11 made of aluminum (thickness 3 μm), an insulating layer 20 made of an organic insulating film such as a polyimide resin (thickness 3 μm), and an upper conductive layer 21 made of Cu (thickness 5 μm). They are sequentially laminated. Moreover, almost half of the surface area of the filter and the capacitor formation region S 1, are another half an inductor forming area S 2. As can be understood from the sum, the total thickness of the whole becomes an extremely thin shape of 0.7 mm or less.
【００１０】前記絶縁基板１上に形成される下部導電層
２にあって、そのコンデンサ形成領域Ｓ1 には、左右に
隣接して矩形状の二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
が並設され、夫々インダクタ形成領域Ｓ2 側に接続路
４，４を延出している。また、絶縁基板１の上面周囲
と、その中心線に沿って、縁取り部５が形成され、この
縁取り部５により誘電体薄膜層１０との積層面にあっ
て、その周縁で肉厚差がないようにして、均厚な面接触
を確保するようにしている。[0010] The insulating substrate there 1 to the lower conductive layer 2 formed on, in its capacitor formation region S 1, rectangular two common capacitor electrode 3a adjacent to the left and right, 3b
There are juxtaposed, it extends the connection passage 4, 4 to each inductor forming area S 2 side. A border 5 is formed around the upper surface of the insulating substrate 1 and along the center line thereof, and the border 5 forms a laminated surface with the dielectric thin film layer 10 and has no difference in thickness at the periphery. In this manner, uniform surface contact is ensured.
【００１１】また、誘電体薄膜層１０上に形成される中
間導電層１１にあって、前記共通コンデンサ電極３ａと
対向する部位には、入出力用コンデンサＣ1 の他側コン
デンサ電極１２ａと、これをＬ形に囲んで隣接する共振
用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１３ａとが設け
られ、前記共通コンデンサ電極３ｂと対向する部位に
は、入出力用コンデンサＣ2 の他側コンデンサ電極１２
ｂと、これをＬ形に囲んで隣接する共振用コンデンサＣ
4 の他側コンデンサ電極１３ｂとが設けられる。[0011] In the intermediate conductive layer 11 formed on the dielectric thin film layer 10, wherein the common capacitor electrode 3a facing the site, and the other side capacitor electrode 12a of the input and output capacitors C 1, which and another-side capacitor electrodes 13a of the resonance capacitor C 3 adjacent is provided surrounding the L-shaped, the part facing the common capacitor electrode 3b is the other side capacitor electrodes 12 of the input and output capacitors C 2
b and an adjacent resonance capacitor C surrounding the L shape
And four other-side capacitor electrodes 13b.
【００１２】ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜からなる絶
縁層２０はスピンコ−ト法等により、中間導電層１１上
に積層される。また、この絶縁層２０上に形成される上
部導電層２１は、銅メッキ法等により形成される。この
上部導電層２１にあって、コンデンサ形成領域Ｓ1 に
は、他側コンデンサ電極１２ａと対向する位置に入出力
電極２２ａが設けられ、同じく他側コンデンサ電極１２
ｂと対向する位置に入出力電極２２ｂが設けられる。さ
らには、入出力電極２２ａ，２２ｂ間には、これを容量
結合するための結合電極２４が絶縁間隙２５，２５を置
いて形成され、該絶縁間隙により、結合コンデンサＣ5
を形成するようにしている。An insulating layer 20 made of an organic insulating film such as a polyimide resin is laminated on the intermediate conductive layer 11 by a spin coating method or the like. The upper conductive layer 21 formed on the insulating layer 20 is formed by a copper plating method or the like. In the the upper conductive layer 21, the capacitor formation region S 1, input and output electrodes 22a is provided at a position facing the other side capacitor electrodes 12a, also the other side capacitor electrodes 12
An input / output electrode 22b is provided at a position opposing b. Further, input and output electrodes 22a, the inter-22b, which are coupling electrodes 24 for capacitively coupling is formed at the insulating gap 25, 25, the insulating gap, the coupling capacitor C 5
Is formed.
【００１３】また、コンデンサ形成領域Ｓ1 には、これ
ら入出力電極２２ａ，２２ｂ，結合電極２４を囲繞する
ように、接地電極２６が形成される。そして、この接地
電極２６の内側縁の中央からは、インダクタ形成領域Ｓ
2 側へ直線路が形成される。この直線路はインダクタＬ
3 を構成するものであり、この長さを調整することによ
り、反射損失を調整することが可能となる。そして、こ
のインダクタインダクタＬ3 の端部からは、インダクタ
形成領域Ｓ2 で、両側へ二つに分岐して、外側から中心
に向けて巻回する二つのスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ
2 が連成されることとなる。Further, the capacitor formation region S 1, these input and output electrodes 22a, 22b, so as to surround the coupling electrode 24, the ground electrode 26 is formed. From the center of the inner edge of the ground electrode 26, the inductor forming region S
A straight path is formed on the two sides. This straight path is the inductor L
3 , and adjusting the length makes it possible to adjust the return loss. Then, from the end of the inductor inductor L 3, the inductor forming area S 2, is branched into two on both sides, the two spiral inductors L 1 which is wound toward the center from the outside, L
2 will be coupled.
【００１４】このスパイラルインダクタＬ1 ，Ｌ2 の中
心は、絶縁層２０，誘電体薄膜層１０を貫通して形成し
た導通孔３０を介して、絶縁基板１上の共通コンデンサ
電極３ａ，３ｂの接続路４，４に接続される。さらに接
地電極２６を、絶縁層２０に形成した導通孔３１を介し
て、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の各他側コンデンサ電
極１３ａ，１３ｂに接続される。同様に、入出力電極２
２ａ，２２ｂは、絶縁層２０に形成した導通孔３２によ
り他側コンデンサ電極１２ａ，１２ｂに接続される。The centers of the spiral inductors L 1 and L 2 are connected to the common capacitor electrodes 3 a and 3 b on the insulating substrate 1 via conductive holes 30 formed through the insulating layer 20 and the dielectric thin film layer 10. The roads 4 and 4 are connected. Further, the ground electrode 26 is connected to the other-side capacitor electrodes 13a and 13b of the resonance capacitors C 3 and C 4 via the conduction holes 31 formed in the insulating layer 20. Similarly, input / output electrode 2
2a and 22b are connected to the other-side capacitor electrodes 12a and 12b through conduction holes 32 formed in the insulating layer 20.
【００１５】而して、上述したように、誘電体薄膜層１
０を介して、共通コンデンサ電極３ａ，他側コンデンサ
電極１２ａ間に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共
通コンデンサ電極３ｂ，他側コンデンサ電極１２ｂ間に
入出力用コンデンサＣ2 が形成され、さらに共通コンデ
ンサ電極３ａ，他側コンデンサ電極１３ａ間に共振用コ
ンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極３ｂ，他
側コンデンサ電極１３ｂ間に共振用コンデンサＣ4 が形
成され、さらに、結合電極２４を介して、入出力電極２
２ａ，２２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得ると
共に、接地側に、インダクタＬ3 ，共振用コンデンサＣ
3 ，共振用コンデンサＣ4 が接続され、かつインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ1 に対して、
共振用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタ
Ｌ3 から分岐したスパイラルインダクタＬ2 に対して共
振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図２の等価回路を
構成することとなる。As described above, the dielectric thin film layer 1
Through 0, the common capacitor electrode 3a, output capacitor C 1 between the other side capacitor electrode 12a is formed, the common capacitor electrode 3b, output capacitor C 2 between the other side capacitor electrode 12b is formed, further common capacitor electrode 3a, the resonance capacitor C 3 is formed between the other side capacitor electrodes 13a, the common capacitor electrode 3b, the resonant capacitor C 4 is formed between the other side capacitor electrodes 13b, further, through the coupling electrodes 24 , Input / output electrode 2
2a, together with the coupling capacitor C 5 may be formed between 22b, to the ground, the inductor L 3, a resonance capacitor C
3, relative to the spiral inductor L 1 of the resonant capacitor C 4 is connected, and branched from the inductor L 3,
Resonant capacitor C 3 connected in parallel, also the resonant capacitor C 4 with respect to the spiral inductor L 2 branched from the inductor L 3 is connected in parallel, constitutes the equivalent circuit of FIG.
【００１６】このように構成した多層構造にあっては、
単一の誘電体薄膜層１０に、コンデンサ電極１２ａ，１
３ａ，１２ｂ，１３ｂを形成し、絶縁基板１の表面に、
各電極と対向する二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ
を並設し、これにより単一の誘電体薄膜層のみにより、
入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサＣ
3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を少
なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとなる。
ここで、この構成にあっては、絶縁層２０はコンデンサ
としては機能していず、もっぱら、その上面に形成した
上部電極層２１を担持する為に用いられている。In the multi-layer structure thus configured,
The capacitor electrodes 12a, 1
3a, 12b and 13b are formed, and on the surface of the insulating substrate 1,
Two common capacitor electrodes 3a, 3b facing each electrode
Side-by-side, so that only a single dielectric thin film layer
Input / output capacitors C 1 and C 2 , resonance capacitor C
3, C 4 is formed. Therefore, the number of dielectric layers can be reduced, and the overall thickness can be reduced.
Here, in this configuration, the insulating layer 20 does not function as a capacitor, but is used exclusively for supporting the upper electrode layer 21 formed on the upper surface thereof.
【００１７】さらには、上述の構成にあって、コンデン
サ形成領域Ｓ1 と、インダクタ形成領域Ｓ2 とを区画
し、インダクタＬ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 の下方には、コンデン
サが位置しないようにしているから、該インダクタＬ
1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 に不要な容量が発生せず、周波数特性が
安定化する利点を生ずる。Further, in the above configuration, the capacitor forming region S 1 and the inductor forming region S 2 are partitioned so that no capacitors are located below the inductors L 1 , L 2 , L 3. The inductor L
Unnecessary capacitance is not generated in 1 , L 2 and L 3, and there is an advantage that the frequency characteristics are stabilized.
【００１８】図３は、他の構成のＬＣバンドパスフィル
タを示すものである。寸法例が厚０．６３５ｍｍ，縦横
２ｍｍ程度等の矩形状に成形されたアルミナ等の絶縁基
板４１上に、Ｆｅ−Ｎｉ合金からなる下部導電層４２
（厚３μｍ）と、ＳｉＯ2 からなる誘電体薄膜層５０
（厚１μｍ）と、アルミニュウムからなる中間導電層５
１（厚３μｍ）と、ポリイミド樹脂等の有機絶縁膜から
なる絶縁層６０（厚３μｍ）と、さらにはＣｕからなる
上部導電層６１（厚５μｍ）とが順次積層してなる。こ
の全体の総厚は、その総和からも理解されるように、
０．７ｍｍ以下の極薄状となる。FIG. 3 shows an LC bandpass filter having another configuration. A lower conductive layer 42 made of an Fe—Ni alloy is formed on an insulating substrate 41 made of, for example, alumina having a dimension of about 0.635 mm in thickness and about 2 mm in length and width, such as alumina.
(Thickness: 3 μm) and a dielectric thin film layer 50 made of SiO 2
(Thickness 1 μm) and an intermediate conductive layer 5 made of aluminum
1 (thickness 3 μm), an insulating layer 60 (thickness 3 μm) made of an organic insulating film such as a polyimide resin, and an upper conductive layer 61 (thickness 5 μm) made of Cu are sequentially laminated. This total thickness is, as can be seen from the sum,
It becomes an extremely thin shape of 0.7 mm or less.
【００１９】前記絶縁基板４１上に形成される下部導電
層４２は、後述するように上部導電層６１の接地電極と
電気的に接続し、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コ
ンデンサ電極５３を構成する。The lower conductive layer 42 formed on the insulating substrate 41 is electrically connected to the ground electrode of the upper conductive layer 61, as will be described later, and is connected to the other capacitor electrodes 53 of the resonance capacitors C 3 and C 4. Is configured.
【００２０】また、誘電体薄膜層５０上の中間導電層５
１には、矩形状の二つの共通コンデンサ電極４３ａ，４
３ｂが対角位置に並設される。そして誘電体薄膜層５０
を介して、共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂが他側コ
ンデンサ電極５３と対向することにより、共振用コンデ
ンサＣ3 ，Ｃ4 が構成されることとなる。The intermediate conductive layer 5 on the dielectric thin film layer 50
1 has two rectangular common capacitor electrodes 43a, 43
3b are juxtaposed at diagonal positions. And the dielectric thin film layer 50
, The common capacitor electrodes 43a and 43b face the other-side capacitor electrode 53, thereby forming the resonance capacitors C 3 and C 4 .
【００２１】さらにまた、絶縁層６０上に形成される上
部導電層６１には、共通コンデンサ電極４３ａと対向す
る部位に、該共通コンデンサ電極４３ａとで絶縁層６０
を介して入出力用コンデンサＣ1 を構成する他側コンデ
ンサ電極となる入出力電極６２ａが、同じく前記共通コ
ンデンサ電極４３ｂと対向する部位に、該共通コンデン
サ電極４３ｂとで絶縁層６０を介して入出力用コンデン
サＣ2 を構成する他側コンデンサ電極となる入出力電極
６２ｂが夫々形成される。上部導電層６１には、この入
出力電極６２ａ，６２ｂ間には、これを容量結合するた
めの結合電極６４が絶縁間隙を置いて形成され、該絶縁
間隙により、結合コンデンサＣ5 を形成するようにして
いる。Further, in the upper conductive layer 61 formed on the insulating layer 60, a portion facing the common capacitor electrode 43a is provided on the upper conductive layer 61 with the common capacitor electrode 43a.
Output electrodes 62a serving as the other side capacitor electrodes that constitute the input and output capacitor C 1 via the, in part, with the same facing the common capacitor electrode 43b, entering through an insulating layer 60 between the common capacitor electrode 43b output electrode 62b are respectively formed to be the other side capacitor electrode constituting the output capacitor C 2. The upper conductive layer 61, the input and output electrodes 62a, the inter-62b, which are coupling electrodes 64 for capacitively coupling is formed at the insulating gap by insulating gap, so as to form a coupling capacitor C 5 I have to.
【００２２】また、上部導電層６１には、これら入出力
電極６２ａ，６２ｂ，結合電極６４を前後で挟むよう
に、接地電極６６ａ，６６ｂが形成される。そして、こ
の接地電極６６ａ，６６ｂの内側縁からは、側縁に沿っ
て、インダクタＬ1 ，Ｌ2 が延成される。In the upper conductive layer 61, ground electrodes 66a and 66b are formed so as to sandwich the input / output electrodes 62a and 62b and the coupling electrode 64 in front and behind. The inductors L 1 and L 2 extend from the inner edges of the ground electrodes 66a and 66b along the side edges.
【００２３】このインダクタＬ1 ，Ｌ2 の先端は、絶縁
層６０を貫通して形成した導通孔７０を介して、誘電体
薄膜層５０上の共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂに接
続される。さらに接地電極６６ａ，６６ｂを、絶縁層６
０，誘電体薄膜層５０を貫通して形成した導通孔７１，
７１を介して、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側コン
デンサ電極５３に接続される。The ends of the inductors L 1 and L 2 are connected to the common capacitor electrodes 43 a and 43 b on the dielectric thin film layer 50 through a through hole 70 formed through the insulating layer 60. Further, the ground electrodes 66a and 66b are
0, a conductive hole 71 formed through the dielectric thin film layer 50,
The capacitor 71 is connected to the other-side capacitor electrode 53 of the resonance capacitors C 3 and C 4 via the switch 71.
【００２４】而して、上述したように、絶縁層６０を介
して、共通コンデンサ電極４３ａ，入出力電極６２ａ間
に入出力用コンデンサＣ1 が形成され、共通コンデンサ
電極４３ｂ，入出力電極６２ｂ間に入出力用コンデンサ
Ｃ2 が形成され、さらに誘電体薄膜層５０間に、共通コ
ンデンサ電極４３ａ，他側コンデンサ電極５３間に共振
用コンデンサＣ3 が形成され、共通コンデンサ電極４３
ｂ，他側コンデンサ電極５３間に共振用コンデンサＣ4
が形成され、さらに、結合電極６４を介して、入出力電
極６２ａ，６２ｂ間に結合コンデンサＣ5 が形成され得
ると共に、接地側に、共振用コンデンサＣ3 ，コンデン
サＣ4 が接続され、かつインダクタＬ1に対して、共振
用コンデンサＣ3 が並列接続し、同じくインダクタＬ2
に対して共振用コンデンサＣ4 が並列接続して、図４の
等価回路を構成することとなる。[0024] In Thus, as described above, through the insulating layer 60, the common capacitor electrode 43a, input and output capacitor C 1 is formed between the input and output electrodes 62a, the common capacitor electrode 43 b, between the input and output electrodes 62b An input / output capacitor C 2 is formed on the common capacitor electrode 43 a, and a resonance capacitor C 3 is formed between the dielectric thin film layer 50 and the common capacitor electrode 43 a and the other capacitor electrode 53.
b, the resonance capacitor C 4 between the other-side capacitor electrode 53
There is formed, further, through the coupling electrodes 64, input and output electrodes 62a, together with the coupling capacitor C 5 may be formed between 62b, to the ground side, resonant capacitor C 3, the capacitor C 4 is connected, and an inductor A resonance capacitor C 3 is connected in parallel to L 1 , and an inductor L 2
Resonant capacitor C 4 is connected in parallel with respect to, it constitutes the equivalent circuit of FIG.
【００２５】このように構成した多層構造にあっては、
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。また、この構成にあっては、インダクタＬ
1 ，Ｌ2 の下方には、コンデンサが位置しないようにし
ているから、該インダクタＬ1 ，Ｌ2 に不要な容量が発
生せず、周波数特性が安定化する利点を生ずる。In the multilayer structure thus configured,
Due to the insulating layer 60, the two input / output capacitors C 1 , C
2 is formed, and two resonance capacitors C 3 and C 4 are formed by the dielectric thin film layer 50, so that the thickness can be reduced. In this configuration, the inductor L
1, the downwardly L 2, since the capacitor is prevented from being positioned, the inductor L 1, unnecessary capacity L 2 is not generated, the frequency characteristic is generated to advantage to stabilize.
【００２６】[0026]
【発明の効果】本発明のＬＣバンドパスフィルタは、多
層構造からなり、絶縁基板１の表面に、二つの共通コン
デンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に、
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出
力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コン
デンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ
電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，
共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１
３ｂを夫々設けたから、単一の誘電体薄膜層のみによ
り、入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 、共振用コンデンサ
Ｃ3 ，Ｃ4 が構成される。したがって、誘電体層の数を
少なくでき、全体として、薄型化を図り得ることとな
る。また図３で示す第二の構成の多層構造にあっては、
絶縁層６０により、二つの入出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ
2 を形成し、誘電体薄膜層５０により、二つの共振用コ
ンデンサＣ3 ，Ｃ4 が形成されるため、薄型化を図るこ
とができる。The LC bandpass filter of the present invention has a multilayer structure, and has two common capacitor electrodes 3a and 3b juxtaposed on the surface of an insulating substrate 1;
Forming a dielectric thin film layer, and further forming the dielectric thin film layer;
The input / output capacitor C 1 and the other-side capacitor electrodes 12 a and 13 a of the resonance capacitor C 3 are provided on the upper portion facing the common capacitor electrode 3 a, respectively. Capacitors C 2 ,
Other side capacitor electrodes 12b of the resonant capacitor C 4, 1
3b, the input / output capacitors C 1 and C 2 and the resonance capacitors C 3 and C 4 are constituted by only a single dielectric thin film layer. Therefore, the number of dielectric layers can be reduced, and the overall thickness can be reduced. In the multilayer structure of the second configuration shown in FIG. 3,
Due to the insulating layer 60, the two input / output capacitors C 1 , C
2 is formed, and two resonance capacitors C 3 and C 4 are formed by the dielectric thin film layer 50, so that the thickness can be reduced.
【図１】本発明に係る第一実施例のＬＣバンドパスフィ
ルタの分離斜視図である。FIG. 1 is an exploded perspective view of an LC bandpass filter according to a first embodiment of the present invention.
【図２】第一実施例の等価回路図である。FIG. 2 is an equivalent circuit diagram of the first embodiment.
【図３】本発明に係る第二実施例のＬＣバンドパスフィ
ルタの分離斜視図である。FIG. 3 is an exploded perspective view of an LC bandpass filter according to a second embodiment of the present invention.
【図４】第二実施例の等価回路図である。FIG. 4 is an equivalent circuit diagram of the second embodiment.
１ 絶縁基板 ２ 下部導電層 ３ａ，３ｂ 共通コンデンサ電極 １０ 誘電体薄膜層 １１ 中間導電層 １２ａ，１２ｂ 他側コンデンサ電極 １３ａ，１３ｂ 他側コンデンサ電極 ２０ 絶縁層 ２１ 上部導電層 ２２ａ，２２ｂ 入出力電極 ２４ 結合電極 ２６ 接地電極 ４３ａ，４３ｂ 共通コンデンサ電極 ５０ 誘電体薄膜層 ５３ 他側コンデンサ電極 ６０ 絶縁層 ６２ａ，６２ｂ 入出力電極 ６４ 結合電極 ６６ａ，６６ｂ 接地電極 Ｌ1 ，Ｌ2 ，Ｌ3 インダクタ Ｃ1 ，Ｃ2 入出力用コンデンサ Ｃ3 ，Ｃ4 共振用コンデンサ Ｓ1 コンデンサ形成領域 Ｓ2 インダクタ形成領域DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Insulating substrate 2 Lower conductive layer 3a, 3b Common capacitor electrode 10 Dielectric thin film layer 11 Intermediate conductive layer 12a, 12b Other-side capacitor electrode 13a, 13b Other-side capacitor electrode 20 Insulating layer 21 Upper conductive layer 22a, 22b Input / output electrode 24 coupling electrode 26 ground electrodes 43a, 43b common capacitor electrode 50 dielectric thin film layer 53 other side capacitor electrode 60 insulating layer 62a, 62b input and output electrodes 64 coupled electrodes 66a, 66b grounding electrode L 1, L 2, L 3 inductors C 1, C 2 O capacitor C 3, C 4 resonance capacitor S 1 capacitor formation region S 2 inductor-forming region
Claims (4)
二つの共通コンデンサ電極３ａ，３ｂを並設し、該共通
コンデンサ電極３ａ，３ｂ上に、誘電体薄膜 １０を形
成し、さらに該誘電体薄膜層１０上の、共通コンデンサ
電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ1 ，
共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１
３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部
位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4
の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設けたこと
を特徴とするＬＣバンドパスフィルタ。1. An insulating substrate 1 having a multi-layer structure,
Two common capacitor electrodes 3a and 3b are arranged side by side, a dielectric thin film 10 is formed on the common capacitor electrodes 3a and 3b, and a portion of the dielectric thin film layer 10 facing the common capacitor electrode 3a is formed. , The input / output capacitor C 1 ,
Other side capacitor electrode 12a of the resonance capacitor C 3, 1
3a are provided respectively, and an input / output capacitor C 2 and a resonance capacitor C 4 are provided at portions facing the common capacitor electrode 3b.
An LC band-pass filter comprising the other-side capacitor electrodes 12b and 13b.
サＣ3 とインダクタＬ1 とをアースに並列接続し、かつ
入出力用コンデンサＣ1 と共振用コンデンサＣ3 とを直
列状に接続し、入出力側の他方において、共振用コンデ
ンサＣ4 とインダクタＬ2 とをアースに並列接続し、か
つ入出力用コンデンサＣ2 と共振用コンデンサＣ4 とを
直列状に接続した回路構成を担持する多層構造からなる
ＬＣバンドパスフィルタにおいて、 絶縁基板１の表面に、二つの共通コンデンサ電極３ａ，
３ｂを並設し、該共通コンデンサ電極３ａ，３ｂ上に、
誘電体薄膜層１０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０
上の、共通コンデンサ電極３ａと対向する部位に、入出
力用コンデンサＣ1 ，共振用コンデンサＣ3 の他側コン
デンサ電極１２ａ，１３ａを夫々設け、共通コンデンサ
電極３ｂと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ2 ，
共振用コンデンサＣ4 の他側コンデンサ電極１２ｂ，１
３ｂを夫々設けたことを特徴とする請求項１記載のＬＣ
バンドパスフィルタ。2. A one of the input and output side, is connected are connected in parallel and the resonance capacitor C 3 and the inductor L 1 to the ground, and the input and output capacitors C 1 and the resonant capacitor C 3 in series form, On the other side of the input / output side, a multilayer having a circuit configuration in which the resonance capacitor C 4 and the inductor L 2 are connected in parallel to the ground, and the input / output capacitor C 2 and the resonance capacitor C 4 are connected in series. In an LC bandpass filter having a structure, two common capacitor electrodes 3a,
3b are juxtaposed, and on the common capacitor electrodes 3a and 3b,
Forming a dielectric thin film layer, and further forming the dielectric thin film layer;
The input / output capacitor C 1 and the other-side capacitor electrodes 12 a and 13 a of the resonance capacitor C 3 are provided on the upper portion facing the common capacitor electrode 3 a, respectively. Capacitors C 2 ,
Other side capacitor electrodes 12b of the resonant capacitor C 4, 1
3. The LC according to claim 1, wherein 3b are provided respectively.
Bandpass filter.
して、この下部導電層２に二つの共通コンデンサ電極３
ａ，３ｂを並設し、該下部導電層２上に誘電体薄膜層１
０を形成し、さらに該誘電体薄膜層１０上に、中間導電
層１１を形成して、該中間導電層１１に共通コンデンサ
電極３ａと対向する部位に、入出力用コンデンサＣ1，
共振用コンデンサＣ3 の他側コンデンサ電極１２ａ，１
３ａを夫々設け、共通コンデンサ電極３ｂと対向する部
位に、入出力用コンデンサＣ2 ，共振用コンデンサＣ4
の他側コンデンサ電極１２ｂ，１３ｂを夫々設け、さら
に中間導電層１１上に絶縁層２０を設けて、該絶縁層２
０上に、上部導電層２１を形成し、 この上部導電層２１に、接地電極２６と、該接地電極２
６から延出する二つのインダクタＬ1 ，Ｌ2 と、前記入
出力用コンデンサＣ1 ，Ｃ2 の他側コンデンサ電極１２
ａ，１２ｂと夫々接続する入出力電極２２ａ，２２ｂと
を夫々設けると共に、 インダクタＬ1 ，Ｌ2 の中心を、下部導電層２の共通コ
ンデンサ電極３ａ，３ｂに夫々接続し、さらに接地電極
層２６を、下部導電層２の他側コンデンサ電極１３ａ，
１３ｂに夫々接続したことを特徴とする請求項１または
請求項２記載のＬＣバンドパスフィルタ。3. A lower conductive layer 2 is formed on the surface of an insulating substrate 1, and two lower common capacitor electrodes 3 are formed on the lower conductive layer 2.
a, 3b are arranged side by side, and a dielectric thin film layer 1 is formed on the lower conductive layer 2.
0, an intermediate conductive layer 11 is further formed on the dielectric thin film layer 10, and an input / output capacitor C 1 ,
Other side capacitor electrode 12a of the resonance capacitor C 3, 1
3a are provided respectively, and an input / output capacitor C 2 and a resonance capacitor C 4 are provided at portions facing the common capacitor electrode 3b.
, And an insulating layer 20 is provided on the intermediate conductive layer 11.
On the upper conductive layer 21, a ground electrode 26 and the ground electrode 2 are formed.
And two inductors L 1, L 2 extending from 6, the other side capacitor electrodes 12 of the input capacitor C 1, C 2
a, 12b and respectively connected to input and output electrodes 22a, with a 22b respectively provided, an inductor L 1, the center of L 2, the common capacitor electrode 3a of the lower conductive layer 2, and respectively connected to 3b, further ground electrode layer 26 Are connected to the other capacitor electrodes 13a, 13a,
The LC bandpass filter according to claim 1 or 2, wherein the LC bandpass filter is connected to each of the LC bandpass filters.
上に他側コンデンサ電極５３を形成し、また、他側コン
デンサ電極５３上に形成した誘電体薄膜層５０上に、二
つの共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂを並設氏、この
誘電体薄膜層５０を介して、共通コンデンサ電極４３
ａ，４３ｂが他側コンデンサ電極５３と対向することに
より、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 が構成すると共に、 また、誘電体薄膜層５０上に形成された絶縁層６０上に
上部導電層６１を形成し、該上部導電層６１には、共通
コンデンサ電極４３ａと対向する部位に、該共通コンデ
ンサ電極４３ａとで絶縁層６０を介して入出力用コンデ
ンサＣ1 を構成する他側コンデンサ電極となる入出力電
極６２ａを、同じく前記共通コンデンサ電極４３ｂと対
向する部位に、該共通コンデンサ電極４３ｂとで絶縁層
６０を介して入出力用コンデンサＣ2 を構成する他側コ
ンデンサ電極となる入出力電極６２ｂを夫々形成し、ま
た、上部導電層６１には、接地電極６６ａ，６６ｂを形
成して、この接地電極６６ａ，６６ｂに、インダクタＬ
1 ，Ｌ2 を延成し、 さらにこのインダクタＬ1 ，Ｌ2 の先端を、厚さ方向に
形成した形成した導通路７０を介して、誘電体薄膜層５
０上の共通コンデンサ電極４３ａ，４３ｂに接続し、さ
らに接地電極６６ａ，６６ｂを、厚さ方向に形成した導
通路７１を介して、共振用コンデンサＣ3 ，Ｃ4 の他側
コンデンサ電極５３に接続することにより構成したこと
を特徴とするＬＣバンドパスフィルタ。4. A lowermost insulating substrate 41 having a multilayer structure.
On the other-side capacitor electrode 53, two common capacitor electrodes 43a and 43b are juxtaposed on the dielectric thin-film layer 50 formed on the other-side capacitor electrode 53. Via the common capacitor electrode 43
The resonance capacitors C 3 and C 4 are formed by a and 43 b facing the other-side capacitor electrode 53, and the upper conductive layer 61 is formed on the insulating layer 60 formed on the dielectric thin film layer 50. In the upper conductive layer 61, a portion facing the common capacitor electrode 43 a is provided with the common capacitor electrode 43 a via the insulating layer 60 as an input capacitor serving as the other-side capacitor electrode constituting the input / output capacitor C 1. the output electrodes 62a, the site also facing the common capacitor electrode 43b, the input and output electrodes 62b to be the other side capacitor electrode constituting the output capacitor C 2 through the insulating layer 60 between the common capacitor electrode 43b And ground electrodes 66a and 66b are formed on the upper conductive layer 61, and the ground electrodes 66a and 66b are connected to the inductor L
1 , L 2, and the ends of the inductors L 1 , L 2 are connected to the dielectric thin film layer 5 through conductive paths 70 formed in the thickness direction.
0, and the ground electrodes 66a, 66b are connected to the other-side capacitor electrodes 53 of the resonance capacitors C 3 , C 4 via conductive paths 71 formed in the thickness direction. An LC bandpass filter characterized by comprising:
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248646A JPH1075145A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Lc band-pass filter |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8248646A JPH1075145A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Lc band-pass filter |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1075145A true JPH1075145A (en) | 1998-03-17 |
Family
ID=17181223
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8248646A Pending JPH1075145A (en) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | Lc band-pass filter |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1075145A (en) |
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