JP2001185972A - Laminated filter - Google Patents

Laminated filter

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JP2001185972A
JP2001185972A JP37174999A JP37174999A JP2001185972A JP 2001185972 A JP2001185972 A JP 2001185972A JP 37174999 A JP37174999 A JP 37174999A JP 37174999 A JP37174999 A JP 37174999A JP 2001185972 A JP2001185972 A JP 2001185972A
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Japan
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resonance
coupling
capacitance
inductive
patterns
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Motoo Nakagawa
元雄 中川
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Original Assignee
Kyocera Corp
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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a laminated filter which can effectively suppress fluctuation of filter characteristics such as a degree of coupling even if a positional shift is caused. SOLUTION: On a laminate substrate formed by laminating dielectric layers, a 1st resonance pattern composed of a capacitive part 5 and an inductive part 3 constituting a 1st resonance circuit and a 2nd resonance pattern composed of a capacitive part 6 and an inductive part 4 constituting a 2nd resonance circuit are arranged; and capacitive coupling is obtained by making the capacitive parts 5 and 6 of both the resonance patterns correspond to each other along the thickness across the dielectric layers and inductive coupling is obtained by arranging parts of the inductive parts 33 and 43 of the resonance patterns 3 and 4 closely to each other, thus obtaining a laminated filter. The inductive coupling part Y of both the resonance patterns is formed on the inductive parts 3 and 4 extending in the same direction as the direction of variation of the capacitive coupling by the capacitive parts 5 and 6.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、誘電体層を積層し
て成る積層体基板に、2つの共振パターンを配置して成
るバンドパス型の積層フィルタに関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a band-pass type laminated filter in which two resonance patterns are arranged on a laminated substrate formed by laminating dielectric layers.

【0002】[0002]

【従来の技術】従来より、バンドパスフィルタは、RF
モジュール用回路基板に使用されたり、携帯通信用電話
機等の高周波無線部に使用されたり、デュプレクサ等に
使用されている。
2. Description of the Related Art Conventionally, a band-pass filter has been used for RF.
It is used for circuit boards for modules, used for high-frequency radio units such as mobile communication phones, and used for duplexers and the like.

【0003】このようなバンドパスフィルタは、所望の
周波数帯域の信号のみ通過させるものであり、等価回路
では図7(a)に示す構造となっていた。
Such a band-pass filter passes only a signal in a desired frequency band, and has a structure shown in FIG. 7A in an equivalent circuit.

【0004】即ち、等価的なインダクタンス成分L1
1、L12、容量成分C11、C12が並列的に接続さ
れた例えば2つ共振回路R11、R12を配置して、そ
の両者を結合していた。この結合を単にMと記す。
That is, the equivalent inductance component L1
For example, two resonance circuits R11 and R12 in which 1, L12 and capacitance components C11 and C12 are connected in parallel are arranged, and both are coupled. This bond is simply referred to as M.

【0005】具体的な結合の構造は、図7(b)に示す
ように、2つの共振回路R11、R12を容量成分C3
1で結合する容量結合型と、図7(c)に示すように、
2つの共振回路R11、R12をコイルなどのインダク
タンス成分L31で結合する誘導結合型とが知られてい
る。
As shown in FIG. 7B, a specific coupling structure is such that two resonance circuits R11 and R12 are connected to a capacitance component C3.
As shown in FIG. 7 (c),
An inductive coupling type in which two resonance circuits R11 and R12 are coupled by an inductance component L31 such as a coil is known.

【0006】また、近年、電子部品の小型化に伴い、バ
ンドパスフィルタを形成する共振器を、誘電体層が複数
積層されて成る積層体に、内装されたストリップライン
(共振パターン)で構成していた。そして、カットオフ
周波数が高周波化(1GHz以下に減衰極を形成するフ
ィルタ)する現状においては、図8に示すような等価回
路が知られていた。
In recent years, with the miniaturization of electronic components, a resonator forming a band-pass filter has been constituted by a strip line (resonance pattern) embedded in a laminate formed by laminating a plurality of dielectric layers. I was Under the current situation where the cutoff frequency is increased (a filter that forms an attenuation pole below 1 GHz), an equivalent circuit as shown in FIG. 8 has been known.

【0007】そして、これらのストリップ線路では、分
布定数的に容量部成分とインダクタンス成分とを有し、
これにより、等価的にL−C共振回路R21、R22を
構成される。そして、この2つのストリップ線路を容量
結合または誘導結合させて、フィルタとしていた。この
容量結合の容量成分をC32、誘導結合するインダクタ
ンス成分をL32と示す。
[0007] These strip lines have a capacitance component and an inductance component in a distributed constant manner.
Thereby, the LC resonance circuits R21 and R22 are equivalently configured. Then, the two strip lines are capacitively or inductively coupled to form a filter. The capacitance component of the capacitive coupling is denoted by C32, and the inductance component of the inductive coupling is denoted by L32.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
積層体基板内に、内装の共振パターンであるストリップ
線路を形成する場合には、積層体基板となる誘電体層の
グリーンシートに、ビアホール導体となる貫通孔を形成
し、この貫通孔に、導電性ペーストを充填するととも
に、誘電体グリーンシート上に導電性ペーストの印刷に
より所定導体パターンを形成する。また、同時にグラン
ド電位となる導体パターンを形成する。
However, when a strip line as an internal resonance pattern is formed in the above-mentioned laminated substrate, a via hole conductor and a green sheet of a dielectric layer serving as the laminated substrate are provided. Then, a conductive paste is filled in the through hole, and a predetermined conductive pattern is formed on the dielectric green sheet by printing the conductive paste. At the same time, a conductor pattern which becomes the ground potential is formed.

【0009】このような導体パターンを形成した誘電体
グリーンシートは、積層体基板の積層順を考慮して、積
層一体化する。その後、誘電体グリーンシート、各誘電
体層に配置される導体パターン、グランド電位のパター
ンを一体的に焼結処理する。
The dielectric green sheets on which such conductor patterns are formed are laminated and integrated in consideration of the lamination order of the laminated substrates. After that, the dielectric green sheet, the conductor pattern disposed on each dielectric layer, and the ground potential pattern are integrally sintered.

【0010】このような形成工程では、導体パターンの
印刷ずれ、誘電体グリーンシートの積層ズレなどが発生
してしまう。実際には、約50μmの範囲で位置ズレが
発生する。
[0010] In such a forming step, printing misregistration of the conductor pattern, lamination displacement of the dielectric green sheet, and the like occur. Actually, a position shift occurs in a range of about 50 μm.

【0011】このように位置ずれが発生すると、両共振
回路間の結合度が変動してしまう。
[0011] When such a displacement occurs, the degree of coupling between the two resonance circuits fluctuates.

【0012】例えば、図7(b)に示す容量結合形の通
過帯域が1〜数GHzのバンドパスフィルタにおいて、
結合容量成分C31が1〜数pF、誘電体層の一層あた
りの厚みを50μmとした場合、その容量結合C31を
達成するストリップ線路の対向する対向面積が500μ
m 角(一辺が500μm)程度となり、平面内で−50
〜50μmの位置ズレが発生することにより、その結合
容量成分C31が約40%も増減する。
For example, in a capacitively-coupled band-pass filter having a pass band of 1 to several GHz shown in FIG.
When the coupling capacitance component C31 is 1 to several pF and the thickness of one dielectric layer is 50 μm, the facing area of the strip line that achieves the capacitive coupling C31 is 500 μm.
m square (one side is 500 μm), and -50 in a plane
Due to the displacement of about 50 μm, the coupling capacitance component C31 increases or decreases by about 40%.

【0013】この結合容量C31の変化により、通過帯
域のマッチング劣化や、通過帯域の変化などが生じ、バ
ンドパスフィルタの特性が劣化する。
Due to the change of the coupling capacitance C31, the matching of the pass band is deteriorated, the pass band is changed, and the like, and the characteristics of the band pass filter are deteriorated.

【0014】また図7(c)に示す誘導結合形の場合、
平面内にて−50〜+50μm程度の位置ズレが生じた
場合、誘電体層間に形成されたストリップ線路の長さは
−200〜200μm変化する。
In the case of the inductive coupling type shown in FIG.
When a position shift of about −50 to +50 μm occurs in the plane, the length of the strip line formed between the dielectric layers changes by −200 to 200 μm.

【0015】そして、比誘電率が10、グランド電位と
ストリップ線路との距離が400μmの場合、そのイン
ダクタンス成分の変化は0.5〜1.0nHとなり、誘
導結合のインダクタンス成分が2.0nHの場合、30
〜50%の変動となる。その結果、容量結合の場合と同
様に通過帯域のマッチング劣化や通過帯域の変化などバ
ンドパスフィルタの特性が劣化する。
When the relative dielectric constant is 10, the distance between the ground potential and the strip line is 400 μm, the inductance component changes from 0.5 to 1.0 nH, and when the inductive coupling inductance component is 2.0 nH. , 30
変 動 50% variation. As a result, similar to the case of the capacitive coupling, the characteristics of the band-pass filter such as the deterioration of the matching of the pass band and the change of the pass band deteriorate.

【0016】このような特性の不安定化を防止するため
に、例えば図8に示すに2つの等価共振回路の結合構造
を、結合容量成分C32と誘導結合のインダクタンス成
分L32との並列回路結合することが考えられる。そし
て、積層体基板内のストリップ線路の一部で容量結合さ
せ、同時に誘導結合を達成させる。
In order to prevent such instability of the characteristics, for example, a coupling structure of two equivalent resonance circuits as shown in FIG. 8 is connected in parallel with a coupling capacitance component C32 and an inductive coupling inductance component L32. It is possible. Then, capacitive coupling is performed at a part of the strip line in the laminate substrate, and at the same time, inductive coupling is achieved.

【0017】このような構造では、誘導結合のインダク
タンス成分L32が小さくなってしまう。これを回避す
るために、誘導結合する部位を大きくする必要がある。
これにより、ストリップ線路の長さを長くしなければな
らなかった。
In such a structure, the inductance component L32 of the inductive coupling becomes small. In order to avoid this, it is necessary to enlarge the site for inductive binding.
As a result, the length of the strip line had to be increased.

【0018】これより、積層体基板の形状が大きくなっ
てしまうという問題があった。
As a result, there is a problem that the shape of the laminated substrate becomes large.

【0019】この図7に示す等価回路を、Y−Δ変換す
ると図3のようになる。この場合、2つの共振回路R
1、R2の結合は、容量結合Cが主となり、さらに、両
共振回路R1、R2のインダクタンス成分L1、L2と
グランド電位との間に、共通的なインダクタンス成分L
を形成する必要がある。
FIG. 3 shows the equivalent circuit shown in FIG. 7 converted by Y-Δ conversion. In this case, two resonance circuits R
1 and R2 are mainly capacitive coupling C, and a common inductance component L between the inductance components L1 and L2 of the two resonance circuits R1 and R2 and the ground potential.
Need to be formed.

【0020】しかしも、図3の等価回路で示す積層フィ
ルタであっても、図7(b)(c)で説明した位置ずれ
による結合度の変動は解消されなかった。
However, even with the multilayer filter shown in the equivalent circuit of FIG. 3, the change in the coupling degree due to the displacement described in FIGS. 7B and 7C was not eliminated.

【0021】本発明は上述の問題点に鑑みて案出された
ものであり、2つの等価的な共振回路の結合を、容量結
合及び誘導結合させるとともに、位置ずれが発生して
も、結合度の変動を有効に抑えることができるフィルタ
特性の変動を有効に抑えられる積層フィルタを提供する
ことにある。
The present invention has been devised in view of the above-described problems. The coupling between two equivalent resonance circuits is capacitively coupled and inductively coupled, and even when a positional shift occurs, the degree of coupling is reduced. It is an object of the present invention to provide a multilayer filter capable of effectively suppressing the fluctuation of the filter characteristic which can effectively suppress the fluctuation of the filter characteristic.

【0022】また、別の目的は、ストリップ線路である
共振パターンの長さを極小化でき、小型化が可能な積層
フィルタを提供することにある。
It is another object of the present invention to provide a multilayer filter which can minimize the length of a resonance pattern which is a strip line and can reduce the size.

【0023】[0023]

【課題を解決するための手段】第1の発明は、複数の誘
電体層を積層して成る積層体基板に、第1の共振回路を
構成する容量部とインダクタ部とから成る第1 の共振パ
ターンと、第2の共振回路を構成する容量部とインダク
タ部とから成る第2 の共振パターンとを配置するととも
に、両共振パターンの容量部を誘電体層を介して厚み方
向に対向させて容量結合を、両共振パターンのインダク
タ部の一部を近接配置して誘導結合を達成して成る積層
フィルタにおいて、前記両共振パターンの誘導結合部の
結合度、即ち、誘導結合部のインダクタンス成分は、前
記両共振パターンの容量結合の結合度、即ち、容量結合
部の容量成分とに反比例して変動する積層フィルタであ
る。即ち、前記両共振パターンの誘導結合部分は、前記
両共振パターンの容量部による容量結合が変動する方向
と同一方向に延びるインダクタ部上に存在している。
According to a first aspect of the present invention, a first resonance circuit comprising a capacitor portion and an inductor portion constituting a first resonance circuit is provided on a laminated substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers. A pattern and a second resonance pattern composed of a capacitance part and an inductor part constituting a second resonance circuit are arranged, and the capacitance parts of both resonance patterns are opposed to each other in the thickness direction via a dielectric layer. Coupling, in a multilayer filter that achieves inductive coupling by arranging a part of the inductor portion of both resonance patterns close to each other, the degree of coupling of the inductive coupling portion of both resonance patterns, that is, the inductance component of the inductive coupling portion is: This is a multilayer filter that varies in inverse proportion to the degree of coupling of the capacitive coupling between the two resonance patterns, that is, the capacitance component of the capacitive coupling section. That is, the inductively coupled portions of the two resonance patterns are present on the inductor portion extending in the same direction as the direction in which the capacitive coupling of the capacitance portions of the two resonance patterns fluctuates.

【0024】また、第2の発明は、前記両共振パターン
のインダクス部の先端部は、互いに接続されるととも
に、且つ誘電体層を貫くビアホール導体から構成される
接続手段によってグランド電位に接続している積層フィ
ルタである。
According to a second aspect of the present invention, the tip portions of the inductance portions of the two resonance patterns are connected to each other and connected to a ground potential by connection means comprising a via-hole conductor penetrating the dielectric layer. This is a laminated filter.

【0025】[0025]

【作用】本発明の積層フィルタでは、共振パターンは、
容量部とインダクタ部(ストリップ線路)とから構成さ
れ、夫々異なる誘電体層間に配置されている。
In the multilayer filter of the present invention, the resonance pattern is
It is composed of a capacitance section and an inductor section (strip line), and is arranged between different dielectric layers.

【0026】そして、共振パターンの一部、例えば一方
端部側には容量部が配置され、この2つの共振パターン
の容量部が誘電体層を介して互いに対向することにより
2つの共振回路が容量結合する。
A capacitance portion is disposed at a part of the resonance pattern, for example, at one end, and the capacitance portions of the two resonance patterns are opposed to each other via a dielectric layer, so that the two resonance circuits are connected to each other. Join.

【0027】また、共振パターンのストリップ線路の一
部、例えば、他方端部側には、互いのインダクタ部が近
接しあって、互いに誘導結合し、2つの共振回路が誘導
結合する。この誘導接合される部分を誘導結合部とい
う。
Further, on a part of the strip line of the resonance pattern, for example, on the other end side, the inductor portions are close to each other, inductively coupled to each other, and two resonant circuits are inductively coupled. This part to be inductively joined is called an inductive coupling part.

【0028】しかも、一方のストリップ線路の誘導結合
部は、容量部の位置ずれによる結合容量の容量成分が変
動する方向と同一方向に延びるとともに、一方のストリ
ップ線路の誘導結合部は、他方のストリップ線路側にま
で延出している。
Further, the inductive coupling part of one strip line extends in the same direction as the direction in which the capacitance component of the coupling capacitance fluctuates due to displacement of the capacitance part, and the inductive coupling part of one strip line is connected to the other strip. It extends to the track side.

【0029】例えば、2つのストリップ線路が相対的に
互いに離れるような位置ずれが発生した場合、両容量部
の対向領域は減少する。しかし、逆に誘導結合部は、一
方のストリップ線路の誘導結合部分が、他方のストリッ
プ線路側にまで延在しているため、両者が相対的に離れ
るような位置ずれが発生すると、この誘導結合部の長さ
が増加する。
For example, when a displacement occurs such that the two strip lines are relatively separated from each other, the facing region between the two capacitance portions decreases. However, conversely, since the inductive coupling portion of one strip line extends to the other strip line side, if a positional displacement occurs in which the two are relatively separated, this inductive coupling portion The length of the part increases.

【0030】これより、容量結合成分が減少しても、逆
に誘導結合部分が増加して、結合度全体の変動を有効に
抑えることができる。
As a result, even if the capacitive coupling component decreases, the inductive coupling portion increases, and the variation in the overall coupling degree can be effectively suppressed.

【0031】逆に、2つのストリップ線路が相対的に互
いに近づくような位置ずれが発生した場合、両容量部の
対向部分が増加する傾向を示すものの、逆に2つのスト
リップ線路の近似しあう誘導結合部の長さが短くなり、
誘導結合部が減少する傾向となる。これによって、結合
度全体の変動を有効に抑えることができる。
Conversely, when a displacement occurs such that the two strip lines are relatively close to each other, the opposing portions of the two capacitance portions tend to increase, but conversely, the two strip lines have similar induction. The joint length is shortened,
Inductive coupling tends to decrease. As a result, it is possible to effectively suppress the variation of the entire coupling degree.

【0032】また、2つのインダクタ部の他端が互いに
接続され、ビアホール導体などの接続手段によって、グ
ランド電位に接続される。従って、ビアホール導体など
の接続手段によって、2つの共振回路のインダクタンス
成分とグランド電位との間に共通のインダクタンス成分
を形成することができる。
The other ends of the two inductors are connected to each other, and are connected to the ground potential by connection means such as via-hole conductors. Therefore, a common inductance component can be formed between the inductance component of the two resonance circuits and the ground potential by a connection means such as a via-hole conductor.

【0033】これにより、容量結合と誘導結合を同時に
行う図3に示す等価回路のフィルタのインダクタンス成
分Lを容易に形成することができ、結果として、図8の
誘導結合部L32を大きぐする必要なく、2つの共振回
路の充分な結合を得ることができる。即ち、スリップ線
路の大型化を避けることができ、積層フィルタ全体の小
型化に寄与できる。
Thus, it is possible to easily form the inductance component L of the filter of the equivalent circuit shown in FIG. 3 which simultaneously performs the capacitive coupling and the inductive coupling. As a result, it is necessary to increase the size of the inductive coupling portion L32 in FIG. Therefore, a sufficient coupling between the two resonance circuits can be obtained. That is, it is possible to avoid an increase in the size of the slip line and to contribute to a reduction in the size of the entire multilayer filter.

【0034】尚、本発明において、図3の等価回路図で
説明すると、2つのインダクタ成分L1、L2は、実質
的に共振パターンのインダクタ部(ストリップ線路)で
主に構成され、共通的に接続されたインダクタンス成分
Lは、上述のストリップ線路のインダクタンス成分、誘
導結合部のインダクタンス成分及びビアホール導体など
の接続手段のインダクタンス成分とで構成される。その
実際には、ストリップ線路のインダクタンス成分は、あ
る比率でもってインダクタンス成分L1、L2、Lに分
配されることになり、構造と等価回路は一対一に対応し
ない。
In the present invention, the description will be made with reference to the equivalent circuit diagram of FIG. 3. The two inductor components L1 and L2 are mainly constituted by an inductor portion (strip line) substantially having a resonance pattern, and are commonly connected. The obtained inductance component L is composed of the above-described inductance component of the strip line, the inductance component of the inductive coupling portion, and the inductance component of the connection means such as the via-hole conductor. In practice, the inductance component of the strip line is distributed to the inductance components L1, L2, L at a certain ratio, and the structure and the equivalent circuit do not correspond one-to-one.

【0035】以上、本発明の積層フィルタを形成するに
あたり、位置ずれによる結合容量の容量成分の変動と、
誘導結合におけるインダクタンス成分の変動とが互いに
キャンセルできるため、有効に抑えることができる。
As described above, in forming the multilayer filter of the present invention, the change in the capacitance component of the coupling capacitance due to the displacement is as follows:
Since the fluctuation of the inductance component in the inductive coupling can be canceled each other, it can be effectively suppressed.

【0036】同時に、図8に示す誘導結合の大型化につ
いては、本発明において、2つのストリップ線路の他方
側の先端部を、ビアホール導体などの接続手段によるイ
ンダクタンス成分Lを付加することで有効に抑え、スト
リップ線路の小型化が可能となる。
At the same time, the increase in the size of the inductive coupling shown in FIG. 8 can be effectively achieved by adding an inductance component L by means of connection means such as a via-hole conductor to the other end of the two strip lines in the present invention. Thus, the size of the strip line can be reduced.

【0037】[0037]

【発明の実施の形態】本発明の積層フィルタを図面に基
づいて詳説する。
DETAILED DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS A laminated filter according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

【0038】図1は、本発明の積層フィルタの導体膜を
中心に示した分解斜視図である。図2は、本発明の積層
フィルタの上面側みた時の導体膜の関係を示す図であ
り、図3は本発明の積層フィルタの等価回路図である。
FIG. 1 is an exploded perspective view mainly showing a conductor film of a multilayer filter of the present invention. FIG. 2 is a diagram showing the relationship of the conductive films when viewed from the upper surface side of the multilayer filter of the present invention, and FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the multilayer filter of the present invention.

【0039】本発明は、積層体基板は、例えば7層の誘
電体層が積層して構成されている。
According to the present invention, the laminated substrate is constituted by laminating, for example, seven dielectric layers.

【0040】この積層体基板内には、2つの等価的なL
C共振回路を形成する各種導体パターン1〜9及びこの
共振導体パータン1〜9を上面側と裏面側とから挟持す
るように配置された平板状のグランド導体層10、11
とから構成されている。
In this laminate substrate, two equivalent L
Various conductor patterns 1 to 9 forming a C resonance circuit, and flat ground conductor layers 10 and 11 arranged to sandwich the resonance conductor patterns 1 to 9 from the upper surface side and the rear surface side.
It is composed of

【0041】誘電体層は、誘電体材料としては、内蔵さ
れる各種導体パターンのうち、ストリップ線路3、4を
インピーダンスが50Ω近くに実現でき、且つ共振パタ
ーンであるストリップ線路3、4の小型化及び高性能化
が図れるように、比誘電率が10〜20のものでQ値が
高く、τfが0に近い材料が選択される。
As the dielectric layer, as the dielectric material, the strip lines 3 and 4 can be realized with an impedance close to 50Ω among various built-in conductor patterns and the strip lines 3 and 4 which are resonance patterns can be miniaturized. In order to achieve higher performance and higher performance, a material having a relative dielectric constant of 10 to 20 and having a high Q value and a τf close to 0 is selected.

【0042】例えば、aMgO・bCaO・cTiO2
(25≦a≦35、0.3≦b≦7、60≦c≦70、
a+b+c=100重量比)に、ホウ素含有化合物をB
2 3 換算で3〜20重量部、リチウム含有化合物をL
2 3 換算で1〜10重量部添加した誘電体材料が例
示できる。尚、誘電体層とする焼成処理温度は、900
〜1000℃程度の低温焼成される材料となる。
For example, aMgO.bCaO.cTiO 2
(25 ≦ a ≦ 35, 0.3 ≦ b ≦ 7, 60 ≦ c ≦ 70,
a + b + c = 100 weight ratio)
3 to 20 parts by weight in terms of 2 O 3 , lithium-containing compound is L
Examples of the dielectric material include 1 to 10 parts by weight in terms of i 2 O 3 . The firing temperature for forming the dielectric layer is 900
The material is fired at a low temperature of about 1000 ° C.

【0043】また、積層体基板の内部には形成される共
振パターン(容量部、ストリップ線路)を含む各種導体
パターンは、導体損失を悪化させないために、銅、銀、
金などの低抵抗の導体を用いて形成されている。しか
も、積層体基板と同時焼成を形成されるので効率的に製
造できる。
Various conductor patterns including a resonance pattern (capacitance portion, strip line) formed inside the multilayer substrate are made of copper, silver, or copper, so as not to deteriorate the conductor loss.
It is formed using a low-resistance conductor such as gold. Moreover, since the co-firing with the laminated substrate is formed, it can be manufactured efficiently.

【0044】この積層体基板の各誘電体層の層間におい
て、第1層目と第2層との間に、平板状の上面側のグラ
ンド導体層10が配置されている。
A ground conductor layer 10 on the upper surface of a flat plate is disposed between the first layer and the second layer between the dielectric layers of the laminated substrate.

【0045】また、第2層目と第3層との間に、上面側
の入出力電極パターン1、2が形成されている。
The input / output electrode patterns 1 and 2 on the upper surface are formed between the second layer and the third layer.

【0046】また、第3層目と第4層との間に、第1の
共振パターンである容量部5及びインダクタ部(ストリ
ップ線路)3が形成されている。尚、ストリップ線路3
は、その導体幅が狭くなっており、実質的に共振回路R
1のインダクタンス成分L1を主に構成することにな
る。例えば、図1では、積層構造の左側領域に偏って、
図2では下側に位置するように形成されている。
Further, a capacitance portion 5 and an inductor portion (strip line) 3 as a first resonance pattern are formed between the third layer and the fourth layer. In addition, strip line 3
Has a narrow conductor width and substantially has a resonance circuit R
1 mainly constitutes the inductance component L1. For example, in FIG.
In FIG. 2, it is formed so as to be located on the lower side.

【0047】また、第4層目と第5層との間に、第2の
共振パターンである容量部6及びインダクタ部(ストリ
ップ線路)4が形成されている。尚、ストリップ線路4
は、実質的に共振回路R2のインダクタンス成分L2を
主に構成することになる。例えば、図1では、積層構造
の右側領域に偏って、図2では上側に位置するように形
成されている。
Further, between the fourth layer and the fifth layer, a capacitor section 6 and an inductor section (strip line) 4 as a second resonance pattern are formed. In addition, strip line 4
Substantially constitutes the inductance component L2 of the resonance circuit R2. For example, in FIG. 1, it is formed so as to be located on the upper side in FIG.

【0048】第5層目と第6層との間に、入出力電極パ
ターン1、2と接続する下側の入出力電極パターン7、
8及びグランド側引回しパターン9が形成されている。
Between the fifth layer and the sixth layer, the lower input / output electrode pattern 7, which is connected to the input / output electrode patterns 1 and 2,
8 and a ground-side routing pattern 9 are formed.

【0049】第6層と第7層との間には、下側の平板状
の第2のグランド導体層11が形成されている。
A lower flat second ground conductor layer 11 is formed between the sixth and seventh layers.

【0050】ここで、共振パターンを説明すると、本実
施例では、ストリップ線路3、4の形状において導体幅
が狭いこと、グランド電位とから離れていることから、
実質的にインダクタ部と見なすことができる。尚、その
形状やグランド電位との関係から、分布状定数的にイン
ダクタンス成分及び容量成分を同時に達成する場合があ
る。
Here, the resonance pattern will be described. In this embodiment, since the conductor width is narrow in the shape of the strip lines 3 and 4 and the conductor is separated from the ground potential,
It can be substantially regarded as an inductor part. It should be noted that the inductance component and the capacitance component may be simultaneously achieved in a distributed manner from the relationship between the shape and the ground potential.

【0051】図1に示す第1の共振パターンは、容量部
5とストリップ線路(インダクタ部)3とから構成され
ている。また、第2の共振パターンは、容量部6とイン
ダクタ部4とから構成されている。
The first resonance pattern shown in FIG. 1 includes a capacitance section 5 and a strip line (inductor section) 3. Further, the second resonance pattern includes the capacitance section 6 and the inductor section 4.

【0052】そして、ストリップ線路3、4は、全体と
してC字状となっており、平面的に両ストリップ線路
3、4が互いに開口するように配置されている。
The strip lines 3 and 4 have a C-shape as a whole, and are arranged so that the two strip lines 3 and 4 are open to each other in a plane.

【0053】第1の共振パターンは、その他端部側から
実質的に矩形状の容量部5と、ストリップ線路3のパタ
ーンに沿って、接続部31、直線状の第1のインダクタ
部32、該第1のストリップ線路32から折り曲げられ
て、且つ他方のストリップ線路4側に延びる直線状の第
2のインダクタ部33、第2のインダクタ部33から容
量部5側に折り曲げられて延びる直線状の第3のインダ
クタ部34及びビアホール導体ランド部35を有してい
る。
The first resonance pattern includes a substantially rectangular capacitor portion 5 from the other end side, a connecting portion 31 and a linear first inductor portion 32 along the pattern of the strip line 3, A second linear inductor section 33 bent from the first strip line 32 and extending to the other strip line 4 side, and a linear second inductor section bent from the second inductor section 33 to the capacitor section 5 side. 3 and a via-hole conductor land 35.

【0054】また、第2の共振パターンは、その他端部
側から実質的に矩形状の容量部6と、ストリップ線路4
のパターンに沿って、接続部41、直線状の第1のイン
ダクタ部42、該第1のストリップ線路42から折り曲
げられて、且つ一方のストリップ線路3側に延びる直線
状の第2のインダクタ部43、第2のインダクタ部43
から容量部6側に折り曲げられて延びる直線状の第3の
インダクタ部44及びビアホール導体ランド部45を有
している。
The second resonance pattern includes a substantially rectangular capacitor 6 and a strip line 4 from the other end.
Connection portion 41, a linear first inductor portion 42, and a linear second inductor portion 43 bent from the first strip line 42 and extending toward one of the strip lines 3 according to the following pattern. , The second inductor section 43
And a third linear inductor portion 44 and a via-hole conductor land portion 45 which are bent and extended to the side of the capacitor portion 6.

【0055】このように2つのストリップ線路3、4
は、第4層目の誘電体層を介して対向しているととも
に、両ストリップ線路3、4のビアホール導体ランド部
35、45が、第4層の誘電体層を貫くビアホール導体
7(ビアホール導体7は、第4層の他、第5層を貫く)
によって接続されている。
As described above, the two strip lines 3, 4
Are opposed to each other via the fourth dielectric layer, and the via-hole conductor lands 35 and 45 of the strip lines 3 and 4 are connected to the via-hole conductor 7 (via-hole conductor) penetrating the fourth dielectric layer. 7 penetrates the fifth layer in addition to the fourth layer)
Connected by

【0056】即ち、両者の容量部5、6の重なり部分
(図2の斜線領域Xで示す)で、両共振回路の容量結合
成分Cを主に形成する(容量結合部をXと記す)。
That is, the capacitive coupling component C of the two resonance circuits is mainly formed at the overlapping portion (indicated by the hatched area X in FIG. 2) of the capacitance portions 5 and 6 (the capacitance coupling portion is denoted by X).

【0057】この実質的に矩形状の容量部5の形状と容
量部6の形状において、一方方向、例えば図2における
左右方向は、容量部6の形状が容量部5に比較して一回
り大きな形状となっいる。その差異は、例えば通常、積
層形成工程で50μm程度の位置ずれが発生するが、一
方方向、図2において、紙面の左右方向で、50μmの
位置ずれを許容するように、容量部6の形状が大きくな
っている。
In the shape of the substantially rectangular capacitor portion 5 and the shape of the capacitor portion 6, the shape of the capacitor portion 6 is slightly larger in one direction, for example, in the left-right direction in FIG. It has a shape. The difference is, for example, generally, a displacement of about 50 μm occurs in the lamination forming step, but the shape of the capacitance portion 6 is adjusted in one direction, that is, in FIG. It is getting bigger.

【0058】また、他方方向、図2の紙面上下方向は実
質的に同一寸法となっている。これより、一方方向でき
る位置ずれが発生しても、この結合容量成分は変動しな
いものの、他方方法に位置ずれが発生した場合、容量部
5、6との対向面積が増減して、容量接合成分Cが変動
することになる。
The other direction, that is, the vertical direction in FIG. 2, has substantially the same dimensions. Thus, even if a displacement in one direction occurs, the coupling capacitance component does not fluctuate, but if a displacement occurs in the other method, the area facing the capacitance portions 5 and 6 increases and decreases, and the capacitance junction component increases. C will fluctuate.

【0059】また、ストリップ線路3、4の第2のイン
ダクタ部33、43は、第4の誘電体層を介して互いに
近接、または対向(図2の斜線Yで示す)される。これ
により、両者のインダクタ部33、43の一部は誘導結
合部Yとなる。詳細にはこの誘導結合部Yは、第2のイ
ンダクタ部33、43の一部であって、第3のインダク
タ部34、44との屈曲部の付近となる。
The second inductor portions 33 and 43 of the strip lines 3 and 4 are close to or opposed to each other (shown by oblique lines Y in FIG. 2) via a fourth dielectric layer. Thereby, a part of both inductor parts 33 and 43 becomes an inductive coupling part Y. More specifically, the inductive coupling portion Y is a part of the second inductor portions 33 and 43 and is near a bent portion with the third inductor portions 34 and 44.

【0060】これにより、ストリップ線路3と、ストリ
ップ線路4との誘導結合部Yは、夫々の第2のインダク
タ部33、43が延びる方向に形成されている。この誘
導結合部Yは、容量部5、6の位置ずれによって、結合
容量の容量成分Cが変動方向と同一方向、即ち、図2の
紙面上下方向に延びる位置に形成されている。
Thus, the inductive coupling portion Y between the strip line 3 and the strip line 4 is formed in the direction in which the respective second inductor portions 33 and 43 extend. The inductive coupling portion Y is formed at a position where the capacitance component C of the coupling capacitance extends in the same direction as the fluctuation direction, that is, in the vertical direction on the paper of FIG.

【0061】また、上側の入出力パターン1は上述のス
トリップ線路3の接続部31を介して下側の入出力パタ
ーン7にビアホール導体12を介して接続されている。
また、上側の入出力パターン2は、上述のストリップ線
路4の接続部41を介して、下側の入出力パターン8に
接続されている。
The upper input / output pattern 1 is connected to the lower input / output pattern 7 via the connection portion 31 of the strip line 3 via the via-hole conductor 12.
Further, the upper input / output pattern 2 is connected to the lower input / output pattern 8 via the connection portion 41 of the strip line 4 described above.

【0062】そして、図3の等価回路の第1の共振回路
R1側において、上側の入出力パターン1とグランド電
位の導体層10との間に容量成分が発生し、下側の入出
力パターン7とグランド電位の導体層11との間に容量
成分が発生し、この合成された容量成分C1となる。ま
た、インダクタンス成分L1は、主にストリップ線路3
で構成され、これにより、LC共振回路が構成される。
また、第2の共振回路R2側において、上側の入出力パ
ターン2とグランド電位の導体層10との間に容量成分
が発生し、下側の入出力パターン8とグランド電位の導
体層11との間に容量成分が発生し、この合成された容
量成分C2となる。また、インダクタンス成分L1は、
主にストリップ線路4で構成され、これにより、LC共
振回路が構成される。
Then, on the first resonance circuit R1 side of the equivalent circuit of FIG. 3, a capacitance component is generated between the upper input / output pattern 1 and the conductor layer 10 at the ground potential, and the lower input / output pattern 7 A capacitance component is generated between the ground and the conductor layer 11 at the ground potential, and becomes the synthesized capacitance component C1. Further, the inductance component L1 is mainly due to the strip line 3
, Thereby forming an LC resonance circuit.
Further, on the second resonance circuit R2 side, a capacitance component is generated between the upper input / output pattern 2 and the ground potential conductor layer 10, and the lower input / output pattern 8 and the ground potential conductor layer 11 A capacitance component is generated in between, and becomes the combined capacitance component C2. The inductance component L1 is
It is mainly composed of the strip line 4, whereby an LC resonance circuit is composed.

【0063】そして、上述したように、この2つ共振回
路R1、R2のインダクタンス成分L1、L2は、共通
的なインダクタンス成分Lによってグランド電位に接続
されている。
As described above, the inductance components L1 and L2 of the two resonance circuits R1 and R2 are connected to the ground potential by the common inductance component L.

【0064】尚、図3における等価回路上のインダクタ
ンス成分Lは、ストリップ線路3、4のインダクタンス
成分の一部、ビアホール導体14、15、引回し電極9
の長さに相当するインダクタンス成分、さらに、誘導結
合部Yのインダクタンス成分とで構成される。
The inductance component L on the equivalent circuit in FIG. 3 is a part of the inductance components of the strip lines 3 and 4, the via-hole conductors 14 and 15, and the routing electrode 9.
, And an inductance component of the inductive coupling portion Y.

【0065】以上の構成のように、本発明の積層フィル
タは、2つの共振回路R1、R2が主に結合されてお
り、さらに、誘導結合部Yで誘導結合されている。即
ち、容量結合と誘導結合とが並列的に配置された図8の
等価回路からB−Δ変換を行った図3の等価回路図に示
すようものとなっている。
As described above, in the multilayer filter of the present invention, the two resonance circuits R1 and R2 are mainly coupled, and furthermore, inductively coupled at the inductive coupling portion Y. That is, the equivalent circuit shown in FIG. 3 is obtained by performing B-Δ conversion from the equivalent circuit of FIG. 8 in which the capacitive coupling and the inductive coupling are arranged in parallel.

【0066】これにより、図8のように誘導結合を行う
インダクタンス成分L32が小さくとも、本発明では、
誘導結合を補完するように、ストリップ線路3、4のラ
ンド部35、45とグランド電位に接続するビアホール
導体14を含む接続手段(ビアホール導体14、引回し
パターン9及びビアホール導体15)によって得られる
インダクタンス成分が配置されている。
Thus, even if the inductance component L32 for performing inductive coupling is small as shown in FIG.
Inductance obtained by connection means (via hole conductor, wiring pattern 9 and via hole conductor 15) including land portions 35 and 45 of strip lines 3 and 4 and via hole conductor 14 connected to ground potential so as to complement inductive coupling. The components are arranged.

【0067】このため、ストリップ線路3、4どうしが
誘導結合し、インダクタンス成分が小さくとも、充分な
誘導結合が得られ、同時に、ストリップ線路3、4の大
型化を避けることができる。
Therefore, even if the strip lines 3 and 4 are inductively coupled to each other and the inductance component is small, sufficient inductive coupling can be obtained, and at the same time, the size of the strip lines 3 and 4 can be avoided.

【0068】また、上述の積層フィルタのストリップ線
路3、4の構造の平面的な位置関係において、仮に、一
方の方向、例えば、図2の紙面左右方向に、最大約50
μm程度の位置ずれが発生しても、ストリップ線路3の
容量部5とストリップ線路4の容量部6との寸法差によ
って、その位置ずれを吸収することができる。即ち、容
量結合を行う容量成分Cは変動することはない。同時
に、ストリップ線路3、4の第2のインダクタ部33、
43の一部においては、互いに近接しあう間隔の変化す
るものの、誘導結合部Yのインダクタンス成分の変動は
少ない。
In the above-described planar positional relationship of the structure of the strip lines 3 and 4 of the multilayer filter, if one direction, for example, the left and right direction in FIG.
Even if a displacement of about μm occurs, the displacement can be absorbed by the dimensional difference between the capacitance section 5 of the strip line 3 and the capacitance section 6 of the strip line 4. That is, the capacitance component C that performs capacitive coupling does not change. At the same time, the second inductor portions 33 of the strip lines 3 and 4
In a part of 43, the distance between the adjacent components changes, but the variation of the inductance component of the inductive coupling portion Y is small.

【0069】即ち、このような位置ずれがあっても、実
質的に結合容量の容量成分及び誘導結合するインダクタ
ンス成分が変動しないため、2つの共振回路R1、R2
の結合度が変動せず、安定したフィルタ特性が維持でき
る。
That is, even if there is such a displacement, the capacitance component of the coupling capacitance and the inductance component to be inductively coupled do not substantially change, so that the two resonance circuits R1 and R2
Does not change, and stable filter characteristics can be maintained.

【0070】次に、他方方向、図2の紙面上下方向に位
置ずれが発生した場合について、図4を用いて説明す
る。
Next, a case where a displacement has occurred in the other direction, that is, in the vertical direction of FIG. 2, will be described with reference to FIG.

【0071】例えば、図4(a)は、矢印に示すよう
に、両ストリップ線路3、4が相対的に離れる方向の位
置ずれした状態を示す。
For example, FIG. 4A shows a state in which the strip lines 3, 4 are displaced relative to each other as indicated by arrows.

【0072】この場合、第1の共振パターンの容量部5
と、第2の共振パターンの容量部6との対向領域Xは減
少し、容量結合の容量成分Cが減少する。
In this case, the capacitance portion 5 of the first resonance pattern
Then, the region X facing the capacitance portion 6 of the second resonance pattern decreases, and the capacitance component C of capacitive coupling decreases.

【0073】同時に、斜線で示す誘導結合部Yの長さ
は、その位置ずれによって長さが長くなる。これは、誘
導結合部Yが、結合容量成分Cが位置ずれにより変動す
る方向と同一の方向に延びて形成されていること、さら
に、例えば一方のストリップ線路3の誘導結合部分が、
他方のストリップ線路4側にまで延びて形成されている
ことによるものである。
At the same time, the length of the inductive coupling portion Y indicated by oblique lines becomes longer due to the displacement. This is because the inductive coupling portion Y is formed so as to extend in the same direction as the direction in which the coupling capacitance component C fluctuates due to the displacement, and, for example, the inductive coupling portion of one of the strip lines 3 is
This is because it is formed to extend to the other strip line 4 side.

【0074】以上のように、結合容量成分Cは、容量部
5、6どうしの対向面積が減少するものの、誘導結合の
インダクタンス成分は、逆に増加することになり、全体
の結合度からすれば、両者が相殺されて、結合度の変動
を有効に抑えることができる。
As described above, in the coupling capacitance component C, although the facing area between the capacitance portions 5 and 6 decreases, the inductance component of the inductive coupling increases conversely. Thus, the two are offset, and the variation in the coupling degree can be effectively suppressed.

【0075】次に、図4(b)は、矢印に示すように、
両ストリップ線路3、4が相対的に近づく方向の位置ず
れした状態を示す。
Next, in FIG. 4B, as indicated by the arrow,
This shows a state in which the two strip lines 3 and 4 are displaced in a direction of relatively approaching.

【0076】この場合、第1の共振パターンの容量部5
と、第2の共振パターンの容量部6とは互いにその対向
領域Xが増加する。
In this case, the capacitance portion 5 of the first resonance pattern
And the capacitance region 6 of the second resonance pattern, the opposing region X thereof increases.

【0077】これより、図3に示す等価回路上の結合容
量成分Cは増加することになる。同時に、図4(b)の
斜線で示す誘導結合部Yの長さは、その位置ずれによっ
て、逆にその長さが減少する。
As a result, the coupling capacitance component C on the equivalent circuit shown in FIG. 3 increases. At the same time, the length of the inductive coupling portion Y indicated by oblique lines in FIG.

【0078】以上のように、結合容量成分Cは、一方方
向(図2の紙面の上下方向)の位置ずれにより、容量部
5、6どうしの対向領域Xは増減変化し、同時にストリ
ップ線路3、4どうしの誘導結合部Yも増減変化する。
しかし、両増減方向が互いに逆方向の変動となるため、
結合度全体からすれば両者が相殺されて、結合度の変動
を有効に抑えることができる。
As described above, due to the displacement in one direction (the vertical direction on the paper surface of FIG. 2), the coupling capacitance component C causes the opposing region X between the capacitance portions 5 and 6 to increase and decrease, and at the same time, to increase the strip line 3 and The four inductive coupling portions Y also increase and decrease.
However, since both increasing and decreasing directions are opposite to each other,
From the viewpoint of the overall coupling degree, the two are offset, and the fluctuation of the coupling degree can be effectively suppressed.

【0079】本発明者は、図1に示す構造のバンドパス
形の積層フィルタと、容量接合のみの積層フィルタにお
いて、位置ずれが発生していない状態の積層フィルタの
それぞれの特性を調べた。尚、図5は本発明の積層フィ
ルタの特性で、(a)は反射ロス、通過ロスを示し、
(b)は通過帯域付近の通過ロスを示す。また、図6は
容量結合のみの積層フィルタの特性で、(a)は反射ロ
ス、通過ロスを示し、(b)は通過帯域付近の通過ロス
を示す。尚、反射ロスは、一般に、S11と呼ばれ、入
力信号に対する反射信号の比であり、通過ロスとは、一
般にS21とよばれ、入力信号に対する出力信号の比を
示す。
The present inventor examined the characteristics of each of the bandpass type multilayer filter having the structure shown in FIG. 1 and the multilayer filter having no displacement in the multilayer filter having only the capacitance junction. FIG. 5 shows the characteristics of the multilayer filter of the present invention, wherein (a) shows the reflection loss and the passing loss,
(B) shows a pass loss near the pass band. 6A and 6B show the characteristics of the multilayer filter having only the capacitive coupling. FIG. 6A shows the reflection loss and the passing loss, and FIG. 6B shows the passing loss near the pass band. The reflection loss is generally called S11, which is the ratio of the reflected signal to the input signal, and the passing loss is generally called S21, and indicates the ratio of the output signal to the input signal.

【0080】尚、図5、図6において、反射ロス特性線
r1、r4、通過ロス特性線t1、t4は、位置ずれが
発生していない状態の特性である。
In FIG. 5 and FIG. 6, the reflection loss characteristic lines r1 and r4 and the passage loss characteristic lines t1 and t4 are characteristics in a state where no displacement occurs.

【0081】図5(a)において、図4(a)に示す方
向に50μmの位置ずれが発生した場合、その反射ロス
r2、通過ロスt2は、反射ロス特性線r1、通過ロス
特性線t1に比較して大きな変化が見られなかった。ま
た、図4(b)に方向に50μmの位置ずれが発生した
場合、その反射ロスr3、通過ロスt3は、反射ロス特
性線r1、通過ロス特性線t1に比較して大きな変化が
見られなかった。
In FIG. 5A, when a displacement of 50 μm occurs in the direction shown in FIG. 4A, the reflection loss r2 and the passing loss t2 are changed to the reflection loss characteristic line r1 and the passing loss characteristic line t1. No significant change was seen in comparison. When a displacement of 50 μm occurs in the direction in FIG. 4B, the reflection loss r3 and the passage loss t3 do not show a large change compared to the reflection loss characteristic line r1 and the passage loss characteristic line t1. Was.

【0082】図6において、同様の方向に位置ずれが発
生すると、位置ずれが発生していない場合の反射特性r
4、通過特性t4に比較して、夫々の反射特性r5、r
6、通過特性t5、t6が大きく変動してしまう。
In FIG. 6, when a displacement occurs in the same direction, the reflection characteristic r when no displacement occurs.
4. Compared with the pass characteristic t4, the respective reflection characteristics r5 and r
6. Pass characteristics t5 and t6 fluctuate greatly.

【0083】尚、バンドパスフィルタは、低温焼成多層
セラミック基板(比誘電率15)を用いて作成した積層
フィルタである。
The band-pass filter is a multilayer filter formed using a low-temperature fired multilayer ceramic substrate (relative permittivity 15).

【0084】図5と図6との比較から明瞭に理解できる
ように、本発明の積層フィルタでは、共振パターンに積
層ずれや印刷ずれなどの位置ずれが発生しても、実質的
にフィルタ特性が大きく変化することがない。
As can be clearly understood from a comparison between FIG. 5 and FIG. 6, in the multilayer filter of the present invention, even if a positional shift such as a stack shift or a print shift occurs in the resonance pattern, the filter characteristic is substantially reduced. There is no significant change.

【0085】特に、図5(b)、図6(b)のように、
通過帯域付近の拡大図のように、通過域特性の目安であ
るカットオフ周波数(−3dBの周波数帯域)におい
て、本発明の積層フィルタでは、100MHz未満の変
動に抑えることができるものの、従来の積層フィルタで
は、300MHz程度の変動が見られた。
In particular, as shown in FIGS. 5B and 6B,
As shown in the enlarged view near the pass band, in the cut-off frequency (frequency band of −3 dB) which is a measure of the pass band characteristic, the multilayer filter of the present invention can suppress the fluctuation to less than 100 MHz, but the conventional multilayer filter has In the filter, a fluctuation of about 300 MHz was observed.

【0086】[0086]

【発明の効果】本発明の積層フィルタでは、素子の小型
化に伴い影響の大きくなる多層基板の形成時の積層ず
れ、印刷ずれなどの位置ずれが発生しても、フィルタ特
性の変動を有効に抑えることができる。
According to the multilayer filter of the present invention, even if a positional shift such as a stacking shift or a printing shift at the time of forming a multi-layer substrate, which is greatly affected by miniaturization of the element, a change in filter characteristics can be effectively prevented. Can be suppressed.

【0087】このため、高周波化や高誘電率基板の採
用、誘電体層の薄化が可能となる。
For this reason, it is possible to increase the frequency, employ a high dielectric constant substrate, and reduce the thickness of the dielectric layer.

【0088】また、2つの共振回路のインダクタンス成
分のグランド電位との間に、共通的なインダクタンス成
分成分を容易に配置できるため、ストリップ線路の長さ
を短くすることができる。
Further, since a common inductance component can be easily arranged between the ground potential and the inductance of the two resonance circuits, the length of the strip line can be reduced.

【0089】これより、上述した誘電体層の薄化とあい
まって、積層体基板の小型化が可能となる。
Thus, in combination with the above-described thinning of the dielectric layer, the size of the laminated substrate can be reduced.

【0090】以上のように、本発明では、多層基板を高
精度化に形成でき、安価で且つフィルタ特性の安定し、
さらに小型化が可能な積層フィルタとなる。
As described above, according to the present invention, a multilayer substrate can be formed with high precision, and it is inexpensive and has stable filter characteristics.
The laminated filter can be further reduced in size.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】本発明の積層フィルタを構成する各導体パター
ンを示す斜視図である。
FIG. 1 is a perspective view showing each conductor pattern constituting a multilayer filter of the present invention.

【図2】本発明のフィルタを構成する各導体パターンの
平面関係を示す概略図である。
FIG. 2 is a schematic view showing a planar relationship between conductor patterns constituting a filter of the present invention.

【図3】本発明の積層フィルタの等価回路図である。FIG. 3 is an equivalent circuit diagram of the multilayer filter of the present invention.

【図4】本発明の積層フィルタにおける位置ずれ状態を
示す概略図であり、(a)は、両共振パターンが離れる
ような位置ずれが発生した場合の配置を示し、(b)
は、両共振パターンが近づくような位置ずれが発生した
場合の配置を示している。
FIGS. 4A and 4B are schematic diagrams showing a state of misalignment in the multilayer filter of the present invention, wherein FIG. 4A shows an arrangement when misalignment occurs such that both resonance patterns are separated from each other, and FIG.
Shows an arrangement in the case where a positional shift occurs such that both resonance patterns approach each other.

【図5】本発明の積層フィルタにおける位置ずれが発生
した時のフィルタ特性を示し、(a)は、夫々の位置ず
れ時の反射ロス及び通過ロスを示す特性図であり、
(b)は、通過帯域部分の拡大特性図である。
FIGS. 5A and 5B are graphs showing filter characteristics when a displacement occurs in the multilayer filter of the present invention, and FIG. 5A is a characteristic diagram showing a reflection loss and a passing loss at each displacement.
(B) is an enlarged characteristic diagram of a pass band portion.

【図6】容量結合のみの積層フィルタにおける位置ずれ
が発生した時のフィルタ特性を示し、(a)は、夫々の
位置ずれ時の反射ロス及び通過ロスを示す特性図であ
り、(b)は、通過帯域部分の拡大特性図である。
6A and 6B are graphs showing filter characteristics when a displacement occurs in a multilayer filter including only capacitive coupling, where FIG. 6A is a characteristic diagram showing reflection loss and pass loss at each displacement, and FIG. FIG. 7 is an enlarged characteristic diagram of a pass band portion.

【図7】(a)は、従来のバンドパスフィルタの等価回
路図を示し、(b)は、容量結合のみのバンドパスフィ
ルタの等価回路図を示し、(c)は、誘導結合のみのバ
ンドパスフィルタの等価回路図を示す。
7A shows an equivalent circuit diagram of a conventional bandpass filter, FIG. 7B shows an equivalent circuit diagram of a bandpass filter having only capacitive coupling, and FIG. 7C shows a band having only inductive coupling. FIG. 3 shows an equivalent circuit diagram of a pass filter.

【図8】容量結合と誘導結合をしたバンドパスフィルタ
の等価回路図を示す。
FIG. 8 is an equivalent circuit diagram of a bandpass filter in which capacitive coupling and inductive coupling are performed.

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】複数の誘電体層を積層して成る積層体基板
に、第1の共振回路を構成する容量部とインダクタ部と
から成る第1の共振パターンと、第2の共振回路を構成
する容量部とインダクタ部とから成る第2の共振パター
ンとを配置し、両共振パターンの容量部を誘電体層の厚
み方向に対向させて容量結合させるとともに、両共振パ
ターンのインダクタ部の一部を近接配置して誘導結合さ
せて成る積層フィルタにおいて、 前記両共振パターンの誘導結合部の結合度は、前記両共
振パターンの容量結合の結合度に反比例していることを
特徴とする積層フィルタ。
1. A first resonance pattern comprising a capacitor portion and an inductor portion constituting a first resonance circuit, and a second resonance circuit formed on a laminate substrate formed by laminating a plurality of dielectric layers. A second resonance pattern comprising a capacitor portion and an inductor portion is disposed, and the capacitor portions of both resonance patterns are capacitively coupled to each other in the thickness direction of the dielectric layer, and a part of the inductor portion of both resonance patterns is formed. Wherein the coupling degree of the inductive coupling portions of the two resonance patterns is inversely proportional to the coupling degree of the capacitive coupling of the two resonance patterns.
【請求項2】 前記両共振パターンのインダクス部の先
端部は、互いに接続されるとともに、且つ誘電体層を貫
くビアホール導体から構成される接続手段によってグラ
ンド電位に接続していることを特徴とする請求項1記載
の積層フィルタ。
2. The method according to claim 1, wherein the tip portions of the inductance portions of the two resonance patterns are connected to each other and connected to the ground potential by connection means including a via-hole conductor penetrating the dielectric layer. The multilayer filter according to claim 1.
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