JPH1074730A - 表面処理装置 - Google Patents
表面処理装置Info
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- JPH1074730A JPH1074730A JP22971596A JP22971596A JPH1074730A JP H1074730 A JPH1074730 A JP H1074730A JP 22971596 A JP22971596 A JP 22971596A JP 22971596 A JP22971596 A JP 22971596A JP H1074730 A JPH1074730 A JP H1074730A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】本発明の目的は，プラズマ用電源の周波数が10
0MHz以上1.2GHz以下の電子サイクロトロン共鳴を用いた
表面処理装置で特に電極の消耗が問題となる。 【解決手段】プラズマを用いる表面処理装置で、イオン
を加速するためのバイアス電源を変調し,イオンが加速
されるサイクルとイオンが加速されないサイクルを設け
た。
0MHz以上1.2GHz以下の電子サイクロトロン共鳴を用いた
表面処理装置で特に電極の消耗が問題となる。 【解決手段】プラズマを用いる表面処理装置で、イオン
を加速するためのバイアス電源を変調し,イオンが加速
されるサイクルとイオンが加速されないサイクルを設け
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体素子の表面処
理装置にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面の
エッチングや成膜を行なう装置に関する。
理装置にかかわり、特にプラズマを用いて半導体表面の
エッチングや成膜を行なう装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体素子のエッチングや成膜に現在広
く用いられている装置は、プラズマを利用する装置であ
る。その１つに、ECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と
呼ばれている装置がある。この方式では、外部より磁場
を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマを発
生させる。磁場により電子はサイクロトロン運動をし、
この周波数とマイクロ波の周波数を共鳴させることで効
率良くプラズマを発生できる。また磁場によりプラズマ
の壁への拡散が抑えられ、高密度のプラズマが発生でき
る。試料に入射するイオンを加速するために試料にはバ
イアス電圧が印加される。プラズマとなるガスには例え
ばエッチングを行なう場合には塩素やフッ素などのハロ
ゲンガスが用いられる。エッチングのほかに膜の堆積な
どにもこの装置は使われている。
く用いられている装置は、プラズマを利用する装置であ
る。その１つに、ECR(電子サイクロトロン共鳴)方式と
呼ばれている装置がある。この方式では、外部より磁場
を印加した真空容器中でマイクロ波によりプラズマを発
生させる。磁場により電子はサイクロトロン運動をし、
この周波数とマイクロ波の周波数を共鳴させることで効
率良くプラズマを発生できる。また磁場によりプラズマ
の壁への拡散が抑えられ、高密度のプラズマが発生でき
る。試料に入射するイオンを加速するために試料にはバ
イアス電圧が印加される。プラズマとなるガスには例え
ばエッチングを行なう場合には塩素やフッ素などのハロ
ゲンガスが用いられる。エッチングのほかに膜の堆積な
どにもこの装置は使われている。
【０００３】この装置では従来から色々な型が提案され
ており、例えば特開昭53-44795にてプラズマの発生電源
の周波数を2.45GHzとした例が知られている。さらに特
開平２-16731にはプラズマ発生電源の周波数を2GHz以下
100MHz以上とした例が知られている。
ており、例えば特開昭53-44795にてプラズマの発生電源
の周波数を2.45GHzとした例が知られている。さらに特
開平２-16731にはプラズマ発生電源の周波数を2GHz以下
100MHz以上とした例が知られている。
【０００４】公知例の装置では、高密度のプラズマが発
生できるのでエッチングなどの処理速度が速い利点があ
る。
生できるのでエッチングなどの処理速度が速い利点があ
る。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】近年の半導体素子の製
造工程ではクリーンルームの維持費用の増大により，製
造装置には高いコストパフォーマンスが従来以上に要求
されるようになっている。これを実現するために，装置
には小形で低消費電力等が要求されるが，特に部品の交
換などのメンテナンスの頻度が極力少ないことが重要と
なる。
造工程ではクリーンルームの維持費用の増大により，製
造装置には高いコストパフォーマンスが従来以上に要求
されるようになっている。これを実現するために，装置
には小形で低消費電力等が要求されるが，特に部品の交
換などのメンテナンスの頻度が極力少ないことが重要と
なる。
【０００６】特に，プラズマ発生電源の周波数帯域が10
0MHz以上1.2GHz以下の領域でのECR(電子サイクロトロン
共鳴)方式プラズマは，従来から多く用いられている2.4
5GHzのECRプラズマより約２倍程度高いプラズマ密度が
得られるために，試料のエッチング速度は高速であるも
のの，試料台がプラズマ中のイオンの入射によりスパッ
タされて消耗が激しいために試料台の交換頻度が高くな
るという新たな問題点が、我々の研究で判明した。
0MHz以上1.2GHz以下の領域でのECR(電子サイクロトロン
共鳴)方式プラズマは，従来から多く用いられている2.4
5GHzのECRプラズマより約２倍程度高いプラズマ密度が
得られるために，試料のエッチング速度は高速であるも
のの，試料台がプラズマ中のイオンの入射によりスパッ
タされて消耗が激しいために試料台の交換頻度が高くな
るという新たな問題点が、我々の研究で判明した。
【０００７】本発明の目的はこの新たな課題を解決し
て、試料台交換の頻度が少なくかつ処理速度が高速な表
面処理装置を提供することである。
て、試料台交換の頻度が少なくかつ処理速度が高速な表
面処理装置を提供することである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】試料に印加するバイアス
電源の出力を間欠的にするあるいはパルス状にするなど
して，バイアス電源に変調をかけた。
電源の出力を間欠的にするあるいはパルス状にするなど
して，バイアス電源に変調をかけた。
【０００９】図２(a)にプラズマ中のイオン１２にさら
されている試料台９とその上に置かれている試料８近傍
の図を示す。図２(b)は試料台９に印加されるバイアス
電源１０の電圧波形で連続的な出力を表す。。試料台９
はほとんどの装置において、アルミナ、窒化シリコンな
どのセラッミクあるいは石英などでできている。これら
の物質はエネルギーの高いイオンの入射によりスパッタ
され削られる。スパッタ速度はイオンの数に比例するの
で高密度プラズマでは試料台の消耗が速くなる。これが
周波数帯域が100MHz以上1.2GHz以下の領域でのECRプラ
ズマを用いた装置で，試料台９の消耗が激しい理由であ
る（点線で表されている部分が消耗した部分を表す）。
イオン１２は試料台に印加されるバイアス電源１０の電
圧により加速され試料８及び試料台９に入射する。試料
台９にバイアスを印加しないと、イオンは加速されず、
エネルギーが低いので試料台のスパッタはなくなる。
されている試料台９とその上に置かれている試料８近傍
の図を示す。図２(b)は試料台９に印加されるバイアス
電源１０の電圧波形で連続的な出力を表す。。試料台９
はほとんどの装置において、アルミナ、窒化シリコンな
どのセラッミクあるいは石英などでできている。これら
の物質はエネルギーの高いイオンの入射によりスパッタ
され削られる。スパッタ速度はイオンの数に比例するの
で高密度プラズマでは試料台の消耗が速くなる。これが
周波数帯域が100MHz以上1.2GHz以下の領域でのECRプラ
ズマを用いた装置で，試料台９の消耗が激しい理由であ
る（点線で表されている部分が消耗した部分を表す）。
イオン１２は試料台に印加されるバイアス電源１０の電
圧により加速され試料８及び試料台９に入射する。試料
台９にバイアスを印加しないと、イオンは加速されず、
エネルギーが低いので試料台のスパッタはなくなる。
【００１０】そこで図３(c)に示すように試料台に印加
するバイアスを例えば間欠的にオンオフすると、バイア
スオンでイオン１２が試料台９に入射して試料台がスパ
ッタされるが（図３(ａ)）、バイアスオフではイオンが
加速されないのでスパッタされず（図３(b)）、連続的
にバイアスをかけた場合と比較して試料台の崩れ量はバ
イアスがオンオフされる１周期の中のオン時間に比例す
る。
するバイアスを例えば間欠的にオンオフすると、バイア
スオンでイオン１２が試料台９に入射して試料台がスパ
ッタされるが（図３(ａ)）、バイアスオフではイオンが
加速されないのでスパッタされず（図３(b)）、連続的
にバイアスをかけた場合と比較して試料台の崩れ量はバ
イアスがオンオフされる１周期の中のオン時間に比例す
る。
【００１１】一方、加工対象である試料は次に説明する
ようにバイアスのオフ時間が生じてもエッチング速度は
それに比例して遅くならない。図４はプラズマ中の試料
８の断面を拡大した図である。試料８は通常Ｓｉなどの
半導体あるいはAl,Wなどの金属で，エッチングを行わな
い部分はレジスト１４でおおわれている。半導体や金属
などの試料８では、プラズマ中で生成した塩素やフッ
素などのハロゲンの活性ラジカル１３が試料８に吸着し
てそこにイオン１２が入射し、そのエネルギーで化学反
応が促進しエッチングされる。これをイオンアシストエ
ッチングと呼ぶ。イオンアシストエッチングではエッチ
ング速度は加速されたイオン１２の量とともに試料に吸
着するラジカル１３の量にも依存する。そしてラジカル
１３の吸着はイオン加速がない，すなわちバイアスがオ
フの方が効率的に起こる。従って、図４(a)に示すよう
に，バイアスオフの時に効率的にラジカル１３が試料８
に吸着する。次に図４(b)のようにバイアスオンの時に
イオン１３が加速されて試料８に入射して効率的に化学
反応が生じ，エッチンが進行する。試料がシリコン酸化
物のような場合でも試料台をアルミナなどのよりイオン
アシストエッチされにくいものにすることで，試料のエ
ッチング速度の低下を抑えてかつ試料台のスパッタを抑
えることができる。
ようにバイアスのオフ時間が生じてもエッチング速度は
それに比例して遅くならない。図４はプラズマ中の試料
８の断面を拡大した図である。試料８は通常Ｓｉなどの
半導体あるいはAl,Wなどの金属で，エッチングを行わな
い部分はレジスト１４でおおわれている。半導体や金属
などの試料８では、プラズマ中で生成した塩素やフッ
素などのハロゲンの活性ラジカル１３が試料８に吸着し
てそこにイオン１２が入射し、そのエネルギーで化学反
応が促進しエッチングされる。これをイオンアシストエ
ッチングと呼ぶ。イオンアシストエッチングではエッチ
ング速度は加速されたイオン１２の量とともに試料に吸
着するラジカル１３の量にも依存する。そしてラジカル
１３の吸着はイオン加速がない，すなわちバイアスがオ
フの方が効率的に起こる。従って、図４(a)に示すよう
に，バイアスオフの時に効率的にラジカル１３が試料８
に吸着する。次に図４(b)のようにバイアスオンの時に
イオン１３が加速されて試料８に入射して効率的に化学
反応が生じ，エッチンが進行する。試料がシリコン酸化
物のような場合でも試料台をアルミナなどのよりイオン
アシストエッチされにくいものにすることで，試料のエ
ッチング速度の低下を抑えてかつ試料台のスパッタを抑
えることができる。
【００１２】以上の作用により、試料に印加するバイア
スをオンオフすると、試料台の削れ量だけが少なくなり
試料のエッチング速度はそれほど小さくならない。従っ
て、試料の処理速度を落とさずに試料台の消耗を減ら
し、試料台交換のメンテナンス頻度を少なくすることが
できる。
スをオンオフすると、試料台の削れ量だけが少なくなり
試料のエッチング速度はそれほど小さくならない。従っ
て、試料の処理速度を落とさずに試料台の消耗を減ら
し、試料台交換のメンテナンス頻度を少なくすることが
できる。
【００１３】
（実施例１）以下実施例を図１により説明する。図１
(a)はプラズマエッチング装置の全体構成図である。プ
ラズマ用電源１から導波管２と導入窓３を介して真空容
器４内に電磁波が導入される。電磁波の周波数は915MHz
であり、真空容器４の材質は金属で内面に絶縁コーティ
ングしてある。導入窓の材質は石英、窒化シリコン、セ
ラミックなど電磁波を透過する物質である。電磁石６、
７の磁場強度は325Gaussである。この磁場強度でプラズ
マ５中の電子のサイクロトロン運動が電磁波の周波数と
共鳴するために、効率よく電磁波のエネルギーがプラズ
マに供給され高密度のプラズマができる。この周波数領
域で従来多く用いられている2.45GHzのマイクロ波より
も約２倍高いプラズマ密度が得られ、エッチング速度も
それに従い高くなる。試料８は試料台９の上に設置され
る。試料に入射するイオンを加速するために、バイアス
電源１０が試料台９に接続されている。通常バイアス電
源の周波数は２０ＭＨｚ以下にする。図１(b)はバイア
ス電源１０の電圧波形１１を示す。本発明に従い，電圧
はある適当な間隔でオンオフされる。
(a)はプラズマエッチング装置の全体構成図である。プ
ラズマ用電源１から導波管２と導入窓３を介して真空容
器４内に電磁波が導入される。電磁波の周波数は915MHz
であり、真空容器４の材質は金属で内面に絶縁コーティ
ングしてある。導入窓の材質は石英、窒化シリコン、セ
ラミックなど電磁波を透過する物質である。電磁石６、
７の磁場強度は325Gaussである。この磁場強度でプラズ
マ５中の電子のサイクロトロン運動が電磁波の周波数と
共鳴するために、効率よく電磁波のエネルギーがプラズ
マに供給され高密度のプラズマができる。この周波数領
域で従来多く用いられている2.45GHzのマイクロ波より
も約２倍高いプラズマ密度が得られ、エッチング速度も
それに従い高くなる。試料８は試料台９の上に設置され
る。試料に入射するイオンを加速するために、バイアス
電源１０が試料台９に接続されている。通常バイアス電
源の周波数は２０ＭＨｚ以下にする。図１(b)はバイア
ス電源１０の電圧波形１１を示す。本発明に従い，電圧
はある適当な間隔でオンオフされる。
【００１４】この装置で半導体素子の配線材料に多く用
いられるアルミニウムをエッチングした結果を次に述べ
る。エッチングのガスにはCl2とBCl3の混合ガスを用い
た。真空容器４内部の圧力を２Paとした。プラズマ用電
源１の出力を６００Wとした。バイアス電源１０の出力
は８０Wで，周波数は８００Khz,オンオフの繰り返し周
波数は1KHzでオン時間とオフ時間の比を５０％とした。
このときアルミニウムのエッチ速度は1.2 mm/minであっ
た。この値はバイアス電源を連続出力とした場合より１
０％低い値ではあるが、電極の消耗量は、バイアス電源
を連続的にした場合と比較して約２分の１に抑えられ
た。さらにこれらの値を従来の2.45GHzのプラズマ用電
源を用いた場合と比較すると、エッチ速度は約1.5倍で
電極消耗量は同程度であった。すなわち本発明により装
置のスループットが上がる。
いられるアルミニウムをエッチングした結果を次に述べ
る。エッチングのガスにはCl2とBCl3の混合ガスを用い
た。真空容器４内部の圧力を２Paとした。プラズマ用電
源１の出力を６００Wとした。バイアス電源１０の出力
は８０Wで，周波数は８００Khz,オンオフの繰り返し周
波数は1KHzでオン時間とオフ時間の比を５０％とした。
このときアルミニウムのエッチ速度は1.2 mm/minであっ
た。この値はバイアス電源を連続出力とした場合より１
０％低い値ではあるが、電極の消耗量は、バイアス電源
を連続的にした場合と比較して約２分の１に抑えられ
た。さらにこれらの値を従来の2.45GHzのプラズマ用電
源を用いた場合と比較すると、エッチ速度は約1.5倍で
電極消耗量は同程度であった。すなわち本発明により装
置のスループットが上がる。
【００１５】次に、バイアス電源１０のオンオフ時間比
を述べる。電極９の消耗量はオン時間にほぼ比例するの
でオン時間を短くした方が電極寿命は長くなる。しか
し、図５に示すようにオン時間があまり短くなるとエッ
チ速度が低下する。１サイクル中にオン時間が占める割
合の最適値は１０％から６０％である。
を述べる。電極９の消耗量はオン時間にほぼ比例するの
でオン時間を短くした方が電極寿命は長くなる。しか
し、図５に示すようにオン時間があまり短くなるとエッ
チ速度が低下する。１サイクル中にオン時間が占める割
合の最適値は１０％から６０％である。
【００１６】（実施例２）次に本発明のさらなる効果を
述べる。本実施例では装置構成は図１と同じで、ガスに
希ガスを加えて、たとえばAr(100cc)+Cl2(80cc)+BCl3(2
0cc)とする。圧力を実施例１と同じ2Paとすると、塩素
ラジカルの量はArが混合した分減少して、イオンはアル
ゴンイオンが多くを占めるようになる。このガス系では
ClやＢの割合が減少するので真空容器４の腐食や汚れが
少なくなる。従って、清掃メンテナンスの頻度が少なく
なる利点がある。一方、図４に示すようにバイアス電源
をオンオフすることにより、オフのサイクルで塩素ラジ
カル１３を十分に試料８に吸着（図４(a))させた後に、
バイアス電源をオンしてイオンアシストエッチング（図
４(b))できるので、希ガスを添加することによるエッチ
速度の低下を抑えることができる。
述べる。本実施例では装置構成は図１と同じで、ガスに
希ガスを加えて、たとえばAr(100cc)+Cl2(80cc)+BCl3(2
0cc)とする。圧力を実施例１と同じ2Paとすると、塩素
ラジカルの量はArが混合した分減少して、イオンはアル
ゴンイオンが多くを占めるようになる。このガス系では
ClやＢの割合が減少するので真空容器４の腐食や汚れが
少なくなる。従って、清掃メンテナンスの頻度が少なく
なる利点がある。一方、図４に示すようにバイアス電源
をオンオフすることにより、オフのサイクルで塩素ラジ
カル１３を十分に試料８に吸着（図４(a))させた後に、
バイアス電源をオンしてイオンアシストエッチング（図
４(b))できるので、希ガスを添加することによるエッチ
速度の低下を抑えることができる。
【００１７】（実施例３）図６はプラズマ用電源１４と
バイアス電源１９を変えた実施例である。この実施例で
はプラズマ用電源１４として500MHzの周波数を用いてい
る。かつバイアス電源１９はパルス状に変調してある。
電磁波を真空容器４に導入する手段として同軸ケーブル
１５と円盤状アンテナ１６を用いている。容器上蓋１８
は同軸線１５を真空中に導入する部分である。アンテナ
１６の前面にはアンテナの消耗を防ぐための石英板１７
が置かれている。この石英板１７の厚さはアンテナから
放射される電磁波を透過する様に調整されている。同軸
ケーブル１５は導波管より小型である利点がある。バイ
アス電源１９の出力を図６(b)のようにパルス状にする
と，正のパルスオンで電子が試料８に入射して，パルス
オフでイオンが入射する。イオンは電子を中和するため
に同じ量入射するので，オフのサイクルを長くするとイ
オンが加速されなくなる時間が生じる。このために図３
で述べたように試料台がスパッタされず，装置のメンテ
ナンス性が上がる。
バイアス電源１９を変えた実施例である。この実施例で
はプラズマ用電源１４として500MHzの周波数を用いてい
る。かつバイアス電源１９はパルス状に変調してある。
電磁波を真空容器４に導入する手段として同軸ケーブル
１５と円盤状アンテナ１６を用いている。容器上蓋１８
は同軸線１５を真空中に導入する部分である。アンテナ
１６の前面にはアンテナの消耗を防ぐための石英板１７
が置かれている。この石英板１７の厚さはアンテナから
放射される電磁波を透過する様に調整されている。同軸
ケーブル１５は導波管より小型である利点がある。バイ
アス電源１９の出力を図６(b)のようにパルス状にする
と，正のパルスオンで電子が試料８に入射して，パルス
オフでイオンが入射する。イオンは電子を中和するため
に同じ量入射するので，オフのサイクルを長くするとイ
オンが加速されなくなる時間が生じる。このために図３
で述べたように試料台がスパッタされず，装置のメンテ
ナンス性が上がる。
【００１８】なお、プラズマ用電源１４からの電力導入
法とバイアス電源のオンオフ方法の組み合わせは任意
で，以上の実施例に限らない。
法とバイアス電源のオンオフ方法の組み合わせは任意
で，以上の実施例に限らない。
【００１９】（実施例４）図７は、図１あるいは図６に
示す装置のバイアス電源の出力波形の別実施例で，数百
KHzから数十MHzの高周波電圧２１を数KHz程度の変調波
２２で振幅変調したものである。このバイアス電源で
も，振幅が小さいときにイオンの加速がなくなり，作用
で述べたように電極寿命が延びる。
示す装置のバイアス電源の出力波形の別実施例で，数百
KHzから数十MHzの高周波電圧２１を数KHz程度の変調波
２２で振幅変調したものである。このバイアス電源で
も，振幅が小さいときにイオンの加速がなくなり，作用
で述べたように電極寿命が延びる。
【００２０】（実施例５）図８は別実施例で、プラズマ
用電源２３もオンオフ変調した装置である。プラズマ用
電源の周波数は９１５ＭＨｚで，バイアス電源１０は２
ＭＨｚである。両者を１KHzの周波数でオンオフしてか
つ両者を同期させている。プラズマ用電源２３をオンオ
フするとオフ期間にイオンとラジカル量がある時定数で
減衰する。その期間にあわせて同期をとり、バイアス電
源の出力１１をオン、のタイミングは図８（ｂ）のよう
にプラズマ用電源２３の出力２４がオフする少し前から
バイアス電源１０をオンすると、試料８に入射するイオ
ンとラジカル量のより細かい調整が可能となり、条件あ
わせに自由度が増加する利点がある。
用電源２３もオンオフ変調した装置である。プラズマ用
電源の周波数は９１５ＭＨｚで，バイアス電源１０は２
ＭＨｚである。両者を１KHzの周波数でオンオフしてか
つ両者を同期させている。プラズマ用電源２３をオンオ
フするとオフ期間にイオンとラジカル量がある時定数で
減衰する。その期間にあわせて同期をとり、バイアス電
源の出力１１をオン、のタイミングは図８（ｂ）のよう
にプラズマ用電源２３の出力２４がオフする少し前から
バイアス電源１０をオンすると、試料８に入射するイオ
ンとラジカル量のより細かい調整が可能となり、条件あ
わせに自由度が増加する利点がある。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明では高密度プラズ
マを用いたドライエッチング装置でイオンのスパッタに
よる電極の消耗を低減することができる。したがって，
装置の試料台交換のメンテナンスに頻度を減らすことが
できる。
マを用いたドライエッチング装置でイオンのスパッタに
よる電極の消耗を低減することができる。したがって，
装置の試料台交換のメンテナンスに頻度を減らすことが
できる。
【図１】（a）は本発明を適用したエッチング装置の構
成図であり、（b)はバイアス電源１０の出力波形であ
る。
成図であり、（b)はバイアス電源１０の出力波形であ
る。
【図２】（a)はエッチング装置の試料台近傍の拡大図で
あり、（b）は従来方式のバイアス電源１０の電圧波形
を示す。
あり、（b）は従来方式のバイアス電源１０の電圧波形
を示す。
【図３】（a）はエッチング装置の試料台近傍の拡大図
でバイアスオンの際の状態を示し、（b）はバイアスオ
フの際の状態を示し、(c)は本発明によるバイアス電源
１０の電圧波形を示す。
でバイアスオンの際の状態を示し、（b）はバイアスオ
フの際の状態を示し、(c)は本発明によるバイアス電源
１０の電圧波形を示す。
【図４】(a)は試料台上の試料断面の拡大図でバイアス
オフ時の状態を示し、(b)はバイアスオン時の試料断面
図の状態を示し、(c)は本発明によるバイアス電源１０
の電圧波形を示す。
オフ時の状態を示し、(b)はバイアスオン時の試料断面
図の状態を示し、(c)は本発明によるバイアス電源１０
の電圧波形を示す。
【図５】試料（メタル）のエッチング速度と試料台の削
れ速度を表す。
れ速度を表す。
【図６】（a）は本発明を適用した５００Ｍｈｚのプラ
ズマ電源を用いたエッチング装置の構成図であり、(b)
はパルス状に変調した電源１９のバイアス出力波形であ
る。
ズマ電源を用いたエッチング装置の構成図であり、(b)
はパルス状に変調した電源１９のバイアス出力波形であ
る。
【図７】試料台に印加するバイアス電圧の波形の別の例
を示す。
を示す。
【図８】（a）は本発明を適用したエッチング装置の構
成図であり、(b)はバイアス出力波形とプラズマ用電源
をオンオフ変調した実施例を示す。
成図であり、(b)はバイアス出力波形とプラズマ用電源
をオンオフ変調した実施例を示す。
１…プラズマ用電源、２…導波管、３…導入窓、４…真
空容器、５…プラズマ、６…磁石、７…磁石、８…試
料、９…試料台、１０…バイアス電源、１１ー電圧波
形、１２…イオン、１３…ラジカル、１４…レジスト、
１５…同軸ケ…ブル、１６…アンテナ、１７…石英板、
１８…容器上蓋、１９…バイアス電源、２０…電圧波
形、２１…高周波電圧、２２…変調波、２３…プラズマ
用電源、２４…電磁波出力波形。
空容器、５…プラズマ、６…磁石、７…磁石、８…試
料、９…試料台、１０…バイアス電源、１１ー電圧波
形、１２…イオン、１３…ラジカル、１４…レジスト、
１５…同軸ケ…ブル、１６…アンテナ、１７…石英板、
１８…容器上蓋、１９…バイアス電源、２０…電圧波
形、２１…高周波電圧、２２…変調波、２３…プラズマ
用電源、２４…電磁波出力波形。
フロントページの続き (72)発明者 後藤 康 東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (4)
- 【請求項１】内部を真空に排気できる容器と容器内に試
料を設置する試料台と容器内にプラズマを発生させるプ
ラズマ用電源と試料台に電圧を印加するバイアス電源と
容器内に磁場を形成する磁石とからなる装置において、
プラズマ用電源の電磁波の周波数を100MHz以上1.2GHz以
下としてかつ，バイアス電源に変調をかけたことを特徴
とする表面処理装置。 - 【請求項２】請求項１のバイアス電源の変調は，電源出
力の周波数をラジオ波領域にしてかつそれを間欠状にす
ることである表面処理装置。 - 【請求項３】請求項１のバイアス電源の変調は，電源出
力をパルス状にしたことである表面処理装置。 - 【請求項４】請求項１においてプラズマ電源が間欠状に
制御されておりかつ，間欠制御されているバイアス電源
と同期がとられていることを特徴とする表面処理装置。
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|---|---|---|---|
| JP22971596A JP3550466B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマ処理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22971596A JP3550466B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマ処理方法 |
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| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074730A true JPH1074730A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3550466B2 JP3550466B2 (ja) | 2004-08-04 |
Family
ID=16896573
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22971596A Expired - Fee Related JP3550466B2 (ja) | 1996-08-30 | 1996-08-30 | プラズマ処理方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3550466B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026956A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-11 | Surface Technology Systems Limited | A method and apparatus for etching a substrate |
| WO2001039261A1 (de) * | 1999-11-27 | 2001-05-31 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaätzverfahren mit gepulster substratelektrodenleistung |
| US9460894B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Controlling ion energy within a plasma chamber |
| US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
| US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
-
1996
- 1996-08-30 JP JP22971596A patent/JP3550466B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000026956A1 (en) * | 1998-11-04 | 2000-05-11 | Surface Technology Systems Limited | A method and apparatus for etching a substrate |
| WO2001039261A1 (de) * | 1999-11-27 | 2001-05-31 | Robert Bosch Gmbh | Plasmaätzverfahren mit gepulster substratelektrodenleistung |
| US6926844B1 (en) | 1999-11-27 | 2005-08-09 | Robert Bosch Gmbh | Plasma etching method having pulsed substrate electrode power |
| US10157729B2 (en) | 2012-02-22 | 2018-12-18 | Lam Research Corporation | Soft pulsing |
| US10325759B2 (en) | 2012-02-22 | 2019-06-18 | Lam Research Corporation | Multiple control modes |
| US9460894B2 (en) | 2013-06-28 | 2016-10-04 | Lam Research Corporation | Controlling ion energy within a plasma chamber |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3550466B2 (ja) | 2004-08-04 |
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