JPH1074628A - 電気機器の劣化診断方法及び装置 - Google Patents
電気機器の劣化診断方法及び装置Info
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- JPH1074628A JPH1074628A JP9163712A JP16371297A JPH1074628A JP H1074628 A JPH1074628 A JP H1074628A JP 9163712 A JP9163712 A JP 9163712A JP 16371297 A JP16371297 A JP 16371297A JP H1074628 A JPH1074628 A JP H1074628A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】電気機器の運転を停止することなく、絶縁油や
絶縁紙，モールド樹脂等の材料の劣化度を非破壊で診断
すること。 【解決手段】２波長間の反射吸光度の差や比から材料の
劣化度を非破壊で診断できる光ファイバーセンサを用い
た電気機器の劣化診断方法及び装置。
絶縁紙，モールド樹脂等の材料の劣化度を非破壊で診断
すること。 【解決手段】２波長間の反射吸光度の差や比から材料の
劣化度を非破壊で診断できる光ファイバーセンサを用い
た電気機器の劣化診断方法及び装置。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、稼働中の機器の運
転を特に停止することなく、油入電気機器に使用されて
いる鉱油系絶縁油，パーフルオロカーボン液等の絶縁媒
体やセルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁方式電気
機器の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気機器中の
絶縁材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診断方法及
び装置に関している。
転を特に停止することなく、油入電気機器に使用されて
いる鉱油系絶縁油，パーフルオロカーボン液等の絶縁媒
体やセルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁方式電気
機器の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気機器中の
絶縁材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診断方法及
び装置に関している。
【０００２】
【従来の技術】油入電気機器の絶縁油や絶縁紙の劣化度
や寿命を推定する診断方法としては、特開平7−272939
号公報に開示されているように、絶縁紙の分解生成物で
あるフルフラールや、一酸化炭素，二酸化炭素等を絶縁
油より抽出し、ガス分析を行って、別途求めてあるガス
発生量と絶縁紙の重合度残率との相関図から劣化度を推
定する方法等が提案されている。
や寿命を推定する診断方法としては、特開平7−272939
号公報に開示されているように、絶縁紙の分解生成物で
あるフルフラールや、一酸化炭素，二酸化炭素等を絶縁
油より抽出し、ガス分析を行って、別途求めてあるガス
発生量と絶縁紙の重合度残率との相関図から劣化度を推
定する方法等が提案されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来技術では、劣
化に伴う発生ガス量が微量であるため、それを油中から
抽出する特殊な手段が必要であったり、また、ガス分析
用の評価装置が大型であるなど簡便な診断方法ではなか
った。
化に伴う発生ガス量が微量であるため、それを油中から
抽出する特殊な手段が必要であったり、また、ガス分析
用の評価装置が大型であるなど簡便な診断方法ではなか
った。
【０００４】さらに、機器の寿命を支配しているのは絶
縁紙の劣化度であるが、これを直接診断しているのでは
なく、絶縁油中に溶解した絶縁紙の分解生成物を間接的
に診断する方法であるため、例えば、中型変圧器や小型
変圧器等で絶縁油を交換した場合など、もはや分解生成
物全量の正確な測定値を得られなくなる等の問題点を有
していた。
縁紙の劣化度であるが、これを直接診断しているのでは
なく、絶縁油中に溶解した絶縁紙の分解生成物を間接的
に診断する方法であるため、例えば、中型変圧器や小型
変圧器等で絶縁油を交換した場合など、もはや分解生成
物全量の正確な測定値を得られなくなる等の問題点を有
していた。
【０００５】本発明の目的は上記の課題を解決し、稼働
中の機器の運転を特に停止することなく、電気機器に使
用されている鉱油系絶縁油やパーフルオロカーボン液等
の絶縁媒体やセルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁
方式電気機器の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気
機器中の絶縁材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診
断方法及び装置を提供することにある。
中の機器の運転を特に停止することなく、電気機器に使
用されている鉱油系絶縁油やパーフルオロカーボン液等
の絶縁媒体やセルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁
方式電気機器の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気
機器中の絶縁材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診
断方法及び装置を提供することにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、電気機器
に使用されている絶縁油や絶縁紙等の各種絶縁材料，モ
ールド樹脂材料の劣化度と光学物性との関係を検討した
結果、熱劣化に伴う絶縁油の透過光強度変化や絶縁紙，
モールド樹脂材料の反射光強度変化から劣化度を判定で
きる診断方法並びに診断装置を見出し、本発明に到達し
た。即ち、本発明の要旨は次のとおりである。
に使用されている絶縁油や絶縁紙等の各種絶縁材料，モ
ールド樹脂材料の劣化度と光学物性との関係を検討した
結果、熱劣化に伴う絶縁油の透過光強度変化や絶縁紙，
モールド樹脂材料の反射光強度変化から劣化度を判定で
きる診断方法並びに診断装置を見出し、本発明に到達し
た。即ち、本発明の要旨は次のとおりである。
【０００７】（１）波長が相異なる少なくとも２種の単
色光光源からの照射光を照射用光ファイバーで電気機器
内部に導き、該照射用光ファイバーからの出射光は透過
距離ａなる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部に導かれ
る受光用光ファイバーに入射，伝送し、光量測定部に導
かれ、該単色光光源の光源強度を該光量測定部での強度
が全て一定値となるように光量調整した後、該単色光光
源からの照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に
導き、透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射
し、該絶縁材料表面からの反射光を電気機器外部に導く
受光用光ファイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度
演算部において該光量測定部からの出力値より各波長に
おける反射吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の
２波長間の反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度
比（Ａλ′）を（２）式あるいは（３）式で演算し、さ
らに予め記憶させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差
あるいは反射吸光度比との関係（マスターカーブ）を比
較演算することによって劣化度を判定することを特徴と
する電気機器の劣化診断方法並びに診断装置にある。
色光光源からの照射光を照射用光ファイバーで電気機器
内部に導き、該照射用光ファイバーからの出射光は透過
距離ａなる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部に導かれ
る受光用光ファイバーに入射，伝送し、光量測定部に導
かれ、該単色光光源の光源強度を該光量測定部での強度
が全て一定値となるように光量調整した後、該単色光光
源からの照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に
導き、透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射
し、該絶縁材料表面からの反射光を電気機器外部に導く
受光用光ファイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度
演算部において該光量測定部からの出力値より各波長に
おける反射吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の
２波長間の反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度
比（Ａλ′）を（２）式あるいは（３）式で演算し、さ
らに予め記憶させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差
あるいは反射吸光度比との関係（マスターカーブ）を比
較演算することによって劣化度を判定することを特徴と
する電気機器の劣化診断方法並びに診断装置にある。
【０００８】
【数５】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） なお、光源として使用する単色光は、波長６５０〜１３
１０ｎｍにピーク波長を有する半導体レーザ（ＬＤ）あ
るいは発光ダイオード（ＬＥＤ）が入手容易で寿命も長
く性能も安定しており好適である。特に、６５５，６６
０，６７０，７８０，８００，８２０，８３０，８５
０，１３００，１３１０ｎｍ等のＬＤ，ＬＥＤ光源が好
適である。上記領域以外の波長の光源では、被測定材料
の劣化度が比較的小さいうちに検出器（光量測定部）が
オーバーレンジとなり、測光不能となる場合がある。被
測定材料がもともと色の薄い材料である場合には、６５
５，６６０，６７０，７８０，８００ｎｍ等の８００ｎ
ｍ以下の波長の光を用いることがより好ましい。一方、
被測定材料がもともと着色している材料等については、
７８０，８００，８２０，８３０，８５０，１３００，
１３１０ｎｍ等の近赤外領域の波長を用いることがより
好ましい。
λ（％）とする） なお、光源として使用する単色光は、波長６５０〜１３
１０ｎｍにピーク波長を有する半導体レーザ（ＬＤ）あ
るいは発光ダイオード（ＬＥＤ）が入手容易で寿命も長
く性能も安定しており好適である。特に、６５５，６６
０，６７０，７８０，８００，８２０，８３０，８５
０，１３００，１３１０ｎｍ等のＬＤ，ＬＥＤ光源が好
適である。上記領域以外の波長の光源では、被測定材料
の劣化度が比較的小さいうちに検出器（光量測定部）が
オーバーレンジとなり、測光不能となる場合がある。被
測定材料がもともと色の薄い材料である場合には、６５
５，６６０，６７０，７８０，８００ｎｍ等の８００ｎ
ｍ以下の波長の光を用いることがより好ましい。一方、
被測定材料がもともと着色している材料等については、
７８０，８００，８２０，８３０，８５０，１３００，
１３１０ｎｍ等の近赤外領域の波長を用いることがより
好ましい。
【０００９】（２）白色連続光を照射するハロゲンラン
プからの照射光を分光器を介して照射用光ファイバーで
電気機器内部に導き、該照射用光ファイバーからの出射
光は透過距離ａなる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部
に導かれる受光用光ファイバーに入射，伝送し、光量測
定部に導かれ、該照射光強度の波長依存性を測定した
後、該照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に導
き、透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射
し、該絶縁材料表面からの反射光を電気機器外部に導く
受光用光ファイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度
演算部において該光量測定部からの出力値より各波長に
おける反射吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の
２波長間の反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度
比（Ａλ′）を（２）式あるいは（３）式で演算し、さ
らに該照射光強度の波長依存性の測定値を用いて、予め
記憶させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差あるいは
反射吸光度比との関係（マスターカーブ）を比較演算す
ることによって劣化度を判定することを特徴とする電気
機器の劣化診断方法並びに診断装置にある。
プからの照射光を分光器を介して照射用光ファイバーで
電気機器内部に導き、該照射用光ファイバーからの出射
光は透過距離ａなる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部
に導かれる受光用光ファイバーに入射，伝送し、光量測
定部に導かれ、該照射光強度の波長依存性を測定した
後、該照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に導
き、透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射
し、該絶縁材料表面からの反射光を電気機器外部に導く
受光用光ファイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度
演算部において該光量測定部からの出力値より各波長に
おける反射吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の
２波長間の反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度
比（Ａλ′）を（２）式あるいは（３）式で演算し、さ
らに該照射光強度の波長依存性の測定値を用いて、予め
記憶させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差あるいは
反射吸光度比との関係（マスターカーブ）を比較演算す
ることによって劣化度を判定することを特徴とする電気
機器の劣化診断方法並びに診断装置にある。
【００１０】
【数６】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） 一般に、絶縁紙やモールド樹脂等の有機材料の熱劣化に
伴う反射吸光度スペクトルの変化は、図３で示されるよ
うな変化で代表される。該図のように劣化に伴って可視
領域の短波長側で反射吸光度は著しい増加を示すので、
検出器（光量測定部）の測定レンジ上の制約から６５０
ｎｍ未満の波長領域では機器の寿命点まで、使用されて
いる材料の反射吸光度を測定し続けることが実質的に困
難となってしまう。この短波長側での反射吸光度の増加
は、主に材料の熱酸化劣化反応による電子遷移吸収損失
の増大に起因するものである。
λ（％）とする） 一般に、絶縁紙やモールド樹脂等の有機材料の熱劣化に
伴う反射吸光度スペクトルの変化は、図３で示されるよ
うな変化で代表される。該図のように劣化に伴って可視
領域の短波長側で反射吸光度は著しい増加を示すので、
検出器（光量測定部）の測定レンジ上の制約から６５０
ｎｍ未満の波長領域では機器の寿命点まで、使用されて
いる材料の反射吸光度を測定し続けることが実質的に困
難となってしまう。この短波長側での反射吸光度の増加
は、主に材料の熱酸化劣化反応による電子遷移吸収損失
の増大に起因するものである。
【００１１】また、劣化度の増大に伴って反射吸光度Ａ
λは短波長側ほど増加するようになるので、任意の２波
長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは
反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）も同様に増加す
る。ここで、λ１＜λ２である。例えば図３において、
波長λ１（ｎｍ）と波長λ２（ｎｍ）間の反射吸光度差
ΔＡλを、劣化度の大きい材料から順にα１，α２，α
３とすれば、α１＞α２＞α３の関係が成立する。反射
吸光度比Ａλ′に対しても同様のことが言える。
λは短波長側ほど増加するようになるので、任意の２波
長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは
反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）も同様に増加す
る。ここで、λ１＜λ２である。例えば図３において、
波長λ１（ｎｍ）と波長λ２（ｎｍ）間の反射吸光度差
ΔＡλを、劣化度の大きい材料から順にα１，α２，α
３とすれば、α１＞α２＞α３の関係が成立する。反射
吸光度比Ａλ′に対しても同様のことが言える。
【００１２】この熱劣化に伴う反射吸光度差や反射吸光
度比の変化が、材料の各種物性の変化と相関を有してお
り、これらの反射吸光度パラメータを測定することで非
破壊的に材料の物性低下を診断できる。例えば、油入変
圧器の絶縁紙の平均重合度残率と反射吸光度差との関係
を図４に示したが、良好な相関関係を有していることが
わかる。
度比の変化が、材料の各種物性の変化と相関を有してお
り、これらの反射吸光度パラメータを測定することで非
破壊的に材料の物性低下を診断できる。例えば、油入変
圧器の絶縁紙の平均重合度残率と反射吸光度差との関係
を図４に示したが、良好な相関関係を有していることが
わかる。
【００１３】また、特開平3−226651 号公報に記載され
ているように、劣化度は換算時間θで表すことが一般的
である。換算時間θで表すことにより、様々な熱履歴を
有する材料であっても、θが等しければ同じ劣化程度で
あることを意味する。換算時間θ（ｈ）は（４）式で定
義される。
ているように、劣化度は換算時間θで表すことが一般的
である。換算時間θで表すことにより、様々な熱履歴を
有する材料であっても、θが等しければ同じ劣化程度で
あることを意味する。換算時間θ（ｈ）は（４）式で定
義される。
【００１４】
【数７】
【００１５】ここで、ΔＥは熱劣化のみかけの活性化エ
ネルギー(Ｊ／mol）、Ｒは気体定数(Ｊ／Ｋ／mol）、Ｔ
は熱劣化の絶対温度（Ｋ）、ｔは劣化時間（ｈ）であ
る。樹脂やオイル等のΔＥは、数種の劣化温度に対する
反射吸光度差あるいは反射吸光度比の変化をアレニウス
プロットすることによって容易に算出できる。
ネルギー(Ｊ／mol）、Ｒは気体定数(Ｊ／Ｋ／mol）、Ｔ
は熱劣化の絶対温度（Ｋ）、ｔは劣化時間（ｈ）であ
る。樹脂やオイル等のΔＥは、数種の劣化温度に対する
反射吸光度差あるいは反射吸光度比の変化をアレニウス
プロットすることによって容易に算出できる。
【００１６】さらに、予め求めておいた絶縁油や絶縁紙
を用いた機器の寿命点における換算時間をθ0とすれ
ば、実測から求めた換算時間θとの差Δθ（＝θ0−
θ）が余寿命に相当する換算時間となり、劣化度判定の
尺度となる。即ち、余寿命Δθ(ｈ)は（５）式で表され
る。
を用いた機器の寿命点における換算時間をθ0とすれ
ば、実測から求めた換算時間θとの差Δθ（＝θ0−
θ）が余寿命に相当する換算時間となり、劣化度判定の
尺度となる。即ち、余寿命Δθ(ｈ)は（５）式で表され
る。
【００１７】
【数８】
【００１８】（５）式より、時間ｔ以降の機器の使用温
度条件が定まれば、余寿命の時間Δｔ（＝ｔ0−ｔ）を
求めることができる。
度条件が定まれば、余寿命の時間Δｔ（＝ｔ0−ｔ）を
求めることができる。
【００１９】油入電気機器に使用されている絶縁紙の劣
化度を反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度比
（Ａλ′）で診断しようとする場合、劣化の程度が小さ
いうちは問題ないが、劣化が進行して絶縁油自身が着色
してくると、絶縁油の吸収の影響で正確な反射吸光度値
が得られなくなる。図６に絶縁油の波長６６０ｎｍと８
５０ｎｍ間における光透過損失差のマスターカーブの例
を示したが、劣化が進行してくると光透過損失差は指数
関数的に増大する傾向がある。この絶縁油の劣化に伴う
吸収の増大を補正するために、本発明では、絶縁油の距
離ａにおける透過光強度を各波長ごとに測定し、波長間
の強度補正を行う。このときの透過光路長の１／２の距
離ａ／２で絶縁紙の反射光強度を測定すれば、往復の絶
縁油の吸収をキャンセルでき、正確な絶縁紙の反射吸光
度値を得られる。
化度を反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度比
（Ａλ′）で診断しようとする場合、劣化の程度が小さ
いうちは問題ないが、劣化が進行して絶縁油自身が着色
してくると、絶縁油の吸収の影響で正確な反射吸光度値
が得られなくなる。図６に絶縁油の波長６６０ｎｍと８
５０ｎｍ間における光透過損失差のマスターカーブの例
を示したが、劣化が進行してくると光透過損失差は指数
関数的に増大する傾向がある。この絶縁油の劣化に伴う
吸収の増大を補正するために、本発明では、絶縁油の距
離ａにおける透過光強度を各波長ごとに測定し、波長間
の強度補正を行う。このときの透過光路長の１／２の距
離ａ／２で絶縁紙の反射光強度を測定すれば、往復の絶
縁油の吸収をキャンセルでき、正確な絶縁紙の反射吸光
度値を得られる。
【００２０】
【発明の実施の形態】以下、実施例を用いて本発明を詳
細に説明する。
細に説明する。
【００２１】（実施例１）図１は油入電気機器（変圧
器）の劣化診断装置の適用形態を示す模式図である。ま
た、図７に劣化度判定のための演算のフローチャート図
を示す。図１において、劣化度演算部１０はハードディ
スクユニットが内蔵されたノートブック型パーソナルコ
ンピュータを用いている。まず、各光源波長に対する絶
縁油の透過光量を各々測定し、透過光強度が一定値とな
るように補正する。本実施例では２波長を用いた装置構
成での説明をする。２種類のＬＥＤ光源を内蔵する光源
部８から発生したピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色光
は、照射用光ファイバー６に導かれ、図２に示されたプ
ローブ５内に到達し、ハーフミラー１１を透過した後、
距離ａの絶縁油中を透過する。この透過光は受光部１３
を経た後、受光用光ファイバー７を通り光量測定部９に
伝送される。光量測定部９はフォトダイオードを内蔵し
た光パワーメータを用いている。同様に、光源部８から
発生したピーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて
同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が等しくなる
ように光源部の光強度調整ダイアルを調節する。本測定
ではこのベース値を６００ｎＷに調節した。この操作を
行うことにより、絶縁紙の劣化診断に対する絶縁油の劣
化に伴う光吸収の影響を補正することができる。次に、
本質的に寿命を支配している絶縁紙の反射光量を測定す
る。光源部８からのピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色
光は、同様の操作により照射用光ファイバー６に導か
れ、プローブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面に照射
される。プローブ５の反射光測定部側は、図２に示した
ように外部の迷光を遮断する遮へいリング構造を有して
いる。さらに図２に示したように透過光強度を測定した
光路長の１／２の距離を保てるように設計されている。
コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受光用光ファイバ
ー７を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、
反射光量Ｉ1′が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′
が出力される。劣化度演算部１０では、６６０ｎｍにお
ける反射率Ｒ660（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝６０
０）が算出、メモリー上に記憶される。同様にして、ピ
ーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて同じ操作が
行われ、劣化度演算部１０において８５０ｎｍにおける
反射率Ｒ850（＝１００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝６００）が
算出、メモリー上に記憶される。このようにして、６６
０，８５０ｎｍにおける反射率が得られるので、劣化度
演算部１０において２波長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝
Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1
／Ａλ2）が求められる。ハードディスクユニットに
は、図５，図９に示したような劣化度に対応した反射吸
光度差あるいは反射吸光度比がマスターカーブとして予
め記憶されており、劣化度演算部１０に出力する。この
記憶された関数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸
光度比の値から劣化度演算部１０で比較演算して劣化度
を判定し、外部（図示省略）のプリンタ等に測定結果と
して出力する。
器）の劣化診断装置の適用形態を示す模式図である。ま
た、図７に劣化度判定のための演算のフローチャート図
を示す。図１において、劣化度演算部１０はハードディ
スクユニットが内蔵されたノートブック型パーソナルコ
ンピュータを用いている。まず、各光源波長に対する絶
縁油の透過光量を各々測定し、透過光強度が一定値とな
るように補正する。本実施例では２波長を用いた装置構
成での説明をする。２種類のＬＥＤ光源を内蔵する光源
部８から発生したピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色光
は、照射用光ファイバー６に導かれ、図２に示されたプ
ローブ５内に到達し、ハーフミラー１１を透過した後、
距離ａの絶縁油中を透過する。この透過光は受光部１３
を経た後、受光用光ファイバー７を通り光量測定部９に
伝送される。光量測定部９はフォトダイオードを内蔵し
た光パワーメータを用いている。同様に、光源部８から
発生したピーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて
同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が等しくなる
ように光源部の光強度調整ダイアルを調節する。本測定
ではこのベース値を６００ｎＷに調節した。この操作を
行うことにより、絶縁紙の劣化診断に対する絶縁油の劣
化に伴う光吸収の影響を補正することができる。次に、
本質的に寿命を支配している絶縁紙の反射光量を測定す
る。光源部８からのピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色
光は、同様の操作により照射用光ファイバー６に導か
れ、プローブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面に照射
される。プローブ５の反射光測定部側は、図２に示した
ように外部の迷光を遮断する遮へいリング構造を有して
いる。さらに図２に示したように透過光強度を測定した
光路長の１／２の距離を保てるように設計されている。
コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受光用光ファイバ
ー７を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、
反射光量Ｉ1′が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′
が出力される。劣化度演算部１０では、６６０ｎｍにお
ける反射率Ｒ660（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝６０
０）が算出、メモリー上に記憶される。同様にして、ピ
ーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて同じ操作が
行われ、劣化度演算部１０において８５０ｎｍにおける
反射率Ｒ850（＝１００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝６００）が
算出、メモリー上に記憶される。このようにして、６６
０，８５０ｎｍにおける反射率が得られるので、劣化度
演算部１０において２波長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝
Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1
／Ａλ2）が求められる。ハードディスクユニットに
は、図５，図９に示したような劣化度に対応した反射吸
光度差あるいは反射吸光度比がマスターカーブとして予
め記憶されており、劣化度演算部１０に出力する。この
記憶された関数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸
光度比の値から劣化度演算部１０で比較演算して劣化度
を判定し、外部（図示省略）のプリンタ等に測定結果と
して出力する。
【００２２】なお、本実施例では２波長を用いた材料の
劣化度測定装置を説明したが、３波長でも測定装置を同
様に操作し、３波長用のマスターカーブを用いて劣化度
を判定できる。さらに、光を時分割で照射せずに合波し
て同時に照射しても一向に差し支えない。この場合は検
出器（光量測定部）側でフィルターをかけるなどすると
効果的である。本装置はオンラインでの常時監視の目的
でも、携帯して点検運用する目的でもどちらの場合にも
適用できる。
劣化度測定装置を説明したが、３波長でも測定装置を同
様に操作し、３波長用のマスターカーブを用いて劣化度
を判定できる。さらに、光を時分割で照射せずに合波し
て同時に照射しても一向に差し支えない。この場合は検
出器（光量測定部）側でフィルターをかけるなどすると
効果的である。本装置はオンラインでの常時監視の目的
でも、携帯して点検運用する目的でもどちらの場合にも
適用できる。
【００２３】（実施例２）実施例１と同様にして、図８
に示した絶縁媒体としてパーフルオロカーボン液１４を
用いた変圧器に対して劣化診断を適用した例を示す。ま
ず、各光源波長に対するパーフルオロカーボン液の透過
光量を各々測定し、透過光強度が一定値となるように補
正する。２種類のＬＤ光源を内蔵する光源部８から発生
したピーク波長λ１＝７８０ｎｍの単色光は、照射用光
ファイバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内に
到達し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａのパー
フルオロカーボン液中を透過する。この透過光は受光部
１３を経た後、受光用光ファイバー７を通り光量測定部
９に伝送される。同様に、光源部８から発生したピーク
波長λ２＝１３１０ｎｍの単色光を用いて同じ操作を行
い、λ１とλ２の透過光強度が等しくなるように光源部
の光強度調整ダイアルを調節する。本測定ではこのベー
ス値を１.０μＷ に調節した。次に、絶縁紙の反射光量
を測定する。光源部８からのピーク波長λ１＝７８０ｎ
ｍの単色光は、同様の操作により照射用光ファイバー６
に導かれ、プローブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面
に照射される。コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受
光用光ファイバー７を経由して、その伝送光は光量測定
部９に送られ、反射光量Ｉ1′ が測定され劣化度演算部
１０に結果Ｉ1′ が出力される。劣化度演算部１０で
は、７８０ｎｍにおける反射率Ｒ780(＝１００×Ｉ1′
／Ｉ0，Ｉ0＝１.０）が算出、メモリー上に記憶され
る。同様にして、ピーク波長λ２＝１３１０ｎｍの単色
光を用いて同じ操作が行われ、劣化度演算部１０におい
て１３１０ｎｍにおける反射率Ｒ1310（＝１００×
Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝１.０）が算出、メモリー上に記憶さ
れる。このようにして、７８０，１３１０ｎｍにおける
反射率が得られるので、劣化度演算部１０において２波
長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは
反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求められる。
ハードディスクユニットには、図５，図９に示したよう
な劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比
がマスターカーブとして予め記憶されており、劣化度演
算部１０に出力する。この記憶された関数値と実測の反
射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部
１０で比較演算して劣化度を判定する。
に示した絶縁媒体としてパーフルオロカーボン液１４を
用いた変圧器に対して劣化診断を適用した例を示す。ま
ず、各光源波長に対するパーフルオロカーボン液の透過
光量を各々測定し、透過光強度が一定値となるように補
正する。２種類のＬＤ光源を内蔵する光源部８から発生
したピーク波長λ１＝７８０ｎｍの単色光は、照射用光
ファイバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内に
到達し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａのパー
フルオロカーボン液中を透過する。この透過光は受光部
１３を経た後、受光用光ファイバー７を通り光量測定部
９に伝送される。同様に、光源部８から発生したピーク
波長λ２＝１３１０ｎｍの単色光を用いて同じ操作を行
い、λ１とλ２の透過光強度が等しくなるように光源部
の光強度調整ダイアルを調節する。本測定ではこのベー
ス値を１.０μＷ に調節した。次に、絶縁紙の反射光量
を測定する。光源部８からのピーク波長λ１＝７８０ｎ
ｍの単色光は、同様の操作により照射用光ファイバー６
に導かれ、プローブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面
に照射される。コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受
光用光ファイバー７を経由して、その伝送光は光量測定
部９に送られ、反射光量Ｉ1′ が測定され劣化度演算部
１０に結果Ｉ1′ が出力される。劣化度演算部１０で
は、７８０ｎｍにおける反射率Ｒ780(＝１００×Ｉ1′
／Ｉ0，Ｉ0＝１.０）が算出、メモリー上に記憶され
る。同様にして、ピーク波長λ２＝１３１０ｎｍの単色
光を用いて同じ操作が行われ、劣化度演算部１０におい
て１３１０ｎｍにおける反射率Ｒ1310（＝１００×
Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝１.０）が算出、メモリー上に記憶さ
れる。このようにして、７８０，１３１０ｎｍにおける
反射率が得られるので、劣化度演算部１０において２波
長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは
反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求められる。
ハードディスクユニットには、図５，図９に示したよう
な劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比
がマスターカーブとして予め記憶されており、劣化度演
算部１０に出力する。この記憶された関数値と実測の反
射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部
１０で比較演算して劣化度を判定する。
【００２４】（実施例３）実施例１，２と同様にして、
図１０に示した絶縁媒体としてＳＦ6 ガス１５を用いた
変圧器に対して劣化診断を適用した例を示す。まず、各
光源波長に対するＳＦ6 ガスの透過光量を各々測定し、
透過光強度が一定値となるように補正する。２種類のＬ
Ｄ光源を内蔵する光源部８から発生したピーク波長λ１
＝７８０nmの単色光は、照射用光ファイバー６に導か
れ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハーフミラ
ー１１を透過した後、距離ａのＳＦ6 ガス中を透過す
る。この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイ
バー７を通り光量測定部９に伝送される。同様に、光源
部８から発生したピーク波長λ２＝１３１０ｎｍの単色
光を用いて同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が
等しくなるように光源部の光強度調整ダイアルを調節す
る。本測定ではこのベース値を１.５μＷ に調節した。
次に、絶縁紙の反射光量を測定する。光源部８からのピ
ーク波長λ１＝780ｎｍの単色光は、同様の操作により
照射用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイ
ル２上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙
表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、
その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉ1′が
測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′が出力される。
劣化度演算部１０では、７８０ｎｍにおける反射率Ｒ
780（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝１.５)が算出、メモ
リー上に記憶される。同様にして、ピーク波長λ２＝13
10nmの単色光を用いて同じ操作が行われ、劣化度演算部
１０において１３１０ｎｍにおける反射率Ｒ1310（＝１
００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝１.５）が算出、メモリー上に
記憶される。このようにして、７８０，１３１０ｎｍに
おける反射率が得られるので、劣化度演算部１０におい
て２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−Ａλ2）あ
るいは反射吸光度比Ａλ′(＝Ａλ1／Ａλ2）が求めら
れる。ハードディスクユニットには、図５，図９に示し
たような劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸
光度比がマスターカーブとして予め記憶されており、劣
化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と実
測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度
演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
図１０に示した絶縁媒体としてＳＦ6 ガス１５を用いた
変圧器に対して劣化診断を適用した例を示す。まず、各
光源波長に対するＳＦ6 ガスの透過光量を各々測定し、
透過光強度が一定値となるように補正する。２種類のＬ
Ｄ光源を内蔵する光源部８から発生したピーク波長λ１
＝７８０nmの単色光は、照射用光ファイバー６に導か
れ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハーフミラ
ー１１を透過した後、距離ａのＳＦ6 ガス中を透過す
る。この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイ
バー７を通り光量測定部９に伝送される。同様に、光源
部８から発生したピーク波長λ２＝１３１０ｎｍの単色
光を用いて同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が
等しくなるように光源部の光強度調整ダイアルを調節す
る。本測定ではこのベース値を１.５μＷ に調節した。
次に、絶縁紙の反射光量を測定する。光源部８からのピ
ーク波長λ１＝780ｎｍの単色光は、同様の操作により
照射用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイ
ル２上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙
表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、
その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉ1′が
測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′が出力される。
劣化度演算部１０では、７８０ｎｍにおける反射率Ｒ
780（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝１.５)が算出、メモ
リー上に記憶される。同様にして、ピーク波長λ２＝13
10nmの単色光を用いて同じ操作が行われ、劣化度演算部
１０において１３１０ｎｍにおける反射率Ｒ1310（＝１
００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝１.５）が算出、メモリー上に
記憶される。このようにして、７８０，１３１０ｎｍに
おける反射率が得られるので、劣化度演算部１０におい
て２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−Ａλ2）あ
るいは反射吸光度比Ａλ′(＝Ａλ1／Ａλ2）が求めら
れる。ハードディスクユニットには、図５，図９に示し
たような劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸
光度比がマスターカーブとして予め記憶されており、劣
化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と実
測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度
演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
【００２５】（実施例４）実施例１〜３と同様にして、
図１１に示した樹脂モールド方式の乾式変圧器に対して
劣化診断を適用した例を示す。まず、各光源波長に対し
ての透過光量を各々測定し、透過光強度が一定値となる
ように補正する。この場合の媒体は空気である。２種類
のＬＥＤ光源を内蔵する光源部８から発生したピーク波
長λ１＝６６０ｎｍの単色光は、照射用光ファイバー６
に導かれ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハー
フミラー１１を透過した後、距離ａの間隙部を透過す
る。この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイ
バー７を通り光量測定部９に伝送される。同様に、光源
部８から発生したピーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光
を用いて同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が等
しくなるように光源部の光強度調整ダイアルを調節す
る。本測定ではこのベース値を８００ｎＷに調節した。
次に、エポキシモールド樹脂１６の反射光量を測定す
る。光源部８からのピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色
光は、同様の操作により照射用光ファイバー６に導か
れ、プローブ５を通りコイル２上のエポキシモールド樹
脂の表面に照射される。コイル２のエポキシモールド樹
脂表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由し
て、その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量
Ｉ1′ が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′ が出力
される。劣化度演算部１０では、６６０ｎｍにおける反
射率Ｒ660（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝８００）が算
出、メモリー上に記憶される。同様にして、ピーク波長
λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて同じ操作が行われ、
劣化度演算部１０において８５０ｎｍにおける反射率Ｒ
850（＝１００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝８００）が算出、メ
モリー上に記憶される。このようにして、６６０，８５
０ｎｍにおける反射率が得られるので、劣化度演算部１
０において２波長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−
Ａλ2）あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／
Ａλ2）が求められる。ハードディスクユニットには、
図５，図９に示したような劣化度に対応した反射吸光度
差あるいは反射吸光度比がマスターカーブとして予め記
憶されており、劣化度演算部１０に出力する。この記憶
された関数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度
比の値から劣化度演算部１０で比較演算して劣化度を判
定する。
図１１に示した樹脂モールド方式の乾式変圧器に対して
劣化診断を適用した例を示す。まず、各光源波長に対し
ての透過光量を各々測定し、透過光強度が一定値となる
ように補正する。この場合の媒体は空気である。２種類
のＬＥＤ光源を内蔵する光源部８から発生したピーク波
長λ１＝６６０ｎｍの単色光は、照射用光ファイバー６
に導かれ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハー
フミラー１１を透過した後、距離ａの間隙部を透過す
る。この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイ
バー７を通り光量測定部９に伝送される。同様に、光源
部８から発生したピーク波長λ２＝８５０ｎｍの単色光
を用いて同じ操作を行い、λ１とλ２の透過光強度が等
しくなるように光源部の光強度調整ダイアルを調節す
る。本測定ではこのベース値を８００ｎＷに調節した。
次に、エポキシモールド樹脂１６の反射光量を測定す
る。光源部８からのピーク波長λ１＝６６０ｎｍの単色
光は、同様の操作により照射用光ファイバー６に導か
れ、プローブ５を通りコイル２上のエポキシモールド樹
脂の表面に照射される。コイル２のエポキシモールド樹
脂表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由し
て、その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量
Ｉ1′ が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉ1′ が出力
される。劣化度演算部１０では、６６０ｎｍにおける反
射率Ｒ660（＝１００×Ｉ1′／Ｉ0，Ｉ0＝８００）が算
出、メモリー上に記憶される。同様にして、ピーク波長
λ２＝８５０ｎｍの単色光を用いて同じ操作が行われ、
劣化度演算部１０において８５０ｎｍにおける反射率Ｒ
850（＝１００×Ｉ2′／Ｉ0，Ｉ0＝８００）が算出、メ
モリー上に記憶される。このようにして、６６０，８５
０ｎｍにおける反射率が得られるので、劣化度演算部１
０において２波長間の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−
Ａλ2）あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／
Ａλ2）が求められる。ハードディスクユニットには、
図５，図９に示したような劣化度に対応した反射吸光度
差あるいは反射吸光度比がマスターカーブとして予め記
憶されており、劣化度演算部１０に出力する。この記憶
された関数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度
比の値から劣化度演算部１０で比較演算して劣化度を判
定する。
【００２６】（実施例５）実施例１と同様にして、光源
部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用いた場
合の油入変圧器に対する劣化診断装置の適用例を示す。
まず、絶縁油の波長依存性を測定する。光源部８からの
連続光は、分光器を介して照射用光ファイバー６に導か
れ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハーフミラ
ー１１を透過した後、距離ａの絶縁油中を透過する。こ
の透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイバー７
を通り光量測定部９に伝送され、各波長λにおける基準
光量Ｉλが得られる。波長依存性の測定範囲は特に制限
されるものではないが、400〜１５００ｎｍの領域で十
分である。次に、絶縁紙の反射光量の波長依存性を測定
する。光源部８からの連続光は、同様の操作により照射
用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイル２
上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙表面
からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、その
伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉλ′が測定
され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。劣化
度演算部１０では、各波長における反射率Ｒλ（＝１０
０×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモリー上に記憶され
るので、劣化度演算部１０において任意の２波長間の反
射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射吸光
度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求められる。ハードデ
ィスクユニットには、図５，図９に示したような劣化度
に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比がマスタ
ーカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部１０
に出力する。この記憶された関数値と実測の反射吸光度
差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部１０で比
較演算して劣化度を判定し、外部（図示省略）のプリン
タ等に測定結果として出力する。
部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用いた場
合の油入変圧器に対する劣化診断装置の適用例を示す。
まず、絶縁油の波長依存性を測定する。光源部８からの
連続光は、分光器を介して照射用光ファイバー６に導か
れ、図２に示されたプローブ５内に到達し、ハーフミラ
ー１１を透過した後、距離ａの絶縁油中を透過する。こ
の透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイバー７
を通り光量測定部９に伝送され、各波長λにおける基準
光量Ｉλが得られる。波長依存性の測定範囲は特に制限
されるものではないが、400〜１５００ｎｍの領域で十
分である。次に、絶縁紙の反射光量の波長依存性を測定
する。光源部８からの連続光は、同様の操作により照射
用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイル２
上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙表面
からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、その
伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉλ′が測定
され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。劣化
度演算部１０では、各波長における反射率Ｒλ（＝１０
０×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモリー上に記憶され
るので、劣化度演算部１０において任意の２波長間の反
射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射吸光
度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求められる。ハードデ
ィスクユニットには、図５，図９に示したような劣化度
に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比がマスタ
ーカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部１０
に出力する。この記憶された関数値と実測の反射吸光度
差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部１０で比
較演算して劣化度を判定し、外部（図示省略）のプリン
タ等に測定結果として出力する。
【００２７】（実施例６）実施例５と同様にして、光源
部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用いた場
合のパーフルオロカーボン液入変圧器に対する劣化診断
装置の適用例を示す。まず、パーフルオロカーボン液の
波長依存性を測定する。光源部８からの連続光は、分光
器を介して照射用光ファイバー６に導かれ、図２に示さ
れたプローブ５内に到達し、ハーフミラー１１を透過し
た後、距離ａのパーフルオロカーボン液中を透過する。
この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイバー
７を通り光量測定部９に伝送され、各波長λにおける基
準光量Ｉλが得られる。波長依存性の測定範囲は特に制
限されるものではないが、４００〜１５００ｎｍの領域
で十分である。次に、絶縁紙の反射光量の波長依存性を
測定する。光源部８からの連続光は、同様の操作により
照射用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイ
ル２上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙
表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、
その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉλ′が
測定され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。
劣化度演算部１０では、各波長における反射率Ｒλ（＝
１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモリー上に記憶
されるので、劣化度演算部１０において任意の２波長間
の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射
吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2)が求められる。ハー
ドディスクユニットには、図５，図９に示したような劣
化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比がマ
スターカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部
１０に出力する。この記憶された関数値と実測の反射吸
光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部１０
で比較演算して劣化度を判定する。
部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用いた場
合のパーフルオロカーボン液入変圧器に対する劣化診断
装置の適用例を示す。まず、パーフルオロカーボン液の
波長依存性を測定する。光源部８からの連続光は、分光
器を介して照射用光ファイバー６に導かれ、図２に示さ
れたプローブ５内に到達し、ハーフミラー１１を透過し
た後、距離ａのパーフルオロカーボン液中を透過する。
この透過光は受光部１３を経た後、受光用光ファイバー
７を通り光量測定部９に伝送され、各波長λにおける基
準光量Ｉλが得られる。波長依存性の測定範囲は特に制
限されるものではないが、４００〜１５００ｎｍの領域
で十分である。次に、絶縁紙の反射光量の波長依存性を
測定する。光源部８からの連続光は、同様の操作により
照射用光ファイバー６に導かれ、プローブ５を通りコイ
ル２上の絶縁紙の表面に照射される。コイル２の絶縁紙
表面からの反射光を受光用光ファイバー７を経由して、
その伝送光は光量測定部９に送られ、反射光量Ｉλ′が
測定され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。
劣化度演算部１０では、各波長における反射率Ｒλ（＝
１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモリー上に記憶
されるので、劣化度演算部１０において任意の２波長間
の反射吸光度差ΔＡλ（＝Ａλ1−Ａλ2）あるいは反射
吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2)が求められる。ハー
ドディスクユニットには、図５，図９に示したような劣
化度に対応した反射吸光度差あるいは反射吸光度比がマ
スターカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部
１０に出力する。この記憶された関数値と実測の反射吸
光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化度演算部１０
で比較演算して劣化度を判定する。
【００２８】（実施例７）実施例５，６と同様にして、
光源部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用い
た場合のＳＦ6 ガス変圧器に対する劣化診断装置の適用
例を示す。まず、ＳＦ6 ガスの波長依存性を測定する。
光源部８からの連続光は、分光器を介して照射用光ファ
イバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内に到達
し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａのＳＦ6 ガ
ス中を透過する。この透過光は受光部１３を経た後、受
光用光ファイバー７を通り光量測定部９に伝送され、各
波長λにおける基準光量Ｉλが得られる。波長依存性の
測定範囲は特に制限されるものではないが、４００〜１
５００ｎｍの領域で十分である。次に、絶縁紙の反射光
量の波長依存性を測定する。光源部８からの連続光は、
同様の操作により照射用光ファイバー６に導かれ、プロ
ーブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面に照射される。
コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受光用光ファイバ
ー７を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、
反射光量Ｉλ′が測定され劣化度演算部１０に結果
Ｉλ′が出力される。劣化度演算部１０では、各波長に
おける反射率Ｒλ（＝１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出さ
れ、メモリー上に記憶されるので、劣化度演算部１０に
おいて任意の２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−
Ａλ2)あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）
が求められる。ハードディスクユニットには、図５，図
９に示したような劣化度に対応した反射吸光度差あるい
は反射吸光度比がマスターカーブとして予め記憶されて
おり、劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関
数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値か
ら劣化度演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
光源部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用い
た場合のＳＦ6 ガス変圧器に対する劣化診断装置の適用
例を示す。まず、ＳＦ6 ガスの波長依存性を測定する。
光源部８からの連続光は、分光器を介して照射用光ファ
イバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内に到達
し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａのＳＦ6 ガ
ス中を透過する。この透過光は受光部１３を経た後、受
光用光ファイバー７を通り光量測定部９に伝送され、各
波長λにおける基準光量Ｉλが得られる。波長依存性の
測定範囲は特に制限されるものではないが、４００〜１
５００ｎｍの領域で十分である。次に、絶縁紙の反射光
量の波長依存性を測定する。光源部８からの連続光は、
同様の操作により照射用光ファイバー６に導かれ、プロ
ーブ５を通りコイル２上の絶縁紙の表面に照射される。
コイル２の絶縁紙表面からの反射光を受光用光ファイバ
ー７を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、
反射光量Ｉλ′が測定され劣化度演算部１０に結果
Ｉλ′が出力される。劣化度演算部１０では、各波長に
おける反射率Ｒλ（＝１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出さ
れ、メモリー上に記憶されるので、劣化度演算部１０に
おいて任意の２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−
Ａλ2)あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）
が求められる。ハードディスクユニットには、図５，図
９に示したような劣化度に対応した反射吸光度差あるい
は反射吸光度比がマスターカーブとして予め記憶されて
おり、劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関
数値と実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値か
ら劣化度演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
【００２９】（実施例８）実施例５〜７と同様にして、
光源部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用い
た場合の樹脂モールド方式の乾式変圧器に対する劣化診
断装置の適用例を示す。まず、光源の波長依存性を測定
する。光源部８からの連続光は、分光器を介して照射用
光ファイバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内
に到達し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａの間
隙部を透過する。この透過光は受光部１３を経た後、受
光用光ファイバー７を通り光量測定部９に伝送され、各
波長λにおける基準光量Ｉλが得られる。波長依存性の
測定範囲は特に制限されるものではないが、４００〜１
５００ｎｍの領域で十分である。次に、エポキシモール
ド樹脂１６の反射光量の波長依存性を測定する。光源部
８からの連続光は、同様の操作により照射用光ファイバ
ー６に導かれ、プローブ５を通りコイル２上のエポキシ
モールド樹脂の表面に照射される。コイル２のエポキシ
モールド樹脂表面からの反射光を受光用光ファイバー７
を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、反射
光量Ｉλ′が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が
出力される。劣化度演算部１０では、各波長における反
射率Ｒλ（＝１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモ
リー上に記憶されるので、劣化度演算部１０において任
意の２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−Ａλ2）
あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求め
られる。ハードディスクユニットには、図５，図９に示
したような劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射
吸光度比がマスターカーブとして予め記憶されており、
劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と
実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化
度演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
光源部８に白色連続光を照射するハロゲンランプを用い
た場合の樹脂モールド方式の乾式変圧器に対する劣化診
断装置の適用例を示す。まず、光源の波長依存性を測定
する。光源部８からの連続光は、分光器を介して照射用
光ファイバー６に導かれ、図２に示されたプローブ５内
に到達し、ハーフミラー１１を透過した後、距離ａの間
隙部を透過する。この透過光は受光部１３を経た後、受
光用光ファイバー７を通り光量測定部９に伝送され、各
波長λにおける基準光量Ｉλが得られる。波長依存性の
測定範囲は特に制限されるものではないが、４００〜１
５００ｎｍの領域で十分である。次に、エポキシモール
ド樹脂１６の反射光量の波長依存性を測定する。光源部
８からの連続光は、同様の操作により照射用光ファイバ
ー６に導かれ、プローブ５を通りコイル２上のエポキシ
モールド樹脂の表面に照射される。コイル２のエポキシ
モールド樹脂表面からの反射光を受光用光ファイバー７
を経由して、その伝送光は光量測定部９に送られ、反射
光量Ｉλ′が測定され劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が
出力される。劣化度演算部１０では、各波長における反
射率Ｒλ（＝１００×Ｉλ′／Ｉλ）が算出され、メモ
リー上に記憶されるので、劣化度演算部１０において任
意の２波長間の反射吸光度差ΔＡλ(＝Ａλ1−Ａλ2）
あるいは反射吸光度比Ａλ′（＝Ａλ1／Ａλ2）が求め
られる。ハードディスクユニットには、図５，図９に示
したような劣化度に対応した反射吸光度差あるいは反射
吸光度比がマスターカーブとして予め記憶されており、
劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と
実測の反射吸光度差あるいは反射吸光度比の値から劣化
度演算部１０で比較演算して劣化度を判定する。
【００３０】（実施例９）実施例１の装置構成で、絶縁
油の２波長間の光透過損失差をパラメータとして劣化診
断を行う例について示す。まず、各光源波長に対しての
空気中での透過光量を各々測定する。光源としては２種
類のＬＥＤ光源（λ１＝６６０ｎｍ，λ２＝８５０ｎ
ｍ）を用いた。距離ａ（cm）の間隙部を透過したときの
各波長における基準光量をそれぞれ測定し、これをＩ
λ1，Ｉλ2とする。次に、同様にして絶縁油中での透過
光量をそれぞれ測定する。６６０ｎｍにおける絶縁油の
透過光量Ｉλ1′を測定し、劣化度演算部１０に結果Ｉ
λ1′が出力される。劣化度演算部１０では、６６０ｎ
ｍにおける光透過損失αλ1（＝−１０／ａ×log
(Ｉλ1′／Ｉλ1），単位ｄＢ／cm)が算出、メモリー上
に記憶される。同様にして、８５０ｎｍの単色光を用い
て同じ操作が行われ、劣化度演算部１０において８５０
ｎｍにおける光透過損失αλ2（＝−１０／ａ×log（Ｉ
λ2′／Ｉλ2），単位ｄＢ／cm)が算出、メモリー上に
記憶される。このようにして、６６０ｎｍ,８５０ｎｍ
における光透過損失が得られるので、劣化度演算部１０
において２波長間の光透過損失差Δαλ（＝αλ1−α
λ2）が求められる。ハードディスクユニットには、図
６に示したような劣化度に対応した光透過損失差がマス
ターカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部１
０に出力する。この記憶された関数値と実測の絶縁油の
光透過損失差の値から劣化度演算部１０で比較演算して
劣化度を判定できる。
油の２波長間の光透過損失差をパラメータとして劣化診
断を行う例について示す。まず、各光源波長に対しての
空気中での透過光量を各々測定する。光源としては２種
類のＬＥＤ光源（λ１＝６６０ｎｍ，λ２＝８５０ｎ
ｍ）を用いた。距離ａ（cm）の間隙部を透過したときの
各波長における基準光量をそれぞれ測定し、これをＩ
λ1，Ｉλ2とする。次に、同様にして絶縁油中での透過
光量をそれぞれ測定する。６６０ｎｍにおける絶縁油の
透過光量Ｉλ1′を測定し、劣化度演算部１０に結果Ｉ
λ1′が出力される。劣化度演算部１０では、６６０ｎ
ｍにおける光透過損失αλ1（＝−１０／ａ×log
(Ｉλ1′／Ｉλ1），単位ｄＢ／cm)が算出、メモリー上
に記憶される。同様にして、８５０ｎｍの単色光を用い
て同じ操作が行われ、劣化度演算部１０において８５０
ｎｍにおける光透過損失αλ2（＝−１０／ａ×log（Ｉ
λ2′／Ｉλ2），単位ｄＢ／cm)が算出、メモリー上に
記憶される。このようにして、６６０ｎｍ,８５０ｎｍ
における光透過損失が得られるので、劣化度演算部１０
において２波長間の光透過損失差Δαλ（＝αλ1−α
λ2）が求められる。ハードディスクユニットには、図
６に示したような劣化度に対応した光透過損失差がマス
ターカーブとして予め記憶されており、劣化度演算部１
０に出力する。この記憶された関数値と実測の絶縁油の
光透過損失差の値から劣化度演算部１０で比較演算して
劣化度を判定できる。
【００３１】（実施例１０）実施例５の装置構成で、絶
縁油の２波長間の光透過損失差をパラメータとして劣化
診断を行う例について示す。まず、白色連続光に対して
の空気中での透過光量を各々測定する。光源としてはハ
ロゲンランプを用いた。距離ａ（cm）の間隙部を透過し
たときの各波長における基準光量をそれぞれ測定し、こ
れをＩλとする。波長λの範囲は特に制限されるもので
はないが、４００〜１５００ｎｍの領域で十分である。
次に、絶縁油中での各波長における透過光量をそれぞれ
測定する。波長λにおける絶縁油の透過光量Ｉλ′を測
定し、劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。劣
化度演算部１０では、波長λにおける光透過損失α
λ(＝−１０／ａ×log（Ｉλ′／Ｉλ），単位ｄＢ／c
m）が算出、メモリー上に記憶される。このようにし
て、各波長における光透過損失が得られるので、劣化度
演算部１０において任意の２波長間の光透過損失差Δα
λ（＝αλ1−αλ2）が求められる。ハードディスクユ
ニットには、図６に示したような劣化度に対応した光透
過損失差がマスターカーブとして予め記憶されており、
劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と
実測の絶縁油の光透過損失差の値から劣化度演算部１０
で比較演算して劣化度を判定できる。
縁油の２波長間の光透過損失差をパラメータとして劣化
診断を行う例について示す。まず、白色連続光に対して
の空気中での透過光量を各々測定する。光源としてはハ
ロゲンランプを用いた。距離ａ（cm）の間隙部を透過し
たときの各波長における基準光量をそれぞれ測定し、こ
れをＩλとする。波長λの範囲は特に制限されるもので
はないが、４００〜１５００ｎｍの領域で十分である。
次に、絶縁油中での各波長における透過光量をそれぞれ
測定する。波長λにおける絶縁油の透過光量Ｉλ′を測
定し、劣化度演算部１０に結果Ｉλ′が出力される。劣
化度演算部１０では、波長λにおける光透過損失α
λ(＝−１０／ａ×log（Ｉλ′／Ｉλ），単位ｄＢ／c
m）が算出、メモリー上に記憶される。このようにし
て、各波長における光透過損失が得られるので、劣化度
演算部１０において任意の２波長間の光透過損失差Δα
λ（＝αλ1−αλ2）が求められる。ハードディスクユ
ニットには、図６に示したような劣化度に対応した光透
過損失差がマスターカーブとして予め記憶されており、
劣化度演算部１０に出力する。この記憶された関数値と
実測の絶縁油の光透過損失差の値から劣化度演算部１０
で比較演算して劣化度を判定できる。
【００３２】
【発明の効果】本発明によれば、稼働中の機器の運転を
特に停止することなく、油入電気機器に使用されている
鉱油系絶縁油，パーフルオロカーボン液等の絶縁媒体や
セルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁方式電気機器
の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気機器中の絶縁
材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診断方法及び装
置を得ることが可能となる。
特に停止することなく、油入電気機器に使用されている
鉱油系絶縁油，パーフルオロカーボン液等の絶縁媒体や
セルロース系絶縁材料，樹脂モールド絶縁方式電気機器
の樹脂材料，ＳＦ6 等のガス絶縁方式電気機器中の絶縁
材料の劣化度を非破壊で診断できる劣化診断方法及び装
置を得ることが可能となる。
【図１】油入電気機器（変圧器）の劣化診断装置の適用
形態を示す模式図。
形態を示す模式図。
【図２】プローブの模式断面図。
【図３】材料の反射吸光度スペクトル変化の概念図。
【図４】絶縁紙の平均重合度残率と反射吸光度差との関
係図の例。
係図の例。
【図５】劣化度判定の基準となる絶縁紙の反射吸光度差
マスターカーブの例。
マスターカーブの例。
【図６】絶縁油の光透過損失差のマスターカーブの例。
【図７】劣化度判定のための演算のフローチャート図。
【図８】パーフルオロカーボン液入変圧器への適用形態
を示す模式図。
を示す模式図。
【図９】劣化度判定の基準となる絶縁紙の反射吸光度比
マスターカーブの例。
マスターカーブの例。
【図１０】ＳＦ6 ガス変圧器への適用形態を示す模式
図。
図。
【図１１】樹脂モールド方式の乾式変圧器への適用形態
を示す模式図。
を示す模式図。
１…油入電気機器（変圧器）、２…コイル、３…鉄心、
４…絶縁油、５…プローブ、６…照射用光ファイバー、
７…受光用光ファイバー、８…光源部、９…光量測定
部、１０…劣化度演算部、１１…ハーフミラー、１２…
迷光遮へいリング、１３…受光部、１４…パーフルオロ
カーボン液、１５…ＳＦ6 ガス、１６…エポキシモール
ド樹脂。
４…絶縁油、５…プローブ、６…照射用光ファイバー、
７…受光用光ファイバー、８…光源部、９…光量測定
部、１０…劣化度演算部、１１…ハーフミラー、１２…
迷光遮へいリング、１３…受光部、１４…パーフルオロ
カーボン液、１５…ＳＦ6 ガス、１６…エポキシモール
ド樹脂。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 重勝 茨城県日立市国分町一丁目１番１号 株式 会社日立製作所国分工場内
Claims (14)
- 【請求項１】波長が相異なる少なくとも２種の単色光光
源からの照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に
導き、該照射用光ファイバーからの出射光は透過距離ａ
なる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部に導かれる受光
用光ファイバーに入射，伝送し、光量測定部に導かれ、
該単色光光源の光源強度を該光量測定部での強度が全て
一定値となるように光量調整した後、該単色光光源から
の照射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に導き、
透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射し、該
絶縁材料表面からの反射光を電気機器外部に導く受光用
光ファイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度演算部
において該光量測定部からの出力値より各波長における
反射吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の２波長
間の反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度比（Ａ
λ′）を（２）式あるいは（３）式で演算し、さらに予
め記憶させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差あるい
は反射吸光度比との関係（マスターカーブ）を比較演算
することによって劣化度を判定することを特徴とする電
気機器の劣化診断方法。 【数１】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） - 【請求項２】前記単色光光源として、波長６５０ｎｍ以
上１３１０ｎｍ以下のピーク波長を有する半導体レーザ
あるいは発光ダイオードを用いることを特徴とする請求
項１記載の電気機器の劣化診断方法。 - 【請求項３】前記絶縁媒体として、パーフルオロカーボ
ン液あるいは鉱油系絶縁油，ＳＦ6ガス，空気を用いる
ことを特徴とする請求項１記載の電気機器の劣化診断方
法。 - 【請求項４】前記反射光強度を測定する絶縁材料とし
て、セルロース系絶縁紙，クラフト紙，プレスボード、
あるいはモールド樹脂を用いることを特徴とする請求項
１記載の電気機器の劣化診断方法。 - 【請求項５】白色連続光を照射するハロゲンランプから
の照射光を分光器を介して照射用光ファイバーで電気機
器内部に導き、該照射用光ファイバーからの出射光は透
過距離ａなる絶縁媒体中を透過後、電気機器外部に導か
れる受光用光ファイバーに入射，伝送し、光量測定部に
導かれ、該照射光強度の波長依存性を測定した後、該照
射光を照射用光ファイバーで電気機器内部に導き、透過
距離ａ／２の位置にある絶縁材料表面に照射し、該絶縁
材料表面からの反射光を電気機器外部に導く受光用光フ
ァイバーを用いて光量測定部に導き、劣化度演算部にお
いて該光量測定部からの出力値より各波長における反射
吸光度（Ａλ）を（１）式で算出後、任意の２波長間の
反射吸光度差（ΔＡλ）あるいは反射吸光度比
（Ａλ′）を(２)式あるいは（３）式で演算し、さらに
該照射光強度の波長依存性の測定値を用いて、予め記憶
させた被測定材料の劣化度と反射吸光度差あるいは反射
吸光度比との関係（マスターカーブ）を比較演算するこ
とによって劣化度を判定することを特徴とする電気機器
の劣化診断方法。 【数２】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） - 【請求項６】前記絶縁媒体として、パーフルオロカーボ
ン液あるいは鉱油系絶縁油，ＳＦ6ガス，空気を用いる
ことを特徴とする請求項５記載の電気機器の劣化診断方
法。 - 【請求項７】前記反射光強度を測定する絶縁材料とし
て、セルロース系絶縁紙，クラフト紙，プレスボード、
あるいはモールド樹脂を用いることを特徴とする請求項
５記載の電気機器の劣化診断方法。 - 【請求項８】波長が相異なる少なくとも２種の単色光光
源からなる光源部と、該光源部からの照射光を電気機器
内部に導く照射用光ファイバーと、該照射用光ファイバ
ーで導かれた照射光が透過距離ａなる絶縁媒体中を透過
後、該透過光を電気機器外部に導く受光用光ファイバー
と、該受光用光ファイバーによって導かれた透過光の強
度を測定する光量測定部と、該単色光光源の光源強度を
該透過光強度が全て一定値となるように光量調整した
後、該光源部からの照射光を照射用光ファイバーで電気
機器内部に導き、透過距離ａ／２の位置にある絶縁材料
表面に照射し、該絶縁材料表面からの反射光を受光用光
ファイバーを用いて光量測定部に導き、該光量測定部か
らの出力値より各波長における反射吸光度（Ａλ）を
（１）式で算出後、任意の２波長間の反射吸光度差(Δ
Ａλ）あるいは反射吸光度比(Ａλ′）を（２）式ある
いは（３）式で演算し、さらに予め記憶させた被測定材
料の劣化度と反射吸光度差あるいは反射吸光度比との関
係（マスターカーブ）を比較演算することによって劣化
度を判定する劣化度演算部とを備えたことを特徴とする
電気機器の劣化診断装置。 【数３】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） - 【請求項９】前記単色光光源として、波長６５０ｎｍ以
上１３１０ｎｍ以下のピーク波長を有する半導体レーザ
あるいは発光ダイオードを用いることを特徴とする請求
項８記載の電気機器の劣化診断装置。 - 【請求項１０】前記絶縁媒体として、パーフルオロカー
ボン液あるいは鉱油系絶縁油，ＳＦ6ガス，空気を用い
ることを特徴とする請求項８記載の電気機器の劣化診断
装置。 - 【請求項１１】前記反射光強度を測定する絶縁材料とし
て、セルロース系絶縁紙，クラフト紙，プレスボード、
あるいはモールド樹脂を用いることを特徴とする請求項
８記載の電気機器の劣化診断装置。 - 【請求項１２】白色連続光を照射するハロゲンランプか
らなる光源部と、該光源部からの照射光を分光器を介し
て電気機器内部に導く照射用光ファイバーと、該照射用
光ファイバーで導かれた照射光が透過距離ａなる絶縁媒
体中を透過後、該透過光を電気機器外部に導く受光用光
ファイバーと、該受光用光ファイバーによって導かれた
透過光の強度を測定する光量測定部と、該照射光強度の
波長依存性を測定した後、該照射光を照射用光ファイバ
ーで電気機器内部に導き、透過距離ａ／２の位置にある
絶縁材料表面に照射し、該絶縁材料表面からの反射光を
受光用光ファイバーを用いて光量測定部に導き、該光量
測定部からの出力値より各波長における反射吸光度（Ａ
λ）を（１）式で算出後、任意の２波長間の反射吸光度
差(ΔＡλ)あるいは反射吸光度比（Ａλ′）を（２）式
あるいは（３）式で演算し、さらに該照射光強度の波長
依存性の測定値を用いて、予め記憶させた被測定材料の
劣化度と反射吸光度差あるいは反射吸光度比との関係
（マスターカーブ）を比較演算することによって劣化度
を判定する劣化度演算部とを備えたことを特徴とする電
気機器の劣化診断装置。 【数４】 Ａλ＝−log（Ｒλ／１００） …（１） ΔＡλ＝Ａλ1−Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（２） Ａλ′＝Ａλ1／Ａλ2（ただし、λ１＜λ２） …（３） （波長λ（ｎｍ）における被測定物の反射率をＲ
λ（％）とする） - 【請求項１３】前記絶縁媒体として、パーフルオロカー
ボン液あるいは鉱油系絶縁油，ＳＦ6ガス，空気を用い
ることを特徴とする請求項１２記載の電気機器の劣化診
断装置。 - 【請求項１４】前記反射光強度を測定する絶縁材料とし
て、セルロース系絶縁紙，クラフト紙，プレスボード、
あるいはモールド樹脂を用いることを特徴とする請求項
１２記載の電気機器の劣化診断装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16371297A JP3440759B2 (ja) | 1996-06-28 | 1997-06-20 | 電気機器の劣化診断方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8-168961 | 1996-06-28 | ||
| JP16896196 | 1996-06-28 | ||
| JP16371297A JP3440759B2 (ja) | 1996-06-28 | 1997-06-20 | 電気機器の劣化診断方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1074628A true JPH1074628A (ja) | 1998-03-17 |
| JP3440759B2 JP3440759B2 (ja) | 2003-08-25 |
Family
ID=26489081
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16371297A Expired - Lifetime JP3440759B2 (ja) | 1996-06-28 | 1997-06-20 | 電気機器の劣化診断方法及び装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3440759B2 (ja) |
Cited By (7)
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|---|---|---|---|---|
| WO2000028303A1 (fr) * | 1998-11-05 | 2000-05-18 | Hitachi, Ltd. | Procede permettant de mesurer une teneur en eau, dispositif permettant de mesurer ladite teneur en eau, et procede permettant de produire un dispositif electronique |
| WO2003044497A1 (fr) * | 2001-11-20 | 2003-05-30 | Hitachi, Ltd. | Procede de diagnostic de deterioration sans destruction et appareil de diagnostic |
| JP2007285930A (ja) * | 2006-04-18 | 2007-11-01 | Fuji Electric Systems Co Ltd | 高分子材料の劣化診断方法および装置 |
| JP2009145145A (ja) * | 2007-12-13 | 2009-07-02 | Dkk Toa Corp | 軽油識別方法及び軽油モニタ |
| KR101465787B1 (ko) * | 2013-07-08 | 2014-12-01 | 한국광기술원 | 광감지 위치 추적형 광섬유 라인 센서 및 그 외부광 입사위치 산출방법 |
| US10509021B2 (en) | 2017-10-04 | 2019-12-17 | Hitachi, Ltd. | Diagnosing device for on-load tap changing apparatus, diagnosing method for on-load tap changing apparatus, and diagnosing device for transformer |
| JP2020072118A (ja) * | 2018-10-29 | 2020-05-07 | 株式会社日立産機システム | 変圧器 |
-
1997
- 1997-06-20 JP JP16371297A patent/JP3440759B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (8)
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