JPH1065239A - 半導体レーザ駆動装置 - Google Patents
半導体レーザ駆動装置Info
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- JPH1065239A JPH1065239A JP21855596A JP21855596A JPH1065239A JP H1065239 A JPH1065239 A JP H1065239A JP 21855596 A JP21855596 A JP 21855596A JP 21855596 A JP21855596 A JP 21855596A JP H1065239 A JPH1065239 A JP H1065239A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】実装状態におけるインダクタンス成分を小さく
抑えることにより、半導体レーザを一層高速に駆動する
ことのできる半導体レーザ駆動装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】半導体レーザ１１と電流経路切換回路１２
との間に、互いに並列接続された３組のボンディングワ
イヤ，リードからなる第１のインピーダンス回路１６を
接続するとともに、電源電圧と電流経路切換回路１２と
の間に、互いに並列接続された３組のボンディングワイ
ヤ，リードからなる第２のインピーダンス回路１７を接
続して、駆動パルスＬＯＮに応じて、電流源１３に流れ
る電流の経路を、半導体レーザ１１を経由する第１の電
流経路と、半導体レーザ１１を避けた第２の電流経路と
に切り換える。
抑えることにより、半導体レーザを一層高速に駆動する
ことのできる半導体レーザ駆動装置を提供することを目
的とする。 【解決手段】半導体レーザ１１と電流経路切換回路１２
との間に、互いに並列接続された３組のボンディングワ
イヤ，リードからなる第１のインピーダンス回路１６を
接続するとともに、電源電圧と電流経路切換回路１２と
の間に、互いに並列接続された３組のボンディングワイ
ヤ，リードからなる第２のインピーダンス回路１７を接
続して、駆動パルスＬＯＮに応じて、電流源１３に流れ
る電流の経路を、半導体レーザ１１を経由する第１の電
流経路と、半導体レーザ１１を避けた第２の電流経路と
に切り換える。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体レーザを高
速に駆動するのに好適な半導体レーザ駆動装置に関す
る。
速に駆動するのに好適な半導体レーザ駆動装置に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来の半導体レーザ駆動装置において、
半導体レーザを高速に駆動するために、半導体レーザを
駆動する駆動電流の立ち上がり速度や立ち下がり速度を
速めることが行なわれている。しかし、駆動電流の立ち
上がり速度や立ち下がり速度を速めると、半導体レーザ
チップ内の容量成分やインダクタンス成分が大きく影響
して駆動電流波形に大きなオーバーシュートやアンダー
シュートが発生し、これに伴いその駆動電流波形の先端
領域や後端領域に生じるリンギングも全体的に大きくな
り、このようなリンギングにより駆動電流波形が歪むた
め、高精度な光量のレーザ光を高速のスイッチングによ
り得るのが困難である。
半導体レーザを高速に駆動するために、半導体レーザを
駆動する駆動電流の立ち上がり速度や立ち下がり速度を
速めることが行なわれている。しかし、駆動電流の立ち
上がり速度や立ち下がり速度を速めると、半導体レーザ
チップ内の容量成分やインダクタンス成分が大きく影響
して駆動電流波形に大きなオーバーシュートやアンダー
シュートが発生し、これに伴いその駆動電流波形の先端
領域や後端領域に生じるリンギングも全体的に大きくな
り、このようなリンギングにより駆動電流波形が歪むた
め、高精度な光量のレーザ光を高速のスイッチングによ
り得るのが困難である。
【０００３】そこで、駆動電流波形のリンギングを抑え
た半導体レーザ駆動装置が提案されている。図６は、従
来の、駆動電流波形のリンギングを抑えた半導体レーザ
駆動装置の回路を示す図である。図６に示す半導体レー
ザ１１はプリント基板上に実装されており、その半導体
レーザ１１のアノードに電源電圧（＋１２Ｖ）が印加さ
れる。半導体レーザ１１のカソードと抵抗６１の一端は
互いに接続されている。また半導体レーザ１１のアノー
ドと抵抗６１の他端に、互いに直列接続されたコンデン
サ６２ａ，抵抗６２ｂからなる第１のフィルタ回路６２
と、互いに直列接続されたコンデンサ６３ａ，抵抗６３
ｂからなる第２のフィルタ回路６３とが、それぞれ並列
に接続されている。
た半導体レーザ駆動装置が提案されている。図６は、従
来の、駆動電流波形のリンギングを抑えた半導体レーザ
駆動装置の回路を示す図である。図６に示す半導体レー
ザ１１はプリント基板上に実装されており、その半導体
レーザ１１のアノードに電源電圧（＋１２Ｖ）が印加さ
れる。半導体レーザ１１のカソードと抵抗６１の一端は
互いに接続されている。また半導体レーザ１１のアノー
ドと抵抗６１の他端に、互いに直列接続されたコンデン
サ６２ａ，抵抗６２ｂからなる第１のフィルタ回路６２
と、互いに直列接続されたコンデンサ６３ａ，抵抗６３
ｂからなる第２のフィルタ回路６３とが、それぞれ並列
に接続されている。
【０００４】また、図６には電流経路切換回路１２およ
び電流源１３が示されており、これら電流経路切換回路
１２および電流源１３は半導体レーザ１１を駆動するた
めの駆動回路パッケージ内のＩＣチップ上に形成されて
いる。この駆動回路パッケージはプリント基板上に実装
されている。電流経路切換回路１２は、駆動パルスＬＯ
Ｎが入力されるバッファ１２ａ，インバータ１２ｂと、
それぞれの一端がバッファ１２ａ，インバータ１２ｂの
出力に接続された抵抗１２ｃ，１２ｄと、抵抗１２ｃ，
１２ｄの他端にベースが接続されるとともにエミッタど
うしが互いに接続されたトランジスタ１２ｅ，１２ｆと
から構成されている。トランジスタ１２ｅのコレクタ
は、第１，第２のフィルタ回路６２，６３および抵抗６
１の接続点に接続されている。トランジスタ１２ｆのコ
レクタには抵抗６４を経由して電源電圧が印加される。
び電流源１３が示されており、これら電流経路切換回路
１２および電流源１３は半導体レーザ１１を駆動するた
めの駆動回路パッケージ内のＩＣチップ上に形成されて
いる。この駆動回路パッケージはプリント基板上に実装
されている。電流経路切換回路１２は、駆動パルスＬＯ
Ｎが入力されるバッファ１２ａ，インバータ１２ｂと、
それぞれの一端がバッファ１２ａ，インバータ１２ｂの
出力に接続された抵抗１２ｃ，１２ｄと、抵抗１２ｃ，
１２ｄの他端にベースが接続されるとともにエミッタど
うしが互いに接続されたトランジスタ１２ｅ，１２ｆと
から構成されている。トランジスタ１２ｅのコレクタ
は、第１，第２のフィルタ回路６２，６３および抵抗６
１の接続点に接続されている。トランジスタ１２ｆのコ
レクタには抵抗６４を経由して電源電圧が印加される。
【０００５】一方、電流源１３は、可変電圧Ｖ1 を出力
する電圧源１３ａと、正相端子に可変電圧Ｖ1 が入力さ
れるオペアンプ１３ｂと、ベースがオペアンプ１３ｂの
出力に接続されたトランジスタ１３ｃと、一端がトラン
ジスタ１３ｃのエミッタおよびオペアンプ１３ｂの逆相
端子に接続され、他端がグラウンドに接続された抵抗１
３ｄとから構成されている。またトランジスタ１３ｃの
コレクタは、電流経路回路１２を構成するトランジスタ
１２ｅ，１２ｆのエミッタに接続されている。トランジ
スタ１３ｃには、電圧源１３ａから出力される可変電圧
Ｖ1 を抵抗１３ｄの値で割り算した値の電流が流れる。
する電圧源１３ａと、正相端子に可変電圧Ｖ1 が入力さ
れるオペアンプ１３ｂと、ベースがオペアンプ１３ｂの
出力に接続されたトランジスタ１３ｃと、一端がトラン
ジスタ１３ｃのエミッタおよびオペアンプ１３ｂの逆相
端子に接続され、他端がグラウンドに接続された抵抗１
３ｄとから構成されている。またトランジスタ１３ｃの
コレクタは、電流経路回路１２を構成するトランジスタ
１２ｅ，１２ｆのエミッタに接続されている。トランジ
スタ１３ｃには、電圧源１３ａから出力される可変電圧
Ｖ1 を抵抗１３ｄの値で割り算した値の電流が流れる。
【０００６】ここで、電流経路切換回路１２に、‘Ｈ’
レベルの駆動パルスＬＯＮが入力されると、トランジス
タ１２ｅのベースには、バッファ１２ａ，抵抗１２ｃを
経由して‘Ｈ’レベルが入力されるため、トランジスタ
１２ｅはオン状態になり、一方トランジスタ１２ｆのベ
ースには、インバータ１２ｂ，抵抗１２ｄを経由して
‘Ｌ’レベルが入力されるため、トランジスタ１２ｆは
オフ状態になる。すると、トランジスタ１２ｅを経由し
て半導体レーザ１１に、電流源１３で所定の電流値に制
御された駆動電流ＩLDが流れ、これにより半導体レーザ
１１がこの駆動電流ＩLDに基づいた光量で発光する。
レベルの駆動パルスＬＯＮが入力されると、トランジス
タ１２ｅのベースには、バッファ１２ａ，抵抗１２ｃを
経由して‘Ｈ’レベルが入力されるため、トランジスタ
１２ｅはオン状態になり、一方トランジスタ１２ｆのベ
ースには、インバータ１２ｂ，抵抗１２ｄを経由して
‘Ｌ’レベルが入力されるため、トランジスタ１２ｆは
オフ状態になる。すると、トランジスタ１２ｅを経由し
て半導体レーザ１１に、電流源１３で所定の電流値に制
御された駆動電流ＩLDが流れ、これにより半導体レーザ
１１がこの駆動電流ＩLDに基づいた光量で発光する。
【０００７】一方、電流経路切換回路１２に入力される
駆動パルスＬＯＮが‘Ｌ’レベルにある場合は、トラン
ジスタ１２ｅのベースは‘Ｌ’レベルにあるため、トラ
ンジスタ１２ｅはオフ状態になり、一方トランジスタ１
２ｆのベースは‘Ｈ’レベルにあるため、トランジスタ
１２ｆはオン状態になる。すると、トランジスタ１２ｆ
を経由して抵抗６４に、電流源１３で制御された、半導
体レーザ１１に流れる駆動電流ＩLDと同一の電流が流れ
る。このように半導体レーザ１１を発光させるか否かに
かかわれず常に電流を流すことにより、半導体レーザ１
１の点灯，消灯の切換え速度を高めている。
駆動パルスＬＯＮが‘Ｌ’レベルにある場合は、トラン
ジスタ１２ｅのベースは‘Ｌ’レベルにあるため、トラ
ンジスタ１２ｅはオフ状態になり、一方トランジスタ１
２ｆのベースは‘Ｈ’レベルにあるため、トランジスタ
１２ｆはオン状態になる。すると、トランジスタ１２ｆ
を経由して抵抗６４に、電流源１３で制御された、半導
体レーザ１１に流れる駆動電流ＩLDと同一の電流が流れ
る。このように半導体レーザ１１を発光させるか否かに
かかわれず常に電流を流すことにより、半導体レーザ１
１の点灯，消灯の切換え速度を高めている。
【０００８】ここで、互いに直列接続された半導体レー
ザ１１，抵抗６１の両端に並列接続された第１，第２の
フィルタ回路６２，６３のパラメータが、駆動電流ＩLD
の波形のリンギングに見合って調整されており、これに
より半導体レーザ１１を駆動する駆動電流ＩLDの波形の
リンギングが抑えられている。
ザ１１，抵抗６１の両端に並列接続された第１，第２の
フィルタ回路６２，６３のパラメータが、駆動電流ＩLD
の波形のリンギングに見合って調整されており、これに
より半導体レーザ１１を駆動する駆動電流ＩLDの波形の
リンギングが抑えられている。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上述した半導
体レーザ駆動装置において、半導体レーザ１１を一層高
速に駆動しようとすると、以下のような問題がある。上
述した半導体レーザ駆動装置では、駆動回路パッケージ
と半導体レーザ１１との接続は、先ず駆動回路パッケー
ジ内のパッドとその駆動回路パッケージ内のリードの一
端とをボンディングワイヤで接続し、次にそのリードの
他端を、プリント基板上の、半導体レーザ１１が実装さ
れた配線パターンにハンダ接続するものであるため、電
流経路切換回路１２と半導体レーザ１１との経路はボン
ディングワイヤとリードによるインダクタンス成分を有
する。同様にして、半導体レーザ１１に流れる駆動電流
ＩLDと同一の電流を流すための、電流経路切換回路１２
と抵抗６４との経路もボンディングワイヤとリードによ
るインダクタンス成分を有する。
体レーザ駆動装置において、半導体レーザ１１を一層高
速に駆動しようとすると、以下のような問題がある。上
述した半導体レーザ駆動装置では、駆動回路パッケージ
と半導体レーザ１１との接続は、先ず駆動回路パッケー
ジ内のパッドとその駆動回路パッケージ内のリードの一
端とをボンディングワイヤで接続し、次にそのリードの
他端を、プリント基板上の、半導体レーザ１１が実装さ
れた配線パターンにハンダ接続するものであるため、電
流経路切換回路１２と半導体レーザ１１との経路はボン
ディングワイヤとリードによるインダクタンス成分を有
する。同様にして、半導体レーザ１１に流れる駆動電流
ＩLDと同一の電流を流すための、電流経路切換回路１２
と抵抗６４との経路もボンディングワイヤとリードによ
るインダクタンス成分を有する。
【００１０】図７は、図６に示す半導体レーザ駆動装置
の回路にボンディングワイヤとリードによるインダクタ
ンス成分を考慮して示した図である。図７に示すインダ
クタンス７１，７２は、ボンディングワイヤとリードに
よるものである。これらインダクタンス７１，７２は、
半導体レーザ１１を駆動する駆動電流ＩLDの波形，抵抗
６４に流れる電流の波形にリンギングを発生させるもの
であるため、半導体レーザ１１をより高速に駆動する半
導体レーザ駆動装置を設計する上で無視できないパラメ
ータである。
の回路にボンディングワイヤとリードによるインダクタ
ンス成分を考慮して示した図である。図７に示すインダ
クタンス７１，７２は、ボンディングワイヤとリードに
よるものである。これらインダクタンス７１，７２は、
半導体レーザ１１を駆動する駆動電流ＩLDの波形，抵抗
６４に流れる電流の波形にリンギングを発生させるもの
であるため、半導体レーザ１１をより高速に駆動する半
導体レーザ駆動装置を設計する上で無視できないパラメ
ータである。
【００１１】また、電流経路切換回路１２に、より高速
な駆動パルスＬＯＮを印加した場合、‘Ｌ’レベルから
‘Ｈ’レベルに変化した駆動パルスＬＯＮにより、トラ
ンジスタ１２ｅ，１２ｆがそれぞれオン状態，オフ状態
になっても、インダクタンス７２により抵抗６４に電流
がしばらくの間流れるため、半導体レーザ１１に駆動電
流ＩLDが流れない状態が発生したり、あるいは逆に
‘Ｈ’レベルから‘Ｌ’レベルに変化した駆動パルスＬ
ＯＮによりトランジスタ１２ｅ，１２ｆがそれぞれオフ
状態，オン状態になってもインダクタンス７１により半
導体レーザ１１に流れている駆動電流ＩLDをしばらくの
間遮断できない状態が発生したりする。従って、半導体
レーザ１１を一層高速に駆動すると、電流経路切換回路
１２で半導体レーザ１１に流れる駆動電流ＩLDを切り換
えることができない場合が発生するという問題がある。
な駆動パルスＬＯＮを印加した場合、‘Ｌ’レベルから
‘Ｈ’レベルに変化した駆動パルスＬＯＮにより、トラ
ンジスタ１２ｅ，１２ｆがそれぞれオン状態，オフ状態
になっても、インダクタンス７２により抵抗６４に電流
がしばらくの間流れるため、半導体レーザ１１に駆動電
流ＩLDが流れない状態が発生したり、あるいは逆に
‘Ｈ’レベルから‘Ｌ’レベルに変化した駆動パルスＬ
ＯＮによりトランジスタ１２ｅ，１２ｆがそれぞれオフ
状態，オン状態になってもインダクタンス７１により半
導体レーザ１１に流れている駆動電流ＩLDをしばらくの
間遮断できない状態が発生したりする。従って、半導体
レーザ１１を一層高速に駆動すると、電流経路切換回路
１２で半導体レーザ１１に流れる駆動電流ＩLDを切り換
えることができない場合が発生するという問題がある。
【００１２】本発明は、上記事情に鑑み、実装状態にお
けるインダクタンス成分を小さく抑えることにより、半
導体レーザを一層高速に駆動することのできる半導体レ
ーザ駆動装置を提供することを目的とする。
けるインダクタンス成分を小さく抑えることにより、半
導体レーザを一層高速に駆動することのできる半導体レ
ーザ駆動装置を提供することを目的とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成する本発
明の半導体レーザ駆動装置は、電流源と、その電流源に
流れる電流の経路を、所定のデータ伝達経路を経由して
入力されるデータに応じて、半導体レーザを経由する第
１の電流経路と半導体レーザを避けた第２の電流経路と
に切り換える電流経路切換回路とを備えた半導体レーザ
駆動装置において、上記第１の電流経路および上記第２
の電流経路に、その第１の電流経路のインダクタンスお
よびその第２の電流経路のインダクタンスを上記データ
伝達経路のインダクタンスよりも低減化させるインダク
タンス低減化処理が施されてなることを特徴とする。
明の半導体レーザ駆動装置は、電流源と、その電流源に
流れる電流の経路を、所定のデータ伝達経路を経由して
入力されるデータに応じて、半導体レーザを経由する第
１の電流経路と半導体レーザを避けた第２の電流経路と
に切り換える電流経路切換回路とを備えた半導体レーザ
駆動装置において、上記第１の電流経路および上記第２
の電流経路に、その第１の電流経路のインダクタンスお
よびその第２の電流経路のインダクタンスを上記データ
伝達経路のインダクタンスよりも低減化させるインダク
タンス低減化処理が施されてなることを特徴とする。
【００１４】本発明の半導体レーザ駆動装置では、半導
体レーザを経由して電流が流れる第１の電流経路のイン
ダクタンス、および半導体レーザを避けて電流が流れる
第２の電流経路のインダクタンスを低減させるインダク
タンス低減化処理が施されているため、実装状態におけ
るインダクタンス成分が小さく抑えられ、半導体レーザ
を駆動する駆動電流の波形に発生するリンギングを小さ
く抑えることができる。従って半導体レーザを高速に駆
動することができ、かつ高精度な光量のレーザ光が得ら
れる。
体レーザを経由して電流が流れる第１の電流経路のイン
ダクタンス、および半導体レーザを避けて電流が流れる
第２の電流経路のインダクタンスを低減させるインダク
タンス低減化処理が施されているため、実装状態におけ
るインダクタンス成分が小さく抑えられ、半導体レーザ
を駆動する駆動電流の波形に発生するリンギングを小さ
く抑えることができる。従って半導体レーザを高速に駆
動することができ、かつ高精度な光量のレーザ光が得ら
れる。
【００１５】ここで、本発明の半導体レーザ駆動装置
は、電流源と、その電流源に流れる電流の経路を、所定
のデータ伝達経路を経由して入力されるデータに応じ
て、半導体レーザを経由する第１の電流経路と半導体レ
ーザを避けた第２の電流経路とに切り換える電流経路切
換回路とが、内部回路と外部回路とを接続する複数のリ
ードを備えた１つのパッケージに封入され、それら複数
のリードのいずれかに、上記データ伝達経路、上記第１
の電流経路、および上記第２の電流経路それぞれが割り
当てられてなる半導体レーザ駆動装置において、上記第
１の電流経路および上記第２の電流経路に、上記データ
伝達経路に割り当てられたリードの本数よりも多い本数
の、内部でそれぞれ並列的にワイヤボンディングされた
リードが割り当てられてなるものであってもよい。
は、電流源と、その電流源に流れる電流の経路を、所定
のデータ伝達経路を経由して入力されるデータに応じ
て、半導体レーザを経由する第１の電流経路と半導体レ
ーザを避けた第２の電流経路とに切り換える電流経路切
換回路とが、内部回路と外部回路とを接続する複数のリ
ードを備えた１つのパッケージに封入され、それら複数
のリードのいずれかに、上記データ伝達経路、上記第１
の電流経路、および上記第２の電流経路それぞれが割り
当てられてなる半導体レーザ駆動装置において、上記第
１の電流経路および上記第２の電流経路に、上記データ
伝達経路に割り当てられたリードの本数よりも多い本数
の、内部でそれぞれ並列的にワイヤボンディングされた
リードが割り当てられてなるものであってもよい。
【００１６】このように、本発明の半導体レーザ駆動装
置において、第１，第２の電流経路に、内部それぞれ並
列的にワイヤボンディングされた、データ伝達経路に割
り当てられたリードの本数よりも多い本数のリードを割
り当てると、新たな回路を追加することなく、実装によ
り半導体レーザを駆動する駆動電流の波形に発生するリ
ンギングを小さく抑えることができる。
置において、第１，第２の電流経路に、内部それぞれ並
列的にワイヤボンディングされた、データ伝達経路に割
り当てられたリードの本数よりも多い本数のリードを割
り当てると、新たな回路を追加することなく、実装によ
り半導体レーザを駆動する駆動電流の波形に発生するリ
ンギングを小さく抑えることができる。
【００１７】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態について
説明する。図１は、本発明の半導体レーザ駆動装置の第
１実施形態の回路を示す図、図２は、図１に示す半導体
レーザ駆動装置の実装状態の一部を示すレイアウト図で
ある。
説明する。図１は、本発明の半導体レーザ駆動装置の第
１実施形態の回路を示す図、図２は、図１に示す半導体
レーザ駆動装置の実装状態の一部を示すレイアウト図で
ある。
【００１８】尚、図６に示す半導体レーザ駆動装置の構
成要素と同一の構成要素には同一の番号を付して示す。
図１に示す電流経路切換回路１２および電流源１３は、
図２に示す駆動回路パッケージ２１内のチップ２２上に
形成されている。チップ２２上には配線パターン２３が
形成されている。
成要素と同一の構成要素には同一の番号を付して示す。
図１に示す電流経路切換回路１２および電流源１３は、
図２に示す駆動回路パッケージ２１内のチップ２２上に
形成されている。チップ２２上には配線パターン２３が
形成されている。
【００１９】この配線パターン２３に、図１に示す抵抗
１４，１５の一端が接続され、これら抵抗１４，１５の
他端に電流経路切換回路１２を構成するトランジスタ１
２ｅ，１２ｆのコレクタが接続されている。また配線パ
ターン２３には、３つのワイヤボンディング用のパッド
２４が形成されている。これら３つのパッド２４に、そ
れぞれ、３本のボンディングワイヤ２５の一端が接続さ
れている。また３本のボンディングワイヤ２５の他端
は、それぞれ、駆動回路パッケージ２１に備えられた３
本のリード２６の一端に接続されている。さらに３本の
リード２６の他端は、それぞれ、プリント基板２７上に
形成された配線パターン２８の３つの突出部２９にハン
ダ付けされている。この配線パターン２８には、図１に
示す半導体レーザ１１のカソードが接続されている。
１４，１５の一端が接続され、これら抵抗１４，１５の
他端に電流経路切換回路１２を構成するトランジスタ１
２ｅ，１２ｆのコレクタが接続されている。また配線パ
ターン２３には、３つのワイヤボンディング用のパッド
２４が形成されている。これら３つのパッド２４に、そ
れぞれ、３本のボンディングワイヤ２５の一端が接続さ
れている。また３本のボンディングワイヤ２５の他端
は、それぞれ、駆動回路パッケージ２１に備えられた３
本のリード２６の一端に接続されている。さらに３本の
リード２６の他端は、それぞれ、プリント基板２７上に
形成された配線パターン２８の３つの突出部２９にハン
ダ付けされている。この配線パターン２８には、図１に
示す半導体レーザ１１のカソードが接続されている。
【００２０】図１に示す、互いに並列接続された３つの
インダクタンス１６ａ，１６ｂ，１６ｃからなる第１の
インピーダンス回路１６は、図２に示す、互いに並列接
続された、３組のボンディングワイヤ２５，リード２６
から構成されている。同様にして、図１に示す、互いに
並列接続された３つのインダクタンス１７ａ，１７ｂ，
１７ｃからなる第２のインピーダンス回路１７も、図示
しない、互いに並列接続された３組のボンディングワイ
ヤ，リードから構成されている。これらインピーダンス
回路１６，１７が有するインダクタンス値は２−７ｎＨ
程度であり、また抵抗値，キャパシタンス値は、それぞ
れ、数ミリオーム程度、１ｐＦ以下程度である。
インダクタンス１６ａ，１６ｂ，１６ｃからなる第１の
インピーダンス回路１６は、図２に示す、互いに並列接
続された、３組のボンディングワイヤ２５，リード２６
から構成されている。同様にして、図１に示す、互いに
並列接続された３つのインダクタンス１７ａ，１７ｂ，
１７ｃからなる第２のインピーダンス回路１７も、図示
しない、互いに並列接続された３組のボンディングワイ
ヤ，リードから構成されている。これらインピーダンス
回路１６，１７が有するインダクタンス値は２−７ｎＨ
程度であり、また抵抗値，キャパシタンス値は、それぞ
れ、数ミリオーム程度、１ｐＦ以下程度である。
【００２１】このように構成された、図１に示す半導体
レーザ駆動装置に‘Ｈ’レベルの駆動パルスＬＯＮが入
力されると、電流経路切換回路１２のトランジスタ１２
ｅ，１２ｆがオン状態，オフ状態になり、これにより駆
動電流ＩLDの、電流源１３に流れる経路が、第１のイン
ピーダンス回路１６，抵抗１４，トランジスタ１２ｅか
らなる第１の電流経路に切り換えられ、半導体レーザ１
１が発光する。
レーザ駆動装置に‘Ｈ’レベルの駆動パルスＬＯＮが入
力されると、電流経路切換回路１２のトランジスタ１２
ｅ，１２ｆがオン状態，オフ状態になり、これにより駆
動電流ＩLDの、電流源１３に流れる経路が、第１のイン
ピーダンス回路１６，抵抗１４，トランジスタ１２ｅか
らなる第１の電流経路に切り換えられ、半導体レーザ１
１が発光する。
【００２２】一方、‘Ｌ’レベルの駆動パルスＬＯＮが
入力されると、電流経路切換回路１２のトランジスタ１
２ｅ，１２ｆがオフ状態，オン状態になり、これにより
駆動電流ＩLDと同一の電流の、電流源１３に流れる経路
が第２のインピーダンス回路１７，抵抗１５，トランジ
スタ１２ｆからなる第２の電流経路に切り換えられ、そ
の第２の電流経路に、第１の電流経路に流れる駆動電流
ＩLDと同一の電流が流れる。このように、第１，第２の
電流経路に同一の電流を流すことにより、半導体レーザ
１１の点灯，消灯の切換え速度を高めている。
入力されると、電流経路切換回路１２のトランジスタ１
２ｅ，１２ｆがオフ状態，オン状態になり、これにより
駆動電流ＩLDと同一の電流の、電流源１３に流れる経路
が第２のインピーダンス回路１７，抵抗１５，トランジ
スタ１２ｆからなる第２の電流経路に切り換えられ、そ
の第２の電流経路に、第１の電流経路に流れる駆動電流
ＩLDと同一の電流が流れる。このように、第１，第２の
電流経路に同一の電流を流すことにより、半導体レーザ
１１の点灯，消灯の切換え速度を高めている。
【００２３】図３は、図１に示す、３組のボンディング
ワイヤ，リードを用いて半導体レーザと電流経路切換回
路が接続された半導体レーザ駆動装置における駆動電流
ＩLDの波形Ａと、１組のボンディングワイヤ，リードを
用いて半導体レーザと電流経路切換回路が接続された半
導体レーザ駆動装置における駆動電流ＩLDの波形Ｂとを
計算機シミュレーション結果によって重ねて示した図
（ａ）、およびその駆動パルスの波形を示した図（ｂ）
である。
ワイヤ，リードを用いて半導体レーザと電流経路切換回
路が接続された半導体レーザ駆動装置における駆動電流
ＩLDの波形Ａと、１組のボンディングワイヤ，リードを
用いて半導体レーザと電流経路切換回路が接続された半
導体レーザ駆動装置における駆動電流ＩLDの波形Ｂとを
計算機シミュレーション結果によって重ねて示した図
（ａ）、およびその駆動パルスの波形を示した図（ｂ）
である。
【００２４】互いに並列接続された、３組のボンディン
グワイヤ，リードによるインダクタンス成分は、１組の
ボンディングワイヤ，リードによるインダクタンス成分
と比較し１／３に減少するため、図３（ａ）に示す，駆
動パルスＬＯＮによって駆動される３組のボンディング
ワイヤ，リードを用いた駆動電流ＩLDの波形Ａの先端領
域，後端領域におけるリンギングは、１組のボンディン
グワイヤ，リードを用いた駆動電流ＩLDの波形Ｂの先端
領域，後端領域におけるリンギングよりも大幅に小さく
なっている。
グワイヤ，リードによるインダクタンス成分は、１組の
ボンディングワイヤ，リードによるインダクタンス成分
と比較し１／３に減少するため、図３（ａ）に示す，駆
動パルスＬＯＮによって駆動される３組のボンディング
ワイヤ，リードを用いた駆動電流ＩLDの波形Ａの先端領
域，後端領域におけるリンギングは、１組のボンディン
グワイヤ，リードを用いた駆動電流ＩLDの波形Ｂの先端
領域，後端領域におけるリンギングよりも大幅に小さく
なっている。
【００２５】一般にＬＣＲ回路の過渡現象においては、
以下に示す（１）式のような回路方程式が成立し、Ｒ2
＜４Ｌ／Ｃの場合に振動が発生し、逆にＲ2 ＞４Ｌ／Ｃ
の場合には電流は対数的に減衰する。
以下に示す（１）式のような回路方程式が成立し、Ｒ2
＜４Ｌ／Ｃの場合に振動が発生し、逆にＲ2 ＞４Ｌ／Ｃ
の場合には電流は対数的に減衰する。
【００２６】
【数１】
【００２７】一方、本実施形態を単純化すると、図４の
ような等価回路になる。図４は、図１に示す半導体レー
ザ駆動装置の等価回路を示す図である。図４には、電流
経路切換回路１２により切り換えられる第１の電流経路
の有するコンデンサ４１の値Ｃ1 ，インダクタンス４２
の値Ｌ1,抵抗４３の値Ｒ 1に流れる電流ｉ1 と、第２の
電流経路の有するコンデンサ４４の値Ｃ2 ，インダクタ
ンス４５の値Ｌ2 ，抵抗４６の値Ｒ2 に流れる電流ｉ2
のいずれか一方の電流Ｉが電流源１３に流れる状態が示
されている。
ような等価回路になる。図４は、図１に示す半導体レー
ザ駆動装置の等価回路を示す図である。図４には、電流
経路切換回路１２により切り換えられる第１の電流経路
の有するコンデンサ４１の値Ｃ1 ，インダクタンス４２
の値Ｌ1,抵抗４３の値Ｒ 1に流れる電流ｉ1 と、第２の
電流経路の有するコンデンサ４４の値Ｃ2 ，インダクタ
ンス４５の値Ｌ2 ，抵抗４６の値Ｒ2 に流れる電流ｉ2
のいずれか一方の電流Ｉが電流源１３に流れる状態が示
されている。
【００２８】図４に示す等価回路では（２）式が成立す
る。
る。
【００２９】
【数２】
【００３０】この式から電流Ｉの項を取り除くと（３）
式になる。
式になる。
【００３１】
【数３】
【００３２】この式は（１）式と同等になる。そこで振
動の条件は（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）＜４（Ｌ 1 ＋Ｌ2 ）（１／Ｃ
1 ＋１／Ｃ2 ）となるので振動を減少させるには（Ｒ1
＋Ｒ 2 ）を大きくするか、（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）ならびに（１
／Ｃ1 ＋１／Ｃ2 ）を小さくすることが考えられる。し
かしながら（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）を大きくすることは時定数を
大きくすることになり、（１／Ｃ1 ＋１／Ｃ2 ）を小さ
くすることも容量成分を大きくすることであり、やはり
時定数が大きくなる。そこで（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）を小さくす
ることが振動を減少させる残された制約条件となる。こ
こで、Ｌ1 のみまたはＬ2 のみを小さくしても効果は小
さく、従ってＬ1 とＬ2 をともに小さくするほうが振動
を減少させるという目的に対して効果は大きい。
動の条件は（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）＜４（Ｌ 1 ＋Ｌ2 ）（１／Ｃ
1 ＋１／Ｃ2 ）となるので振動を減少させるには（Ｒ1
＋Ｒ 2 ）を大きくするか、（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）ならびに（１
／Ｃ1 ＋１／Ｃ2 ）を小さくすることが考えられる。し
かしながら（Ｒ1 ＋Ｒ2 ）を大きくすることは時定数を
大きくすることになり、（１／Ｃ1 ＋１／Ｃ2 ）を小さ
くすることも容量成分を大きくすることであり、やはり
時定数が大きくなる。そこで（Ｌ1 ＋Ｌ2 ）を小さくす
ることが振動を減少させる残された制約条件となる。こ
こで、Ｌ1 のみまたはＬ2 のみを小さくしても効果は小
さく、従ってＬ1 とＬ2 をともに小さくするほうが振動
を減少させるという目的に対して効果は大きい。
【００３３】半導体レーザを駆動するための駆動回路パ
ッケージでは入出力の数は多くないので、本実施形態で
は駆動回路パッケージのリードの本数より駆動回路パッ
ケージに実装されたＩＣチップから外部に出ていくべき
配線数が少ないとの前提のもとに、ｎ本のリードが使え
るとし、半導体レーザ側でａ本、その半導体レーザ側を
避けた側でｂ本必要とする。この回路系でボンディング
ワイヤ，リード１組あたりのインダクタンスをＬとする
と、トータルのインダクタンスは Ｌtotal ＝（Ｌ／ａ）＋（Ｌ／ｂ） であるから、ａ＋ｂ＝ｎより、 Ｌtotal ＝Ｌ（（１／ａ）＋（１／（ｎ−ａ））） と表わされ、ａ＝ｂのときトータルのインダクタンスが
最小となる。
ッケージでは入出力の数は多くないので、本実施形態で
は駆動回路パッケージのリードの本数より駆動回路パッ
ケージに実装されたＩＣチップから外部に出ていくべき
配線数が少ないとの前提のもとに、ｎ本のリードが使え
るとし、半導体レーザ側でａ本、その半導体レーザ側を
避けた側でｂ本必要とする。この回路系でボンディング
ワイヤ，リード１組あたりのインダクタンスをＬとする
と、トータルのインダクタンスは Ｌtotal ＝（Ｌ／ａ）＋（Ｌ／ｂ） であるから、ａ＋ｂ＝ｎより、 Ｌtotal ＝Ｌ（（１／ａ）＋（１／（ｎ−ａ））） と表わされ、ａ＝ｂのときトータルのインダクタンスが
最小となる。
【００３４】複数組のボンディングワイヤ，リードを使
って、半導体レーザ側の電流経路やその半導体レーザ側
を避けた側の電流経路の配線を行う場合、ボンディング
ワイヤ，リードの組が多ければ多いほど並列接続される
組が多くなるため、インダクタンスは小さくなるが、寄
生容量の増大（尚、市販されている半導体レーザの等価
容量は数＋ｐＦから数百ｐＦ）による時定数の増大とい
う問題が発生してくる。さらにリードの数が多くなると
パッケージサイズも大きくなってしまう。そのため本実
施形態では、駆動回路パッケージのサイズがその駆動回
路パッケージに実装されるＩＣチップの規模に適合する
場合に有効であり、ＩＣチップの入出力と、駆動回路パ
ッケージのリードとを１対１に対応させて余ったリード
を利用することに意味がある。
って、半導体レーザ側の電流経路やその半導体レーザ側
を避けた側の電流経路の配線を行う場合、ボンディング
ワイヤ，リードの組が多ければ多いほど並列接続される
組が多くなるため、インダクタンスは小さくなるが、寄
生容量の増大（尚、市販されている半導体レーザの等価
容量は数＋ｐＦから数百ｐＦ）による時定数の増大とい
う問題が発生してくる。さらにリードの数が多くなると
パッケージサイズも大きくなってしまう。そのため本実
施形態では、駆動回路パッケージのサイズがその駆動回
路パッケージに実装されるＩＣチップの規模に適合する
場合に有効であり、ＩＣチップの入出力と、駆動回路パ
ッケージのリードとを１対１に対応させて余ったリード
を利用することに意味がある。
【００３５】一般に、駆動回路パッケージのボンディン
グワイヤおよびリードに起因するインダクタンスは、リ
ードの位置により異なる。駆動回路パッケージ内のリー
ドの位置が異なる要因としては、駆動回路パッケージ
の、リードが接続されるパッドの配置が千鳥配置になっ
ていたり、駆動回路パッケージに実装されたＩＣチップ
側のパッド間隔と、その駆動回路パッケージの、リード
が接続されるパッド間隔が互いに異なっていたりするこ
とが挙げられる。リードの位置が異なると、リードの長
さやワイヤボンディングの長さが異なることになり、従
ってインダクタンスが異なることになる。この場合、リ
ードの長さやボンディングワイヤが長いほどインダクタ
ンスは大きくなる。
グワイヤおよびリードに起因するインダクタンスは、リ
ードの位置により異なる。駆動回路パッケージ内のリー
ドの位置が異なる要因としては、駆動回路パッケージ
の、リードが接続されるパッドの配置が千鳥配置になっ
ていたり、駆動回路パッケージに実装されたＩＣチップ
側のパッド間隔と、その駆動回路パッケージの、リード
が接続されるパッド間隔が互いに異なっていたりするこ
とが挙げられる。リードの位置が異なると、リードの長
さやワイヤボンディングの長さが異なることになり、従
ってインダクタンスが異なることになる。この場合、リ
ードの長さやボンディングワイヤが長いほどインダクタ
ンスは大きくなる。
【００３６】第２の実施形態は、このような背景に鑑み
たもので、リードが接続されるボンディングパッドの配
置が千鳥配置になっている駆動回路パッケージに対し、
長いボンディングワイヤが接続されるリードを制御線な
どに用い、短いボンディングワイヤが接続されるリード
を半導体レーザを駆動する駆動電流の出力ラインに用い
ている。
たもので、リードが接続されるボンディングパッドの配
置が千鳥配置になっている駆動回路パッケージに対し、
長いボンディングワイヤが接続されるリードを制御線な
どに用い、短いボンディングワイヤが接続されるリード
を半導体レーザを駆動する駆動電流の出力ラインに用い
ている。
【００３７】図５は、本発明の半導体レーザ駆動装置の
第２の実施形態の実装状態の一部を示すレイアウト図で
ある。図５に示す、駆動回路パッケージ５１に実装され
たＩＣチップ５０における、半導体レーザを駆動する駆
動電流の出力ラインの配線パターン５０ａは２つのパッ
ドに分岐され、２本のボンディングワイヤ５２ａ，５２
ｂおよびリード５３ａ，５３ｂを介してプリント基板５
４上の配線パターン５４ａに接続されている。この配線
パターン５４ａは半導体レーザチップへと接続されてい
る。その他の制御線は、ＩＣチップ５０上の配線パター
ン５０ｃ，５０ｄからボンディングワイヤ５２ｃ，５２
ｄおよびリード５３ｃ，５３ｄを介してそれぞれプリン
ト基板５４上の配線パターン５４ｃ，５４ｄに接続され
ている。ここで、ＩＣチップ５０上では配線パターン５
０ｄは配線パターン５０ａと多層配線によりクロスオー
バーし、プリント基板５４上では配線パターン５４ｄは
ビアホール５５を経由して他の層へ導かれている。
第２の実施形態の実装状態の一部を示すレイアウト図で
ある。図５に示す、駆動回路パッケージ５１に実装され
たＩＣチップ５０における、半導体レーザを駆動する駆
動電流の出力ラインの配線パターン５０ａは２つのパッ
ドに分岐され、２本のボンディングワイヤ５２ａ，５２
ｂおよびリード５３ａ，５３ｂを介してプリント基板５
４上の配線パターン５４ａに接続されている。この配線
パターン５４ａは半導体レーザチップへと接続されてい
る。その他の制御線は、ＩＣチップ５０上の配線パター
ン５０ｃ，５０ｄからボンディングワイヤ５２ｃ，５２
ｄおよびリード５３ｃ，５３ｄを介してそれぞれプリン
ト基板５４上の配線パターン５４ｃ，５４ｄに接続され
ている。ここで、ＩＣチップ５０上では配線パターン５
０ｄは配線パターン５０ａと多層配線によりクロスオー
バーし、プリント基板５４上では配線パターン５４ｄは
ビアホール５５を経由して他の層へ導かれている。
【００３８】図５の例では、半導体レーザを駆動する駆
動電流の出力ラインに対して説明したが、電源電圧ライ
ンも同様に接続されることは言うまでもない。
動電流の出力ラインに対して説明したが、電源電圧ライ
ンも同様に接続されることは言うまでもない。
【００３９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明の半導体レ
ーザ駆動装置では、半導体レーザを経由して電流が流れ
る第１の電流経路のインダクタンス、および半導体レー
ザを避けて電流が流れる第２の電流経路のインダクタン
スを低減させるインダクタンス低減化処理が施されてい
るため、実装状態におけるインダクタンス成分が小さく
抑えられ、また半導体レーザを駆動する駆動電流の波形
に発生するリンギングを小さく抑えることができる。従
って半導体レーザを高速に駆動することができ、高精度
な光量のレーザ光が得られる。
ーザ駆動装置では、半導体レーザを経由して電流が流れ
る第１の電流経路のインダクタンス、および半導体レー
ザを避けて電流が流れる第２の電流経路のインダクタン
スを低減させるインダクタンス低減化処理が施されてい
るため、実装状態におけるインダクタンス成分が小さく
抑えられ、また半導体レーザを駆動する駆動電流の波形
に発生するリンギングを小さく抑えることができる。従
って半導体レーザを高速に駆動することができ、高精度
な光量のレーザ光が得られる。
【図１】本発明の半導体レーザ駆動装置の第１実施形態
の回路を示す図である。
の回路を示す図である。
【図２】図１に示す半導体レーザ駆動装置の実装状態の
一部を示すレイアウト図である。
一部を示すレイアウト図である。
【図３】図１に示す、３組のボンディングワイヤ，リー
ドを用いて半導体レーザと電流経路切換回路が接続され
た半導体レーザ駆動装置における駆動電流ＩLDの波形Ａ
と、１組のボンディングワイヤ，リードを用いて半導体
レーザと電流経路切換回路が接続された半導体レーザ駆
動装置における駆動電流ＩLDの波形Ｂとを計算機シミュ
レーション結果によって重ねて示した図（ａ）、および
その駆動パルスの波形を示した図（ｂ）である。
ドを用いて半導体レーザと電流経路切換回路が接続され
た半導体レーザ駆動装置における駆動電流ＩLDの波形Ａ
と、１組のボンディングワイヤ，リードを用いて半導体
レーザと電流経路切換回路が接続された半導体レーザ駆
動装置における駆動電流ＩLDの波形Ｂとを計算機シミュ
レーション結果によって重ねて示した図（ａ）、および
その駆動パルスの波形を示した図（ｂ）である。
【図４】図１に示す半導体レーザ駆動装置の等価回路を
示す図である。
示す図である。
【図５】本発明の半導体レーザ駆動装置の第２の実施形
態の実装状態の一部を示すレイアウト図である。
態の実装状態の一部を示すレイアウト図である。
【図６】従来の、駆動電流波形のリンギングを抑えた半
導体レーザ駆動装置の回路を示す図である。
導体レーザ駆動装置の回路を示す図である。
【図７】図６に示す半導体レーザ駆動装置の回路にボン
ディングワイヤとリードによるインダクタンス成分を考
慮して示した図である。
ディングワイヤとリードによるインダクタンス成分を考
慮して示した図である。
１１ 半導体レーザ １２ 電流経路切換回路 １２ａ バッファ １２ｂ インバータ １２ｃ，１２ｄ，１３ｄ，１４，１５ 抵抗 １２ｅ，１２ｆ，１３ｃ トランジスタ １３ 電流源 １３ａ 電圧源 １３ｂ オペアンプ １６，１７ インピーダンス回路 １６ａ，１６ｂ，１６ｃ，１７ａ，１７ｂ，１７ｃ
インダクタンス ２１，５１ 駆動回路パッケージ ２２，５０ ＩＣチップ ２３，２８，５０ａ，５０ｃ，５０ｄ，５４ａ，５４
ｃ，５４ｄ 配線パターン ２４ パッド ２５，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ ボンディング
ワイヤ ２６，５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ リード ２７，５４ プリント基板 ２９ 突出部 ５５ ビアホール
インダクタンス ２１，５１ 駆動回路パッケージ ２２，５０ ＩＣチップ ２３，２８，５０ａ，５０ｃ，５０ｄ，５４ａ，５４
ｃ，５４ｄ 配線パターン ２４ パッド ２５，５２ａ，５２ｂ，５２ｃ，５２ｄ ボンディング
ワイヤ ２６，５３ａ，５３ｂ，５３ｃ，５３ｄ リード ２７，５４ プリント基板 ２９ 突出部 ５５ ビアホール
Claims (2)
- 【請求項１】 電流源と、該電流源に流れる電流の経路
を、所定のデータ伝達経路を経由して入力されるデータ
に応じて、半導体レーザを経由する第１の電流経路と半
導体レーザを避けた第２の電流経路とに切り換える電流
経路切換回路とを備えた半導体レーザ駆動装置におい
て、 前記第１の電流経路および前記第２の電流経路に、該第
１の電流経路のインダクタンスおよび該第２の電流経路
のインダクタンスを前記データ伝達経路のインダクタン
スよりも低減化させるインダクタンス低減化処理が施さ
れてなることを特徴とする半導体レーザ駆動装置。 - 【請求項２】 電流源と、該電流源に流れる電流の経路
を、所定のデータ伝達経路を経由して入力されるデータ
に応じて、半導体レーザを経由する第１の電流経路と半
導体レーザを避けた第２の電流経路とに切り換える電流
経路切換回路とが、内部回路と外部回路とを接続する複
数のリードを備えた１つのパッケージに封入され、該複
数のリードのいずれかに、前記データ伝達経路、前記第
１の電流経路、および前記第２の電流経路それぞれが割
り当てられてなる半導体レーザ駆動装置において、 前記第１の電流経路および前記第２の電流経路に、前記
データ伝達経路に割り当てられたリードの本数よりも多
い本数の、内部でそれぞれ並列的にワイヤボンディング
されたリードが割り当てられてなることを特徴とする半
導体レーザ駆動装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21855596A JPH1065239A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 半導体レーザ駆動装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21855596A JPH1065239A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 半導体レーザ駆動装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1065239A true JPH1065239A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16721783
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21855596A Withdrawn JPH1065239A (ja) | 1996-08-20 | 1996-08-20 | 半導体レーザ駆動装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1065239A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490301B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device |
| WO2019057236A1 (de) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte lasertreiberschaltung zum schalten eines pulsstroms für eine laserdiode |
-
1996
- 1996-08-20 JP JP21855596A patent/JPH1065239A/ja not_active Withdrawn
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6490301B1 (en) * | 1999-11-30 | 2002-12-03 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device |
| US6717968B2 (en) | 1999-11-30 | 2004-04-06 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Laser drive device |
| WO2019057236A1 (de) * | 2017-09-19 | 2019-03-28 | Ic-Haus Gmbh | Integrierte lasertreiberschaltung zum schalten eines pulsstroms für eine laserdiode |
| CN111108656A (zh) * | 2017-09-19 | 2020-05-05 | Ic-豪斯有限公司 | 用于切换激光二极管的脉冲电流的激光驱动器集成电路 |
| US11936159B2 (en) | 2017-09-19 | 2024-03-19 | Ic-Haus Gmbh | Integrated laser driver circuit for switching a pulse current for a laser diode |
| CN111108656B (zh) * | 2017-09-19 | 2024-04-09 | Ic-豪斯有限公司 | 用于切换激光二极管的脉冲电流的激光驱动器集成电路 |
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