JPH1064828A - 窒化物半導体結晶構造体 - Google Patents
窒化物半導体結晶構造体Info
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- JPH1064828A JPH1064828A JP21557496A JP21557496A JPH1064828A JP H1064828 A JPH1064828 A JP H1064828A JP 21557496 A JP21557496 A JP 21557496A JP 21557496 A JP21557496 A JP 21557496A JP H1064828 A JPH1064828 A JP H1064828A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】従来のIII−Ｖ族化合物半導体結晶中への窒素
不純物の取り込み効率が低く、かつ半導体結晶成長表面
が粗くなるという問題を解決し、半導体結晶成長表面の
平坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物の取
り込み効率を高くした窒化物半導体結晶構造体を提供す
る。 【解決手段】閃亜鉛鉱構造をとるIII−Ｖ族化合物半導
体であって、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面を
主面とする半導体基板と、この半導体基板上に形成され
たＶ族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体よりな
る窒化物半導体結晶構造体。また、〔０１１〕方向に傾
斜した（１００）面を主面とする半導体基板に代えて、
〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向に傾斜した（１０
０）面と結晶学的同価な面を主面とする半導体基板によ
り構成した窒化物半導体結晶構造体。また、傾斜角度を
５４.７度以下とした窒化物半導体結晶構造体。
不純物の取り込み効率が低く、かつ半導体結晶成長表面
が粗くなるという問題を解決し、半導体結晶成長表面の
平坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物の取
り込み効率を高くした窒化物半導体結晶構造体を提供す
る。 【解決手段】閃亜鉛鉱構造をとるIII−Ｖ族化合物半導
体であって、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面を
主面とする半導体基板と、この半導体基板上に形成され
たＶ族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体よりな
る窒化物半導体結晶構造体。また、〔０１１〕方向に傾
斜した（１００）面を主面とする半導体基板に代えて、
〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向に傾斜した（１０
０）面と結晶学的同価な面を主面とする半導体基板によ
り構成した窒化物半導体結晶構造体。また、傾斜角度を
５４.７度以下とした窒化物半導体結晶構造体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は窒素原子を含む化合
物半導体に係り、特に窒化物半導体結晶の成長表面の平
坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物の取り
込み効率の高い窒化物半導体結晶構造体に関する。
物半導体に係り、特に窒化物半導体結晶の成長表面の平
坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物の取り
込み効率の高い窒化物半導体結晶構造体に関する。
【０００２】
【従来の技術】最近、ＧａＡｓＮに代表される窒素
（Ｎ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体の研究が注目を集
めている〔S.Sakai et al.Jpn.J.Appl.Phys.32（1993）
4413〕。バンドギャップがＧａＡｓよりも小さくなるた
めに、ＧａＡｓ基板上に１.３ミクロン帯の光デバイス
を作製することができるからである。特に、Ｉｎを含む
ＩｎＧａＡｓＮは、ＩｎおよびＮの組成を適当に選ぶこ
とにより、ＧａＡｓ基板と格子整合させることが可能で
ある〔M.Kondow et al.Jpn.J.Appl.Phys.35（1996）127
3〕。しかしながら、結晶中へのＮ不純物の取り込み効
率が低いことが問題であった。また、Ｎの供給量を増や
しＮの組成比が大きくなるように、ＧａＡｓＮを（１０
０）ＧａＡｓ基板上に成長させた場合においても、結晶
成長表面が荒れるという問題が報告されている。これ
は、Ｎ原子との大きさが格段と異なるＡｓ原子とでは容
易に置き換わることができず、Ｎ原子が正規の位置に取
り込まれないためであると考えられている。ＧａＡｓへ
の不純物ドーピングを行う際に、傾斜基板を用いた実験
が報告されている〔M.Kondo et al.；J.Cryst.Growth 1
24（1992）449〕。この報告では、ＧａＡｓへＶI族元素
であるＳｅをドーピングし、そのドーピング効率を調べ
ている。ＶI族元素のＳｅは、Ｖ族元素であるＡｓの位
置に取り込まれてｎ型不純物となる。このＳｅの場合
は、（１００）面から〔０１１〕に直角な方向に傾斜し
たＢステップに取り込まれ易く、Ｖ族元素であるＡｓ原
子と置き換わるのにもかかわらず、本発明におけるＮ原
子の場合とは逆の傾向にある。
（Ｎ）を含むIII−Ｖ族化合物半導体の研究が注目を集
めている〔S.Sakai et al.Jpn.J.Appl.Phys.32（1993）
4413〕。バンドギャップがＧａＡｓよりも小さくなるた
めに、ＧａＡｓ基板上に１.３ミクロン帯の光デバイス
を作製することができるからである。特に、Ｉｎを含む
ＩｎＧａＡｓＮは、ＩｎおよびＮの組成を適当に選ぶこ
とにより、ＧａＡｓ基板と格子整合させることが可能で
ある〔M.Kondow et al.Jpn.J.Appl.Phys.35（1996）127
3〕。しかしながら、結晶中へのＮ不純物の取り込み効
率が低いことが問題であった。また、Ｎの供給量を増や
しＮの組成比が大きくなるように、ＧａＡｓＮを（１０
０）ＧａＡｓ基板上に成長させた場合においても、結晶
成長表面が荒れるという問題が報告されている。これ
は、Ｎ原子との大きさが格段と異なるＡｓ原子とでは容
易に置き換わることができず、Ｎ原子が正規の位置に取
り込まれないためであると考えられている。ＧａＡｓへ
の不純物ドーピングを行う際に、傾斜基板を用いた実験
が報告されている〔M.Kondo et al.；J.Cryst.Growth 1
24（1992）449〕。この報告では、ＧａＡｓへＶI族元素
であるＳｅをドーピングし、そのドーピング効率を調べ
ている。ＶI族元素のＳｅは、Ｖ族元素であるＡｓの位
置に取り込まれてｎ型不純物となる。このＳｅの場合
は、（１００）面から〔０１１〕に直角な方向に傾斜し
たＢステップに取り込まれ易く、Ｖ族元素であるＡｓ原
子と置き換わるのにもかかわらず、本発明におけるＮ原
子の場合とは逆の傾向にある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、従来
のIII−Ｖ族化合物半導体結晶中への窒素不純物の取り
込み効率が低く、かつ半導体結晶成長表面が粗くなると
いう問題点を解決するものであって、半導体結晶成長表
面の平坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物
の取り込み効率を高くした窒化物半導体結晶構造体を提
供することにある。
のIII−Ｖ族化合物半導体結晶中への窒素不純物の取り
込み効率が低く、かつ半導体結晶成長表面が粗くなると
いう問題点を解決するものであって、半導体結晶成長表
面の平坦性を保ったまま、半導体結晶中への窒素不純物
の取り込み効率を高くした窒化物半導体結晶構造体を提
供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】上記本発明の目的を達成
するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構
成とするものである。すなわち、本発明は請求項１に記
載のように、閃亜鉛鉱構造をとるIII−Ｖ族化合物半導
体であって、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面を
主面とする半導体基板と、該半導体基板上に形成された
Ｖ族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体とにより
少なくとも構成した窒化物半導体結晶構造体とするもの
である。また、本発明は請求項２に記載のように、請求
項１において、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面
を主面とする半導体基板に代えて、〔０１１〕方向と結
晶学的同価な方向に傾斜した（１００）面と結晶学的同
価な面を主面とする半導体基板により構成した窒化物半
導体結晶構造体とするものである。また、本発明は請求
項３に記載のように、請求項１または請求項２におい
て、〔０１１〕方向もしくは〔０１１〕方向と結晶学的
同価な方向への傾斜角度を５４.７度以下とした窒化物
半導体結晶構造体とするものである。本発明の窒化物半
導体結晶構造体は、請求項１に記載のように、（１０
０）面から〔００１〕方向に傾斜したＡステップを有す
るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶表面において、または
請求項２に記載のように、（１００）面と結晶学的同価
な面から傾斜したＡステップを有するIII−Ｖ族化合物
半導体の結晶表面において、Ｖ族原子をＮ原子により置
換することにより、窒化物半導体結晶とIII−Ｖ族化合
物半導体基板よりなる窒化物半導体結晶構造体を構成す
ることを特徴とするものである。このように、III−Ｖ
族化合物半導体の（１００）面では、Ｖ族原子はIII族
原子と２本のボンドで結合されている。これに対して、
図３（ａ）に示したように、（１００）面からＡステッ
プ方向に傾斜した面では、Ｖ族原子（Ａｓ原子）１は、
III族原子（Ｇａ原子）と１本のボンドで結合されてい
る。このために、Ｎ原子は（１００）面に存在するＶ族
原子よりもＡステップに存在するＶ族原子１と容易に入
れ替わることができ、正規の位置に取り込まれ易い。し
たがって、本発明の目的である窒素原子の取り込み効率
を高め、表面の平坦な窒化物半導体の成長層を得ること
ができる効果がある。また、本発明は請求項３に記載の
ように、請求項１または請求項２において、〔０１１〕
方向もしくは〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向への
傾斜角度を５４.７度以下とすることにより、窒素原子
の取り込み効率を高め、表面の平坦な窒化物半導体の成
長層を容易に実現できる効果がある。
するために、本発明は特許請求の範囲に記載のような構
成とするものである。すなわち、本発明は請求項１に記
載のように、閃亜鉛鉱構造をとるIII−Ｖ族化合物半導
体であって、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面を
主面とする半導体基板と、該半導体基板上に形成された
Ｖ族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体とにより
少なくとも構成した窒化物半導体結晶構造体とするもの
である。また、本発明は請求項２に記載のように、請求
項１において、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面
を主面とする半導体基板に代えて、〔０１１〕方向と結
晶学的同価な方向に傾斜した（１００）面と結晶学的同
価な面を主面とする半導体基板により構成した窒化物半
導体結晶構造体とするものである。また、本発明は請求
項３に記載のように、請求項１または請求項２におい
て、〔０１１〕方向もしくは〔０１１〕方向と結晶学的
同価な方向への傾斜角度を５４.７度以下とした窒化物
半導体結晶構造体とするものである。本発明の窒化物半
導体結晶構造体は、請求項１に記載のように、（１０
０）面から〔００１〕方向に傾斜したＡステップを有す
るIII−Ｖ族化合物半導体の結晶表面において、または
請求項２に記載のように、（１００）面と結晶学的同価
な面から傾斜したＡステップを有するIII−Ｖ族化合物
半導体の結晶表面において、Ｖ族原子をＮ原子により置
換することにより、窒化物半導体結晶とIII−Ｖ族化合
物半導体基板よりなる窒化物半導体結晶構造体を構成す
ることを特徴とするものである。このように、III−Ｖ
族化合物半導体の（１００）面では、Ｖ族原子はIII族
原子と２本のボンドで結合されている。これに対して、
図３（ａ）に示したように、（１００）面からＡステッ
プ方向に傾斜した面では、Ｖ族原子（Ａｓ原子）１は、
III族原子（Ｇａ原子）と１本のボンドで結合されてい
る。このために、Ｎ原子は（１００）面に存在するＶ族
原子よりもＡステップに存在するＶ族原子１と容易に入
れ替わることができ、正規の位置に取り込まれ易い。し
たがって、本発明の目的である窒素原子の取り込み効率
を高め、表面の平坦な窒化物半導体の成長層を得ること
ができる効果がある。また、本発明は請求項３に記載の
ように、請求項１または請求項２において、〔０１１〕
方向もしくは〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向への
傾斜角度を５４.７度以下とすることにより、窒素原子
の取り込み効率を高め、表面の平坦な窒化物半導体の成
長層を容易に実現できる効果がある。
【０００５】
〈実施の形態１〉図１に、ＧａＡｓ層へＮ原子を原子層
ドーピングした際のＮ原子シート濃度（×１０12／ｃｍ
2）と、ＧａＡｓ（１００）面からの傾斜角度（度）と
の関係を示す。白丸印（○）はＢステップを、黒丸印
（●）はＡステップを示している。成長にはＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相成長）法を用いた。ＧａＡｓの成長
には、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびアルシン
（ＡｓＨ3）を用い、窒素のドーピングガスにはジメチ
ルヒドラジン（ＤＭＨｙ）を用いた。成長温度、成長圧
力は、それぞれ、５５０℃および７６Torr（mmHg）であ
る。原子層ドーピングは、ＴＥＧとＡｓＨ3の供給を停
止して、ＤＭＨｙを２秒間供給することにより行った。
ドーピング層をアンドープＧａＡｓ層で挟むことによ
り、図２に示す構造の窒化物半導体結晶構造体を作製し
た。成長条件は、すべての試料に対して同一であり、基
板の面方位だけを変化させた。図２の構造に対して、Ｓ
ＩＭＳ（二次イオン質量分析）法を用いてＮ原子濃度を
測定した。図１から明らかなように、Ａステップ方向の
傾斜が大きくなるのに伴い、Ｎ原子シート濃度が高くな
ることが分かる。また、Ｂステップの傾斜が大きくなる
のに伴い、Ｎ原子シート濃度が減少する。傾斜角度が１
０度以上で、ステップの影響が顕著に現われている。図
３（ａ）はＡステップ、図３（ｂ）はＢステップの模式
図を示している。図において、（１００）面上では、Ａ
ｓ原子（●印）はＧａ原子（○印）と２本のボンドで結
合されている。これに対して、ＡステップのＡｓ原子１
はＧａ原子と１本のボンドで結合している。このため
に、Ｎ原子は（１００）面に存在するＡｓ原子よりもＡ
ステップに存在するＡｓ原子と容易に入れ替わることが
可能であると考えられる。また、ＢステップのＡｓ原子
２は、Ｇａ原子と３本のボンドで結合しているためＮ原
子とは最も置き替わり難いものと考えられる。
ドーピングした際のＮ原子シート濃度（×１０12／ｃｍ
2）と、ＧａＡｓ（１００）面からの傾斜角度（度）と
の関係を示す。白丸印（○）はＢステップを、黒丸印
（●）はＡステップを示している。成長にはＭＯＣＶＤ
（有機金属化学気相成長）法を用いた。ＧａＡｓの成長
には、トリエチルガリウム（ＴＥＧ）およびアルシン
（ＡｓＨ3）を用い、窒素のドーピングガスにはジメチ
ルヒドラジン（ＤＭＨｙ）を用いた。成長温度、成長圧
力は、それぞれ、５５０℃および７６Torr（mmHg）であ
る。原子層ドーピングは、ＴＥＧとＡｓＨ3の供給を停
止して、ＤＭＨｙを２秒間供給することにより行った。
ドーピング層をアンドープＧａＡｓ層で挟むことによ
り、図２に示す構造の窒化物半導体結晶構造体を作製し
た。成長条件は、すべての試料に対して同一であり、基
板の面方位だけを変化させた。図２の構造に対して、Ｓ
ＩＭＳ（二次イオン質量分析）法を用いてＮ原子濃度を
測定した。図１から明らかなように、Ａステップ方向の
傾斜が大きくなるのに伴い、Ｎ原子シート濃度が高くな
ることが分かる。また、Ｂステップの傾斜が大きくなる
のに伴い、Ｎ原子シート濃度が減少する。傾斜角度が１
０度以上で、ステップの影響が顕著に現われている。図
３（ａ）はＡステップ、図３（ｂ）はＢステップの模式
図を示している。図において、（１００）面上では、Ａ
ｓ原子（●印）はＧａ原子（○印）と２本のボンドで結
合されている。これに対して、ＡステップのＡｓ原子１
はＧａ原子と１本のボンドで結合している。このため
に、Ｎ原子は（１００）面に存在するＡｓ原子よりもＡ
ステップに存在するＡｓ原子と容易に入れ替わることが
可能であると考えられる。また、ＢステップのＡｓ原子
２は、Ｇａ原子と３本のボンドで結合しているためＮ原
子とは最も置き替わり難いものと考えられる。
【０００６】〈実施の形態２〉ＭＯＣＶＤ法を用いて、
ＧａＡｓ上にＧａＡｓＮ層を成長した。その窒化物半導
体結晶構造体を、図４に模式的に示す。ＴＥＧ、ＡｓＨ
3、ＤＭＨｙを同時に供給することにより、ＧａＡｓＮ
層１３を１０ｎｍの厚さに成長させた。ＧａＡｓ層１
２、１４およびＧａＡｓＮ層１３の成長温度は、それぞ
れ、５００℃および４５０℃である。用いたＧａＡｓ基
板１１は、（１００）面、Ａステップ方向に１０度傾斜
したＧａＡｓ基板、および２５.２度傾斜したＧａＡｓ
基板を用いた。これら３種のＧａＡｓ基板に対して同時
に成長を行った。 図５に、傾斜角度（度）とＮ原子濃
度（％）の関係を示す。この場合も、傾斜角度が大きく
なるにしたがってＮ原子濃度は高くなる。また、成長表
面は（１００）面が粗であるのに対して、１０度傾斜し
た基板、および、２５.２度傾斜した基板面では極めて
平坦であった。以上の実施の形態では、ＧａＡｓ基板上
にＧａＡｓＮ層の成長を行ったが、ＧａＰＮ等のＮ原子
を含むIII−Ｖ族化合物半導体に対しても上記と同様の
効果がある。また、（１００）面からＡステップ方向に
１０度傾斜した基板、および２５.２度傾斜した基板
は、それぞれ（８１１）Ａ面、および（３１１）Ａ面に
対応する。これらの（ｎ１１）Ａ面では、ｎの値が小さ
くなるにしたがって、（１００）面からの傾斜角度が大
きくなる。Ａステップ方向の傾斜が最も大きい（１１
１）Ａ面まで、Ａステップの効果がある。したがって、
傾斜角度の最大値は５４.７度である。
ＧａＡｓ上にＧａＡｓＮ層を成長した。その窒化物半導
体結晶構造体を、図４に模式的に示す。ＴＥＧ、ＡｓＨ
3、ＤＭＨｙを同時に供給することにより、ＧａＡｓＮ
層１３を１０ｎｍの厚さに成長させた。ＧａＡｓ層１
２、１４およびＧａＡｓＮ層１３の成長温度は、それぞ
れ、５００℃および４５０℃である。用いたＧａＡｓ基
板１１は、（１００）面、Ａステップ方向に１０度傾斜
したＧａＡｓ基板、および２５.２度傾斜したＧａＡｓ
基板を用いた。これら３種のＧａＡｓ基板に対して同時
に成長を行った。 図５に、傾斜角度（度）とＮ原子濃
度（％）の関係を示す。この場合も、傾斜角度が大きく
なるにしたがってＮ原子濃度は高くなる。また、成長表
面は（１００）面が粗であるのに対して、１０度傾斜し
た基板、および、２５.２度傾斜した基板面では極めて
平坦であった。以上の実施の形態では、ＧａＡｓ基板上
にＧａＡｓＮ層の成長を行ったが、ＧａＰＮ等のＮ原子
を含むIII−Ｖ族化合物半導体に対しても上記と同様の
効果がある。また、（１００）面からＡステップ方向に
１０度傾斜した基板、および２５.２度傾斜した基板
は、それぞれ（８１１）Ａ面、および（３１１）Ａ面に
対応する。これらの（ｎ１１）Ａ面では、ｎの値が小さ
くなるにしたがって、（１００）面からの傾斜角度が大
きくなる。Ａステップ方向の傾斜が最も大きい（１１
１）Ａ面まで、Ａステップの効果がある。したがって、
傾斜角度の最大値は５４.７度である。
【０００７】
【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の窒
化物半導体結晶構造体は、（１００）面からＡステップ
方向に傾斜した面上に、窒化物半導体結晶を成長させる
ことにより、成長表面の平坦性を保ったまま、結晶中へ
の窒素不純物の取り込み効率を高くすることができる効
果がある。
化物半導体結晶構造体は、（１００）面からＡステップ
方向に傾斜した面上に、窒化物半導体結晶を成長させる
ことにより、成長表面の平坦性を保ったまま、結晶中へ
の窒素不純物の取り込み効率を高くすることができる効
果がある。
【図１】本発明の実施の形態で例示したＧａＡｓ層へＮ
原子を原子層ドーピングした際のＮ原子シート濃度とＧ
ａＡｓ層（１００）面からの傾斜角度との関係を示す
図。
原子を原子層ドーピングした際のＮ原子シート濃度とＧ
ａＡｓ層（１００）面からの傾斜角度との関係を示す
図。
【図２】本発明の実施の形態で例示した原子層ドーピン
グした窒化物半導体結晶構造体を示す模式図。
グした窒化物半導体結晶構造体を示す模式図。
【図３】本発明の実施の形態で例示したＡステップのＡ
ｓ原子とＢステップのＡｓ原子を示す模式図。
ｓ原子とＢステップのＡｓ原子を示す模式図。
【図４】本発明の実施の形態で例示したＧａＡｓ／Ｇａ
ＡｓＮ／ＧａＡｓ構造の窒化物半導体結晶構造体を示す
模式図。
ＡｓＮ／ＧａＡｓ構造の窒化物半導体結晶構造体を示す
模式図。
【図５】本発明の実施の形態で例示したＡステップ方向
の傾斜角度とＧａＡｓ／ＧａＡｓＮ／ＧａＡｓ構造のＮ
原子濃度との関係を示す図。
の傾斜角度とＧａＡｓ／ＧａＡｓＮ／ＧａＡｓ構造のＮ
原子濃度との関係を示す図。
１…ＡステップのＡｓ原子 ２…ＢステップのＡｓ原子 ３…ＧａＡｓ基板 ４…ＧａＡｓ層（３００ｎｍ） ５…Ｎ原子層ドーピング ６…ＧａＡｓ層（３００ｎｍ） １１…ＧａＡｓ基板 １２…ＧａＡｓ層（５０ｎｍ） １３…ＧａＡｓＮ層（１０ｎｍ） １４…ＧａＡｓ層（１５０ｎｍ）
Claims (3)
- 【請求項１】閃亜鉛鉱構造をとるIII−Ｖ族化合物半導
体であって、〔０１１〕方向に傾斜した（１００）面を
主面とする半導体基板と、該半導体基板上に形成された
Ｖ族原子の一部を窒素で置換した化合物半導体とにより
少なくとも構成してなることを特徴とする窒化物半導体
結晶構造体。 - 【請求項２】請求項１において、〔０１１〕方向に傾斜
した（１００）面を主面とする半導体基板に代えて、
〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向に傾斜した（１０
０）面と結晶学的同価な面を主面とする半導体基板によ
り構成してなることを特徴とする窒化物半導体結晶構造
体。 - 【請求項３】請求項１または請求項２において、〔０１
１〕方向もしくは〔０１１〕方向と結晶学的同価な方向
への傾斜角度を５４.７度以下としてなることを特徴と
する窒化物半導体結晶構造体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21557496A JPH1064828A (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 窒化物半導体結晶構造体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP21557496A JPH1064828A (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 窒化物半導体結晶構造体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064828A true JPH1064828A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=16674696
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP21557496A Pending JPH1064828A (ja) | 1996-08-15 | 1996-08-15 | 窒化物半導体結晶構造体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1064828A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168463A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 化合物半導体層の積層構造及びその作製方法 |
| WO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エピタキシャル結晶の成長方法 |
-
1996
- 1996-08-15 JP JP21557496A patent/JPH1064828A/ja active Pending
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001168463A (ja) * | 1999-12-09 | 2001-06-22 | Furukawa Electric Co Ltd:The | 化合物半導体層の積層構造及びその作製方法 |
| WO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2006-03-23 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | エピタキシャル結晶の成長方法 |
| EP1791171A1 (en) * | 2004-09-17 | 2007-05-30 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Epitaxial crystal growing method |
| JPWO2006030565A1 (ja) * | 2004-09-17 | 2008-05-08 | 日鉱金属株式会社 | エピタキシャル結晶の成長方法 |
| US7465353B2 (en) | 2004-09-17 | 2008-12-16 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | Method for growing epitaxial crystal |
| EP1791171A4 (en) * | 2004-09-17 | 2009-10-28 | Nippon Mining Co | EPITAXIAL CRYSTAL GROWTH PROCESS |
| JP4696070B2 (ja) * | 2004-09-17 | 2011-06-08 | Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 | エピタキシャル結晶の成長方法 |
| KR101092289B1 (ko) * | 2004-09-17 | 2011-12-13 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 에피택셜 결정의 성장 방법 |
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