JPH1064475A - イオンドーピング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ボンベ交換等に伴うガス濃度変化に対して、
イオンの生成量の変動が小さい、高精度、高性能且つ再
現性の良いイオンドーピング装置を得る。 【解決手段】 処理室内壁５ａを、表面荒さが５０μｍ
以上に研磨された金属材料で構成することにより、吸着
ガスが多くなり、また、多量のドーパントイオンが付着
した状態となる。このような状態では、各種イオンの生
成量は、イオン源１や処理室内壁５ａからの脱ガスとプ
ラズマやイオンの衝突で出てきたドーパント元素がイオ
ン化したものが主となり、新たに使用を開始したドーパ
ントガスの濃度には大きく影響されなくなり、再現性、
安定性の良いイオンドーピング処理が行えるイオンドー
ピング装置が得られる。また、処理室内壁にガス吸着の
多い材料１４を被覆したり、凹凸を形成する手段も有効
である。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、イオンドーピング
装置、特にＬＣＤ用薄膜トランジスタのコンタクト領域
形成工程等で用いられる、高精度で再現性の高いイオン
ドーピング装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】図１０は、従来のイオンドーピング装置
を示す概略図である。図において、１はＲＦ電力等によ
って所望のイオンを生成するイオン源、２はイオン源１
で生成された所望のイオンを取り出すための引き出し電
極、３はイオン源１にガスを供給するためのノズル、４
は基板ホルダー、５は基板にイオンドーピングする処理
室、６は真空搬送室、７は真空搬送ロボット、８は真空
予備室、９は大気搬送ロボット、１０は基板収納カセッ
ト、１１は処理室５と真空搬送室６を継ぐバルブ、１２
は真空搬送室６と真空予備室８を継ぐバルブ、１３は真
空予備室８と大気を分けるバルブである。処理室５およ
び真空搬送室６は内部を高真空に保つためにターボ分子
ポンプおよびドライポンプ等が接続されており、また真
空予備室８にはドライポンプ等が接続されている。

【０００３】以下に、従来のイオンドーピング装置の機
能を図に従って説明する。まず、カセット１０に収納さ
れた未処理のガラス基板等は大気搬送ロボット９によっ
て一枚毎に真空予備室８へ搬送され、ドライポンプ等に
よって低真空排気された後、真空搬送ロボット７で処理
室５に搬送され、基板ホルダー４にセットされる。基板
がセットされると、ガスノズル３からホスフィン（ＰＨ
₃ ）等の所望の不純物を含んだガスがイオン源１へ向け
て放出され、イオン源１にＲＦ電力を供給することでイ
オン源１内部にプラズマが発生し、ホスフィンガスが分
解されてＰ⁺ 等のイオンが生成される。生成されたイオ
ンはイオン源１および引き出し電極２へ所定の直流電圧
を印加することでエネルギーを得て加速し、基板ホルダ
ー４にセットされた基板に照射されて、ドーピング処理
が行われる。処理が終わると不純物ガスおよびＲＦ電力
の供給が停止される。ドーピングされた基板は、真空搬
送ロボット７により真空予備室８へ搬送され、真空状態
から大気圧に戻された後、大気搬送ロボット９でカセッ
ト１０に収納される。

【０００４】ところで、上記のように、不純物ガスとし
てホスフィン等を使用した場合、イオン源１ではＨ⁺ 、
Ｈ₂ ⁺ 、Ｈ₃ ⁺ 、Ｐ⁺ 、ＰＨ⁺ 、ＰＨ₂ ⁺ 、ＰＨ₃ ⁺ 等
の各種イオンが生成される。そして質量分析することな
くすべてのイオンを基板に照射するため、必要とするリ
ン（Ｐ）系イオン（Ｐ⁺ 、ＰＨ⁺ 、ＰＨ₂ ⁺ 、ＰＨ₃ ⁺
等）以外の水素系イオン（Ｈ⁺ 、Ｈ₂ ⁺ 、Ｈ₃ ⁺ 等）
も照射されることになる。イオンドーピングによる半導
体素子の製作においては、これら各種イオンのドーピン
グ量を制御して電気的特性の低下を防ぎ、さらに高精
度、高性能且つ再現性よくイオンドーピング処理を行う
必要がある。

【０００５】図１１−ａは、従来のイオンドーピング装
置で長期間にわたって一定濃度のドーピングガス（５％
ＰＨ₃ ／Ｈ₂ ）を使用した時の各種イオン分布を示す
図、図１１−ｂはドーピングガスの濃度を５％ＰＨ₃ ／
Ｈ₂ から１００％Ｈ₂ へ変更した場合の各種イオン分布
を調べたものである。図１１−ｂにおいてもＰ系イオン
が観測されていることから、ドーピングガスの濃度を変
更しても、即座に以前のガス成分がなくなることはな
く、かなりの量が残存していることが明らかである。こ
れは、ガスを変えても、イオン源１や処理室５等の内壁
に付着している以前使用していたガス成分等が発生（脱
ガス）したり、イオン源１や処理室５等の内壁に多量に
照射されたドーパント元素が異なったガスのプラズマや
イオンにはじき出されてイオン化したものと考えられ
る。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】各種イオンの生成量
は、例えばＲＦを使ったイオン源１の場合はＲＦ電力、
周波数、真空度、ガス濃度等に依存するため、ドーピン
グ量の制御にはこれらのパラメータを常に一定範囲に収
めておくことが必要となる。ＲＦ電力、周波数、真空度
等は、電気的な制御および計測が可能であり、パラメー
タを一定範囲に保つことも容易である。しかし、ガス濃
度については、一般的に水素等をベースとした希釈ガ
ス、例えばホスフィン濃度が５％の時は５％ＰＨ₃ ／Ｈ
₂ 等を用いることが多く、濃度範囲は一定幅で規定して
いるが実際には個々のボンベ毎に異なっている。そのた
め各種イオンの生成量もボンベ交換のたびに変動すると
いう問題があった。

【０００７】この発明は、上記のような問題点を解消す
るためになされたもので、ボンベ交換等に伴うガス濃度
変化に対して、イオンの生成量の変動が小さい、高精
度、高性能且つ再現性の良いイオンドーピング装置を得
ることを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】この発明に係わるイオン
ドーピング装置は、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
え、処理室の内壁を、表面荒さが５０μｍ以上に研磨さ
れた金属材料で構成したものである。また、ガスの導入
手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および
加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保
持部を有する処理室を備え、処理室の内壁を、ガス吸着
の多い材料で被覆したものである。また、ガスの導入手
段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段および加
速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保持
部を有する処理室を備え、処理室の内壁に凹凸を設けた
ものである。

【０００９】また、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
処理室の内壁を被覆し、表面荒さが５０μｍ以上に研磨
されたシールド板を備えたものである。また、ガスの導
入手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手段およ
び加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保持する
保持部を有する処理室と、処理室の内壁を被覆し、表面
をガス吸着の多い材料で被覆されたシールド板を備えた
ものである。また、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
処理室の内壁を被覆し、表面を所定の不純物元素を多量
に含む材料で被覆されたシールド板を備えたものであ
る。さらに、ガスの導入手段、所定の不純物元素を含む
イオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち込まれ
る被処理体を保持する保持部を有する処理室と、処理室
の内壁を被覆し、表面に凹凸が設けられたシールド板を
備えたものである。

【００１０】また、ガスの導入手段、所定の不純物元素
を含むイオンの生成手段および加速手段、イオンが打ち
込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室と、
処理室内の保持部周辺に設けられ、表面荒さが５０μｍ
以上に研磨されたカバーを備えたものである。また、ガ
スの導入手段、所定の不純物元素を含むイオンの生成手
段および加速手段、イオンが打ち込まれる被処理体を保
持する保持部を有する処理室と、処理室内の保持部周辺
に設けられ、表面をガス吸着の多い材料で被覆されたカ
バーを備えたものである。また、ガスの導入手段、所定
の不純物元素を含むイオンの生成手段および加速手段、
イオンが打ち込まれる被処理体を保持する保持部を有す
る処理室と、処理室内の保持部周辺に設けられ、表面を
所定の不純物元素を多量に含む材料で被覆されたカバー
を備えたものである。さらに、ガスの導入手段、所定の
不純物元素を含むイオンの生成手段および加速手段、イ
オンが打ち込まれる被処理体を保持する保持部を有する
処理室と、処理室内の保持部周辺に設けられ、表面に凹
凸が形成されたカバーを備えたものである。

【００１１】

【発明の実施の形態】

実施の形態１．以下、本発明の実施の形態を図について
説明する。図１は、本発明の実施の形態１であるイオン
ドーピング装置を示す概略図である。図において、１は
ＲＦ電力等によって所望のイオンを生成するイオン源、
２はイオン源１で生成された所望のイオンを取り出すた
めの引き出し電極、３はイオン源１にガスを供給するた
めのノズル、４は被処理体である基板を保持する基板ホ
ルダー、５は基板にイオンドーピングする処理室、５ａ
は表面荒さ５０μｍ以上に研磨された金属材料よりなる
処理室内壁、６は真空搬送室、７は真空搬送ロボット、
８は真空予備室、９は大気搬送ロボット、１０は基板収
納カセット、１１は処理室５と真空搬送室６を継ぐバル
ブ、１２は真空搬送室６と真空予備室８を継ぐバルブ、
１３は真空予備室８と大気を分けるバルブである。処理
室５および真空搬送室６は内部を高真空に保つためにタ
ーボ分子ポンプおよびドライポンプ等が接続されてお
り、また真空予備室８にはドライポンプ等が接続されて
いる。

【００１２】以下に、本実施の形態によるイオンドーピ
ング装置の機能および動作を図に従って説明する。ま
ず、カセット１０に収納された未処理のガラス基板等は
大気搬送ロボット９によって一枚毎に真空予備室８へ搬
送され、ドライポンプ等によって低真空排気された後、
真空搬送ロボット７で処理室５に搬送され、基板ホルダ
ー４にセットされる。基板がセットされると、ガスノズ
ル３からホスフィン（ＰＨ₃ ）等の所望の不純物を含ん
だガスがイオン源１へ向けて放出され、イオン源１にＲ
Ｆ電力を供給することでイオン源１内部にプラズマが発
生し、ホスフィンガスが分解されてＰ⁺ 等のイオンが生
成される。生成されたイオンはイオン源１および引き出
し電極２へ所定の直流電圧を印加することでエネルギー
を得て加速し、基板ホルダー４にセットされた基板に照
射されて、ドーピング処理が行われる。処理が終わると
不純物ガスおよびＲＦ電力の供給が停止される。ドーピ
ングされた基板は、真空搬送ロボット７により真空予備
室８へ搬送され、真空状態から大気圧に戻された後、大
気搬送ロボット９でカセット１０に収納される。

【００１３】本実施の形態では、処理室内壁５ａを、表
面荒さが５０μｍ以上に研磨された金属材料で構成する
ことにより、吸着ガスが多くなり、また、多量のドーパ
ントイオンが付着した状態となる。このような状態で
は、各種イオンの生成量は、イオン源１や処理室内壁５
ａからの脱ガスとプラズマやイオンの衝突で出てきたド
ーパント元素がイオン化したものが主となり、新たに使
用を開始したドーパントガスの濃度には大きく影響され
なくなる。ガス濃度は、一般的に水素等をベースとした
希釈ガス、例えばホスフィン濃度が５％の時は５％ＰＨ
₃ ／Ｈ₂ 等を用いることが多く、濃度範囲は一定幅で規
定しているが実際には個々のボンベ毎に異なっている。
そのため従来のイオンドーピング装置では、各種イオン
の生成量がガス交換のたびに変動するという問題があっ
た。本発明によれば、処理室内壁５ａの表面荒さを荒く
することで、ガス交換等に伴うガス濃度の変動に対する
各種イオンの生成量の変動が少なくなり、再現性、安定
性の良いイオンドーピング処理が行えるイオンドーピン
グ装置が得られる。

【００１４】実施の形態２．図２は、本発明の実施の形
態２であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、５ｂは、ガス吸着の多い材料１４が被覆さ
れた処理室５の内壁である。なお、図中、同一、相当部
分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の形態
によるイオンドーピング装置の基本的構成および動作等
は実施の形態１に示すものと同様である。

【００１５】本実施の形態では、処理室５の内壁５ｂに
ガス吸着の多い材料１４を被覆することにより、ガス交
換等に伴うガス濃度の変動に対するイオンの生成量の変
動を小さくするもので、実施の形態１と同様に、再現
性、安定性の良いイオンドーピング処理が行える効果が
ある。

【００１６】実施の形態３．図３−ａは、本発明の実施
の形態３であるイオンドーピング装置を示す概略図、図
３−ｂは処理室５の内壁の部分拡大断面図である。図に
おいて、５ｃは、表面に凹凸が設けられた処理室５の内
壁である。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を
付し、説明を省略する。本実施の形態によるイオンドー
ピング装置の基本的構成および動作等は実施の形態１に
示すものと同様である。

【００１７】本実施の形態では、処理室５の内壁５ｃの
表面に凹凸を設け表面積を大きくすることにより、吸着
ガスが多くなり、また、多量のドーパントイオンが付着
した状態となる。このような状態では、各種イオンの生
成量は、イオン源１や処理室内壁５ｃからの脱ガスとプ
ラズマやイオンの衝突で出てきたドーパント元素がイオ
ン化したもの（二次イオン）が主となり、新たに使用を
開始したドーパントガスの濃度には大きく影響されなく
なる。本実施の形態では、処理室内壁５ｃの表面に凹凸
を設け表面積を大きくすることで、ガス交換等に伴うガ
ス濃度の変動に対する各種イオンの生成量の変動が少な
くなり、再現性、安定性の良いイオンドーピング処理が
行えるイオンドーピング装置が得られる。

【００１８】実施の形態４．図４は、本発明の実施の形
態４であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１５ａは表面荒さが５０μｍ以上に研磨さ
れた、処理室５の内壁を被覆するシールド板である。な
お、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、説明を
省略する。本実施の形態によるイオンドーピング装置の
基本的構成および動作等は実施の形態１に示すものと同
様である。

【００１９】本実施の形態では、処理室５の内壁に表面
が５０μｍ以上に研磨されたシールド板１５ａを設ける
ことにより、シールド板１５ａからの脱ガスおよびイオ
ン照射によって飛び出したドーパント元素等を利用し
て、ガス交換等に伴うガス濃度の変動に対するイオンの
生成量の変動を小さくするもので、再現性、安定性の良
いイオンドーピング処理が行える効果がある。

【００２０】実施の形態５．図５は、本発明の実施の形
態５であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１４はガス吸着の多い材料、１５ｂは表面
にガス吸着の多い材料１４が被覆された、処理室５の内
壁に設けられたシールド板である。なお、図中、同一、
相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施
の形態によるイオンドーピング装置の基本的構成および
動作等は実施の形態１に示すものと同様である。

【００２１】本実施の形態では、処理室５の内壁に、表
面にガス吸着の多い材料１４が被覆されたシールド板１
５ｂを設けることにより、シールド板１５ｂからの脱ガ
スおよびイオン照射によって飛び出したドーパント元素
等を利用して、ガス交換によるガス濃度の変動に対する
イオンの生成量の変動を小さくするもので、再現性、安
定性の良いイオンドーピング処理が行える効果がある。

【００２２】また、本実施の形態において、シールド板
１５ｂの表面に、ガス吸着の多い材料１４の代わりに所
望の不純物元素例えばリンを多量に含んだ材料を被覆し
ても良い。リンを多量に含んだ材料を被覆することによ
り、プラズマやイオン照射によって、ドーパント元素で
あるリンがはじき出され、リンイオンの生成量がボンベ
交換等に伴うガス濃度の変動の影響を受けにくくなる効
果がある。

【００２３】実施の形態６．図６−ａは、本発明の実施
の形態６であるイオンドーピング装置を示す概略図、図
６−ｂは、シールド板の部分拡大断面図である。図にお
いて、１５ｃは処理室５の内壁に設けられたシールド板
であり、シールド板１５ｃの表面にはその表面積を大き
くするために凹凸が形成されている。なお、図中、同
一、相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。本
実施の形態によるイオンドーピング装置の基本的構成お
よび動作等は実施の形態１に示すものと同様である。

【００２４】本実施の形態では、処理室５の内壁に、表
面に凹凸が形成されたシールド板１５ｃを設けることに
より、処理室５内壁の実効的表面積を大きくしてガス吸
着量と二次イオンを増大させ、シールド板１５ｃからの
脱ガスおよびイオン照射によって飛び出したドーパント
元素等を利用して、ガス交換によるガス濃度の変動に対
するイオンの生成量の変動を小さくするもので、再現
性、安定性の良いイオンドーピング処理が行える効果が
ある。

【００２５】実施の形態７．図７は、本発明の実施の形
態７であるイオンドーピング装置を示す概略図である。
図において、１６ａは、処理室５内の被処理体保持部で
ある基板ホルダー４周辺に設けられたカバーであり、カ
バー１６ａの表面は、荒さ５０μｍ以上に研磨されてい
る。なお、図中、同一、相当部分には同一符号を付し、
説明を省略する。本実施の形態によるイオンドーピング
装置の基本的構成および動作等は実施の形態１に示すも
のと同様である。

【００２６】本実施の形態では、処理室５の基板ホルダ
ー４周辺に、表面荒さが５０μｍ以上に研磨されたカバ
ー１６ａを設けることにより、イオン衝突による脱ガス
やドーパントイオンの飛び出しをより効率的に利用しよ
うとするものである。また、カバー１６ａの代わりに、
表面にガス吸着の多い材料を被覆したカバーを用いても
同様の効果が得られる。さらに、カバー１６ａの代わり
に、表面にリンを多量に含んだ材料を被覆したカバーを
用いても、プラズマやイオン照射によってドーパント元
素がはじき出され、リンイオンの生成量がガス濃度等の
変動の影響を受けにくくなる効果がある。

【００２７】実施の形態８．図８−ａは、本発明の実施
の形態８であるイオンドーピング装置を示す概略図、図
８−ｂはカバーの部分拡大断面図である。図において、
１６ｂは、処理室５内の被処理体保持部である基板ホル
ダー４周辺に設けられたカバーであり、カバー１６ｂの
表面には凹凸が形成されている。なお、図中、同一、相
当部分には同一符号を付し、説明を省略する。本実施の
形態によるイオンドーピング装置の基本的構成および動
作等は実施の形態１に示すものと同様である。

【００２８】本実施の形態では、処理室５の基板ホルダ
ー４周辺に、表面に凹凸が設けられたカバー１６ｂを設
けることにより、イオン衝突による脱ガスやドーパント
イオンの飛び出しをより効率的に利用して、ガス交換に
よるガス濃度の変動に対するイオンの生成量の変動を小
さくするもので、再現性、安定性の良いイオンドーピン
グ処理が行える効果がある。

【００２９】実施の形態９．上記実施の形態１〜８を複
数組み合わせることにより、処理室５内の吸着ガスおよ
びドーパントイオンの付着量がさらに増大し、各種イオ
ンの生成量の変動が抑制される。例えば、図９は、本発
明の実施の形態９であるイオンドーピング装置を示す概
略図であり、図において、１５ｃは表面に凹凸が形成さ
れ、処理室５の内壁を被覆するシールド板であり、１６
ｂは表面に凹凸が形成され、処理室５内の被処理体保持
部である基板ホルダー４周辺に設けられたカバーであ
る。すなわち、本実施の形態は、実施の形態６と実施の
形態８を組み合わせたものである。なお、図中、同一、
相当部分には同一符号を付し、説明を省略する。このよ
うに、本発明の実施の形態を複数組み合わせることによ
り、ガス交換等に伴うガス濃度の変動による各種イオン
の生成量の変動をより小さくすることが可能である。

【００３０】

【発明の効果】以上のように、この発明によれば、処理
室の内壁を、表面荒さが５０μｍ以上に研磨された金属
材料で構成し、処理室内壁へのガス吸着を多くすること
により、ガス交換等に伴うガス濃度の変動に対するイオ
ンの生成量の変動量が少なくなり、再現性、安定性の良
いイオンドーピング装置が得られる効果がある。

【００３１】また、処理室の内壁を被覆し、表面を所定
の不純物元素を多量に含む材料で被覆されたシールド板
を設けたので、イオン照射等により所定の不純物元素を
含むイオンがはじき出され、ガス濃度の変動に対するイ
オンの生成量の変動量が少なくなり、再現性、安定性の
良いイオンドーピング装置が得られる効果がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】 この発明の実施の形態１であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図２】 この発明の実施の形態２であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図３】 ａは、この発明の実施の形態３であるイオン
ドーピング装置を示す概略図、ｂは処理室内壁の部分拡
大断面図である。

【図４】 この発明の実施の形態４であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図５】 この発明の実施の形態５であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図６】 ａは、この発明の実施の形態６であるイオン
ドーピング装置を示す概略図、ｂはシールド板の部分拡
大断面図である。

【図７】 この発明の実施の形態７であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図８】 ａは、この発明の実施の形態８であるイオン
ドーピング装置を示す概略図、ｂはカバーの部分拡大断
面図である。

【図９】 この発明の実施の形態９であるイオンドーピ
ング装置を示す概略図である。

【図１０】 従来のイオンドーピング装置を示す概略図
である。

【図１１】 ａは、従来のイオンドーピング装置で長期
間にわたって一定濃度のドーピングガス（５％ＰＨ₃ ／
Ｈ₂ ）を使用した場合、ｂはドーピングガスの濃度を５
％ＰＨ₃ ／Ｈ₂ から１００％Ｈ₂ へ変更した場合の各種
イオン分布を示す図である。

【符号の説明】

１ イオン源、２ 引き出し電極、３ ガス供給ノズ
ル、４ 基板ホルダー、５ 処理室、５ａ 表面荒さ５
０μｍ以上に研磨された処理室内壁、５ｂ 表面にガス
吸着の多い材料が被覆された処理室内壁、５ｃ 表面に
凹凸が形成された処理室内壁、６ 真空搬送室、７ 真
空搬送ロボット、８ 真空予備室、９ 大気搬送ロボッ
ト、１０ 基板収納カセット、１１、１２、１３ バル
ブ、１４ ガス吸着の多い材料、１５ａ 表面荒さ５０
μｍ以上に研磨されたシールド板、１５ｂ 表面にガス
吸着の多い材料が被覆されたシールド板、１５ｃ 表面
に凹凸が形成されたシールド板、１６ａ 表面荒さ５０
μｍ以上に研磨されたカバー、１６ｂ 表面に凹凸が形
成されたカバー。

【手続補正書】

【提出日】平成８年１０月４日

【手続補正１】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図３

【補正方法】変更

【補正内容】

【図３】

【手続補正２】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図６

【補正方法】変更

【補正内容】

【図６】

【手続補正３】

【補正対象書類名】図面

【補正対象項目名】図８

【補正方法】変更

【補正内容】

【図８】

Claims (11)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
   え、上記処理室の内壁を、表面荒さが５０μｍ以上に研
   磨された金属材料で構成したことを特徴とするイオンド
   ーピング装置。
2. 【請求項２】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
   え、上記処理室の内壁を、ガス吸着の多い材料で被覆し
   たことを特徴とするイオンドーピング装置。
3. 【請求項３】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室を備
   え、上記処理室の内壁に凹凸を設けたことを特徴とする
   イオンドーピング装置。
4. 【請求項４】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室の内壁を被覆し、表面荒さが５０μｍ以上に
   研磨されたシールド板を備えたことを特徴とするイオン
   ドーピング装置。
5. 【請求項５】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室の内壁を被覆し、表面をガス吸着の多い材料
   で被覆されたシールド板を備えたことを特徴とするイオ
   ンドーピング装置。
6. 【請求項６】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室の内壁を被覆し、表面を上記所定の不純物元
   素を多量に含む材料で被覆されたシールド板を備えたこ
   とを特徴とするイオンドーピング装置。
7. 【請求項７】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室の内壁を被覆し、表面に凹凸が設けられたシ
   ールド板を備えたことを特徴とするイオンドーピング装
   置。
8. 【請求項８】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室内の保持部周辺に設けられ、表面荒さが５０
   μｍ以上に研磨されたカバーを備えたことを特徴とする
   イオンドーピング装置。
9. 【請求項９】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を含
   むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打ち
   込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室内の保持部周辺に設けられ、表面をガス吸着
   の多い材料で被覆されたカバーを備えたことを特徴とす
   るイオンドーピング装置。
10. 【請求項１０】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を
    含むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打
    ち込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室内の保持部周辺に設けられ、表面を上記所定
    の不純物元素を多量に含む材料で被覆されたカバーを備
    えたことを特徴とするイオンドーピング装置。
11. 【請求項１１】 ガスの導入手段、所定の不純物元素を
    含むイオンの生成手段および加速手段、上記イオンが打
    ち込まれる被処理体を保持する保持部を有する処理室、 上記処理室内の保持部周辺に設けられ、表面に凹凸が形
    成されたカバーを備えたことを特徴とするイオンドーピ
    ング装置。