JPH1064056A - 磁気ハードディスクの製造方法 - Google Patents
磁気ハードディスクの製造方法Info
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- JPH1064056A JPH1064056A JP8241023A JP24102396A JPH1064056A JP H1064056 A JPH1064056 A JP H1064056A JP 8241023 A JP8241023 A JP 8241023A JP 24102396 A JP24102396 A JP 24102396A JP H1064056 A JPH1064056 A JP H1064056A
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- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
- G11B5/00—Recording by magnetisation or demagnetisation of a record carrier; Reproducing by magnetic means; Record carriers therefor
- G11B5/84—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers
- G11B5/8404—Processes or apparatus specially adapted for manufacturing record carriers manufacturing base layers
Abstract
(57)【要約】
【課題】 磁気ハードデイスク基板表面に付着させた磁
性体層がほぼ平坦な表面をもつことのできる磁気ハード
デイスクの製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ハードデイスクの製造方法は、表面
にアモルファス・ニッケル・リン合金から成る膜を形成
した磁気ハードデイスク基板（１０）の表面の所望の箇
所を放電により加熱して、ニッケルとリンとの化合物結
晶と、ニッケル粒子とを磁気ハードデイスク基板（１
０）の表面の所望の箇所（Ｔ）のみに析出させる膜表面
改質工程と、この磁気ハードデイスク基板（１０）の表
面に磁性体層を付着させる磁性体層付着工程とから成
る。ここで、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に対する放電は、少
なくとも１個の放電電極針（１１）を、電極板を兼ねる
基板載置台（１２）に載置した磁気ハードデイスク基板
（１０）の表面に対向して配置し、これらの間に電圧を
印加することによって発生する。
性体層がほぼ平坦な表面をもつことのできる磁気ハード
デイスクの製造方法を提供する。 【解決手段】 磁気ハードデイスクの製造方法は、表面
にアモルファス・ニッケル・リン合金から成る膜を形成
した磁気ハードデイスク基板（１０）の表面の所望の箇
所を放電により加熱して、ニッケルとリンとの化合物結
晶と、ニッケル粒子とを磁気ハードデイスク基板（１
０）の表面の所望の箇所（Ｔ）のみに析出させる膜表面
改質工程と、この磁気ハードデイスク基板（１０）の表
面に磁性体層を付着させる磁性体層付着工程とから成
る。ここで、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に対する放電は、少
なくとも１個の放電電極針（１１）を、電極板を兼ねる
基板載置台（１２）に載置した磁気ハードデイスク基板
（１０）の表面に対向して配置し、これらの間に電圧を
印加することによって発生する。
Description
【０００１】
【発明の属する分野】本発明は、磁気ハードデイスクの
製造方法に関する。
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術及び発明の解決しようとする課題】一般
に、アモルファス・ニッケル・リン（以下、ａ-Ｎｉ-Ｐ
という）合金は、力学的に高い強度をもち、耐食性があ
り、非磁性であるため、アルミニウム基板表面にメッキ
によりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成して、磁気ハードデイス
ク基板の強化膜として使用されている。
に、アモルファス・ニッケル・リン（以下、ａ-Ｎｉ-Ｐ
という）合金は、力学的に高い強度をもち、耐食性があ
り、非磁性であるため、アルミニウム基板表面にメッキ
によりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成して、磁気ハードデイス
ク基板の強化膜として使用されている。
【０００３】磁気ハードデイスクは、このような磁気ハ
ードデイスク基板の表面（つまりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面）にスパッタリングにより磁性体層を付着させて製造
される。
ードデイスク基板の表面（つまりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面）にスパッタリングにより磁性体層を付着させて製造
される。
【０００４】しかし、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面が平坦なた
め、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に付着した磁性体層が剥がれ
易く、このため、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面を遊離砥粒等を
使用してテクスチャ加工を行って、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面に凹凸面を形成して磁性体層との付着面積を増加させ
るとともに、テクスチャ加工時の摩擦熱によりａ-Ｎｉ-
Ｐ合金膜表面の一部にニッケルとリンとの化合物結晶
（以下、ＮｉxＰy化合物結晶という。ここで、ｘとｙは
原子組成比である）とニッケル粒子（以下、Ｎｉ粒子と
いう）とを析出させて、磁性体層の付着性を向上させて
いた（例えば、特願平８−５３７１１号を参照）。
め、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に付着した磁性体層が剥がれ
易く、このため、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面を遊離砥粒等を
使用してテクスチャ加工を行って、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面に凹凸面を形成して磁性体層との付着面積を増加させ
るとともに、テクスチャ加工時の摩擦熱によりａ-Ｎｉ-
Ｐ合金膜表面の一部にニッケルとリンとの化合物結晶
（以下、ＮｉxＰy化合物結晶という。ここで、ｘとｙは
原子組成比である）とニッケル粒子（以下、Ｎｉ粒子と
いう）とを析出させて、磁性体層の付着性を向上させて
いた（例えば、特願平８−５３７１１号を参照）。
【０００５】図３（b）は、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面を遊
離砥粒を使用した研磨によりテクスチャ加工を行った後
の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真である。
離砥粒を使用した研磨によりテクスチャ加工を行った後
の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真である。
【０００６】図３（b）に示すように、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金
膜表面には、研磨により形成された多数の溝２０に沿っ
てＮｉxＰy化合物結晶１９とニッケル粒子１８とが析出
されている。
膜表面には、研磨により形成された多数の溝２０に沿っ
てＮｉxＰy化合物結晶１９とニッケル粒子１８とが析出
されている。
【０００７】近年、磁気ハードデイスクの記録密度の増
大が求められ、磁気ハードデイスクと磁気ヘッドとの距
離をより一層接近させなければならない。
大が求められ、磁気ハードデイスクと磁気ヘッドとの距
離をより一層接近させなければならない。
【０００８】しかし、上述のようにテクスチャ加工を行
ったａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に磁性体層を付着させると、
研磨によるテクスチャ加工によってａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面に多数の溝（図３（b）の符号２０を参照）（つま
り、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に凹凸）が形成されるため、
このようなａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に付着した磁性体層の
表面に凹凸面（凹凸の高低差は約０．３μｍである）が
形成され、この凸部に磁気ヘッドが衝突する恐れがあ
る。
ったａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に磁性体層を付着させると、
研磨によるテクスチャ加工によってａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面に多数の溝（図３（b）の符号２０を参照）（つま
り、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に凹凸）が形成されるため、
このようなａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に付着した磁性体層の
表面に凹凸面（凹凸の高低差は約０．３μｍである）が
形成され、この凸部に磁気ヘッドが衝突する恐れがあ
る。
【０００９】変形的に、上述のようなテクスチャ加工を
行わずに、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を加熱することによって、
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜にＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子とを
析出させ、磁性体層との付着性を向上させて、ａ-Ｎｉ-
Ｐ合金膜表面に磁性体層を付着させ、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜
表面に付着させた磁性体層表面を平坦にすることができ
るが、加熱によりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜全体にＮｉｘＰｙ化
合物結晶とＮｉ粒子とが析出されるため、ａ-Ｎｉ-Ｐ合
金膜の力学的強度が失われ、強化膜として使用できな
い。
行わずに、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を加熱することによって、
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜にＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子とを
析出させ、磁性体層との付着性を向上させて、ａ-Ｎｉ-
Ｐ合金膜表面に磁性体層を付着させ、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜
表面に付着させた磁性体層表面を平坦にすることができ
るが、加熱によりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜全体にＮｉｘＰｙ化
合物結晶とＮｉ粒子とが析出されるため、ａ-Ｎｉ-Ｐ合
金膜の力学的強度が失われ、強化膜として使用できな
い。
【００１０】また、上述のようなテクスチャ加工に代え
て、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面にレーザービームを照射して
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面の一部にのみＮｉｘＰｙ化合物結
晶とＮｉ粒子とを析出させる方法があるが、レーザー装
置の寿命や、加工にコストがかかるため実用的ではな
い。
て、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面にレーザービームを照射して
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面の一部にのみＮｉｘＰｙ化合物結
晶とＮｉ粒子とを析出させる方法があるが、レーザー装
置の寿命や、加工にコストがかかるため実用的ではな
い。
【００１１】したがって、本発明の課題は、磁気ハード
デイスク基板表面に付着させた磁性体層がほぼ平坦な表
面をもつことのできる磁気ハードデイスクの製造方法を
提供することである。
デイスク基板表面に付着させた磁性体層がほぼ平坦な表
面をもつことのできる磁気ハードデイスクの製造方法を
提供することである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】上記課題を達成するため
に、本発明の磁気ハードデイスクの製造方法は、表面に
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成した磁気ハードデイスク基板の
表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）上の所望の箇所
を放電により加熱して、ＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子
とを磁気ハードデイスク基板表面上の所望の箇所のみに
析出する膜表面改質工程と、磁気ハードデイスク基板の
表面に磁性体層を付着させる磁性体層付着工程とから成
る。
に、本発明の磁気ハードデイスクの製造方法は、表面に
ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成した磁気ハードデイスク基板の
表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）上の所望の箇所
を放電により加熱して、ＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子
とを磁気ハードデイスク基板表面上の所望の箇所のみに
析出する膜表面改質工程と、磁気ハードデイスク基板の
表面に磁性体層を付着させる磁性体層付着工程とから成
る。
【００１３】つまり、本発明の磁気ハードデイスクの製
造方法は、磁気ハードデイスク基板のａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜
の表面の所望の箇所のみを改質した後に、磁気ハードデ
イスク基板表面に磁性体層を付着させることを特徴とす
る。
造方法は、磁気ハードデイスク基板のａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜
の表面の所望の箇所のみを改質した後に、磁気ハードデ
イスク基板表面に磁性体層を付着させることを特徴とす
る。
【００１４】この改質は、放電によりａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜
表面を加熱し、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面にＮｉxＰy化合物
結晶とＮｉ粒子とを析出して行われる。
表面を加熱し、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面にＮｉxＰy化合物
結晶とＮｉ粒子とを析出して行われる。
【００１５】放電によるａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面の加熱
は、ａ-Ｎｉ-Ｐ表面上の所望の箇所のみで行われ、ａ-
Ｎｉ-Ｐ合金膜表面上の所望の箇所のみにＮｉxＰy化合
物結晶とＮｉ粒子とを析出させることができる。
は、ａ-Ｎｉ-Ｐ表面上の所望の箇所のみで行われ、ａ-
Ｎｉ-Ｐ合金膜表面上の所望の箇所のみにＮｉxＰy化合
物結晶とＮｉ粒子とを析出させることができる。
【００１６】ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面に対する放電は、少
なくとも１個の放電電極針を、電極板を兼ねる基板載置
台に載置した磁気ハードデイスク基板の表面に対向して
配置し、これらの間に直流電圧、交流電圧、又は直流電
圧と交流電圧とを重畳して印加し、スパーク放電やアー
ク放電を発生させて行われる。
なくとも１個の放電電極針を、電極板を兼ねる基板載置
台に載置した磁気ハードデイスク基板の表面に対向して
配置し、これらの間に直流電圧、交流電圧、又は直流電
圧と交流電圧とを重畳して印加し、スパーク放電やアー
ク放電を発生させて行われる。
【００１７】磁性体層は、スパッタリング等の在来の方
法によって磁気ハードデイスク基板表面（つまり、ａ-
Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）に付着させる。
法によって磁気ハードデイスク基板表面（つまり、ａ-
Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）に付着させる。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明の磁気ハードデイスクの製
造方法は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成した磁気ハー
ドデイスク基板の表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面）上の所望の箇所を放電により加熱して、ＮｉxＰy化
合物結晶とＮｉ粒子とを磁気ハードデイスク基板表面上
の所望の箇所のみに析出する膜表面改質工程と、磁気ハ
ードデイスク基板の表面に磁性体層を付着させる磁性体
層付着工程とから成る。
造方法は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成した磁気ハー
ドデイスク基板の表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表
面）上の所望の箇所を放電により加熱して、ＮｉxＰy化
合物結晶とＮｉ粒子とを磁気ハードデイスク基板表面上
の所望の箇所のみに析出する膜表面改質工程と、磁気ハ
ードデイスク基板の表面に磁性体層を付着させる磁性体
層付着工程とから成る。
【００１９】膜表面改質工程において、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金
膜表面に対する放電は、図１に示すように、少なくとも
１個の放電電極針１１を、電極板を兼ねる基板載置台１
２に載置した磁気ハードデイスク基板１０の表面に対向
して配置し、これらの間に直流電圧、交流電圧、又は直
流電圧と交流電圧とを重畳して印加し、スパーク放電や
アーク放電を発生させて行われる。
膜表面に対する放電は、図１に示すように、少なくとも
１個の放電電極針１１を、電極板を兼ねる基板載置台１
２に載置した磁気ハードデイスク基板１０の表面に対向
して配置し、これらの間に直流電圧、交流電圧、又は直
流電圧と交流電圧とを重畳して印加し、スパーク放電や
アーク放電を発生させて行われる。
【００２０】ａ-Ｎｉ-Ｐ合金表面に対する放電は、放電
電極針１１及び磁気ハードデイスク基板１０とを空気
中、又は油、水等の液中で行われる。
電極針１１及び磁気ハードデイスク基板１０とを空気
中、又は油、水等の液中で行われる。
【００２１】放電電極針１１は、タングステン、ニッケ
ル、コバルト、クロム、又はニクロムの少なくとも１つ
から成る。
ル、コバルト、クロム、又はニクロムの少なくとも１つ
から成る。
【００２２】放電電極針１１に対して磁気ハードデイス
ク基板１０を回転（図１の矢印Ｒの方向）させることに
よって、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金表面上の円周方向のみにＮｉx
Ｐy化合物結晶とＮｉ粒子とを析出させることができる
（図１の符号Ｔを参照）。
ク基板１０を回転（図１の矢印Ｒの方向）させることに
よって、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金表面上の円周方向のみにＮｉx
Ｐy化合物結晶とＮｉ粒子とを析出させることができる
（図１の符号Ｔを参照）。
【００２３】磁性体層付着工程において、磁性体層は、
スパッタリング等の在来の方法によって磁気ハードデイ
スク基板表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）に付着
させる。
スパッタリング等の在来の方法によって磁気ハードデイ
スク基板表面（つまり、ａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜表面）に付着
させる。
【００２４】
【実施例】本発明の実施例に使用する磁気ハードデイス
ク基板は、アルミニウム製のデイスクの表面にａ-Ｎｉ-
Ｐ合金をメッキしてａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成して成る。
ク基板は、アルミニウム製のデイスクの表面にａ-Ｎｉ-
Ｐ合金をメッキしてａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を形成して成る。
【００２５】本発明の実施例の膜表面改質工程に使用す
る膜表面改質装置は、図１及び２（a）及び（b）に示す
ように、外部の回転駆動手段にシャフトを通じて連結し
た金属製の基板載置台１２に磁気ハードデイスク基板１
０を載置し、放電電極針１１を磁気ハードデイスク基板
１０の表面に対向して配置して成る。
る膜表面改質装置は、図１及び２（a）及び（b）に示す
ように、外部の回転駆動手段にシャフトを通じて連結し
た金属製の基板載置台１２に磁気ハードデイスク基板１
０を載置し、放電電極針１１を磁気ハードデイスク基板
１０の表面に対向して配置して成る。
【００２６】放電電極針１１は、可変抵抗器１５を介し
て漏洩変圧器１４の二次側に接続される。
て漏洩変圧器１４の二次側に接続される。
【００２７】磁気ハードデイスク基板１０を載置し、電
極板を兼ねた基板載置台１２は、シャフトを介して接地
され漏洩変圧器１４の二次側に接続される。
極板を兼ねた基板載置台１２は、シャフトを介して接地
され漏洩変圧器１４の二次側に接続される。
【００２８】漏洩変圧器１４の一次側は可変変圧器１３
に接続され、この可変変圧器１３はスイッチＳを介して
電源Ｐに接続されている。
に接続され、この可変変圧器１３はスイッチＳを介して
電源Ｐに接続されている。
【００２９】電源Ｐは交流１００Ｖの商用電源である。
【００３０】可変変圧器１３は、０〜１３０Ｖの範囲で
可変であり、漏洩変圧器１４の一次側の入力電圧を制御
することができる。
可変であり、漏洩変圧器１４の一次側の入力電圧を制御
することができる。
【００３１】漏洩変圧器１４の二次側は０〜２０ＫＶの
範囲で可変である。
範囲で可変である。
【００３２】放電電極針１１への電流の微調節は可変抵
抗器１５で行うことができる。
抗器１５で行うことができる。
【００３３】漏洩変圧器１４の二次側には端子ａ、ｃが
あり、交流電圧を用いて膜表面改質工程を行うときは、
端子ａと端子ｃ、及び端子ｂと端子ｄをそれぞれ接続す
る。
あり、交流電圧を用いて膜表面改質工程を行うときは、
端子ａと端子ｃ、及び端子ｂと端子ｄをそれぞれ接続す
る。
【００３４】放電電極針１１と基板載置台１２との間に
直流電圧を印加する場合は、図２（a）に示す高電圧整
流回路１６を図１の端子ａ、ｂ、ｃ、ｄに接続する。
直流電圧を印加する場合は、図２（a）に示す高電圧整
流回路１６を図１の端子ａ、ｂ、ｃ、ｄに接続する。
【００３５】また、直流電圧と交流電圧とを重畳して印
加する場合は、図１の端子ａ、ｂ、ｃ、ｄに図２（a）
の高電圧整流回路１６を接続し、さらに図２（b）のパ
ルス変圧器１７を高電圧整流回路１６の端子ｃ、ｅに接
続し、パルス変圧器１７の端子ｇ、ｆに交流電圧を印加
する。
加する場合は、図１の端子ａ、ｂ、ｃ、ｄに図２（a）
の高電圧整流回路１６を接続し、さらに図２（b）のパ
ルス変圧器１７を高電圧整流回路１６の端子ｃ、ｅに接
続し、パルス変圧器１７の端子ｇ、ｆに交流電圧を印加
する。
【００３６】放電電極針１１と基板載置台１２との間に
直流電圧、又は直流電圧と交流電圧とを重畳して印加す
る場合、通常、放電電極針１１に負の電圧を印加し、磁
気ハードデイスク基板１０側を図１に示すように接地す
るが、放電電極針１１に正の電圧を印加してもよい。
直流電圧、又は直流電圧と交流電圧とを重畳して印加す
る場合、通常、放電電極針１１に負の電圧を印加し、磁
気ハードデイスク基板１０側を図１に示すように接地す
るが、放電電極針１１に正の電圧を印加してもよい。
【００３７】放電電極針１１と磁気ハードデイスク基板
１０表面との間に発生させる放電は、スパーク放電又は
アーク放電である。
１０表面との間に発生させる放電は、スパーク放電又は
アーク放電である。
【００３８】放電電極針１１と磁気ハードデイスク基板
１０表面との間の距離は、これらの間に印加される電圧
の大きさによって調節されるが、通常、約１ｍｍであ
る。
１０表面との間の距離は、これらの間に印加される電圧
の大きさによって調節されるが、通常、約１ｍｍであ
る。
【００３９】放電電極針１１と基板載置台１２との間に
低電圧を印加して放電電極針１１と磁気ハードデイスク
基板１０表面との間にアーク放電を発生させると、磁気
ハードデイスク基板１０表面の加熱を広い幅で深く行う
ことができる。
低電圧を印加して放電電極針１１と磁気ハードデイスク
基板１０表面との間にアーク放電を発生させると、磁気
ハードデイスク基板１０表面の加熱を広い幅で深く行う
ことができる。
【００４０】また、放電電極針１１と基板載置台１２と
の間に高電圧を印加して放電電極針１１と磁気ハードデ
イスク基板１０表面との間にスパーク放電を発生させる
と、磁気ハードデイスク基板１０表面の加熱を狭い幅で
浅く行うことができる。
の間に高電圧を印加して放電電極針１１と磁気ハードデ
イスク基板１０表面との間にスパーク放電を発生させる
と、磁気ハードデイスク基板１０表面の加熱を狭い幅で
浅く行うことができる。
【００４１】ここで、スパーク放電の場合、放電路が一
定の直線経路を通過せず、磁気ハードデイスク基板表面
上の所望としない箇所を加熱してしまう場合があるた
め、放電電極針１１と磁気ハードデイスク基板１０表面
との間の距離を小さくして磁気ハードデイスク基板表面
の所望の箇所のみを加熱する。
定の直線経路を通過せず、磁気ハードデイスク基板表面
上の所望としない箇所を加熱してしまう場合があるた
め、放電電極針１１と磁気ハードデイスク基板１０表面
との間の距離を小さくして磁気ハードデイスク基板表面
の所望の箇所のみを加熱する。
【００４２】磁気ハードデイスク基板表面の円周方向に
ＮｉｘＰｙ化合物結晶とＮｉ粒子とを析出させるため、
磁気ハードデイスク基板１０を回転させる。
ＮｉｘＰｙ化合物結晶とＮｉ粒子とを析出させるため、
磁気ハードデイスク基板１０を回転させる。
【００４３】このときの回転数は、２０〜２００ｒｐｍ
の範囲にある。
の範囲にある。
【００４４】放電により磁気ハードデイスク基板温度が
高くなる。特に、低電圧を印加してアーク放電を行う場
合、磁気ハードデイスク基板が高温になるので、図１に
示すように、磁気ハードデイスク基板１０を機械油（又
は水）Ｌ中に浸しながら放電を行うことが望ましい。
高くなる。特に、低電圧を印加してアーク放電を行う場
合、磁気ハードデイスク基板が高温になるので、図１に
示すように、磁気ハードデイスク基板１０を機械油（又
は水）Ｌ中に浸しながら放電を行うことが望ましい。
【００４５】実用的には、生産コスト低減のため、放電
電極針１１と基板載置台１２との間に印加される電圧を
制御して空気中で放電を行うことがより望ましい。 ［実施例１］ 実施例１は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を
形成した磁気ハードデイスク基板を図１に示す膜表面改
質装置を使用して本発明の方法の膜表面改質工程を行っ
た後、スパッタリングにより磁性体層を磁気ハードデイ
スク基板表面に付着させて磁気ハードデイスクを製造し
た。
電極針１１と基板載置台１２との間に印加される電圧を
制御して空気中で放電を行うことがより望ましい。 ［実施例１］ 実施例１は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を
形成した磁気ハードデイスク基板を図１に示す膜表面改
質装置を使用して本発明の方法の膜表面改質工程を行っ
た後、スパッタリングにより磁性体層を磁気ハードデイ
スク基板表面に付着させて磁気ハードデイスクを製造し
た。
【００４６】放電は空気中で行われ、放電電極針と基板
載置台との間に交流電圧が印加された。このとき、電圧
は１５ＫＶであり、電流は２０ｍＡであった。
載置台との間に交流電圧が印加された。このとき、電圧
は１５ＫＶであり、電流は２０ｍＡであった。
【００４７】放電電極針と磁気ハードデイスク基板表面
との間の距離は約１ｍｍであり、磁気ハードデイスク基
板の回転数は２０ｒｐｍであった。
との間の距離は約１ｍｍであり、磁気ハードデイスク基
板の回転数は２０ｒｐｍであった。
【００４８】図３（a）は、本発明の方法の膜表面改質
工程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡
写真である。ここで、図中の黒い点は直径約１．３μｍ
のＮｉ粒子であり、約１．０μｍの間隔をおいて整列し
ている。このＮｉ粒子の周囲にＮｉ5Ｐ4が析出されてい
る。
工程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡
写真である。ここで、図中の黒い点は直径約１．３μｍ
のＮｉ粒子であり、約１．０μｍの間隔をおいて整列し
ている。このＮｉ粒子の周囲にＮｉ5Ｐ4が析出されてい
る。
【００４９】Ｎｉ粒子の突起の高さは約０．００１μｍ
である。この突起の高さは、図３（b）に示す研磨によ
る膜表面改質によって生じた磁気ハードデイスク基板表
面の凹凸の高さ（約０．３μｍ）の約３００分の１であ
る。 ［実施例２］ 実施例２は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を
形成した磁気ハードデイスク基板を図１、２及び３に示
す膜表面改質装置を使用して本発明の方法の膜表面改質
工程を行った後、スパッタリングにより磁性体層を磁気
ハードデイスク基板表面に付着させて磁気ハードデイス
クを製造した。
である。この突起の高さは、図３（b）に示す研磨によ
る膜表面改質によって生じた磁気ハードデイスク基板表
面の凹凸の高さ（約０．３μｍ）の約３００分の１であ
る。 ［実施例２］ 実施例２は、表面にａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜を
形成した磁気ハードデイスク基板を図１、２及び３に示
す膜表面改質装置を使用して本発明の方法の膜表面改質
工程を行った後、スパッタリングにより磁性体層を磁気
ハードデイスク基板表面に付着させて磁気ハードデイス
クを製造した。
【００５０】放電は空気中で行われ、放電電極針と基板
載置台との間に直流電圧と交流電圧とを重畳して印加し
た。このとき、印加された電圧は１ｍｓの約２０Ｖの直
流パルス電圧であり、電流は１Ａであった。
載置台との間に直流電圧と交流電圧とを重畳して印加し
た。このとき、印加された電圧は１ｍｓの約２０Ｖの直
流パルス電圧であり、電流は１Ａであった。
【００５１】放電電極針と磁気ハードデイスク基板表面
との間の距離は約１ｍｍであり、磁気ハードデイスク基
板の回転数は２０ｒｐｍであった。
との間の距離は約１ｍｍであり、磁気ハードデイスク基
板の回転数は２０ｒｐｍであった。
【００５２】膜表面改質工程を行った後の磁気ハードデ
イスク基板表面には、直径約１０μｍ、深さ約５μｍに
わたってＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子とがａ-Ｎｉ-Ｐ
合金膜に析出されている（図４（a）を参照）。
イスク基板表面には、直径約１０μｍ、深さ約５μｍに
わたってＮｉxＰy化合物結晶とＮｉ粒子とがａ-Ｎｉ-Ｐ
合金膜に析出されている（図４（a）を参照）。
【００５３】図４（b）は、磁気ハードデイスク基板表
面にレーザービームを照射してＮｉxＰy化合物結晶とＮ
ｉ粒子とをａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜に析出させたときの磁気ハ
ードデイスク基板表面の顕微鏡写真であるが、本発明の
膜表面改質工程による場合と類似している。
面にレーザービームを照射してＮｉxＰy化合物結晶とＮ
ｉ粒子とをａ-Ｎｉ-Ｐ合金膜に析出させたときの磁気ハ
ードデイスク基板表面の顕微鏡写真であるが、本発明の
膜表面改質工程による場合と類似している。
【００５４】つまり、本発明の方法に従うと、膜表面改
質工程においてレーザービームを使用した場合と同様の
磁気ハードデイスク基板表面をより一層安価に形成する
ことができる。
質工程においてレーザービームを使用した場合と同様の
磁気ハードデイスク基板表面をより一層安価に形成する
ことができる。
【００５５】磁気ハードデイスクと磁気ヘッドとはコン
タクト・スタート・アンド・ストップ（ＣＳＳ）動作を
行うので、磁気ヘッドが接触する磁気ハードデイスク表
面上の部分では、磁性体層の磁気ハードデイスク基板表
面に対する付着性を高くする必要がある。
タクト・スタート・アンド・ストップ（ＣＳＳ）動作を
行うので、磁気ヘッドが接触する磁気ハードデイスク表
面上の部分では、磁性体層の磁気ハードデイスク基板表
面に対する付着性を高くする必要がある。
【００５６】本発明の実施例２は、磁気ハードデイスク
と磁気ヘッドとが接触する部分において、ａ-Ｎｉ-Ｐ合
金膜を深く加熱することができ、スパッタリング等によ
り磁気ハードデイスク基板表面に磁性体層をより安価に
確実に付着させることができる。
と磁気ヘッドとが接触する部分において、ａ-Ｎｉ-Ｐ合
金膜を深く加熱することができ、スパッタリング等によ
り磁気ハードデイスク基板表面に磁性体層をより安価に
確実に付着させることができる。
【図１】図１は、本発明の磁気ハードデイスクの製造方
法の実施例に使用する膜表面改質装置の概略図である。
法の実施例に使用する膜表面改質装置の概略図である。
【図２】図２は、図１の装置に接続するための付加回路
を示し、図２（a）は高電圧整流回路、図２（b）はパル
ス変圧器を示す。
を示し、図２（a）は高電圧整流回路、図２（b）はパル
ス変圧器を示す。
【図３】図３（a）は本発明の実施例１の膜表面改質工
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図３（b）は研磨を行って膜表面改質を行っ
た後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真であ
る。
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図３（b）は研磨を行って膜表面改質を行っ
た後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真であ
る。
【図４】図４（a）は本発明の実施例２の膜表面改質工
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図３（b）はレーザービームを使用して膜表
面改質を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微
鏡写真である。
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図３（b）はレーザービームを使用して膜表
面改質を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微
鏡写真である。
１０・・・磁気ハードデイスク基板 １１・・・放電電極針 １２・・・基板載置台 １３・・・可変変圧器 １４・・・漏洩変圧器 １５・・・可変抵抗器 １６・・・高電圧整流回路 １７・・・パルス変圧器 １８・・・Ｎｉ粒子 １９・・・ＮｉxＰy化合物結晶 ２０・・・溝 ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、ｇ・・・接続端子 Ｌ・・・機械油又は水 Ｐ・・・電源 Ｓ・・・スイッチ Ｒ・・・磁気ハードデイスク基板の回転方向 Ｔ・・・ＮｉxＰy化合物結晶及びＮｉ粒子の析出箇所
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成８年９月２５日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】０００５
【補正方法】変更
【補正内容】
【０００５】図３（ｂ）は、ａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜表面を
遊離砥粒を使用した研磨によりテクスチャ加工を行った
後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真（倍率２
１０倍）である。
遊離砥粒を使用した研磨によりテクスチャ加工を行った
後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写真（倍率２
１０倍）である。
【手続補正２】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００１０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００１０】また、上述のようなテクスチャ加工に代え
て、ａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜表面にレーザービームを照射し
てａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜表面の一部にのみ凹凸面を形成す
る方法があるが、レーザー装置の寿命や、加工にコスト
がかかるため実用的ではない。
て、ａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜表面にレーザービームを照射し
てａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜表面の一部にのみ凹凸面を形成す
る方法があるが、レーザー装置の寿命や、加工にコスト
がかかるため実用的ではない。
【手続補正３】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００４８
【補正方法】変更
【補正内容】
【００４８】図３（ａ）は、本発明の方法の膜表面改質
工程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡
写真（倍率２１０倍）である。ここで、図中の黒い点は
直径約１．３μｍのＮｉ粒子であり、約１．０μｍの間
隔をおいて整列している。このＮｉ粒子の周囲にＮｉ５
Ｐ ４及びＮｉ３Ｐが析出されている。
工程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡
写真（倍率２１０倍）である。ここで、図中の黒い点は
直径約１．３μｍのＮｉ粒子であり、約１．０μｍの間
隔をおいて整列している。このＮｉ粒子の周囲にＮｉ５
Ｐ ４及びＮｉ３Ｐが析出されている。
【手続補正４】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】００５０
【補正方法】変更
【補正内容】
【００５０】Ｎｉ粒子の突起の高さは約０．００１μｍ
である。この突起の高さは、図３（ｂ）に示すテクスチ
ャ研磨による膜表面改質によって生じた磁気ハードデイ
スク基板表面の凹凸の高さ（約０．３μｍ）の約３００
分の１である。 ［実施例２］ 実施例２は、表面にａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜
を形成した磁気ハードデイスク基板を図１、図２（ａ）
及び（ｂ）に示す膜表面改質装置を使用して本発明の方
法の膜表面改質工程を行った後、スパッタリングにより
磁性体層を磁気ハードデイスク基板表面に付着させて磁
気ハードデイスクを製造した。
である。この突起の高さは、図３（ｂ）に示すテクスチ
ャ研磨による膜表面改質によって生じた磁気ハードデイ
スク基板表面の凹凸の高さ（約０．３μｍ）の約３００
分の１である。 ［実施例２］ 実施例２は、表面にａ−Ｎｉ−Ｐ合金膜
を形成した磁気ハードデイスク基板を図１、図２（ａ）
及び（ｂ）に示す膜表面改質装置を使用して本発明の方
法の膜表面改質工程を行った後、スパッタリングにより
磁性体層を磁気ハードデイスク基板表面に付着させて磁
気ハードデイスクを製造した。
【手続補正５】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】図面の簡単な説明
【補正方法】変更
【補正内容】
【図面の簡単な説明】
【図１】図１は、本発明の磁気ハードデイスクの製造方
法の実施例に使用する膜表面改質装置の概略図である。
法の実施例に使用する膜表面改質装置の概略図である。
【図２】図２は、図１の装置に接続するための付加回路
を示し、図２（ａ）は高電圧整流回路、図２（ｂ）はパ
ルス変圧器を示す。
を示し、図２（ａ）は高電圧整流回路、図２（ｂ）はパ
ルス変圧器を示す。
【図３】図３（ａ）は本発明の実施例１の膜表面改質工
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真（倍率２１０倍）であり、図３（ｂ）はテクスチャ研
磨を行って膜表面改質を行った後の磁気ハードデイスク
基板表面の顕微鏡写真（倍率２１０倍）である。
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真（倍率２１０倍）であり、図３（ｂ）はテクスチャ研
磨を行って膜表面改質を行った後の磁気ハードデイスク
基板表面の顕微鏡写真（倍率２１０倍）である。
【図４】図４（ａ）は本発明の実施例２の膜表面改質工
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図４（ｂ）はレーザービームを使用して膜表
面改質を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微
鏡写真である。
程を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微鏡写
真であり、図４（ｂ）はレーザービームを使用して膜表
面改質を行った後の磁気ハードデイスク基板表面の顕微
鏡写真である。
【符号の説明】 １０・・・磁気ハードデイスク基板 １１・・・放電電極針 １２・・・基板載置台 １３・・・可変変圧器 １４・・・漏洩変圧器 １５・・・可変抵抗器 １６・・・高電圧整流回路 １７・・・パルス変圧器 １８・・・Ｎｉ粒子 １９・・・ＮｉｘＰｙ化合物結晶 ２０・・・溝 ａ、ｂ、ｃ、ｄ、ｅ、ｆ、９・・・接続端子 Ｌ・・・機械油又は水 Ｐ・・・電源 Ｓ・・・スイッチ Ｒ・・・磁気ハードデイスク基板の回転方向 Ｔ・・・ＮｉｘＰｙ化合物結晶及びＮｉ粒子の析出箇所
Claims (3)
- 【請求項１】 表面にアモルファス・ニッケル・リン合
金から成る膜を形成した磁気ハードデイスク基板の表面
の所望の箇所を放電により加熱して、ニッケルとリンと
の化合物結晶と、ニッケル粒子とを前記磁気ハードデイ
スク基板の表面の前記所望の箇所のみに析出させる膜表
面改質工程と、前記磁気ハードデイスク基板の表面に磁
性体層を付着させる磁性体層付着工程とから成る、磁気
ハードデイスクの製造方法。 - 【請求項２】 前記膜表面改質工程において、電極板を
兼ねる金属製の基板載置台に前記磁気ハードデイスク基
板を載置し、少なくとも１個の放電電極針を前記磁気ハ
ードデイスク基板の表面に対向して配置し、前記放電電
極針と前記基板載置台との間に電圧を印加することによ
って、前記磁気ハードデイスク基板の表面の前記所望の
箇所が前記放電により加熱される、請求項１記載の磁気
ハードデイスクの製造方法。 - 【請求項３】 前記膜表面改質工程において、前記放電
電極針と前記基板載置台との間に印加される前記電圧
が、直流電圧、交流電圧、又は直流電圧と交流電圧とを
重畳して印加する重畳電圧である、請求項２記載の磁気
ハードデイスクの製造方法。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241023A JPH1064056A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 磁気ハードディスクの製造方法 |
| US08/779,630 US5705234A (en) | 1996-08-26 | 1997-01-07 | Method for manufacturing magnetic hard disk |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8241023A JPH1064056A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 磁気ハードディスクの製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1064056A true JPH1064056A (ja) | 1998-03-06 |
Family
ID=17068194
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8241023A Withdrawn JPH1064056A (ja) | 1996-08-26 | 1996-08-26 | 磁気ハードディスクの製造方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5705234A (ja) |
| JP (1) | JPH1064056A (ja) |
Families Citing this family (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE19850744C1 (de) | 1998-11-04 | 2000-10-05 | Schott Glas | Verwendung von Gläsern zur Herstellung von Festplattensubstraten |
| SG88784A1 (en) * | 2000-07-17 | 2002-05-21 | Inst Data Storage | Method of producing a magnetic recording medium |
| WO2005106350A2 (en) * | 2004-04-23 | 2005-11-10 | Philip Morris Usa Inc. | Aerosol generators and methods for producing aerosols |
| US9963769B2 (en) * | 2012-07-05 | 2018-05-08 | Apple Inc. | Selective crystallization of bulk amorphous alloy |
| CN108137889B (zh) | 2015-10-06 | 2019-09-24 | 博里利斯股份公司 | 用于汽车应用的聚丙烯组合物 |
-
1996
- 1996-08-26 JP JP8241023A patent/JPH1064056A/ja not_active Withdrawn
-
1997
- 1997-01-07 US US08/779,630 patent/US5705234A/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5705234A (en) | 1998-01-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Application deemed to be withdrawn because no request for examination was validly filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20031104 |