JPH10513304A - 電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造は複数のフィラメントを有する。基板、基板に隣接して配置された絶縁層、および前記絶縁層に隣接して配置れた金属ゲート層が含まれる。金属ゲート層は複数のゲートを有し、該金属ゲート層は平均の厚さ“ｓ”と底部の金属ゲート層の平らな面に実質的に平行な上部の金属ゲート層の平らな面を有している。該金属ゲート層はゲートをとおして延びる複数の開口を有する。各開口は、開口の底部の平らな面に沿って平均の幅“ｒ”を有する。各開口は、上部の金属ゲート層の平らな面と底部の金属ゲート層の平らな面に平行で、これらの面から等しい距離に位置された中間点の面を画定する。複数のフィラメントはそれぞれ開口に位置している。各フィラメントはフィラメントの軸を有する。このフィラメントの軸と該中間点の面の交点は点“Ｏ”を定める。各フィラメントは点“Ａ”において終端するフィラメントチップを有する。ディスプレイの全てのフイラメントチップの大部分は、フィラメントの軸に沿って点“Ａ”と点“Ｏ”にある各フィラメント間の長さ“Ｌ”を有し、ここでＬ≦（ｓ＋ｒ）／２である。

Description

【発明の詳細な説明】 電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造 関連出願のクロスレファレンス 本願は、１９９４年６月２９日にSpindt他により出願された米国出願(U.S．Pa tent Application Serial No．08/269,229)“Use of Charged Particle Tracks in Fabricating Gated Electron-Emitting Devices”の一部継続出願であり、こ の出願は、１９９３年１１月２４日にSpindt他により出願された米国出願(U.S． Patent Application Serial No．08/158,102)“Field-Emitter Fabrication Usi ng Charged-Particle Trakcs，And Associated Field-Emission Devices”の一 部継続出願であり、この出願は、１９９３年９月８日にMacaulay他により出願さ れた米国出願(U.S．Patent Application Serial No．08/118,490，現在米国特許 第 5,462,467号)“Structure And Fabrication Of Filamentary Field-Emission Devices，including Self-Aligned Gate”の一部継続出願であり、これらの全 てはレファレンスによってここに取り込まれる。本願は、本願と同日にBergeron 他により出願された“Method For Creating Gated Filament Structures For Fi eld Emission Displays”(Att Docket No．SVC2029)および“Method For Creati ng Gated Filament Structures For Field Emission Displays”(Att Docket No ．SVC2032)と同時係属出願である。 発明の背景発明の属する分野 本発明は、開口に位置されたフィラメントのある電界放射ディスプレイ用のゲ ートフィラメント構造に関する。その関連した開口に対する各々のフィラメント チップの大多数の関係位置は、ディスプレイのフィラメントチップの大多数と実 質的に同じである。この関係は、絶縁層の厚さ或いはフィラメントのメッキに不 均一性がある場合の大きなディスプレイに対しても維持される。 関連技術 電界放射ディスプレイは、表面プレート、背面プレートおよび表面プレートと 背面プレートの周辺を接続する壁を有し、シールされた真空エンベロープを形成 している。幾つかの電界放射ディスプレイにおいて、このエンベロープは、約１ ×１０^-7 トール或いはそれ以下の真空圧に保たれる。表面プレートの内面は、 ディスプレイの活性領域を画定する、蛍光体或いは蛍光体パターンのような光放 射エレメントで覆われている。コーンおよびフィラメントのような電界放射カソ ードは背面近傍に位置される。抽出電極における適切な電圧の印加は、表面プレ ート上の蛍光体に向け加速される電子を放出する。加速された電子は、それらの 目標の蛍光体を打ち、蛍光体が表面の外部にいる観察者によって見られる光を放 射する。エミッタの各セットに対して放射された電子は一定の目標の蛍光体のみ を打つようにされている。 電界エミッタを形成するためのいろいろな方法は知られている。米国特許第 3 ,655,241号は、基板電極上に配置された円形或いは四角形の開口のアレイのある スクリーンを用いて電界エミッタを製造することを開示する。ソースの一つは、 モリブデンのようなエミッタを形成する金属から成り、原子は基板電極に垂直な 方向に堆積される。他のソースは、モリブデン−アルミニウムの複合体のような クロージャー材料(closure material)から成る。このクロジャー材料の原子は、 基板に対し小さな角度にあるスクリーン上に当たるようにされる。クロージャー 材料は、スクリーンにある開口を次第にふさぐ。従って、エミッターを形成する 金属は、スクリーンの開口が円形であるか四角形であるかによって、コーン或い はピラミッドの形状に堆積される。 電界エミッタを作る他の方法は、米国特許第 5,164,632号に開示されている。 アルミニウムプレートの部分は陽極状に酸化され、アルミナをとおしてほとんど さまざまに広がる孔を有する薄いアルミナの層を形成する。電界エミッタのため に孔を金で満たすために、電解の技術が用いられる。アドレスラインは、構造の アルミナ側に沿って満たされた孔の上に形成され、その後、残りのアルミニウム と隣接するアルミナの部分が孔にある金を再び露出するために構造の反対側に沿 って除去される。再露出された金の部分は、電界エミッタを鋭くするために利用 されるイオンミリング工程の間に除去される。金は、ゲート電極を形成するため にアルミナ上に、および孔に部分的に蒸着される。 米国特許第 5,150,192号では、電界エミッタは、基板の底に形成されたマスク を通してエッチングすることによって、基板をとおして途中まで開口を作ること によって製造される。金属が開口の壁に沿って、また下部の基板表面に沿って堆 積される。基板の厚みの一部が上部の表面に沿って除去される。ゲート電極は、 堆積／平坦化の方法によって形成される。キャビティが上部の基板表面に沿って 設けられ、その後開口の中空金属部分が電界エミッタ構造を完成するために鋭く される。 しかし、大きな面積の電界放射ディスプレイは、大きなエミッタ面積を横切っ て延びる電界エミッタを支持するために比較的強い基板を必要とする。必要な基 板の厚さは、代表的には数百μｍから１０ｍｍ、或いはそれ以上である。 米国特許第 5,164,632号および米国特許第 5,150,192号における製造方法は、 大きな面積のディスプレイに必要な厚さの基板に電界エミッタを取り付けること が非常に困難である。 米国特許第 4,940,916号では、ゲート化された領域の電界エミッタは、電気的 に絶縁された支持構造上に置かれた高導電性層を覆った高抵抗層上に形成されて いる。０.１から１μｍの厚さに対して、高抵抗層は１０⁴から１０⁵オーム−ｃ ｍの比抵抗を有している。この抵抗層は、絶縁破壊および短絡から電界エミッタ を保護するように、電子放射コーンを通して電流を制限する。 カソードから均一性の放射をもつことが望ましい。電界放射カソードは、フィ ラメントの表面にある、或いは一般にカソードの表面上に非常に強い電界がある ことに依存する。強い電界の形成は、(i)カソードチップの鋭さ、(ii)抽出電極 （ゲート）およびカソードの近接度に依存する。これら２つの電極間における電 圧の印加によって、強い電界が生成される。放射の不均一性はエミッタチップと ゲートの相対位置における不均一性に関係する。放射の不均一性は、放射するチ ップの鋭さの違いからも生じる。 Busta,“Vacuum Microelectronics-1992”，J．Micromech．Microeng.，Vol． 2，1992 pp.43-74は、電界放射装置の一般的な概要を提供する。他のものの間で 、 Busta は“Keynote Address，Vacuum Microelectronics; What's New and Excit ing”(IEEE Trans．Elect．Dev.，Oct．1990，pp.2276-2283)でUtsumiと議論し ている。彼は丸くなった端のフィラメントは電界エメッタにとって最良の形状で あることを示唆している。また、Fischer 他によるレプリカ技術による電界エミ ッタの製造における荷電粒子の使用を扱っている、“Production and Use of Nu clear Tracks: Imprinting Structure on Solids”(Rev．Mod．Phys.，Oct．198 3，pp.907-948)は興味のあるものである。 米国特許第 3,655,241号に教示された蒸着物の良くコリメートされたソースは 、全体の電界放射ディスプレイを横切るコーン或いはフィラメント形成の均一性 を得るために必要である。コリメートされたソースを維持するために、蒸着物の 大部分が蒸着装置の内面上に蒸着される。蒸着装置の高価さと蒸着物の浪費の組 み合わせは商業的な製造に対して望ましくなく、ディスプレイのサイズが増大す るにつれて増加される。大きなディスプレイになると、絶縁像の厚さとフィラメ ントのメッキに不均一性がある。 各フィラメントとフィラメントチップがゲートの開口に配置される場合、電界 放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造を提供することが望 ましい。更に、それらの関連した開口とフィラメントチップの相対的な位置がデ ィスプレイのフィラメントの大部分に対して実質的に同じである、大きな電界放 射ディスプレイを提供することが望ましい。絶縁層の厚さとフィラメントのメッ キの多くの不均一性を有する大きなディスプレイに対してこの関係を維持する必 要がある。発明の概要 本発明の目的は、大きな電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラ メント構造を提供することである。 本発明の他の目的は、電気メッキされたゲート化されたフィラメント構造を提 供することである。 本発明の更に他の目的は、大きな電界放射ディスプレイにおいてフィラメント を形成するための商用の製造方法を提供することである。 本発明の更に他の目的は、電気メッキを用いて、大きな電界放射ディスプレイ のフィラメントを形成するための商用の製造方法を提供することである。 本発明の更に他の目的は、エッチングマスクとして、およびフィラメント構造 をメッキするためのモールドの一部として、スペーサーを用いる電界放射ディス プレイのフィランメントを形成する方法を提供することである。 本発明のこれらの目的および他の目的は、複数のフィラメントを含む電界放射 ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造において達成される。電 界放射ディスプレイ用のゲート化されたフィラメント構造は、複数のエレメント を含む。基板と、この基板に隣接して配置された絶縁層と、この絶縁層に隣接し て配置された複数のゲートを有する金属ゲート層が含まれる。金属ゲート層は平 均の厚さ“ｓ”と底部の金属ゲート層の平らな面に実質的に平行な上部の金属ゲ ート層の平らな面を有する。複数の開口は、金属ゲート層に形成された各ゲート を通って延びている。各開口は、開口の底部の平らな面に沿って平均の幅“ｒ” を有する。各開口は、上部の金属ゲート層の平らな面と底部の金属ゲート層の平 らな面に平行で、実質的に等しい距離に位置した中間の面を画定する。複数のゲ ート化されたフィラメントは開口に個々に配置される。各フィラメントはフィラ メントの軸を有する。フィラメントの軸と中間面の交点は“Ｏ”を定める。各フ ィラメントは点“Ａ”において終端するフィラメントチップを含む。ディスプレ イの全てのフィラメントチップの大部分は、フィラメント軸に沿って点“Ａ”と 点“Ｏ”の各フィラメントチップ間の長さ“Ｌ”を有する。 ここで、Ｌ≦（ｓ＋ｒ）／２である。 ディスプレイの全てのフィラメントチップの少なくとも７５％は点“Ａ”と点 “Ｏ”に対してこの関係を有し、特に、フィラメントチップの少なくとも９０％ がこの関係を有するのが好ましい。 電界放射ディスプレイのゲート化されたフィラメント構造を形成する１つの方 法において、基板、絶縁層およびこの絶縁層の上面の少なくとも一部に位置した 金属ゲート層を含む多層構造が与えられる。定義のために、絶縁基板は、(i)基 板の上面上に絶縁層のある導電性或いは半導電性の基板である、（ii）基板の上 面にパターン化された絶縁領域のある導電性或いは半導電性の基板である、或い は（iii）或いは絶縁基板である。複数のパターン化されたゲートが与えられ、 絶縁層の上面にある複数のゲート開口を画定する。パターン化されたゲートは初 期の多層構造の一部であり、或いはその後形成される。複数のスペーサが絶縁層 の上面のパターン化されたゲートの端にあるゲート開口に形成される。スペーサ は絶縁層をエッチングするための、および絶縁層の複数の孔を形成するためのマ スクとして用いられる。孔は、孔からゲート開口に延びるフィラメント材料でメ ッキされ、複数のフィラメントを形成する。その後スペーサは除去される。更に 、多層構造は基板の上面の少なくとも一部に導電性の層を含む。 電界放射ディスプレイのゲート化されたフィラメント構造を形成する他の方法 において、基板、絶縁層、該絶縁層の上面に位置する金属ゲート層および該金属 ゲート層の上面に位置するゲートのカプセルに入れた層を含む多層構造が与えら れる。複数のパターン化されたゲートが設けられ、絶縁層の上面に複数のゲート 開口を画定する。複数のスペーサが絶縁層の上面のパターン化されたゲートの端 にあるゲート開口に形成される。スペーサは、絶縁層をエッチングするため、お よび絶縁層に複数の孔を形成するためのマスクとして用いられる。これらの孔は 複数のフィラメントを形成するために、フィラメント材料でメッキされる。 フィラメントの大部分は、（ｉ）上部と底部の金属ゲート層の表面間に延びる （ii）底部の金属ゲート層の表面の下に延びる、或いは（iii）上部の金属ゲー ト層の表面上に延びる。 ディスプレイの各フィラメントは電気メッキされ得る。 他の実施の形態において、電界放射装置用のゲート化されたフィラメント構造 は基板を含む。 更に、フィラメントの大部分は、上部の金属ゲート層の平らな面を越えて、或 いは下部の金属ゲート層の平らな面の下に延びる。 更に、各フィラメントはカプセル化される。各フィラメントはその関した開口 に垂直に自己整合（セルフアライン）される。 図面の簡単な説明 図１は、絶縁孔におけるゲート化されたフィラメントを有する多層構造の断面 図である。 図２は、ゲート化されたフィラメントを作るために用いられた最初の多層構造 の断面図である。 図３は、トラッキングレジスト層がゲートに開口を開けるためにエッチングさ れた後の図２の構造の断面図である。 図４は、金属のゲート層の反応性イオンエッチング、およびゲートと開口の作 成に続く図３の構造の断面図である。 図５（ａ）は、ゲート上に、および開口に与えられたコンフォーマル層のある 図４の構造の断面図である。 図５（ｂ）は、コンフォーマル層が異方性エッチングされ、材料が除去された 場合の図５（ａ）の構造の断面図である。 図６は、コンフォーマル層の異方性エッチングに続いて、絶縁層の上面の開口 の端にある開口のスペーサーを残す図５の構造の断面図である。 図７は、絶縁層上のスペーシングをとおして抵抗層まで絶縁層を反応性イオン エッチングするためのマスクとしてのスペーサーの使用、および絶縁層の孔の形 成を示す図６の構造の断面図である。 図８は、絶縁層の孔が絶縁層の孔をとおして、スペーサーの高さより一般に大 きくない高さまで延びるフィラメント材料で満たされた後、フィラメントを形成 する図７の構造の断面図である。 図９は、ゲートへ延びる鋭いチップを有するゲート化されたフィラメント構造 の断面図である。 図１０は、金属のゲート層の上面に配置されたゲートカプセル層およびこのゲ ートカプセル層の上面に配置されたトラッキングレジスト層を有する最初の多層 構造を示す、本発明の第２の実施の形態である。 図１１は、トラッキングレジスト層がゲートカプセル層における開口を開ける ためにエッチングされた後の図１０の構造の断面図である。 図１２は、ゲートおよび開口を作るために、ゲートカプセル層と金属ゲート層 の反応性イオンエッチングに続く図１１の構造の断面図である。 図１３は、ゲートの上部および開口へ与えられたコンフォーマル層のある図１ ２の構造の断面図である。 図１４は、複数のスペーサーを形成するために、絶縁層の上面の開口の端にあ る開口におけるスペーサー材料を残して、コンフォーミング部材の異方性エッチ ングに続く図１３の断面図である。 図１５は、絶縁層を覆うスペーシングをとおして抵抗層まで絶縁層をエッチン グするためのマスクとしてスペーサーを使用して、絶縁層の孔を形成する、図１ ４の断面図である。電気化学セルの概要がゲート上に配置されたアノード、およ び金属の行電極とその関連抵抗層に接続したカソードと共に示されている。概要 は電源も含む。 図１６は、絶縁層の孔が絶縁層の孔をとおしてゲート上の高さまで延びるフィ ラメント材料で満たされた後の図１５の構造の断面図である。 図１７は、絶縁層の厚さが均一でない点を除いて、図１６の構造と同様な構造 の断面図である。フィラメントのチップとゲート間の関係は、不均一性をともな って保たれている。 図１８は、図１６の構造の断面図である。フィラメントのチップとゲート間の 関係は、フィラメントのメッキの不均一性をともなって保たれている。 図１９は、ゲートカプセル層とスペーサーの除去に続くゲート化されたフィラ メントの断面図である。カソードとしてのゲートを有する電気化学セル、および アノードとしての上にでたフィラメントの概要が示されている。 図２０は、ゲート化された尖ったフィラメントの作成を示す図１９の構造の断 面図である。 図２１は、開口に位置したフィラメントの断面図である。 実施の形態 この開示のために、大きな面積の電界放射ディスプレイが少なくとも６インチ （約１５.２４センチ）のスクリーン、より好ましくは少なくとも８インチ（約 ２０.３２センチ）の対角線のスクリーン、更に好ましくは１２インチ（約３０. ４８センチ）をもつものとして定められる。 フィラメントの長さと最大の直径の比は少なくとも２であり、通常は少なくと も３である。長さと最大直径の比は好ましくは５、或いはそれ以上である。 ゲート化されたフィラメント構造１０は、図１に示されたように、基板１２、 金属の行電極１４、この行電極１４上の抵抗層１６、この抵抗層１６の上面上の 絶縁層１８、金属ゲート層２０および絶縁性の孔にあるフィランメント２２を含 む多層構造から形成される。絶縁層１８は、基板１２と金属ゲート層２０間に配 置される。絶縁層１８は基板１２に近接して配置され、この隣接関係にある絶縁 層１８と基板１２間に追加層があることがわかるであろう。従って、隣接とは、 隣接層がそれらの間にある層を有するばかりでなく、他の層の上部に１つの層を 意味するためにここで用いられる。フィラメント２２に隣接する絶縁層の一部が 除去される。フィラメントは、代表的には円形の横断面を有する円筒形である。 しかし、横断面は幾らか非円形である。絶縁孔は、スペーサーと反応性イオンエ ッチングによって形成される。明確な目的のために、基板は、（ｉ）基板の上面 に絶縁層のある導電性或いは半導電性基板、（ii）パターン化された絶縁領域の ある導電性或いは半導電性基板、或いは（iii）絶縁基板を意味する。 図２を参照すると、最初の多層構造は、金属ゲート２０の上面に配置されたト ラッキング抵抗層２４も含んでいる。 多層構造のための適切な材料は、 基板１２−ガラスあるいはセラミック 金属行電極１４−Ｎｉ 抵抗層１６−サーメット(cermet)、ＣｒＯ_x、ＳｉＣ 絶縁層１８−ＳｉＯ₂ 金属ゲート層２０−Ｃｒおよび／またはＭｏ トラッキング抵抗層２４−ポリカーボネート フィラメント２２−ＮｉまたはＰｔ を含んでいる。 図１の多層構造は、イオンのようなエネルギーの帯電粒子で照射され、トラッ キングレジスト層２４における荷電粒子トラックを生成する。 他の方法は、ホトリソグラフィ、ｘ線リソグラフィ、および電子ビームリソグ ラフィのようの従来のリソグラフィを含むが、それに限定されない。 荷電粒子が用いられると、それらは、基板１２の平らな下面に実質的に垂直の 方向にトラッキングレジスト層２４に当たり、従って、一般にトラッキングレジ スト層２４に垂直である。荷電粒子は径路に沿って連続の損傷ゾーンを作る直線 径路におけるトラッキンクレジスト層２４を通過する。粒子のトラックは、良く 画定された平均スペーシングのある多層構造を横切ってランダムに分布される。 トラック密度は１０¹¹トラック／ｃｍ³程度である。代表的な値は、１μｍの平 均的なトラックスペーシングを生じる１０⁸トラック／ｃｍ³である。 １つの実施の形態において、荷電粒子の加速器はトラックを形成するために用 いられる良くコリメートされたイオンビームを形成する。イオンビームはトラッ キングレジスト層２４を横切って均一に走査される。好適な荷電粒子の種は、代 表的には、約４ＭｅＶから１６ＭｅＶの範囲におけるエネルギーでイオン化され たＸｅである。代わりに、荷電粒子のトラックは、例えば放射性素子のカリホル ニウム２５２によって、生成される核分裂粒子のコリメートされたソースから作 ることができる。 粒子のトラックが形成されると、ＫＯＨ或いはＮａＯＨを含むが、これに限定 されない化学的エッチングがエッチングを行い、トラッキングレジスト層２４（ 図３）において形成されたトラックを過剰エッチングする。トラックに沿ってエ ッチングされた円筒状の孔を形成する代わりに、一般に台形の断面を有する円錐 形であるトラッキングレジスト層２４の開口２６を開けるために広げられる。開 口２６は、ゲート層２０において、例えば２００ｎｍを通って、約５０−１００ ｎｍの直径を有している。トラッキングレジスト層２４は、ゲート層２０をエッ チングするためにマスクとして用いられ、１つの実施の形態において、２００ｎ ｍの直径のゲートホール２８（図４）を生成する。エッチングは、例えば、クロ ムに対してはＣｌ₂そしてＭｏに対してはＳＦ₆のような反応性イオンエッチング である。絶縁層１８への反応性イオンエッチングの深さは最小化される。プロセ スを監視し、適切な時間にプロセスを止めるステップ、センサーのようなフィー ドバック装置の使用、および選択性エッチングの使用等を含むが、これに限定さ れない反応性イオンエッチングが絶縁層１８において停止することを保証するた めに、いろいろなメカニズムが利用できる。過剰のトラッキングレジスト２ ４の材料は、絶縁層１８の上部のゲート３０を残して、除かれる。 図５（ａ）を参照すると、コンフォーマル層３２がゲート３０の上部に、およ び開口２８へ与えられる。コンフォーマル層３２のための適当な材料は、窒化シ リコン、アモルファス或いは小さい粒の多結晶Ｓｉ、およびＳｉＯ₂を含むが、 これに限定されない。コンフォーマル層を与えるための方法は、ＣＶＤを含むが 、これに限定されない。 図５（ｂ）に示されるように、コンフォーマル層３２が異方性エッチングされ ると、材料が除去される。絶縁基板１２によって定められた面３３に平行な表面 にあるコンフォーマル層３２から除去される。例えば表面３５はエッチングされ ない。異方性エッチングステップは材料を除去し、従って、ステップ３４におい てスペーサー３６を形成する。 スペーサー３６は絶縁層１８の上部にある開口を残すことが図６に示されてい る。スペーサー３６のサイズは、開口３８のサイズを画定するように制御され、 開口は、一例として幅が約１００ｎｍである。 図７に示されるように、スペーサー３６は、例えば絶縁層１８のみを実質的に エッチングし、絶縁孔４０を形成するために高い異方性の選択エッチングエッチ ング用のマスクとして用いられる。他の構造は最小限にエッチングされる。エッ チングプロセス中に、プラズマにおけるＣＨ₄の使用により、ポリマーが絶縁孔 の壁上に形成される。これは、絶縁孔４０の側壁および底部上にポリマーを形成 する。このポリマーは化学的攻撃から壁を保護するが、活発な粒子から壁を保護 しない。活発な粒子は真っ直ぐ下りてきて、絶縁孔４０の底部のみを打つので、 ポリマーは絶縁孔４０の底部からのみ除去され、側壁に沿っては除去されない。 反応性イオンエッチングの異方性の性質のために、壁は化学的攻撃から保護され 、エッチングは絶縁層１６に向かう方向のみである。絶縁基板１２の面に垂直な 絶縁孔４０の垂直な壁に沿ってポリマーが形成しているために、絶縁層１８の実 質的なアンダーカッティングはない。抵抗性の層１６のエッチングを制限する制 御は、（ｉ）抵抗性の層１６を非常にゆっくりエッチングする選択性エッチング を用いること、（ii）エッチングがタイミング等によって完成される終点の決定 、および（iii）抵抗性の層１６がエッチングされ始める点を決定するために、 監視 することを含むが、これらに限定されないいろいろなメカニズムによって達成さ れる。 反応性イオンエッチングに続いて、ポリマーを除去するために絶縁孔４０に化 学的処理を施すことが望ましい。適切な化学的処理は、Ｏ₂とＣＦ₄のプラズマ或 いはこの分野における当業者に周知の半導体産業において用いられる商業的に利 用可能なポリマーストリッパーを含むが、それに限定されない。従って、図７に 示されるような電気化学セルが用いられる。 図８を参照すると、絶縁孔４０はフィラメント材料で満たされる。メッキがパ ターン化されたゲート３０に延びる。適切なメッキ材料はＮｉ，Ｐｔ等を含むが 、それらに限定されない。メッキは、カソードのような抵抗層１６、および外部 アノードを伴って、パルスメッキによって行われる。抵抗層１６とパターン化さ れたゲート３０の電圧は、メッキが金属ゲート層２０上に生じないように制御さ れる。 スペーサー３６は、続いて、選択性プラズマエッチングおよびウェットエッチ ングを含むが、それらに限定されない除去プロセスで除かれる。その後、フィラ メント２２に隣接する絶縁層１６が等方性プラズマ、或いは化学的ウェット（希 ＨＦ）エッチングで除くことができる。除去された絶縁層１８の量は、抵抗層１ ６に殆ど落ちる。 代わりに、絶縁層１８は除去されない（図９）。 反応性イオンエッチングと一緒にスペーサー３６を使用することは、フィラメ ント２２を形成するために用いられる絶縁孔４０を画定する。代わりのプロセス は絶縁層１８のトラッキングおよび粒子のトラックに沿う化学的エッチングを使 用することである。 再び図１を参照すると、フィラメント２２が形成され、そのチップはゲート層 ２０の上部の平らな面４１とゲート層２０の底部の平らな面の間にあるのが好ま しい。他の実施の形態において、フィラメントのチップは平らな面４１上に形成 される。あまり好ましくはないが、フィラメントのチップは平らな面４３の下に 形成される。フィラメント２２のチップは、所望のチップの幾何学形状にするた めに磨かれ、或いはエッチングされる。 フィラメント２２は、磨かれ、或いはエッチングされて作ることができる上部 の平らなシリンダー、上部の丸いシリンダー、鋭いコーン等のようないろいろな 幾何学形状を有することができる。 もし、絶縁層１８の厚さに不均一性があり、或いはメッキに不均一性があるな らば、図１０から図２１に示された本発明の他の実施の形態は、後で詳しく述べ られるように、それぞれのゲート３０に関して同じ位置にフィラメント２２を作 るためにはより相応しい。図１０−図２０を参照すると、フィラメント２２はゲ ートのカプセル層４２の包含によって、パターン化されたゲート３０上に形成さ れる。図２０に示されたように、パターン化されたゲート３０はフィラメント２ ２の点、例えばフィラメント２２のチップ形状、を画定するために用いられ、そ れは、メッキにおける不均一性および誘電体の厚さにおける不均一性の調節を可 能にする。これは、フィラメント２２のセルフアライメント（自己整合）を定め る。適切なゲートカプセル層４２の材料は、Ｓｉ，ＳｉＯ₂およびＳｉ₃Ｎ₄を含 むがこれらに限定されない。 最初の多層構造は図１０に示され、基板１２、基板１２の上面に配置された金 属の行電極１４、抵抗層１６の上面にある絶縁層１８、絶縁層１８の上面に配置 された金属ゲート層２０、金属ゲート層２０の上面に配置されたゲートカプセル 層４２、およびゲートカプセル層４２の上面に配置された任意のトラッキングレ ジスト層２４を含む。トラッキングレジスト層２４はこの実施の形態に含まれる 必要がないことが理解されるであろう。ゲートカプセル層のための材料の適切な 選択は、ゲートカプセル層４２がトラッキングレジスト層としても用いられるこ とを可能にする。２つの実施の形態の多層構造間の唯一の相違は、トラッキング レジスト２４の有無によって、ゲートカプセル層４２を含むことである。ゲート カプセル層４２は２つの機能を提供する：（ｉ）それがパターン化されたゲート ３０を包み、そして（ii）パターン化されたゲート３０の上にフィラメントをメ ッキすることを可能にして、背の高いスペーサー３６の形成を可能にする。 第１の実施の形態において実施されているように、粒子トラッキングが利用さ れ、トラッキングレジスト層２４がエッチングされる（図１１）。ゲートカプセ ル層４２とゲート層２０をとおして反応性イオンエッチングが行われ（図１２） 、 ゲートホール２８とパターン化されたゲート３０を形成する。もし、ゲートカプ セル層４２がトラックされ、エッチングされ、そしてゲートをパターン化するた めのレジストとして用いられるなら、トラッキングレジスト層２４は含まれる必 要がない。図１−図９に示された実施の形態に用いられた同じ方法は、図１０− 図２１に示された第２の実施の形態にも用いられる。用いられた多くのステップ の詳細な説明はここでは繰り返さない。 もし、含まれるなら、トラッキングレジスト層２４は除去され、スペーサーの コンフォーマル層３２がゲート層２０を覆い、ゲートホール２８（図１３）に形 成される。ゲートカプセル層４２とスペーサーのコンフォーマル層３２に対する の材料の適当な選択によって、ゲート層２０は完全に絶縁され、従って、パター ン化されたゲート３０上の制御電圧に関する心配を除いて、メッキがパターン化 されたゲート３０上に生じないことを保証する。 スペーサーのコンフォーマル層３２の異方性エッチングで、生じるスペーサー ３６はゲート層２０とカプセル層４２をプラスした高さに等しい高さを有する（ 図１４）。 絶縁孔４０が形成され（図１５）、５０−１０００ｎｍの範囲の幅を有する。 適切な幅は約１００ｎｍである。その後絶縁孔４０は充填される（図１６）。 図１７と図１８を参照すると、ゲート化されたフィラメント構造１０の絶縁層 １８の厚さの不均一性、およびメッキの不均一性の影響が示されている。全ての 絶縁孔４０が同じ速度で満たさすことを仮定すると、絶縁層１８が薄い場合、絶 縁孔は非常に早く充填され、過剰メッキになるであろう（図１７）。メッキの不 均一性により、ある絶縁孔４０は他のものより早く満たすであろう（図１８）。 特に大きな電界放射ディスプレイにおいて、メッキの均一性を達成することは困 難である。何故ならば、均一なメッキを行う適当な装置を作ることが困難である からである。このような装置に対する要求は、それが、（ｉ）均一な電流密度を 与え、および（ii）濃度勾配および電解液の減少を避けるために、電解液を効率 よくかき混ぜることである。とにかく、これらの不均一性に関して、フィラメン ト２２とその各々のゲート開口２８との関係が、以下に詳しく説明されるように 維持される。 コンフォーマル層３２とスペーサー３６は、パターン化されたゲートを越えて 延びるフィラメントを残して、除去される（図１９）。パターン化されたゲート ３０は、図１９に示された回路でフィラメント２２を電気研磨するために用いら れる。従って、パターン化されたゲート３０は、フィラメント２２のチップ４４ がある点を定めるために用いられる（図２０）。パターン化されたゲート３０は 電気研磨用のカソードとして働く。適切な電解液はこの分野の当業者に周知であ る。これは、過剰な材料が自由になり、やせ衰えるようにフィラメント２２を実 質的にやせ細らせる。残りのフィラメントは鋭いチップ４４の幾何学的形状を有 する。 フィラメント２２のチップ４４はパターン化されたゲート３０の位置に配置さ れる。フィラメント２２とフィラメントのチップ４４は、その関連ゲート開口２ ８とフィラメント４４に対する相対的位置を確立するために、ゲート開口２８に 配置される。図２１を参照すると、その関連ゲート開口２８とフィラメント４４ の相対的位置は、ゲート層２０の上部の平らな面４１とゲート層２０の下部の平 らな面４３に関するチップの位置として定められる。 金属のゲート層２０は、平均の厚さ“ｓ”と下部の金属ゲートの平らな面２０ （ｂ）と実質的に平行な上部の金属ゲートの平らな面２０（ａ）を有する。金属 のゲート層２０は金属ゲート３０をとおして延びる複数の孔４０を含む。各々の 孔４０は開口の底部の平らな面に沿って平均の幅“ｒ”を有する。各々の孔は上 部の金属ゲートの平らな面２０（ａ）と下部の金属ゲートの平らな面２０（ｂ） と平行で、これらの面から同じ距離に位置した中間点の平面４６を定める。複数 のフィラメント２２は、それぞれ、点“Ａ”で終端するフィラメントのチップ４ ４およびフィラメントのチップ４４をとおしてフィラメントの長さに沿って延び るフィラメントの軸４８を有する。フィラメントの軸４８と中間点の平面４６の 交点において、点“Ｏ”が定められる。ディスプレイの全てのフィラメントのチ ップ４４の大部分は、フィラメントの軸４８に沿う点“Ａ”と“Ｏ”における各 フィラメントのチップ４４間の長さ“Ｌ”を有する。ここで、 Ｌ≦（ｓ＋ｒ）／２ である。 好ましくは、全てのフィラメントのチップ４４の少なくとも７５パーセントは 点Ａと点Ｏ間でこの関係を有し、特に、少なくとも９０パーセントはこの関係を 有する。 ディスプレイのフラメントチップ４４の大部分は、（ｉ）上部の金属ゲート層 の平らな面２０（ａ）上の点Ａ、（ii）上部の金属ゲート層の平らな面２０（ａ ）と下部の金属ゲート層の平らな面２０（ｂ）間の点ａ、或いは（iii）下部の 金属ゲート層の平らな面２０（ｂ）の下の点Ａを有する。 本発明の方法によって、あらゆる絶縁孔４０は過剰メッキされ、垂直の自己整 合が利用される。パターン化されたゲート３０は研磨／エッチングを行うために 用いられる。ゲートのカプセル層４２の包含によって、フィラメント２２はパタ ーン化されたゲート３０上にメッキされる。更に、中間以外の電界放射ディスプ レイの端に多くのメッキがある。これは、（ｉ）電流の集中の影響および（ii） 電解質の減少の影響のために生じる。メッキが全ての場所におけるパターン化さ れたゲート上にある限り、（ｉ）堆積された絶縁層１８の厚さの均一性に関する トレランス(tolerance)が与えられ、（ii）メッキの均一性に対する高さのトレ ランスが可能であるという２つの利点が得られる。 その結果は、電界放射ディスプレイのためのフィラメント２２の作成であり、 各フィラメント２２の位置が各孔４０（垂直のアライメント）内で同じである。 研磨されたフィラメント４４が作成される。更に、この分野における当業者に周 知の電気のない堆積および選択性堆積プロセスを用いるフィラメントと同様に、 コーンが形成される。 他の実施の形態にでは、ゲートがパターン化され、絶縁層を完全にエッチング するためにマスクとして用いられる。コンフォーマル層は作られた孔に堆積され る。これは、メッキを容易にして、ゲートのカプセル化を完成するように導く。 孔の底に形成された過剰の材料は、プラズマ或いはウエットのエッチングを含む が、それらに限らない適切な方法によって除かれる。この孔は、過剰メッキされ る。コンフォーマル層は、続いて化学的に実質的に除かれ、所望のフィラメント チップが電気化学的にエッチングされ、所望の幾何学形状を形成する。 本発明の好適な実施の形態の説明は、概略および説明のために与えられた。完 全性、或いは本発明を開示された形状に限定することを意図するものでない。多 くの変更および変形がこの分野の当業者に明らかであろう。本発明の原理および その実際の応用を最良に説明するために、実施の形態が選択され、記載され、そ れにより、当業者がいろいろな実施の形態に対し、また意図された特定の使用に 適したいろいろな変更できる本発明を理解することが可能である。本発明の範囲 は、特許請求の範囲およびその均等物によって定められる。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (31)優先権主張番号 ０８／３８３，４１０ (32)優先日 1995年１月31日 (33)優先権主張国 米国（ＵＳ） (81)指定国 ＥＰ(ＡＴ，ＢＥ，ＣＨ，ＤＥ， ＤＫ，ＥＳ，ＦＲ，ＧＢ，ＧＲ，ＩＥ，ＩＴ，ＬＵ，Ｍ Ｃ，ＮＬ，ＰＴ，ＳＥ)，ＯＡ(ＢＦ，ＢＪ，ＣＦ，ＣＧ ，ＣＩ，ＣＭ，ＧＡ，ＧＮ，ＭＬ，ＭＲ，ＮＥ，ＳＮ， ＴＤ，ＴＧ)，ＡＰ(ＫＥ，ＬＳ，ＭＷ，ＳＤ，ＳＺ，Ｕ Ｇ)，ＵＡ(ＡＺ，ＢＹ，ＫＧ，ＫＺ，ＲＵ，ＴＪ，ＴＭ )，ＡＬ，ＡＭ，ＡＴ，ＡＵ，ＡＺ，ＢＢ，ＢＧ，ＢＲ ，ＢＹ，ＣＡ，ＣＨ，ＣＮ，ＣＺ，ＤＥ，ＤＫ，ＥＥ， ＥＳ，ＦＩ，ＧＢ，ＧＥ，ＨＵ，ＩＳ，ＪＰ，ＫＥ，Ｋ Ｇ，ＫＰ，ＫＲ，ＫＺ，ＬＫ，ＬＲ，ＬＳ，ＬＴ，ＬＵ ，ＬＶ，ＭＤ，ＭＧ，ＭＮ，ＭＷ，ＭＸ，ＮＯ，ＮＺ， ＰＬ，ＰＴ，ＲＯ，ＲＵ，ＳＤ，ＳＥ，ＳＧ，ＳＩ，Ｓ Ｋ，ＴＪ，ＴＭ，ＴＲ，ＴＴ，ＵＡ，ＵＧ，ＵＺ，ＶＮ (72)発明者 マコーリー ジョン エム アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94306 パロアルト グリーンメドー ウ ェイ 114 (72)発明者 バートン ロジャー ダブリュー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94301 パロアルト フォレスト アベニ ュー 545 (72)発明者 モース ジェフリー ディー アメリカ合衆国 カリフォルニア州 94553 マーティネズ アッシュウッド ドライヴ 1579 【要約の続き】 こでＬ≦（ｓ＋ｒ）／２である。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １．複数のフィラメントを有する電界放射ディスプレイのためのゲート化された フィラメント構造であって、 基板と、 基板に隣接して配置された絶縁層と、 複数のゲートを有する金属ゲート層であって、前記金属ゲート層は、前記絶 縁層に隣接して配置され、平均の厚さ“ｓ”と底部の金属ゲート層の平らな面に 実質的に平行な上部の金属ゲート層の平らな面を有し、前記金属ゲート層は、前 記金属ゲート層をとおして延びる複数の開口を有し、各開口は、前記開口の底部 のの平らな面に沿って平均の幅“ｒ”を有し、各開口は、上部の金属ゲート層の 平らな面と前記底部の金属ゲート層の平らな面に平行に、且つこれらの面から等 しい距離に位置した中間点を定めており、 複数のフィラメントであって、その各々は点“Ａ”において終端するフィラ メントのチップ、および前記フィラメントのチップをとおしてフィラメントの長 さに沿って延びるフィラメントの軸を有し、各フィラメントは開口に配置され、 前記フィラメントの軸と中間点の面の交点が点“Ｏ”を定め、前記ディスプレイ の全てのフィラメントのチップの大部分は、フィラメントの軸に沿って点“Ａ” と点“Ｏ”にある各フィラメント間の長さ“Ｌ”を有し、ここで、 Ｌ≦（ｓ＋ｒ）／２ であることを特徴とする構造。 ２．前記ディスプレイの全てのフィラメントチップの少なくとも７５％は、フィ ラメントの軸に沿って点“Ａ”と点“Ｏ”にある各フィラメントチップ間の長さ “Ｌ”を有し、ここで、 Ｌ≦（ｓ＋ｒ）／２ であることを特徴とする請求項１に記載の構造。 ３．前記ディスプレイの全てのフィラメントチップの少なくとも９０％は、フィ ラメントの軸に沿って点“Ａ”と点“Ｏ”にある各フィラメントチップ間の長さ “Ｌ”を有し、ここで、 Ｌ≦（ｓ＋ｒ）／２ であることを特徴とする請求項１に記載の構造。 ４．前記電界放射ディスプレイは６インチ（１５.２４センチ）の対角線の大き さを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。 ５．前記電界放射ディスプレイは８インチ（２０.３２センチ）の対角線の大き さを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。 ６．前記電界放射ディスプレイは１０インチ（２５.４センチ）の対角線の大き さを有することを特徴とする請求項１に記載の構造。 ７．前記複数のゲート化されたフィラメントは電気メッキされていることを特徴 とする請求項１乃至請求項３の何れか１つに記載の構造。 ８．前記電界放射ディスプレイは１０インチ（２５.４センチ）の対角線、およ び前記フィラメントは電気メッキされていることを特徴とする請求項１に記載の 構造。 ９．複数のフィラメントを有する電界放射ディスプレイのためのゲート化された フィラメント構造であって、 基板と、 基板に隣接して配置された絶縁層と、 金属ゲート層をとおして延びる開口を有するゲートを定める複数の金属ゲー ト層と、 複数の電気メッキされたフィラメントであって、各フィラメントはフィラメ ントチップを有し、ディスプレイの全てのフィラメントチップの大部分は金属ゲ ート層の上部の平らな面と金属ゲート層の底部の平らな面間に配置されているこ とを特徴とする構造。 10．前記ディスプレイの全てのフィラメントチップの少なくとも７５％は金属ゲ ート層の上部の平らな面と金属ゲート層の底部の平らな面間に配置されているこ とを特徴とする請求項９に記載の構造。 11．前記ディスプレイの全てのフィラメントチップの少なくとも９0％は金属ゲ ート層の上部の平らな面と金属ゲート層の底部の平らな面間に配置されているこ とを特徴とする構造。 12．前記電界放射ディスプレイは６インチ（１５.２４センチ）の対角線の大き さ を有することを特徴とする請求項９に記載の構造。 13．前記電界放射ディスプレイは８インチ（２０.３２センチ）の対角線の大き さを有することを特徴とする請求項９に記載の構造。 14．前記電界放射ディスプレイは１０インチ（２５.４センチ）の対角線の大き さを有することを特徴とする請求項９に記載の構造。 15．電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造の製造方法 であって、 基板、絶縁層および前記絶縁層の上面の少なくとも一部に配置された金属ゲ ート層を含む多層構造を備え、 前記ゲート層に複数のゲートと、前記絶縁層の上面のゲートに複数の開口を 備え、各開口は関連した端を有し 前記絶縁層の上面のそれらの端にある、開口における複数のスペーサーを形 成し、 前記絶縁層をエッチングするためのマスクとしてスペーサーを用い、そして 前記絶縁層における複数の孔を形成し、且つ 前記孔から前記ゲートの開口へ延び、且つ複数のフィラメントを形成するフ ィラメント材料で、前記絶縁層における複数の孔をメッキする、 連続或いは非連続のステップを有することを特徴とする方法。 16．前記多層構造は、更に前記基板の上面の少なくとも一部に導電性層を有する ことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 17．更に、前記スペーサーを除去するステップを有することを特徴とする請求項 １５に記載の方法。 18．前記多層構造は、更に前記基板の上面に配置された金属の行電極、および 前記抵抗層の上面に配置された絶縁層を備え、前記金属の行電極の上面に少 なくとも部分的に配置された抵抗層、 を有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 19．前記多層構造は、更に金属のゲート層の上面に配置されたトラッキングレジ スト層を有することを特徴とする請求項１８に記載の方法。 20．更に、前記トラッキングレジスト層に複数のトラックを生成するために、荷 電エネルギー粒子で多層構造を放射するステップを有することを特徴とする請求 項１９に記載の方法。 21．更に、前記フィラメントに隣接する絶縁層の一部を除去するステップを有す ることを特徴とする請求項１５に記載の方法。 22．更に、前記トラッキングレジスト層に複数のトラックを生成するために、荷 電エネルギー粒子で多層構造を放射し、 前記トラッキングレジスト層に複数の開口を形成するために、前記複数のト ラックをエッチングし、且つ 前記絶縁層の上面の複数の開口を定めて、複数のゲートを形成するために、 前記金属のゲート層をエッチングすることを特徴とする請求項１９に記載の方法 。 23．前記複数のスペーサーを形成するステップは、 ゲートの上面と開口へコンフォーマル層を与えるステップと、 複数のスペーサーを形成するために、前記絶縁層の上面のゲートの端にある 前記開口のスペーサー材料を残して、コンフォーマル層を除去するステップを有 することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 24．前記トラッキングレジスト層はポリカーボネートから作られることを特徴と する請求項１９に記載の方法。 25．更に、活性化した帯電したＸｅで多層構造を放射するステップを有すること を特徴とする請求項１９に記載の方法。 26．前記複数のトラックは、約０.０５−２.０μｍの金属ゲート層の開口サイズ を有する、トラッキングレジスト層に複数の開口を形成するために、エッチング されることを特徴とする請求項２０に記載の方法。 27．前記金属ゲート層は、反応性イオンエッチングでエッチングされ、前記絶縁 層に実質的に延びないことを特徴とする請求項１５に記載の方法。 28．前記金属ゲート層は、反応性イオンエッチングでエッチングされ、前記金属 ゲート層のエッチング速度より遅い速度で絶縁層をエッチングすることを特徴と する請求項１５に記載の方法。 29．前記コンフォーマル層は、窒化シリコン、アモルファスおよび小粒の多結晶 シリコンあるいは二酸化シリコンから選ばれた材料から作られていることを特徴 とする請求項２３に記載の方法。 30．前記金属ゲート層は約５００−２０００Åの厚さを有することを特徴とする 請求項２３に記載の方法。 31．前記コンフォーマル層の厚さは約５０ｎｍであることを特徴とする請求項２ ３に記載の方法。 32．異方性の反応性イオンエッチングは前記絶縁層に複数の孔を作るために用い られることを特徴とする請求項１５に記載の方法。 33．絶縁層のアンダーカッティングは最小であることを特徴とする請求項１５に 記載の方法。 34．前記複数の絶縁層を形成するために前記絶縁層をエッチングするステップは 前記抵抗層に実質的に延びないことを特徴とする請求項１８に記載の方法。 35．前記抵抗層および前記金属ゲート層上の電圧は前記金属ゲート層上にフィラ メント材料をメッキするのを最小にするように制御されることを特徴とする請求 項１８に記載の方法。 36．更に、所望のフィラメントチップの幾何学形状を形成ために、フィラメント を処理するステップを有することを特徴とする請求項１５に記載の方法。 37．電界放射ディスプレイのためのゲート化されたフィラメント構造の製造方法 であって、 基板、絶縁層、前記絶縁層の上面の少なくとも一部に配置された金属ゲート層 および前記金属ゲート層の上面に配置されたゲートカプセス層を含む多層構造を 備え、 前記絶縁層の上面の複数の開口定める複数のゲートに前記カプセル層の対応 する開口を与え、 前記絶縁層の上面のそれらの端にある、開口における複数のスペーサーを形 成し、 前記絶縁層をエッチングするためのマスクとしてスペーサーを用い、そして 前記絶縁層における複数の孔を形成し、且つ 前記孔をフィラメント材料で電気化学的にメッキし、各々が実質的に円筒状 の本体部分を有する複数のフィラメントを形成する、 連続或いは非連続のステップを有することを特徴とする方法。 38．多層構造は、更に基板の上面に配置された導電性層を有することを特徴とす る請求項３７に記載の方法。 39．更に、スペーサーとゲートカプセル層を除去するステップを有することを特 徴とする請求項３７に記載の方法。 40．前記多層構造は、更に前記基板の上面に配置された金属の行電極、および 前記抵抗層の上面に配置された絶縁層とともに、前記金属の行電極の上面に 少なくとも部分的に配置された抵抗層、 を有することを特徴とする請求項３７に記載の方法。 41．前記多層構造は、更にゲートカプセル層の上面に配置されたトラッキングレ ジスト層を有することを特徴とする請求項４０に記載の方法。 42．更に、前記トラッキングレジスト層に複数のトラックを生成するために、荷 電エネルギー粒子で前記多層構造を放射するステップを有することを特徴とする 請求項４１に記載の方法。 43．更に、前記フィラメントに隣接した絶縁層の一部を除去するステップを有す ることを特徴とする請求項３７に記載の方法。 44．更に、カソードとして働くゲートのある電気化学的セル、およびアノードと して働くゲートに関連したフィラメントを確立するステップ、 ディスプレイのフィラメントチップとそれらの関連開口に対する相対位置を 確立するために、ディスプレイのフィラメントの少なくとも５０％に対して実質 的に同じである各関係をもって、ディスプレイのフィラメントに対するフィラメ ントチップを形成するステップ、 を有することを特徴とする請求項４０に記載の方法。 45．各関係は、前記ディスプレイのフィラメントの少なくとも７５％に対して実 質的に同じであることを特徴とする請求項４４に記載の方法。 46．各関係は、前記ディスプレイのフィラメントの少なくとも９０％に対して実 質的に同じであることを特徴とする請求項４４に記載の方法。 47．複数のパターン化されたゲートを形成するステップは、 トラッキングレジスト層に複数の開口を形成するために、複数のトラックをエ ッチングするステップ、および 前記絶縁層の上面に複数の開口を画定する複数のゲートを形成するために、 前記ゲートカプセル層と前記金属ゲート層をイッチングするステップ、 を有することを特徴とする請求項４２に記載の方法。 48．前記複数のスペーサーを形成するステップは、 前記ゲートの上面に、そして開口ヘスペーサーのコンフォーマル層を与える ステップ、および 前記絶縁層上にスペーンシングを画定する複数のスペーサーを形成するため に、前記絶縁層の上面に、開口の端にある開口のスペーサーの材料を残して、前 記スペーサーのコンフォーマル層を除去するステップ、 を有する請求項４７に記載の方法。 49．前記ゲートはフィラメントのチップを電気研磨するために用いられることを 特徴とする請求項４７に記載の方法。 50．前記フィラメントのチップは鋭くされていることを特徴とする請求項４４に 記載の方法。 51．実質的に全ての孔は過剰メッキされることを特徴とする請求項３７に記載の 方法。 52．前記トラッキングレジスト層はポリカーボネートから作られていることを特 徴とする請求項４１に記載の方法。 53．前記ゲートカプセル層は窒化シリコンから作られていることを特徴とする請 求項３７に記載の方法。 54．前記金属ゲート層は、反応性イオンエッチングでエッチングされ、前記絶縁 層に実質的に延びないことを特徴とする請求項４０に記載の方法。 55．前記金属ゲート層は、前記金属ゲート層のエッチング速度より遅い速度で絶 縁層をエッチングする反応性イオンエッチングでエッチングされることを特徴と する請求項４０に記載の方法。 56．前記スペーサーのコンフォーマル層は窒化シリコン、アモルファスおよび小 粒の多結晶シリコン或いは二酸化シリコンから選択された材料から作られるこ とを特徴とする請求項４８に記載の方法。