JPH10512101A - 超微細孔を有したプレート形状の加工材料の処理のための方法と装置 - Google Patents

超微細孔を有したプレート形状の加工材料の処理のための方法と装置

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JPH10512101A JP8520667A JP52066796A JPH10512101A JP H10512101 A JPH10512101 A JP H10512101A JP 8520667 A JP8520667 A JP 8520667A JP 52066796 A JP52066796 A JP 52066796A JP H10512101 A JPH10512101 A JP H10512101A
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Abstract

(57)【要約】 液状乃至ガス状処理剤を用いて、超微細な孔(2)を備えたプレート状の加工材料(3)、特に導体プレートの処理は、特に孔の長さに対する孔径の比が非常に小さい場合、流体が上記超微細な孔(2)を非常に低い速度でのみ通過し、それ故に孔を通る流体の適切な流れが阻害されるので、困難であることが見い出された。本発明によれば、この問題は、水平に延びる搬送軌道での連続的及び/又は周期的に断続する第1のスライド運動と第2の激しいバイブレーション振動からなる運動から構成され、これら両方の運動が互いに無関係に生じうる組み合わせ運動を水平な操作姿勢にある加工材料がする方法によって解決される。当該方法を実施するために用いられる装置は、一方で水平な操作姿勢で加工材料(3)を把持し水平に延びる搬送軌道での連続的及び/又は周期的に断続するスライド運動のための手段を、他方で当該加工材料が激しく脈打つバイブレーション振動運動を始めるための手段並びに当該加工材料を処理剤に接触させるための手段を包含する。

Description

【発明の詳細な説明】 超微細孔を有したプレート形状の加工材料の処理 のための方法と装置 明細書: 本発明は、超微細孔を有したプレート形状の加工材料、特に導体プレート(プ リント配線回路基板)を液状乃至ガス状の処理剤を用いて表面処理するための方 法と装置に関する。 プレート形状の加工材料、特に導体プレートの表面処理は、非常に微細な孔を 有する場合に問題をもたらす。とりわけ、孔の長さに対する孔径の比率が非常に 小さい、例えば1:10かそれ以下の孔は、処理剤が特別のやり方でのみ孔に入 り込むことができるので、当該処理剤で加工処理することが困難である。このよ うな孔は特に、多くの電気回路層が重なり合って集積され互いにくっついた多層 導体プレートにおいてある。当該孔はこの場合、内側層と外側層の間並びに場合 によっては内側層相互の間でも多数の伝導結合を備えるのに用いられる。大抵の 場合、導体軌跡(条導体)端部(Leiterbahnenden)はこのために円形状乃至矩形 の接触面として形成されている。孔はこの接触面を通して貫通係合する。個々の 回路相互の電気接触のために、孔の壁が金属化(金属被覆)される。このために 形成され孔壁面に密接する銅ジャケットは、電気回路の2つ又は多数の相互に割 り当てられた接触面の間の電気接触をなす。 金属化のために、浄化、コンディショニング、活性化、金属被覆及び乾燥のよ うな種々の処理ステップが必要である。孔の穴明けの際に、導体プレートの内側 における電気回路の金属面の間でたった数ミクロンの厚みの樹脂範囲に、例えば ボンディングすべき金属層の先行外被面に塗り付けられた樹脂フィルムとしてあ るプラスチック等の合成物質が流れ出る。最も多く用いられるFR4−導体プレ ート(補強としてガラス繊維マットと炎抑制せる樹脂を有するラミネート)の場 合、合成物質はエポシキ樹脂からなる。このようなスミアリング(Verschmierung en)が孔の壁面の約50%を覆う場合、接触面での伝導結合は既に危うい。唯一 のボンディング孔(Kontaktierungsloch)の場合にもスミアリングの程度が約80 %に達する場合、プレート全体が既に拒絶されることになる。それ故に大きな多 層導体プレートのために多数のボンディング孔があり非常に高い製造コストがか かっている場合、このスミアリングは粗悪品(Ausschuss)を通じて著しいコスト となり、特に穿孔後の当該スミアリングの検出が著しい経費をもってのみ、そし て個々の孔でのみ可能であることが明らかである。 小さめの孔及び極めて小さな孔(例えば0.4mm径より小さい)の割合がふ えて処理され、樹脂スミアリングの除去の際の困難性が増大する。例えば既に7 .3mmの厚みで0.35mm径の孔を有した導体プレートが製造されている( 長さに対する穿孔径の比率は約1:21)。 経験的に0.3mm以下の径で4.5mm以上の長さでスルー 可能な流速はもはや十分に高くなく、孔の壁面での十分な物質代謝(物質交換、 流体の動き)がもはや保証されない。この場合において、孔は殆ど、最も有利な 場合において処理剤によってなお ないような毛細管のようである。特に孔が粗い外被面の場合、湿潤と流過が実際 上不可能である。これはなかんずく、例えば水よりも高い粘性を有する液状処理 剤で処理される場合である。 このような微細な孔で湿潤と流過を可能とするために、例えば、加工材料を水 平の操作状態において処理装置を通して案内することが提案された。孔の強制的 な貫流(Zwangsdurchflutung)を生じるために、液状の処理剤の流れ(スプラッシ ュ(Schwall)、スプレー噴射)がノズルシステムから加工材料の平坦な表面に表 面に対して向けられる。加工材料は処理の間、水平に配置され水平な搬送方向で 装置を通して案内される。処理ステーションから次の地点への輸送は、ローラー を介して又は移送可能な担体クランプによって行われる。当該担体クランプは個 々の加工材料をその辺縁で或いは向かい合う両側の複数の辺縁でやっとこのよう に抱えるものである。 例えばドイツ連邦共和国特許公報第2606984号(DE 26 06 984 B2)にお いて、浄化媒体として孔壁でのエポキシ樹脂スミ アリングを剥離する腐食性(攻撃的)酸を用いる導体プレートでのボンディング 孔の化学的浄化のための方法が開示されている。ここでは、ボンディング孔の穿 孔後に一定の速度で水平に案内された導体プレートが閉鎖された活性化室におい てスプラッシュ区間を越えて移動する。当該区間は搬送軌道の下方で且つ搬送方 向に対し垂直に配置されたスリット付き管によって形成されており、ここから化 学浄化媒体が加圧下に出て、その結果、導体プレート 導体プレートはシャープな空気流で吹き払われ洗われる。 更にドイツの特許公報第3011061号(DE 30 11 061 C2)においても、ノ ズルを備えた洗浄及び浄化自動装置において導体 ションを備えた成形部片に対して洗浄及び浄化プロセスを徹底するための方法が 開示されている。自動装置では成形部片が処理に際して搬送軌道上を洗浄室を通 って活性化室に案内され、下から洗浄剤で処理されるようになっている。この方 法では、洗浄室において補助的に洗浄剤スプラッシュ区間が用いられ、当該洗浄 剤スプラッシュ区間を生じるために、搬送軌道の下方に配置され洗浄剤を加圧下 に出す少なくとも1本のスリット付き管が用いられる。 ドイツの公開公報第3528575号(DE 35 28 575 A1)において、水平に案 内される導体プレートでのボーリング孔の浄化、 活性化及び/又は金属化のための方法が記載されている。この方法では導体プレ ートが一定の速度でスプラッシュ区間を越えて移動する。当該区間は搬送軌道の 下方で且つ搬送方向に対して垂直に配置されたノズルによって形成されており、 液状処理剤が垂直波の形状で導体プレートの下面に輸送される。 従来技術における上述の公報に従えば、文言「スプラッシュ」は様々の処理剤 、特に液状の処理剤の、或いはガス状の処理剤でも連続的なよどみのない流れ( 噴射)と理解され、当該流れはスプラッシュノズルから可能な限り高速で出て、 処理すべきプレート状加工材料(導体プレート)にぶつかる。 これら方法の他に、液状処理剤が噴出装置乃至スプレー装置を用いて処理すべ き加工材料に対して飛散され又は噴霧されるような方法も公知である。噴射乃至 噴霧の際に、処理剤はたっぷりと空気に混入される。 加工材料に対する液状処理剤のスプラッシュ、噴射又はスプレーによって、加 工材料にある孔が強制的に貫流され、言い換えれば、孔の壁面と当該孔を通り抜 けて流れる処理剤との間で可能な限り大きな相対運動が生じる。この相対運動は 周知のごとく固体(孔の壁面)と処理剤の間の相境界における効果的な物質代謝 のための重要な前提である。 しかしながら、スプラッシュ技術を用いた公知方法は非常に微細な孔の貫流(D urchflutung)には適しない。解説のために企業の 実務から具体的な例を披瀝する: 0.3mmの孔径を有した1cm2表面当たり平均して64個の孔を備えた導 体プレートの場合、孔の横断面の総和は1cm2導体プレート表面当たり約4. 5mm2になる。導体プレートにおける平均的な開放貫通面のプレート表面の閉 鎖された割合に対する比率は約4.5%になる。 スプラッシュ噴射は高速で導体プレートの平坦な水平表面に垂直にぶつかる。 孔の範囲での導体プレートの開放表面が全表面の限られた部分だけを形成してい るので、ぶつかる噴射は、ほぼ等しい大きさで反対方向に離れていき、搬送方向 に対し平行となる2つの流れ成分に分裂する。これらの流れは導体プレート表面 上を当該表面に沿って流れる。孔を分布した加工材料における僅かな割合の横断 面開口は、強制的な貫流にもかかわらず孔を通って流れる僅かな割合のスプラッ シュ噴射に十分な関連を与える。 更に、表面に平行に流れる処理剤は、貫通して進む流れがプレート表面を沿っ て流れる液体に対して垂直に向いているので、孔を通る流れの形成を阻害する。 スプラッシュ噴射は、その意図的作用とは反対に孔の貫流の実現に抑制的効果を 及ぼす。 ドイツの公開公報第3916694号(DE 39 16 694 A1)に記載されたスプラ ッシュで導かれる液体による製品の、特に穿孔を備えた導体プレートの処理及び /又は浄化のための配置装置(浄化すべき乃至処理すべき製品の一面にスプラッ シュ区間が、製品 の他面に吸引区間が備えられている)も所望の成果とならない。確かにこの場合 、強制貫流は、孔を通って圧縮された液状処理剤の吸引のための手段によって改 善される。しかしながら、この配置装置で、場合によっては粗い孔壁面を貫通し て進む処理剤に対抗する抵抗が単に克服されるだけである。 ドイツの特許公報第4017380号(DE 40 17 380 C1)に記載された電気メ ッキされるべき物体、特に導体プレートのようなプレート状で多層の物体におけ る孔の洗浄のための方法もまた、超微細な穿孔の流過の際の問題を排除しない。 この方法の場合、浄化乃至洗浄液体は加圧下に孔を通って案内され;穿孔を流過 する液体流の速度は交互に高められ、また下げられる。 上記に挙げられた公報に記載されたスプラッシュノズルは、水平に延びている 導体プレートの搬送平面に対して垂直でこれに平行に配置され縦スリットを有し ている細長くまっすぐなケースを備えてなる。当該スリットから噴出するスプラ ッシュ噴射はプレート状加工材料の平坦な表面にぶつかる。上記の検討から、加 工材料の全処理時間中、プレート表面の一部のみが、それ故にそこに存在する孔 の一部のみが処理剤で激しく浴びせられることが認識できる。加工材料の処理は 局部的に且つ一時的に表面上に不均一に起こり、その結果、装置を通る加工材料 の水平搬送によって単に次第に処理が全ての表面範囲に可能になる。しかしなが らこれは、処理装置における加工材料の全処理時間の相当部分の間、 孔における処理剤流れが生じないか、生じてもごく僅かであることを必然的に伴 う。 ドイツの特許公報第3905100号(DE 39 05 100 C2)において、水溶液中 でのプリントされた回路のための、小さな開口を備えたプレート状加工材料の、 特にボーリング孔を備えた大きな面の導体プレートの化学的な乃至電気分解の処 理のための方法が記載されている。加工材料は2つの自立した互いに無関係の振 動運動をし、その第1の振動運動は加工材料の面に対して直角に推移し、第2の 振動運動はほぼそれ自身(加工材料面)の方向において第1の振動運動のように 且つこれと同時に起こる。第1の振動運動の振動数は第2の振動運動のものより もはるかに低く、第2の振動運動は次から次へと激しく脈打つバイブレーション 振動(バイブレーションスイング)を示し、第1の振動運動の振幅は第2の振動 運動のそれよりもはるかに大きい。 この方法は、浴を備えた装置においてプレート状の加工材料を処理するのにも っぱら適している。上記浴に加工材料が垂直に潜って導き入れられ、処理後に再 び当該浴から上方へ持ち上げられ、その上で最寄りの処理ステーションへの加工 材料の搬送がなされる。この方法において、特に加工材料での孔の流過を容易な らしめるバイブレーション振動がほとんど浴に漬けられた加工材料全部に伝達さ れないということが不利である。部分的に1.8mの深さに達する普通の浸漬浴 を用いる際、加工材料ホルダーの下端 に固定された加工材料はもはや極端に高い費用を費やす場合にのみ十分な振幅で 振動させることができるにすぎない。更に、流管(Flutrohre)が備えられていな いので、加工材料での穿孔はほとんど貫流されない。流管が事情によっては存在 しても加工材料の動きのために当該流管は加工材料に対して比較的大きな間隔を 守らなければならない。流管が加工材料から僅かな間隔で配置される場合には、 当該加工材料を上方から浴容器に導くのが困難である。本発明はそれ故に、従来 技術で公知の欠点を回避し液状乃至ガス状の処理剤を用いてプレート状の超微細 な孔を備えた加工材料、特に導体プレートを処理する方法を見出すことを課題と する。 当該課題は、請求項1及び12によって解決される。本発明の好適な実施態様 は従属請求項に挙げられる。 本発明に従うやり方によって、流体力学的に、孔の壁面とこれに沿って流れる 液状乃至ガス状の処理剤との間で可能な限り大きな相対運動が生じるように、プ レート状加工材料における、特に導体プレートの孔の壁面が、液状乃至ガス状剤 によって処理される。 本発明に従う解決策の場合、水平な操作姿勢にある加工材料は、2つの互いに 独立の運動から構成される組み合わせ運動をする。このために、導体プレートは 水平に延びる搬送軌道で連続的及び/又は周期的に断続する第1のスライド運動 で動き、処理装置を通って導かれ、同時に第2の激しいバイブレーション振動か らな る動きをする。 バイブレーション振動の振動数は好ましくは1ヘルツより上の値に、振動運動 の振幅は10mm未満の値に調整される。 振動運動の軌道は直線状であるか、円形状乃至円形に類似するようなものであ る。円形状乃至円形に類似する振動運動の場合のために、円運動が加工材料表面 に対し基本的に垂直に推移するかこれに対し基本的に平行に推移するという両方 の可能性がある。しかしながら、振動面と加工材料表面の間で他の角度も可能で ある。 円形状乃至円形に類似する振動運動の回転方向は、孔のできる限り一様な貫流 を達成するために、周期的に変動することも可能である。 本発明に係る装置は、加工材料を水平な操作姿勢に把持するための及び水平に 延びる搬送軌道における連続的な乃至周期的な時間間隔で途切れるスライド運動 のための手段、並びに加工材料が激しく脈打つバイブレーション振動運動するた めの別の手段を含んでいる。更に加工材料の処理剤との接触のための手段も備え られている。 円形状乃至円形に類似するバイブレーション振動運動を生じるために、好まし くは不均衡バイブレータが用いられる。 孔の流過を強めるために及び加工材料の表面処理の改善のために、更に処理剤 中で加工材料上に基本的に垂直に衝突する超音波 の発生のための超音波振動器が用いられる。これによって、強められた乱流が孔 の内部で生じる。超音波は一般には単に孔外被面の浄化の際に用いられるもので ある。 超音波は約10キロヘルツより上の振動数を有する。当該音波は導体プレート 表面上に基本的に垂直に放たれ、その際、好ましくは超音波振動器と表面との間 に遮蔽部が置かれない。孔壁面が音波の伝播速度に対して平行にあるにもかかわ らず、加工材料全体が超音波処理によって機械的に振動し、孔壁面での流れ状況 に良い影響を及ぼすので、当該音波は当該壁面にも作用する。 本発明に係る方法の作用は、加工材料の両表面が処理剤で湿らされる場合に、 好ましくは加工材料が処理のために処理剤に完全に浸される場合に特に大きい。 しかしながら、水平に置かれる加工材料の上側又は下側を例えばスプラッシュ すること(Beschwallen)、スプレーすること のみを処理剤によって湿らす場合にも、良好な処理結果が達成される。 加工材料を動かす間、その表面に対して適当な装置から処理剤の基本的に連続 する流れ又はスプレー乃至噴き出し噴射もまた向きを合わせることが可能である 。これによって、本発明に係る方法の利点が、加工材料における孔をスプラッシ ュノズルから流れ出す処理剤で流過するという従来技術にしたがう公知の方法の 利 点と組み合わせられる。 この方式は更に、処理剤が加工材料表面の一面での負圧に基づいて孔を通って 吸い込まれると改善可能である。加工材料表面に対向し好ましくは角柱竪穴の矩 形開口を有した吸引室が、負圧を生じるための適当な装置であると判明した。 大部分の方法のために液状処理剤が用いられるが、このような液体はガス状処 理剤よりも高い粘性を有する。だから液状処理剤での孔の流過は困難である。 本発明に係る方法は、ガス状処理剤での加工材料の処理をも含み、特に加熱空 気を用いて導体プレートにおける孔を乾燥する処理も含む。液状処理剤を用いる 際に、導体プレートの表面と孔の外被面の残余の液体は加熱空気を流すことによ って蒸発させられうる。しかしながら乾燥シミが形成されるのを避けるために、 乾燥の際での本発明に係る方法の使用は、上記残余の液体がバイブレーション振 動運動によってエアロゾル(煙霧質)として表面から飛散され、空気流によって 当該表面から運び去られるので、特に有利である。 管を通る層流に適用可能なハーゲン・ポアズ方程式(Hagen-Poiseuille-Gleich ung)にしたがい、特に液状処理剤の温度が上がるにつれて、当該処理剤の動的粘 性が低下する。それで処理剤が可能な限り高い温度で用いられる場合に、孔の内 部での物質代謝が改善される。温度を高くすることによって、処理剤の孔を通 る貫流能と、それによる孔での乱流の発生と、処理剤の内部での拡散が改善され る。しかしながら他方で温度上限は、処理ステップに特有の許容最大温度に左右 される。 従来の技術水準で公知の方法及び装置の多くの場合、処理剤を実際に停止して いる孔壁に対して動かすことが提案されている。本発明に従えば、これとは対照 的に、解決のための代替が追求され、即ち、導体プレートとそれ故に孔における 壁面を処理剤に対して動かすことにも追求している。 しかしながら、両方のバリエーションを組み合わせることも可能である。本発 明に係る装置でのビジネススケールでの一連の実験は、本発明に係る方法の使用 に際して孔壁面での十分に有効な物質代謝のためにスプラッシュ噴射による孔の 強制貫流を各々の使用で必要とするわけではないことを確かに示した。 本発明によれば、加工材料は激しくバイブレーション振動される。高周波で起 こる方向転換が、孔の内部において、特に処理剤の孔を貫流する噴射の個々の層 の周知の如く種々の異なる速度のために不安定な流れ状況の原因となり、その結 果、重なり合う個々の処理剤層の激しく渦巻く混合で乱流が局部的に発生する。 空間的に非常に僅かな渦巻き領域を有した乱流の層は、スリーブのような形状を 有する。当該層はそのような噴射の速度輪郭(Geschwingigkeitsprofil)に対応し て集中的に孔に配列される。バイブレーション振動運動によって生じる乱れて動 く層の厚みは 規模的に約500μmになる。 表面処理に必要な物質代謝(孔壁表面に新鮮な処理剤を搬送すること並びにそ こからの反応生成物の搬出)は、孔壁表面に直接的に密接する割合に薄い境界層 において行われる。当該層はこの表面に分子間引力によってくっつき、それ故に 孔壁表面と、したがって加工材料全体とともに動く。この層の内部で物質搬送が もっぱら拡散によって起こる。 孔壁面で孔内部の方へ繋がる処理剤噴射の層は、振動する処理材料とともに同 じく動かされるが、振動する処理材料によって処理剤に与えられる動きは、孔壁 表面からの間隔が広がるにつれて小さくなる。処理剤における内部摩擦によって 、境界層の内側で孔の中心から孔壁へ向かって速度勾配が生じる。速度勾配の程 度は特に処理剤の粘性に左右され:ガス状の処理剤の場合に速度勾配は液状処理 剤の場合よりも急勾配である。 図1〜4において本発明に係る方法の原理を、図5〜9において本発明に係る 装置を例示的に且つ概略的に示す。ここで: 図1は直線状の振動の作用を示し、 図2はプレート面に対して垂直に生じる円形状のバイブレーション振動運動の 作用を示し、 図3は孔における処理剤の速度成分の描写であり、 図4は導体プレートの孔での流れ状況の概略的描写である。 図1は、孔2を備えた導体プレート1を切る概略的横断面を示 す。当該プレートは直線状の運動軌道で静的定位置SR回りにバイブレーション 振動運動する。当該運動軌道(矢印BW)は導体プレート表面に垂直にある。 当該図に示されるように、直線的なバイブレーション振動運動による孔軸に対 し平行なポンプ作用は、バイブレーション振動の運動軌道が加工材料の平面に延 びない限り、孔にある処理剤に影響を及ぼす。基準(Mass)は静的定位置SRから の導体プレートの瞬間的偏位(Auslenkung)を呈する。 振動軌道の両方の転回点の間での孔2を有した加工材料1、3のリズミカルに 行き来する動きは、結果として、同じ方向で孔の入口及び出口に作用する処理剤 の力成分を伴う(図において矢印で示す)。バイブレーション振動運動の間に一 方の方向に加工材料が動くと、孔の一方の端部に運き方向において流体動力学的 停滞領域(過剰圧ST)が、他方の端部に吸引領域(負圧SO)が生じる。この ように生み出される圧力差は駆動力のように液体柱に作用し、孔内でこれに加工 材料の動きに相対する方向でポンプ作用する。加工材料の振動方向が逆転すると 、ポンプ作用の方向も180°変化する。 振動運動はサイン曲線に従う。しかしながら他の振動形式もまた有利でありう る。穿孔での処理剤の流れの発生及び経過は、穏やかに上昇する又は低下する速 度によって好ましくは孔の中央範囲において薄層状である。孔の中央での層流は 乱れた渦巻き領域 の外被に取り囲まれている。これは、孔外被面に密着した固定境界層への移行部 を形成する。当該境界層の範囲内で、物質はもっぱら拡散によって搬送される。 搬送の速度は境界層の厚みに左右され;厚めの層は拡散を妨げる。バイブレーシ ョン振動運動によって境界層の厚みは明らかに減少する。この場合において、処 理剤における物質はまた孔壁表面に素早く到達する。 しかしながら効果的な物質代謝は、そのために必要な、孔の外にある処理剤に おける物質が孔の内側に運ばれ、そこで混和によって素早く乱流を有した領域へ 運ばれ、そしてそこから最終的に境界層を介して孔壁表面に運ばれることを前提 とする。逆の場合に、例えば孔壁表面が浄化され夾雑物が当該表面から運び去ら れる必要がある場合、物質搬送は逆の方向に起こる。この場合もまた、孔に生じ た流れ条件は、出された要求のためのものと速度的に指定される。 実験において、公知の方法で、超微細な孔を処理剤で流過することが例えば孔 の長さに対してその径の比が大きすぎるためにうまくゆかない場合でも、局部的 な渦巻き領域の発生が、孔の内部並びに孔壁表面の近傍区域で処理剤の激しい混 合をもたらし、このようにしてこれら域で十分な物質代謝が可能であることを示 すことが可能であった。 図2に、本発明に係る方法の別の好ましい実施形態が概略的に示される。直線 的なバイブレーション振動運動の代わりに、加工 材料は円形状乃至円形に類似するバイブレーション振動運動にも動かされ得、当 該運動は、図に示されるように加工材料表面に垂直に延びる平面で推移するか、 当該表面に平行に位置する平面で推移する。 図において、孔の中点の運動経過は完全な回転振動の種々の段階a〜lで示さ れる。この振動運動は時計回りにも反時計回りにも実施可能で、その方向を変更 することもでき、その際、導体プレートの進行運動DBは維持される。 参照番号3で断面で概略的に示された導体プレートが、参照番号2で導体プレ ートを貫いて通じている孔が表される。寸法rは円振動の振幅を示す。 図2での概略的な描写に関連した図3a及び3bは、グラフにおいて、振動運 動の際の完全回転での速度成分を表す。図2、3a及び3bでの基点a〜lは、 上記回転での標準点を通過する箇所を明らかにする。 図3aでの水平な双方向矢印HKは、時間tにわたって描かれ回転の際に孔軸 線に対し横切るそれぞれの速度成分VHによって生じ且つ当該成分に比例するリ ズミカルに増減する押圧力(An-pressdruck)を具体的に説明する。この押圧力は 孔壁表面への方向に働く。この時間的に変動する速度成分によって、それ故に時 間的に変動する押圧力によって、孔での境界層に隣接する処理剤層での乱れの増 加と同じように、境界層の厚みが減少して孔壁表 面での物質代謝が高められることとなる。 図3bでの垂直な双方向矢印VKは、その軸線に沿って孔を通る処理溶液の脈 打つ貫通ポンピング(Hindurchpumpen)を具体的に説明する。時間単位t当たりの 時間的に変動する垂直時間成分Vvは軸線方向において同じく既に先に記載した ポンプ作用に比例する。バイブレーション振動運動によって、孔の積層域での流 過率が増す。 直線的なバイブレーション振動運動と全く同様に、円形状乃至円に似たバイブ レーション振動運動の場合、振動数は1ヘルツ以上に、円振幅rは10mm以下 の値に調整される。別の好適な実施形態によれば、円形状乃至円に似たバイブレ ーション振動運動の面は、加工材料表面に対して平行に配置される。この場合、 激しく回転する孔の内部にある処理剤の遠心力が生じる。この遠心力は孔内の処 理剤の嵩要素(Volumenelementen)に作用し、また当該遠心力は孔壁を押圧する。 加工材料表面の平面での円形状乃至円に似たバイブレーション振動運動の回転方 向が周期的に変わる場合、孔の内部での物質代謝を更に増すことができる。 図4において、加工材料表面の平面で円形状乃至円に似たバイブレーション振 動運動(楕円矢印)があり、同時に加工材料がスライド前進運動(上方の長い矢 印)する場合の、加工材料の孔での流れ状況が概略的に示される。処理剤は上か ら下へ孔を通って吸収される。 孔に引き入れられた処理剤は、バイブレーション振動運動によって螺旋状軌道 を強制的に辿る。これによって孔内で処理剤の個々の嵩要素の乱れた混ぜ合わせ (turbulente Durchmishung)が達成される。孔壁表面に備わった固定境界層の厚 みが減少し、その結果、当該表面から及び当該表面への物質の拡散が増大する。 乱れた渦巻運動によって、孔を通る処理剤の実用的に妨げられない貫流が可能 となる。 例に基づいて本方法の作用を示す。 穿孔が0.3mmの径を有する。加工材料、即ち、導体プレートが、f=24 ヘルツの振動数と0.3mmの振幅で円形状のバイブレーション振動運動をさせ られる。その際、孔壁面はv=f×2πr=22.6mm/秒の速度に達した。 拡散による物質代謝が、孔壁表面に密接し等しい速度で回転する境界層で起こる 。境界層に隣接する処理剤層も同様に回転運動するが、低めの速度である。これ によって孔内に速度勾配が生じる。 比較のために、導体プレートをバイブレーション振動運動しないで、導体プレ ートの表面にかかる(aufgeschwallten)液状処理剤の貫流速度が算出される。 従来技術で公知の装置にしたがって導体プレートの下方に、液状処理剤が例え ば250Paの静水圧で出るスプラッシュノズル(Schwallduese)が配置される場 合、ハーゲン・ポアズ方程式から孔径が0.3mmで孔長さが5mmであり、液 状処理剤が水のよ うな粘性を有する場合、当該処理剤は4.8秒の孔を通る貫流時間を必要とする こととなる。これから孔における処理剤の平均速度が約1mm/秒であることが 算出される。この値は明らかに予め計算された約22mm/秒の値より低い。 上記計算においては、孔壁表面が一般的に滑らかでなく粗く、その結果、孔の 貫流にとって制約されない横断面が(0.3mm)2より僅かでしか供されないこと が考慮されていないので、バイブレーション振動運動なしの処理での値はなお僅 かであろう。 孔の貫流の速度は孔壁表面の処理の際の物質搬送のための尺度である。これか ら疑いの余地なく、バイブレーション振動運動なしでの加工材料の処理は超微細 な孔にも効果的な処理を保証するには十分でないことが判明する。これとは対照 的に、バイブレーション振動運動を伴う本発明に係る方法で、孔において十分に 高い流れ速度が達成可能で、その際、物質搬送が非常にゆっくりとのみ行われる ような粗い孔外被表面を介して形成された極端に厚い境界層の厚みが、強制的に 乱された流れによって特に減少させられる。 これから、孔の半径方向においてのみの非常に良好な物質代謝だけでなく、軸 線方向での良好な代謝も可能となる。 加工材料がバイブレーション振動運動する間、当該材料は連続的に及び/又は 周期的に断続して滑るように水平に延びる搬送軌道で及び水平な操作姿勢で動き 、処理装置を通って案内される。 この組み合わせは、加工材料が一方では装置的に簡単に把持可能で、その結果、 本質的な損失なしに導体プレートにバイブレーション振動運動を伝えることがま た簡単に行われるという利点を有する。例えば物品担体の下端に吊るされる導体 プレートがバイブレーション振動の惹起によって殆ど動かないような慣例の浸漬 装置での導体プレートの垂直配置から生じるような欠点は、本発明に係る方法で は生じない。更に当該動きの組み合わせの場合、処理剤がシャープな噴射又はス プラッシュで出て、孔を通って押圧され、それによって孔の貫流を強制するバイ ブレーション振動運動を支える装置を越えて又は当該装置の下方を通って加工材 料がゆっくりと案内される可能性がある。 更に、貫流を同じく促進する吸引装置も簡単に備えられる。加工材料が滑るよ うに通し案内されるこのような設備の更なる利点は、僅かな処理剤量のみが使用 され、その結果、廃棄物処理に用いられる処理剤のコストが慣例の浸漬装置より も少なくてすみ、当該設備が装置的に簡単にケースに収容可能で、その結果、エ アロゾルやガスが発散するような不測の事態を回避し最終的に個々の処理モジュ ールの連結が簡単に可能であることにある。 次の図5〜9において本発明に係る装置の好適な実施形態を表す。ここで、 図5は不均衡バイブレータの機能原理を示し、 図6は導体プレートのための金属化装置の横断面を示し、 図7は走行可能なスイング装置を備えた金属化装置の横断面を示し、 図8は導体プレートの化学処理のための装置の部分を示し、 図9は超音波源を備えた金属化装置の横断面を示す。 図5において、本発明に係る円形状乃至円に似たバイブレーション振動運動が 生じうる不均衡バイブレータの機能原理が描写されている。 当該バイブレータにおいてロータ4が電動機6のシャフト5につけられている 。偏心ロータによって生じる不均衡力は機械的に直接的に又は間接的にバイブレ ーション振動として導体プレート1、3に伝わる。当該導体プレートは一定の角 速度で円形状の平らな軌道で動く。バイブレーション振動運動の振幅は、不均衡 力を調節することによって、無段階に調整可能である。普通一般に行われている ように、スイングの振動数は24ヘルツの規模で用いられる。これによって、孔 径のその長さに対する比率が1:15以上の場合でも、導体プレートの孔壁表面 の浄化、活性化及び金属化のための液状処理剤での処理が確実に行われる。 図 6において、導体プレートの例えば銅による電解金属化のための装置の断面が示 されている。 液状処理剤(金属化溶液)中にある上方陽極7は、その下にある導体プレート 3に対して平行に配置され、当該導体プレートは紙面に対して垂直状態にあり水 平に延びる搬送軌道に沿って案内 される。陽極として好ましくは不溶性の材料、例えばプラチナめっきされたチタ ンからなる材料が用いられる。しかしながら、通常の析出する金属からなる陽極 も使用可能である。平行な配置によって、均一に分布した金属沈澱物が導体プレ ート上に生じる。陽極は簡単に装置から取り外し可能であり、その結果、その取 り外しによって孔開きチタンボックスに含まれている下方の球形状の(例えば銅 からなる)溶解性金属陽極へのアプローチが可能である。 導体プレートはクランプによって把持され、水平な操作姿勢で連続的に滑るよ うに金属化装置を通って輸送される。クランプは圧縮バネ9によって互いに押圧 された2本のクリップバー トを少なくともその矩形側面で把持する。これらクリップバーは機械的保持の他 に、導体プレート上への電解作用による金属析出のために電流を流すという課題 を満たしている。このために、下方クリップバー11は、不図示の電源に接続す るブラシ装置12に沿って摺擦滑動する。 多数のクランプが相前後して且つ互いに間隔をおいて、エンドレスに回転しロ ーラ13によって案内されるベルト14に取り付けられている。案内レール15 が完全に搬送系をめぐって延びており、張出レール16が装置の導体プレートの ための搬送需要が存在しない範囲にわたってのみ延在する。レール16の張出面 は、 バネ9の圧縮下に導体プレートをクリップバー対から解放するように、位置決め される。 クリップバー端部に表出した金属を金属化室を通った後に取り除くために、別 の浴容器(金属除去室)17が備えられる。当該容器は金属化室での金属化溶液 とつながっている。この浴容器においても、当該金属化溶液が存在する。金属除 去室において、更に対抗電極が配置される。 クリップバー対が金属化室を通った後に室17にあると直ぐに、電気的に分離 したブラシ装置18を介して当該クリップバー対に、金属化室を通る際にブラシ 対が有している極性に対抗する極性を有した電気が供給される。これによって、 クリップバー対に表出した金属が室17を通過する際に電解法で再び除去される 。 案内ローラ13と案内レール15、エンドレスベルト14、張出レール16、 ブラシ装置12と18は、多数のクリップバー対10、11と共に基礎プレート 上に機能的な集合体ユニットとして機械的にそれ自体にしっかりと統合される。 この集合体は処理溶液を含有する槽20上に動かないように積み上げられる。 基礎プレート19の下方で、不均衡バイブレータ21が当該プレートに固定さ れている。その円形状のバイブレーション振動運動は共鳴することなく既述のユ ニットに伝えられる。それによって、不均衡バイブレータと集合体は同じ振動数 で振動する。集合体は幾つかの振動ダンパー上に、ここでは槽列20に沿って延 び る堅牢な台23に積み上げられた螺旋ばね22の形状をしたダンパー上に置かれ ている。この振動ダンパーは、集合体に由来するバイブレーション振動運動を弾 力的に吸収するという課題を有し、それ故に台23は振動運動を受けない。それ に当該ダンパーはその上にある集合体を担持するのに用いられる。 図6において、振動する搬送系の左側で水平に配置された導体プレートの縁を 握りしめ折り畳まれた駆動状態において、且つ系の右側で(金属除去容器17に 沿って)滑るように開いた駆動状態においてクランプ(クリップバー対10、1 1)が示されている。両方の場合に、クリップバー対の下方端は処理溶液に漬か る。圧縮されたクリップバー端は導体プレートの縁に挟持作用を及ぼし、その結 果、バイブレーション振動運動が著しく損失することなく導体プレートに伝わり うる。 当該図面に暗示された導体プレートの円形状バイブレーション振動運動は、円 周に描かれた小さな矢印によって示される。当該運動は導体プレートの一点の回 りで実行される。円振動運動の面は導体プレート表面に垂直である。当該運動の 垂直な振動分は、孔を貫く孔軸の両方向での処理溶液の周期的な通過ポンプ作用 を生ぜしめる。 水平な振動分によって、孔の内部での物質代謝が強まり、乱れた振動が生じ境 界層での拡散が増す。 既述の配設装置は、片側だけで縁を把持するために搬送方向に 対して横の幅があまり広くない導体プレートに簡単に使用可能である。上記集合 体に由来するバイブレーション振動運動が絶えず導体プレート表面全体に均一に 伝わることが常に保証されなければならない。 図7において、非常に幅広い導体プレートの処理のための配設装置の横断面が 示されている。このような導体プレートはもはや片側だけでクリップバー10、 11を有したクランプによって把持することができない。しかしながら僅かな厚 みの導体プレート(箔)もまたこのような配設装置において処理可能である。 上記の各場合において、導体プレートの搬送のため並びに導体プレートの対向 する二面で当該プレートに通電するための適当な手段を備えることが必要である 。 図6に導体プレートの右縁の案内のための複合体が示され、図7に概略的に同 じプレートの対向する(左の)側の案内のための技術設備が表されている。両図 において、搬送方向で見て横断面で設備の部分図が示される。 バイブレーション振動運動を生じる集合体は(図6におけるユニットの固定配 設と対照的に)搬送方向に対し横に位置をずらすことが可能なように配置されて いる。この特徴構成は、図7においてユニットの上方で双方向矢印によって特徴 づけられている。 図6及び7に示された集合体ユニットの構造要素(案内ローラ13、案内レー ル15、エンドレスベルト14、張出レール16、 ブラシ装置12と18、クリップバー対10と11、基礎プレート19及び不均 衡バイブレータ21)は、互いに鏡像対称的に配置されている。図7での集合体 の側方走行性(Verfahrbarkeit)によって、上記設備はまた種々の幅の導体プレー トに対しても用いることが可能である。この特徴構成によって当該設備は苦もな く変化する不測の製造条件に適合する。クリップバー10、11によって導体プ レートを両側で把持することによって、更に両方の集合体から伝わるバイブレー ション振動運動の伝達の質が改善する。 好ましくは、関与する両方の不均衡バイブレータ21の振動運動の振動と振幅 は関与する両方の搬送系の滑動速度と同じく互いに同期して調整される。 図7での集合体は、そり状の輸送台架上に載せられている。当該台架は主とし て、水平方向に長さのある底プレート25、これに一列に固体された二三の垂直 な担持支柱26及びこれらと結合する堅牢な桁27から組み立てられている。当 該桁27は、浴容器20の外にあり車輪28で転がり側方でレール29に案内さ れる垂直な2本の支持トラス30に対する形成肢節である。 走行可能な集合体に更に、図6での金属除去室17に類似して離れ離れに押し 広げられたクリップバー対10、11の端部が電解的な方法で洗浄可能であるた めに、対抗電極が配置されている。 図7から更に、導体プレートの幅が左下の2個の陽極ボックス 8を覆わないことが見て取れる。 申し分のない運転のために、処理溶液中で導体プレートのために均一な電場を 保持すべく、導体プレートに対向していないと直ちに、陽極8とこれに対応する 上方の不溶性陽極が電源から切り離されることが、強制的に必要である。 処理溶液は、できるだけ不変な化学組成と導体プレートの周囲での一定の温度 を保証するために、連続的に循環させられる。このために浴溶液はポンプ32に よって絶え間なく循環して動かされる。断線模様の大きな矢印と引き伸ばされた 小さな黒矢印が、その際に生じた液循環の方向と経路を具体的に説明する。当該 溶液は、ポンプ32からスタートし一列に配置された二三の流入管33を介して 槽20内の処理溶液に流れ込み、導体プレートの上方空間へ向けて進路をとる。 上記流入管33は浴液面の高さにある。 本発明の好ましい実施形態において、幾つかの吸収室34が備えられる。当該 吸収室は、水平に配置された導体プレートの表面の下方にすぐ接して備えられて いる。これによって孔2の下端に負圧が生じ、その結果、孔の上端に流れる処理 溶液が当該孔を通って下方に流れるように強制される。吸収作用は、本発明に係 るバイブレーション振動運動によって生じる孔壁面での物質代謝を強める。 導体プレートの化学的及び電解的な処理は、できるだけ均一に 且つ同時にその表面の全ての箇所に及び全ての孔に起こらなければならない。こ のために多数の互いに無関係な有効吸収室が備えられ、その負圧は磁気弁35を 介して制御される。 吸収室は好ましくは柱状の室形状を有しており、開口としてのその上方の矩形 側面がそのすぐ上を滑動する導体プレートに対して平行に調整される。各吸収室 は圧力制御され自己の導管を有した磁気弁を介して搬送ポンプ32に接続されて いる。 電気的な流れを必要としない化学的表面処理の場合、例えば導体プレートの洗 浄の際、好ましくは図8に概略的に示された対向するローラ又はコロ37、38 が導体プレート1、3の搬送のために用いられる。水平に配置されたローラ/コ ロは搬送方向に対し垂直に、しかも一列が搬送軌道の上方で、第2の一列が当該 軌道の下方で支承されている。下方列は搬送ローラ37として設備の或る処理ス テーションから次のステーションへの導体プレートの運搬の課題を引き受ける。 上方列において、自由回転する加圧ローラ38が備えられる。当該ローラ38は 導体プレートを遊びなく搬送ローラ37の下方列に押し付ける。 本発明の特に好ましい実施形態において、バイブレーション振動運動は水平面 に、即ち、導体プレートの平面に延びる。この場合、孔内の処理溶液の嵩要素が 孔壁面に対し投げつけられ、その結果、孔の内部での処理溶液における拡散と対 流が相当に高められる。円形状の振動運動が図において楕円矢印によって示され る。 水平の矢印は導体プレートの搬送方向を示す。 この実施例においても、導体プレートの下に配置された吸収室が示され、その 幅広の開口が下方の平坦な表面に僅かな間隔で対向し、これに平行に配置されて いる。この場合も、吸収室で形成された負圧が図に示された矢印の方向での孔2 を通る流れを生じる。狭小なノズルスリットに沿って直線的に局部的にのみプレ ート表面の僅かな部分をとらえることができるスプラッシュ噴射とは対照的に、 設備の処理ステーションを通る搬送の全時間中、吸収室は導体プレートを完全に とらえることができる。 図9に、別の設備が断面描写で示されている。超音波振動子36の使用によっ て、処理剤の処理作用は超音波で孔内に生じる振動により高められる。この図に 示された別の個々の事物は図6に示された装置要素に対応する。 別の好ましい実施態様において、処理剤はスプラッシュ乃至スプレーノズルに より導体プレートにぶつけられる。スプラッシュノズルは、水平に延びる導体プ レートの搬送方向に対し垂直に並びにその平面に平行に或いはそれに対し傾いて 配置された縦長の直線ケースからなる。当該ノズルは一又は複数の縦スリットを 有しており、当該スリットから噴出する処理剤のスプラッシュ噴射が導体プレー ト表面に基本的に垂直に当たる。スプラッシュノズルは導体プレートの下方又は 上方に配置され得、多数のスプラッシュノズルもまた少なくとも互いに置き換え て導体プレートの両 面に配置され得る。スプラッシュノズルの組み合わせとこれに対置する吸収室が 特に好都合であることが証明された。

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1.液状乃至ガス状処理剤を用いて、超微細な孔を備えたプレート状の加工材料 、特に導体プレートを処理するための方法にして、水平な操作姿勢にある加工材 料が、 −水平に延びる搬送軌道での連続的及び/又は周期的に断続する第1のスライド 運動、 −第2の激しいバイブレーション振動からなる運動 から構成される組み合わせ運動をし、その際、これら両方の運動は互いに無関係 に発生可能である方法。 2.バイブレーション振動の振動数が1ヘルツよりも大きな値に調整されること を特徴とする請求項1に記載の方法。 3.バイブレーション振動の振幅が10mmよりも小さな値に調整されているこ とを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 4.バイブレーション振動運動の軌道が円形状乃至円形に類似し、加工材料の表 面に基本的に垂直である面において延びていることを特徴とする前記請求項のい ずれか―項に記載の方法。 5.バイブレーション振動運動の軌道が円形状乃至円形に類似し、加工材料の表 面に基本的に平行である面において延びていることを特徴とする請求項1〜3の いずれか一項に記載の方法。 6.バイブレーション振動運動の回転方向が周期的に変化するこ とを特徴とする請求項4又は5に記載の方法。 7.加工材料が、当該加工材料の表面で基本的に垂直にぶつかる超音波によって 処理されることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 8.加工材料が、処理剤に完全に浸漬されることを特徴とする前記請求項のいず れか一項に記載の方法。 9.液状処理剤の基本的に連続する流れ乃至噴射が、加工材料の表面に向けられ 、加工材料における孔を通って案内されることを特徴とする前記請求項のいずれ か一項に記載の方法。 10.処理剤が、加工材料表面の一方での負圧の発生によって、加工材料の孔を 通って貫通吸収されることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法 。 11.処理剤として温められた空気が加工材料の表面と孔壁の乾燥のために用い られることを特徴とする前記請求項のいずれか一項に記載の方法。 12.液状乃至ガス状処理剤を用いて、超微細な孔を備えたプレート状の加工材 料、特に導体プレートを処理するための装置にして、水平な操作姿勢で加工材料 (1,3)を把持し水平に延びる搬送軌道での連続的及び/又は周期的に断続す るスライド運動のための手段(10,11,37,38)と、加工材料が激しく 脈打つバイブレーション振動運動を始めるための手段(21)と、加工材料を処 理剤に接触させるための手段とを包含し、上記両運 動は独立で互いに無関係であるような装置。 13.円形状乃至円形に類似したバイブレーション振動運動を生じるための不均 衡バイブレータ(21)を特徴とする請求項12に記載の装置。 14.処理剤中での加工材料(1,3)の表面に基本的に垂直にぶつかる超音波 を生じるための超音波振動子(36)を特徴とする請求項12又は13に記載の 装置。 15.加工材料表面に向けられた液状処理剤の連続する流れ又は噴射を生じるた めの手段を特徴とする請求項12〜14のいずれか一項に記載の装置。 16.好ましくは矩形で加工材料の表面と僅かな間隔をおいて対向した開口部を 備えた一又は多数の吸収室(34)を包含し、加工材料(1,3)での孔(2) を通る処理剤の貫通吸収のための手段を特徴とする請求項12〜15のいずれか 一項に記載の装置。 17.超微細な孔を備えたプレート状の加工材料の表面処理のための方法にして 、個々の又は全ての新しい特徴的要件及び開示された特徴的要件の組み合わせを 特徴とする方法。 18.超微細な孔を備えたプレート状の加工材料の表面処理のための装置にして 、個々の又は全ての新しい特徴的要件及び開示された特徴的要件の組み合わせを 特徴とする装置。
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