JPH1051029A - 半導体発光素子及びその製造方法 - Google Patents
半導体発光素子及びその製造方法Info
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- JPH1051029A JPH1051029A JP20234796A JP20234796A JPH1051029A JP H1051029 A JPH1051029 A JP H1051029A JP 20234796 A JP20234796 A JP 20234796A JP 20234796 A JP20234796 A JP 20234796A JP H1051029 A JPH1051029 A JP H1051029A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 成長膜中のＣ軸〈００・１〉方向に発生する
欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特に半
導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供す
る。 【解決手段】 （１１・０）面方位を有するＺｎＯ基板
１１上に、ｎ型ＧａＮ１２、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶
１３、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ混晶１４及びｐ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ混晶１５を、何れの層も基板面に対して平行にＣ
軸〈１１・０〉を成長させた構造とする。
欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特に半
導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供す
る。 【解決手段】 （１１・０）面方位を有するＺｎＯ基板
１１上に、ｎ型ＧａＮ１２、ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶
１３、Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ混晶１４及びｐ型Ａｌ0.2Ｇａ
0.8Ｎ混晶１５を、何れの層も基板面に対して平行にＣ
軸〈１１・０〉を成長させた構造とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ウルツ鉱型窒化物
半導体を基板上に結晶成長して作製される半導体発光素
子及びその製造方法に関し、特に半導体レーザ素子とし
て好適な半導体発光素子及びその製造方法に関する。
半導体を基板上に結晶成長して作製される半導体発光素
子及びその製造方法に関し、特に半導体レーザ素子とし
て好適な半導体発光素子及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ウルツ鉱型窒化物半導体、即ち窒素を今
むIII−Ｖ族化合物半導体は２ｅＶ以上の広いバンドギ
ャップを有するため、波長領域が橙色から紫外領域まで
幅の広い短波長発光素子の材料として用いられている。
むIII−Ｖ族化合物半導体は２ｅＶ以上の広いバンドギ
ャップを有するため、波長領域が橙色から紫外領域まで
幅の広い短波長発光素子の材料として用いられている。
【０００３】従来、例えばウルツ鉱型のＧａＮを主組成
とするIII−Ｖ族化合物半導体を作製する際の結晶成長
方法としては、有機金属気相成長法や分子線エピタキシ
ャル法が用いられ、そこでは、一般に、サファイアや６
Ｈ−ＳｉＣ等の基板上にＣ軸配向させて、即ち、図５に
示すように、成長させるIII−Ｖ族化合物半導体のＣ軸
方向が、基板面に垂直になるように結晶成長させて作製
している。
とするIII−Ｖ族化合物半導体を作製する際の結晶成長
方法としては、有機金属気相成長法や分子線エピタキシ
ャル法が用いられ、そこでは、一般に、サファイアや６
Ｈ−ＳｉＣ等の基板上にＣ軸配向させて、即ち、図５に
示すように、成長させるIII−Ｖ族化合物半導体のＣ軸
方向が、基板面に垂直になるように結晶成長させて作製
している。
【０００４】ここで、上記の方法で、ＬＥＤを作製した
場合、ＬＥＤは基板面方向に放射した光を利用するた
め、結晶成長したIII−Ｖ族化合物半導体のＣ軸に平行
に光が出射することになる。
場合、ＬＥＤは基板面方向に放射した光を利用するた
め、結晶成長したIII−Ｖ族化合物半導体のＣ軸に平行
に光が出射することになる。
【０００５】一方、上記の方法で作製されたIII−Ｖ族
化合物半導体を半導体レーザ素子として用いる場合は、
レーザ光は一般に基板面と平行に出射されるため、成長
膜のＣ軸方向に垂直に光が出射されることになる。
化合物半導体を半導体レーザ素子として用いる場合は、
レーザ光は一般に基板面と平行に出射されるため、成長
膜のＣ軸方向に垂直に光が出射されることになる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ウルツ
鉱型のＧａＮを主組成とするIII−Ｖ族化合物半導体
は、Ｃ軸に平行に面欠陥、或いは線欠陥を生じやすく、
そのため、欠陥自身がお互いに相殺されることなく、成
長膜表面まで到達する。基板表面の欠陥密度は、基板の
種類にも若干依存はするが、１０8〜１０11ｃｍ‐2程度
あると言われている。
鉱型のＧａＮを主組成とするIII−Ｖ族化合物半導体
は、Ｃ軸に平行に面欠陥、或いは線欠陥を生じやすく、
そのため、欠陥自身がお互いに相殺されることなく、成
長膜表面まで到達する。基板表面の欠陥密度は、基板の
種類にも若干依存はするが、１０8〜１０11ｃｍ‐2程度
あると言われている。
【０００７】ここで、本発明者等の実験結果によれば、
窒素を含むウルツ鋼型化合物半導体を結晶成長した化合
物半導体素子で、ＬＥＤを作製した場合、他の材料で作
られている同型のＬＥＤと比較しても特に発光効率が低
くなっているような現象は生じていないことが確認でき
た。
窒素を含むウルツ鋼型化合物半導体を結晶成長した化合
物半導体素子で、ＬＥＤを作製した場合、他の材料で作
られている同型のＬＥＤと比較しても特に発光効率が低
くなっているような現象は生じていないことが確認でき
た。
【０００８】しかるに、窒素を含むウルツ鋼型化合物半
導体を結晶成長した化合物半導体素子で、半導体レーザ
素子を作製した場合は、端面からの発光の効率が、他の
材料で作製された同型の半導体レーザ素子と比較して、
約半分程度に低下していることが確認できた。
導体を結晶成長した化合物半導体素子で、半導体レーザ
素子を作製した場合は、端面からの発光の効率が、他の
材料で作製された同型の半導体レーザ素子と比較して、
約半分程度に低下していることが確認できた。
【０００９】その原因について、研究を重ねたところ、
以下の知見を得た。
以下の知見を得た。
【００１０】まず、上述した欠陥は時には非発光の再結
合中心を形成するため、これに起因して発光素子の発光
効率が低下することがわかった。
合中心を形成するため、これに起因して発光素子の発光
効率が低下することがわかった。
【００１１】また、Ｃ軸に平行に発生する欠陥は、基板
と成長膜とのミスフイットから生じることが主要因とな
っていることがわかった。
と成長膜とのミスフイットから生じることが主要因とな
っていることがわかった。
【００１２】更には、上述した欠陥は特定の方向に伝搬
する光に対して、大きな散乱要因として働くという現象
を生じることがわかった。即ち、上記従来の半導体レー
ザ素子では、光の出射方向と線状の結晶欠陥の成長方向
が直交しているため、発光効率の低下が顕著に現われる
ということである。これは、これらの欠陥は、半導体レ
ーザ素子を作製する際に、キャビティ内での伝搬光の散
乱を増加し、発光素子の発光効率を低下させる原因にな
ると考えられるからである。
する光に対して、大きな散乱要因として働くという現象
を生じることがわかった。即ち、上記従来の半導体レー
ザ素子では、光の出射方向と線状の結晶欠陥の成長方向
が直交しているため、発光効率の低下が顕著に現われる
ということである。これは、これらの欠陥は、半導体レ
ーザ素子を作製する際に、キャビティ内での伝搬光の散
乱を増加し、発光素子の発光効率を低下させる原因にな
ると考えられるからである。
【００１３】本発明はこのような知見に基づいてなされ
たものであり、成長膜中のＣ軸〈００・１〉方向に発生
する欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特
に半導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供
することを目的とする。
たものであり、成長膜中のＣ軸〈００・１〉方向に発生
する欠陥密度を減少でき、結果的に発光効率が高く、特
に半導体レーザ素子として好適な半導体発光素子を提供
することを目的とする。
【００１４】本発明の他の目的は、そのような半導体発
光素子を実現できる半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
光素子を実現できる半導体発光素子の製造方法を提供す
ることにある。
【００１５】
【課題を解決するための手段】本発明の半導体発光素子
は、ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して作
製される半導体発光素子であって、結晶成長する該ウル
ツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方向が該基板の
基板面方向に対して、９０°±５°の角度を有してお
り、そのことにより上記目的が達成される。
は、ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して作
製される半導体発光素子であって、結晶成長する該ウル
ツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方向が該基板の
基板面方向に対して、９０°±５°の角度を有してお
り、そのことにより上記目的が達成される。
【００１６】好ましくは、前記ウルツ鉱型窒化物半導体
としてＧａＮを成長する。
としてＧａＮを成長する。
【００１７】また、好ましくは、前記ウルツ鉱型窒化物
半導体としてＡｌxＧａ1-xＮ（１≧ｘ＞０）又はＩｎx
Ｇａ1-xＮ（１≧ｘ＞０）を成長する。
半導体としてＡｌxＧａ1-xＮ（１≧ｘ＞０）又はＩｎx
Ｇａ1-xＮ（１≧ｘ＞０）を成長する。
【００１８】また、好ましくは、前記ウルツ鉱型窒化物
半導体としてＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ（１≧ｘ＞０），
（１≧ｙ＞０）を成長する。
半導体としてＩｎxＧａyＡｌ1-x-yＮ（１≧ｘ＞０），
（１≧ｙ＞０）を成長する。
【００１９】また、好ましくは、前記ウルツ鉱型窒化物
半導体を多層に成長し、前記基板面に平行に共振器を形
成する。
半導体を多層に成長し、前記基板面に平行に共振器を形
成する。
【００２０】また、好ましくは、前記基板がＺｎＯ、Ｇ
ａＮ又はＡｌ2Ｏ3である。
ａＮ又はＡｌ2Ｏ3である。
【００２１】また、本発明の半導体発光素子の製造方法
は、ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して半
導体発光素子を製造する半導体発光素子の製造方法であ
って、該ウルツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方
向が該基板の基板面方向に対して、９０°±５°の角度
を有するように成長させる工程を包含しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
は、ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶成長して半
導体発光素子を製造する半導体発光素子の製造方法であ
って、該ウルツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方
向が該基板の基板面方向に対して、９０°±５°の角度
を有するように成長させる工程を包含しており、そのこ
とにより上記目的が達成される。
【００２２】好ましくは、前記ウルツ鉱型窒化物半導体
を多層に成長し、前記基板の基板面に平行に共振器を形
成する工程を包含する。
を多層に成長し、前記基板の基板面に平行に共振器を形
成する工程を包含する。
【００２３】以下に、作用を説明する。
【００２４】上記知見によれば、上記課題を解決するた
めには、まず、結晶欠陥の密度を小さくする必要があ
る。そのために、本発明では、図４に示すように、ウル
ツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方向が基板面の
法線方向に相当する基板面方向に対して、９０゜±５°
の角度を有するように、即ちＣ軸〈００・１〉方向が基
板面と略平行になるようにウルツ鉱型窒化物半導体を成
長している。
めには、まず、結晶欠陥の密度を小さくする必要があ
る。そのために、本発明では、図４に示すように、ウル
ツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方向が基板面の
法線方向に相当する基板面方向に対して、９０゜±５°
の角度を有するように、即ちＣ軸〈００・１〉方向が基
板面と略平行になるようにウルツ鉱型窒化物半導体を成
長している。
【００２５】このようにすれば、上述のように、Ｃ軸
〈００・１〉に平行に発生する欠陥は、基板と成長膜と
のミスフイットから生じることが主要因となっているた
め、Ｃ軸〈００・１〉に平行に発生する欠陥密度を減少
させることができるからである。
〈００・１〉に平行に発生する欠陥は、基板と成長膜と
のミスフイットから生じることが主要因となっているた
め、Ｃ軸〈００・１〉に平行に発生する欠陥密度を減少
させることができるからである。
【００２６】また、光の出射方向と線状の結晶欠陥の成
長方向が平行ならば、発生する欠陥と平行に光を取り出
すことができるので、キャビティ内での伝搬光の散乱が
増加することがない。この結果、発光効率はほとんど低
下しない。それ故、基板に平行に光が出射する半導体レ
ーザ素子であれば、結晶欠陥を基板と平行に発生するよ
うに、半導体を成長させることが必要である。
長方向が平行ならば、発生する欠陥と平行に光を取り出
すことができるので、キャビティ内での伝搬光の散乱が
増加することがない。この結果、発光効率はほとんど低
下しない。それ故、基板に平行に光が出射する半導体レ
ーザ素子であれば、結晶欠陥を基板と平行に発生するよ
うに、半導体を成長させることが必要である。
【００２７】ここで、窒素を含むウルツ鉱型III−Ｖ族
化合物半導体の場合、Ｃ軸〈００・１〉と結晶欠陥の方
向が平行になっている。よって、本発明によれば、発光
効率の高い半導体発光素子を実現できる。
化合物半導体の場合、Ｃ軸〈００・１〉と結晶欠陥の方
向が平行になっている。よって、本発明によれば、発光
効率の高い半導体発光素子を実現できる。
【００２８】なお、±５°の角度差が許容されている理
由は、後述の本発明者等の実験結果により説明されてい
る。
由は、後述の本発明者等の実験結果により説明されてい
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態を説明
する。
する。
【００３０】（実施形態１）まず、図１に基づき本発明
の実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法について
説明する。但し、図１は有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）による結晶成長装置の断面の概略図を示す。
の実施形態１に係る半導体発光素子の製造方法について
説明する。但し、図１は有機金属気相成長法（ＭＯＣＶ
Ｄ法）による結晶成長装置の断面の概略図を示す。
【００３１】この結晶成長装置は、上部にガス導入口２
６ａが形成され、側面の下部にガス排気口２６ｂが形成
された石英製の反応炉２６を備えてなり、反応炉２６内
にはカーボン製のサセプタ２３が配置されている。サセ
プタ２３の上面には、ガス導入口２６ａに対向して基板
１１が配置される。サセプタ２３は反応炉２６の上部外
周面に取り付けた高周波加熱コイル２５により誘導加熱
され、基板１１の温度は熱電対２４により検出され、図
示しない表示部に検出温度が表示される。
６ａが形成され、側面の下部にガス排気口２６ｂが形成
された石英製の反応炉２６を備えてなり、反応炉２６内
にはカーボン製のサセプタ２３が配置されている。サセ
プタ２３の上面には、ガス導入口２６ａに対向して基板
１１が配置される。サセプタ２３は反応炉２６の上部外
周面に取り付けた高周波加熱コイル２５により誘導加熱
され、基板１１の温度は熱電対２４により検出され、図
示しない表示部に検出温度が表示される。
【００３２】反応炉２６内にはガス導入口２６ａより原
料ガス２１が導入される。この原料ガス２１はガス排気
口２６ｂより排出される。
料ガス２１が導入される。この原料ガス２１はガス排気
口２６ｂより排出される。
【００３３】ここで、本実施形態１では、結晶成長を行
う基板１１として、ＺｎＯ基板１１を用い、このＺｎＯ
基板１１上にＧａＮ結晶成長を行って半導体発光素子を
製造した。なお、ＺｎＯ基板１１は、柱状のＺｎＯ結晶
をスライス、研磨したものを使用した。ＺｎＯ基板１１
に使用したＺｎＯ結晶には、面積が約１ｃｍ2の（１１
・０）面を使用した。
う基板１１として、ＺｎＯ基板１１を用い、このＺｎＯ
基板１１上にＧａＮ結晶成長を行って半導体発光素子を
製造した。なお、ＺｎＯ基板１１は、柱状のＺｎＯ結晶
をスライス、研磨したものを使用した。ＺｎＯ基板１１
に使用したＺｎＯ結晶には、面積が約１ｃｍ2の（１１
・０）面を使用した。
【００３４】以下に本実施形態１に係る半導体発光素子
の製造工程について説明する。まず、表面を清浄化した
ＺｎＯ基板１１をサセプタ２３上に搭載し、反応炉２６
内部を高純度の水素で置換する。
の製造工程について説明する。まず、表面を清浄化した
ＺｎＯ基板１１をサセプタ２３上に搭載し、反応炉２６
内部を高純度の水素で置換する。
【００３５】次いで、原料ガスとなる窒素ガスをガス導
入口２６ａより反応炉２６内に供給し、反応炉２６から
排気されるガスとのバランスを考慮して反応炉圧力を１
００Ｔｏｒｒ程度になるよう調整する。その後、高周波
加熱コイル２５によってサセプタ２３を誘導加熱する。
入口２６ａより反応炉２６内に供給し、反応炉２６から
排気されるガスとのバランスを考慮して反応炉圧力を１
００Ｔｏｒｒ程度になるよう調整する。その後、高周波
加熱コイル２５によってサセプタ２３を誘導加熱する。
【００３６】そして、基板温度が１１００℃になると、
ガス導入口２６ａより反応炉２６内にＶ族原料ガスを導
入し、１０〜２０分間維持してＺｎＯ基板１１の清浄化
を行う。
ガス導入口２６ａより反応炉２６内にＶ族原料ガスを導
入し、１０〜２０分間維持してＺｎＯ基板１１の清浄化
を行う。
【００３７】次いで、ＺｎＯ基板１１を成長温度に設定
し、ガス導入口２６ａより反応炉２６内にIII族ガスを
導入し、結晶成長を開始した。本実施形態１では、III
族原料として、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、Ｖ族原
料としてアンモニア（ＮＨ3）を使用し、成長は１００
０℃で行った。供給したＴＭＧ量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
でＶ／III供給比が１００００になるようにアンモニア
量を調整した。また、ＴＭＧ及びＮＨ3のキャリアガス
として、Ｈ2とＮ2の混合ガスを使用した。本条件での成
長速度は約０．２μｍ／ｈであった。
し、ガス導入口２６ａより反応炉２６内にIII族ガスを
導入し、結晶成長を開始した。本実施形態１では、III
族原料として、トリメチルガリウム（ＴＭＧ）、Ｖ族原
料としてアンモニア（ＮＨ3）を使用し、成長は１００
０℃で行った。供給したＴＭＧ量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
でＶ／III供給比が１００００になるようにアンモニア
量を調整した。また、ＴＭＧ及びＮＨ3のキャリアガス
として、Ｈ2とＮ2の混合ガスを使用した。本条件での成
長速度は約０．２μｍ／ｈであった。
【００３８】本成長膜をＸ線を用い、成長方向を解析し
た結果、成長膜はＺｎＯ基板１１の（１１・０）面に
〈１１・０〉軸方向に配向してＧａＮが成長しているこ
とが確認された。本試料の断面を高解像の透過電子顕微
鏡を用いて観察した結果、同成長条件でＣ面（００・
１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜（図
５に示す成長層）に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／
１００程度に減少していることが確認された。
た結果、成長膜はＺｎＯ基板１１の（１１・０）面に
〈１１・０〉軸方向に配向してＧａＮが成長しているこ
とが確認された。本試料の断面を高解像の透過電子顕微
鏡を用いて観察した結果、同成長条件でＣ面（００・
１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜（図
５に示す成長層）に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／
１００程度に減少していることが確認された。
【００３９】よって、上記した理由により、本実施形態
１の半導体発光素子によれば、結晶欠陥の密度を小さく
できるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に好適
な半導体発光素子を実現できる。
１の半導体発光素子によれば、結晶欠陥の密度を小さく
できるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に好適
な半導体発光素子を実現できる。
【００４０】（実施形態２）本実施形態２では、図１に
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＡｌＧａＮを成長した。
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＡｌＧａＮを成長した。
【００４１】ここで、ＡｌＧａＮを成長する際には、II
I族原料として、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）を使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供
給したＴＭＧとＴＭＡの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎで
Ａｌの混合量より組成比を調節し、Ｖ／III供給比が１
００００になるようにアンモニア量を調整した。また、
ＴＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2と
Ｎ2の混合ガスを使用した。成長温度が１０００℃の際
の本条件での成長速度は約０．１〜０．４μｍ／ｈであ
った。
I族原料として、ＴＭＧ、トリメチルアルミニウム（Ｔ
ＭＡ）を使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供
給したＴＭＧとＴＭＡの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎで
Ａｌの混合量より組成比を調節し、Ｖ／III供給比が１
００００になるようにアンモニア量を調整した。また、
ＴＭＧ、ＴＭＡ及びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2と
Ｎ2の混合ガスを使用した。成長温度が１０００℃の際
の本条件での成長速度は約０．１〜０．４μｍ／ｈであ
った。
【００４２】実施形態１と同様に、Ｘ線及び透過電子顕
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＡｌＧａＮが成長し
ていることが確認された。また、同成長条件でＣ面（０
０・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜
に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減少し
ていることが確認された。
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＡｌＧａＮが成長し
ていることが確認された。また、同成長条件でＣ面（０
０・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜
に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減少し
ていることが確認された。
【００４３】従って、この場合も、結晶欠陥の密度を小
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
【００４４】（実施形態３）本実施形態３では、図１に
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＩｎＧａＮを成長した。
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＩｎＧａＮを成長した。
【００４５】ここで、ＩｎＧａＮを成長する際には、II
I族原料として、ＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉｎ）を使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供
給したＴＭＧとＴＭＩｎの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
でＩｎの混合量より組成を調節し、Ｖ／III供給比が１
００００になるようにアンモニア量を調整した。また、
ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2
とＮ2の混合ガスを使用した。成長温度が７５０℃の際
の本条件での成長速度は約０．１μｍ／ｈであった。
I族原料として、ＴＭＧ、トリメチルインジウム（ＴＭ
Ｉｎ）を使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供
給したＴＭＧとＴＭＩｎの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
でＩｎの混合量より組成を調節し、Ｖ／III供給比が１
００００になるようにアンモニア量を調整した。また、
ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2
とＮ2の混合ガスを使用した。成長温度が７５０℃の際
の本条件での成長速度は約０．１μｍ／ｈであった。
【００４６】実施形態１と同様に、Ｘ線及び透過電子顕
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＩｎＧａＮが成長し
ていることが確認された。また、同成長条件でＣ面（０
０・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜
に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減少し
ていることが確認された。
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＩｎＧａＮが成長し
ていることが確認された。また、同成長条件でＣ面（０
０・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成長膜
に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減少し
ていることが確認された。
【００４７】従って、この場合も、結晶欠陥の密度を小
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
【００４８】（実施形態４）本実施形態４でも、図１に
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＡｌＧａＩｎＮを成長した。
示す結晶成長装置を用い、かつ基板の種類、成長面、前
処理の方法及び成長温度を実施形態１と同様にして、窒
化物半導体であるＡｌＧａＩｎＮを成長した。
【００４９】ここで、ＡｌＧａＩｎＮを成長する際に
は、III族原料として、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎを使
用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供給したＴＭ
Ａ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
で、Ｉｎ、Ａｌ，Ｇａのそれぞれの混合量より組成を調
節し、Ｖ／III供給比が１００００になるようにアンモ
ニア量を調整した。また、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及
びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2とＮ2の混合ガスを
使用した。成長温度が７５０℃の際の本条件での成長速
度は約０．０５〜０．２μｍ／ｈであった。
は、III族原料として、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎを使
用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用した。供給したＴＭ
Ａ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎの合計量は５μｍｏｌ／ｍｉｎ
で、Ｉｎ、Ａｌ，Ｇａのそれぞれの混合量より組成を調
節し、Ｖ／III供給比が１００００になるようにアンモ
ニア量を調整した。また、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＴＭＩｎ及
びＮＨ3のキャリアガスとしてはＨ2とＮ2の混合ガスを
使用した。成長温度が７５０℃の際の本条件での成長速
度は約０．０５〜０．２μｍ／ｈであった。
【００５０】実施形態１と同様に、Ｘ線及び透過電子顕
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＡｌＧａＩｎＮが成
長していることが確認された。また、同成長条件でＣ面
（００・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成
長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減
少しており、転位の発生する方向も製造膜の成長方向に
垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く確認され
た。
微鏡で製造した膜を評価した結果、基板の（１１・０）
面に〈１１・０〉軸方向に配向してＡｌＧａＩｎＮが成
長していることが確認された。また、同成長条件でＣ面
（００・１）のＺｎＯ基板にＣ軸配向させて成長した成
長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は１／１００以下に減
少しており、転位の発生する方向も製造膜の成長方向に
垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く確認され
た。
【００５１】従って、この場合も、結晶欠陥の密度を小
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
【００５２】（実施形態５）本実施形態５では、基板と
してＳｉＣ基板を用いて、ＧａＮ結晶成長を行った。よ
り具体的には、結晶成長を行う基板として、（１１・
０）面の６Ｈ−ＳｉＣを使用した。以下に本実施形態５
の製造工程について説明する。なお、結晶成長装置は、
図１に示すものを用いた。従って、以下の説明では対応
する部分に同一の符号を用いている。
してＳｉＣ基板を用いて、ＧａＮ結晶成長を行った。よ
り具体的には、結晶成長を行う基板として、（１１・
０）面の６Ｈ−ＳｉＣを使用した。以下に本実施形態５
の製造工程について説明する。なお、結晶成長装置は、
図１に示すものを用いた。従って、以下の説明では対応
する部分に同一の符号を用いている。
【００５３】まず、表面を清浄化したＳｉＣ基板をサセ
プタ２３上に搭載し、反応炉２６内部を高純度の水素で
置換する。次いで、窒素ガスを反応炉２６に供給し、反
応炉２６から排気されるガスとのバランスを考慮して反
応炉圧力を１００Ｔｏｒｒ程度になるよう調整する。そ
の後、高周波加熱コイル２５を用い、サセプタ２３を誘
導加熱し、基板温度１１００℃でＶ族原料ガスを導入
し、１０〜２０分間維持して基板の清浄化を行う。次い
で、基板を成長温度に設定し、III族ガスを導入し、結
晶成長を開始した。
プタ２３上に搭載し、反応炉２６内部を高純度の水素で
置換する。次いで、窒素ガスを反応炉２６に供給し、反
応炉２６から排気されるガスとのバランスを考慮して反
応炉圧力を１００Ｔｏｒｒ程度になるよう調整する。そ
の後、高周波加熱コイル２５を用い、サセプタ２３を誘
導加熱し、基板温度１１００℃でＶ族原料ガスを導入
し、１０〜２０分間維持して基板の清浄化を行う。次い
で、基板を成長温度に設定し、III族ガスを導入し、結
晶成長を開始した。
【００５４】本実施形態５では、III族原料として、Ｔ
ＭＧを使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用し、成長は
１０００℃で行った。供給したＴＭＧ量は５μｍｏｌ／
ｍｉｎでＶ／III供給比が１００００になるようにアン
モニア量を調整した。また、ＴＭＧ及びＮＨ3のキャリ
アガスとしてはＨ2とＮ2の混合ガスを使用した。本条件
での成長速度は約０．３μｍ／ｈであった。成長膜の表
面には若干のクラックが発生したが、凹凸の少ない良好
な膜が作製できた。
ＭＧを使用し、Ｖ族原料としてＮＨ3を使用し、成長は
１０００℃で行った。供給したＴＭＧ量は５μｍｏｌ／
ｍｉｎでＶ／III供給比が１００００になるようにアン
モニア量を調整した。また、ＴＭＧ及びＮＨ3のキャリ
アガスとしてはＨ2とＮ2の混合ガスを使用した。本条件
での成長速度は約０．３μｍ／ｈであった。成長膜の表
面には若干のクラックが発生したが、凹凸の少ない良好
な膜が作製できた。
【００５５】上記各実施形態同様に、本成長膜をＸ線を
用い、成長方向を解析した結果、成長膜はＳｉＣ基板の
（１１・０）面に〈１１・０〉軸方向に配向してＧａＮ
が成長していることが確認された。本試料の断面を高解
像の透過電子顕微鏡を用いて観察した結果、同成長条件
でＣ面（００・１）のＳｉＣ基板にＣ軸配向させて成長
した成長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／１００
程度に減少しており、転位の発生する方向も製造膜の成
長方向に垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く
確認された。
用い、成長方向を解析した結果、成長膜はＳｉＣ基板の
（１１・０）面に〈１１・０〉軸方向に配向してＧａＮ
が成長していることが確認された。本試料の断面を高解
像の透過電子顕微鏡を用いて観察した結果、同成長条件
でＣ面（００・１）のＳｉＣ基板にＣ軸配向させて成長
した成長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／１００
程度に減少しており、転位の発生する方向も製造膜の成
長方向に垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く
確認された。
【００５６】従って、この場合も、結晶欠陥の密度を小
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
【００５７】（実施形態６）本実施形態６では、基板と
してＡｌ2Ｏ3基板を用いて、ＧａＮ結晶成長を行った。
より具体的には、結晶成長を行う基板として、（１１・
０）面のＡｌ2Ｏ3を使用した。
してＡｌ2Ｏ3基板を用いて、ＧａＮ結晶成長を行った。
より具体的には、結晶成長を行う基板として、（１１・
０）面のＡｌ2Ｏ3を使用した。
【００５８】成長条件は、実施形態５と同様の条件で行
った。本条件での成長速度は約０．３μｍ／ｈであっ
た。成長膜の表面には若干の凹凸とクラックが発生した
が、Ｘ線を用い、成長方向を解析した結果、成長膜はＡ
ｌ2Ｏ3基板の（１１・０）面に〈１１・０〉軸方向に配
向してＧａＮが成長していることが確認された。
った。本条件での成長速度は約０．３μｍ／ｈであっ
た。成長膜の表面には若干の凹凸とクラックが発生した
が、Ｘ線を用い、成長方向を解析した結果、成長膜はＡ
ｌ2Ｏ3基板の（１１・０）面に〈１１・０〉軸方向に配
向してＧａＮが成長していることが確認された。
【００５９】上記同様に、本試料の断面を高解像の透過
電子顕微鏡を用いて観察した結果、同成長条件でＣ（０
０・１）面のＡｌ2Ｏ3基板にＣ軸配向させて成長した成
長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／１００程度に
減少しており、転位の発生する方向も製造膜の成長方向
に垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く確認さ
れた。
電子顕微鏡を用いて観察した結果、同成長条件でＣ（０
０・１）面のＡｌ2Ｏ3基板にＣ軸配向させて成長した成
長膜に比べ、成長膜内の欠陥の数は約１／１００程度に
減少しており、転位の発生する方向も製造膜の成長方向
に垂直に（Ｃ軸方向に）発生しているものが多く確認さ
れた。
【００６０】従って、この場合も、結晶欠陥の密度を小
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
さくできるので、発光効率の高い、半導体レーザ素子に
好適な半導体発光素子を実現できる。
【００６１】（実施形態７）図２は本発明方法によって
製造された半導体レーザ素子の一例の断面を示す。ここ
で、図中１１は、（１１・０）面方位を有するＺｎＯ基
板、１２は実施形態１に係る製造方法によってＳｉをド
ーピングしながら製造した２μｍ厚のｎ型ＧａＮ（ｎ型
のＧａＮバッファ層）、１３はｎ型ＧａＮ１２上に、Ｔ
ＭＡ，ＴＭＧ、ＮＨ3を用い、Ｓｉをドーピングしなが
ら成長した２μｍ厚のｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶（ｎ型
のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ光閉じ込め層）、１４はｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１３上に、ＴＭＩｎ、ＴＭＧ、ＮＨ3
を用いて成長した、０．０５μｍ厚のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ
混晶（Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ発光層）、１５はＩｎ0.1Ｇａ
0.9Ｎ混晶１４上に、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3を用い、Ｍ
ｇをドーピングしながら成長した２μｍ厚のｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶（ｐ型のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ光閉じ込め
層）である。以上の多層構造により、基板面に平行に共
振器が形成される。なお、ＺｎＯ基板１１はｎ型の伝導
性を有している。
製造された半導体レーザ素子の一例の断面を示す。ここ
で、図中１１は、（１１・０）面方位を有するＺｎＯ基
板、１２は実施形態１に係る製造方法によってＳｉをド
ーピングしながら製造した２μｍ厚のｎ型ＧａＮ（ｎ型
のＧａＮバッファ層）、１３はｎ型ＧａＮ１２上に、Ｔ
ＭＡ，ＴＭＧ、ＮＨ3を用い、Ｓｉをドーピングしなが
ら成長した２μｍ厚のｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶（ｎ型
のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ光閉じ込め層）、１４はｎ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１３上に、ＴＭＩｎ、ＴＭＧ、ＮＨ3
を用いて成長した、０．０５μｍ厚のＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ
混晶（Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ発光層）、１５はＩｎ0.1Ｇａ
0.9Ｎ混晶１４上に、ＴＭＡ、ＴＭＧ、ＮＨ3を用い、Ｍ
ｇをドーピングしながら成長した２μｍ厚のｐ型Ａｌ
0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶（ｐ型のＡｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ光閉じ込め
層）である。以上の多層構造により、基板面に平行に共
振器が形成される。なお、ＺｎＯ基板１１はｎ型の伝導
性を有している。
【００６２】ここで、ｎ型ＧａＮ１２、ｎ型Ａｌ0.2Ｇ
ａ0.8Ｎ混晶１３及びｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５の
各層のキャリア濃度は、それぞれｎ〜１×１０18、ｎ〜
５×１０17、ｐ〜３×１０17ｃｍ-3になるようにドーパ
ントの投入量を調整して成長している。ｎ型ＧａＮ１２
〜ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５までの混晶は、何れの
層も基板面に対して垂直に〈１１・０〉軸が成長してい
ることが確認された。
ａ0.8Ｎ混晶１３及びｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５の
各層のキャリア濃度は、それぞれｎ〜１×１０18、ｎ〜
５×１０17、ｐ〜３×１０17ｃｍ-3になるようにドーパ
ントの投入量を調整して成長している。ｎ型ＧａＮ１２
〜ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５までの混晶は、何れの
層も基板面に対して垂直に〈１１・０〉軸が成長してい
ることが確認された。
【００６３】また、図中１６及び１７はそれぞれｐ型Ａ
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５及びＺｎＯ基板１１にオーミッ
ク接合する金属電極であり、成長膜表面及び基板裏面全
面に蒸着法により作製した。
ｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶１５及びＺｎＯ基板１１にオーミッ
ク接合する金属電極であり、成長膜表面及び基板裏面全
面に蒸着法により作製した。
【００６４】電流は金属電極１６、１７間で流し、劈開
した端面からの発光特性を測定した。劈開した端面から
放射される光は、成長した膜のＣ〈１１・０〉軸に対し
て平行である。出力光の測定は積分球を用いて行った。
した端面からの発光特性を測定した。劈開した端面から
放射される光は、成長した膜のＣ〈１１・０〉軸に対し
て平行である。出力光の測定は積分球を用いて行った。
【００６５】本発明半導体発光素子と従来方法で作製さ
れた半導体発光素子との比較を行うために、全く同様の
方法で（００・１）面方位を有するＺｎＯ基板上に上記
従来構造の発光素子を作製した。作製した素子の成長面
はＣ面であり、劈開で作製した面は成長した膜のＣ軸に
対して平行である。従って、劈開した端面から放射され
る光は、成長した膜のＣ面に対して垂直である。
れた半導体発光素子との比較を行うために、全く同様の
方法で（００・１）面方位を有するＺｎＯ基板上に上記
従来構造の発光素子を作製した。作製した素子の成長面
はＣ面であり、劈開で作製した面は成長した膜のＣ軸に
対して平行である。従って、劈開した端面から放射され
る光は、成長した膜のＣ面に対して垂直である。
【００６６】上記２種類の試料の特性を比較を行った結
果を図３に示す。図３は上記２種類の試料を劈開し、電
極から電流を注入した際に、端面から出射する光のパワ
ーを測定したものである。図中、横軸は投入電流、縦軸
は出射光強度である。
果を図３に示す。図３は上記２種類の試料を劈開し、電
極から電流を注入した際に、端面から出射する光のパワ
ーを測定したものである。図中、横軸は投入電流、縦軸
は出射光強度である。
【００６７】図３より、本発明により作製した発光素子
（１）は、比較した他の方法で作製した素子（２）に比
べ、投入電流に対する端面からの発光強度、つまり発光
電力比が高いことがわかる。
（１）は、比較した他の方法で作製した素子（２）に比
べ、投入電流に対する端面からの発光強度、つまり発光
電力比が高いことがわかる。
【００６８】また、基板面方位と成長膜のＣ軸との角度
の依存性についても調査したが、成長膜のＣ軸方向と、
基板面方向とのなす角度が９０°±５°から大きく傾い
ていると、成長した膜の構造上或いは光学的な特性は悪
化し、本発明の効果は薄れることがわかった。よって、
本発明では、成長膜のＣ〈００・１〉軸方向と、基板面
方向とのなす角度が９０°±５°の範囲内にあるように
結晶成長する構成をとっている。
の依存性についても調査したが、成長膜のＣ軸方向と、
基板面方向とのなす角度が９０°±５°から大きく傾い
ていると、成長した膜の構造上或いは光学的な特性は悪
化し、本発明の効果は薄れることがわかった。よって、
本発明では、成長膜のＣ〈００・１〉軸方向と、基板面
方向とのなす角度が９０°±５°の範囲内にあるように
結晶成長する構成をとっている。
【００６９】また、本発明方法で作製した半導体発光素
子の発光層であるＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ混晶結晶中には、基
板と成長膜の界面から発生する転位はほとんど無く、ま
た、Ｃ〈００・１〉軸方向に平行に発生している転位
（発光層に平行に発生している転位）がほとんどである
が、その数も従来の作製方法に比べ、減少している。そ
のため結晶内の光の損失及び散乱が抑制され、発光強度
は従来の方法で作製された半導体発光素子と比較して強
くなっているものと考えられる。
子の発光層であるＩｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ混晶結晶中には、基
板と成長膜の界面から発生する転位はほとんど無く、ま
た、Ｃ〈００・１〉軸方向に平行に発生している転位
（発光層に平行に発生している転位）がほとんどである
が、その数も従来の作製方法に比べ、減少している。そ
のため結晶内の光の損失及び散乱が抑制され、発光強度
は従来の方法で作製された半導体発光素子と比較して強
くなっているものと考えられる。
【００７０】
【発明の効果】以上の本発明半導体発光素子によれば、
ウルツ鉱型窒化物半導体を結晶成長して製造する半導体
発光素子において、成長する窒化物半導体のＣ軸〈００
・１〉方向が基板面方向に対して、９０°±５°の角度
を有するように結晶成長を行う構成をとるので、成長層
内の欠陥密度を低減でき、かつ結晶内に発生する転位も
成長膜に垂直に発生するため、結晶内の伝搬光の損失
や、散乱の少ない、発光効率の良い、半導体レーザ素子
に好適な半導体発光素子を実現できる。
ウルツ鉱型窒化物半導体を結晶成長して製造する半導体
発光素子において、成長する窒化物半導体のＣ軸〈００
・１〉方向が基板面方向に対して、９０°±５°の角度
を有するように結晶成長を行う構成をとるので、成長層
内の欠陥密度を低減でき、かつ結晶内に発生する転位も
成長膜に垂直に発生するため、結晶内の伝搬光の損失
や、散乱の少ない、発光効率の良い、半導体レーザ素子
に好適な半導体発光素子を実現できる。
【００７１】また、本発明半導体発光素子の製造方法に
よれば、そのような効果を奏する半導体発光素子を作製
できる。
よれば、そのような効果を奏する半導体発光素子を作製
できる。
【図１】本発明方法に使用する有機金属気相成長法によ
る結晶成長装置を示す正面図。
る結晶成長装置を示す正面図。
【図２】本発明半導体発光素子の一例を示す斜視図。
【図３】本発明半導体発光素子と従来の半導体発光素子
の発光強度を比較して示すグラフ。
の発光強度を比較して示すグラフ。
【図４】本発明半導体発光素子におけるウルツ鉱型窒化
物半導体のＣ軸〈００・１〉方向と基板面との関係を示
す図。
物半導体のＣ軸〈００・１〉方向と基板面との関係を示
す図。
【図５】従来の半導体発光素子におけるウルツ鉱型窒化
物半導体のＣ軸方向と基板面との関係を示す図。
物半導体のＣ軸方向と基板面との関係を示す図。
１１ ＺｎＯ基板 １２ ｎ型ＧａＮ １３ ｎ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶 １４ Ｉｎ0.1Ｇａ0.9Ｎ混晶 １５ ｐ型Ａｌ0.2Ｇａ0.8Ｎ混晶 １６，１７ 金属電極 ２３ サセプタ ２４ 熱電対 ２５ 高周波加熱コイル ２６ 反応炉
Claims (8)
- 【請求項１】 ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶
成長して作製される半導体発光素子であって、 結晶成長する該ウルツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・
１〉方向が該基板の基板面方向に対して、９０°±５°
の角度を有する半導体発光素子。 - 【請求項２】 前記ウルツ鉱型窒化物半導体としてＧａ
Ｎを成長した請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項３】 前記ウルツ鉱型窒化物半導体としてＡｌ
xＧａ1-xＮ（１≧ｘ＞０）又はＩｎxＧａ1-xＮ（１≧ｘ
＞０）を成長した請求項１記載の半導体発光素子。 - 【請求項４】 前記ウルツ鉱型窒化物半導体としてＩｎ
xＧａyＡｌ1-x-yＮ（１≧ｘ＞０），（１≧ｙ＞０）を
成長した請求項ｌ記載の半導体発光素子。 - 【請求項５】 前記ウルツ鉱型窒化物半導体を多層に成
長し、前記基板面に平行に共振器を形成した請求項１〜
請求項４のいずれかに記載の半導体発光素子。 - 【請求項６】 前記基板がＺｎＯ、ＧａＮ又はＡｌ2Ｏ3
である請求項１〜請求項５のいずれかに記載の半導体発
光素子。 - 【請求項７】 ウルツ鉱型窒化物半導体を基板上に結晶
成長して半導体発光素子を製造する半導体発光素子の製
造方法であって、 該ウルツ鉱型窒化物半導体のＣ軸〈００・１〉方向が該
基板の基板面方向に対して、９０°±５°の角度を有す
るように成長させる工程を包含する半導体発光素子の製
造方法。 - 【請求項８】 前記ウルツ鉱型窒化物半導体を多層に成
長し、前記基板の基板面に平行に共振器を形成する工程
を包含する請求項７記載の半導体発光素子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20234796A JPH1051029A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP20234796A JPH1051029A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1051029A true JPH1051029A (ja) | 1998-02-20 |
Family
ID=16456036
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP20234796A Withdrawn JPH1051029A (ja) | 1996-07-31 | 1996-07-31 | 半導体発光素子及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH1051029A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204885A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 |
| WO2001035447A3 (de) * | 1999-11-09 | 2001-10-18 | Paul Drude Inst Fuer Festkoerp | Hocheffiziente uv-emitter auf nitridhalbleiterbasis |
| WO2006121000A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製法 |
| US7995632B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser chip and fabrication method thereof |
-
1996
- 1996-07-31 JP JP20234796A patent/JPH1051029A/ja not_active Withdrawn
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11204885A (ja) * | 1998-01-08 | 1999-07-30 | Sony Corp | 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体層の成長方法および半導体装置の製造方法 |
| WO2001035447A3 (de) * | 1999-11-09 | 2001-10-18 | Paul Drude Inst Fuer Festkoerp | Hocheffiziente uv-emitter auf nitridhalbleiterbasis |
| WO2006121000A1 (ja) * | 2005-05-09 | 2006-11-16 | Rohm Co., Ltd. | 窒化物半導体素子およびその製法 |
| US7995632B2 (en) * | 2007-05-31 | 2011-08-09 | Sharp Kabushiki Kaisha | Nitride semiconductor laser chip and fabrication method thereof |
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